CN114685166A - 一种闪烁陶瓷及其制备方法和应用 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种闪烁陶瓷及其制备方法和应用，所述制备方法包括：(1)将含有Y2O3、La2O3、Eu2O3、镧系稀土氧化物、烧结助剂、球磨助剂的原料球磨I、干燥I，获得所述[Y0.85‑x‑ yLa0.15EuxMy]2O3粉体；(2)将获得的[Y0.85‑x‑ yLa0.15EuxMy]2O3粉体预烧结I、球磨II、干燥II，获得所述陶瓷粉体；(3)将获得的陶瓷粉体压制成型后获得素坯；(4)将获得的素坯预烧结II、真空烧结、退火，获得所述闪烁陶瓷。该系列红光陶瓷具有稳态发光特性、均匀的光输出、优异的辐照稳定性和低的检测极限。并且由于闪烁透明陶瓷的结构稳定，可以实现在x射线照射下的长期稳定工作。

Description

一种闪烁陶瓷及其制备方法和应用
技术领域
本申请涉及一种闪烁陶瓷及其制备方法和应用，属于陶瓷制备技术领域。
背景技术
闪烁体是一种用于辐射探测的功能性材料。它可以将入射的电离辐射(X射线、γ射线等)或者高能粒子(热中子等)转化为紫外光或可见光。
闪烁材料主要有机闪烁体、无机闪烁体和有机-无机杂化闪烁体。其中无机闪烁体包括：闪烁晶体、闪烁陶瓷、闪烁玻璃和闪烁陶瓷。无机闪烁体各有其优点和缺点。其中闪烁陶瓷与闪烁单晶相比具有易于制造、低温处理、高掺杂、成本低和工程性能好等优点。它与玻璃闪烁体相比具有耐高温的性能。与气体闪烁体相比具有光输出高、余晖低、可抗腐蚀损伤、可加工性能强和制备成本低等优点。
发明内容
由于Y2O3基闪烁透明陶瓷的结构稳定性，成功实现了x射线照射下的长期稳定工作。所以本申请将从闪烁陶瓷入手进行Y2O3基闪烁透明陶瓷的一系列烧结和制备。
本申请的一个方面，提供一种闪烁陶瓷的制备方法，所述制备方法包括：
(1)制备[Y0.85-x-yLa0.15EuxMy]2O3粉体：将含有Y2O3、La2O3、Eu2O3、镧系稀土氧化物、烧结助剂、球磨助剂的原料球磨I、干燥I，获得所述[Y0.85-x-yLa0.15EuxMy]2O3粉体；
(2)制备陶瓷粉体：将步骤(1)获得的[Y0.85-x-yLa0.15EuxMy]2O3粉体预烧结I、球磨II、干燥II，获得所述陶瓷粉体；
(3)制备素坯：将步骤(2)获得的陶瓷粉体压制成型后获得素坯；
(4)制备闪烁陶瓷：将步骤(3)获得的素坯预烧结II、真空烧结、退火，获得所述闪烁陶瓷。
可选地，所述步骤(1)中，Y2O3、La2O3、Eu2O3、镧系稀土氧化物，化学计量比x、y，按照化学式[Y0.85-x-yLa0.15EuxMy]2O3的元素配比；
所述烧结助剂与原料I的质量比为(1～5)：(300～600)，其中，所述原料I包括Y2O3、La2O3、Eu2O3、镧系稀土氧化物、烧结助剂。所加烧结助剂为微量。
可选地，所述烧结助剂与原料I的质量比独立的选自1：300、2：500、5：600中的任意值或上述任意两点间的任意值；
可选地所述烧结助剂选自MgO、TEOS、油酸、PVA中的至少一种；添加的烧结助剂可以有效降低烧结温度；
所述球磨助剂选自乙醇；
可选地，所述球磨I包括以下步骤：
按照球磨子：原料I：球磨助剂＝(10～20)：(1～3)：(10～20)的重量比例，进行球磨I，球磨I时间为48～72h，其中，所述原料I包括Y2O3、La2O3、Eu2O3、镧系稀土氧化物、烧结助剂；
可选地，所述球磨子：原料I：球磨助剂的重量比独立的选自10：1：10、10：2：15、20：3：20中的任意值或上述任意两点间的任意值；
可选地，所述球磨I时间独立的选自48h、60h、72h中的任意值或上述任意两点间的任意值；
可选地，所述干燥I的温度70℃～80℃；干燥I的时间为48～72h。
可选地，所述干燥I的温度独立的选自70℃、75℃、80℃中的任意值或上述任意两点间的任意值；
可选地，所述干燥I的时间独立的选自48h、60h、72h中的任意值或上述任意两点间的任意值；
可选地，步骤(2)中，
所述预烧结I的温度为1400～1500℃，升温速率为2.5～3.5℃/min，保温时间为8～10h；
可选地，所述预烧结I的温度独立的选自1400℃、1450℃、1500℃中的任意值或上述任意两点间的任意值；
可选地，所述升温速率独立的选自2.5℃/min、3℃/min、3.5℃/min中的任意值或上述任意两点间的任意值；
可选地，所述保温时间独立的选自8h、9h、10h中的任意值或上述任意两点间的任意值；
可选地，所述球磨II包括以下步骤：
按照球磨子：[Y0.85-x-yLa0.15EuxMy]2O3粉体＝(10～20)：(1～3)的重量比例，进行球磨II，球磨II时间为48～72h；
可选地，所述球磨子：[Y0.85-x-yLa0.15EuxMy]2O3粉体的重量比独立的选自10:1、15：2、20：3中的任意值或上述任意两点间的任意值；
可选地，所述球磨II时间独立的选自48h、60h、72h中的任意值或上述任意两点间的任意值；
可选地，所述干燥II的温度70～80℃；干燥II的时间为48～72h；
可选地，所述干燥II的温度独立的选自70℃、75℃、80℃中的任意值或上述任意两点间的任意值；
可选地，所述干燥II的时间独立的选自48h、60h、72h中的任意值或上述任意两点间的任意值；
可选地，所述步骤(3)具体包括以下步骤：
将步骤(2)获得的陶瓷粉体在10～20MPa压力下，压制3～5min成型，并在180～200MPa压力下进行冷等静压处理3～5min，获得素坯。
可选地，所述步骤(4)中，
所述预烧结II的温度为700～900℃，升温速率为2.5～3.5℃/min，保温时间为8～10h，预烧结II的气氛为空气气氛；
可选地，所述预烧结II的温度独立的选自700℃、800℃、900℃中的任意值或上述任意两点间的任意值；
可选地，所述升温速率独立的选自2.5℃/min、3℃/min、3.5℃/min中的任意值或上述任意两点间的任意值；
可选地，所述保温时间独立的选自8h、9h、10h中的任意值或上述任意两点间的任意值；
可选地，所述真空烧结在真空度为1×10-4～1×10-3环境下进行，保温温度为1700～1800℃，升温速率为1.25～2.5℃/min，保温时间为10～50h；
可选地，所述真空度独立的选自1×10-3、5×10-4、3×10-4、1×10-4中的任意值或上述任意两点间的任意值；
可选地，所述保温温度独立的选自1700℃、1750℃、1800℃中的任意值或上述任意两点间的任意值；
可选地，所述升温速率独立的选自1.25℃/min、2℃/min、2.5℃/min中的任意值或上述任意两点间的任意值；
可选地，所述保温时间独立的选自10h、20h、30h、40h、50h中的任意值或上述任意两点间的任意值；
可选地，作为一种具体实施方式，烧结I在真空钨丝炉之中进行。
可选地，真空烧结后的陶瓷片有氧空位，此时需要在氧气中进行退火处理。
可选地，所述退火温度为1200～1350℃，退火时间为8～10h，退火气氛为氧气或空气气氛；
可选地，所述退火温度独立的选自1200℃、1250℃、1300℃、1350℃中的任意值或上述任意两点间的任意值；
可选地，所述退火时间独立的选自8h、9h、10h中的任意值或上述任意两点间的任意值；
可选地，退火后的闪烁陶瓷还进行机械加工处理。
作为一种具体实施方式，所述闪烁陶瓷的制备方法包括：
(1)陶瓷粉体制备，具体如下：
制备(Y0.85-x-yLa0.15EuxMy)2O3粉体，具体步骤如下：按照化学计量比在电子天平上准确称取高纯Y2O3、La2O3、Eu2O3、和含有其他稀土粒子的高纯稀土氧化物以及一定量的MgO和TEOS，而后将这些原料倒入球磨罐之中，加入适量的酒精，进行均匀球磨。将球磨后的溶液，放入75℃的干燥箱之中进行干燥，干燥后将已经干燥的粉体放入200目的筛子中过筛。过筛后进行高温预烧结，最后在进行球磨、干燥和过筛的步骤，即为所得的陶瓷粉体。
(2)陶瓷片压制，具体如下：
在电子天平上称取适量的上述陶瓷粉体，在液压机上进行初始压片压力为10MPa，然后，在放入冷等静压机中进行压力为200MPa的压制。将压制好的陶瓷片进行预烧结、排胶处理，即为所得的陶瓷片素胚。
(3)陶瓷片的烧结以及加工，具体如下：
将上述获得的陶瓷片素胚进行埋粉处理后，放入真空钨丝炉中进行高温烧结，烧结后的片进行退火处理，将退火后的陶瓷片进行抛光处理，抛光厚度为1mm，即为所得测试的陶瓷片。
本发明提供了(Y0.85-x-yLa0.15EuxMy)2O3陶瓷，烧制在真空钨丝炉之中进行高温烧结，烧结温度在1750-1800℃之间，保温10-50h，并且真空烧结后的陶瓷片有氧空位，此时需要在氧气中进行退火处理。
本申请的另一个方面，提供了一种上述制备方法获得的闪烁陶瓷，为红光闪烁透明陶瓷，所述闪烁陶瓷分子式为[Y0.85-x-yLa0.15EuxMy]2O3，其中M为镧系稀土离子，0.01≤x≤0.08，0.0001≤y≤0.0007。
可选地，所述x独立的选自0.01、0.02、0.03、0.04、0.05、0.06、0.07、0.08中的任意值或上述任意两点间的任意值；
可选地，所述y独立的选自0.0001、0.0002、0.0003、0.0004、0.0005、0.0006、0.0007中的任意值或上述任意两点间的任意值。
可选地，所述镧系稀土离子选自Tb3+、Dy3+、Er3+、Tm3+、Lu3+、Ce+4中的一种。
本申请的再一个方面，提供一种上述的闪烁陶瓷或根据上述的制备方法获得的闪烁陶瓷在辐射探测中的应用。
可选地，闪烁陶瓷的结构稳定，可以成功实现在x射线照射下的长期稳定工作，并且，具有稳态发光特性、均匀的光输出、优异的辐照稳定性和低的检测极限。
本申请能产生的有益效果包括：
本申请提出的闪烁陶瓷利用真空烧结的方法来烧制成相，并且在该系列透明陶瓷原料中添加的MgO、TEOS可以有效降低陶瓷的烧结温度。该系列红光陶瓷具有稳态发光特性、均匀的光输出、优异的辐照稳定性和低的检测极限。并且由于闪烁透明陶瓷的结构稳定，可以实现在x射线照射下的长期稳定工作。
附图说明
图1为本申请实施例1～3采用的真空烧结法制备[Y0.85-x-yLa0.15EuxMy]2O3闪烁透明陶瓷的流程图；
图2为本申请实施例1制备得到的[Y0.85-x-yLa0.15EuxMy]2O3闪烁透明陶瓷与JCPDS标准XRD图谱对照；
图3为本申请实施例1制备得到的[Y0.85-x-yLa0.15EuxMy]2O3闪烁透明陶瓷的SEM图谱。
图4为本申请对比例1制备的[Y0.85-x-yLa0.15EuxMy]2O3陶瓷片的图片。
图5为本申请对比例2制备的[Y0.85-x-yLa0.15EuxMy]2O3陶瓷片的图片。
具体实施方式
下面结合实施例详述本申请，但本申请并不局限于这些实施例。
如无特别说明，本申请的实施例中的原料通过商业途径购买，其中Y2O3选自纳米级别。
实施例中XRD图谱分析的方法为：采用理学Miniflex600(Japan)进行测试。
实施例中SEM测试的方法为：采用场发射扫描电子显微镜(FESEM,SU-4010,Hitachi,Japan)进行测试。
实施例1
按照图1所示的流程图制备闪烁陶瓷，具体步骤如下：
1)、制备(Y0.85-x-yLa0.15EuxMy)2O3粉体，具体步骤如下：按照化学计量比x＝0.01，M＝Tb，y＝0.0001在电子天平上准确称取20g含有高纯Y2O3、La2O3和Eu2O3的高纯稀土氧化物以及MgO的原料，其中MgO的质量为原料质量的0.01wt％，而后将这些原料倒入球磨罐之中，加入小球，加入适量的酒精。原料：小球：酒精的量为1：10：20进行均匀的球磨。球磨时间为48h。
2)、将步骤1)获得的(Y0.85-x-yLa0.15EuxMy)2O3(x＝0.01，M＝Tb，y＝0.0001)球磨后的溶液，放入75℃的干燥箱之中干燥48h，干燥后将粉体倒入200目的筛子中进行过筛。过筛后的均匀粉体在箱式炉中进行1400℃、升温速率为2.5℃/min、预烧结8h，最后在进行球磨48h，75℃干燥箱中干燥48h和过筛的步骤，即为所得的均匀陶瓷粉体。
3)、将步骤2)中获得的均匀的粉体，称取2.5g的粉体倒入模具之中，利用液压机，压力在10MPa，进行压制3min，而后进行200MPa的冷等静压3min，获得素胚。
4)、将步骤3)中获得的素胚在空气之中进行700℃、升温速率为2.5℃/min、预烧结10h，排胶处理。
5)、将步骤4)中预烧结后获得的陶瓷片，进行埋粉后，放入真空钨丝炉(真空度为10-3)之中进行高温烧结，烧结温度为1750℃，保温20h，升温速率为1.5℃/min，烧结后的片进行退火处理，退火温度为1200℃，退火时间为8h，退火气氛空气气氛。
6)、将步骤5)中退火后的陶瓷片进行抛光处理，抛光厚度为1mm，即为所得测试的陶瓷片。
实施例2
按照图1所示的流程图制备闪烁陶瓷，具体步骤如下：
1)、制备(Y0.85-x-yLa0.15EuxMy)2O3粉体，具体步骤如下：按照化学计量比x＝0.04，M＝Tb，y＝0.0001在电子天平上准确称取20g含有高纯Y2O3、La2O3和Eu2O3的高纯稀土氧化物以及MgO的原料，其中MgO的质量为原料质量的0.01wt％，而后将这些原料倒入球磨罐之中，加入小球，加入适量的酒精，原料：小球：酒精的量为1：10：20进行均匀的球磨。球磨时间为48h。
2)、将步骤1)获得的(Y0.85-x-yLa0.15EuxMy)2O3(x＝0.01，M＝Tb，y＝0.0001)球磨后的溶液，放入75℃的干燥箱之中干燥48h，干燥后将粉体倒入200目的筛子中进行过筛。过筛后的均匀粉体在箱式炉中进行1400℃、升温速率为2.5℃/min、预烧结8h，最后在进行球磨48h，75℃干燥箱中干燥48h和过筛的步骤，即为所得的均匀陶瓷粉体。
3)、将步骤2)中获得的均匀的粉体，称取2.5g的粉体倒入模具之中，利用液压机，压力在10MPa，进行压制3min，而后进行200MPa的冷等静压3min，获得素胚。
4)、将步骤3)中获得的素胚在空气之中进行700℃、升温速率为2.5℃/min、预烧结10h，排胶处理。
5)、将步骤4)中预烧结后获得的陶瓷片，进行埋粉后，放人真空钨丝炉(真空度为10-3)之中进行高温烧结，烧结温度为1750℃，保温20h，升温速率为1.5℃/min)，烧结后的片进行退火处理，退火温度为1200℃，退火时间为8h，退火气氛空气气氛。
6)、将步骤5)中退火后的陶瓷片进行抛光处理，抛光厚度为1mm，即为所得测试的陶瓷片。
实施例3
按照图1所示的流程图制备闪烁陶瓷，具体步骤如下：
1)、制备(Y0.85-x-yLa0.15EuxMy)2O3粉体，具体步骤如下：按照化学计量比x＝0.04，M＝Tb，y＝0.0001在电子天平上准确称取20g含有高纯Y2O3、La2O3和Eu2O3的高纯稀土氧化物以及MgO的原料，其中MgO的质量为原料质量的0.01wt％，而后将这些原料倒入球磨罐之中，加入小球，加入适量的酒精。原料：小球：酒精的量为1：10：20进行均匀的球磨。球磨时间为48h。
2)、将步骤1)获得的(Y0.85-x-yLa0.15EuxMy)2O3(x＝0.01，M＝Tb，y＝0.0001)球磨后的溶液，放入75℃的干燥箱之中干燥48h，干燥后将粉体倒入200目的筛子中进行过筛。过筛后的均匀粉体在箱式炉中进行1400℃、升温速率为2.5℃/min、预烧结8h，最后在进行球磨48h，75℃干燥箱中干燥48h和过筛的步骤，即为所得的均匀陶瓷粉体。
3)、将步骤2)中获得的均匀的粉体，称取2.5g的粉体倒入模具之中，利用液压机，压力在10MPa，进行压制3min，而后进行200MPa的冷等静压3min，获得素胚。
4)、将步骤3)中获得的素胚在空气之中进行700℃、升温速率为2.5℃/min、预烧结10h，排胶处理。
5)、将步骤4)中预烧结后获得的陶瓷片，进行埋粉后，放人真空钨丝炉(真空度10-3)之中进行高温烧结，烧结温度为1800℃，保温20h，升温速率为2℃/min)，烧结后的片进行退火处理，退火温度为1200℃，退火时间为8h，退火气氛空气气氛。
6)、将步骤5)中退火后的陶瓷片进行抛光处理，抛光厚度为1mm，即为所得测试的陶瓷片。
测试例
对实施例1中得到的(Y0.85-x-yLa0.15EuxMy)2O3陶瓷片进行XRD图谱分析。如图2所示：在实施例1中反应条件，(Y0.85-x-yLa0.15EuxMy)2O3(x＝0.01，M＝Tb，y＝0.0001)，在1750℃下保温20h条件下烧结的陶瓷片晶相，与标准卡片完全匹配，并无杂相。
对实施例1中得到的(Y0.85-x-yLa0.15EuxMy)2O3陶瓷片进行SEM分析，如图3所示：在实施例1中反应条件，(Y0.85-x-yLa0.15EuxMy)2O3(x＝0.01，M＝Tb，y＝0.0001)，在1750℃下保温20h条件下烧结，形成了陶瓷片晶相。
对比例1
1)、制备(Y0.85-x-yLa0.15EuxMy)2O3粉体，具体步骤如下：按照化学计量比x＝0.01，M＝Tb，y＝0.0001在电子天平上准确称取20g含有高纯Y2O3、La2O3和Eu2O3的高纯稀土氧化物以及MgO的原料，其中MgO的质量为原料质量的0.01wt％，而后将这些原料倒入球磨罐之中，加入小球，加入适量的酒精。原料：小球：酒精的量为1：10：20进行均匀的球磨。球磨时间为48h。
2)、将步骤1)获得的(Y0.85-x-yLa0.15EuxMy)2O3(x＝0.01，M＝Tb，y＝0.0001)球磨后的溶液，放入75℃的干燥箱之中干燥48h，干燥后将粉体倒入200目的筛子中进行过筛。过筛后的均匀粉体在箱式炉中进行1400℃、升温速率为2.5℃/min、预烧结8h，最后在进行球磨48h，75℃干燥箱中干燥48h和过筛的步骤，即为所得的均匀陶瓷粉体。
3)、将步骤2)中获得的均匀的粉体，称取2.5g的粉体倒入模具之中，利用液压机，压力在10MPa，进行压制3min，而后进行200MPa的冷等静压3min，获得素胚。
4)、将步骤3)中获得的素胚在空气之中进行700℃、升温速率为2.5℃/min、预烧结10h，排胶处理。
5)、将步骤4)中预烧结后获得的陶瓷片，进行埋粉后，放人真空钨丝炉(真空度为10-3)之中进行高温烧结，烧结温度为1820℃，保温20h，升温速率为1.5℃/min)，烧结后的片进行退火处理，退火温度为1200℃，退火时间为8h，退火气氛空气气氛。
6)、将步骤5)中退火后的陶瓷片进行抛光处理，抛光厚度为1mm，即为所得测试的陶瓷片。
所得到的(Y0.85-x-yLa0.15EuxMy)2O3陶瓷片，如图4所示，表面模糊，呈现半熔状态，透过率不高，出现过烧现象。
对比例2
1)、制备(Y0.85-x-yLa0.15EuxMy)2O3粉体，具体步骤如下：按照化学计量比x＝0.01，M＝Tb，y＝0.0001在电子天平上准确称取20g含有高纯Y2O3、La2O3和Eu2O3的高纯稀土氧化物以及MgO的原料，其中MgO的质量为原料质量的0.01wt％，而后将这些原料倒入球磨罐之中，加入小球，加入适量的酒精。原料：小球：酒精的量为1：10：20进行均匀的球磨。球磨时间为48h。
2)、将步骤1)获得的(Y0.85-x-yLa0.15EuxMy)2O3(x＝0.01，M＝Tb，y＝0.0001)球磨后的溶液，放入75℃的干燥箱之中干燥48h，干燥后将粉体倒入200目的筛子中进行过筛，即为所得的均匀陶瓷粉体。
3)、将步骤2)中获得的均匀的粉体，称取2.5g的粉体倒入模具之中，利用液压机，压力在10MPa，进行压制3min，而后进行200MPa的冷等静压3min，获得素胚。
4)、将步骤3)中获得的素胚在空气之中进行700℃、升温速率为2.5℃/min、预烧结10h，排胶处理。
5)、将步骤4)中预烧结后获得的陶瓷片，进行埋粉后，放人真空钨丝炉(真空度为10-3)之中进行高温烧结，烧结温度为1800℃，保温20h，升温速率为1.5℃/min)，烧结后的片进行退火处理，退火温度为1200℃，退火时间为8h，退火气氛空气气氛。
6)、将步骤5)中退火后的陶瓷片进行抛光处理，抛光厚度为1mm，即为所得测试的陶瓷片。
所得到的(Y0.85-x-yLa0.15EuxMy)2O3陶瓷片，如图5所示，陶瓷片素胚开裂，烧结过程中出现严重的陶瓷片开裂、变形和粘粉的情况。
以上所述，仅是本申请的几个实施例，并非对本申请做任何形式的限制，虽然本申请以较佳实施例揭示如上，然而并非用以限制本申请，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本申请技术方案的范围内，利用上述揭示的技术内容做出些许的变动或修饰均等同于等效实施案例，均属于技术方案范围内。

Claims (10)

1.一种闪烁陶瓷的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
(1)制备[Y0.85-x-yLa0.15EuxMy]2O3粉体：将含有Y2O3、La2O3、Eu2O3、镧系稀土氧化物、烧结助剂、球磨助剂的原料球磨I、干燥I，获得所述[Y0.85-x-yLa0.15EuxMy]2O3粉体；
(2)制备陶瓷粉体：将步骤(1)获得的[Y0.85-x-yLa0.15EuxMy]2O3粉体预烧结I、球磨II、干燥II，获得所述陶瓷粉体；
(3)制备素坯：将步骤(2)获得的陶瓷粉体压制成型后获得素坯；
(4)制备闪烁陶瓷：将步骤(3)获得的素坯预烧结II、真空烧结、退火，获得所述闪烁陶瓷。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
所述步骤(1)中，Y2O3、La2O3、Eu2O3、镧系稀土氧化物，化学计量比x、y，按照化学式[Y0.85-x-yLa0.15EuxMy]2O3的元素配比；
所述烧结助剂与原料I的质量比为(1～5)：(300～600)，其中，所述原料I包括Y2O3、La2O3、Eu2O3、镧系稀土氧化物、烧结助剂。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
所述烧结助剂选自MgO、TEOS、油酸、PVA中的至少一种；
所述球磨助剂为乙醇；
优选地，所述球磨I包括以下步骤：
按照球磨子：原料I：球磨助剂＝(10～20)：(1～3)：(10～20)的重量比例，进行球磨I，球磨I时间为48～72h，其中，所述原料I包括Y2O3、La2O3、Eu2O3、镧系稀土氧化物、烧结助剂；
优选地，所述干燥I的温度70℃～80℃；干燥I的时间为48～72h。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
步骤(2)中，
所述预烧结I的温度为1400～1500℃，升温速率为2.5～3.5℃/min，保温时间为8～10h；
优选地，所述球磨II包括以下步骤：
按照球磨子：[Y0.85-x-yLa0.15EuxMy]2O3粉体＝(10～20)：(1～3)的重量比例，进行球磨II，球磨II时间为48～72h；
优选地，所述干燥II的温度70～80℃；干燥II的时间为48～72h。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
所述步骤(3)具体包括以下步骤：
将步骤(2)获得的陶瓷粉体在10～20MPa压力下，压制3～5min成型，并在180～200MPa压力下进行冷等静压处理3～5min，获得素坯。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
所述步骤(4)中，
所述预烧结II的温度为700～900℃，升温速率为2.5～3.5℃/min，保温时间为8～10h，预烧结II的气氛为空气气氛；
优选地，所述真空烧结在真空度为1×10-3～1×10-4环境下进行，保温温度为1700～1800℃，升温速率为1.25～2.5℃/min，保温时间为10～50h；
优选地，所述退火温度为1200～1350℃，退火时间为8～10h，退火气氛为氧气或空气气氛。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
退火后的闪烁陶瓷还进行机械加工处理。
8.一种权利要求1～7任一项所述的制备方法获得的闪烁陶瓷，其特征在于，
所述闪烁陶瓷分子式为(Y0.85-x-yLa0.15EuxMy)2O3，其中M为镧系稀土离子，0.01≤x≤0.08，0.0001≤y≤0.0007。
9.根据权利要求8所述的闪烁陶瓷，其特征在于，
所述镧系稀土离子选自Tb3+、Dy3+、Er3+、Tm3+、Lu3+、Ce+4中的一种。
10.一种权利要求1～7任一项所述的制备方法获得的闪烁陶瓷或权利要求8～9任一项所述的闪烁陶瓷在辐射探测中的应用。
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