CN115057711A

CN115057711A - 平坦片材

Info

Publication number: CN115057711A
Application number: CN202210702305.1A
Authority: CN
Inventors: 渡边守道; 佐藤圭; 松岛洁; 前田高宏; 吉川润; 七泷努
Original assignee: NGK Insulators Ltd
Current assignee: NGK Insulators Ltd
Priority date: 2017-10-27
Filing date: 2018-10-24
Publication date: 2022-09-16
Anticipated expiration: 2038-10-24
Also published as: JPWO2019082916A1; JP6490881B1; CN115057711B

Abstract

本发明涉及一种平坦片材，其中，用厚度为75μm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.03μm的PET膜夹持所述平坦片材后，载置于厚度为10mm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.29μm的不锈钢板上并进行真空包装，以200kg/cm²进行等静压压制后，所述平坦片材的与所述不锈钢板侧相反一侧的面的截面曲线的最大截面高度Pt为0.8μm以下。

Description

平坦片材

本申请是申请号为201880055098.7(国际申请号为PCT/JP2018/039445)、申请日为2018年10月24日、发明名称为“取向陶瓷烧结体的制法以及平坦片材”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及取向陶瓷烧结体的制法以及平坦片材。

背景技术

作为陶瓷的烧成方法，已知有热压法，其中，一边在高温下对陶瓷粉体或陶瓷成型体进行加压一边进行烧成。在利用热压法制造陶瓷的情况下，通常为了保护试样和压制部件而在试样之间配置有间隔件。为了避免与其它部件的热膨胀率差导致的应力集中，该间隔件大多使用与其它部件相同的材质。例如，一般情况下，在不活泼气氛中部件全部为石墨制，在氧化气氛中全部为氧化铝或碳化硅。但是，在该方法中，由于试样和间隔件直接接触，因此存在试样和间隔件反应、粘连或者间隔件破裂的问题。因此，提出了在试样和间隔件之间设置脱模材料的方法(例如专利文献1～3)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平10-194847号公报

专利文献2：日本专利第5002087号公报

专利文献3：日本特开2008-031020号公报

发明内容

然而，想要使用这些方法来制造取向陶瓷烧结体时，存在如下问题：由于热压烧成时的加压而导致脱模材料表面出现起伏，在其影响下取向陶瓷中的与脱模材料相接的表面的晶体取向错开。在使用专利文献3中记载的由膨胀石墨形成的脱模片的情况下也观察到这样的问题。

本发明是为了解决这样的课题而完成的，其主要目的在于抑制取向陶瓷烧结体的表面的晶体取向与内部的晶体取向错开的情况。

本发明的取向陶瓷烧结体的制法包括下述工序：

(a)制作烧成为取向陶瓷烧结体之前的陶瓷成型体；和

(b)用一对脱模片夹持所述陶瓷成型体并配置于热压烧成炉内，一边利用一对冲头隔着所述一对脱模片对所述陶瓷成型体进行加压一边进行热压烧成，从而得到取向陶瓷烧结体，

其中，

所述脱模片是如下脱模片，即，在用厚度为75μm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.03μm的PET膜夹持后，载置于厚度为10mm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.29μm的不锈钢板上并进行真空包装，以200kg/cm²进行等静压压制后，所述脱模片的与所述不锈钢板侧相反一侧的面的截面曲线的最大截面高度Pt为0.8μm以下。

在该制法中，作为脱模片，使用在上述条件下测定到的截面曲线的最大截面高度Pt为0.8μm以下(优选为0.5μm以下)的脱模片。因此，通过热压烧成得到的取向陶瓷烧结体的表面不会出现起伏，能够抑制表面的晶体取向与内部的晶体取向错开。因此，可得到优质的取向陶瓷烧结体。

附图说明

图1是板状氧化铝粒子的示意图，(a)是俯视图，(b)是主视图。

图2是用TGG法制作氧化铝烧结体的工序的示意图。

图3为石墨炉10的截面图。

图4是倾角的说明图。

图5是摇摆曲线测定的说明图。

符号说明

10石墨炉、12石墨模具、14石墨套筒、16陶瓷成型体、18脱模片、20石墨间隔件、22石墨冲头。

具体实施方式

本发明的取向陶瓷烧结体的制法包括以下工序：

(a)制作烧成为取向陶瓷烧结体之前的陶瓷成型体；和

(b)用一对脱模片夹持所述陶瓷成型体并配置于热压烧成炉内，一边利用一对冲头隔着所述一对脱模片对所述陶瓷成型体进行加压一边进行热压烧成，从而得到取向陶瓷烧结体。

在工序(a)中，制作烧成为取向陶瓷烧结体之前的陶瓷成型体。例如，可以对包含混合陶瓷粉末、粘合剂以及分散介质的浆料进行成型，从而制作陶瓷成型体，所述混合陶瓷粉末是混合板状陶瓷粉末和平均粒径小于板状陶瓷粉末的微细陶瓷粉末而得到的。在该情况下，可以在工序(b)中进行热压烧成之前对陶瓷成型体进行脱脂。脱脂温度只要设定为陶瓷成型体中含有的有机物在热的作用下被除去的温度即可。

作为板状陶瓷粉末，例如优选纵横尺寸比为3以上的板状陶瓷粉末。纵横尺寸比是平均粒径/平均厚度。此处，平均粒径为粒子板面的长轴长度的平均值，平均厚度为粒子的短轴长度的平均值。这些值是利用扫描型电子显微镜(SEM)对板状陶瓷粉末中的任意100个粒子进行观察来决定的。作为取向陶瓷，已知有氧化铝、锆钛酸铅(PZT)、ZnO、BaTiO₃、(K,Na)NbO₃等，其中，制作取向氧化铝烧结体时特别适用本发明的制法。图1是板状氧化铝粒子的示意图，(a)是俯视图，(b)是主视图。板状氧化铝粒子在俯视观察时的形状为大致六边形，其粒径如图1(a)所示，厚度如图1(b)所示。通过使用纵横尺寸比为3以上的板状氧化铝粉末，最终得到的氧化铝烧结体的取向度提高。从高取向化的观点出发，优选板状氧化铝粉末的平均粒径较大，优选为1.5μm以上，更优选为5μm以上，进一步优选为10μm以上，特别优选为15μm以上。但是，从致密化的观点出发，优选板状氧化铝粉末的平均粒径较小，优选为30μm以下。因此，为了兼顾高取向和致密化，平均粒径优选为1.5μm～20μm。板状氧化铝粉末优选使用高纯度的板状氧化铝粉末。板状氧化铝粉末的纯度优选为99质量％以上，更优选为99.9质量％以上，进一步优选为99.99质量％以上。其中，可以包含在烧成中挥发消失的杂质。

微细陶瓷粉末是平均粒径小于板状陶瓷粉末的粉末，使用与板状陶瓷粉末同种的粉末。通过使用将板状陶瓷粉末和微细陶瓷粉末混合而成的混合陶瓷粉末，在成型时板状陶瓷粒子变得容易取向。另外，在烧成时，板状陶瓷粉末成为晶种(模板)，微细陶瓷粉末成为基质，模板一边导入基质一边进行同质外延生长。这样的制法被称为TGG(TemplatedGrain Growth)法。在制作取向氧化铝烧结体的情况下，优选板状氧化铝粉末与微细氧化铝粉末的混合比例以质量比计为T：(100-T)(T为0.001～50)。这是因为，若T小于0.001，则所得到的氧化铝烧结体的取向度难以变高，若超过50，则氧化铝有可能难以烧结。从取向度的观点出发，T优选为0.1以上。另一方面，从烧结性的观点出发，T优选为15以下。从兼顾取向度和烧结性的观点出发，T优选为0.1～15。图2示出利用TGG法制作氧化铝烧结体的工序的示意图。在TGG法中，可以通过板状氧化铝粉末和微细氧化铝粉末的粒径、混合比来控制所得到的氧化铝烧结体的特性。

作为粘合剂，可以举出例如乙基纤维素系或者丁缩醛系的有机化合物。作为分散介质，可以举出例如2-乙基己醇、辛醇、松油醇、丁基卡必醇、二甲苯等芳香族化合物；醇类等，可以单独使用、或者组合多种使用。除此之外，也可以添加增塑剂、分散剂、烧结助剂等。作为增塑剂，可以举出例如苯二甲酸酯、己二酸酯等有机化合物；作为分散剂，可以举出例如脱水山梨糖醇三油酸酯等多元醇与脂肪酸的酯。作为烧结助剂，例如在陶瓷为氧化铝的情况下，可以举出AlF₃、MgO、MgF₂、V₂O₃、CaO、CuO、La₂O₃等，可以单独添加或组合添加多种。

对于工序(b)中使用的脱模片而言，用厚度为75μm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.03μm的PET膜夹持该脱模片后，载置于厚度为10mm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.29μm的不锈钢板上并进行真空包装，以200kg/cm²进行等静压压制后的与不锈钢板侧相反一侧的面的截面曲线的最大截面高度Pt为0.8μm以下(优选为0.5μm以下)。若将截面曲线的最大截面高度Pt超过0.8μm的脱模片适用于热压烧成，则所得到的陶瓷烧结体的表面附近的晶体取向倾斜，取向性变差。脱模片只要是如此测定时的截面曲线的最大截面高度Pt的值为0.8μm以下、且不与热压烧成炉的构成部件反应而不会使陶瓷成型体的特性劣化的材料即可，并无特别限定，例如可以为金属箔，也可以是将包含脱模片原料粉末、粘合剂及分散介质的浆料成型而制作的成型片。脱模片的厚度没有特别限定，但如果热压烧成炉的大小相同，则脱模片的厚度越薄，越能够烧成更多的陶瓷成型体。

在使用成型片作为脱模片的情况下，作为其成型方法，可以举出例如流延成型、挤出成型、浇铸成型、注射成型、单轴压制成型等，其中优选为流延成型。粘合剂、分散介质的具体例如上所述。另外，除此之外也可以添加增塑剂、分散剂等，其具体例也如上所述。成型片的空隙率优选为10％～53％，特别优选成型片的空隙率为20％～52％。若空隙率低于下限值，则成型片变得过硬，热压时容易产生破裂、裂纹，有可能对取向陶瓷成型体的性能造成不良影响，因此不优选。若空隙率超过上限值，则难以保持成型片的形状，因此不优选。在使用成型片作为脱模片的情况下，可以在工序(b)中进行热压烧成之前对脱模片进行脱脂。脱脂温度只要设定为脱模片中含有的有机物在热的作用下被除去的温度即可。陶瓷成型体也需要脱脂的情况下，可以在用一对成型片夹持陶瓷成型体的状态下同时对两者进行脱脂，也可以将陶瓷成型体与一对成型片分别进行脱脂。热压烧成炉为石墨炉、陶瓷为氧化铝的情况下，因难以与石墨、氧化铝反应而优选成型片的材质为碳(例如无定形碳、非晶碳、石墨等)或氮化硼。从防止成型片与石墨、氧化铝反应的观点出发，碳、氮化硼优选为高纯度。在成型片的材质为碳的情况下，使用比表面积大的无定形碳等时，分散性差，难以进行流延成型。因此，从易于成型的观点出发，优选为非晶碳、石墨，特别优选为石墨。但是，认为：即使使成型片的材质为高纯度的碳、氮化硼，来自氧化铝的Al等也会稍微扩散到成型片中，因此优选使成型片的厚度为10μm以上。如此，能够可靠地避免成型片与石墨炉的构成部件(间隔件、冲头等)粘连。在成型片的材质为碳的情况下，若碳粒子的平均粒径为成型片的厚度的90％以下，则成型片的强度提高，从处理性的观点出发是优选的。另外，在使用石墨的成型片的情况下，通过使用板状的石墨粉末，脱脂后的成型片的强度提高，从处理性的观点出发是优选的。特别是，通过使用刮刀法等一边施加剪切力一边进行成型的方法来制作脱模片，能够进一步提高强度。在成型片的材质为碳的情况下，在工序(c)中，可以在热压烧成后，将表面粘连有成型片的取向陶瓷烧结体从热压烧成炉中取出，并燃烧除去成型片。如此，可以比较容易地除去成型片。

在工序(b)中，用所述一对脱模片夹持陶瓷成型体，配置于热压烧成炉内，利用一对冲头隔着一对脱模片对陶瓷成型体进行加压并进行热压烧成，从而得到取向陶瓷烧结体。在该情况下，可以使间隔件介于脱模片与冲头之间。另外，在对多个陶瓷成型体进行烧成的情况下，也可以将间隔件以与脱模片相接的方式配置在任意的位置。图3示出作为热压烧成炉的一例的石墨炉10的截面图。石墨炉10具备：具有加热器功能的石墨模具12；和配置在该石墨模具12的内部且纵向分割为两部分的石墨套筒14。在利用该石墨炉10对陶瓷成型体16进行热压烧成的情况下，用一对脱模片18、18夹持陶瓷成型体16，进一步用一对石墨间隔件20、20进行夹持，在该状态下配置在石墨套筒14的内部，利用一对石墨冲头22、22对陶瓷成型体16进行加压，与此同时进行加热。陶瓷为氧化铝的情况下，热压烧成中的烧成气氛没有特别限定，优选为氮、Ar等不活泼气体或真空气氛。压力优选为50kgf/cm²以上，更优选为200kgf/cm²以上。烧成温度(最高到达温度)优选为1700℃～2050℃，更优选为1750℃～2000℃。在从最高到达温度开始降温时，优选施加50kgf/cm²以上的压制压力直到达到规定温度(在1000℃～1400℃(优选为1100℃～1300℃)的范围内所设定的温度)为止。由此，能够提高所得到的烧结体的透明性。在最高到达温度下的保持结束后立即泄压，也能够得到一定程度的透明性，但在持续施加压制压力的状态下降温至规定温度能够提高透明性。另外，优选在小于规定温度的温度区域内泄压至压力小于50kgf/cm²。由此，能够抑制烧结体中产生裂纹。从透明性的观点和抑制裂纹的观点出发，压制压力的泄压时机是极其重要的。作为兼顾透明性和抑制裂纹的泄压时机，特别优选为降温中的1200℃。

对于通过本发明的制法得到的取向陶瓷烧结体而言，表面的晶体取向未与内部的晶体取向错开。晶体取向可以通过利用X射线摇摆曲线法(Omega扫描)对倾角、即取向陶瓷烧结体的露出面进行测定，利用测定到的X射线摇摆曲线的半高宽(XRC·FWHM)来评价。图4示出取向氧化铝烧结体的情况下的倾角。表面的晶体取向未与内部的晶体取向错开是指，表面的XRC·FWHM与内部的XRC·FWHM的角度差为3°以下，优选为1°以下，更优选为0.5°以下，进一步优选为0.2°以下。通过本发明的制法得到的取向陶瓷烧结体可以用于光学元件或光学元件用基底基板、外延生长用基板、静电卡盘等。作为光学元件、光学元件用基底基板，可以举出例如LED、LD、太阳能电池、传感器、光电二极管、光学部件、窗部件等。

本发明的平坦片材是如下的片材：用厚度为75μm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.03μm的PET膜夹持该平坦片材后，载置于厚度为10mm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.29μm的不锈钢板并进行真空包装，以200kg/cm²进行等静压压制后的与不锈钢板侧相反一侧的面的截面曲线的最大截面高度Pt为0.8μm以下(优选为0.5μm以下)。该平坦片材的材质优选为碳或氮化硼。该平坦片材的空隙率优选为10％～53％。在使用成型片作为脱模片的情况下，作为其成型方法，可以举出例如流延成型、挤出成型、浇铸成型、注射成型、单轴压制成型等，其中优选流延成型。在成型片的材质为碳的情况下，若碳粒子的平均粒径为成型片的厚度的90％以下，则成型片的强度提高，从处理性的观点出发是优选的。另外，在使用石墨的成型片的情况下，通过使用板状的石墨粉末，脱脂后的成型片的强度提高，从处理性的观点出发是优选的。特别是，通过使用刮刀法等一边施加剪切力一边进行成型的方法来制作脱模片，能够进一步提高强度。该平坦片材适宜用于热压烧成时的脱模片、特别是上述取向陶瓷烧结体的制法中所使用的脱模片。该平坦片材也可以在制造要求表面平滑性的其它烧成体的情况下作为脱模片而使用。例如，可以用于对金属、非氧化物陶瓷、氧化物陶瓷、硅晶片、蓝宝石等单晶材料以及它们的复合体进行加压烧成或者常压堆叠烧成的情况。需要说明的是，在希望防止烧成体的粘连且增加装窑量的情况下，采用常压堆叠烧成。

实施例

[实验例1]

1.氧化铝烧结体的制作

(1)氧化铝成型体的制作

混合市售的板状氧化铝粉末(YFA10030、KinseiMatec公司制、平均粒径10μm、平均厚度0.35μm、纵横尺寸比29)0.5质量份和微细的氧化铝粉末(TM-DAR、平均粒径0.1μm、大明化学制)99.5质量份，制成混合氧化铝粉末。将板状氧化铝粉末与微细的氧化铝粉末的质量比用T：(100-T)表示时，T＝0.5。相对于该混合氧化铝粉末100质量份，加入氧化镁(500A、UbeMaterials制)0.0125质量份(125质量ppm)、作为粘合剂的聚乙烯醇缩丁醛(产品编号BM-2、积水化学工业制)7.8质量份、作为增塑剂的二(2-乙基己基)邻苯二甲酸酯(黑金化成制)3.9质量份、作为分散剂的脱水山梨糖醇三油酸酯(Rheodol SP-O30、花王制)2质量份、作为分散介质的2-乙基己醇并进行混合。分散介质的量按浆料粘度为20000cP进行调整。通过刮刀法将如此制备的浆料在PET膜上以干燥后的厚度为20μm的方式进行流延成型。将所得到的带切割为直径50.8mm(2英寸)的圆形后，层叠150张。

(2)脱模片的制作

相对于市售的石墨粉末(SG-BH8、伊藤石墨工业制、平均粒径8μm)100质量份，加入作为粘合剂的聚乙烯醇缩丁醛(产品编号BM-2、积水化学工业制)16质量份、作为增塑剂的二(2-乙基己基)邻苯二甲酸酯(黑金化成制)8质量份、作为分散剂的脱水山梨糖醇三油酸酯(Rheodol SP-O30、花王制)3质量份、作为分散介质的2-乙基己醇并混合。分散介质的量按浆料粘度为20000cP进行调整。通过刮刀法将如此制备的浆料在PET膜上以干燥后的厚度为200μm的方式进行流延成型，得到成型片(平坦片材)。该成型片如后所述用作脱模片。

如下对得到的成型片的最大截面高度Pt进行测定。即，用厚度为75μm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.03μm的PET膜夹持成型片，将单面载置于厚度为10mm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.29μm的不锈钢板，进行真空包装后，以200kg/cm²进行等静压压制。之后，对成型片的等静压压制时的与不锈钢板侧相反一侧的面测定了截面曲线。测定使用小型形状粗糙度测定机(Taylor-Hobson公司制，“Form Talysurf plus”)，测定长度为5mm。其结果，最大截面高度Pt为0.355μm。

另外，如下对得到的成型片的空隙率进行测定。即，将流延成型后的成型体切割为30mm×60mm并测定重量，通过下式而求出。

空隙率[％]＝100-{(测定重量X)/(理论重量Y)×100}

(理论重量Y)＝{(石墨比重g/cm³)×a/100

+(粘合剂比重g/cm³)×b/100

+(增塑剂比重g/cm³)×c/100

+(分散剂比重g/cm³)×d/100}×切出片体积(cm³)

a：添加的石墨粉末的质量分率(％)

b：添加的粘合剂的质量分率(％)

c：添加的增塑剂的质量分率(％)

d：添加的分散剂的质量分率(％)

测定的结果为，本成型片的空隙率为40.6％。需要说明的是，将实验例1的成型片的最大截面高度Pt和空隙率示于表1。

(3)脱脂

将成型片切出与氧化铝成型体相同尺寸的圆盘状后，重叠于氧化铝成型体的两面，载置于厚度10mm的Al板上后，放入封装体，使内部成为真空，由此形成真空包装。将该真空包装在85℃的温水中以100kgf/cm²的压力进行等静压压制，得到成型片/圆板状的成型体/成型片(3层结构)。在用格子状的氧化铝承烧板夹持的状态下放入脱脂炉中，在440℃且10小时的条件下进行脱脂。需要说明的是，成型片中与氧化铝成型体接触的面为流延成型时的与PET膜侧相反一侧的面。由此，氧化铝成型体被脱脂而成为氧化铝脱脂体，成型片被脱脂而成为石墨脱脂体。其结果，得到了圆盘状的石墨脱脂体/氧化铝脱脂体/石墨脱脂体(3层结构)。

(4)烧成

在图3的石墨炉10中，以氮中、在1975℃的烧成温度(最高到达温度)下4小时、200kgf/cm²的面压的条件通过热压对3层结构的石墨脱脂体/氧化铝脱脂体/石墨脱脂体进行烧成，得到氧化铝烧结体。需要说明的是，从烧成温度开始降温时维持压制压力直至1200℃，在低于1200℃的温度区域将压制压力释放到零。此时，在氧化铝烧结体的两面粘连有石墨烧成体，但在石墨炉10的构成部件(石墨套筒14、石墨间隔件20、石墨冲头22等)上既没有粘连氧化铝烧结体，也没有粘连石墨烧成体。

(5)石墨烧成体的除去

将在两面粘连有石墨烧成体的氧化铝烧结体放入电炉中，在大气中于1000℃进行1小时热处理，燃烧除去石墨烧成体。由此，得到了氧化铝烧结体。

2.氧化铝烧结体的XRC·FWHM

如下对氧化铝烧结体的表面的摇摆曲线进行测定。即，对于氧化铝烧结体的最外表面(与测定c面取向度相同的面)，如图5那样使X射线源和检测器连动地进行扫描，对所得到的曲线的半值宽度(XRC·FWHM)进行测定。像这样地使2θ(检测器与入射X射线所成的角度)的值固定在其衍射峰位置，仅扫描ω(试样基板面与入射X射线所成的角度)，将该测定方法称为摇摆曲线测定。装置使用Rigaku制的RINT-TTR III，使用CuKα射线，在电压50kV、电流300mA这样的条件下，使ω的扫描范围为3.8°～38.8°。实验例1的氧化铝烧结体的最表面的XRC·FWHM为2.1°。接下来，用#400将氧化铝基板的最外表面磨削掉100μm后，利用同样的方法对磨削面进行了测定，其结果，XRC·FWHM为2.1°(参照下述表1)。由此，所得到的氧化铝烧结体为取向氧化铝烧结体，氧化铝烧结体的表面的晶体取向与内部的晶体取向相同。

[实验例2]

在实验例2中，使用了市售的板状石墨粉末(SGP-3、SEC碳、平均粒径3μm)。除此以外，与实验例1同样地制作氧化铝烧结体。实验例2的成型片的最大截面高度Pt为0.378μm，空隙率为51.6％(参照下述表1)。另外，氧化铝烧结体的最外表面的XRC·FWHM为2.1°，磨削100μm后的面(内部)的XRC·FWHM也为2.1°(参照下述表1)。由此，所得到的氧化铝烧结体是取向氧化铝烧结体，氧化铝烧结体的表面的晶体取向与内部的晶体取向相同。

[实验例3]

在实验例1、2中，使用市售的石墨粉末作为成型片的原料，但在实验例3中，取而代之使用市售的氮化硼(USP-S2，昭和电工制，平均粒径0.6μm)。除此以外，与实验例1同样地制作氧化铝烧结体。实验例3的成型片的最大截面高度Pt为0.413μm，空隙率为25.3％(参照下述表1)。另外，氧化铝烧结体的最外表面的XRC·FWHM为2.2°，磨削100μm后的面(内部)的XRC·FWHM也为2.2°(参照下述表1)。由此，所得到的氧化铝烧结体是取向氧化铝烧结体，氧化铝烧结体的表面的晶体取向与内部的晶体取向相同。

[实验例4]

在实验例4中，使用市售的氮化硼(FS-1、水岛合金铁制、平均粒径0.5μm)作为成型片的原料。除此以外，与实验例1同样地制作氧化铝烧结体。实验例4的成型片的最大截面高度Pt为0.784μm，空隙率为36.4％(参照下述表1)。另外，氧化铝烧结体的最外表面的XRC·FWHM为3.2°，磨削100μm后的面(内部)的XRC·FWHM也为3.2°(参照下述表1)。由此，所得到的氧化铝烧结体是取向氧化铝烧结体，氧化铝烧结体的表面的晶体取向与内部的晶体取向相同。

[实验例5]

在实验例5中，代替制作成型片，使用市售的石墨片、即膨胀石墨片(NICAFILM FL-400、Nippon Carbon制)作为脱模片。除此以外，与实验例1同样地制作氧化铝烧结体。实验例5的脱模片的最大截面高度Pt为1.074μm，空隙率为53.8％(参照下述表1)。该膨胀石墨片的空隙率在前面的式子中按a＝100、b＝0、c＝0、d＝0来计算。另外，氧化铝烧结体的最外表面的XRC·FWHM为11.8°，磨削100μm后的面(内部)的XRC·FWHM为6.1°(参照下述表1)。由此，所得到的氧化铝烧结体虽然是取向氧化铝烧结体，但氧化铝烧结体的表面的晶体取向与内部的晶体取向出现很大偏差。

[表1]

需要说明的是，实验例1～4相当于本发明的实施例，实验例5相当于比较例。本发明并不限于上述实验例，只要属于本发明的技术范围，当然可以以各种方式实施。

本申请以2017年10月27日申请的日本专利申请第2017-207783号为主张优先权的基础，并通过引用将其全部内容包含在本说明书中。

工业实用性

本发明能够用于例如光学元件、光学元件用基底基板、外延生长用基板、静电卡盘等。

Claims

1.一种平坦片材，其中，

用厚度为75μm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.03μm的PET膜夹持所述平坦片材后，载置于厚度为10mm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.29μm的不锈钢板上并进行真空包装，以200kg/cm²进行等静压压制后，所述平坦片材的与所述不锈钢板侧相反一侧的面的截面曲线的最大截面高度Pt为0.8μm以下。

2.根据权利要求1所述的平坦片材，其中，

所述平坦片材的材质为碳或氮化硼。

3.根据权利要求2所述的平坦片材，其中，

所述平坦片材的空隙率为10％～53％。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的平坦片材，其中，

所述平坦片材用于热压烧成时的脱模片。