CN115803469A - 内壁构件的再生方法 - Google Patents

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Abstract

设于进行等离子处理的处理室的内壁的内壁构件(40)具备：基材(41)；具有端部(EP1)的阳极氧化膜(42a)；和具有端部(EP2)的喷镀膜(42b)。基材(41)具有表面(FS1)、位于比表面(FS1)高的位置的表面(FS2)以及侧面(SS1)。内壁构件(40)的再生方法具有如下工序：(a)将从喷镀膜(42b)露出的阳极氧化膜(42a)用掩蔽件(100)覆盖；(b)通过对喷镀膜(42b)进行喷砂处理，来除去表面(FS2)上的喷镀膜(42b)，留下表面(FS1)上以及侧面(SS1)上的喷镀膜(42b)的一部分，以使得未被掩蔽件(100)覆盖的阳极氧化膜(42a)被喷镀膜(42b)覆盖；(c)在留下的喷镀膜(42b)上以及表面(FS2)上通过喷镀法形成新的喷镀膜(42b)；(d)将掩蔽件(100)拆下。

Description

内壁构件的再生方法
技术领域
本发明涉及内壁构件的再生方法，特别涉及设置在等离子处理装置中进行等离子处理的处理室的内壁的内壁构件的再生方法。
背景技术
过去，在加工半导体晶片、制造电子器件等的工序中，通过层叠于半导体晶片的表面的多个膜层来形成集成电路。在该制造工序中，需要微细的加工，运用利用了等离子的蚀刻处理。在这样的通过等离子蚀刻处理进行的加工中，伴随电子器件的高集成化，要求高的精度以及高的成品率。
用于进行等离子蚀刻处理的等离子处理装置具备在真空容器的内部形成等离子的处理室，在处理室的内部收纳半导体晶片。构成处理室的内壁的构件由于与强度以及制造成本相关的理由，通常将铝或不锈钢等金属制的材料作为基材。进而，该处理室的内壁在等离子处理时，与等离子接触，或面向等离子。因而，在构成处理室的内壁的构件中，在基材的表面配置等离子耐性高的皮膜。通过上述皮膜来从等离子保护基材。
作为形成这样的皮膜的技术，过去以来，已知通过所谓的喷镀法形成喷镀膜的方法。在喷镀法中，在大气或设为给定的压力的气体气氛中形成等离子，将皮膜用的材料的粒子投入到等离子，由此形成半熔融状态的粒子。将该半熔融状态的粒子喷附或照射到基材的表面，由此形成喷镀膜。
作为喷镀膜的材料，例如使用氧化铝、氧化钇或氟化钇能那样的陶瓷材或包含它们的材料。通过用这样的皮膜(喷镀膜)覆盖基材的表面来构成处理室的内壁的构件在长期间抑制了等离子导致的消耗，抑制了等离子与构件的表面之间的相互作用的量以及性质的变化。
例如在专利文献1中公开了具备这样的具有等离子耐性的皮膜的处理室的内壁的构件。在专利文献1中，作为上述皮膜的示例，公开了氧化钇。
另一方面，存在如下问题：喷镀膜的表面在长期间的使用后劣化，喷镀膜的粒子由于与等离子的相互作用而被消耗，喷镀膜的膜厚减少。若基材的表面在处理室的内部露出，构成基材的金属材料的粒子就会附着到在处理室的内部被处理的晶片，有可能在晶片产生污染。因而，在具有通过使用而劣化、损伤或消耗的喷镀膜的构件的表面进行以下操作：再度通过喷镀法将喷镀膜再生。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：JP特开2004-100039号公报
发明内容
发明要解决的课题
但在现有技术中，由于关于下述的点的考虑并不充分，因此产生各种问题。
例如在现有技术中，在再度通过喷镀法在劣化的喷镀膜上将喷镀膜再生的情况下，难以在再喷镀的前后将喷镀膜的厚度保持固定。
此外，在基材是铝或其合金的情况下，在基材的表面设有通过阳极氧化处理形成的耐蚀铝皮膜(阳极氧化膜)和通过喷镀法形成的皮膜(喷镀膜)。然后，在阳极氧化膜与喷镀膜之间形成边界。即，在阳极氧化膜上形成喷镀膜，以使其覆盖阳极氧化膜的端部。在该情况下，由于在除去劣化的喷镀膜时，被喷镀膜覆盖的阳极氧化膜也被除去，因此阳极氧化膜的端部的位置后退。因而，由于每当重复进行喷镀膜的再生，阳极氧化膜的端部的位置就会后退，因此阳极氧化膜的面积减少。
另一方面，在留下阳极氧化膜的端部地除去喷镀膜的情况下，会在阳极氧化膜上留下劣化或消耗的旧的喷镀膜。因而，每当重复进行喷镀膜的再生，残留的旧的喷镀膜就会层叠。由于这样的旧的喷镀膜的层叠体易于剥离，因此该层叠体有可能成为处理室的内部中的异物的产生源。
本申请的主要目的在于，提供在再喷镀的前后将喷镀膜的厚度保持固定的技术。此外，本申请的其他目的在于，提供能防止阳极氧化膜的面积的减少并且能抑制处理室的内部的异物的产生的技术。
其他课题以及新的特征根据本说明书的记述以及附图得以明确。
用于解决课题的手段
若简单说明本申请中公开的实施方式当中的代表性的实施方式的概要，则如下那样。
一个实施方式中的内壁构件的再生方法是设于在等离子处理装置中进行等离子处理的处理室的内壁的内壁构件的再生方法。所述内壁构件具备：基材，其具有第1表面、位于比所述第1表面高的位置的第2表面、以及将所述第1表面和所述第2表面连起来的第1侧面；阳极氧化膜，其形成于所述第1表面上以及所述第1侧面上，且具有位于所述第1侧面上的第1端部；和第1喷镀膜，其形成于所述第1表面上、所述第1侧面上以及所述第2表面上以使得覆盖所述第1端部，所述第1喷镀膜具有位于形成于所述第1表面上的所述阳极氧化膜上的第2端部。此外，内壁构件的再生方法具有如下工序：(a)将从所述第1喷镀膜露出的所述阳极氧化膜用掩蔽件覆盖；(b)在所述(a)工序后，通过对所述第1喷镀膜进行喷砂处理来除去所述第2表面上的所述第1喷镀膜，并且留下所述第1表面上以及所述第1侧面上的所述第1喷镀膜的一部分，以使得未被所述掩蔽件覆盖的所述阳极氧化膜被所述第1喷镀膜覆盖；(c)在所述(b)工序后，在留下的所述第1喷镀膜上以及所述第2表面上通过喷镀法形成第2喷镀膜；(d)在所述(c)工序后，将所述掩蔽件拆下。
一个实施方式中的内壁构件的再生方法是设于在等离子处理装置中进行等离子处理的处理室的内壁的内壁构件的再生方法。所述内壁构件具备：基材，其具有第1表面、位于比所述第1表面高的位置的第2表面、以及将所述第1表面和所述第2表面连起来的第1侧面；阳极氧化膜，其形成于所述第1表面上、所述第1侧面上以及所述第2表面上，且具有位于所述第1表面上的第1端部；和第1喷镀膜，其形成于所述第1表面上，以使得覆盖所述第1端部，所述第1喷镀膜具有位于形成于所述第1表面上的所述阳极氧化膜上的第2端部。此外，内壁构件的再生方法具有如下工序：(a)将从所述第1喷镀膜露出且至少形成于所述第1表面上以及所述第1侧面上的所述阳极氧化膜用掩蔽件覆盖；(b)在所述(a)工序后，通过对所述第1喷镀膜进行喷砂处理，来将所述第1表面上的所述第1喷镀膜除去；(c)在所述(b)工序后，在从所述掩蔽件露出的所述第1表面上通过喷镀法形成第2喷镀膜；(d)在所述(c)工序后，将所述掩蔽件拆下。
发明的效果
根据一个实施方式，能在再喷镀的前后将喷镀膜的厚度保持固定。此外，能防止阳极氧化膜的面积的减少，并且能抑制处理室的内部的异物的产生。
附图说明
图1是表示实施方式1中的等离子处理装置的示意图。
图2是表示实施方式1中的内壁构件的概念图。
图3是表示实施方式1中的内壁构件的俯视图。
图4是表示实施方式1中的内壁构件的截面图。
图5A是表示实施方式1中的内壁构件的基材的截面图。
图5B是表示实施方式1中的内壁构件的再生方法的截面图。
图5C是表示接着图5B的内壁构件的再生方法的截面图。
图5D是表示接着图5C的内壁构件的再生方法的截面图。
图6A是表示实施方式2中的内壁构件的基材的截面图。
图6B是表示实施方式2中的掩蔽(mask)件的截面图。
图6C是表示实施方式2中的内壁构件的再生方法的截面图。
图6D是表示接着图6C的内壁构件的再生方法的截面图。
图6E是表示接着图6D的内壁构件的再生方法的截面图。
具体实施方式
以下基于附图来详细说明实施方式。另外，在用于说明实施方式的全部图中，对具有相同的功能的构件标注相同的附图标记，省略其重复的说明。此外，在以下的实施方式中，除了特别需要时以外，原则上不再重复相同或同样的部分的说明。
此外，本申请中说明的X方向、Y方向以及Z方向相互交叉，相互正交。本申请中所用的“俯视观察”这样的表达是指从Z方向观察由X方向以及Y方向构成的面。
(实施方式1)
<等离子处理装置的结构>
以下使用图1来说明实施方式1中的等离子处理装置1的概要。
等离子处理装置1具备：圆筒形状的真空容器2；设于真空容器2的内部的处理室4；和设于处理室4的内部的载台5。处理室4的上部构成产生等离子3的空间即放电室。
在载台5的上方设有形成圆板形状的窗构件6和形成圆板形状的板片7。窗构件6例如由石英或陶瓷这样的电介质材料构成，将处理室4的内部气密地密封。板片7与窗构件6分离地设于窗构件6的下方，例如由石英这样的电介质材料构成。此外，在板片7设有多个贯通空8。在窗构件6与板片7之间设有间隙9，在进行等离子处理时，对间隙9供给处理气体。
载台5为了在对作为被处理件的晶片(基板)WF进行等离子处理时设置晶片WF而使用。另外，晶片WF例如由硅这样的半导体材料构成。载台5是从上方观察在与处理室4的放电室同心或近似于能视作同心的程度的位置配置其上下方向的中心轴的构件，形成圆筒形状。
载台5与处理室4的底面之间的空间经由载台5的侧壁与处理室4的侧面之间的间隙与载台5的上方的空间连通。因此，设置于载台5上的晶片WF的处理中产生的生成物、等离子3或气体的粒子经由载台5与处理室4的底面之间的空间向处理室4的外部排出。
此外，虽未进行详细的图示，但载台5形成为圆筒形状，且具有由金属材料构成的基材。上述基材的上表面被电介质膜覆盖。在电介质膜的内部设有加热器，在加热器的上方设有多个电极。对上述多个电极供给直流电压。通过该直流电压，能在上述电介质膜以及晶片WF的内部生成用于使晶片WF吸附于上述电介质膜的上表面且保持晶片WF的静电力。另外，上述多个电极绕着载台5的上下方向的中心轴点对称地配置，对上述多个电极分别施加不同的极性的电压。
此外，在载台5设有同心圆状或螺旋状地多重配置的冷媒流路。此外，在将晶片WF设置于上述电介质膜的上表面上的状态下，对晶片WF的下表面与电介质膜的上表面之间的间隙供给氦(He)等具有热传递性的气体。因此，在上述基材以及电介质膜的内部配置流通上述气体的配管。
此外，等离子处理装置1具备阻抗匹配器10和高频电源11。在载台5的上述基材经由阻抗匹配器10而连接高频电源11。在晶片WF的等离子处理中，为了形成用于将等离子中的带电粒子引导到晶片WF的上表面上的电场，从高频电源11向上述基材供给高频电力。
此外，等离子处理装置1具备波导管12、磁控管振荡器13、螺线管线圈14和螺线管线圈15。在窗构件6的上方设有波导管12，在波导管12的一端部设有磁控管振荡器13。磁控管振荡器13能振荡并输出微波的电场。波导管12是用于传播微波的电场的管路，将微波的电场经由波导管12供给到处理室4的内部。螺线管线圈14以及螺线管线圈15设于波导管12以及处理室4的周围，作为磁场产生单元使用。
另外，波导管12具备方形波导管部和圆形波导管部。方形波导管部形成矩形的截面形状，在水平方向上延伸。在方形波导管部的一端部设有磁控管振荡器13。在方形波导管部的另一端部连结圆形波导管部。圆形波导管部形成圆形的截面形状，构成为中心轴在上下方向上延伸。
此外，等离子处理装置1具备配管16和气体供给装置17。气体供给装置17经由配管16与处理室4连接。处理气体从气体供给装置17经由配管16供给到间隙9，在间隙9的内部扩散。扩散的处理气体从贯通空8向载台5的上方供给。
此外，等离子处理装置1具备压力调整板18、压力检测器19、作为高真空泵的涡轮分子泵20、作为粗抽泵的干式泵21、排气配管22和阀23～25。载台5与处理室4的底面之间的空间作为真空排气部发挥功能。压力调整板18是圆板形状的阀，通过在排气口的上方上下移动，来增减用于向排气口流入气体的流路的面积。即，压力调整板18还兼用作开闭排气口的阀的作用。
压力检测器19是用于探测处理室4的内部的压力的传感器。将从压力检测器19输出的信号发送到未图示的控制部，在上述控制部中检测压力的值，对应于检测到的值来从上述控制部输出指令信号。基于上述指令信号来驱动压力调整板18，压力调整板18的上下方向的位置变化，对排气的流路的面积进行增减。
涡轮分子泵20的出口经由配管与干式泵21连结，在上述配管的中途设有阀23。载台5与处理室4的底面之间的空间与排气配管22连接，在排气配管22设有阀24以及阀25。阀24是用干式泵21低速进行排气以使得处理室4从大气压成为真空状态的慢排气用的阀，阀23是用于用涡轮分子泵20高速进行排气的主排气用的阀。
<等离子处理>
以下，作为等离子处理的一例，例示对预先形成于晶片WF的上表面上的给定的膜执行利用了等离子3的蚀刻处理的情况。
将晶片WF从等离子处理装置1的外部装载于机械臂这样的真空运送装置的臂的前端部，向处理室4的内部运送，设置于载台5上。若真空运送装置的臂从处理室4退出，就将处理室4的内部密封。然后，对载台5的电介质膜的内部的静电吸附用的电极施加直流电压，通过所生成的静电力将晶片WF在上述电介质膜上进行保持。
在该状态下，对晶片WF与上述电介质膜之间的间隙经由设于载台5的内部的配管供给氦(He)等具有热传递性的气体。此外，将通过未图示的冷媒温度调整器调整成给定的温度的冷媒供给到载台5的内部的冷媒流路。由此，在调整了温度的基材与晶片WF之间促进了热的传递，将晶片WF的温度调整成适合等离子处理的开始的范围内的值。
将通过气体供给装置17调整了流量以及速度的处理气体经由配管16供给到处理室4的内部，并且通过涡轮分子泵20的动作从排气口将处理室4的内部排气。通过两者的平衡来将处理室4的内部的压力调整成适于等离子处理的范围内的值。
在该状态下，从磁控管振荡器13振荡微波的电场。微波的电场在波导管12内部传播，透过窗构件6以及板片7。进而，将通过螺线管线圈14以及螺线管线圈15生成的磁场供给到处理室4。通过上述磁场与微波的电场的相互作用，来引起电子回旋共振(ECR：ElectronCyclotron Resonance)。然后，通过处理气体的原子或分子激发、电离或解离，来在处理室4的内部生成等离子3。
若生成等离子3，就从高频电源11向载台5的基材供给高频电力，在晶片WF的上表面上形成偏置电位，将等离子3中的离子等带电粒子引导到晶片WF的上表面。由此，沿着掩模层的图案形状来对晶片WF的给定的膜执行蚀刻处理。之后，若检测到处理对象的膜的处理到达其终点，就停止来自高频电源11的高频电力的供给，停止等离子处理。
在不需要进一步的晶片WF的蚀刻处理的情况下，进行高真空排气。然后，在除去静电从而解除晶片WF的吸附后，真空运送装置的臂进入处理室4的内部，将处理完毕的晶片WF向等离子处理装置1的外部运送。
<处理室的内壁构件>
如图1所示那样，在处理室4的内部设有内壁构件40。内壁构件40例如作为用于使电介质即等离子3的电位稳定的接地电极发挥功能。
如图2所示那样，内壁构件40具备基材41、和被覆基材41的表面的皮膜42。基材41由导电性材料构成，例如由铝、铝合金、不锈钢或不锈钢合金这样的金属材料构成。
内壁构件40在等离子处理中暴露在等离子3下。假设在基材41的表面没有皮膜42的情况下，由于基材41暴露在等离子3下，基材41成为腐蚀或异物的产生源，有可能会污染晶片WF。皮膜42为了抑制晶片WF的污染而设，由与基材41相比对等离子3的耐性更高的材料构成。通过皮膜42，能使内壁构件40维持作为接地电极的功能，并且能从等离子3保护基材41。
另外，在没有作为接地电极的功能的基材30中，也使用不锈钢合金或铝合金等这样的金属材料。因此，在基材30的表面，也为了抑制由于暴露在等离子3下而发生的腐蚀或异物的产生，施予使对等离子3的耐性提升的处理、或者使基材30的消耗减少的处理。这样的处理例如是钝化处理、喷镀膜的形成、或者通过PVD法或CVD法进行的膜的形成。
另外，虽未图示，但为了使等离子3所引起的基材30的消耗减少，可以在形成圆筒形状的基材30的内壁的内侧配置氧化钇或石英等这样的陶瓷制的圆筒形状的外罩。通过在基材30与等离子3之间配置这样的外罩，来阻断或减少基材30与等离子3内的反应性高的粒子的接触、或者基材30与带电粒子的碰撞。由此，能抑制基材30的消耗。
使用图3以及图4来说明内壁构件40的结构。图3是表示内壁构件40的俯视图，图4是沿着图3所示的A-A线的截面图。
内壁构件40(基材41)大致形成为在内周与外周之间具有给定的厚度的圆筒形状。此外，内壁构件40由上部40a、中间部40b以及下部40c构成。上部40a是圆筒的内径以及外径相对小的部位，下部40c是圆筒的内径以及外径相对大的部位。中间部40b是用于连接上部40a以及下部40c的部位，形成圆筒的内径以及外径连续地变化的圆锥台形状。
内壁构件40沿着处理室4的内壁设置，以使得包围载台5的外周。在内壁构件40的内周侧的表面(基材41的内周侧的表面)通过喷镀法形成喷镀膜，作为皮膜42的一部分。此外，在将内壁构件40安装于处理室4的内部的状态下，在内壁构件40的外周侧的表面(基材41的外周侧的表面)通过阳极氧化处理形成阳极氧化膜，作为皮膜42的一部分。
此外，喷镀膜不仅形成于基材41的内周侧的表面，还经由上部40a的上端部形成于基材41的外周侧的表面。其理由在于，等离子3的粒子在上部40a从内壁构件40的内周侧向内壁构件40的外周侧绕入，有可能与基材41的外周侧的表面引起相互作用。因此，需要在基材41的外周侧的表面形成喷镀膜，直到设想为等离子3的粒子会绕入的区域为止。在图4示出这样的区域作为区域50。
图5A～图5D是放大区域50而示出的截面图。实施方式1中的内壁构件40具备以下说明那样的基材41、阳极氧化膜42a和喷镀膜42b。图5A表示形成皮膜42(阳极氧化膜42a、喷镀膜42b)前的基材41，图5B表示形成皮膜42后的基材41。
如图5A所示那样，在实施方式1中的基材41，在从内壁构件40的内周侧(基材41的内周侧)前往内壁构件40的外周侧(基材41的外周侧)的方向(X方向)上产生高度差。即，基材41在基材41的外周侧具有：表面FS1；位于比表面FS1高的位置的表面FS2；以及将表面FS1和表面FS2连起来的侧面SS1。另外，表面FS1与表面FS2之间的距离L1相当于高度差的高度以及侧面SS1的长度。在此，距离L1例如是0.5mm。
如图5B所示那样，阳极氧化膜42a形成于表面FS1上以及侧面SS1上。此外，阳极氧化膜42a具有位于侧面SS1上的端部EP1。阳极氧化膜42a在形成喷镀膜42b前通过阳极氧化处理形成。在基材41是例如铝或铝合金的情况下，阳极氧化膜42a是耐蚀铝皮膜。
喷镀膜42b形成于表面FS1上、侧面SS1上以及表面FS2上，以使得覆盖端部EP1。此外，喷镀膜42b具有位于形成于表面FS1上的阳极氧化膜42a上的端部EP2。
喷镀膜42b例如通过利用了等离子的喷镀法形成。在该喷镀法中，在大气压下形成等离子，将氧化钇、氟化钇或包含它们的材料的粒子供给到等离子内，使上述粒子成为半熔融状态。将该半熔融状态的粒子喷附或照射到基材41的表面FS1、FS2，由此形成喷镀膜42b。
另外，喷镀膜42b的表面的凹凸例如构成为算数平均粗糙度(面粗糙度)Ra成为8以下。此外，喷镀膜42b的各粒子的大小的平均(平均粒子径)例如在体积基准的D50下为10μm以上且50μm以下。
在区域50中，通过基材41的表面FS1、侧面SS1以及表面FS2由阳极氧化膜42a或喷镀膜42b当中的至少一方覆盖，来在等离子处理时防止基材41暴露在等离子3下。
<实施方式1中的内壁构件的再生方法>
以下使用图5B～图5D来说明内壁构件40的再生方法(内壁构件40的制造方法)中所含的各工序。
图5B的内壁构件40在给定的期间中配置于处理室4内，暴露在等离子3下。由于暴露在等离子3下的喷镀膜42b会改性或消耗，因此需要去除该喷镀膜42b，新将喷镀膜42b再生。
首先，如图5C所示那样，将从喷镀膜42b露出的阳极氧化膜42a用掩蔽件100覆盖。这时，掩蔽件100与喷镀膜42b的端部EP2相接。此外，掩蔽件100由具有不会被后述的喷砂处理除去的特性的材料构成，例如是树脂带。
接下来，对喷镀膜42b进行喷砂处理。从从表面FS2前往表面FS1的方向且相对于表面FSl以给定的角度θ倾斜的方向投射喷砂粒子200，由此来进行喷砂处理。喷砂粒子200与喷镀膜42b的粒子碰撞，通过物理的作用将喷镀膜42b去除。此外，通过合适地选择投射的喷砂粒子200的角度θ，能留下喷镀膜42b的一部分。
通过这样的喷砂处理，除去表面FS2上的喷镀膜42b，并且留下表面FS1上以及侧面SS1上的喷镀膜42b的一部分，以使得通过喷镀膜42b覆盖未被掩蔽件100覆盖的阳极氧化膜42a。如此地，由于阳极氧化膜42a被残存的喷镀膜42b或掩蔽件100的任一者覆盖，因此，阳极氧化膜42a的整体不会暴露在喷砂处理中。
接下来，如图5D所示那样，在留下的喷镀膜42b上以及表面FS2上通过喷镀法形成新的喷镀膜42b。用于形成新的喷镀膜42b的手法以及条件与图5B中说明的方法相同。另外，将半熔融状态的粒子300向基材41的表面FS1、FS2喷附的方向是与表面FS1、FS2垂直的方向。接下来，将掩蔽件100拆下。如此地，由于能将喷镀膜42b再生，因此将内壁构件40向图5B的状态再生。
另外，图5D中新形成的喷镀膜42b具有位于形成于表面FS1上的阳极氧化膜42a上的端部EP3。而且，端部EP3的位置与图5B的喷镀膜42b的端部EP2的位置一致。
此外，最初形成的喷镀膜42b以及新形成的喷镀膜42b由相同材料构成。在喷砂处理后留下的喷镀膜42b是在等离子处理时未直接暴露在等离子3下而几乎没有改性等的部位。因此，留下的喷镀膜42b和新的喷镀膜42b作为相同的优质的喷镀膜42b而一体化。
之后，在内壁构件40再度暴露在等离子3下而在喷镀膜42b发生改性等的情况下，通过重复图5B～图5D的各工序，能将喷镀膜42b再生，将内壁构件40再生。
如上述那样，在现有技术中，由于每当重复进行喷镀膜42b的再生，阳极氧化膜42a的端部EP1的位置就会后退，因此存在阳极氧化膜42a的面积会减少的问题。此外，在除去了喷镀膜42b以使得将阳极氧化膜42a的端部EP1留下的情况下，每当重复进行喷镀膜42b的再生，残留的旧的喷镀膜42b就会层叠，存在该层叠体成为处理室的内部的异物的产生源的问题。
与此相对，根据实施方式1，阳极氧化膜42a的端部EP1的位置在喷镀膜42b的再生的前后没有变化。因此，能防止阳极氧化膜42a的面积的减少，并且能抑制处理室4的内部的异物的产生。此外，图5D中新形成的喷镀膜42b的端部EP3的位置与图5B的喷镀膜42b的端部EP2的位置一致。即，能提供在再喷镀的前后厚度或面积等各种参数大致相同的喷镀膜42b。
(实施方式2)
以下使用图6A～图6E来说明实施方式2中的内壁构件40和内壁构件40的再生方法(内壁构件40的制造方法)。另外，在以下的说明中，主要说明与实施方式1的相异点，对于与实施方式1重复的点则省略说明。
<实施方式2中的内壁构件>
图6A～图6E是放大图4的区域50而示出的截面图。实施方式2中的内壁构件40也与实施方式1同样地具备基材41、阳极氧化膜42a和喷镀膜42b。构成这些的材料以及用于形成这些的手法等与实施方式1同样。
图6A表示形成皮膜42(阳极氧化膜42a、喷镀膜42b)前的基材41，图6B表示实施方式2中使用的掩蔽件101。图6C表示形成皮膜42后的基材41。
如图6A所示那样，在实施方式2中的基材41中，也在从内壁构件40的内周侧(基材41的内周侧)前往内壁构件40的外周侧(基材41的外周侧)的方向(X方向)上产生高度差。另外，表面FS1与表面FS2之间的距离L2相当于高度差的高度以及侧面SS1的长度。在此，距离L2例如是5.0mm。
如图6B所示那样，实施方式2中的掩蔽件101是为了与上述高度差的形状吻合而预先制作的L字形状的金属制构件。即，掩蔽件101是具有沿着表面FS1以及侧面SS1各自的形状的形状的夹具，由金属材料构成。掩蔽件101当中的沿着侧面SS1的部位的距离L3被设计得比距离L2稍小，例如是4.5mm。掩蔽件101当中的沿着表面FS1的部位被设计得比阳极氧化膜42a的端部EP1更靠近侧面SS1，例如为2.0mm。掩蔽件101的厚度L5例如是1.0mm。
如图6C所示那样，实施方式2中的阳极氧化膜42a形成于表面FS1上、侧面SS1上以及表面FS2上。此外，阳极氧化膜42a具有位于表面FS1上的端部EP1。喷镀膜42b形成于表面FS1上，以使得覆盖端部EP1。此外，喷镀膜42b具有位于形成于表面FS1上的阳极氧化膜42a上的端部EP2。
在实施方式2中，也通过在区域50中基材41的表面FS1、侧面SS1以及表面FS2被阳极氧化膜42a或喷镀膜42b当中的至少一方覆盖，在等离子处理时，防止基材41暴露在等离子3下。
<实施方式2中的内壁构件的再生方法>
以下使用图6C～图6E来说明内壁构件40的再生方法(内壁构件40的制造方法)中所含的各工序。
图6C的内壁构件40在给定的期间中配置于处理室4内，暴露在等离子3下。由于暴露在等离子3下的喷镀膜42b会改性或消耗，因此，需要去除该喷镀膜42b，重新将喷镀膜42b再生。
首先，如图6D所示那样，将从喷镀膜42b露出且至少形成于表面FS1上以及侧面SS1上的阳极氧化膜42a用掩蔽件101覆盖。这时，掩蔽件101与喷镀膜42b的端部EP2相接。
接下来，通过喷镀膜42b进行喷砂处理，来除去表面FS1上的喷镀膜42b。通过从与表面FS1垂直的方向投射喷砂粒子200，来进行喷砂处理。喷砂粒子200与喷镀膜42b的粒子碰撞，通过物理的作用来去除喷镀膜42b。在包含掩蔽件101的表面FS1上设定喷砂粒子200的投射范围，以使得不会波及到表面FS2。
在此，未被掩蔽件101覆盖且被喷镀膜42b覆盖的阳极氧化膜42a也被除去。因此，阳极氧化膜42a的端部EP1的位置稍微后退，向与掩蔽件101匹配的位置移动。
接下来，如图6E所示那样，在从掩蔽件101露出的表面FS1上通过喷镀法形成新的喷镀膜42b。用于形成新的喷镀膜42b的手法以及条件与图5B中说明的相同。另外，将半熔融状态的粒子300向基材41的表面FS1喷附的方向是与表面FS1垂直的方向。接下来，将掩蔽件101拆下。如此地，在实施方式2中，也由于能将喷镀膜42b再生，因此内壁构件40向图6C的状态再生。
另外，图6E中新形成的喷镀膜42b具有位于形成于表面FS1上的阳极氧化膜42a上的端部EP3。而且，端部EP3的位置与图6C的喷镀膜42b的端部EP2的位置一致。此外，端部EP3的位置与图6D中后退的阳极氧化膜42a的端部EP1的位置也一致。
之后，在内壁构件40再度暴露在等离子3下而在喷镀膜42b中发生改性等的情况下，能通过重复图6C～图6E的各工序，将喷镀膜42b再生，将内壁构件40再生。
在实施方式2中，作为掩蔽件101，运用作为沿着高度差的形状的形状的金属制构件的夹具。因此，仅将掩蔽件101贴合表面FS1以及侧面SS1，即，仅将掩蔽件101与高度差贴合，就能迅速进行掩蔽件101的设置。此外，由于掩蔽件101的形状是不变的，因此能将阳极氧化膜42a的端部EP1的位置始终固定，能将新形成的喷镀膜42b的端部EP3的位置固定。
如图6D中说明的那样，在第1次喷镀膜42b的再生时，阳极氧化膜42a的端部EP1的位置稍微后退。但由于在第2次以后的喷镀膜42b的再生时，掩蔽件101的形状是不变的，因此端部EP1的位置不改变，在再喷镀的前后一致。即，即使是重复图6C～图6E的各工序并重复喷镀膜42b的再生的情况，端部EP1的位置以及端部EP3的位置也始终固定。因此，在实施方式2中，也能防止阳极氧化膜42a的面积的减少，并且能抑制处理室4的内部的异物的产生。此外，能提供在再喷镀的前后厚度或面积等各种参数大致相同的喷镀膜42b。
以上基于上述实施方式而具体说明了本发明，但本发明并不限定于上述实施方式，能在不脱离其要旨的范围内进行种种变更。
例如，在实施方式1中，还能取代掩蔽件100而使用掩蔽件101这样形状不变的夹具。但根据等离子处理装置1的规格，存在内壁构件40形成为种种形状的情况。在该情况下，需要准备与它们对应的夹具。此外，阳极氧化膜42a与喷镀膜42b相接的部位并不限于成为易于始终精度良好地设置夹具的部位(例如图6D)。如实施方式1那样，若是树脂带那样的掩蔽件100，由于不需要准备新的夹具，因此易于适用于种种形状的内壁构件40。
即，在使阳极氧化膜42a的端部EP1的位置以及新的喷镀膜42b的端部EP3的位置一致的精度和设置掩蔽件的迅速性的观点上，实施方式2比实施方式1更加卓越。另一方面，在掩蔽件的通用性这样的观点中，实施方式1比实施方式2更加卓越。
附图标记的说明
1 等离子处理装置
2 真空容器
3 等离子
4 处理室
5 载台
6 窗构件
7 板片
8 贯通空
9 间隙
10 阻抗匹配器
11 高频电源
12 波导管
13 磁控管振荡器
14 螺线管线圈
15 螺线管线圈
16 配管
17 气体供给装置
18 压力调整板
19 压力检测器
20 涡轮分子泵
21 干式泵
22 排气配管
23～25 阀
30 基材
40 内壁构件(接地电极)
40a 上部
40b 中间部
40c 下部
41 基材
42 皮膜
42a 阳极氧化膜
42b 喷镀膜
50 区域
100 掩蔽件(树脂带)
101 掩蔽件(夹具)
200 喷砂粒子
300 半熔融状态的粒子
EP1～EP3 端部
FS1、FS2 表面
SS1 侧面
WF 晶片(被处理件)。

Claims (15)

1.一种内壁构件的再生方法，是设于在等离子处理装置中进行等离子处理的处理室的内壁的内壁构件的再生方法，其特征在于，
所述内壁构件具备：
基材，其具有第1表面、位于比所述第1表面高的位置的第2表面、以及将所述第1表面和所述第2表面连起来的第1侧面；
阳极氧化膜，其形成于所述第1表面上以及所述第1侧面上，且具有位于所述第1侧面上的第1端部；和
第1喷镀膜，其形成于所述第1表面上、所述第1侧面上以及所述第2表面上以使得覆盖所述第1端部，所述第1喷镀膜具有位于形成于所述第1表面上的所述阳极氧化膜上的第2端部，
所述内壁构件的再生方法具有如下工序：
(a)将从所述第1喷镀膜露出的所述阳极氧化膜用掩蔽件覆盖；
(b)在所述(a)工序后，通过对所述第1喷镀膜进行喷砂处理来除去所述第2表面上的所述第1喷镀膜，并且留下所述第1表面上以及所述第1侧面上的所述第1喷镀膜的一部分，以使得未被所述掩蔽件覆盖的所述阳极氧化膜被所述第1喷镀膜覆盖；
(c)在所述(b)工序后，在留下的所述第1喷镀膜上以及所述第2表面上通过喷镀法形成第2喷镀膜；
(d)在所述(c)工序后，将所述掩蔽件拆下。
2.根据权利要求1所述的内壁构件的再生方法，其特征在于，
在所述(b)工序中，通过从自所述第2表面前往所述第1表面且相对于所述第1表面以给定的角度倾斜的方向投射喷砂粒子，来进行所述喷砂处理。
3.根据权利要求1所述的内壁构件的再生方法，其特征在于，
在所述(a)工序中，所述掩蔽件与所述第2端部相接。
4.根据权利要求3所述的内壁构件的再生方法，其特征在于，
所述第2喷镀膜具有位于形成于所述第1表面上的所述阳极氧化膜上的第3端部，
所述第3端部的位置与所述第1喷镀膜的所述第2端部的位置一致。
5.根据权利要求1所述的内壁构件的再生方法，其特征在于，
所述掩蔽件由树脂带构成。
6.根据权利要求1所述的内壁构件的再生方法，其特征在于，
所述第1喷镀膜以及所述第2喷镀膜由相同材料构成。
7.根据权利要求1所述的内壁构件的再生方法，其特征在于，
所述基材形成为在内周与外周之间具有给定的厚度的圆筒形状，
所述第1表面、所述第1侧面以及所述第2表面设于所述基材的外周侧。
8.一种内壁构件的再生方法，是设于在等离子处理装置中进行等离子处理的处理室的内壁的内壁构件的再生方法，其特征在于，
所述内壁构件具备：
基材，其具有第1表面、位于比所述第1表面高的位置的第2表面、以及将所述第1表面和所述第2表面连起来的第1侧面；
阳极氧化膜，其形成于所述第1表面上、所述第1侧面上以及所述第2表面上，且具有位于所述第1表面上的第1端部；和
第1喷镀膜，其形成于所述第1表面上以使得覆盖所述第1端部，所述第1喷镀膜具有位于形成于所述第1表面上的所述阳极氧化膜上的第2端部，
所述内壁构件的再生方法具有如下工序：
(a)将从所述第1喷镀膜露出且至少形成于所述第1表面上以及所述第1侧面上的所述阳极氧化膜用掩蔽件覆盖；
(b)在所述(a)工序后，通过对所述第1喷镀膜进行喷砂处理，来除去所述第1表面上的所述第1喷镀膜；
(c)在所述(b)工序后，在从所述掩蔽件露出的所述第1表面上通过喷镀法形成第2喷镀膜；
(d)在所述(c)工序后，将所述掩蔽件拆下。
9.根据权利要求8所述的内壁构件的再生方法，其特征在于，
在所述(a)工序中，所述掩蔽件与所述第2端部相接。
10.根据权利要求9所述的内壁构件的再生方法，其特征在于，
所述第2喷镀膜具有位于所述第1表面上的第3端部，
所述第3端部的位置与所述第1喷镀膜的所述第2端部的位置一致。
11.根据权利要求8所述的内壁构件的再生方法，其特征在于，
所述掩蔽件是具有沿着所述第1表面以及所述第1侧面各自的形状的形状的夹具。
12.根据权利要求8所述的内壁构件的再生方法，其特征在于，
所述第1喷镀膜以及所述第2喷镀膜由相同材料构成。
13.根据权利要求8所述的内壁构件的再生方法，其特征在于，
所述基材形成为在内周与外周之间具有给定的厚度的圆筒形状，
所述第1表面、所述第1侧面以及所述第2表面设于所述基材的外周侧。
14.根据权利要求8所述的内壁构件的再生方法，其特征在于，
在所述(b)工序中，未被所述掩蔽件覆盖且被所述第1喷镀膜覆盖的所述阳极氧化膜也被除去，所述第1端部的位置后退。
15.根据权利要求14所述的内壁构件的再生方法，其特征在于，
(e)在所述(d)工序后，将所述内壁构件暴露在等离子下；
(f)在所述(e)工序后，将从所述第2喷镀膜露出且至少形成于所述第1表面上以及所述第1侧面上的所述阳极氧化膜用所述掩蔽件覆盖；
(g)在所述(f)工序后，通过对所述第2喷镀膜进行喷砂处理，将所述第1表面上的所述第2喷镀膜除去；
(h)在所述(g)工序后，在从所述掩蔽件露出的所述第1表面上通过喷镀法形成第3喷镀膜；
(i)在所述(h)工序后，将所述掩蔽件拆下，
所述(i)工序后的所述第1端部的位置与所述(f)工序前的所述第1端部的位置一致。
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