CN114641687B - 荧光x射线分析装置 - Google Patents

荧光x射线分析装置 Download PDF

Info

Publication number
CN114641687B
CN114641687B CN202180006207.8A CN202180006207A CN114641687B CN 114641687 B CN114641687 B CN 114641687B CN 202180006207 A CN202180006207 A CN 202180006207A CN 114641687 B CN114641687 B CN 114641687B
Authority
CN
China
Prior art keywords
time
total
sample
measurement
count
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202180006207.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114641687A (zh
Inventor
片冈由行
名越泰彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rigaku Corp
Original Assignee
Rigaku Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rigaku Corp filed Critical Rigaku Corp
Publication of CN114641687A publication Critical patent/CN114641687A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114641687B publication Critical patent/CN114641687B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/20Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
    • G01N23/207Diffractometry using detectors, e.g. using a probe in a central position and one or more displaceable detectors in circumferential positions
    • G01N23/2076Diffractometry using detectors, e.g. using a probe in a central position and one or more displaceable detectors in circumferential positions for spectrometry, i.e. using an analysing crystal, e.g. for measuring X-ray fluorescence spectrum of a sample with wavelength-dispersion, i.e. WDXFS
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/223Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material by irradiating the sample with X-rays or gamma-rays and by measuring X-ray fluorescence
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/2209Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using wavelength dispersive spectroscopy [WDS]
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/07Investigating materials by wave or particle radiation secondary emission
    • G01N2223/076X-ray fluorescence
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/10Different kinds of radiation or particles
    • G01N2223/101Different kinds of radiation or particles electromagnetic radiation
    • G01N2223/1016X-ray
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/30Accessories, mechanical or electrical features
    • G01N2223/303Accessories, mechanical or electrical features calibrating, standardising
    • G01N2223/3037Accessories, mechanical or electrical features calibrating, standardising standards (constitution)
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/30Accessories, mechanical or electrical features
    • G01N2223/304Accessories, mechanical or electrical features electric circuits, signal processing
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/30Accessories, mechanical or electrical features
    • G01N2223/306Accessories, mechanical or electrical features computer control
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/30Accessories, mechanical or electrical features
    • G01N2223/32Accessories, mechanical or electrical features adjustments of elements during operation
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/30Accessories, mechanical or electrical features
    • G01N2223/321Accessories, mechanical or electrical features manipulator for positioning a part
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/30Accessories, mechanical or electrical features
    • G01N2223/33Accessories, mechanical or electrical features scanning, i.e. relative motion for measurement of successive object-parts
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/60Specific applications or type of materials
    • G01N2223/611Specific applications or type of materials patterned objects; electronic devices
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/60Specific applications or type of materials
    • G01N2223/633Specific applications or type of materials thickness, density, surface weight (unit area)
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/60Specific applications or type of materials
    • G01N2223/64Specific applications or type of materials multiple-sample chamber, multiplicity of materials

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

本发明的扫描型荧光X射线分析装置所具有的总分析时间显示机构针对分析对象的试样的每个品种,测定标准试样,该标准试样中,成分的含有率作为标准值而已知,针对与成分相对应的每个测定射线,求出测定强度。总分析时间显示机构进一步针对每个成分,使用标准值和测定强度,计算被指定的分析精度所得到的计数时间,并且计算作为各成分的计数时间的合计的合计计数时间。总分析时间显示机构计算作为该合计计数时间与合计非计数时间之和的总分析时间,输出已计算的总分析时间和已计算的各成分的计数时间。

Description

荧光X射线分析装置
相关申请
本申请主张2020年5月18日申请的日本特愿2020-086629的优先权,通过参照其整体,将其作为构成本申请的一部分的内容进行引用。
技术领域
本发明涉及一种扫描型荧光X射线分析装置,该扫描型荧光X射线分析装置测定对试样照射一次X射线所产生的荧光X射线的强度,进行各种试样的定量分析。
背景技术
在扫描型荧光X射线分析装置的定量分析中,针对与分析成分相对应的每个分析元素,使测角器动作,以已指定的2θ角度,对X射线强度进行计数,根据已得到的X射线强度,例如,通过校准线法而进行定量运算。各成分的X射线强度的测定精度依赖于X射线强度和计数时间。关于X射线强度的测定精度,在能够忽略X射线强度的漏计数的影响的情况下,将X射线强度的计数值以累积强度(计数值c)表示时,累积强度的精度为累积强度的平方根。将该现象称为统计变动。在X射线强度的精度遵循统计变动的情况下,若将X射线强度I的单位设为kcps,将计数时间T的单位设为秒,则X射线强度的精度σI(kcps)能够通过下式(1)计算。
σI=(I/(T×1000))1/2……(1)
另外,对式(1)进行变换,通过下式(2),能够求出得到已指定的X射线强度的精度的计数时间T。
T=I/(σI 2×1000)……(2)
为了利用这一点而确定计数时间,存在如下装置:在X射线强度的相对精度与分析值的相对精度(浓度的相对精度)一致的前提下,以使X射线强度的相对精度,即分析值的相对精度成为已指定的值的方式进行计数时间的计算(例如,专利文献1)
现有技术文献
专利文献
专利文献1:JP特开2000-074857号公报
发明内容
发明要解决的课题
像这样,以往,在一个试样的分析整体所需的总分析时间的推定中,仅将计数时间用于计算。然而,在实际的分析中,将试样从装置外的外部试样交换机输送到装置内,针对每个分析成分使测角仪驱动来完成全部的指定成分的测定,直到排出到外部试样交换机为止,成为各试样的总分析时间。在以每一成分较长的计数时间(例如,40秒左右)而对多个成分进行分析的情况下,全部分析成分的计数时间的合计接近总分析时间,但在水泥等的分析中,将一个成分的计数时间设为短时间(例如,数秒以内)的情况较多,合计计数时间与总分析时间相比大幅变短。
另外,不仅在考虑连续测定多个试样时的每1小时能够分析的试样数等的容许能力的情况下,即使在炉前分析等的仅迅速地分析一个试样的场合,总分析时间的信息也是重要的。然而,在如以往那样仅计算并输出计数时间的情况下,合计计数时间有时与总分析时间相差甚远,因此无法进行用于得到所需的分析精度的适当的计数时间的确定。
本发明的目的在于,提供一种荧光X射线分析装置,该荧光X射线分析装置能够容易地掌握总分析时间,能够确定得到所需的分析精度的计数时间。
用于解决课题的技术方案
为了达成上述目的,本发明的扫描型荧光X射线分析装置对载置于测定位置的试样照射一次X射线,基于所产生的荧光X射线的测定强度求出上述试样中的成分的含有率。对于多个试样的连续测定,将交换载置于上述测定位置的一个试样所需的时间作为试样移动时间;对于仅测定一个试样,将该试样从该扫描型荧光X射线分析装置外到上述测定位置的投入、以及从上述测定位置到该扫描型荧光X射线分析装置外的排出所需的时间作为试样移动时间。针对载置于上述测定位置的一个试样,将变更测定条件所需的时间的合计作为合计测定条件变更时间,该测定条件与作为应测定强度的荧光X射线的测定射线分别对应。针对载置于上述测定位置的一个试样,将各测定射线的计数时间的合计作为合计计数时间。将上述试样移动时间与上述合计测定条件变更时间之和作为合计非计数时间。将上述合计计数时间与上述合计非计数时间之和作为总分析时间。
该扫描型荧光X射线分析装置具有将该总分析时间输出至显示器的总分析时间显示机构。总分析时间显示机构针对分析对象的试样的每个品种,测定标准试样,该标准试样中,成分的含有率作为标准值而已知,针对与成分相对应的每个测定射线,求出测定强度。
在本发明的第一方案的扫描型荧光X射线分析装置中,总分析时间显示机构还针对每个成分,使用标准值以及测定强度,计算得到已指定的分析精度的计数时间,并且计算作为各成分的计数时间的合计的合计计数时间。总分析时间显示机构计算作为该合计计数时间与上述合计非计数时间之和的总分析时间,并输出已计算的总分析时间以及已计算的各成分的计数时间。
按照第一方案,能够一边观察显示于显示器中的总分析时间以及各成分的计数时间,一边设定所需的分析精度(本申请中的“所需的分析精度”、“所需的分析精度”不是单一的数值,而是存在允许的幅度(范围))。由此,能够确定适当的计数时间。像这样,按照第一方案,能够容易地掌握总分析时间,能够确定得到所需的分析精度的计数时间。
在本发明的第二方案的扫描型荧光X射线分析装置中,总分析时间显示机构还针对每个成分,使用标准值以及测定强度,计算以已指定的计数时间而得到的分析精度,并且计算作为各成分的已指定的计数时间的合计的合计计数时间。总分析时间显示机构计算作为该合计计数时间与上述合计非计数时间之和的总分析时间,并输出已计算的总分析时间以及已计算的各成分的分析精度。
按照第二方案,变更特定成分的计数时间而进行分析精度的计算,能够一边参照显示于显示器中的总分析时间,一边确定各成分的计数时间。像这样,按照第二方案,能够容易地掌握总分析时间,能够确定得到所需的分析精度的计数时间。
在本发明的第三方案的扫描型荧光X射线分析装置中,总分析时间显示机构还从已指定的总分析时间中减去上述合计非计数时间来计算合计计数时间,并且使用该合计计数时间以及预先设定的计数时间比来计算各成分的计数时间。总分析时间显示机构针对每个成分,使用标准值以及测定强度,计算以已计算的计数时间得到的分析精度,输出已指定的总分析时间以及已计算的各成分的分析精度。
按照第三方案,例如,能够一边将总分析时间设定得较短而确认各成分的分析精度,一边通过适当地设定总分析时间而确定得到所需的分析精度的各成分的计数时间。像这样,按照第三方案,能够容易地掌握总分析时间,能够确定得到所需的分析精度的计数时间。
在本发明中,也可以针对包含多个成分的任意试样,测量上述试样移动时间以及所述合计测定条件变更时间,并且求出每一成分的平均测定条件变更时间,也可以是,上述总分析时间显示机构存储已测量的上述试样移动时间以及已求出的上述每一成分的平均测定条件变更时间,基于该已存储的上述试样移动时间以及上述每一成分的平均测定条件变更时间以及分析对象的试样的成分数,求出上述合计非计数时间。
另外,也可以取而代之,按照试样的每个品种,针对任意试样,针对各成分设定临时的计数时间来进行测定,并且将下述时间作为总分析时间进行测量,该时间分别为:针对多个试样的连续测定,将从一个试样载置于上述测定位置起到下一个试样载置于上述测定位置为止的时间;针对仅一个试样的测定,将从该试样从该扫描型荧光X射线分析装置外投入起到向该扫描型荧光X射线分析装置外排出为止的时间。通过从该测量出的总分析时间中减去作为各成分的临时的计数时间合计的合计计数时间来求出上述合计非计数时间,上述总分析时间显示机构也可以存储已求出的上述合计非计数时间。
权利要求书和/或说明书和/或附图中公开的至少两个方案的任意组合也包含在本发明中。特别是,权利要求书的各权利要求的两个以上的任意组合也包含于本发明。
附图说明
根据参考附图的以下的优选实施方式的说明,能够更清楚地理解本发明。然而,实施方式及附图仅用于图示及说明,不应用于限制本发明的范围。本发明的范围由权利要求书确定。在附图中,多个附图中的同一部件编号表示同一部分。
图1为表示本发明的一个实施方式的荧光X射线分析装置的概况图。
图2A为表示该荧光X射线分析装置的分析时序图的例子的图。
图2B为表示该荧光X射线分析装置的分析时序图的另一例子的图。
图3为表示该荧光X射线分析装置的操作画面的一个例子的图。
图4为表示该荧光X射线分析装置的操作画面的另一例子的图。
图5为表示该荧光X射线分析装置的操作画面的又一例子的图。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的优选实施方式进行说明。如图1所示的那样,该装置是对载置于测定位置的试样1、14、24(包括分析对象的试样(所谓的未知试样)1、标准试样14、包含多个成分的任意试样24)照射一次X射线3,基于所产生的二次X射线5的测定强度求出试样1中的成分的含有率的定量值(分析值)和/或试样1的厚度的定量值的扫描型的荧光X射线分析装置。该荧光X射线分析装置具有:载置试样1、14、24的试样台2;向试样1、14、24照射一次X射线3的X射线管等的X射线源4;对从试样1、14、24产生的荧光X射线等的二次X射线5进行分光的分光元件6;对由该分光元件6分光后的二次X射线7进行检测的检测器8。检测器8的输出经由在图中未示出的放大器、波高分析器、计数机构等作为二次X射线7的强度进行计数,输入到控制装置整体的计算机等的控制机构11中。
该装置为波长色散型且扫描型的荧光X射线分析装置,包括以入射到检测器8的二次X射线7的波长变化的方式,使分光元件6和检测器8联动的联动机构10,即所谓的测角器。若二次X射线5以某入射角θ向分光元件6入射,则该二次X射线5的延长线9与通过分光元件6分光(衍射)的二次X射线7形成入射角θ的2倍的分光角2θ。联动机构10一边使分光角2θ变化而使经分光的二次X射线7的波长变化,一边以该经过分光的二次X射线7入射到检测器8的方式,使分光元件6以与通过其表面的中心的纸面垂直的轴O为中心旋转,使检测器8以轴O为中心沿着圆12旋转该旋转角的2倍。分光角2θ的值(2θ角度)从联动机构10输入到控制机构11中。
控制机构11针对作为应测定强度的二次X射线5的测定射线的各个,以对应的分光角2θ使联动机构10停止已确定的计数时间,得到测定强度。该实施方式的装置作为搭载于控制机构11的程序,具有将后述的总分析时间输出至显示器15的总分析时间显示机构13。显示器15例如是显示器、监视器等。需要说明的是,对于各测定射线,可以将仅测定峰而得到的光泽强度作为测定强度,也可以将测定峰和背景并进行背景除去而得到的净强度作为测定强度。另外,即使在X射线强度的相对精度与分析值的相对精度不一致的情况下,也可以求出各成分的分析值的变动相对于X射线强度的变动的比例来进行分析精度的计算、计数时间的计算。
在这里,对于多个试样的连续测定,将交换载置于测定位置的一个试样1、14、24所需的时间设为“试样移动时间”,对于仅一个试样的测定,将该试样1、14、24的从该扫描型荧光X射线分析装置外到测定位置的投入以及从测定位置到该扫描型荧光X射线分析装置外的排出所需的时间设为“试样移动时间”。另外,对于载置于测定位置的一个试样1、14、24,将与作为应测定强度的荧光X射线的测定射线的每一个对应的测定条件变更所需的时间的合计设为“合计测定条件变更时间”。此外,对于放置在测量位置处的一个试样1、14、24,测量线的计数时间的总和定义为“总计计数时间”。将试样移动时间与合计测定条件变更时间之和设为“合计非计数时间”。将这些合计计数时间与合计非计数时间之和作为“总分析时间”。
此外,在扫描型荧光X射线分析装置中,关于使试样移动的机构,有两种类型。在第一类型中,将试样从扫描型荧光X射线分析装置外的外部试样交换机投入至测定位置,在测定完成后将该试样从测定位置排出至外部试样交换机,然后将下一个试样从外部试样交换机投入至测定位置。在第二类型中,在扫描型荧光X射线分析装置内具有预备排气室、以及对处于预备排气室的试样和处于测定位置的试样进行交换的内部试样交换机构,试样按照外部试样交换机、预备排气室、测定位置、预备排气室、外部试样交换机的顺序移动。在该类型中,在处于测量位置的试样的测量中,使下一个试样在预排气室中待机,在处于测量位置的试样的测量完成后,交换预排气室的试样和测量位置的试样(例如,参照JP特开2005-98906号公报)。
在第一类型的情况下,针对多个试样的连续测定的试样移动时间与针对仅一个试样的测定的试样移动时间相同,但在第二类型的情况下,针对多个试样的连续测定的试样移动时间与针对仅一个试样的测定的试样移动时间相比大幅缩短,仅成为预备排气室的试样与测定位置的试样的交换所需的时间。
为了求出合计非计数时间,例如有以下两种方法。
[第一种方法]
对于包含多个成分(例如,10种成分)的任意试样,测量试样移动时间以及合计测定条件变更时间,并且求出每一成分的平均测定条件变更时间。试样移动时间在分为从该扫描型荧光X射线分析装置外到测定位置的投入时间、和从测定位置到该扫描型荧光X射线分析装置外的排出时间而进行测量的情况下,作为投入时间与排出时间之和进行测量。
每一成分的平均测定条件变更时间是指,对多个成分设定临时的计数时间等的测定条件而测定任意的试样时,从最初的成分的测定开始到最后的成分的测定结束为止的时间(测定时间)中减去全部成分的合计计数时间测量出的合计测定条件变更时间,除以该任意的试样的成分数(测定出的成分数)得到的时间。即,是测定一个成分时的包含X射线管的管电压和管电流的变更、测角器的驱动、分光元件的变更等在内的平均的测定条件变更时间。在第一种方法中已测量的试样移动时间以及已求出的每一成分的平均测定条件变更时间能够与试样的品种无关地应用,但试样移动时间优选按照真空、氦等的测定气氛进行测量。
然后,在总分析时间显示机构中事先存储已测量的试样移动时间以及已求出的每一成分的平均测定条件变更时间。关于试样移动时间,在上述的情况下,也可以分为投入时间和排出时间而事先进行存储。总分析时间显示机构基于存储的试样移动时间以及每一成分的平均测定条件变更时间以及分析对象的试样的成分数(测定对象的成分数),求出合计非计数时间。具体而言,通过在试样移动时间上加上对每一成分的平均测定条件变更时间乘以分析对象的试样的成分量数得到的时间,从而求出合计非计数时间。
[第二种方法]
针对试样的每个品种,针对任意试样,针对各成分设定临时的计数时间而进行测定,并且针对多个试样的连续测定,将从一个试样载置于测定位置起到下一个试样载置于测定位置为止的时间作为总分析时间来进行计测,针对仅一个试样的测定,将从该试样而从该扫描型荧光X射线分析装置外投入起到向该扫描型荧光X射线分析装置外排出为止的时间作为总分析时间来进行计测,从该计测到的总分析时间中减去作为各成分的临时的计数时间合计的合计计数时间,由此求出合计非计数时间。第二种方法中的合计非计数时间按试样的品种求出,能够应用于相同品种的试样。
然后,在总分析时间显示机构中存储已求出的合计非计数时间。此外,在多个试样的连续测定中,从一个试样载置于测定位置起到下一个试样载置于测定位置为止的时间,与从一个试样的测定开始起到下一个试样的测定开始为止的时间、从一个试样的测定结束起到下一个试样的测定结束为止的时间相同。
以下,列举具体的例子来对合计非计数时间的求出方法进行说明。图2A表示利用所述第二类型的扫描型荧光X射线分析装置对水泥的试样仅测定一个试样并计测各所需时间得到的分析的时序图的例子。在该情况下,在上述第1方法中,对于试样移动时间,计测为48秒(25秒+23秒),对于合计测定条件变更时间,计测为44秒(70秒-26秒),并且求出每一成分的平均测定条件变更时间为4秒(44秒/11)。然后,通过对试样移动时间48秒加上对每一成分的平均测定条件变更时间4秒乘以分析对象的试样的成分数(例如11)得到的时间44秒,求出合计非计数时间为92秒。
在相同的情况下,在上述第二种方法中,计测总分析时间为118秒,从该已计测的总分析时间118秒中减去作为各成分的假定的计数时间合计的合计计数时间26秒,由此求出合计非计数时间为92秒。
图2B表示利用上述第二类型的扫描型荧光X射线分析装置来对水泥的试样连续测定多个试样并计测各所需时间得到的分析的时序图的例子。在该情况下,着眼于第2个试样,在上述第一种方法中,试样移动时间被计测为13秒,对于合计测定条件变更时间,计测为44秒(70秒-26秒),并且求出每一成分的平均测定条件变更时间为4秒(44秒/11)。然后,通过对试样移动时间13秒加上对每一成分的平均测定条件变更时间4秒乘以分析对象的试样的成分数(例如11)得到的时间44秒,求出合计非计数时间为57秒。
在相同的情况下,在上述第二种方法中,计测总分析时间为83秒,从该已计测的总分析时间83秒中减去作为各成分的假定的计数时间合计的合计计数时间26秒,由此求出合计非计数时间为57秒。此外,在通过上述第二类型的扫描型荧光X射线分析装置连续测定多个试样的情况下,关于最初的试样和最后的试样,与其他试样相比试样移动时间不同(变长),但在作为计数时间以外的分析所需的时间的大概值求出合计非计数时间的本申请发明中,该试样移动时间的差异可以忽略。另外,在上述第一类型的扫描型荧光X射线分析装置中,连续测定多个试样的情况下的分析的时序图仅成为仅测定一个试样的情况下的分析的时序图的重复,如上所述,相对于多个试样的连续测定的试样移动时间与相对于仅测定一个试样的测定的试样移动时间相同。
接着,对总分析时间显示机构13的动作进行说明。总分析时间显示机构13针对分析对象的试样的每个品种,例如,针对成分数3的分析对象的试样1的品种,测定成分的含有率作为标准值已知的标准试样14,针对与成分相对应的每个测定射线求出测定强度。具体而言,分析Fe2O3、Al2O3、SiO2这3种成分,与各成分对应的测定射线为Fe-Kα射线、Al-Kα射线、Si-Kα射线。需要说明的是,在图3~图5中,将Fe-Kα射线、Al-Kα射线、Si-Kα射线分别记作Fe-KA射线、Al-KA射线、Si-KA射线,将合计非计数时间记作合计驱动时间。
另外,总分析时间显示机构13例如通过使用图2A说明的上述第一种方法,基于存储的试样移动时间48秒(仅测定一个试样的情况)、每一成分的平均测定条件变更时间4秒以及分析对象的试样的成分数3,求出合计非计数时间。具体而言,通过对试样移动时间48秒加上对每一成分的平均测定条件变更时间4秒乘以分析对象的试样的成分数3得到的时间12秒,从而求出合计非计数时间60秒。另外,如使用图2B说明的那样,在连续测定多个试样的情况下,试样移动时间为13秒,但关于使用哪个试样移动时间,也可以在后述的操作画面中通过未图示的选项按钮来进行选择。
在指定了分析精度的情况下,总分析时间显示机构13针对每个成分,使用标准值以及测定强度,计算得到已指定的分析精度的计数时间,并且计算作为各成分的计数时间的合计的合计计数时间,计算作为该合计计数时间与如上述那样求出的合计非计数时间之和的总分析时间,输出已计算的总分析时间以及已计算的各成分的计数时间。以下详述。
图3为指定了分析精度的情况下的操作画面的例子。在以下的说明中,画面的右、左是指从观察画面的用户观察到的右、左。首先,从画面左上的选项按钮20选择“计算计数时间”。接着,向指定精度的文本框25(粗框)输入三个成分的分析精度。分析精度的输入例如通过键盘、数字键、触摸面板等进行。
如果输入分析精度,按下在图中没有示出的计算开始按钮,则总分析时间显示机构13首先假定分析值(在此为含有率)的相对精度与对应的测定射线的X射线强度的相对精度一致,通过以下的式(3),求出已指定的分析精度σW所需的X射线强度的精度σI
σI=I×(σW/W)……(3)
W:含有率(标准值)
I:X射线强度(测定强度)
接着,总分析时间显示机构13通过上述的式(2)求出得到该X射线强度的精度σI的计数时间。关于计数时间,在实际的荧光X射线分析装置中,确定最小单位,在此,将最小单位设为1秒,计数时间设为通过无条件进位(切り上げ)或四舍五入进位为最小单位的时间。
总分析时间显示机构13还根据各成分的(进位的)计数时间计算合计计数时间,将合计计数时间与如上所述求出的合计非计数时间之和作为总分析时间。在图3的例子中,在画面的右上处显示有总分析时间、合计非计数时间(合计驱动时间)和合计计数时间。
另外,为了慎重起见,也可以根据得到的各成分的计数时间T,通过以下的式(4)而计算并显示分析精度σC。在图3的例子中,已计算的分析精度在画面的右下处显示为推定精度。此外,在该例子中,假定分析值的相对精度与X射线强度的相对精度一致来进行计算。
σC=W×(σI/I)=W/(T×I×1000)1/2……(4)
根据图3的例子,能够一边观察显示于显示器15的总分析时间以及各成分的计数时间,一边设定所需的分析精度。由此,能够确定适当的计数时间。这样,根据图3的例子,能够容易地掌握总分析时间,能够确定得到所需的分析精度的计数时间。
在指定了计数时间的情况下,总分析时间显示机构13针对每个成分,使用标准值以及测定强度,计算以已指定的计数时间得到的分析精度,并且计算作为各成分的指定的计数时间合计的合计计数时间,计算作为该合计计数时间与如上述那样求出的合计非计数时间之和的总分析时间,输出已计算的总分析时间以及已计算的各成分的分析精度。以下详述。
图4为指定了计数时间的情况下的操作画面的例子。首先,从画面左上处的选项按钮20选择“精度计算”。接着,在计数时间的文本框30(粗框)中输入三个成分的计数时间。
如果输入计数时间,按下在图中没有示出的计算开始按钮,则总分析时间显示机构13通过上述的式(1),求出X射线强度的精度。接着,总分析时间显示机构13使用该X射线强度的精度,通过上述的式(4)求出分析精度,作为推定精度进行显示(画面右下的虚线的框内)。另外,根据所设定的各成分的计数时间,更新合计计数时间和总分析时间(作为合计计数时间与如上所述求出的合计非计数时间之和来计算)的显示(画面右上处的虚线的框内)。关于合计计数时间和总分析时间,也可以在计数时间刚输入后进行更新。
根据图4的例子,能够变更特定成分的计数时间来进行精度计算,一边参照显示于显示器15的总分析时间,一边确定各成分的计数时间。这样,根据图4的例子,能够容易地掌握总分析时间,能够确定得到所需的分析精度的计数时间。
在指定了总分析时间的情况下,总分析时间显示机构13从已指定的总分析时间中减去如上述那样求出的合计非计数时间来计算合计计数时间,并且使用该合计计数时间和预先设定的计数时间比来计算各成分的计数时间,针对每个成分,使用标准值和测定强度来计算以已计算的计数时间得到的分析精度,输出指定的总分析时间和已计算的各成分的分析精度。以下详述。
图5是指定了总分析时间的情况下的操作画面的例子。首先,从画面左上处的选项按钮20选择“总分析时间指定”。接着,在画面右上处的总分析时间的文本框35(粗框)中输入总分析时间。
当输入总分析时间并按下在图中未示出的计算开始按钮时,总分析时间显示机构13从指定的总分析时间中减去如上述那样求出的合计非计数时间(合计驱动时间),求出合计计数时间。
接着,总分析时间显示机构13根据预先设定的计数时间比(在图5的例子中,使用图4的计数时间比)和在此已求出的合计计数时间(在该情况下为30秒),计算各计数时间。总分析时间显示机构13还根据该各个计数时间,与指定了计数时间的情况同样地,通过式(1)和式(4)求出各成分的分析精度,作为推定精度显示于显示器15(画面右下处的虚线的框内)。
根据图5的例子,例如,能够一边将总分析时间设定得较短来确认各成分的分析精度,一边通过适当地设定总分析时间来确定得到所需的分析精度的各成分的计数时间。像这样,根据图5的例子,能够容易地掌握总分析时间,能够确定得到所需的分析精度的计数时间。
在上述的图3~图5的例子中,设为仅测定峰,设为X射线强度的相对精度与分析值的相对精度一致来进行计算,但在还测定背景求出净强度的情况下,也能够应用本发明。另外,即使在X射线强度的相对精度与分析值的相对精度不一致的情况下,也可以求出各成分的分析值的变动相对于X射线强度的变动的比例而进行分析精度的计算、计数时间的计算。
如上所述,参照附图对优选的实施例进行了说明,但如果是本领域技术人员,则在阅读本说明书后,在显而易见的范围内容易想到各种变更和修正。因此,这样的变更和修正应解释为属于由权利要求书确定的本发明的范围内。
标号的说明:
标号1、14、24表示试样;
标号1表示分析对象的试样;
标号3表示一次X射线;
标号5表示二次X射线(荧光X射线);
标号13表示总分析时间显示机构;
标号14表示标准试样;
标号15表示显示器;
标号24表示包含多种成分的任意试样。

Claims (5)

1.一种扫描型荧光X射线分析装置,该扫描型荧光X射线分析装置对载置于测定位置的试样照射一次X射线,基于所产生的荧光X射线的测定强度求出上述试样中的成分的含有率;
对于多个试样的连续测定,将交换载置于上述测定位置的一个试样所需的时间设为试样移动时间;对于仅一个试样的测定,将该试样从该扫描型荧光X射线分析装置外到上述测定位置的投入、以及从上述测定位置到该扫描型荧光X射线分析装置外的排出所需的时间设为试样移动时间;
针对载置于上述测定位置的一个试样,将变更测定条件所需的时间的合计作为合计测定条件变更时间,该测定条件与作为应测定强度的荧光X射线的测定射线分别对应;
针对载置于上述测定位置的一个试样,将各测定射线的计数时间的合计作为合计计数时间;
将上述试样移动时间与上述合计测定条件变更时间之和作为合计非计数时间;
将上述合计计数时间与上述合计非计数时间之和作为总分析时间;
该扫描型荧光X射线分析装置具有总分析时间显示机构,该总分析时间显示机构将该总分析时间输出至显示器,
上述总分析时间显示机构进行如下操作:
针对分析对象的试样的每个品种,测定标准试样,该标准试样中,成分的含有率作为标准值而已知,针对与成分相对应的每个测定射线,求出测定强度,
针对每个成分,使用标准值和测定强度,计算得到已指定的分析精度的计数时间,并且计算作为各成分的计数时间的合计的合计计数时间,
计算作为该合计计数时间与上述合计非计数时间之和的总分析时间,输出已计算的总分析时间和已计算的各成分的计数时间。
2.一种扫描型荧光X射线分析装置,该扫描型荧光X射线分析装置对载置于测定位置的试样照射一次X射线,基于所产生的荧光X射线的测定强度求出上述试样中的成分的含有率;
对于多个试样的连续测定,将交换载置于上述测定位置的一个试样所需的时间设为试样移动时间;对于仅一个试样的测定,将该试样从该扫描型荧光X射线分析装置外到上述测定位置的投入、以及从上述测定位置到该扫描型荧光X射线分析装置外的排出所需的时间设为试样移动时间;
针对载置于上述测定位置的一个试样,将变更测定条件所需的时间的合计作为合计测定条件变更时间,该测定条件与作为应测定强度的荧光X射线的测定射线分别对应;
针对载置于上述测定位置的一个试样,将各测定射线的计数时间的合计作为合计计数时间;
将上述试样移动时间与上述合计测定条件变更时间之和作为合计非计数时间;
将上述合计计数时间与上述合计非计数时间之和作为总分析时间;
该扫描型荧光X射线分析装置具有总分析时间显示机构,该总分析时间显示机构将该总分析时间输出至显示器;
上述总分析时间显示机构进行如下操作:
针对分析对象的试样的每个品种,测定标准试样,该标准试样中,成分的含有率作为标准值而已知,针对与成分相对应的每个测定射线,求出测定强度;
针对每个成分,使用标准值和测定强度,计算以已指定的计数时间而得到的分析精度,并且计算作为各成分的已指定的计数时间的合计的合计计数时间;
计算作为该合计计数时间与上述合计非计数时间之和的总分析时间,输出已计算的总分析时间和已计算的各成分的分析精度。
3.一种扫描型荧光X射线分析装置,该扫描型荧光X射线分析装置对载置于测定位置的试样照射一次X射线,基于所产生的荧光X射线的测定强度求出上述试样中的成分的含有率;
对于多个试样的连续测定,将交换载置于上述测定位置的一个试样所需的时间设为试样移动时间;对于仅一个试样的测定,将该试样从该扫描型荧光X射线分析装置外到上述测定位置的投入、以及从上述测定位置到该扫描型荧光X射线分析装置外的排出所需的时间设为试样移动时间;
针对载置于上述测定位置的一个试样,将变更测定条件所需的时间的合计作为合计测定条件变更时间,该测定条件与作为应测定强度的荧光X射线的测定射线分别对应;
针对载置于上述测定位置的一个试样,将各测定射线的计数时间的合计作为合计计数时间;
将上述试样移动时间与上述合计测定条件变更时间之和作为合计非计数时间;
将上述合计计数时间与上述合计非计数时间之和作为总分析时间;
该扫描型荧光X射线分析装置具有总分析时间显示机构,该总分析时间显示机构将该总分析时间输出至显示器,
上述总分析时间显示机构进行如下操作:
针对分析对象的试样的每个品种,测定标准试样,该标准试样中,成分的含有率作为标准值而已知,针对与成分相对应的每个测定射线,求出测定强度;
从指定的总分析时间中减去上述合计非计数时间来计算合计计数时间,并且使用该合计计数时间和预先设定的计数时间比来计算各成分的计数时间;
对于每个成分,使用标准值和测定强度,计算以已计算的计数时间得到的分析精度,
输出已指定的总分析时间以及已计算的各成分的分析精度。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的扫描型荧光X射线分析装置,其中,
对于包含多个成分的任意试样,测量上述试样移动时间以及上述合计测量条件变更时间,并且求出每一成分的平均测量条件变更时间;
上述总分析时间显示机构存储已测量的上述试样移动时间以及已求出的上述每一成分的平均测定条件变更时间,基于该存储的上述试样移动时间以及上述每一成分的平均测定条件变更时间以及分析对象的试样的成分数,求出上述合计非计数时间。
5.根据权利要求1~3中任一项所述的扫描型荧光X射线分析装置,其中,
按照试样的每个品种,针对任意试样,针对各成分设定临时的计数时间来进行测定,并且将下述时间作为总分析时间进行测量,该时间分别为:针对多个试样的连续测定,将从一个试样载置于上述测定位置起到下一个试样载置于上述测定位置为止的时间;针对仅一个试样的测定,将从该试样从该扫描型荧光X射线分析装置外投入起到向该扫描型荧光X射线分析装置外排出为止的时间,
通过从该测量出的总分析时间中减去作为各成分的临时的计数时间合计的合计计数时间来求出上述合计非计数时间;
上述总分析时间显示机构存储已求出的上述合计非计数时间。
CN202180006207.8A 2020-05-18 2021-02-24 荧光x射线分析装置 Active CN114641687B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020086629A JP7190749B2 (ja) 2020-05-18 2020-05-18 蛍光x線分析装置
JP2020-086629 2020-05-18
PCT/JP2021/006935 WO2021235037A1 (ja) 2020-05-18 2021-02-24 蛍光x線分析装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114641687A CN114641687A (zh) 2022-06-17
CN114641687B true CN114641687B (zh) 2022-10-14

Family

ID=78606447

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202180006207.8A Active CN114641687B (zh) 2020-05-18 2021-02-24 荧光x射线分析装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11513086B2 (zh)
EP (1) EP4036563B1 (zh)
JP (1) JP7190749B2 (zh)
CN (1) CN114641687B (zh)
WO (1) WO2021235037A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7190749B2 (ja) * 2020-05-18 2022-12-16 株式会社リガク 蛍光x線分析装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000065765A (ja) * 1998-08-19 2000-03-03 Rigaku Industrial Co 蛍光x線分析装置
JP2012007928A (ja) * 2010-06-23 2012-01-12 Rigaku Corp X線分析装置および発光分析装置
CN107209132A (zh) * 2015-08-28 2017-09-26 株式会社理学 荧光x射线分析装置
CN110312928A (zh) * 2017-03-15 2019-10-08 株式会社理学 荧光x射线分析方法、荧光x射线分析程序以及荧光x射线分析装置
JP6601854B1 (ja) * 2018-06-21 2019-11-06 株式会社リガク 蛍光x線分析システム

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2592134Y2 (ja) * 1993-09-22 1999-03-17 理学電機工業株式会社 蛍光x線分析装置における試料の装填装置
JP3291253B2 (ja) 1998-08-27 2002-06-10 理学電機工業株式会社 蛍光x線分析装置
JP2002310953A (ja) * 2001-04-17 2002-10-23 Kawasaki Steel Corp 表面処理被膜の付着量測定方法及び装置
JP3823155B2 (ja) 2003-09-26 2006-09-20 理学電機工業株式会社 雰囲気置換機能を備えたx線分析方法
JP4253610B2 (ja) * 2004-04-09 2009-04-15 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子線検査装置
JP5506288B2 (ja) 2008-08-28 2014-05-28 株式会社日立ハイテクサイエンス 蛍光x線分析装置
CN206274315U (zh) * 2016-10-31 2017-06-23 宝山钢铁股份有限公司 提高x荧光光谱仪真空系统抽气速度的装置
JP6732347B1 (ja) * 2019-03-29 2020-07-29 株式会社リガク 蛍光x線分析装置
JP7190749B2 (ja) * 2020-05-18 2022-12-16 株式会社リガク 蛍光x線分析装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000065765A (ja) * 1998-08-19 2000-03-03 Rigaku Industrial Co 蛍光x線分析装置
JP2012007928A (ja) * 2010-06-23 2012-01-12 Rigaku Corp X線分析装置および発光分析装置
CN107209132A (zh) * 2015-08-28 2017-09-26 株式会社理学 荧光x射线分析装置
CN107923859A (zh) * 2015-08-28 2018-04-17 株式会社理学 荧光x射线分析装置
CN110312928A (zh) * 2017-03-15 2019-10-08 株式会社理学 荧光x射线分析方法、荧光x射线分析程序以及荧光x射线分析装置
JP6601854B1 (ja) * 2018-06-21 2019-11-06 株式会社リガク 蛍光x線分析システム

Also Published As

Publication number Publication date
EP4036563A4 (en) 2023-02-22
US11513086B2 (en) 2022-11-29
WO2021235037A1 (ja) 2021-11-25
WO2021235037A8 (ja) 2022-03-24
EP4036563A1 (en) 2022-08-03
US20220260506A1 (en) 2022-08-18
JP2021181897A (ja) 2021-11-25
EP4036563B1 (en) 2024-03-20
CN114641687A (zh) 2022-06-17
JP7190749B2 (ja) 2022-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4247559B2 (ja) 蛍光x線分析装置およびそれに用いるプログラム
CN107209132B (zh) 荧光x射线分析装置
US7579591B2 (en) Method and apparatus for analyzing sample
US10613043B2 (en) Method and apparatus for sample analysis
JP6732347B1 (ja) 蛍光x線分析装置
JPH0238850A (ja) X線分光器を用いた定性分析方法
US20230060446A1 (en) Quantitative analysis method, quantitative analysis program, and x-ray fluorescence spectrometer
CN114641687B (zh) 荧光x射线分析装置
JP2928688B2 (ja) 汚染元素分析方法及び装置
US7742565B2 (en) Method and apparatus for analysis using X-ray spectra
JP2000283933A (ja) 蛍光x線分析装置
EP3869186B1 (en) Auger electron microscope and analysis method
JPH0247542A (ja) X線分光器を用いた定量分析方法
JP3291251B2 (ja) 蛍光x線分析装置
US6845147B2 (en) Scatter spectra method for x-ray fluorescent analysis with optical components
JP7153324B2 (ja) 元素分析方法
CN113655083A (zh) X射线分析装置和峰搜索方法
WO2018100873A1 (ja) 蛍光x線分析装置
JP2645226B2 (ja) 蛍光x線分析方法
JP2002090319A (ja) 蛍光x線分析装置
JP4458985B2 (ja) X線分析装置及びx線分析方法
JP2022086669A (ja) 蛍光x線分析装置
JPH09269305A (ja) 蛍光x線分析方法および装置
JPH081424B2 (ja) 分析装置
JPH0579467U (ja) 位置敏感型比例計数管を用いた蛍光x線分析装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant