KR20230005107A - 내벽 부재의 재생 방법 - Google Patents

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다다요시 가와구치
다쿠 와타나베
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주식회사 히타치하이테크
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Abstract

플라스마 처리가 행해지는 처리실의 내벽에 설치되는 내벽 부재(40)는, 기재(41)와, 단부 EP1을 갖는 양극 산화막(42a)과, 단부 EP2를 갖는 용사막(42b)을 구비한다. 기재(41)는, 표면 FS1, 표면 FS1보다 높은 위치에 위치하는 표면 FS2, 및, 측면 SS1을 갖는다. 내벽 부재(40)의 재생 방법은, (a) 용사막(42b)으로부터 노출되어 있는 양극 산화막(42a)을 마스크재(100)에 의해 덮는 공정, (b) 용사막(42b)에 대해 블라스트 처리를 행함으로써, 표면 FS2 상의 용사막(42b)을 제거함과 함께, 마스크재(100)로 덮여 있지 않은 양극 산화막(42a)이 용사막(42b)에 의해 덮이도록, 표면 FS1 상 및 측면 SS1 상의 용사막(42b)의 일부를 남기는 공정, (c) 남아 있는 용사막(42b) 상 및 표면 FS2 상에, 용사법에 의해 새로운 용사막(42b)을 형성하는 공정, (d) 마스크재(100)를 떼어내는 공정을 갖는다.

Description

내벽 부재의 재생 방법
본 발명은, 내벽 부재의 재생 방법에 관한 것이고, 특히, 플라스마 처리 장치에 있어서 플라스마 처리가 행해지는 처리실의 내벽에 설치되는 내벽 부재의 재생 방법에 관한 것이다.
종래, 반도체 웨이퍼를 가공하고, 전자 디바이스 등을 제조하는 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼의 표면에 적층된 복수의 막층에 의해 집적회로가 형성된다. 이 제조 공정에는, 미세한 가공이 필요로 되고, 플라스마를 사용한 에칭 처리가 적용되고 있다. 이러한 플라스마 에칭 처리에 의한 가공에서는, 전자 디바이스의 고집적화에 수반해서, 높은 정밀도 및 높은 수율이 요구되고 있다.
플라스마 에칭 처리를 행하기 위한 플라스마 처리 장치는, 진공 용기의 내부에 플라스마가 형성되는 처리실을 구비하고, 처리실의 내부에 있어서, 반도체 웨이퍼가 수납된다. 처리실의 내벽을 구성하는 부재는, 강도 및 제조 비용에 관한 이유로, 통상, 알루미늄 또는 스테인리스 등의 금속제의 재료를 기재(基材)로 하고 있다. 또한, 이 처리실의 내벽은, 플라스마 처리 시, 플라스마에 접촉하거나 또는 플라스마에 면한다. 그러므로, 처리실의 내벽을 구성하는 부재에서는, 기재의 표면에 플라스마 내성이 높은 피막이 배치된다. 상기 피막에 의해, 기재가 플라스마로부터 보호된다.
이러한 피막을 형성하는 기술로서, 소위, 용사법에 의해 용사막을 형성하는 방법이 종래부터 알려져 있다. 용사법에서는, 대기 또는 소정의 압력으로 된 가스 분위기 중에서 플라스마가 형성되고, 피막용의 재료의 입자가 플라스마에 투입됨으로써, 반용융 상태의 입자가 형성된다. 이 반용융 상태의 입자를 기재의 표면에 분사하거나 또는 조사함으로써, 용사막이 형성된다.
용사막의 재료로서, 예를 들면, 산화알루미늄, 산화이트륨 혹은 불화이트륨 등과 같은 세라믹스재, 또는, 이들을 포함하는 재료가 사용된다. 이러한 피막(용사막)에 의해 기재의 표면이 덮임으로써, 처리실의 내벽을 구성하는 부재는, 장기간에 걸쳐, 플라스마에 의한 소모가 억제되고, 플라스마와 부재의 표면 사이의 상호작용의 양 및 성질의 변화가 억제된다.
예를 들면 특허문헌 1에는, 이러한 플라스마 내성을 가진 피막을 구비한 처리실의 내벽의 부재가 개시되어 있다. 특허문헌 1에서는, 상기 피막의 예로서, 산화이트륨이 개시되어 있다.
한편, 용사막의 표면은, 장기간의 사용 후에 열화하고, 용사막의 입자가, 플라스마와의 상호작용에 의해 소모되고, 용사막의 막두께가 감소해 버린다는 문제가 있다. 기재의 표면이 처리실의 내부에서 노출되면, 처리실의 내부에서 처리되는 웨이퍼에, 기재를 구성하는 금속 재료의 입자가 부착하고, 웨이퍼에 오염이 발생할 우려가 있다. 그러므로, 사용에 의해 열화, 손상 또는 소모된 용사막을 갖는 부재의 표면에, 재차, 용사법에 의해 용사막을 재생하는 것이 행해지고 있다.
일본국 특개2004-100039호 공보
그러나, 종래 기술에서는, 하기의 점에 대한 고려가 불충분했으므로, 각종 문제가 생기고 있었다.
예를 들면, 종래 기술에 있어서, 열화한 용사막 상에, 재차, 용사법에 의해 용사막을 재생할 경우, 재용사의 전후에 용사막의 두께를 일정하게 유지하는 것이 어렵다.
또한, 기재가 알루미늄 또는 그 합금인 경우, 기재의 표면에는, 양극 산화 처리에 의해 형성된 알루마이트 피막(양극 산화막)과, 용사법에 의해 형성된 피막(용사막)이 설치된다. 그리고, 양극 산화막과 용사막 사이에, 경계가 형성된다. 즉, 양극 산화막의 단부를 덮도록, 양극 산화막 상에 용사막이 형성된다. 그 경우, 열화한 용사막을 제거했을 때, 용사막으로 덮여 있던 양극 산화막도 제거되므로, 양극 산화막의 단부의 위치가 후퇴해 버린다. 그러므로, 용사막의 재생을 반복 행할 때마다, 양극 산화막의 단부의 위치가 후퇴하므로, 양극 산화막의 면적이 감소해 버린다.
한편, 양극 산화막의 단부를 남기도록 용사막을 제거했을 경우, 양극 산화막 상에는, 열화 또는 소모된 오래된 용사막이 남는다. 그러므로, 용사막의 재생을 반복 행할 때마다, 잔류한 오래된 용사막이 적층된다. 이러한 오래된 용사막의 적층체는 박리되기 쉬우므로, 이 적층체가, 처리실의 내부에 있어서의 이물의 발생원으로 될 우려가 있다.
본원의 주된 목적은, 재용사의 전후에 용사막의 두께를 일정하게 유지할 수 있는 기술을 제공하는 것에 있다. 또한, 본원의 다른 목적은, 양극 산화막의 면적의 감소를 방지함과 함께, 처리실의 내부에 있어서의 이물의 발생을 억제할 수 있는 기술을 제공하는 것에 있다.
그 외의 과제 및 신규한 특징은, 본 명세서의 기술 및 첨부 도면으로부터 명확해진다.
본원에 있어서 개시되는 실시형태 중, 대표적인 것의 개요를 간단히 설명하면, 다음과 같다.
일 실시형태에 있어서의 내벽 부재의 재생 방법은, 플라스마 처리 장치에 있어서 플라스마 처리가 행해지는 처리실의 내벽에 설치되는 내벽 부재의 재생 방법이다. 상기 내벽 부재는, 제1 표면, 상기 제1 표면보다 높은 위치에 위치하는 제2 표면, 및, 상기 제1 표면과 상기 제2 표면을 연결하는 제1 측면을 갖는 기재와, 상기 제1 표면 상(上) 및 상기 제1 측면 상에 형성되고, 또한, 상기 제1 측면 상에 위치하는 제1 단부를 갖는 양극 산화막과, 상기 제1 단부를 덮도록, 상기 제1 표면 상, 상기 제1 측면 상 및 상기 제2 표면 상에 형성된 제1 용사막으로서, 상기 제1 표면 상에 형성되어 있는 상기 양극 산화막 상에 위치하는 제2 단부를 갖는 상기 제1 용사막을 구비한다. 또한, 내벽 부재의 재생 방법은, (a) 상기 제1 용사막으로부터 노출되어 있는 상기 양극 산화막을 마스크재에 의해 덮는 공정, (b) 상기 (a) 공정 후, 상기 제1 용사막에 대해 블라스트 처리를 행함으로써, 상기 제2 표면 상의 상기 제1 용사막을 제거함과 함께, 상기 마스크재로 덮여 있지 않은 상기 양극 산화막이 상기 제1 용사막에 의해 덮이도록, 상기 제1 표면 상 및 상기 제1 측면 상의 상기 제1 용사막의 일부를 남기는 공정, (c) 상기 (b) 공정 후, 남아 있는 상기 제1 용사막 상 및 상기 제2 표면 상에, 용사법에 의해 제2 용사막을 형성하는 공정, (d) 상기 (c) 공정 후, 상기 마스크재를 떼어내는 공정을 갖는다.
일 실시형태에 있어서의 내벽 부재의 재생 방법은, 플라스마 처리 장치에 있어서 플라스마 처리가 행해지는 처리실의 내벽에 설치되는 내벽 부재의 재생 방법이다. 상기 내벽 부재는, 제1 표면, 상기 제1 표면보다 높은 위치에 위치하는 제2 표면, 및, 상기 제1 표면과 상기 제2 표면을 연결하는 제1 측면을 갖는 기재와, 상기 제1 표면 상, 상기 제1 측면 상 및 상기 제2 표면 상에 형성되고, 또한, 상기 제1 표면 상에 위치하는 제1 단부를 갖는 양극 산화막과, 상기 제1 단부를 덮도록, 상기 제1 표면 상에 형성된 제1 용사막으로서, 상기 제1 표면 상에 형성되어 있는 상기 양극 산화막 상에 위치하는 제2 단부를 갖는 상기 제1 용사막을 구비한다. 또한, 내벽 부재의 재생 방법은, (a) 상기 제1 용사막으로부터 노출되고, 또한, 적어도 상기 제1 표면 상 및 상기 제1 측면 상에 형성되어 있는 상기 양극 산화막을, 마스크재에 의해 덮는 공정, (b) 상기 (a) 공정 후, 상기 제1 용사막에 대해 블라스트 처리를 행함으로써, 상기 제1 표면 상의 상기 제1 용사막을 제거하는 공정, (c) 상기 (b) 공정 후, 상기 마스크재로부터 노출되어 있는 상기 제1 표면 상에, 용사법에 의해 제2 용사막을 형성하는 공정, (d) 상기 (c) 공정 후, 상기 마스크재를 떼어내는 공정을 갖는다.
일 실시형태에 따르면, 재용사의 전후에 용사막의 두께를 일정하게 유지할 수 있다. 또한, 양극 산화막의 면적의 감소를 방지함과 함께, 처리실의 내부에 있어서의 이물의 발생을 억제할 수 있다.
도 1은 실시형태 1에 있어서의 플라스마 처리 장치를 나타내는 모식도.
도 2는 실시형태 1에 있어서의 내벽 부재를 나타내는 개념도.
도 3은 실시형태 1에 있어서의 내벽 부재를 나타내는 평면도.
도 4는 실시형태 1에 있어서의 내벽 부재를 나타내는 단면도.
도 5a는 실시형태 1에 있어서의 내벽 부재의 기재를 나타내는 단면도.
도 5b는 실시형태 1에 있어서의 내벽 부재의 재생 방법을 나타내는 단면도.
도 5c는 도 5b에 이어지는 내벽 부재의 재생 방법을 나타내는 단면도.
도 5d는 도 5c에 이어지는 내벽 부재의 재생 방법을 나타내는 단면도.
도 6a는 실시형태 2에 있어서의 내벽 부재의 기재를 나타내는 단면도.
도 6b는 실시형태 2에 있어서의 마스크재를 나타내는 단면도.
도 6c는 실시형태 2에 있어서의 내벽 부재의 재생 방법을 나타내는 단면도.
도 6d는 도 6c에 이어지는 내벽 부재의 재생 방법을 나타내는 단면도.
도 6e는 도 6d에 이어지는 내벽 부재의 재생 방법을 나타내는 단면도.
이하, 실시형태를 도면에 의거하여 상세히 설명한다. 또한, 실시형태를 설명하기 위한 전체 도면에 있어서, 동일한 기능을 갖는 부재에는 동일한 부호를 부여하고, 그 반복 설명은 생략한다. 또한, 이하의 실시형태에서는, 특별히 필요한 때 이외는 동일 또는 마찬가지인 부분의 설명을 원칙적으로 반복하지 않는다.
또한, 본원에서 설명되는 X 방향, Y 방향 및 Z 방향은, 서로 교차하고, 서로 직교하고 있다. 본원에서 사용되는 「평면시(平面視)」라는 표현은, X 방향 및 Y 방향에 의해 구성되는 면을 Z 방향에서 보는 것을 의미한다.
(실시형태 1)
＜플라스마 처리 장치의 구성＞
이하에 도 1을 사용해서, 실시형태 1에 있어서의 플라스마 처리 장치(1)의 개요에 대해 설명한다.
플라스마 처리 장치(1)는, 원통 형상의 진공 용기(2)와, 진공 용기(2)의 내부에 설치된 처리실(4)과, 처리실(4)의 내부에 설치된 스테이지(5)를 구비한다. 처리실(4)의 상부는, 플라스마(3)가 발생하는 공간인 방전실을 구성하고 있다.
스테이지(5)의 상방에는, 원판 형상을 이루는 창 부재(6)와, 원판 형상을 이루는 플레이트(7)가 설치되어 있다. 창 부재(6)는, 예를 들면 석영 또는 세라믹스와 같은 유전체 재료로 이루어지고, 처리실(4)의 내부를 기밀하게 봉지한다. 플레이트(7)는, 창 부재(6)로부터 이간하도록 창 부재(6)의 하방에 설치되고, 예를 들면 석영과 같은 유전체 재료로 이루어진다. 또한, 플레이트(7)에는, 복수의 관통 구멍(8)이 설치되어 있다. 창 부재(6)와 플레이트(7) 사이에는, 간극(9)이 설치되고, 플라스마 처리를 행할 때, 간극(9)에는, 처리 가스가 공급된다.
스테이지(5)는, 피처리재인 웨이퍼(기판)(ＷF)에 대해 플라스마 처리를 행할 때, 웨이퍼(ＷF)를 설치하기 위해 사용된다. 또한, 웨이퍼(ＷF)는, 예를 들면 실리콘과 같은 반도체 재료로 이루어진다. 스테이지(5)는, 상방에서 볼 때 처리실(4)의 방전실과 동심, 또는, 동심으로 간주할 수 있을 정도로 근사한 위치에, 그 상하 방향의 중심축이 배치된 부재이고, 원통 형상을 이루고 있다.
스테이지(5)와 처리실(4)의 바닥면 사이의 공간은, 스테이지(5)의 측벽과 처리실(4)의 측면 사이의 극간을 통해, 스테이지(5)의 상방의 공간과 연통하고 있다. 그 때문에, 스테이지(5) 상에 설치된 웨이퍼(ＷF)의 처리 중에 생긴 생성물, 플라스마(3) 또는 가스의 입자는, 스테이지(5)와 처리실(4)의 바닥면 사이의 공간을 경유해서, 처리실(4)의 외부로 배출된다.
또한, 상세한 도시는 하지 않지만, 스테이지(5)는, 원통 형상을 이루고, 또한, 금속 재료로 이루어지는 기재를 갖는다. 상기 기재의 상면은, 유전체막에 의해 덮여 있다. 유전체막의 내부에는, 히터가 설치되고, 히터의 상방에는, 복수의 전극이 설치되어 있다. 상기 복수의 전극에는, 직류 전압이 공급된다. 이 직류 전압에 의해, 웨이퍼(ＷF)를 상기 유전체막의 상면에 흡착시켜, 웨이퍼(ＷF)를 유지하기 위한 정전기력을, 상기 유전체막 및 웨이퍼(ＷF)의 내부에 생성할 수 있다. 또한, 상기 복수의 전극은, 스테이지(5)의 상하 방향의 중심축의 둘레에 점대칭으로 배치되고, 상기 복수의 전극에는, 각각 서로 다른 극성의 전압이 인가된다.
또한, 스테이지(5)에는, 동심원 형상 또는 나선 형상으로 다중으로 배치된 냉매 유로가 설치되어 있다. 또한, 상기 유전체막의 상면 상에 웨이퍼(ＷF)가 설치된 상태에 있어서, 웨이퍼(ＷF)의 하면과 유전체막의 상면 사이의 극간에는, 헬륨(He) 등의 열전달성을 가진 가스가 공급된다. 그 때문에, 상기 기재 및 유전체막의 내부에는, 상기 가스가 통류(通流)하는 배관이 배치되어 있다.
또한, 플라스마 처리 장치(1)는, 임피던스 정합기(10)와, 고주파 전원(11)을 구비한다. 스테이지(5)의 상기 기재에는, 임피던스 정합기(10)를 통해 고주파 전원(11)이 접속된다. 웨이퍼(ＷF)의 플라스마 처리 중에 있어서, 웨이퍼(ＷF)의 상면 상에 플라스마 중의 하전 입자를 유인하기 위한 전계를 형성하기 위해, 고주파 전원(11)으로부터 상기 기재로 고주파 전력이 공급된다.
또한, 플라스마 처리 장치(1)는, 도파관(12)과, 마그네트론 발진기(13)와, 솔레노이드 코일(14)과, 솔레노이드 코일(15)을 구비한다. 창 부재(6)의 상방에는, 도파관(12)이 설치되고, 도파관(12)의 일단부에는, 마그네트론 발진기(13)가 설치되어 있다. 마그네트론 발진기(13)는, 마이크로파의 전계를 발진해서 출력할 수 있다. 도파관(12)은, 마이크로파의 전계가 전파하기 위한 관로이고, 마이크로파의 전계는, 도파관(12)을 통해 처리실(4)의 내부에 공급된다. 솔레노이드 코일(14) 및 솔레노이드 코일(15)은, 도파관(12) 및 처리실(4)의 주위에 설치되고, 자장 발생 수단으로서 사용된다.
또한, 도파관(12)은, 방형(方形) 도파관부와, 원형 도파관부를 구비하고 있다. 방형 도파관부는, 직사각형 형상의 단면 형상을 이루고, 수평 방향으로 연장되어 있다. 방형 도파관부의 일단부에는, 마그네트론 발진기(13)가 설치되어 있다. 방형 도파관부의 타단부에는, 원형 도파관부가 연결되어 있다. 원형 도파관부는, 원형 형상의 단면 형상을 이루고, 상하 방향으로 중심축이 연장하도록 구성되어 있다.
또한, 플라스마 처리 장치(1)는, 배관(16)과, 가스 공급 장치(17)를 구비한다. 가스 공급 장치(17)는, 배관(16)을 통해 처리실(4)에 접속되어 있다. 처리 가스는, 가스 공급 장치(17)로부터 배관(16)을 통해 간극(9)에 공급되고, 간극(9)의 내부에서 확산한다. 확산한 처리 가스는, 관통 구멍(8)으로부터 스테이지(5)의 상방으로 공급된다.
또한, 플라스마 처리 장치(1)는, 압력 조정판(18)과, 압력 검출기(19)와, 고진공 펌프인 터보 분자 펌프(20)와, 러프 진공 펌프인 드라이 펌프(21)와, 배기 배관(22)과, 밸브(23~25)를 구비한다. 스테이지(5)와 처리실(4)의 바닥면 사이의 공간은, 진공 배기부로서 기능한다. 압력 조정판(18)은, 원판 형상의 밸브이고, 배기구의 상방에서 상하로 이동함으로써, 배기구로 가스가 유입하기 위한 유로의 면적을 증감한다. 즉, 압력 조정판(18)은, 배기구를 개폐하는 밸브의 역할도 겸용하고 있다.
압력 검출기(19)는, 처리실(4)의 내부의 압력을 검지하기 위한 센서이다. 압력 검출기(19)로부터 출력된 신호는, 도시하지 않은 제어부에 송신되고, 상기 제어부에 있어서 압력의 값이 검출되고, 검출된 값에 따라 상기 제어부로부터 지령 신호가 출력된다. 상기 지령 신호에 의거하여, 압력 조정판(18)이 구동되고, 압력 조정판(18)의 상하 방향의 위치가 변화하고, 배기의 유로의 면적이 증감된다.
터보 분자 펌프(20)의 출구는, 배관을 통해 드라이 펌프(21)에 연결되고, 상기 배관의 도중에는 밸브(23)가 설치되어 있다. 스테이지(5)와 처리실(4)의 바닥면 사이의 공간은, 배기 배관(22)에 접속되고, 배기 배관(22)에는, 밸브(24) 및 밸브(25)가 설치되어 있다. 밸브(24)는, 처리실(4)이 대기압으로부터 진공 상태로 되도록, 드라이 펌프(21)로 저속으로 배기하기 위한 슬로우 배기용의 밸브이고, 밸브(23)는, 터보 분자 펌프(20)로 고속으로 배기하기 위한 메인 배기용의 밸브이다.
＜플라스마 처리＞
이하에, 플라스마 처리의 일례로서, 웨이퍼(ＷF)의 상면 상에 미리 형성된 소정의 막에 대해, 플라스마(3)를 사용한 에칭 처리를 실행할 경우에 대해 예시한다.
웨이퍼(ＷF)는, 플라스마 처리 장치(1)의 외부로부터 로봇 아암과 같은 진공 반송 장치의 아암의 선단부에 얹혀, 처리실(4)의 내부로 반송되고, 스테이지(5) 상에 설치된다. 진공 반송 장치의 아암이 처리실(4)로부터 퇴실하면, 처리실(4)의 내부가 밀봉된다. 그리고, 스테이지(5)의 유전체막의 내부의 정전 흡착용의 전극에 직류 전압이 인가되고, 생성된 정전기력에 의해, 웨이퍼(ＷF)는, 상기 유전체막 상에서 유지된다.
이 상태에서, 웨이퍼(ＷF)와 상기 유전체막 사이의 극간에는, 헬륨(He) 등의 열전달성을 갖는 가스가, 스테이지(5)의 내부에 설치된 배관을 통해 공급된다. 또한, 도시하지 않은 냉매 온도 조정기에 의해 소정의 온도로 조정된 냉매가, 스테이지(5)의 내부의 냉매 유로에 공급된다. 이에 의해, 온도가 조정된 기재와 웨이퍼(ＷF) 사이에서, 열의 전달이 촉진되고, 웨이퍼(ＷF)의 온도가, 플라스마 처리의 개시에 적절한 범위 내의 값으로 조정된다.
가스 공급 장치(17)에 의해 유량 및 속도가 조정된 처리 가스가, 배관(16)을 통해 처리실(4)의 내부에 공급됨과 함께, 터보 분자 펌프(20)의 동작에 의해, 배기구로부터 처리실(4)의 내부가 배기된다. 양자의 밸런스에 의해, 처리실(4)의 내부의 압력이, 플라스마 처리에 적합한 범위 내의 값으로 조정된다.
이 상태에서, 마그네트론 발진기(13)로부터 마이크로파의 전계가 발진된다. 마이크로파의 전계는, 도파관(12) 내부를 전파하고, 창 부재(6) 및 플레이트(7)를 투과한다. 또한, 솔레노이드 코일(14) 및 솔레노이드 코일(15)에 의해 생성된 자계가, 처리실(4)에 공급된다. 상기 자계와 마이크로파의 전계의 상호작용에 의해, 전자 사이클로트론 공명(ECR：Electron Cyclotron Resonance)이 일어난다. 그리고, 처리 가스의 원자 또는 분자가 여기, 전리 또는 해리함에 의해, 처리실(4)의 내부에 플라스마(3)가 생성된다.
플라스마(3)가 생성되면, 고주파 전원(11)으로부터 스테이지(5)의 기재로 고주파 전력이 공급되고, 웨이퍼(ＷF)의 상면 상에 바이어스 전위가 형성되고, 플라스마(3) 중의 이온 등의 하전 입자가 웨이퍼(ＷF)의 상면에 유인된다. 이에 의해, 마스크층의 패턴 형상을 따르도록, 웨이퍼(ＷF)의 소정의 막에 대해, 에칭 처리가 실행된다. 그 후, 처리 대상의 막의 처리가, 그 종점에 도달한 것이 검출되면, 고주파 전원(11)으로부터의 고주파 전력의 공급이 정지되고, 플라스마 처리가 정지된다.
추가적인 웨이퍼(ＷF)의 에칭 처리의 필요가 없는 경우, 고진공 배기가 행해진다. 그리고, 정전기가 제거되어 웨이퍼(ＷF)의 흡착이 해제된 후, 진공 반송 장치의 아암이 처리실(4)의 내부로 진입하고, 처리 완료의 웨이퍼(ＷF)가 플라스마 처리 장치(1)의 외부로 반송된다.
＜처리실의 내벽 부재＞
도 1에 나타나는 바와 같이, 처리실(4)의 내부에는, 내벽 부재(40)가 설치되어 있다. 내벽 부재(40)는, 예를 들면, 유전체인 플라스마(3)의 전위를 안정시키기 위한 어스 전극으로서 기능한다.
도 2에 나타나는 바와 같이, 내벽 부재(40)는, 기재(41)와, 기재(41)의 표면을 피복하는 피막(42)을 구비하고 있다. 기재(41)는, 도전성 재료로 이루어지고, 예를 들면 알루미늄, 알루미늄 합금, 스테인리스 또는 스테인리스 합금과 같은 금속 재료로 이루어진다.
내벽 부재(40)는, 플라스마 처리 중에 플라스마(3)에 노출된다. 가령, 기재(41)의 표면에 피막(42)이 없는 경우, 기재(41)가 플라스마(3)에 노출됨에 의해, 기재(41)가 부식 또는 이물의 발생원으로 되고, 웨이퍼(ＷF)가 오염될 우려가 있다. 피막(42)은, 웨이퍼(ＷF)의 오염을 억제하기 위해 설치되고, 기재(41)보다 플라스마(3)에 대한 내성이 높은 재료로 이루어진다. 피막(42)에 의해, 내벽 부재(40)에 어스 전극으로서의 기능을 유지시킴과 함께, 플라스마(3)로부터 기재(41)를 보호할 수 있다.
또한, 어스 전극으로서의 기능을 갖지 않는 기재(30)에 있어서도, 스테인리스 합금 또는 알루미늄 합금 등과 같은 금속 재료가 사용되고 있다. 그 때문에, 기재(30)의 표면에도, 플라스마(3)에 노출됨에 의해 생기는 부식 또는 이물의 발생을 억제하기 위해, 플라스마(3)에 대한 내성을 향상시키는 처리, 또는, 기재(30)의 소모를 저감시키는 처리가 실시되어 있다. 그러한 처리는, 예를 들면, 부동태화 처리, 용사막의 형성, 또는, PVD법 혹은 CVD법에 의한 막의 형성이다.
또한, 도시는 하지 않지만, 플라스마(3)에 의한 기재(30)의 소모를 저감시키기 위해, 원통 형상을 이루는 기재(30)의 내벽의 내측에, 산화이트륨 또는 석영 등과 같은 세라믹제의 원통 형상의 커버가 배치되어도 된다. 이러한 커버가, 기재(30)와 플라스마(3) 사이에 배치됨에 의해, 기재(30)와 플라스마(3) 내의 반응 성이 높은 입자의 접촉, 또는, 기재(30)와 하전 입자의 충돌이, 차단 또는 저감된다. 이에 의해, 기재(30)의 소모를 억제할 수 있다.
도 3 및 도 4를 사용해서, 내벽 부재(40)의 구성에 대해 설명한다. 도 3은, 내벽 부재(40)를 나타내는 평면도이고, 도 4는, 도 3에 나타나는 A-A선을 따른 단면도이다.
내벽 부재(40)(기재(41))는, 대체로, 내주(內周)와 외주(外周) 사이에서 소정의 두께를 갖는 원통 형상을 이루고 있다. 또한, 내벽 부재(40)는, 상부(40a), 중간부(40b) 및 하부(40c)로 이루어진다. 상부(40a)는, 원통의 내경 및 외경이 상대적으로 작은 개소이고, 하부(40c)는, 원통의 내경 및 외경이 상대적으로 큰 개소이다. 중간부(40b)는, 상부(40a) 및 하부(40c)를 접속하기 위한 개소이고, 원통의 내경 및 외경이 연속적으로 변화하는 원추대(円錐台) 형상을 이루고 있다.
내벽 부재(40)는, 스테이지(5)의 외주를 둘러싸도록, 처리실(4)의 내벽을 따라 설치된다. 내벽 부재(40)의 내주 측의 표면(기재(41)의 내주 측의 표면)에는, 피막(42)의 일부로서, 용사법에 의해 용사막이 형성된다. 또한, 처리실(4)의 내부에 내벽 부재(40)가 부착된 상태에서, 내벽 부재(40)의 외주 측의 표면(기재(41)의 외주 측의 표면)에는, 피막(42)의 일부로서, 양극 산화 처리에 의해 양극 산화막이 형성된다.
또한, 용사막은, 기재(41)의 내주 측의 표면뿐만 아니라, 상부(40a)의 상단부를 통해 기재(41)의 외주 측의 표면에도 형성된다. 그 이유는, 플라스마(3)의 입자가, 상부(40a)에 있어서, 내벽 부재(40)의 내주 측으로부터 내벽 부재(40)의 외주 측으로 돌아 들어가서, 기재(41)의 외주 측의 표면과 상호작용을 일으킬 우려가 있기 때문이다. 따라서, 플라스마(3)의 입자가 돌아 들어간다고 상정되는 영역까지, 기재(41)의 외주 측의 표면에, 용사막을 형성할 필요가 있다. 도 4에는, 그러한 영역이, 영역(50)으로서 나타나 있다.
도 5a~도 5d는, 영역(50)을 확대하여 나타낸 단면도이다. 실시형태 1에 있어서의 내벽 부재(40)는, 이하에서 설명하는, 기재(41)와, 양극 산화막(42a)과, 용사막(42b)을 구비하고 있다. 도 5a는, 피막(42)(양극 산화막(42a), 용사막(42b))이 형성되기 전의 기재(41)를 나타내고, 도 5b는, 피막(42)이 형성된 후의 기재(41)를 나타내고 있다.
도 5a에 나타나는 바와 같이, 실시형태 1에 있어서의 기재(41)에는, 내벽 부재(40)의 내주 측(기재(41)의 내주 측)으로부터 내벽 부재(40)의 외주 측(기재(41)의 외주 측)을 향하는 방향(X 방향)에 있어서, 단차가 발생하고 있다. 즉, 기재(41)는, 기재(41)의 외주 측에 있어서, 표면 FS1, 표면 FS1보다 높은 위치에 위치하는 표면 FS2, 및, 표면 FS1과 표면 FS2를 연결하는 측면 SS1을 갖는다. 또한, 표면 FS1과 표면 FS2 사이의 거리 L1은, 단차의 높이, 및, 측면 SS1의 길이에 상당한다. 여기에서는, 거리 L1은, 예를 들면 0.5mm이다.
도 5b에 나타나는 바와 같이, 양극 산화막(42a)은, 표면 FS1 상 및 측면 SS1 상에 형성되어 있다. 또한, 양극 산화막(42a)은, 측면 SS1 상에 위치하는 단부 EP1을 갖는다. 양극 산화막(42a)은, 용사막(42b)이 형성되기 전에, 양극 산화 처리에 의해 형성된다. 기재(41)가, 예를 들면 알루미늄 또는 알루미늄 합금인 경우, 양극 산화막(42a)은, 알루마이트 피막이다.
용사막(42b)은, 단부 EP1을 덮도록, 표면 FS1 상, 측면 SS1 상 및 표면 FS2 상에 형성되어 있다. 또한, 용사막(42b)은, 표면 FS1 상에 형성되어 있는 양극 산화막(42a) 상에 위치하는 단부 EP2를 갖는다.
용사막(42b)은, 예를 들면 플라스마를 사용한 용사법에 의해 형성된다. 이 용사법에서는, 대기압 하에서 플라스마를 형성하고, 산화이트륨, 불화이트륨 또는 이들을 포함하는 재료의 입자를 플라스마 내에 공급하고, 상기 입자를 반용융 상태로 한다. 이 반용융 상태의 입자를 기재(41)의 표면 FS1, FS2에 분사하거나 또는 조사함으로써, 용사막(42b)이 형성된다.
또한, 용사막(42b)의 표면의 요철은, 예를 들면, 산술평균 거칠기(면 거칠기)(Ra)가 8 이하로 되도록 구성되어 있다. 또한, 용사막(42b)의 각 입자의 크기의 평균(평균 입자경)은, 예를 들면, 체적 기준의 D50에 있어서 10㎛ 이상, 50㎛ 이하이다.
영역(50)에 있어서, 기재(41)의 표면 FS1, 측면 SS1 및 표면 FS2가, 양극 산화막(42a) 또는 용사막(42b) 중 적어도 한쪽에 의해 덮여 있는 것이고, 플라스마 처리 시, 기재(41)가 플라스마(3)에 폭로되는 것이 방지된다.
＜실시형태 1에 있어서의 내벽 부재의 재생 방법＞
이하에 도 5b~도 5d를 사용해서, 내벽 부재(40)의 재생 방법(내벽 부재(40)의 제조 방법)에 포함되는 각 공정에 대해 설명한다.
도 5b의 내벽 부재(40)는, 소정의 기간 중에 처리실(4) 내에 배치되고, 플라스마(3)에 노출된다. 플라스마(3)에 노출된 용사막(42b)은, 개질 또는 소모되어 있으므로, 이 용사막(42b)을 제거하고, 새롭게 용사막(42b)을 재생할 필요가 있다.
우선, 도 5c에 나타나는 바와 같이, 용사막(42b)으로부터 노출되어 있는 양극 산화막(42a)을 마스크재(100)에 의해 덮는다. 이 때, 마스크재(100)는, 용사막(42b)의 단부 EP2에 접해 있다. 또한, 마스크재(100)는, 후술하는 블라스트 처리에 의해 제거되지 않는 특성을 갖는 재료로 이루어지고, 예를 들면 수지 테이프이다.
다음으로, 용사막(42b)에 대해 블라스트 처리를 행한다. 블라스트 처리는, 표면 FS2로부터 표면 FS1을 향하는 방향이고, 또한, 표면 FS1에 대해 소정의 각도 θ로 경사진 방향으로부터, 블라스트 입자(200)를 투사함으로써 행해진다. 블라스트 입자(200)가 용사막(42b)의 입자에 충돌하고, 물리적 작용에 의해 용사막(42b)이 제거된다. 또한, 투사되는 블라스트 입자(200)의 각도 θ가 적절히 선택됨으로써, 용사막(42b)의 일부를 남길 수 있다.
이러한 블라스트 처리에 의해, 표면 FS2 상의 용사막(42b)을 제거함과 함께, 마스크재(100)로 덮여 있지 않은 양극 산화막(42a)이 용사막(42b)에 의해 덮이도록, 표면 FS1 상 및 측면 SS1 상의 용사막(42b)의 일부를 남긴다. 이와 같이, 양극 산화막(42a)은, 잔존한 용사막(42b) 또는 마스크재(100)의 어느 것에 의해 덮여 있으므로, 양극 산화막(42a)의 전체가, 블라스트 처리에 노출되지 않는다.
다음으로, 도 5d에 나타나는 바와 같이, 남아 있는 용사막(42b) 상 및 표면 FS2 상에, 용사법에 의해 새로운 용사막(42b)을 형성한다. 새로운 용사막(42b)을 형성하기 위한 방법 및 조건은, 도 5b에서 설명한 것과 동일하다. 또한, 반용융 상태의 입자(300)를 기재(41)의 표면 FS1, FS2에 분사하는 방향은, 표면 FS1, FS2와 수직인 방향이다. 다음으로, 마스크재(100)를 떼어낸다. 이와 같이 해서, 용사막(42b)을 재생할 수 있으므로, 내벽 부재(40)가, 도 5b의 상태로 재생된다.
또한, 도 5d에서 새롭게 형성한 용사막(42b)은, 표면 FS1 상에 형성되어 있는 양극 산화막(42a) 상에 위치하는 단부 EP3을 갖는다. 그리고, 단부 EP3의 위치는, 도 5b의 용사막(42b)의 단부 EP2의 위치와 일치해 있다.
또한, 최초에 형성한 용사막(42b) 및 새롭게 형성한 용사막(42b)은, 동일한 재료로 이루어진다. 블라스트 처리 후에 남아 있는 용사막(42b)은, 플라스마 처리 시에 있어서 플라스마(3)에 직접 노출되어 있지 않고, 개질 등이 거의 없는 개소이다. 그 때문에, 남아 있는 용사막(42b)과 새로운 용사막(42b)은, 동일한 양질의 용사막(42b)으로서 일체화된다.
그 후, 내벽 부재(40)가 다시 플라스마(3)에 노출되고, 용사막(42b)에 개질 등이 발생했을 경우, 도 5b~도 5d의 각 공정을 반복함으로써, 용사막(42b)을 재생하여, 내벽 부재(40)를 재생할 수 있다.
상술한 바와 같이, 종래 기술에서는, 용사막(42b)의 재생을 반복 행할 때마다, 양극 산화막(42a)의 단부 EP1의 위치가 후퇴하므로, 양극 산화막(42a)의 면적이 감소해 버리는 문제가 있었다. 또한, 양극 산화막(42a)의 단부 EP1을 남기도록 용사막(42b)을 제거했을 경우, 용사막(42b)의 재생을 반복 행할 때마다, 잔류한 오래된 용사막(42b)이 적층되고, 이 적층체가, 처리실의 내부에 있어서의 이물의 발생원으로 되는 문제가 있었다.
이에 대해, 실시형태 1에 따르면, 양극 산화막(42a)의 단부 EP1의 위치는, 용사막(42b)의 재생의 전후에 변화하지 않는다. 따라서, 양극 산화막(42a)의 면적의 감소를 방지함과 함께, 처리실(4)의 내부에 있어서의 이물의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 도 5d에서 새롭게 형성한 용사막(42b)의 단부 EP3의 위치는, 도 5b의 용사막(42b)의 단부 EP2의 위치와 일치해 있다. 즉, 재용사의 전후에, 두께 또는 면적 등의 각종 파라미터가 거의 동일한 용사막(42b)을 제공할 수 있다.
(실시형태 2)
이하에 도 6a~도 6e를 사용해서, 실시형태 2에 있어서의 내벽 부재(40)와, 내벽 부재(40)의 재생 방법(내벽 부재(40)의 제조 방법)에 대해 설명한다. 또한, 이하의 설명에서는, 실시형태 1과의 상위점에 대해 주로 설명하고, 실시형태 1과 중복되는 점에 대해는 설명을 생략한다.
＜실시형태 2에 있어서의 내벽 부재＞
도 6a~도 6e는, 도 4의 영역(50)을 확대하여 나타낸 단면도이다. 실시형태 2에 있어서의 내벽 부재(40)도, 실시형태 1과 마찬가지로, 기재(41)와, 양극 산화막(42a)과, 용사막(42b)을 구비하고 있다. 이들을 구성하는 재료, 및, 이들을 형성하기 위한 방법 등은, 실시형태 1과 마찬가지이다.
도 6a는, 피막(42)(양극 산화막(42a), 용사막(42b))이 형성되기 전의 기재(41)를 나타내고, 도 6b는, 실시형태 2에서 사용되는 마스크재(101)를 나타내고 있다. 도 6c는, 피막(42)이 형성된 후의 기재(41)를 나타내고 있다.
도 6a에 나타나는 바와 같이, 실시형태 2에 있어서의 기재(41)에서도, 내벽 부재(40)의 내주 측(기재(41)의 내주 측)으로부터 내벽 부재(40)의 외주 측(기재(41)의 외주 측)을 향하는 방향(X 방향)에 있어서, 단차가 발생하고 있다. 또한, 표면 FS1과 표면 FS2 사이의 거리 L2는, 단차의 높이, 및, 측면 SS1의 길이에 상당한다. 여기에서는, 거리 L2는, 예를 들면 5.0mm이다.
도 6b에 나타나는 바와 같이, 실시형태 2에 있어서의 마스크재(101)는, 상기 단차의 형상에 합치하도록, 미리 제작된 L자 형상의 금속제 부재이다. 즉, 마스크재(101)는, 표면 FS1 및 측면 SS1의 각각의 형상을 따른 형상을 갖는 지그이고, 금속 재료로 이루어진다. 마스크재(101) 중 측면 SS1을 따른 개소의 거리 L3은, 거리 L2보다 약간 작아지도록 설계되고, 예를 들면 4.5mm이다. 마스크재(101) 중 표면 FS1을 따른 개소는, 양극 산화막(42a)의 단부 EP1보다 측면 SS1에 가까워지도록 설계되고, 예를 들면 2.0mm이다. 마스크재(101)의 두께 L5는, 예를 들면 1.0mm이다.
도 6c에 나타나는 바와 같이, 실시형태 2에 있어서의 양극 산화막(42a)은, 표면 FS1 상, 측면 SS1 상 및 표면 FS2 상에 형성되어 있다. 또한, 양극 산화막(42a)은, 표면 FS1 상에 위치하는 단부 EP1을 갖는다. 용사막(42b)은, 단부 EP1을 덮도록, 표면 FS1 상에 형성되어 있다. 또한, 용사막(42b)은, 표면 FS1 상에 형성되어 있는 양극 산화막(42a) 상에 위치하는 단부 EP2를 갖는다.
실시형태 2에서도, 영역(50)에 있어서, 기재(41)의 표면 FS1, 측면 SS1 및 표면 FS2가, 양극 산화막(42a) 또는 용사막(42b) 중 적어도 한쪽에 의해 덮여 있음으로써, 플라스마 처리 시, 기재(41)가 플라스마(3)에 폭로되는 것이 방지된다.
＜실시형태 2에 있어서의 내벽 부재의 재생 방법＞
이하에 도 6c~도 6e를 사용해서, 내벽 부재(40)의 재생 방법(내벽 부재(40)의 제조 방법)에 포함되는 각 공정에 대해 설명한다.
도 6c의 내벽 부재(40)는, 소정의 기간 중에 처리실(4) 내에 배치되고, 플라스마(3)에 노출된다. 플라스마(3)에 노출된 용사막(42b)은, 개질 또는 소모되어 있으므로, 이 용사막(42b)을 제거하고, 새롭게 용사막(42b)을 재생할 필요가 있다.
우선, 도 6d에 나타나는 바와 같이, 용사막(42b)으로부터 노출되고, 또한, 적어도 표면 FS1 상 및 측면 SS1 상에 형성되어 있는 양극 산화막(42a)을 마스크재(101)에 의해 덮는다. 이 때, 마스크재(101)는, 용사막(42b)의 단부 EP2에 접하고 있다.
다음으로, 용사막(42b)에 대해 블라스트 처리를 행함으로써, 표면 FS1 상의 용사막(42b)을 제거한다. 블라스트 처리는, 표면 FS1과 수직인 방향으로부터, 블라스트 입자(200)를 투사함으로써 행해진다. 블라스트 입자(200)가 용사막(42b)의 입자에 충돌하고, 물리적 작용에 의해 용사막(42b)이 제거된다. 블라스트 입자(200)의 투사 범위는, 표면 FS2에 미치지 않도록, 마스크재(101)를 포함하는 표면 FS1 상에 설정된다.
여기에서, 마스크재(101)로 덮여 있지 않고, 또한, 용사막(42b)에 의해 덮여 있던 양극 산화막(42a)도, 제거된다. 이 때문에, 양극 산화막(42a)의 단부 EP1의 위치가, 약간 후퇴하고, 마스크재(101)에 정합하는 위치로 이동한다.
다음으로, 도 6e에 나타나는 바와 같이, 마스크재(101)로부터 노출되어 있는 표면 FS1 상에, 용사법에 의해 새로운 용사막(42b)을 형성한다. 새로운 용사막(42b)을 형성하기 위한 방법 및 조건은, 도 5b에서 설명한 것과 동일하다. 또한, 반용융 상태의 입자(300)를 기재(41)의 표면 FS1에 분사하는 방향은, 표면 FS1과 수직인 방향이다. 다음으로, 마스크재(101)를 떼어낸다. 이와 같이 해서, 실시형태 2에 있어서도, 용사막(42b)을 재생할 수 있으므로, 내벽 부재(40)가, 도 6c의 상태로 재생된다.
또한, 도 6e에서 새롭게 형성한 용사막(42b)은 표면 FS1 상에 형성되어 있는 양극 산화막(42a) 상에 위치하는 단부 EP3을 갖는다. 그리고, 단부 EP3의 위치는, 도 6c의 용사막(42b)의 단부 EP2의 위치와 일치해 있다. 또한, 단부 EP3의 위치는, 도 6d에서 후퇴한 양극 산화막(42a)의 단부 EP1의 위치와도 일치해 있다.
그 후, 내벽 부재(40)가 다시 플라스마(3)에 노출되고, 용사막(42b)에 개질 등이 발생했을 경우, 도 6c~도 6e의 각 공정을 반복함으로써, 용사막(42b)을 재생하고, 내벽 부재(40)를 재생할 수 있다.
실시형태 2에서는, 마스크재(101)로서, 단차의 형상을 따른 형상의 금속제 부재인 지그를 적용하고 있다. 그 때문에, 마스크재(101)를 표면 FS1 및 측면 SS1에 꼭 대는 것, 즉, 마스크재(101)를 단차에 꼭 대는 것만으로, 마스크재(101)의 설치를 신속히 행할 수 있다. 또한, 마스크재(101)의 형상은 불변이므로, 항상, 양극 산화막(42a)의 단부 EP1의 위치를 고정할 수 있고, 새롭게 형성하는 용사막(42b)의 단부 EP3의 위치를 고정할 수 있다.
도 6d에서 설명한 바와 같이, 1회째의 용사막(42b)의 재생 시에는, 양극 산화막(42a)의 단부 EP1의 위치가, 약간 후퇴한다. 그러나, 2회째 이후의 용사막(42b)의 재생 시에는, 마스크재(101)의 형상이 불변이므로, 단부 EP1의 위치는, 변하지 않고, 재용사의 전후에 일치한다. 즉, 도 6c~도 6e의 각 공정을 반복하고, 용사막(42b)의 재생을 반복했을 경우에도, 항상, 단부 EP1의 위치 및 단부 EP3의 위치가 고정된다. 따라서, 실시형태 2에서도, 양극 산화막(42a)의 면적의 감소를 방지함과 함께, 처리실(4)의 내부에 있어서의 이물의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 재용사의 전후에, 두께 또는 면적 등의 각종 파라미터가 거의 동일한 용사막(42b)을 제공할 수 있다.
이상, 상기 실시형태에 의거하여 본 발명을 구체적으로 설명했지만, 본 발명은, 상기 실시형태로 한정되는 것이 아니며, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러가지 변경 가능하다.
예를 들면, 실시형태 1에서도, 마스크재(100) 대신에, 마스크재(101)와 같은 형상이 불변인 지그를 사용할 수도 있다. 그러나, 플라스마 처리 장치(1)에 사양에 따라서는, 내벽 부재(40)가 다양한 형상을 이루고 있는 경우가 있다. 그 경우, 그들에 대응하는 지그를 준비할 필요가 있다. 또한, 양극 산화막(42a)과 용사막(42b)이 접하는 개소가, 지그를 항상 정밀하게 설치하기 쉬운 개소(예를 들면 도 6d)로 되어 있다고는 한정되지 않는다. 실시형태 1과 같이, 수지 테이프와 같은 마스크재(100)이면, 새로운 지그를 준비할 필요가 없으므로, 다양한 형상의 내벽 부재(40)에 적용하기 쉬워진다.
즉, 양극 산화막(42a)의 단부 EP1의 위치 및 새로운 용사막(42b)의 단부 EP3의 위치를 일치시키는 정밀도와, 마스크재를 설치하는 신속성의 관점에 있어서는, 실시형태 2의 쪽이, 실시형태 1보다 우수하다. 한편, 마스크재의 범용성이라는 관점에 있어서는, 실시형태 1의 쪽이, 실시형태 2보다 우수하다.
1 플라스마 처리 장치 2 진공 용기
3 플라스마 4 처리실
5 스테이지 6 창 부재
7 플레이트 8 관통 구멍
9 간극 10 임피던스 정합기
11 고주파 전원 12 도파관
13 마그네트론 발진기 14 솔레노이드 코일
15 솔레노이드 코일 16 배관
17 가스 공급 장치 18 압력 조정판
19 압력 검출기 20 터보 분자 펌프
21 드라이 펌프 22 배기 배관
23~25 밸브 30 기재
40 내벽 부재(어스 전극) 40a 상부
40b 중간부 40c 하부
41 기재 42 피막
42a 양극 산화막 42b 용사막
50 영역 100 마스크재(수지 테이프)
101 마스크재(지그) 200 블라스트 입자
300 반용융 상태의 입자 EP1~EP3 단부
FS1, FS2 표면 SS1 측면
ＷF 웨이퍼(피처리재)

Claims (15)

  1. 플라스마 처리 장치에 있어서 플라스마 처리가 행해지는 처리실의 내벽에 설치되는 내벽 부재의 재생 방법으로서,
    상기 내벽 부재는,
    제1 표면, 상기 제1 표면보다 높은 위치에 위치하는 제2 표면, 및, 상기 제1 표면과 상기 제2 표면을 연결하는 제1 측면을 갖는 기재(基材)와,
    상기 제1 표면 상(上) 및 상기 제1 측면 상에 형성되고, 또한, 상기 제1 측면 상에 위치하는 제1 단부를 갖는 양극 산화막과,
    상기 제1 단부를 덮도록, 상기 제1 표면 상, 상기 제1 측면 상 및 상기 제2 표면 상에 형성된 제1 용사막으로서, 상기 제1 표면 상에 형성되어 있는 상기 양극 산화막 상에 위치하는 제2 단부를 갖는 상기 제1 용사막
    을 구비하고,
    (a) 상기 제1 용사막으로부터 노출되어 있는 상기 양극 산화막을 마스크재에 의해 덮는 공정,
    (b) 상기 (a) 공정 후, 상기 제1 용사막에 대해 블라스트 처리를 행함으로써, 상기 제2 표면 상의 상기 제1 용사막을 제거함과 함께, 상기 마스크재로 덮여 있지 않은 상기 양극 산화막이 상기 제1 용사막에 의해 덮이도록, 상기 제1 표면 상 및 상기 제1 측면 상의 상기 제1 용사막의 일부를 남기는 공정,
    (c) 상기 (b) 공정 후, 남아 있는 상기 제1 용사막 상 및 상기 제2 표면 상에, 용사법에 의해 제2 용사막을 형성하는 공정,
    (d) 상기 (c) 공정 후, 상기 마스크재를 떼어내는 공정
    을 갖는, 내벽 부재의 재생 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 (b) 공정에 있어서, 상기 블라스트 처리는, 상기 제2 표면으로부터 상기 제1 표면을 향하는 방향이고, 또한, 상기 제1 표면에 대해 소정의 각도로 경사진 방향으로부터, 블라스트 입자를 투사(投射)함으로써 행해지는, 내벽 부재의 재생 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 (a) 공정에 있어서, 상기 마스크재는, 상기 제2 단부에 접해 있는, 내벽 부재의 재생 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제2 용사막은, 상기 제1 표면 상에 형성되어 있는 상기 양극 산화막 상에 위치하는 제3 단부를 갖고,
    상기 제3 단부의 위치는, 상기 제1 용사막의 상기 제2 단부의 위치와 일치하는, 내벽 부재의 재생 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 마스크재는, 수지 테이프로 이루어지는, 내벽 부재의 재생 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 용사막 및 상기 제2 용사막은, 동일한 재료로 이루어지는, 내벽 부재의 재생 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 기재는, 내주(內周)와 외주(外周) 사이에서 소정의 두께를 갖는 원통 형상을 이루고,
    상기 제1 표면, 상기 제1 측면 및 상기 제2 표면은, 상기 기재의 외주 측에 마련되어 있는, 내벽 부재의 재생 방법.
  8. 플라스마 처리 장치에 있어서 플라스마 처리가 행해지는 처리실의 내벽에 설치되는 내벽 부재의 재생 방법으로서,
    상기 내벽 부재는,
    제1 표면, 상기 제1 표면보다 높은 위치에 위치하는 제2 표면, 및, 상기 제1 표면과 상기 제2 표면을 연결하는 제1 측면을 갖는 기재와,
    상기 제1 표면 상, 상기 제1 측면 상 및 상기 제2 표면 상에 형성되고, 또한, 상기 제1 표면 상에 위치하는 제1 단부를 갖는 양극 산화막과,
    상기 제1 단부를 덮도록, 상기 제1 표면 상에 형성된 제1 용사막으로서, 상기 제1 표면 상에 형성되어 있는 상기 양극 산화막 상에 위치하는 제2 단부를 갖는 상기 제1 용사막
    을 구비하고,
    (a) 상기 제1 용사막으로부터 노출되고, 또한, 적어도 상기 제1 표면 상 및 상기 제1 측면 상에 형성되어 있는 상기 양극 산화막을, 마스크재에 의해 덮는 공정,
    (b) 상기 (a) 공정 후, 상기 제1 용사막에 대해 블라스트 처리를 행함으로써, 상기 제1 표면 상의 상기 제1 용사막을 제거하는 공정,
    (c) 상기 (b) 공정 후, 상기 마스크재로부터 노출되어 있는 상기 제1 표면 상에, 용사법에 의해 제2 용사막을 형성하는 공정,
    (d) 상기 (c) 공정 후, 상기 마스크재를 떼어내는 공정
    을 갖는, 내벽 부재의 재생 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 (a) 공정에 있어서, 상기 마스크재는, 상기 제2 단부에 접해 있는, 내벽 부재의 재생 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제2 용사막은, 상기 제1 표면 상에 위치하는 제3 단부를 갖고,
    상기 제3 단부의 위치는, 상기 제1 용사막의 상기 제2 단부의 위치와 일치하는, 내벽 부재의 재생 방법.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 마스크재는, 상기 제1 표면 및 상기 제1 측면의 각각의 형상을 따른 형상을 갖는 지그인, 내벽 부재의 재생 방법.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 제1 용사막 및 상기 제2 용사막은, 동일한 재료로 이루어지는, 내벽 부재의 재생 방법.
  13. 제8항에 있어서,
    상기 기재는, 내주와 외주 사이에서 소정의 두께를 갖는 원통 형상을 이루고,
    상기 제1 표면, 상기 제1 측면 및 상기 제2 표면은, 상기 기재의 외주 측에 마련되어 있는, 내벽 부재의 재생 방법.
  14. 제8항에 있어서,
    상기 (b) 공정에 있어서, 상기 마스크재로 덮여 있지 않고, 또한, 상기 제1 용사막에 의해 덮여 있던 상기 양극 산화막도 제거되고, 상기 제1 단부의 위치가 후퇴하는, 내벽 부재의 재생 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    (e) 상기 (d) 공정 후, 상기 내벽 부재를 플라스마에 노출시키는 공정,
    (f) 상기 (e) 공정 후, 상기 제2 용사막으로부터 노출되고, 또한, 적어도 상기 제1 표면 상 및 상기 제1 측면 상에 형성되어 있는 상기 양극 산화막을, 상기 마스크재에 의해 덮는 공정,
    (g) 상기 (f) 공정 후, 상기 제2 용사막에 대해 블라스트 처리를 행함으로써, 상기 제1 표면 상의 상기 제2 용사막을 제거하는 공정,
    (h) 상기 (g) 공정 후, 상기 마스크재로부터 노출되어 있는 상기 제1 표면 상에, 용사법에 의해 제3 용사막을 형성하는 공정,
    (i) 상기 (h) 공정 후, 상기 마스크재를 떼어내는 공정
    을 갖고,
    상기 (i) 공정 후의 상기 제1 단부의 위치는, 상기 (f) 공정 전의 상기 제1 단부의 위치와 일치하는, 내벽 부재의 재생 방법.
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