CN114940684B - 一种白光发光的卤化铜配合物及其制备方法和应用 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种白光发光的卤化铜配合物及其制备方法和应用。卤化铜配合物由卤化铜溶液和有机配体溶液经充分混合均匀后旋涂于基片表面，旋涂过程中原位反应制得。制备得到的卤化铜配合物为薄膜形式，在紫外光激发下或电激发下具有白光发射。本方法制备的卤化铜配合物不含重金属、贵金属和稀土元素，成本低廉，原料易得。制备的卤化铜配合物本身即具有白光发光，应用于白光照明领域可有效避免器件工作时间过长导致的偏色问题。制备的卤化铜配合物薄膜不需要对该配合物进行预先合成再加工到基片上，而是在旋涂过程中原位在基片上形成，十分简便易行。该薄膜可直接作为光转换膜使用，也可再在其上层加工其他功能层制备电致发光器件。

Description

一种白光发光的卤化铜配合物及其制备方法和应用
技术领域
本申请涉及一种白光发光的卤化铜配合物及其制备方法和一种基于所述卤化铜配合物的暖白光LED器件，属于照明材料技术领域。
背景技术
金属有机配合物发光材料在光催化、能量转化及有机发光二极管中发挥着重要作用。目前，以铂、铱等贵金属元素为基础的金属有机配合物的性能在配合物发光材料领域具有领先地位，然而其昂贵的成本限制了其进一步应用。卤化铜配合物由于具有不含重金属贵金属元素、发光光谱宽、空气稳定性好的特点，在光电器件中具有良好的应用前景。利用该类配合物实现电致发光LED器件，一般需要先进行专门合成，再进行器件制备，考虑到器件中的功能层为薄膜形式，该类配合物大多需要通过真空蒸镀的方式沉积为薄膜，方法上不够简便易行。
近年来，随着钙钛矿等材料的兴起，带动了溶液工艺制备LED器件的迅速发展，这种工艺只需要将事先配制好的溶液旋涂于基片表面，发光材料便于旋涂过程中在基片表面原位形成，得到光滑平整的薄膜，方法简便，对设备要求很低。若能将该技术结合到卤化铜配合物领域，实现无需预先合成的一步法旋涂制备薄膜，将大大简化制备工艺。同时，结合卤化铜配合物超宽的发光光谱，通过有机配体分子调控配合物的能级结构，有望实现单一材料的白光发射，在LED等方向具有良好的应用前景。
发明内容
本发明提供了一种白光发光的卤化铜配合物及其制备方法和应用。相较于多种材料光发射形成的混合白光，本方法制备的卤化铜配合物作为单一材料直接具有白光发光，应用于白光照明可有效避免混合白光器件长时间工作导致的偏色问题，是一种优异的荧光转换型材料和电致发光材料。该制备方法无需预先合成该配合物，而是通过旋涂前驱体溶液的形式，在基片表面原位形成该配合物的薄膜。该薄膜可直接应用于光转换，也可在其上层继续加工其他功能层制备薄膜电致发光器件。
本申请提出旋涂法原位制备卤化铜配合物材料的方法，实现在旋涂过程中卤化铜配合物在基片表面的原位合成，并形成均匀平整的薄膜。原位生成的卤化铜配合物具有白光发光，同时兼具稳定性好、荧光量子产率高的特点。同时，这种原位旋涂一步成膜的方法十分方便应用于光转换膜以及白光照明领域，简化了生产流程，节约了成本，且可以大面积、大批量制备。
本发明的一个目的在于提供一种白光发光的卤化铜配合物的制备方法，其包括如下步骤：
将卤化铜溶液和有机配体溶液混合均匀，然后旋涂于基片表面，旋涂过程中原位反应制得所述白光发光的卤化铜配合物，
其中：所述的卤化铜溶液，其溶质为CuX，其中，X选自Cl-、Br-、I-中的至少一种，Cu为Cu(I)；其溶剂为碘化钾的饱和水溶液、二甲基亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、乙腈、四氢呋喃、2-甲氧基乙醇、N-甲基-2-吡咯烷酮、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、γ-丁内酯、1,3-二甲基-3,4,5,6-四氢-2(1H)-嘧啶酮中的至少一种或者多种的组合；
所述的有机配体溶液，其有机配体分子中含有吡啶官能团，其溶剂为氯苯、甲苯、二甲苯、四氢呋喃、二氯甲烷、三氯甲烷、二甲基亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、2-甲氧基乙醇、乙腈中的至少一种或者多种的组合。
作为本发明的可选方案，光学领域中常用的表面平整的基片，诸如玻璃、石英、硅片、蓝宝石，都可作为本发明中的基片。
作为本发明的可选方案，所述有机配体分子选自三[2,4,6-三甲基-3-(3-吡啶基)苯基]硼烷、3,5,3',5'-四(3-吡啶-3-基苯基)[1,1']联苯、2,4,6-TRIS(3'-(吡啶-3-基)联苯-3-基)-1,3,5-三嗪、1,3,5-三(4-吡啶基喹啉-2-基)苯、1,3,5-三(6-(3-(吡啶-3-基)苯基)吡啶-2-基)苯、1,3-双[2-(2,2'-联吡啶-6-基)-1,3,4-恶二唑-5-基]苯、二苯基二[4-(吡啶-3-基)苯基]硅烷、2,7-二(2,2'-联吡啶-5-基)三亚苯基、4,6-双(3,5-二(2-吡啶)基苯基)-2-甲基嘧啶、4,6-双(3,5-二(3-吡啶)基苯基)-2-甲基嘧啶、4,6-双(3,5-二(4-吡啶)基苯基)-2-甲基嘧啶、1,3-双(3,5-二吡啶-3-基苯基)苯、4,6-双(3,5-二(吡啶-3-基)苯基)-2-(吡啶-3-基)嘧啶、4,6-双(3,5-二(4-吡啶)基苯基)-2-苯基嘧啶、4,6-双(3,5-二(吡啶-4-基)苯基)-2-(3-(吡啶-3-基)苯基)嘧啶、3,5-二-1-芘基吡啶、1,3,5-三(3-吡啶基-3-苯基)苯、1,3,5-三(4-吡啶-3-基苯基)苯、3,5-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶、2,6-双[3-(9H-咔唑-9-基)苯基]吡啶、2,6-二(9-咔唑基)吡啶、吲哚[3,2-A]咔唑,5,12-二氢-6,7-二甲基-5,12-二-4-吡啶基中的至少一种或者多种的组合。
作为本发明的可选方案，所述添加剂为聚乙二醇、聚氧化乙烯、司班20、司班80、吐温20、吐温80、二甲基硅油、聚乙烯亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙氧基乙烯亚胺、聚乙烯吡咯烷酮、聚苯乙烯磺酸钠、聚(9-乙烯基咔唑)、聚[(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)-alt-(4,4'-(N-(4-正丁基)苯基)-二苯胺)]、聚[(4,4′-(N-(4-仲丁基苯基)二苯胺)]、4,4′,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4′-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]、1,3-二-9-咔唑基苯、4,4′-二(9-咔唑)联苯、三正辛基氧膦中的至少一种。一般地，添加剂的最优浓度不超过2克/升。
作为本发明的可选方案，所述旋涂过程的转速为500～10000转/分钟，优选地800～8000转/分钟。
作为本发明的可选方案，在旋涂完成后可对基片进行退火，退火温度为40～300℃，优选地退火温度为60～250℃，更优选退火温度为80～220℃，特别退火温度为100～200℃。退火时间为1～360分钟，优选地退火时间为2～120分钟。
作为本发明的可选方案，所述卤化铜溶液的浓度为0.001～0.1摩尔/升，优选地为0.005～0.05摩尔/升。
作为本发明的可选方案，所述有机配体溶液的浓度为0.001～1摩尔/升，优选为0.01～0.5摩尔/升。
作为本发明的可选方案，卤化铜溶液和有机配体溶液的混合体积比为1:0.01～1。优选地，卤化铜溶液和有机配体溶液的混合体积比为1:0.05～0.5。
本发明的另一个目的在于提供一种白光发光的卤化铜配合物，其上述的制备方法制备。
本发明还提供了一种电致发光器件，其包括上述的卤化铜配合物组成的结构层。
本申请能产生的有益效果包括：
1)本方法制备的卤化铜配合物本身即具有白光发光，应用于白光照明领域可有效避免器件工作时间过长导致的偏色问题。
2)本方法制备的卤化铜配合物不含重金属、贵金属和稀土元素，成本低廉，原料易得。
3)本方法制备的卤化铜配合物薄膜不需要对该配合物进行预先合成再加工到基片上，而是在旋涂过程中原位在基片上形成，十分简便易行。该薄膜可直接作为光转换膜使用，也可再在其上层加工其他功能层制备电致发光器件。因此，本方法制备卤化铜配合物是一项极具应用前景的技术。
4)再通过精选有机配体调节卤化铜配合物的发光波长和光谱半峰宽，能够适应具体的需求。
附图说明
图1为实施例1中混合溶液的荧光发射光谱图。
图2为实施例1中碘化亚铜配合物薄膜的荧光发射光谱图。
图3为实施例2中混合溶液的荧光发射光谱图。
图4为实施例2中碘化亚铜配合物薄膜的荧光发射光谱图。
图5为实施例3中混合溶液的荧光发射光谱图。
图6为实施例3中碘化亚铜配合物薄膜的荧光发射光谱图。
图7为实施例4中溴化亚铜配合物薄膜的荧光发射光谱图。
图8为实施例5中卤化铜配合物LED器件的电致发光光谱图。
图9为实施例5中卤化铜配合物LED器件的亮度-电流密度曲线图。
图10为实施例5中卤化铜配合物LED器件的器件结构示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明做进一步阐述和说明。所述实施例仅是本公开内容的示范且不圈定限制范围。本发明中各个实施方式的技术特征在没有相互冲突的前提下，均可进行相应组合。
如无特别说明，本申请的实施例中的原料均通过商业途径购买。
本发明的白光发光的卤化铜配合物，由卤化铜溶液和有机配体溶液经充分混合均匀后旋涂于基片表面，旋涂过程中原位反应制得。制备得到的卤化铜配合物为薄膜形式，在紫外光激发下或电激发下具有白光发射。
其中，两种澄清溶液的混合一般非常简单，只需要混合后摇晃几秒钟就可以了，判断标准是混合后的溶液也是均一澄清的，没有分层也没有沉淀。
卤化铜溶液的浓度为0.001～0.1摩尔/升，优选地为0.005～0.05摩尔/升。
有机配体溶液中，有机配体分子中含有吡啶官能团。具体的，有机配体可以选自三[2,4,6-三甲基-3-(3-吡啶基)苯基]硼烷、3,5,3',5'-四(3-吡啶-3-基苯基)[1,1']联苯、2,4,6-TRIS(3'-(吡啶-3-基)联苯-3-基)-1,3,5-三嗪、1,3,5-三(4-吡啶基喹啉-2-基)苯、1,3,5-三(6-(3-(吡啶-3-基)苯基)吡啶-2-基)苯、1,3-双[2-(2,2'-联吡啶-6-基)-1,3,4-恶二唑-5-基]苯、二苯基二[4-(吡啶-3-基)苯基]硅烷、2,7-二(2,2'-联吡啶-5-基)三亚苯基、4,6-双(3,5-二(2-吡啶)基苯基)-2-甲基嘧啶、4,6-双(3,5-二(3-吡啶)基苯基)-2-甲基嘧啶、4,6-双(3,5-二(4-吡啶)基苯基)-2-甲基嘧啶、1,3-双(3,5-二吡啶-3-基苯基)苯、4,6-双(3,5-二(吡啶-3-基)苯基)-2-(吡啶-3-基)嘧啶、4,6-双(3,5-二(4-吡啶)基苯基)-2-苯基嘧啶、4,6-双(3,5-二(吡啶-4-基)苯基)-2-(3-(吡啶-3-基)苯基)嘧啶、3,5-二-1-芘基吡啶、1,3,5-三(3-吡啶基-3-苯基)苯、1,3,5-三(4-吡啶-3-基苯基)苯、3,5-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶、2,6-双[3-(9H-咔唑-9-基)苯基]吡啶、2,6-二(9-咔唑基)吡啶、吲哚[3,2-A]咔唑,5,12-二氢-6,7-二甲基-5,12-二-4-吡啶基中的至少一种。
有机配体溶液中，其溶剂为氯苯、甲苯、二甲苯、四氢呋喃、二氯甲烷、三氯甲烷、二甲基亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、2-甲氧基乙醇、乙腈中的至少一种或者多种的组合。可以根据有机配体分子的不同，选取适合的溶剂。
有机配体溶液的浓度为0.001～1摩尔/升，优选为0.01～0.5摩尔/升。
优选地，混合溶液中还可含有添加剂，所述添加剂为聚乙二醇、聚氧化乙烯、司班20、司班80、吐温20、吐温80、二甲基硅油、聚乙烯亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙氧基乙烯亚胺、聚乙烯吡咯烷酮、聚苯乙烯磺酸钠、聚(9-乙烯基咔唑)、聚[(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)-alt-(4,4'-(N-(4-正丁基)苯基)-二苯胺)]、聚[(4,4′-(N-(4-仲丁基苯基)二苯胺)]、4,4′,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4′-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]、1,3-二-9-咔唑基苯、4,4′-二(9-咔唑)联苯、三正辛基氧膦中的至少一种。在某些体系中，一些聚合物添加剂的加入可以提高产物发光效率。
旋涂过程的转速为500～10000转/分钟。优选地800～8000转/分钟。
在旋涂完成后可对基片进行退火。原位反应并不一定包含退火。对于容易与Cu配位的分子，在旋涂过程中就发生了配位，因此不需要退火；对于不太容易配位的分子，则需要旋涂后退火，以一定的温度促使配位反应的发生。无论是旋涂过程中的配位还是退火过程中的配位，都属于原位反应的范畴。退火温度为40～300℃，优选地退火温度为60～250℃，更优选退火温度为80～220℃，特别退火温度为100～200℃。较优选地退火时间为1～360分钟，优选地退火时间为2～120分钟。
卤化铜溶液和有机配体溶液的混合体积比为1:0.01～1。优选地，卤化铜溶液和有机配体溶液的混合体积比为1:0.05～0.5。
本申请的荧光发射光谱测试采用卓立汉光OmniFluo900荧光光谱仪，测试条件为常温常压大气环境。
本申请的电致发光光谱测试采用海洋光学QEPro光谱仪，测试条件为常温常压氮气环境。
实施例1
称取1,3,5-三[(3-吡啶基)-3-苯基]苯溶解于四氢呋喃溶剂中，使该溶液的浓度为0.023摩尔/升。称取碘化亚铜溶解于二甲基亚砜溶剂中，使该溶液的浓度为0.026摩尔/升。以上两种溶液按照体积比9:2的比例混合后充分震荡直至澄清。该混合溶液的荧光发射光谱如图1所示，从图1可以看出在该混合溶液还没有白光发光光谱，说明在该溶液中卤化铜配合物尚未形成。取该混合液100微升滴加到平整光滑的玻璃基片上，以1500转/分钟的转速旋涂，旋涂时间为80秒，得到碘化亚铜配合物薄膜。该样品在紫外光激发下具有白光发光，其荧光发射光谱如图2所示，可以看出发光波长位于550纳米，半峰宽103纳米。
实施例2
称取1,3,5-三[(3-吡啶基)-3-苯基]苯溶解于二甲基亚砜溶剂中，使该溶液的浓度为0.023摩尔/升。称取碘化亚铜溶解于二甲基亚砜溶剂中，使该溶液的浓度为0.026摩尔/升。以上两种溶液按照体积比4:1的比例混合后充分震荡直至澄清。该混合溶液的荧光发射光谱如图3所示，从图3可以看出在该混合溶液还没有白光发光光谱，说明在该溶液中卤化铜配合物尚未形成。取该混合液100微升滴加到平整光滑的玻璃基片上，以1000转/分钟的转速旋涂，旋涂时间为180秒，结束后将基片正面向上放置于100℃加热台上进行退火，时间为5分钟，得到碘化亚铜配合物薄膜。该样品在紫外光激发下具有白光发光，其荧光发射光谱如图4所示，可以看出发光波长位于551纳米，半峰宽104纳米。
实施例3
称取3,5-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶溶解于氯苯溶剂中，使该溶液的浓度为0.008摩尔/升。称取碘化亚铜溶解于乙腈溶剂中，使该溶液的浓度为0.01摩尔/升。以上两种溶液按照体积比4:1的比例混合后充分震荡直至澄清。该混合溶液的荧光发射光谱如图5所示，从图5可以看出在该混合溶液还没有白光发光光谱，说明在该溶液中卤化铜配合物尚未形成。取该混合液100微升滴加到平整光滑的玻璃基片上，以1000转/分钟的转速旋涂，旋涂时间为120秒，结束后将基片正面向上放置于200℃加热台上进行退火，时间为5分钟，得到碘化亚铜配合物薄膜。该样品在紫外光激发下具有白光发光，其荧光发射光谱如图6所示，可以看出发光波长位于535纳米，半峰宽95纳米。
实施例4
称取3,5-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶溶解于氯苯溶剂中，使该溶液的浓度为0.008摩尔/升。称取溴化亚铜溶解于乙腈溶剂中，使该溶液的浓度为0.01摩尔/升。以上两种溶液按照体积比4:1的比例混合后充分震荡直至澄清。将该混合液以1000转/分钟的转速旋涂在平整光滑的玻璃基片上，旋涂时间为120秒，结束后将基片正面向上放置于200℃加热台上进行退火，时间为5分钟，得到溴化亚铜配合物薄膜。该样品在紫外光激发下具有白光发光，其荧光发射光谱如图7所示，可以看出发光波长位于577纳米，半峰宽134纳米。
实施例5
制备基于卤化铜配合物的暖白光LED器件。将刻有电极图案的氧化铟锡(ITO)透明导电玻璃基片按照顺序依次浸入丙酮、去离子水、无水乙醇中，分别超声清洗15分钟。在最后一步完成后，用镊子夹取透明导电玻璃，用氮气吹尘枪吹干其表面附着的乙醇，而后送入等离子体清洗机中，正面朝上放置进行等离子体清洗，时长为15分钟，该步骤的作用是改善导电玻璃表面的浸润性。清洗完成后，将导电玻璃转移至匀胶机基片盘上，用针管取200微升聚3,4-乙烯二氧噻吩水溶液(PEDOT:PSS)，经过聚偏氟乙烯材质、孔径0.22微米的过滤头过滤后滴加到导电玻璃表面，立即以4000转/分钟的转速旋涂45秒，旋涂结束后将导电玻璃转移到150℃的加热台上恒温退火15分钟。退火结束后，待导电玻璃基片冷却至室温，将其转移至氮气氛围手套箱中，按照实施例3的方法在PEDOT:PSS薄膜表面原位制备碘化亚铜配合物薄膜。完成后，将基片转移至刻有顶电极图案的掩模版中，送入真空热蒸镀仪中，在5×10-4帕以下的真空度依次蒸镀40纳米厚的1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、1纳米厚的氟化锂(LiF)和100纳米厚的铝电极。蒸镀结束后，将基片取出，在氮气氛围手套箱内进行光电性能测试。该LED器件在通电工作状态下，发出明亮的暖白光，其电致发光光谱如图8所示，可以看出发光波长位于564纳米，半峰宽118纳米。其亮度-电流密度曲线如图9所示，该器件最大亮度为15000坎德拉/平方米。该器件的结构示意图如图10所示。
以上所述，仅是本申请的几个实施例，并非对本申请做任何形式的限制，虽然本申请以较佳实施例揭示如上，然而并非用以限制本申请，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本申请技术方案的范围内，利用上述揭示的技术内容做出些许的变动或修饰均等同于等效实施案例，均属于技术方案范围内。

Claims (3)

1.一种白光发光的卤化铜配合物的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
将卤化铜溶液和有机配体溶液混合均匀，然后旋涂于基片表面，旋涂过程中原位反应制得所述白光发光的卤化铜配合物，
其中：所述的卤化铜溶液，其溶质为CuX，其中，X选自Cl-、Br-、I-中的至少一种；其溶剂为碘化钾的饱和水溶液、二甲基亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、乙腈、四氢呋喃、2-甲氧基乙醇、N-甲基-2-吡咯烷酮、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、γ-丁内酯、1,3-二甲基-3,4,5,6-四氢-2(1H)-嘧啶酮中的至少一种或者多种的组合；
所述的有机配体溶液，其有机配体分子中含有吡啶官能团，其溶剂为氯苯、甲苯、二甲苯、四氢呋喃、二氯甲烷、三氯甲烷、二甲基亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、2-甲氧基乙醇、乙腈中的至少一种或者多种的组合；
所述有机配体分子选自1,3,5-三(3-吡啶基-3-苯基)苯、3,5-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶中的至少一种；
所述旋涂过程的转速为800～8000转/分钟；
所述卤化铜溶液的浓度为0.005～0.05摩尔/升；
所述有机配体溶液的浓度为0.01～0.5摩尔/升；
所述卤化铜溶液和有机配体溶液的混合体积比为1:0.05～0.5。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在旋涂完成后可对基片进行退火，退火温度为40～300℃，退火时间为1～360分钟。
3.一种电致发光器件，其特征在于，包括权利要求1所述的卤化铜配合物组成的结构层。
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101006594A (zh) * 2004-08-20 2007-07-25 伊斯曼柯达公司 具有多层白色电致发光元件的白色有机发光二极管

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1805201C3 (de) * 1967-10-26 1979-05-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma, Osaka (Japan) Verfahren zur Herstellung einer elektrisch leitenden Kupferjodid-Schicht
GB0003326D0 (en) * 1999-02-25 2000-04-05 Ciba Sc Holding Ag Hydroxy-Substituted N-Alkoxy hindered amines
KR20010044090A (ko) * 2000-09-06 2001-06-05 박종욱 카바졸과 스틸벤기를 포함하는 화합물인 전계 발광 소자용저분자 발색 화합물 및 이를 사용한 고효율의 유기전계발광소자
KR100480442B1 (ko) * 2002-08-17 2005-04-06 한국과학기술연구원 미량도핑에 의한 고효율 백색 유기 발광 물질 및 이를이용한 전기발광소자
JP2006228480A (ja) * 2005-02-15 2006-08-31 Fuji Photo Film Co Ltd 透光性導電性膜及びその製造方法並びに透光性導電性膜を用いたプラズマディスプレー用光学フィルター
CN101170853A (zh) * 2007-11-23 2008-04-30 电子科技大学 一种由rgb组成的白光有机电致发光器件及其制备方法
CN101359721A (zh) * 2008-09-23 2009-02-04 吉林大学 光谱可调的顶发射有机电致发光器件
CN101777626A (zh) * 2009-01-14 2010-07-14 西安交通大学 一种湿法制备的小分子白光有机电致发光器件
CN102260257B (zh) * 2010-07-08 2013-05-01 中国科学院理化技术研究所 吡唑并[3，4-b]吡啶衍生物及其在白光有机电致发光器件中的应用
CN102005539A (zh) * 2010-09-27 2011-04-06 电子科技大学 一种白光有机电致发光器件及其制备方法
CN102899029B (zh) * 2012-09-04 2014-04-02 中国计量学院 一种碘化亚铜基配合物发光材料及其制备方法
CN102983284A (zh) * 2012-12-06 2013-03-20 吉林大学 一种具有弱视角效应的顶发射白光有机电致发光器件
CN104270847B (zh) * 2014-10-30 2016-09-28 中国科学院长春应用化学研究所 一种白色有机电致发光器件及其制备方法
CN108511628B (zh) * 2018-05-16 2021-03-02 云谷（固安）科技有限公司 有机电致发光装置
CN110396050B (zh) * 2019-07-31 2022-10-04 南方科技大学 一种白光有机发光二极管及其制备方法
CN113540372B (zh) * 2021-06-18 2022-08-12 福州大学 基于ls技术的叠层白光qled及制备方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101006594A (zh) * 2004-08-20 2007-07-25 伊斯曼柯达公司 具有多层白色电致发光元件的白色有机发光二极管

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