CN114375287A - 具有=cf2或=chf的结构的氟烯烃的精制方法、以及高纯度氟烯烃及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
从通过脱卤化氢反应而得到的、含有卤代烯烃和/或卤代烷烃和/或卤代炔烃类杂质的、具有=CF2或=CHF的结构的氟烯烃中去除前述杂质。一种具有=CF2或=CHF的结构的氟烯烃的精制方法、以及高纯度氟烯烃及其制造方法,所述具有=CF2或=CHF的结构的氟烯烃的精制方法包括如下工序:使通过脱卤化氢反应而得到的、含有卤代烷烃和/或卤代烯烃和/或卤代炔烃类杂质中的至少1种的具有=CF2或=CHF的结构的氟烯烃与固体吸附剂接触,吸附去除前述杂质。
Description
技术领域
本发明涉及:具有=CF2或=CHF的结构的氟烯烃的精制方法、以及高纯度氟烯烃及其制造方法。
背景技术
由于氢氟烯烃(HFO)的ODP(臭氧层破坏系数)和GWP(地球温室效应系数)的值低,因此已知是HCFC理想的替代品。例如1,1,3,3,3-五氟丙烯已知作为制冷剂、传热流体、消火剂、推进剂、发泡剂、膨胀剂、气体衍生物、聚合介质或单体是有用的化合物。
已知1,1,3,3,3-五氟丙烯通过脱卤化氢反应而得到。例如专利文献1中公开了:通过在无催化剂的条件下由1,1,1,3,3,3-六氟丙烷热分解来制造1,1,3,3,3-五氟丙烯的方法。专利文献1的[0002]中说明了:在高温下进行原料气体的热分解时,生成难以分离的复杂的混合物。然而,专利文献1的[0007]中也记载了:1,1,3,3,3-五氟丙烯(CF3CH=CF2)产物稳定,不会转化为氢原子和/或氟原子的个数少的产物。因此,专利文献1中没有记载关于本发明人等在研究阶段成为问题的杂质。
副产的键合有氯原子或氟原子的卤代烷烃和卤代烯烃类用作制冷剂、传热流体、消火剂、推进剂、发泡剂、膨胀剂、气体衍生物、聚合介质或单体时,需要简便地、有效地降低其含量。
卤代烷烃和卤代烯烃类具有与1,1,3,3,3-五氟丙烯的沸点(约-21℃)接近的沸点,因此难以通过蒸馏进行分离,为了降低含量,需要具有塔板数非常多的蒸馏装置,在设备成本增高等批量生产方面成为问题。
特别是对难以分离的四氟丙烯,根据本发明人等的研究,为了获得99.99%以上的1,1,3,3,3-五氟丙烯,需要最小理论塔板数113塔板的蒸馏塔。
作为基于吸附的精制方法,专利文献2中公开了:使包含氟烯烃和碳数1的烷烃的流体与合成沸石4A接触,去除前述碳数1的烷烃的方法。专利文献3中公开了:使(氢化)卤代烯烃杂质与具有的开口作为最大尺寸的固体吸附剂(沸石)在-20℃~100℃的温度下接触,由此去除(氢化)卤代烯烃杂质的方法。专利文献4中公开了:使包含(氢)卤代烃化合物的2,3,3,3-四氟丙烯与含铝的吸附剂、活性炭或它们的混合物接触的工艺。专利文献5中公开了:使含有卤代丙烯类的1,1,1,3,3-五氟丙烷与固体吸附剂(特别是活性炭)接触,去除卤代丙烯类的方法。专利文献6中公开了:使包含氢化烯烃杂质和氢化烷烃杂质的2,3,3,3-四氟丙烯与有效孔径为的分子筛接触而去除前述杂质的至少一部分的精制方法。专利文献7中公开了:从包含碳数3以上的氟烯烃的流体混合物中吸附去除碳数1或2的杂质,将氟烯烃精制的方法。
专利文献8中记载了分子筛(合成沸石)、硅胶、活性氧化铝作为用于对蒸馏塔中排出的馏出物进行脱水处理的脱水剂。专利文献9中记载了:由于与1,1,3,3,3-五氟丙烯(1225zc)的沸点接近,因此难以与具有=CH2的结构的3,3,3-三氟丙烯(1243zf)分离,记载了使用活性炭吸附材料使1225zc与1243zf分离。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特表2008-518938号公报
专利文献2:WO2013/151070号公报
专利文献3:日本专利第4121745号公报
专利文献4:日本专利第6074454号公报
专利文献5:日本特开2002-226411号公报
专利文献6:日本特开2012-1495号公报
专利文献7:日本特开2013-241390号公报
专利文献8:WO2013/099856号公报
专利文献9:日本特表2013-508265号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而,专利文献2是去除碳数1的氢化烷烃的方法,专利文献7是去除碳数为1或2的杂质以对氟烯烃进行精制的方法,专利文献3和专利文献5是去除(氢化)卤代烯烃杂质的方法,是由饱和氢氟烃进行精制的方法,专利文献4和专利文献6是去除具有=CH2的结构的2,3,3,3-四氟丙烯(1234yf)中包含的氢化卤代烷烃类和氢化卤代烯烃类杂质的方法。尚不知晓吸附去除包含沸点更接近的碳数3的卤代烯烃类和卤代烷烃类的杂质的方法。
例如在前述所示的高温条件下的合成反应中,在制造具有=CF2的结构的1,1,3,3,3-五氟丙烯之类的碳数3以上的氟烯烃时,除了碳数1的卤代烷烃、碳数2的各种卤代烷烃和卤代烯烃之外,还副产沸点更接近的碳数3的卤代烷烃和卤代烯烃。根据本发明人等的研究得知:为了以尽可能高的收率获得成为目标的碳数3以上的氟烯烃,要求除了碳数1的卤代烷烃、碳数2的卤代烷烃和卤代烯烃之外还有效地去除沸点更接近的碳数3的卤代烷烃和卤代烯烃杂质。然而,目前的现状是尚不知晓从包含碳数3以上的氟烯烃的混合物中仅吸附、去除不希望的碳数3的卤代烷烃和卤代烯烃杂质的方法。
本发明的目的在于提供如下方法:通过吸附去除包含沸点接近的卤代烷烃和卤代烯烃和卤代炔烃的杂质,从而有效地将具有=CF2或=CHF的结构的氟烯烃精制而得到纯度更高的氟烯烃。
用于解决问题的方案
本发明提供以下方案。
[1]
一种具有=CF2或=CHF的结构的氟烯烃的精制方法,其包括如下工序:使通过脱卤化氢反应而得到的、含有卤代烷烃和卤代烯烃和卤代炔烃类杂质中的至少1种的具有=CF2或=CHF的结构的氟烯烃与固体吸附剂接触,吸附去除前述杂质。
[2]
[3]
根据[1]或[2]所述的方法,其中,固体吸附剂为选自由活性炭、分子筛A型或X型、和活性氧化铝组成的组中的至少1种。
[4]
根据[1]~[3]中任一项所述的方法,其中,含有前述杂质的氟烯烃中的前述杂质的总含量超过0ppm且为10质量%以下。
[5]
根据[1]~[4]中任一项所述的方法,其中,以最大60分钟的接触时间使含有前述杂质的氟烯烃与固体吸附剂接触。
[6]
一种高纯度的具有=CF2或=CHF的结构的氟烯烃的制造方法,其包括如下工序:使通过脱卤化氢反应而得到的、含有卤代烷烃和卤代烯烃和卤代炔烃类杂质中的至少1种的具有=CF2或=CHF的结构的氟烯烃与固体吸附剂接触,吸附去除前述杂质。
[7]
[8]
根据[6]或[7]所述的方法,其中,固体吸附剂为选自由活性炭、分子筛A型或X型、和活性氧化铝组成的组中的至少1种。
[9]
根据[6]~[8]中任一项所述的方法,其中,含有前述杂质的氟烯烃中的前述杂质的总含量超过0ppm且为10质量%以下。
[10]
根据[6]~[9]中任一项所述的方法,其中,以最大60分钟的接触时间使含有前述杂质的氟烯烃与固体吸附剂接触。
[11]
一种纯度99.9%以上的1,1,3,3,3-五氟丙烯。
[12]
一种1,1,3,3,3-五氟丙烯,其以0~100ppm的量含有四氟丙烯作为杂质。
发明的效果
根据本发明的具有=CF2或=CHF的结构的氟烯烃的精制方法,能够去除卤代烷烃和/或卤代烯烃和/或卤代炔烃类杂质、特别是键合有氯原子或氟原子的卤代烷烃和/或卤代烯烃和/或卤代炔烃类杂质,提高具有=CF2或=CHF的结构的氟烯烃的纯度。另外,根据本发明的制造方法,通过进行前述的氟烯烃的精制,从而可以得到高纯度的氟烯烃。
附图说明
图1是用于实施本发明的精制方法的装置的一例的示意图。
图2是用于实施本发明的精制方法的装置的其它例的示意图。
具体实施方式
<作用>
本发明提供具有=CF2或=CHF的结构的氟烯烃的精制方法和制造方法,其特征在于,使通过脱卤化氢反应而得到的、含有卤代烷烃和卤代烯烃和/或卤代炔烃类杂质、特别是键合有氯原子或氟原子的卤代烷烃和卤代烯烃和/或卤代炔烃类杂质的至少1种的具有=CF2或=CHF的结构的氟烯烃与固体吸附剂接触,吸附去除前述杂质。本发明的特征在于,精制对象物为具有=CF2或=CHF的结构的氟烯烃。具有=CF2或=CHF的结构的氟烯烃与具有=CH2的结构的氟烯烃(前述的1243zf、1234yf等)相比,更容易因热分解而产生大量的杂质,另一方面,现有技术文献中尚未对制作高纯度品进行充分研究。根据本发明人等的研究,令人惊讶的是能够制造高纯度的具有=CF2或=CHF的结构的氟烯烃。更具体而言,优先去除使用理论塔板数40塔板这一蒸馏塔难以分离的杂质、特别是沸点差小的C3的化合物,可以得到高纯度的(特别是具有99.9%以上的纯度)1,1,3,3,3-五氟丙烯。根据本发明,尤其难以由蒸馏分离且成为主要杂质的1,3,3,3-四氟丙烯通过吸附塔而未检测出。
以下对本发明的实施方式进行说明。
<氟烯烃的精制方法>
本发明的第1实施方式为氟烯烃的精制方法,所述方法从含有卤代烷烃和卤代烯烃和卤代炔烃类杂质、特别是键合有氯原子或氟原子的卤代烷烃和卤代烯烃和卤代炔烃类杂质中的至少1种的具有=CF2或=CHF的结构的氟烯烃中去除前述的卤代烷烃和卤代烯烃和卤代炔烃类杂质,特征在于使前述流体与固体吸附剂接触。
(氟烯烃)
作为所精制的氟烯烃,优选碳数为3或4的氟烯烃。具体而言可列举出六氟丙烯、五氟丙烯、四氟丙烯、三氟丙烯、八氟丁烯、六氟丁烯、四氟丁二烯等。即,在本发明中包含选自由前述化合物组成的组中的1种以上的氟烯烃的混合物被精制。此处,作为五氟丙烯,例如可列举出1,1,2,3,3-五氟丙烯、1,1,3,3,3-五氟丙烯等。作为四氟丙烯,例如可列举出1,1,3,3-四氟丙烯、1,2,3,3-四氟丙烯等,作为三氟丙烯,例如可列举出1,3,3-三氟丙烯、1,1,3-三氟丙烯、1,2,3-三氟丙烯等。作为八氟丁烯,例如可列举出八氟-1-丁烯等。作为六氟丁烯,例如可列举出1,1,3,3,4,4,4-六氟-1-丁烯、1,2,3,3,4,4,4-六氟-1-丁烯等。作为四氟丁二烯,例如可列举出1,1,4,4-四氟-1,3-丁二烯等。
本发明中的氟烯烃可以是通过伴随在高温条件下、特别是400~1000℃下的热分解的合成反应而得到的反应产物。作为这样的合成反应,例如可列举出在400~1000℃的温度下使1,1,1,3,3,3-六氟丙烷热分解的反应,更具体而言可列举出以下的反应。
(1)在600~1000℃的温度下使1,1,1,3,3,3-六氟丙烷在镍、哈氏合金、蒙乃尔合金、铬镍铁合金等金属制的空洞的反应管内热分解的反应
(2)在600~1000℃的温度下使1,1,1,3,3,3-六氟丙烷在填充有镍等金属填充材料作为填充材料的镍、哈氏合金等金属制的反应管内热分解的反应
(3)在400~800℃的温度下使1,1,1,3,3,3-六氟丙烷在填充有CrF3/C或AlF3/C或RuF3/C或PtF2/C等金属催化剂作为催化剂的镍、哈氏合金等金属制的反应管内热分解的反应
反应产物期望的是在预先通过蒸馏去除杂质后供于本发明的精制方法。
(卤代烷烃杂质)
前述的氟烯烃中包含的、本发明中所去除的卤代烷烃杂质优选碳数为1或2或3的卤代烷烃。进而更优选碳数为2或3的卤代烷烃。具体而言,可列举出氢氟乙烷、氢氟丙烷,更具体而言,可列举出四氟乙烷、五氟丙烷、六氟丙烷等。
(卤代烯烃杂质)
对于前述的氟烯烃中包含的、本发明中所去除的卤代烯烃杂质,例如作为五氟丙烯,可列举出(Z)1,2,3,3,3-五氟丙烯、(E)1,2,3,3,3-五氟丙烯,作为四氟丙烯,可列举出1,3,3,3-四氟丙烯,作为三氟丙烯,可列举出3,3,3-三氟丙烯,作为八氟丁烯,可列举出八氟-2-丁烯,作为六氟丁烯,可列举出1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯、2,3,3,4,4,4-六氟-1-丁烯、2-(三氟甲基)-3,3,3-三氟-1-丙烯。
(卤代炔烃杂质)
对于前述的氟烯烃中包含的、本发明中所去除的卤代炔烃杂质,例如作为三氟丙炔,可列举出1,3,3-三氟丙炔、3,3,3-三氟丙炔,作为六氟丁炔,可列举出1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁炔。
(固体吸附剂)
作为本发明中的固体吸附剂,可列举出活性炭、沸石A型或X型、活性氧化铝、硅胶等。其中,从去除杂质的观点出发,优选沸石。沸石所具有的阳离子种类优选钾离子、钠离子、钙离子。作为沸石,例如可列举出Zeolite MS-3A(有效孔径:KA型)、Zeolite MS-4A(有效孔径:NaA型)、Zeolite MS-5A(有效孔径:CaA型)、Zeolite MS-13X(有效孔径:NaA型)等。固体吸附剂的有效孔径优选为更优选为进一步优选为
固体吸附剂优选:在用于精制之前通过100℃~350℃的干燥气体(特别是氮气)进行加热处理,或者在减压下的容器内以100℃~350℃进行加热处理。由此,固体吸附剂被活化,改善杂质的去除效率。
(氟烯烃与固体吸附剂的接触)
与固体吸附剂接触时的氟烯烃的压力条件没有特别限定。通常可采用大气压~0.5MPa(表压)。温度条件优选0℃~200℃,更优选0℃~100℃。固体吸附剂与混合气体的接触时间越长,固体吸附剂的吸附效率越高,越容易得到纯度高的氟烯烃。越短,处理能力越高,能够有效地将氟烯烃精制。
从卤代烷烃和卤代烯烃和卤代炔烃类杂质的去除效率的观点出发,精制前的氟烯烃中包含的卤代烷烃和卤代烯烃和卤代炔烃类杂质的总含量优选为10质量%以下,更优选为5质量%以下,最优选为1质量%以下。
(精制装置)
作为精制装置的材质,例如可列举出不锈钢、铬镍铁合金、蒙乃尔合金、哈氏合金、镍等耐腐蚀性金属等。
图1示出本发明中可以使用的精制装置的一例。图1中,热分解反应器2为镍制的圆筒管,在反应器2的外周配置有加热用的加热器3,能够对反应器2的整体均匀地进行加热。图1中反应器2以沿垂直方向竖立有圆筒管的方式进行配置,来自原料罐1的原料气体通过配管并从反应器2的上部朝向下部通过反应器2的内部。在反应器2的下游配置有气体净化塔4,去除通过热分解反应而产生的卤化氢、高沸点化合物等副产物。在气体净化塔4的下游配置有蒸馏塔5,通过蒸馏去除低沸点化合物和高沸点化合物。已通过蒸馏塔5且包含杂质的精制物被存储在捕集容器6中。在捕集容器6的下游配置有吸附精制塔7。通过捕集容器6缓和蒸馏塔5与吸附精制塔7的处理速度差异。吸附精制塔7以沿垂直方向竖立有镍制的圆筒管的方式在内部填充有固体吸附剂而构成。来自捕集容器6的包含杂质的精制物通过配管并从吸附精制塔7的下部朝向上部通过吸附精制塔7的内部。通过吸附精制塔7的固体吸附剂去除难以通过蒸馏而分离的杂质,将吸附精制品回收至精品贮槽8中。
图2示出本发明中可以使用的精制装置的其它例。图2中,已通过气体净化塔4的粗产物在干燥塔9中去除水分后,首先通过吸附精制塔7,然后,在蒸馏塔5中被蒸馏并将吸附精制品回收至精品贮槽8中,这点与图1不同。即,图2的精制装置中,在蒸馏塔5中无法分离的杂质首先在吸附精制塔7中分离。固体吸附剂有吸附水分而使吸附效率降低的倾向,因此期望在吸附精制塔7的上游配置干燥塔9。
(本发明的制造方法和制造物)
根据本发明,还可提供高纯度的具有=CF2或=CHF的结构的氟烯烃的制造方法,所述方法包括如下工序:通过使脱卤化氢反应而得到的、含有卤代烷烃和卤代烯烃和卤代炔烃类杂质的至少1种、特别是键合有氯原子或氟原子的卤代烷烃和卤代烯烃和卤代炔烃类杂质中的至少1种的具有=CF2或=CHF的结构的氟烯烃与固体吸附剂接触,吸附去除前述杂质。
利用本发明的上述制造方法进行的使氟烯烃与固体吸附剂接触的工序在本发明的精制方法中如上所述,利用本发明的上述制造方法可提供高纯度、特别是精制后的杂质的浓度为100ppm以下、尤其为0~10ppm的氟烯烃。脱卤化氢反应中除目标物质之外还形成大量的杂质(特别是,杂质的总含量超过0ppm且为10质量%以下)。利用本发明的制造方法,例如可以得到以0~100ppm的量含有四氟丙烯作为杂质的1,1,3,3,3-五氟丙烯;等高纯度的氟烯烃。利用本发明的制造方法得到的氟烯烃的纯度为纯度99%以上、特别是纯度99.5%以上、特别是99.9%以上、特别是99.99%以上,据申请人所知,现有方法中无法得到如此高纯度的氟烯烃。
实施例
以下通过实施例、比较例对本发明进行进一步详细地说明,但本发明不限定于这些。需要说明的是,以下混合物的组成由基于气相色谱(GC-MS或GC-FID)的GC面积%求出。
(比较例1)
<氟丙烯的制造方法>
将1,1,1,3,3,3-六氟丙烷作为原料,将3B×1500mm的镍制的管在电阻加热装置中加热至800℃,以9.0SLM的流量导入原料。用纯水和碱性的水溶液对从反应器出口得到的气体进行处理,由此得到1,1,3,3,3-五氟丙烯、表1所示的杂质的混合物。
用理论塔板数40塔板的精馏塔对该混合物进行精馏处理,结果得到:表1所示的组合物、即包含1,1,1-三氟乙烷0.04%、1,1,1,2-四氟乙烷0.26%、3,3,3-三氟丙烯0.11%、(Z)1,2,3,3,3-五氟丙烯0.41%、(E)1,2,3,3,3-五氟丙烯0.05%、(E)1,3,3,3-四氟丙烯0.52%、1,1,1,3,3,3-六氟丙烷0.37%作为杂质的包含98.25%的1,1,3,3,3-五氟丙烯杂质的精制物。
(实施例1)
作为吸附精制塔准备了:在SUS304制、的管中包封作为固体吸附材料的Zeolite MS-3A(东曹株式会社制ZEORAM A-3 4~8目)27.6g,用加热氮气将内温设为100℃并干燥12小时者。将比较例1中得到的包含杂质、包含纯度98.25%的1,1,3,3,3-五氟丙烯杂质的精制物导入该吸附精制塔中,对导入前的气体组成与在吸附精制塔后段得到的气体组成进行比较。自吸附精制塔后段得到的1,1,3,3,3-五氟丙烯包含:1,1,1-三氟乙烷0.02%、1,1,1,2-四氟乙烷0.08%、3,3,3-三氟丙烯0.02%、(Z)1,2,3,3,3-五氟丙烯0.15%、(E)1,2,3,3,3-五氟丙烯0.02%、1,1,1,3,3,3-六氟丙烷0.19%,其纯度为99.52%。
(实施例2)
作为吸附精制塔准备了:在SUS304制、的管中包封作为固体吸附材料的Zeolite MS-4A(东曹株式会社制ZEORAM A-4 4~8目)25.6g,用加热氮气将内温设为100℃并干燥12小时者。将比较例1中得到的包含杂质、包含纯度98.25%的1,1,3,3,3-五氟丙烯杂质的精制物导入该吸附精制塔中,对导入前的气体组成与在吸附精制塔后段得到的气体组成进行比较。自吸附精制塔后段得到的1,1,3,3,3-五氟丙烯包含:(Z)1,2,3,3,3-五氟丙烯0.26%,其纯度为99.74%。
(实施例3)
作为吸附精制塔准备了:在SUS304制、的管中包封作为固体吸附材料的Zeolite MS-5A(东曹株式会社制ZEORAM A-5 4~8目)24.8g,用加热氮气将内温设为100℃并干燥12小时者。将比较例1中得到的包含杂质、包含纯度98.25%的1,1,3,3,3-五氟丙烯杂质的精制物导入该吸附精制塔中,对导入前的气体组成与在吸附精制塔后段得到的气体组成进行比较。自吸附精制塔后段得到的1,1,3,3,3-五氟丙烯包含:1,1,1-三氟乙烷0.04%、1,1,1,2-四氟乙烷0.06%、3,3,3-三氟丙烯0.06%、(Z)1,2,3,3,3-五氟丙烯0.23%、1,1,1,3,3,3-六氟丙烷0.13%,其纯度为99.48%。
(实施例4)
作为吸附精制塔准备了:在SUS304制、的管中包封作为固体吸附材料的Zeolite MS-13X(东曹株式会社制ZEORAM F-9 4~8目)25.6g,用加热氮气将内温设为100℃并干燥12小时者。将比较例1中得到的包含杂质、包含纯度98.25%的1,1,3,3,3-五氟丙烯杂质的精制物导入该吸附精制塔中,对导入前的气体组成与在吸附精制塔后段得到的气体组成进行比较。自吸附精制塔后段得到的1,1,3,3,3-五氟丙烯包含1,1,1-三氟乙烷0.02%,其纯度为99.98%。
(实施例5)
作为吸附精制塔准备了:在SUS304制、的管中包封作为固体吸附材料的活性氧化铝(Axens公司制活性氧化铝D级2~5mm)23.7g,用加热氮气将内温设为100℃并干燥12小时者。将比较例1中得到的包含杂质、包含纯度98.25%的1,1,3,3,3-五氟丙烯杂质的精制物导入该吸附精制塔中,对导入前的气体组成与在吸附精制塔后段得到的气体组成进行比较。自吸附精制塔后段得到的1,1,3,3,3-五氟丙烯不包含杂质,其纯度为100%。
[表1]
% | 比较例1 | 实施例1 | 实施例2 | 实施例3 | 实施例4 | 实施例5 |
CF<sub>3</sub>-CH<sub>3</sub> | 0.04 | 0.02 | - | 0.04 | 0.02 | - |
CF<sub>3</sub>-CH<sub>2</sub>F | 0.26 | 0.08 | - | 0.06 | - | - |
CF<sub>3</sub>-CH=CH<sub>2</sub> | 0.11 | 0.02 | - | 0.06 | - | - |
Z-CF<sub>3</sub>-CF=CHF | 0.41 | 0.15 | 0.26 | 0.23 | - | - |
E-CF<sub>3</sub>-CF=CHF | 0.05 | 0.02 | - | - | - | - |
E-CF<sub>3</sub>-CH=CHF | 0.52 | - | - | - | - | - |
CF<sub>3</sub>-CH<sub>2</sub>-CF<sub>3</sub> | 0.37 | 0.19 | - | 0.13 | - | - |
CF<sub>3</sub>-CH=CF<sub>2</sub> | 98.25 | 99.52 | 99.74 | 99.48 | 99.98 | 100 |
Claims (12)
1.一种具有=CF2或=CHF的结构的氟烯烃的精制方法,其包括如下工序:
使通过脱卤化氢反应而得到的、含有卤代烷烃和卤代烯烃和卤代炔烃类杂质中的至少1种的具有=CF2或=CHF的结构的氟烯烃与固体吸附剂接触,吸附去除所述杂质。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其中,固体吸附剂为选自由活性炭、分子筛A型或X型、和活性氧化铝组成的组中的至少1种。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的方法,其中,含有所述杂质的氟烯烃中的所述杂质的总含量超过0ppm且为10质量%以下。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的方法,其中,以最大60分钟的接触时间使含有所述杂质的氟烯烃与固体吸附剂接触。
6.一种高纯度的具有=CF2或=CHF的结构的氟烯烃的制造方法,其包括如下工序:使通过脱卤化氢反应而得到的、含有卤代烷烃和卤代烯烃和卤代炔烃类杂质中的至少1种的具有=CF2或=CHF的结构的氟烯烃与固体吸附剂接触,吸附去除所述杂质。
8.根据权利要求6或7所述的方法,其中,固体吸附剂为选自由活性炭、分子筛A型或X型、和活性氧化铝组成的组中的至少1种。
9.根据权利要求6~8中任一项所述的方法,其中,含有所述杂质的氟烯烃中的所述杂质的总含量超过0ppm且为10质量%以下。
10.根据权利要求6~9中任一项所述的方法,其中,以最大60分钟的接触时间使含有所述杂质的氟烯烃与固体吸附剂接触。
11.一种纯度99.9%以上的1,1,3,3,3-五氟丙烯。
12.一种1,1,3,3,3-五氟丙烯,其以0~100ppm的量含有四氟丙烯作为杂质。
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