CN114349682A - 发光元件和用于其的胺化合物 - Google Patents
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Abstract
提供了发光元件和用于其的胺化合物，该发光元件包括第一电极、第二电极以及第一电极和第二电极之间的至少一个功能层，并且该至少一个功能层可包括由下式1表示的胺化合物，从而表现出高发光效率和改善的使用寿命特性。[式1]
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年10月13日提交的韩国专利申请第10-2020-0132176号的优先权和权益，其全部内容通过引用由此并入。
技术领域
本公开的实施方式在此涉及发光元件和用于其中的胺化合物，并且例如，涉及用于空穴传输区中的胺化合物和包括其的发光元件。
背景技术
最近，作为图像显示装置的有机电致发光显示器的开发正在积极进行。有机电致发光显示器包括所谓的自发光元件，其中从第一电极和第二电极注入的空穴和电子在发射层中复合，并且因此，发射层的发光材料发射光以实现显示。
在发光元件应用于显示装置时，存在对具有低驱动电压、高发光效率和长使用寿命的发光元件的需求，并且对用于能够稳定地获得这些特性的发光元件的材料的开发正在持续进行。
另外，为了实现高效的发光元件，正在进行对用于抑制或减少发射层的激子能量的扩散的空穴传输区的材料的开发。
发明内容
本公开的实施方式提供了表现出卓越的发光效率和长使用寿命特性的发光元件。
本公开的实施方式还提供了作为用于具有高效率和长使用寿命特性的发光元件的材料的胺化合物。
本公开的实施方式提供了由下式1表示的胺化合物：
[式1]
在上式1中，选自R1至R18中的至少一个为氘原子，并且其余的各自独立地为氢原子、卤素原子、取代的或未取代的甲硅烷基或者取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基，并且选自R3、R6、R8和R15中的任一个由下式2表示：
[式2]
在上式2中，n为选自0至3的整数，并且L为取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的亚芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的亚杂芳基，并且Ar1和Ar2各自独立地为取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基，并且-*是指要连接的位置。
在实施方式中，上式1可由选自下式1-1至式1-3中的任一个表示：
[式1-1]
[式1-2]
[式1-3]
在上式1-1中，R1至R8和R13至R18各自独立地为氢原子、卤素原子、取代的或未取代的甲硅烷基或者取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基，并且选自R3、R6、R8和R15中的任一个由上式2表示。在上式1-2中，R1至R12各自独立地为氢原子、卤素原子、取代的或未取代的甲硅烷基或者取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基，并且R15为氘原子或由式2表示，并且当R15为氘原子时，选自R3、R6和R8中的任一个由上式2表示。在上式1-3中，R1至R4和R9至R18各自独立地为氢原子、卤素原子、取代的或未取代的甲硅烷基或者取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基，并且R3或R15由上式2表示。
上式1可由选自下式1A至式1D中的任一个表示：
[式1A]
[式1B]
[式1C]
[式1D]
在上式1A中，选自R5至R18中的至少一个为氘原子，并且其余的为氢原子，并且R1至R4与式1中的相同，在上式1B和式1C中，选自R1至R4和R9至R18中的至少一个为氘原子，并且其余的为氢原子，并且R5至R8与式1中的相同，并且在上式1D中，选自R1至R14和R16至R18中的至少一个为氘原子，并且其余的为氢原子。在上式1A至式1D中，L、n、Ar1和Ar2与上式2中的相同。
在实施方式中，Ar1和Ar2可各自独立地为取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的萘基、取代的或未取代的芴基、取代的或未取代的联苯基、取代的或未取代的菲基、取代的或未取代的咔唑基、取代的或未取代的吲哚基、取代的或未取代的吡啶基、取代的或未取代的二苯并呋喃基或者取代的或未取代的二苯并噻吩基。
在实施方式中，选自Ar1和Ar2中的任一个可为取代的或未取代的咔唑基。
在实施方式中，Ar1和Ar2可彼此不同。
在实施方式中，上式2可由下式2-1表示：
[式2-1]
在上式2-1中，Ar2与关于上式2所限定的相同，并且-*是指要连接的位置。
在上式2中，当n为1或更大的整数时，L各自独立地为取代的或未取代的二价苯基、取代的或未取代的二价联苯基、取代的或未取代的二价萘基、取代的或未取代的二价芴基、取代的或未取代的二价菲基、取代的或未取代的二价咔唑基、取代的或未取代的二价吲哚基或者取代的或未取代的二价吡啶基。
在本公开的实施方式中，发光元件包括：第一电极；在第一电极上的第二电极；以及至少一个功能层，该至少一个功能层在第一电极和第二电极之间，并且包括上述实施方式的胺化合物。
在实施方式中，该至少一个功能层可包括发射层，第一电极和发射层之间的空穴传输区，以及发射层和第二电极之间的电子传输区，并且空穴传输区可包括上述实施方式的胺化合物。
在实施方式中，空穴传输区可包括第一电极上的空穴注入层，以及空穴注入层上的空穴传输层，并且空穴传输层可包括上述实施方式的胺化合物。
附图说明
包括所附附图以提供对本公开的主题的进一步理解，并且所附附图被并入并构成本说明书的一部分。附图示出了本公开的示例实施方式，并且与描述一起用于解释本公开的原理。在附图中：
图1为示出根据本公开的实施方式的显示装置的平面图；
图2为根据本公开的实施方式的显示装置的截面图；
图3为示意性示出根据本公开的实施方式的发光元件的截面图；
图4为示意性示出根据本公开的实施方式的发光元件的截面图；
图5为示意性示出根据本公开的实施方式的发光元件的截面图；
图6为示意性示出根据本公开的实施方式的发光元件的截面图；
图7为根据本公开的实施方式的显示装置的截面图；并且
图8为根据本公开的实施方式的显示装置的截面图。
具体实施方式
本公开的主题可以以许多替代形式进行修改，并且因此，示例实施方式将在附图中示出并更详细地描述。然而，应理解，这并不旨在将本公开的范围限制于所公开的特定形式，而是旨在覆盖落入本公开的精神和范围内的所有修改、等同物和替代物。
在解释每幅附图时，相同的附图标记用来指相同的元件。在所附附图中，为了本公开的清楚起见，每个结构的尺寸可被夸大地示出。将理解，尽管术语“第一”、“第二”等可在本文用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一个元件。例如，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，第一元件可被称为第二元件，并且类似地，第二元件可被称为第一元件。单数形式的术语可包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。
在本申请中，应理解，术语“包括”或“具有”表明本说明书中公开的特征、固定数量、步骤、过程、元件、组件或其组合的存在，但是不排除一个或多个其他特征、固定数量、步骤、过程、元件、组件或其组合的存在或添加的可能性。
在本申请中，当层、膜、区或板被称为在另一层、膜、区或板“上方”或“上部”时，它不仅可以直接在层、膜、区或板上，还可以存在居间层、膜、区或板。类似地，当层、膜、区或板被称为在另一层、膜、区或板“下方”或“下部”时，它不仅可以直接在层、膜、区或板之下，还可以存在居间层、膜、区或板。另外，将理解，当层、膜、区或板被称为在另一层、膜、区或板“上”时，它不仅可以在层、膜、区或板上，还可以在层、膜、区或板之下。
在本描述中，术语“取代的或未取代的”可意指未被取代的或被选自由下述组成的组中的至少一个取代基取代：氘原子、卤素原子、氰基、硝基、氨基、甲硅烷基、氧基、硫基、亚磺酰基、磺酰基、羰基、硼基、氧化膦基、硫化膦基、烷基、烯基、炔基、烃环基、芳基和杂环基。另外，上述取代基中的每一个可为取代的或未取代的。例如，联苯基可解释为芳基，或被苯基取代的苯基。
在本描述中，短语“键合到相邻基团以形成环”可指示键合到相邻基团以形成取代或未取代的烃环，或者取代或未取代的杂环。烃环包括脂族烃环和芳族烃环。杂环包括脂族杂环和芳族杂环。烃环和杂环可为单环或多环。另外，通过彼此键合而形成的环可以连接到另一个环以形成螺结构。
在本说明书中，术语“相邻基团”可意指在与被相应取代基取代的原子直接连接的原子处被取代的取代基，在被相应取代基取代的原子处被取代的另一个取代基，或者在空间上位于最靠近相应取代基的位置处的取代基。例如，1,2-二甲基苯中的两个甲基可解释为彼此的“相邻基团”，1,1-二乙基环戊烷中的两个乙基可解释为彼此的“相邻基团”。另外，4,5-二甲基菲中的两个甲基可解释为彼此的“相邻基团”。
在本描述中，卤素原子的实例可包括氟原子、氯原子、溴原子或碘原子。
在本说明书中，烷基可为直链、支链或环状类型(例如，烷基可为直链烷基、支链烷基或环状烷基)。烷基中碳原子的数量为1至50、1至30、1至20、1至10或1至6。烷基的实例可包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、2-乙基丁基、3,3-二甲基丁基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、环戊基、1-甲基戊基、3-甲基戊基、2-乙基戊基、4-甲基-2-戊基、正己基、1-甲基己基、2-乙基己基、2-丁基己基、环己基、4-甲基环己基、4-叔丁基环己基、正庚基、1-甲基庚基、2,2-二甲基庚基、2-乙基庚基、2-丁基庚基、正辛基、叔辛基、2-乙基辛基、2-丁基辛基、2-己基辛基、3,7-二甲基辛基、环辛基、正壬基、正癸基、金刚烷基、2-乙基癸基、2-丁基癸基、2-己基癸基、2-辛基癸基、正十一基、正十二烷基、2-乙基十二烷基、2-丁基十二烷基、2-己基十二烷基、2-辛基十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、2-乙基十六烷基、2-丁基十六烷基、2-己基十六烷基、2-辛基十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、正十九烷基、正二十烷基、2-乙基二十烷基、2-丁基二十烷基、2-己基二十烷基、2-辛基二十烷基、正二十一基、正二十二烷基、正二十三烷基、正二十四烷基、正二十五烷基、正二十六烷基、正二十七烷基、正二十八烷基、正二十九烷基、正三十烷基等，但是本公开的实施方式不限于此。
如本文使用的术语“烃环基”意指衍生自脂族烃环的任何适当的官能团或取代基。烃环基可为具有5至20个成环碳原子的饱和烃环基。
如本文使用的术语“芳基”意指衍生自芳族烃环的任何适当的官能团或取代基。芳基可为单环芳基或多环芳基。芳基中成环碳原子的数量可为6至30、6至20或6至15。芳基的实例可包括苯基、萘基、芴基、蒽基、菲基、联苯基、三联苯基、四联苯基、五联苯基、六联苯基、三亚苯基、芘基、苯并荧蒽基、1,2-苯并菲基等，但是本公开的实施方式不限于此。
在本描述中，芴基可被取代，并且两个取代基可彼此组合以形成螺结构。其中芴基被取代的情况的实例如下。然而，本公开的实施方式不限于此。
如本文使用的术语“杂环基”意指衍生自包括B、O、N、P、Si和S中的至少一个作为杂原子的环的任何适当的官能团或取代基。杂环基包括脂族杂环基和芳族杂环基。芳族杂环基可为杂芳基。脂族杂环和芳族杂环可为单环或多环。
在本描述中，杂环基可包括B、O、N、P、Si和S中的至少一个作为杂原子。如果杂环基包括两个或更多个杂原子时，两个或更多个杂原子可相同或不同。杂环基可为单环杂环基或多环杂环基并且具有包括杂芳基的概念。杂环基的成环碳数可为2至30、2至20或2至10。
在本描述中，脂族杂环基可包括选自B、O、N、P、Si和S中的一个或多个作为杂原子。脂族杂环基的成环碳原子的数量可为2至30、2至20或2至10。脂族杂环基的实例可包括环氧乙烷基、硫杂丙环基、吡咯烷基、哌啶基、四氢呋喃基、四氢噻吩基、噻烷基、四氢吡喃基、1,4-二噁烷基等，但是本公开的实施方式不限于此。
如本文使用的术语“杂芳基”可包括B、O、N、P、Si和S中的至少一个作为杂原子。当杂芳基含有两个或更多个杂原子时，两个或更多个杂原子可彼此相同或不同。杂芳基可为单环杂芳基或多环杂芳基。杂芳基中的成环碳原子的数量可为2至30、2至20或2至10。杂芳基的实例可包括噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、三唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、吩噁嗪基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、N-芳基咔唑基、N-杂芳基咔唑基、N-烷基咔唑基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、噻吩并噻吩基、苯并呋喃基、菲咯啉基、噻唑基、异噁唑基、噁唑基、噁二唑基、噻二唑基、吩噻嗪基、二苯并噻咯基、二苯并呋喃基等，但是本公开的实施方式不限于此。
在本描述中，以上关于芳基的描述可应用于亚芳基，不同的是亚芳基为二价基团。对上述杂芳基的解释可应用于亚杂芳基，不同的是亚杂芳基为二价基团。
在本描述中，甲硅烷基包括烷基甲硅烷基和/或芳基甲硅烷基。甲硅烷基的实例可包括三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、二苯基甲硅烷基、苯基甲硅烷基等。然而，本公开的实施方式不限于此。
在本描述中，氨基中碳原子的数量没有具体限制，但是可为1至30。氨基可包括烷基氨基、芳基氨基和/或杂芳基氨基。氨基的实例包括甲基氨基、二甲基氨基、苯基氨基、二苯基氨基、萘基氨基、9-甲基-蒽基氨基等，但不限于此。
在本描述中，羰基中碳原子的数量可为1至40，1至30，或1至20。例如，羰基可具有下述结构，但是本公开的实施方式不限于此。
在本描述中，亚磺酰基和磺酰基中碳原子的数量没有特别限制，但是可为1至30。亚磺酰基可包括烷基亚磺酰基和芳基亚磺酰基。磺酰基可包括烷基磺酰基和芳基磺酰基。
在本描述中，硫基可包括烷基硫基和/或芳基硫基。如本文使用的术语“硫基”可意指硫原子键合到如上定义的烷基或芳基。硫基的实例可包括甲基硫基、乙基硫基、丙基硫基、戊基硫基、己基硫基、辛基硫基、十二烷基硫基、环戊基硫基、环己基硫基、苯基硫基、萘基硫基，但是本公开的实施方式不限于此。
如本文使用的术语“氧基”可意指氧原子键合到如上定义的烷基或芳基。氧基可包括烷氧基和/或芳氧基。烷氧基可为直链烷氧基、支链烷氧基或环烷氧基。烷氧基中碳原子的数量没有具体限制，但是可为，例如，1至20或1至10。氧基的实例可包括甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、辛氧基、壬氧基、癸氧基、苄氧基等，而没有限制。
如本文使用的术语“硼基”可意指硼原子键合到如上定义的烷基或芳基。硼基包括烷基硼基和/或芳基硼基。硼基的实例可包括二甲基硼基、二乙基硼基、叔丁基甲基硼基、二苯基硼基、苯基硼基等，但是本公开的实施方式不限于此。
在本描述中，烯基可为直链烯基或支链烯基。烯基中碳原子的数量没有具体限制，但是为2至30、2至20或2至10。烯基的实例包括乙烯基、1-丁烯基、1-戊烯基、1,3-丁二烯基、苯乙烯基、苯乙烯基乙烯基等，但是本公开的实施方式不限于此。
在本描述中，胺基中碳原子的数量没有具体限制，但是可为1至30。胺基可包括烷基胺基和/或芳基胺基。胺基的实例可包括甲基胺基、二甲基胺基、苯基胺基、二苯基胺基、萘基胺基、9-甲基-蒽基胺基等，但是本公开的实施方式不限于此。
在本描述中，烷基硫基、烷基磺酰基、烷基芳基、烷基氨基、烷基硼基、烷基甲硅烷基和烷基胺基中的烷基与上述烷基的实例相同。
在本描述中，芳氧基、芳硫基、芳基磺酰基、芳基氨基、芳基硼基、芳基甲硅烷基和芳基胺基中的芳基与上述芳基的实例相同。
本文的直接连接可表示单键(例如，单个共价键)。
在本说明书中，
和“-*”意指要连接的位置。
下文，将参考所附附图描述本公开的实施方式。
图1为示出显示装置DD的实施方式的平面图。图2为实施方式的显示装置DD的截面图。图2为示出沿着图1的线I-I'截取的一部分的截面图。
显示装置DD可包括显示面板DP和显示面板DP上的光学层PP。显示面板DP包括发光元件ED-1、ED-2和ED-3。显示装置DD可包括多个发光元件ED-1、ED-2和ED-3。光学层PP可在显示面板DP上并且控制由于外部光导致的在显示面板DP中的反射光。光学层PP可包括，例如，偏振层和/或滤色器层。在一个或多个实施方式中，可从实施方式的显示装置DD中省略光学层PP。
基底基板BL可在光学层PP上。基底基板BL可为提供基底表面的构件，光学层PP位于该基底表面上。基底基板BL可为玻璃基板、金属基板、塑料基板等。然而，本公开的实施方式不限于此，并且基底基板BL可为无机层、有机层或包括无机材料和有机材料的复合材料层。在一个或多个实施方式中，可省略基底基板BL。
根据实施方式的显示装置DD可进一步包括填充层。填充层可在显示元件层DP-ED和基底基板BL之间。填充层可为有机材料层。填充层可包括选自丙烯酸类树脂、硅酮类树脂和环氧类树脂中的至少一种。
显示面板DP可包括基底层BS、提供在基底层BS上的电路层DP-CL以及显示元件层DP-ED。显示元件层DP-ED可包括像素限定膜PDL，在像素限定膜PDL的部分之间的发光元件ED-1、ED-2和ED-3，以及在发光元件ED-1、ED-2和ED-3上的封装层TFE。
基底层BS可为提供基底表面的构件，显示元件层DP-ED位于该基底表面上。基底层BS可为玻璃基板、金属基板、塑料基板等。然而，本公开的实施方式不限于此，并且基底层BS可为无机层、有机层或者包括无机材料和有机材料的复合材料层。
在实施方式中，电路层DP-CL在基底层BS上，并且电路层DP-CL可包括多个晶体管。多个晶体管中的每一个可包括控制电极、输入电极和输出电极。例如，电路层DP-CL可包括开关晶体管和驱动晶体管，以便驱动显示元件层DP-ED的发光元件ED-1、ED-2和ED-3。
发光元件ED-1、ED-2和ED-3中的每一个可具有根据图3至图6的实施方式的发光元件ED的结构，这将稍后描述。发光元件ED-1、ED-2和ED-3中的每一个可包括第一电极EL1，空穴传输区HTR，发射层EML-R、EML-G和EML-B，电子传输区ETR，以及第二电极EL2。
图2示出这样的实施方式，其中设置了限定在像素限定膜PDL中的开口OH中的发光元件ED-1、ED-2和ED-3的发射层EML-R、EML-G和EML-B，并且空穴传输区HTR、电子传输区ETR和第二电极EL2在整个发光元件ED-1、ED-2和ED-3中作为公共层提供。然而，本公开的实施方式不限于此，并且在一个或多个实施方式中，实施方式中的空穴传输区HTR和电子传输区ETR可通过在像素限定膜PDL中限定的开口OH内进行图案化来提供。例如，实施方式中的空穴传输区HTR，发射层EML-R、EML-G和EML-B，以及电子传输区ETR可通过在喷墨印刷法中被图案化来提供。
封装层TFE可覆盖发光元件ED-1、ED-2和ED-3。封装层TFE可密封显示元件层DP-ED。封装层TFE可为薄膜封装层。封装层TFE可通过层压一个层或多个层来形成。封装层TFE包括至少一个绝缘层。根据实施方式的封装层TFE可包括至少一个无机膜(下文，封装无机膜)。根据实施方式的封装层TFE也可包括至少一个有机膜(下文，封装有机膜)和至少一个封装无机膜。
封装无机膜保护显示元件层DP-ED免受水分/氧气的影响，并且封装有机膜保护显示元件层DP-ED免受异物(比如灰尘颗粒)的影响。封装无机膜可包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛和/或氧化铝等，但是本公开的实施方式不限于此。封装有机膜可包括丙烯酸类化合物和/或环氧类化合物等。封装有机膜可包括可光聚合的有机材料，但是本公开的实施方式不限于此。
封装层TFE可在第二电极EL2上并且可填充开口OH。
参考图1和图2，显示装置DD可包括非发光区NPXA以及发光区PXA-R、PXA-G和PXA-B。发光区PXA-R、PXA-G和PXA-B各自可为分别发射从发光元件ED-1、ED-2和ED-3产生的光的区。发光区PXA-R、PXA-G和PXA-B可在平面中彼此间隔开。
发光区PXA-R、PXA-G和PXA-B中的每一个可为由像素限定膜PDL划分的区。非发光区NPXA可为相邻发光区PXA-R、PXA-G和PXA-B之间的区，其对应于像素限定膜PDL的部分。在本描述中，发光区PXA-R、PXA-G和PXA-B中的每一个可对应于像素。像素限定膜PDL可将发光元件ED-1、ED-2和ED-3分离。发光元件ED-1、ED-2和ED-3的发射层EML-R、EML-G和EML-B可以在由像素限定膜PDL限定的开口OH中并彼此分离。
根据从多个发光元件ED-1、ED-2和ED-3产生的光的颜色，发光区PXA-R、PXA-G和PXA-B可被划分成多个组。在图1和图2中所示的实施方式的显示装置DD中，示出了分别发射红光、绿光和蓝光的三个发光区PXA-R、PXA-G和PXA-B作为示例。例如，实施方式的显示装置DD可包括红色发光区PXA-R、绿色发光区PXA-G和蓝色发光区PXA-B，它们是不同的。
在根据实施方式的显示装置DD中，多个发光元件ED-1、ED-2和ED-3可发射不同波长区内的光。例如，在实施方式中，显示装置DD可包括发射红光的第一发光元件ED-1、发射绿光的第二发光元件ED-2和发射蓝光的第三发光元件ED-3。在一个或多个实施方式中，显示装置DD的红色发光区PXA-R、绿色发光区PXA-G和蓝色发光区PXA-B可分别对应于第一发光元件ED-1、第二发光元件ED-2和第三发光元件ED-3。
然而，本公开的实施方式不限于此，并且第一至第三发光元件ED-1、ED-2和ED-3可发射相同波长范围内的光或者至少一个发光元件可发射不同于其他的发光元件的波长范围内的光。例如，第一至第三发光元件ED-1、ED-2和ED-3可均发射蓝光。
根据实施方式的显示装置DD中的发光区PXA-R、PXA-G和PXA-B可以以条纹形式布置。参考图1，多个红色发光区PXA-R、多个绿色发光区PXA-G和多个蓝色发光区PXA-B各自可沿着第二方向轴DR2布置。另外，红色发光区PXA-R、绿色发光区PXA-G和蓝色发光区PXA-B可沿着第一方向轴DR1以此顺序交替布置。
图1和图2示出了所有发光区PXA-R、PXA-G和PXA-B均具有相似的面积，但是本公开的实施方式不限于此，并且根据发射光的波长范围，发光区PXA-R、PXA-G和PXA-B可具有彼此不同的面积。在该情况下，发光区PXA-R、PXA-G和PXA-B的面积可意指当在由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的平面中观察时的面积。
在一个或多个实施方式中，发光区PXA-R、PXA-G和PXA-B的布置形式不限于图1中示出的特征，并且其中红色发光区PXA-R、绿色发光区PXA-G和蓝色发光区PXA-B布置的顺序可根据显示装置DD中所需的显示质量的特性进行不同的组合和提供。例如，发光区PXA-R、PXA-G和PXA-B的布置形式可为
布置结构(例如，RGBG矩阵、RGBG结构或RGBG矩阵结构)或菱形布置形式。
为三星显示有限公司的正式注册商标。
另外，发光区PXA-R、PXA-G和PXA-B的面积可彼此不同。例如，在实施方式中，绿色发光区PXA-G的面积可小于蓝色发光区PXA-B的面积，但是本公开的实施方式不限于此。
下文，图3至图6为示意性示出根据实施方式的发光元件的截面图。根据实施方式的发光元件ED各自可包括第一电极EL1、面向第一电极EL1的第二电极EL2以及第一电极EL1和第二电极EL2之间的至少一个功能层。该至少一个功能层可包括依次堆叠的空穴传输区HTR、发射层EML和电子传输区ETR。例如，实施方式的发光元件ED中的每一个可包括依次堆叠的第一电极EL1、空穴传输区HTR、发射层EML、电子传输区ETR和第二电极EL2。
与图3相比，图4示出了实施方式的发光元件ED的截面图，其中空穴传输区HTR包括空穴注入层HIL和空穴传输层HTL，并且电子传输区ETR包括电子注入层EIL和电子传输层ETL。另外，与图3相比，图5示出了实施方式的发光元件ED的截面图，其中空穴传输区HTR包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL和电子阻挡层EBL，并且电子传输区ETR包括电子注入层EIL、电子传输层ETL和空穴阻挡层HBL。与图4相比，图6示出了包括第二电极EL2上的封盖层CPL的实施方式的发光元件ED的截面图。
在空穴传输区HTR、发射层EML和电子传输区ETR等中的至少一个功能层中，实施方式的发光元件ED可包括实施方式的胺化合物，这将在以下进一步描述。
在根据实施方式的发光元件ED中，第一电极EL1具有导电性(例如，电导性)。第一电极EL1可由金属材料、金属合金或导电化合物(例如，电导性化合物)形成。第一电极EL1可为阳极或阴极。然而，本公开的实施方式不限于此。另外，第一电极EL1可为像素电极。第一电极EL1可为透射电极、透反射电极或反射电极。如果第一电极EL1为透射电极，则第一电极EL1可使用透明金属氧化物(比如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟锡锌(ITZO))形成。如果第一电极EL1为透反射电极或反射电极，则第一电极EL1可包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、其化合物或其混合物(例如，Ag和Mg的混合物)，或具有多层结构的材料比如LiF/Ca、LiF/Al。在一个或多个实施方式中，第一电极EL1可具有多层结构，该多层结构包括由上述材料形成的反射膜或透反射膜，以及由ITO、IZO、ZnO、ITZO等形成的透明导电膜。例如，第一电极EL1可具有ITO/Ag/ITO的三层结构，但是本公开的实施方式不限于此。另外，本公开的实施方式不限于此，并且第一电极EL1可包括上述金属材料、上述金属材料的至少两种金属材料的组合和/或上述金属材料的氧化物等。第一电极EL1的厚度可为约
至约
例如，第一电极EL1的厚度可为约
至约
空穴传输区HTR提供在第一电极EL1上。空穴传输区HTR可包括选自空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、缓冲层、发射辅助层和电子阻挡层EBL中的至少一种。空穴传输区HTR的厚度可为，例如，约
至约
空穴传输区HTR可具有由单种材料形成的单个层、由多种不同材料形成的单个层或包括由多种不同材料形成的多个层的多层结构。
例如，空穴传输区HTR可具有空穴注入层HIL或空穴传输层HTL的单个层结构，或可具有由空穴注入材料和空穴传输材料形成的单个层结构。另外，空穴传输区HTR可具有由多种不同材料形成的单个层结构，或其中空穴注入层HIL/空穴传输层HTL，空穴注入层HIL/空穴传输层HTL/缓冲层，空穴注入层HIL/缓冲层，空穴传输层HTL/缓冲层，或空穴注入层HIL/空穴传输层HTL/电子阻挡层EBL从第一电极EL1按顺序堆叠的结构，但是本公开的实施方式不限于此。
空穴传输区HTR可使用各种适当的方法(比如真空沉积法、旋涂法、浇注法、朗缪尔-布罗基特(LB)法、喷墨印刷法、激光印刷法和/或激光诱导热成像(LITI)法)形成。
实施方式的发光元件ED中的空穴传输区HTR可包括由下式1表示的胺化合物。另外，实施方式的发光元件ED中的空穴传输层HTL可包括由下式1表示的胺化合物：
[式1]
在式1中，选自R3、R6、R8和R15中的任一个由下式2表示：
[式2]
在一个或多个实施方式中，实施方式的胺化合物可具有其中由式2表示的一种胺衍生物与具有由式1表示的螺结构的稠环键合的形式。例如，实施方式的胺化合物可为包括一种胺衍生物的单胺化合物。
在式1中，选自R1至R18中的至少一个可为氘原子，并且其余的可各自独立地为氢原子、卤素原子、取代的或未取代的甲硅烷基或者取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基。
在一个或多个实施方式中，除了选自式1的R3、R6、R8和R15中的至少一个基团(其与由式2表示的胺衍生物键合)之外的其余基团可各自独立地为氘原子、氢原子、卤素原子、取代的或未取代的甲硅烷基或者取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基。
在一个或多个实施方式中，实施方式的胺化合物具有这样的结构，其中具有螺结构的稠环和胺衍生物键合，并且可被至少一个氘原子取代。
在一个或多个实施方式中，在上式2中，n可为选自0至3的整数，并且L可为取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的亚芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的亚杂芳基。
另外，在式2中，Ar1和Ar2各自独立地为取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基。
在实施方式的胺化合物中，n可为0。当n为0时，由式2表示的胺衍生物的氮原子(N)可直接连接到式1的稠环。在一个或多个实施方式中，胺衍生物的N可通过单键连接到稠环的碳原子。
在式2中，当n为1或更大的整数时，L各自独立地为取代的或未取代的二价苯基、取代的或未取代的二价联苯基、取代的或未取代的二价萘基、取代的或未取代的二价芴基、取代的或未取代的二价菲基、取代的或未取代的二价咔唑基、取代的或未取代的二价吲哚基或者取代的或未取代的二价吡啶基。然而，本公开的实施方式不限于此。
在式2中，当n为2或更大的整数时，多个L可均相同或至少一个可与其余的不同。
另外，在式2中，Ar1和Ar2可各自独立地为取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的萘基、取代的或未取代的芴基、取代的或未取代的联苯基、取代的或未取代的菲基、取代的或未取代的咔唑基、取代的或未取代的吲哚基、取代的或未取代的吡啶基、取代的或未取代的二苯并呋喃基或者取代的或未取代的二苯并噻吩基。然而，实施方式不限于此。
在实施方式中，Ar1和Ar2可彼此不同。选自Ar1和Ar2中的任一个可为包括N作为成环原子的杂芳基，并且其余的可为取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子且排除N作为成环原子的杂芳基。然而，本公开的实施方式不限于此。
在实施方式中，选自Ar1和Ar2中的任一个可为取代的或未取代的咔唑基。例如，选自Ar1和Ar2中的任一个可各自独立地为取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的萘基、取代的或未取代的芴基、取代的或未取代的联苯基、取代的或未取代的菲基、取代的或未取代的吲哚基、取代的或未取代的吡啶基、取代的或未取代的二苯并呋喃基或者取代的或未取代的二苯并噻吩基。
在实施方式中，式2可由下式2-1表示：
[式2-1]
在式2-1中，Ar2可为取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基。例如，在式2-1中，排除其中Ar2为咔唑基的情况。在一个或多个实施方式中，在式2-1中，Ar2可为取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的萘基、取代的或未取代的芴基、取代的或未取代的联苯基、取代的或未取代的菲基、取代的或未取代的吲哚基、取代的或未取代的吡啶基、取代的或未取代的二苯并呋喃基或者取代的或未取代的二苯并噻吩基，但是本公开的实施方式不限于此。
在实施方式中，由式1表示的胺化合物可由选自下式1-1至式1-3中的任一个表示：
[式1-1]
[式1-2]
[式1-3]
在式1-1中，R1至R8和R13至R18可各自独立地为氢原子、卤素原子、取代的或未取代的甲硅烷基或者取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基，并且选自R3、R6、R8和R15中的任一个可由如上所述的式2表示。例如，在式1-1中，选自R3、R6、R8和R15中的任一个可被如上所述的由式2表示的胺衍生物取代，并且R3、R6、R8和R15中的未被胺衍生物取代的其余基团可为氢原子。另外，在由式1-1表示的实施方式中，R3、R6、R8和R15中的除了被胺衍生物取代的那些之外的所有R1至R8和R13至R18可为氢原子。
在式1-2中，R1至R12可各自独立地为氢原子、卤素原子、取代的或未取代的甲硅烷基或者取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基。另外，R15可为氘原子，或可由上式2表示，并且当R15为氘原子时，选自R3、R6和R8中的任一个可由如上所述的式2表示。例如，在实施方式的由式1-2表示的胺化合物中，选自R3、R6和R8中的任一个可被如上所述的式2的胺衍生物取代，并且R3、R6和R8中的未被式2的胺衍生物取代的其余基团可为氢原子。此外，当选自R3、R6和R8中的任一个被式2的胺衍生物取代时，R15可为氘原子。另外，R3、R6和R8中的除了被式2的胺衍生物取代的那些之外的所有的R1至R12可为氢原子。
在一个或多个实施方式中，在由式1-2表示的实施方式中，R15可被由式2表示的胺衍生物取代。在该情况下，所有的R1至R12可为氢原子。然而，本公开的实施方式不限于此。
在式1-3中，R1至R4和R9至R18可各自独立地为氢原子、卤素原子、取代的或未取代的甲硅烷基或者取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基，并且R3或R15可由如上所述的式2表示。在由式1-3表示的实施方式中，当R3由式2表示时，R15可为氢原子，并且当R15由式2表示时，R3可为氢原子。例如，当R3由式2表示时，所有的R1、R2、R4和R9至R18可为氢原子。另外，当R15由式2表示时，所有的R1至R4、R9至R14和R16至R18可为氢原子。然而，本公开的实施方式不限于此。
实施方式的由式1表示的胺化合物可由选自下式1A至式1D中的任一个表示。下文，在实施方式的由式1A至式1D表示的胺化合物中，关于L、n、Ar1和Ar2，可应用与如上所述的式2中描述的相同内容。
[式1A]
[式1B]
[式1C]
[式1D]
在由式1A表示的实施方式中，选自R5至R18中的至少一个可为氘原子，并且其余的可为氢原子，并且R1至R4与式1中的相同。例如，R5至R18中的R9至R12可为氘原子，并且其余的可为氢原子。另外，R5至R18中的R13至R18可为氘原子，并且其余的可为氢原子。在一个或多个实施方式中，在由式1A表示的实施方式中，R1、R2和R4可为氢原子。然而，本公开的实施方式不限于此。
在由上式1B或式1C表示的实施方式中，选自R1至R4和R9至R18中的至少一个可为氘原子，并且其余的可为氢原子，并且R5至R8与式1中的相同。例如，R9至R12可为氘原子，并且R1至R4和R13至R18可为氢原子。另外，在实施方式中，R13至R18可为氘原子，并且R1至R4和R9至R12可为氢原子。在一个或多个实施方式中，在由式1B表示的实施方式中，R5、R7和R8可为氢原子，并且在由式1C表示的实施方式中，R5、R6和R7可为氢原子。然而，本公开的实施方式不限于此。
在由式1D表示的实施方式中，选自R1至R14和R16至R18中的至少一个可为氘原子，并且其余的可为氢原子。例如，R1至R4可为氘原子并且其余的可为氢原子。此外，在实施方式中，R13、R14和R16至R18可为氘原子，并且其余的可为氢原子。然而，本公开的实施方式不限于此。
实施方式的由式1表示的胺化合物可由选自以下化合物组1的化合物中的一种表示。实施方式的发光元件ED的空穴传输区HTR可包括选自以下化合物组1中公开的胺化合物中的至少一种：
[化合物组1]
根据实施方式的由式1表示的胺化合物具有这样的分子结构，其中具有螺结构的稠环和胺衍生物键合，由于稠环(例如，具有螺结构的稠环基团)的引入，可以具有高玻璃化转变温度和高熔点性质，从而表现出卓越的耐热性和耐久性特性。另外，胺化合物具有其中在稠环处碳原子被至少一个氘原子取代的结构，并且因此可以进一步改善使用寿命特性。当实施方式的胺化合物用于空穴传输区时，空穴传输特性可以增加，以改善空穴和电子在发射层中的复合概率，从而改善发光效率。另外，包含具有卓越稳定性并且其中在如上所述的稠环处碳原子被至少一个氘原子取代的实施方式的胺化合物作为用于发光元件的材料，从而也可以改善实施方式的发光元件的使用寿命。
在一个或多个实施方式中，除了上述实施方式的胺化合物之外，实施方式的发光元件ED可进一步包括用于空穴传输区HTR的材料，这将在以下进一步描述。
空穴传输区HTR可包括由下式H-1表示的化合物：
[式H-1]
在上式H-1中，L1和L2可各自独立地为直接连接(例如，单个共价键)、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的亚芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的亚杂芳基。a和b可各自独立地为选自0至10的整数。在一个或多个实施方式中，当a或b为2或更大的整数时，多个L1和L2可各自独立地为取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的亚芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的亚杂芳基。
在式H-1中，Ar1和Ar2可各自独立地为取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基。另外，在式H-1中，Ar3可为取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基。
由上式H-1表示的化合物可为单胺化合物。在一个或多个实施方式中，由上式H-1表示的化合物可为其中选自Ar1至Ar3中的至少一个包括胺基作为取代基的二胺化合物。另外，由上式H-1表示的化合物可为在Ar1和Ar2中的至少一个中包括取代的或未取代的咔唑基的咔唑类化合物，或在Ar1和Ar2中的至少一个中包括取代的或未取代的芴基的芴类化合物。
由式H-1表示的化合物可由选自以下化合物组H的化合物中的任一种表示。然而，以下化合物组H中列出的化合物为示例，并且由式H-1表示的化合物不限于由以下化合物组H表示的那些：
[化合物组H]
空穴传输区HTR可包括酞菁化合物比如酞菁铜；N1,N1'-([1,1'-联苯]-4,4'-二基)双(N1-苯基-N4,N4-二间甲苯基苯-1,4-二胺)(DNTPD)、4,4',4"-[三(3-甲基苯基)苯基氨基]三苯胺(m-MTDATA)、4,4',4”-三(N,N-二苯基氨基)三苯胺(TDATA)、4,4',4"-三[N-(2-萘基)-N-苯基氨基]-三苯胺(2-TNATA)、聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)、N,N'-二(萘-l-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)、含三苯胺的聚醚酮(TPAPEK)、4-异丙基-4'-甲基二苯基碘鎓[四(五氟苯基)硼酸盐]、二吡嗪并[2,3-f:2',3'-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈(HAT-CN)等，但是本公开的实施方式不限于此。
空穴传输区HTR可包括咔唑衍生物(比如N-苯基咔唑和聚乙烯咔唑)、芴衍生物、N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(TPD)、三苯胺衍生物(比如4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA))、N,N'-二(萘-l-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)、4,4'-亚环己基双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)、4,4'-双[N,N'-(3-甲苯基)氨基]-3,3'-二甲基联苯(HMTPD)、1,3-双(N-咔唑基)苯(mCP)等。
另外，空穴传输区HTR可包括9-(4-叔丁基苯基)-3,6-双(三苯基甲硅烷基)-9H-咔唑(CzSi)、9-苯基-9H-3,9'-联咔唑(CCP)、1,3-双(1,8-二甲基-9H-咔唑-9-基)苯(mDCP)等。
空穴传输区HTR可在选自空穴注入层HIL、空穴传输层HTL和电子阻挡层EBL中的至少一个中包括空穴传输区HTR的上述化合物。
空穴传输区HTR的厚度可为约
至约
例如，约
至约
当空穴传输区HTR包括空穴注入层HIL时，空穴注入层HIL可具有，例如，约
至约
的厚度。当空穴传输区HTR包括空穴传输层HTL时，空穴传输层HTL可具有约
至约
的厚度。例如，当空穴传输区HTR包括电子阻挡层EBL时，电子阻挡层EBL可具有约
至约
的厚度。如果空穴传输区HTR、空穴注入层HIL、空穴传输层HTL和电子阻挡层EBL的厚度满足上述范围，则可在驱动电压无显著增加的情况下实现适当的或令人满意的空穴传输特性。
除了上述材料之外，空穴传输区HTR可进一步包括电荷产生材料以增加导电性(例如，电导性)。电荷产生材料可均匀或非均匀分散在空穴传输区HTR中。电荷产生材料可为，例如，p-掺杂剂。p-掺杂剂可包括选自金属卤化物、醌衍生物、金属氧化物和含氰基化合物中的至少一种，但是本公开的实施方式不限于此。例如，p-掺杂剂可包括金属卤化物比如CuI和/或RbI、醌衍生物比如四氰基醌二甲烷(TCNQ)和/或2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ)、金属氧化物比如氧化钨和/或氧化钼、含氰基化合物比如二吡嗪并[2,3-f:2',3'-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈(HAT-CN)和/或4-[[2,3-双[氰基-(4-氰基-2,3,5,6-四氟苯基)亚甲基]亚环丙基]-氰基甲基]-2,3,5,6-四氟苯甲腈等，但是本公开的实施方式不限于此。
如上所述，除了空穴注入层HIL和空穴传输层HTL之外，空穴传输区HTR可进一步包括选自缓冲层和电子阻挡层EBL中的至少一个。缓冲层可以根据从发射层EML发射的光的波长来补偿共振距离，并且因此可以增加光发射效率。可以包括在空穴传输区HTR中的材料可以用作包括在缓冲层中的材料。电子阻挡层EBL是用于防止或减少电子从电子传输区ETR注入到空穴传输区HTR的层。
发射层EML提供在空穴传输区HTR上。发射层EML可具有，例如，约
至约
或约
至约
的厚度。发射层EML可具有由单种材料形成的单个层、由多种不同材料形成的单个层或具有由多个不同材料形成的多个层的多层结构。
在实施方式的发光元件ED中，发射层EML可包括蒽衍生物、芘衍生物、荧蒽衍生物、1,2-苯并菲衍生物、二氢苯并蒽衍生物和/或三亚苯衍生物。例如，发射层EML可包括蒽衍生物和/或芘衍生物。
在图3至图6中示出的实施方式的每个发光元件ED中，发射层EML可包括主体和掺杂剂，并且发射层EML可包括由下式E-1表示的化合物。由下式E-1表示的化合物可用作荧光主体材料。
[式E-1]
在式E-1中，R31至R40可各自独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、取代的或未取代的甲硅烷基、取代的或未取代的具有1至10个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基，并且任选地，可键合到相邻基团以形成环。在一个或多个实施方式中，R31至R40可键合到相邻基团以形成饱和烃环或不饱和烃环。
在式E-1中，c和d可各自独立地为选自0至5的整数。
式E-1可由选自以下化合物E1至化合物E19中的任一个表示：
在实施方式中，发射层EML可包括以下由式E-2a表示的化合物和/或由式E-2b表示的化合物。以下由式E-2a表示的化合物和/或由式E-2b表示的化合物可用作磷光主体材料。
[式E-2a]
在式E-2a中，并且a可为选自0至10的整数，La可为直接连接(例如，单个共价键)、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的亚芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的亚杂芳基。在一个或多个实施方式中，当a为2或更大的整数时，多个La可各自独立地为取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的亚芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的亚杂芳基。
另外，在式E-2a中，A1至A5可各自独立地为N或CRi。Ra至Ri可各自独立地为氢原子、氘原子、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的硫基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有2至20个碳原子的烯基、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基，或可键合到相邻基团以形成环。Ra至Ri可键合到相邻基团以形成烃环或含有N、O、S等作为成环原子的杂环。
在一个或多个实施方式中，在式E-2a中，选自A1至A5中的两个或三个可为N，并且其他的可为CRi。
[式E-2b]
在式E-2b中，Cbz1和Cbz2可各自独立地为未取代的咔唑基或者被具有6至30个成环碳原子的芳基取代的咔唑基。Lb为直接连接(例如，单个共价键)、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的亚芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的亚杂芳基。在一个或多个实施方式中，b为选自0至10的整数，并且当b为2或更大的整数时，多个Lb可各自独立地为取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的亚芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的亚杂芳基。
由式E-2a表示的化合物和/或由式E-2b表示的化合物可由选自以下化合物组E-2的化合物中的任一种表示。然而，以下化合物组E-2中列出的化合物为示例，由式E-2a表示的化合物和/或由式E-2b表示的化合物不限于由以下化合物组E-2表示的那些。
[化合物组E-2]
发射层EML可进一步包括本领域中常用的任何适当的材料作为主体材料。例如，发射层EML可包括选自双[2-(二苯基膦)苯基]醚氧化物(DPEPO)、4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(CBP)、1,3-双(咔唑-9-基)苯(mCP)、2,8-双(二苯基磷酰基)二苯并[b,d]呋喃(PPF)、4,4',4”-三(咔唑基-9-基)-三苯胺(TCTA)和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯(TPBi)中的至少一种作为主体材料。然而，本公开的实施方式不限于此，并且例如，三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、2-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)、二苯乙烯基芳烃(DSA)，4,4'-双(9-咔唑基)-2,2'-二甲基-联苯(CDBP)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)、六苯基环三膦腈(CP1)、1,4-双(三苯基甲硅烷基)苯(UGH2)、六苯基环三硅氧烷(DPSiO3)、八苯基环四硅氧烷(DPSiO4)等可用作主体材料。
发射层EML可包括以下由式M-a表示的化合物和/或由式M-b表示的化合物。以下由式M-a表示的化合物和/或由式M-b表示的化合物可用作磷光掺杂剂材料。
[式M-a]
在上式M-a中，Y1至Y4和Z1至Z4可各自独立地为CR1或N，R1至R4可各自独立地为氢原子、氘原子、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的硫基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有2至20个碳原子的烯基、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基，并且任选地，可键合到相邻基团以形成环。在式M-a中，m为0或1，并且n为2或3。在式M-a中，当m为0时，n为3，并且当m为1时，n为2。
由式M-a表示的化合物可用作红色磷光掺杂剂或绿色磷光掺杂剂。
由式M-a表示的化合物可由选自以下化合物M-a1至化合物M-a19中的任一种表示。然而，以下化合物M-a1至M-a19为示例，并且由式M-a表示的化合物不限于由以下化合物M-a1至M-a19表示的那些。
化合物M-a1和化合物M-a2可用作红色掺杂剂材料，并且化合物M-a3至化合物M-a5可用作绿色掺杂剂材料。
[式M-b]
在式M-b中，Q1至Q4各自独立地为C或N，并且C1至C4各自独立地为取代的或未取代的具有5至30个成环碳原子的烃环或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂环。L21至L24各自独立地为直接连接(例如，单个共价键)、*-O-*、*-S-*、
取代的或未取代的具有1至20个碳原子的二价烷基、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的亚芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的亚杂芳基，并且e1至e4各自独立地为0或1。R31至R39各自独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基，并且任选地，键合到相邻基团以形成环，并且d1至d4各自独立地为选自0至4的整数。
由式M-b表示的化合物可用作蓝色磷光掺杂剂或绿色磷光掺杂剂。
由式M-b表示的化合物可由选自以下化合物中的任一种表示。然而，以下化合物为示例，并且由式M-b表示的化合物不限于由以下化合物表示的那些。
在以上化合物中，R、R38和R39可各自独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基。
发射层EML可包括由选自以下式F-a至式F-c中的任一个表示的化合物。由以下式F-a至式F-c表示的化合物可用作荧光掺杂剂材料。
[式F-a]
在式F-a中，选自Ra至Rj中的两个可各自独立地被*-NAr1Ar2取代。Ra至Rj中未被*-NAr1Ar2取代的其余基团可各自独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基。在*-NAr1Ar2中，Ar1和Ar2可各自独立地为取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基。例如，选自Ar1和Ar2中的至少一个可为含有O或S作为成环原子的杂芳基。
[式F-b]
在式F-b中，Ra和Rb可各自独立地为氢原子、氘原子、取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有2至20个碳原子的烯基、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基，并且任选地，可键合到相邻基团以形成环。
在式F-b中，U和V可各自独立地为取代的或未取代的具有5至30个成环碳原子的烃环或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂环。
在式F-b中，由U和V表示的环的数量可各自独立地为0或1。例如，在式F-b中，其意指当U或V的数量为1时，一个环在描述为U或V的部分处形成稠环，并且当U或V的数量为0时，描述为U或V的环不存在。在一个或多个实施方式中，当U的数量为0且V的数量为1时，或者当U的数量为1且V的数量为0时，式F-b的具有芴核的稠环可以是四环环状化合物。另外，当U和V的各自数量为0时，式F-b的具有芴核的稠环可以是三环环状化合物。另外，当U和V的各自数量为1时，式F-b的具有芴核的稠环可以是五环环状化合物。
[式F-c]
在式F-c中，A1和A2可各自独立地为O、S、Se或NRm，并且Rm可为氢原子、氘原子、取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基。R1至R11各自独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的硼基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的硫基、取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基，并且任选地，键合到相邻基团以形成环。
在式F-c中，A1和A2可各自独立地键合到相邻环的取代基以形成稠环。例如，当A1和A2各自独立地为NRm时，A1可键合到R4或R5以形成环。另外，A2可键合到R7或R8以形成环。
在实施方式中，发射层EML可包括苯乙烯基衍生物(例如，1,4-双[2-(3-N-乙基咔唑基)乙烯基]苯(BCzVB)、4-(二对甲苯基氨基)-4'-[(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]芪(DPAVB)、N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(二苯基氨基)苯乙烯基)萘-2-基)乙烯基)苯基)-N-苯基苯胺(N-BDAVBi)和/或4,4'-双[2-(4-(N,N-二苯基氨基)苯基)乙烯基]联苯(DPAVBi))、苝和/或其衍生物(例如，2,5,8,11-四-叔丁基苝(TBP))、芘和/或其衍生物(例如，1,1'-二芘、1,4-二芘基苯和/或1,4-双(N,N-二苯基氨基)芘)等作为掺杂剂材料。
发射层EML可包括本领域中常用的任何适当的磷光掺杂剂材料。例如，包括铱(Ir)、铂(Pt)、锇(Os)、金(Au)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)和/或铥(Tm)的金属络合物可用作磷光掺杂剂。在一个或多个实施方式中，双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2')铱(III)(FIrpic)、双(2,4-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸铱(Ⅲ)(FIr6)和/或八乙基卟啉铂(PtOEP)可用作磷光掺杂剂。然而，本公开的实施方式不限于此。
发射层EML可包括量子点材料。量子点的核可选自第II-VI族化合物、第III-VI族化合物、第I-III-VI族化合物、第III-V族化合物、第III-II-V族化合物、第IV-VI族化合物、第IV族元素、第IV族化合物和其组合。
第II-VI族化合物可选自由下述组成的组：选自由CdSe、CdTe、CdS、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS及其混合物组成的组中的二元化合物；选自由CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS及其混合物组成的组中的三元化合物；和选自由HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe及其混合物组成的组中的四元化合物。
第III-VI族化合物可包括二元化合物比如In2S3和/或In2Se3，三元化合物比如InGaS3和/或InGaSe3，或其任何组合。
第I-III-VI族化合物可选自：选自由AgInS、AgInS2、CuInS、CuInS2、AgGaS2、CuGaS2、CuGaO2、AgGaO2、AgAlO2及其混合物组成的组中的三元化合物；和/或四元化合物比如AgInGaS2和/或CuInGaS2。
第III-V族化合物可选自由下述组成的组：选自由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及其混合物组成的组中的二元化合物；选自由GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InAlP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb及其混合物组成的组中的三元化合物；和选自由GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb及其混合物组成的组中的四元化合物。在一个或多个实施方式中，第III-V族化合物可进一步包括第II族金属。例如，InZnP等可被选为第III-II-V族化合物。
第IV-VI族化合物可选自由下述组成的组：选自由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及其混合物组成的组中的二元化合物；选自由SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及其混合物组成的组中的三元化合物；和选自由SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe及其混合物组成的组中的四元化合物。第IV族元素可选自由Si、Ge及其混合物组成的组。第IV族化合物可为选自由SiC、SiGe及其混合物组成的组中的二元化合物。
在该情况下，二元化合物、三元化合物和/或四元化合物可以以均匀(例如，基本均匀)的浓度分布存在于颗粒中，或者可以以部分不同的浓度分布存在于同一颗粒中。另外，量子点可以具有其中一个量子点围绕另一个量子点的核/壳结构。核和壳之间的界面可以具有其中壳中存在的元素的浓度沿着朝向核的中心的方向变低的浓度梯度。
在一些实施方式中，量子点可以具有包括具有纳米晶体的核和围绕核的壳的上述核/壳结构。量子点的壳可以用作保护层，以防止或减少核的化学变形，从而保持半导体性质，和/或用作充电层，以赋予量子点电泳性质。壳可以是单层或多层。核和壳之间的界面可以具有其中壳中存在的元素的浓度沿着朝向核的中心的方向变低的浓度梯度。量子点的壳的实例可以包括金属和/或非金属氧化物、半导体化合物或其组合。
例如，金属和/或非金属氧化物可为二元化合物，比如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4和/或NiO；和/或三元化合物，比如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4和/或CoMn2O4，但是本公开不限于此。
此外，半导体化合物可为，例如，CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb等，但是本公开的实施方式不限于此。
量子点可具有约45nm或更小，约40nm或更小，或，例如，约30nm或更小的光发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)，并且在上述范围内可改善颜色纯度和/或颜色再现性。另外，通过这种量子点发射的光在所有方向上发射，并且因此可以改善宽视角。
另外，量子点的形式没有特别限制，只要它是本领域中通常使用的形式。例如，可以使用球形、锥体、多臂和/或立方体纳米颗粒，纳米管，纳米线，纳米纤维等形式的量子点。
量子点可根据其颗粒尺寸控制发射光的颜色，并且因此量子点可以具有各种适当的光发射颜色，比如绿色、红色等。
在图3至图6中示出的实施方式的每个发光元件ED中，电子传输区ETR提供在发射层EML上。电子传输区ETR可包括选自空穴阻挡层HBL、电子传输层ETL和电子注入层EIL中的至少一个，但是本公开的实施方式不限于此。
电子传输区ETR可具有由单种材料形成的单个层、由多种不同材料形成的单个层或包括由多种不同材料形成的多个层的多层结构。
例如，电子传输区ETR可具有电子注入层EIL或电子传输层ETL的单个层结构，或可具有由电子注入材料和电子传输材料形成的单个层结构。另外，电子传输区ETR可具有由多种不同材料形成的单个层结构，或可具有其中电子传输层ETL/电子注入层EIL和空穴阻挡层HBL/电子传输层ETL/电子注入层EIL从发射层EML按顺序堆叠的结构，但是本公开的实施方式不限于此。电子传输区ETR的厚度可为，例如，约
至约
电子传输区ETR可通过使用各种适当的方法(比如真空沉积法、旋涂法、浇注法、朗缪尔-布罗基特(LB)法、喷墨印刷法、激光印刷法、激光诱导热成像(LITI)法等)形成。
电子传输区ETR可包括由下式ET-1表示的化合物：
[式ET-1]
在式ET-1中，选自X1至X3中的至少一个为N，并且其他的为CRa。Ra可为氢原子、氘原子、取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基。Ar1至Ar3可各自独立地为氢原子、氘原子、取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基。
在式ET-1中，a至c可各自独立地为选自0至10的整数。在式ET-1中，L1至L3可各自独立地为直接连接(例如，单个共价键)、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的亚芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的亚杂芳基。在一个或多个实施方式中，当a至c为2或更大的整数时，L1至L3可各自独立地为取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的亚芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的亚杂芳基。
电子传输区ETR可包括蒽类化合物。然而，本公开的实施方式不限于此，并且电子传输区ETR可包括，例如，三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、1,3,5-三[(3-吡啶基)-苯-3-基]苯、2,4,6-三(3'-(吡啶-3-基)联苯-3-基)-1,3,5-三嗪、2-(4-(N-苯基苯并咪唑-1-基)苯基)-9,10-二萘基蒽、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯(TPBi)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(tBu-PBD)、双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝(BAlq)、双(苯并喹啉-10-羟基)铍(Bebq2)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、1,3-双[3,5-二(吡啶-3-基)苯基]苯(BmPyPhB)或其混合物。
另外，电子传输区ETR可包括金属卤化物(比如LiF、NaCl、CsF、RbCl、RbI、CuI和/或KI)、镧系金属(比如Yb)和/或金属卤化物和镧系金属的共沉积材料。例如，电子传输区ETR可包括KI:Yb、RbI:Yb等作为共沉积材料。在一个或多个实施方式中，电子传输区ETR可使用金属氧化物(比如Li2O和/或BaO)和/或8-羟基喹啉锂(Liq)等形成，但是本公开的实施方式不限于此。电子传输区ETR也可由电子传输材料和绝缘有机金属盐的混合材料形成。绝缘有机金属盐可为具有约4eV或更大的能带隙的材料。例如，绝缘有机金属盐可包括，例如，金属乙酸盐、金属苯酸盐、金属乙酰乙酸盐、金属乙酰丙酮酸盐和/或金属硬脂酸盐。
除了上述材料之外，电子传输区ETR可进一步包括选自2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)和4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)中的至少一种，但是本公开的实施方式不限于此。
电子传输区ETR可在选自电子注入层EIL、电子传输层ETL和空穴阻挡层HBL中的至少一个中包括电子传输区ETR的上述化合物。
当电子传输区ETR包括电子传输层ETL时，电子传输层ETL可具有约
至约
例如，约
至约
的厚度。如果电子传输层ETL的厚度满足上述范围，则可在驱动电压无显著增加的情况下获得适当的或令人满意的电子传输特性。当电子传输区ETR包括电子注入层EIL时，电子注入层EIL可具有约
至约
例如，约
至约
的厚度。如果电子注入层EIL的厚度满足上述范围，则可在驱动电压无显著增加的情况下获得适当的或令人满意的电子注入特性。
第二电极EL2提供在电子传输区ETR上。第二电极EL2可为公共电极。第二电极EL2可为阴极或阳极，但是本公开的实施方式不限于此。例如，当第一电极EL1为阳极时，第二电极EL2可为阴极，并且当第一电极EL1为阴极时，第二电极EL2可为阳极。
第二电极EL2可为透射电极、透反射电极或反射电极。当第二电极EL2为透射电极时，第二电极EL2可由透明金属氧化物(例如，氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)等)形成。
当第二电极EL2为透反射电极或反射电极时，第二电极EL2可包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、Yb、W、其化合物和/或其混合物(例如，AgMg、AgYb和/或MgYb)，或具有多层结构的材料比如LiF/Ca、LiF/Al。在一个或多个实施方式中，第二电极EL2可具有多层结构，该多层结构包括由上述材料形成的反射膜或透反射膜，以及由ITO、IZO、ZnO、ITZO等形成的透明导电膜。例如，第二电极EL2可包括上述金属材料、上述金属材料的至少两种金属材料的组合和/或上述金属材料的氧化物等。
在一个或多个实施方式中，第二电极EL2可与辅助电极联接。如果第二电极EL2与辅助电极联接，则第二电极EL2的电阻可降低。
在一个或多个实施方式中，封盖层CPL可进一步在实施方式的发光元件ED的第二电极EL2上。封盖层CPL可包括多层或单层。在实施方式中，封盖层CPL可包括上述实施方式的胺化合物。
在实施方式中，封盖层CPL可为有机层和/或无机层。例如，当封盖层CPL包括无机材料时，无机材料可包括碱金属化合物(比如LiF)、碱土金属化合物(比如MgF2)、SiON、SiNx、SiOy等。
例如，当封盖层CPL包括有机材料时，有机材料可包括2,2'-二甲基-N,N'-二-[(1-萘基)-N,N'-二苯基]-1,1'-联苯-4,4'-二胺(α-NPD)、NPB、TPD、m-MTDATA、Alq3、CuPc、N4,N4,N4',N4'-四(联苯-4-基)联苯-4,4'-二胺(TPD15)、4,4',4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、环氧树脂和/或丙烯酸酯(比如甲基丙烯酸酯)等。然而，本公开的实施方式不限于此，并且封盖层CPL可包括选自以下化合物P1至P5中的至少一种：
在一个或多个实施方式中，封盖层CPL的折射率可为约1.6或更大。例如，相对于约550nm至约660nm的波长范围内的光，封盖层CPL的折射率可为约1.6或更大。
图7和图8各自为根据实施方式的显示装置的截面图。下文，在参考图7和图8描述实施方式的显示装置中，已经在图1至图6中描述的重复特征不再描述，而是将主要描述它们的差异。
参考图7，根据实施方式的显示装置DD可包括：包括显示元件层DP-ED的显示面板DP，在显示面板DP上的光控制层CCL，和滤色器层CFL。
在图7中示出的实施方式中，显示面板DP可包括基底层BS、提供在基底层BS上的电路层DP-CL以及显示元件层DP-ED，并且显示元件层DP-ED可包括发光元件ED。
发光元件ED可包括第一电极EL1、在第一电极EL1上的空穴传输区HTR、在空穴传输区HTR上的发射层EML、在发射层EML上的电子传输区ETR以及在电子传输区ETR上的第二电极EL2。例如，如上所述的图3至图6的发光元件ED的结构可等同地应用于图7中所示的发光元件ED的结构。
参考图7，发射层EML可在像素限定膜PDL中限定的开口OH中。例如，由像素限定膜PDL划分并且对应于每个发光区PXA-R、PXA-G和PXA-B提供的发射层EML可发射相同波长范围内的光。在实施方式的显示装置DD中，发射层EML可发射蓝光。在一个或多个实施方式中，发射层EML可被提供为整个发光区PXA-R、PXA-G和PXA-B中的公共层。
光控制层CCL可在显示面板DP上。光控制层CCL可包括光转换体。光转换体可为量子点和/或磷光体等。光转换体可通过转换所提供的光波长来发射光。在一个或多个实施方式中，光控制层CCL可包括含有量子点的层和/或含有磷光体的层。
光控制层CCL可包括多个光控制单元CCP1、CCP2和CCP3。光控制单元CCP1、CCP2和CCP3可彼此间隔开。
参考图7，划分图案BMP可在彼此间隔开的光控制单元CCP1、CCP2和CCP3之间，但是本公开的实施方式不限于此。图7示出了划分图案BMP不与光控制单元CCP1、CCP2和CCP3重叠，但是光控制单元CCP1、CCP2和CCP3的边缘的至少一部分可与划分图案BMP重叠。
光控制层CCL可包括：第一光控制单元CCP1，其含有将从发光元件ED提供的第一颜色光转换成第二颜色光的第一量子点QD1；第二光控制单元CCP2，其含有将第一颜色光转换成第三颜色光的第二量子点QD2；和透射第一颜色光的第三光控制单元CCP3。
在实施方式中，第一光控制单元CCP1可提供作为第二颜色光的红光，并且第二光控制单元CCP2可提供作为第三颜色光的绿光。第三光控制单元CCP3可透射作为由发光元件ED提供的第一颜色光的蓝光。例如，第一量子点QD1可为红色量子点，并且第二量子点QD2可为绿色量子点。关于量子点QD1和QD2可应用如上所述的相同内容。
另外，光控制层CCL可进一步包括散射体SP(例如，光散射体SP)。第一光控制单元CCP1可包括第一量子点QD1和散射体SP，第二光控制单元CCP2可包括第二量子点QD2和散射体SP，并且第三光控制单元CCP3可不包括任何量子点，而是包括散射体SP。
散射体SP可为无机颗粒。例如，散射体SP可包括选自TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和中空二氧化硅中的至少一种。散射体SP可包括选自TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和中空二氧化硅中的任一种，或可为选自TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和中空二氧化硅中的至少两种材料的混合物。
第一光控制单元CCP1、第二光控制单元CCP2和第三光控制单元CCP3各自可包括量子点QD1和QD2以及散射体SP分散于其中的基础树脂BR1、BR2和BR3。在实施方式中，第一光控制单元CCP1可包括分散于第一基础树脂BR1中的第一量子点QD1和散射体SP，第二光控制单元CCP2可包括分散于第二基础树脂BR2中的第二量子点QD2和散射体SP，并且第三光控制单元CCP3可包括分散于第三基础树脂BR3中的散射体SP。基础树脂BR1、BR2和BR3是量子点QD1和QD2以及散射体SP分散于其中的介质，并且可由各种适当的树脂组合物形成，这些树脂组合物可通常称为粘合剂。例如，基础树脂BR1、BR2和BR3可为丙烯酸类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、硅酮类树脂、环氧类树脂等。基础树脂BR1、BR2和BR3可为透明树脂。在实施方式中，第一基础树脂BR1、第二基础树脂BR2和第三基础树脂BR3各自可彼此相同或不同。
光控制层CCL可包括隔离层BFL1。隔离层BFL1可用于防止或减少水分和/或氧气(其可在下文称为“水分/氧气”)的渗透。隔离层BFL1可在光控制单元CCP1、CCP2和CCP3上，以阻挡或减少光控制单元CCP1、CCP2和CCP3暴露于水分/氧气。在一个或多个实施方式中，隔离层BFL1可覆盖光控制单元CCP1、CCP2和CCP3。另外，隔离层BFL1可提供在光控制单元CCP1、CCP2和CCP3与滤色器层CFL之间。
隔离层BFL1和BFL2可包括至少一个无机层。在一个或多个实施方式中，隔离层BFL1和BFL2可包括无机材料。例如，隔离层BFL1和BFL2可包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈、氮氧化硅、确保透射率的金属薄膜等。在一个或多个实施方式中，隔离层BFL1和BFL2可进一步包括有机膜。隔离层BFL1和BFL2可由单个层或多个层形成。
在实施方式的显示装置DD中，滤色器层CFL可在光控制层CCL上。例如，滤色器层CFL可直接在光控制层CCL上。在该情况下，可省略隔离层BFL2。
滤色器层CFL可包括遮光单元BM以及滤色器CF1、CF2和CF3。滤色器层CFL可包括透射第二颜色光的第一滤色器CF1，透射第三颜色光的第二滤色器CF2，和透射第一颜色光的第三滤色器CF3。例如，第一滤色器CF1可为红色滤色器，第二滤色器CF2可为绿色滤色器，并且第三滤色器CF3可为蓝色滤色器。滤色器CF1、CF2和CF3各自可包括聚合物光敏树脂以及颜料和/或染料。第一滤色器CF1可包括红色颜料和/或染料，第二滤色器CF2可包括绿色颜料和/或染料，并且第三滤色器CF3可包括蓝色颜料和/或染料。在一个或多个实施方式中，本公开的实施方式不限于此，并且第三滤色器CF3可不包括颜料或染料。第三滤色器CF3可包括聚合物光敏树脂且可不包括颜料或染料。第三滤色器CF3可为透明的。第三滤色器CF3可由透明光敏树脂形成。
此外，在实施方式中，第一滤色器CF1和第二滤色器CF2可为黄色滤色器。第一滤色器CF1和第二滤色器CF2可不分离，而是作为一个滤色器提供。
遮光单元BM可为黑色矩阵。遮光单元BM可包括含有黑色颜料和/或染料的有机遮光材料和/或无机遮光材料。遮光单元BM可防止或减少光泄漏，并且可使相邻滤色器CF1、CF2和CF3之间的边界分离。另外，在实施方式中，遮光单元BM可由蓝色滤色器形成。
第一至第三滤色器CF1、CF2和CF3可分别对应于红色发光区PXA-R、绿色发光区PXA-G和蓝色发光区PXA-B。
基底基板BL可在滤色器层CFL上。基底基板BL可为提供基底表面的构件，滤色器层CFL和光控制层CCL等位于该基底表面上。基底基板BL可为玻璃基板、金属基板、塑料基板等。然而，本公开的实施方式不限于此，并且基底基板BL可为无机层、有机层或包括无机材料和有机材料的复合材料层。在一个或多个实施方式中，可省略基底基板BL。
图8为示出根据实施方式的显示装置的一部分的截面图。图8示出了对应于图7的显示面板DP的一部分的截面图。在实施方式的显示装置DD-TD中，发光元件ED-BT可包括多个发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3。发光元件ED-BT可包括面向彼此的第一电极EL1和第二电极EL2，以及在第一电极EL1和第二电极EL2之间在厚度方向上依次堆叠的多个发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3。发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3各自可包括发射层EML(图7)以及其间有发射层EML(图7)的空穴传输区HTR和电子传输区ETR。
在一个或多个实施方式中，实施方式的显示装置DD-TD中包括的发光元件ED-BT可为具有串联结构并包括多个发射层EML的发光元件。
在图8中示出的实施方式中，从发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3中的每一个发射的每种光可为蓝光。然而，本公开的实施方式不限于此，并且从发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3中的每一个发射的光可在彼此不同的波长范围内。例如，包括发射彼此不同的波长范围内的光的多个发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3的发光元件ED-BT可发射白光。
电荷产生层CGL1和CGL2可在相邻发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3之间。电荷产生层CGL1和CGL2可包括p-型电荷产生层和/或n-型电荷产生层。
选自实施方式的显示装置DD-TD中包括的发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3中的至少一个可含有上述实施方式的胺化合物。
根据本公开的实施方式的发光元件ED可在第一电极EL1和第二电极EL2之间的至少一个功能层中包括上述实施方式的胺化合物，从而表现出改善的发光效率和使用寿命特性。根据实施方式的发光元件ED可在选自第一电极EL1和第二电极EL2之间的空穴传输区HTR、发射层EML和电子传输区ETR中的至少一个中，和/或在封盖层CPL中包括上述实施方式的胺化合物。
例如，根据实施方式的胺化合物可包括在实施方式的发光元件ED的空穴传输区HTR中，并且实施方式的发光元件ED可表现出卓越的发光效率和长使用寿命特性。
上述实施方式的胺化合物具有其中被至少一个氘原子取代的稠环和胺衍生物键合的结构，并且因此，可具有卓越的耐久性和耐热性，从而表现出改善的使用寿命特性。此外，实施方式的胺化合物可具有改善的稳定性和材料的空穴传输能力，从而发光元件ED的长使用寿命和高效率特性可得到改善。
下文，参考实施例和比较例，将更详细地描述根据本公开的实施方式的胺化合物和本公开的实施方式的发光元件。另外，以下所示的实施例仅用于理解本公开，并且本公开的范围不限于此。
实施例
1、合成胺化合物
首先，将通过说明化合物组1的化合物1、6、17、37、44、50、62、84、95、115、119、150和160的合成方法更详细地描述根据本实施方式的胺化合物的合成方法。此外，在下述描述中，胺化合物的合成方法作为示例提供，但是根据本公开的实施方式的合成方法不限于以下实施例。
合成化合物1
根据实施例的胺化合物1可以通过例如以下反应方案1中所示的步骤来合成：
反应方案1
合成化合物1-3
在氩气氛中，在250mL两颈烧瓶中，将化合物1-1(2.38g)溶解于THF(50mL)中，然后在约-78℃下向其逐滴添加2.5M n-BuLi(4.8mL)。将该反应溶液在约-78℃下搅拌约1小时后，向其添加化合物1-2(3.09g)，然后搅拌约12小时。其后，用水猝灭反应，随后用乙醚萃取有机层三次。分离的有机层经无水硫酸镁干燥，并在减压下蒸馏以得到残留物。所得残留物通过柱色谱分离和纯化，以得到化合物1-3(3.32g，产率：71％)。
通过利用快速原子轰击-质谱(FAB-MS)进行测量，通过分子离子峰观察到m/z＝466.09的质量数，从而鉴定化合物1-3。
合成化合物1-4
在氩气氛中，在250mL两颈烧瓶中，添加化合物1-3(4.67g)、乙酸(30mL)和HCl(6mL)并在约60℃下搅拌约4小时。用水猝灭反应，随后用乙醚萃取有机层三次。分离的有机层经无水硫酸镁干燥，并在减压下蒸馏以得到残留物。所得残留物通过柱色谱分离和纯化，以得到化合物1-4(3.58g，产率：80％)。
通过利用FAB-MS进行测量，通过分子离子峰观察到m/z＝447.08的质量数，从而鉴定化合物1-4。
合成化合物1
在氩气氛中，在250mL两颈烧瓶中，将化合物1-4(4.48g)、化合物1-5(3.34g)、Pd2(dba)3(0.46g)、P(t-Bu)3(0.21g)和NaOtBu(2.44g)溶解于甲苯(50mL)中，然后在约80℃下搅拌约1小时。将该反应溶液冷却至室温，然后用水猝灭，随后用乙醚萃取有机层三次。分离的有机层经无水硫酸镁干燥，并在减压下蒸馏以得到残留物。所得残留物通过柱色谱分离和纯化，以得到化合物1(4.70g，产率：67％)。
通过利用FAB-MS进行测量，通过分子离子峰观察到m/z＝701.30的质量数，从而鉴定化合物1。
合成化合物6
根据实施例的胺化合物6可以通过例如以下反应方案2中所示的步骤来合成：
反应方案2
合成化合物6
在氩气氛中，在250mL两颈烧瓶中，将化合物1-4(4.48g)、化合物6-1(3.34g)、Pd2(dba)3(0.46g)、P(t-Bu)3(0.21g)和NaOtBu(2.44g)溶解于甲苯(50mL)中，然后在约80℃下搅拌约1小时。将该反应溶液冷却至室温，然后用水猝灭，随后用乙醚萃取有机层三次。分离的有机层经无水硫酸镁干燥，并在减压下蒸馏以得到残留物。所得残留物通过柱色谱分离和纯化，以得到化合物6(4.90g，产率：60％)。
通过利用FAB-MS进行测量，通过分子离子峰观察到m/z＝817.36的质量数，从而鉴定化合物6。
合成化合物17
根据实施例的胺化合物17可以通过例如以下反应方案3中所示的步骤来合成：
反应方案3
合成化合物17
在氩气氛中，在250mL两颈烧瓶中，将化合物1-4(4.48g)、化合物17-1(5.74g)、Pd2(dba)3(0.46g)、P(t-Bu)3(0.21g)和NaOtBu(2.44g)溶解于甲苯(50mL)中，然后在约80℃下搅拌约1小时。将该反应溶液冷却至室温，然后用水猝灭，随后用乙醚萃取有机层三次。分离的有机层经无水硫酸镁干燥，并在减压下蒸馏以得到残留物。所得残留物通过柱色谱分离和纯化，以得到化合物17(4.90g，产率：60％)。
通过利用FAB-MS进行测量，通过分子离子峰观察到m/z＝817.36的质量数，从而鉴定化合物17。
合成化合物37
根据实施例的胺化合物37可以通过例如以下反应方案4中所示的步骤来合成：
反应方案4
合成化合物37-3
将化合物37-1(2.90g)、Pd(PPh3)4(0.56g)、K2CO3(3.45g)和化合物37-2(1.56g)溶解于THF/H2O(100mL/50mL)中，然后在约80℃下搅拌约12小时。将该反应溶液冷却至室温，然后用水猝灭，随后用乙醚萃取有机层三次。分离的有机层经无水硫酸镁干燥，并在减压下蒸馏以得到残留物。所得残留物通过柱色谱分离和纯化，以得到化合物37-3(1.80g，产率：56％)。
通过利用FAB-MS进行测量，通过分子离子峰观察到m/z＝321.00的质量数，从而鉴定化合物37-3。
合成化合物37-5
在氩气氛中，在250mL两颈烧瓶中，将化合物37-3(3.22g)溶解于THF(50mL)中，然后在约-78℃下向其逐滴添加2.5M n-BuLi(4.8mL)。在将所得反应溶液在约-78℃下搅拌约1小时后，向其添加化合物37-4(1.80g)，然后搅拌约12小时。其后，用水猝灭反应，随后用乙醚萃取有机层三次。分离的有机层经无水硫酸镁干燥，并在减压下蒸馏以得到残留物。所得残留物通过柱色谱分离和纯化，以得到化合物37-5(2.58g，产率：61％)。
通过利用FAB-MS进行测量，通过分子离子峰观察到m/z＝523.15的质量数，从而鉴定化合物37-5。
合成化合物37-6
在氩气氛中，在250mL两颈烧瓶中，添加化合物37-5(4.24g)、乙酸(30mL)和HCl(6mL)并在约60℃下搅拌约4小时。用水猝灭反应，随后用乙醚萃取有机层三次。分离的有机层经无水硫酸镁干燥，并在减压下蒸馏以得到残留物。所得残留物通过柱色谱分离和纯化，以得到化合物37-6(3.20g，产率：79％)。
通过利用FAB-MS进行测量，通过分子离子峰观察到m/z＝405.14的质量数，从而鉴定化合物37-6。
合成化合物37
在氩气氛中，在250mL两颈烧瓶中，将化合物37-6(4.06g)、化合物17-1(5.74g)、Pd2(dba)3(0.46g)、P(t-Bu)3(0.21g)和NaOtBu(2.44g)溶解于邻二甲苯(50mL)中，然后在约160℃下搅拌约1小时。将该反应溶液冷却至室温，然后用水猝灭，随后用乙醚萃取有机层三次。分离的有机层经无水硫酸镁干燥，并在减压下蒸馏以得到残留物。所得残留物通过柱色谱分离和纯化，以得到化合物37(6.79g，产率：72％)。
通过利用FAB-MS进行测量，通过分子离子峰观察到m/z＝944.40的质量数，从而鉴定化合物37。
合成化合物44
根据实施例的胺化合物44可以通过例如以下反应方案5中所示的步骤来合成：
反应方案5
合成化合物44-3
在氩气氛中，在250mL两颈烧瓶中，将化合物44-1(2.67g)溶解于THF(50mL)中，然后在约-78℃下向其逐滴添加2.5M n-BuLi(4.8mL)。在将所得反应溶液在约-78℃下搅拌约1小时后，向其添加化合物44-2(2.30g)，然后搅拌约12小时。其后，用水猝灭反应，随后用乙醚萃取有机层三次。分离的有机层经无水硫酸镁干燥，并在减压下蒸馏以得到残留物。所得残留物通过柱色谱分离和纯化，以得到化合物44-3(2.70g，产率：64％)。
通过利用FAB-MS进行测量，通过分子离子峰观察到m/z＝421.14的质量数，从而鉴定化合物44-3。
合成化合物44-4
在氩气氛中，在250mL两颈烧瓶中，添加化合物44-3(4.22g)、乙酸(30mL)和HCl(6mL)并在约60℃下搅拌约4小时。其后，用水猝灭反应，随后用乙醚萃取有机层三次。分离的有机层经无水硫酸镁干燥，并在减压下蒸馏以得到残留物。所得残留物通过柱色谱分离和纯化，以得到化合物44-4(3.39g，产率：84％)。
通过利用FAB-MS进行测量，通过分子离子峰观察到m/z＝403.13的质量数，从而鉴定化合物44-4。
合成化合物44
在氩气氛中，在250mL两颈烧瓶中，将化合物44-4(4.04g)、化合物84-4(3.34g)、Pd2(dba)3(0.46g)、P(t-Bu)3(0.21g)和NaOtBu(2.44g)溶解于邻二甲苯(50mL)中，然后在约160℃下搅拌约1小时。将该反应溶液冷却至室温，然后用水猝灭，随后用乙醚萃取有机层三次。分离的有机层经无水硫酸镁干燥，并在减压下蒸馏以得到残留物。所得残留物通过柱色谱分离和纯化，以得到化合物44(5.99g，产率：77％)。
通过利用FAB-MS进行测量，通过分子离子峰观察到m/z＝777.33的质量数，从而鉴定化合物44。
合成化合物50
根据实施例的胺化合物50可以通过例如以下反应方案6中所示的步骤来合成：
反应方案6
合成化合物50
在氩气氛中，在250mL两颈烧瓶中，将化合物44-4(4.04g)、化合物50-1(4.40g)、Pd2(dba)3(0.46g)、P(t-Bu)3(0.21g)和NaOtBu(2.44g)溶解于邻二甲苯(50mL)中，然后在约160℃下搅拌约1小时。将该反应溶液冷却至室温，然后用水猝灭，随后用乙醚萃取有机层三次。分离的有机层经无水硫酸镁干燥，并在减压下蒸馏以得到残留物。所得残留物通过柱色谱分离和纯化，以得到化合物50(5.97g，产率：74％)。
通过利用FAB-MS进行测量，通过分子离子峰观察到m/z＝807.29的质量数，从而鉴定化合物50。
合成化合物62
根据实施例的胺化合物62可以通过例如以下反应方案7中所示的步骤来合成：
反应方案7
合成化合物62-3
将化合物62-1(2.90g)、Pd(PPh3)4(0.56g)、K2CO3(3.45g)和化合物62-2(1.22g)溶解于THF/H2O(100mL/25mL)中，然后在约80℃下搅拌约12小时。将该反应溶液冷却至室温，然后用水猝灭，随后用乙醚萃取有机层三次。分离的有机层经无水硫酸镁干燥，并在减压下蒸馏以得到残留物。所得残留物通过柱色谱分离和纯化，以得到化合物62-3(1.84g，产率：64％)。
通过利用FAB-MS进行测量，通过分子离子峰观察到m/z＝287.04的质量数，从而鉴定化合物62-3。
合成化合物62-5
在氩气氛中，在250mL两颈烧瓶中，将化合物62-3(2.88g)溶解于THF(50mL)中，然后在约-78℃下向其逐滴添加2.5M n-BuLi(4.8mL)。在将所得反应溶液在约-78℃下搅拌约1小时后，向其添加化合物62-4(2.57g)，然后搅拌约12小时。其后，用水猝灭反应，随后用乙醚萃取有机层三次。分离的有机层经无水硫酸镁干燥，并在减压下蒸馏以得到残留物。所得残留物通过柱色谱分离和纯化，以得到化合物62-5(2.62g，产率：56％)。
通过利用FAB-MS进行测量，通过分子离子峰观察到m/z＝467.10的质量数，从而鉴定化合物62-5。
合成化合物62-6
在氩气氛中，在250mL两颈烧瓶中，添加化合物62-5(4.24g)、乙酸(30mL)和HCl(6mL)并在约60℃下搅拌约4小时。其后，用水猝灭反应，随后用乙醚萃取有机层三次。分离的有机层经无水硫酸镁干燥，并在减压下蒸馏以得到残留物。所得残留物通过柱色谱分离和纯化，以得到化合物62-6(3.96g，产率：88％)。
通过利用FAB-MS进行测量，通过分子离子峰观察到m/z＝449.09的质量数，从而鉴定化合物62-6。
合成化合物62
在氩气氛中，在250mL两颈烧瓶中，将化合物62-6(4.50g)、化合物62-7(3.84g)、Pd2(dba)3(0.46g)、P(t-Bu)3(0.21g)和NaOtBu(2.44g)溶解于甲苯(50mL)中，然后在约80℃下搅拌约1小时。将该反应溶液冷却至室温，然后用水猝灭，随后用乙醚萃取有机层三次。分离的有机层经无水硫酸镁干燥，并在减压下蒸馏以得到残留物。所得残留物通过柱色谱分离和纯化，以得到化合物62(6.03g，产率：80％)。
通过利用FAB-MS进行测量，通过分子离子峰观察到m/z＝753.33的质量数，从而鉴定化合物62。
合成化合物84
根据实施例的胺化合物84可以通过例如以下反应方案8中所示的步骤来合成：
反应方案8
合成化合物84-2
在氩气氛中，在250mL两颈烧瓶中，将化合物84-1(2.69g)溶解于THF(50mL)中，然后在约-78℃下向其逐滴添加2.5M n-BuLi(4.8mL)。在将所得反应溶液在约-78℃下搅拌1小时后，向其添加化合物44-2(2.30g)，然后搅拌约12小时。用水猝灭反应，随后用乙醚萃取有机层三次。分离的有机层经无水硫酸镁干燥，并在减压下蒸馏以得到残留物。所得残留物通过柱色谱分离和纯化，以得到化合物84-2(2.57g，产率：61％)。
通过利用FAB-MS进行测量，通过分子离子峰观察到m/z＝421.14的质量数，从而鉴定化合物84-2。
合成化合物84-3
在氩气氛中，在250mL两颈烧瓶中，添加化合物84-2(4.22g)、乙酸(30mL)和HCl(6mL)并在约60℃下搅拌约4小时。其后，用水猝灭反应，随后用乙醚萃取有机层三次。分离的有机层经无水硫酸镁干燥，并在减压下蒸馏以得到残留物。所得残留物通过柱色谱分离和纯化，以得到化合物84-3(3.43g，产率：85％)。
通过利用FAB-MS进行测量，通过分子离子峰观察到m/z＝403.13的质量数，从而鉴定化合物84-3。
合成化合物84
在氩气氛中，在250mL两颈烧瓶中，将化合物84-3(4.04g)、化合物84-4(4.10g)、Pd2(dba)3(0.46g)、P(t-Bu)3(0.21g)和NaOtBu(2.44g)溶解于邻二甲苯(50mL)中，然后在160℃下搅拌1小时。将该反应溶液冷却至室温，然后用水猝灭，随后用乙醚萃取有机层三次。分离的有机层经无水硫酸镁干燥，并在减压下蒸馏以得到残留物。所得残留物通过柱色谱分离和纯化，以得到化合物84(5.50g，产率：71％)。
通过利用FAB-MS进行测量，通过分子离子峰观察到m/z＝777.33的质量数，从而鉴定化合物84。
合成化合物95
根据实施例的胺化合物95可以通过例如以下反应方案9中所示的步骤来合成：
反应方案9
合成化合物95
在氩气氛中，在250mL两颈烧瓶中，将化合物84-3(4.04g)、化合物95-1(4.10g)、Pd2(dba)3(0.46g)、P(t-Bu)3(0.21g)和NaOtBu(2.44g)溶解于邻二甲苯(50mL)中，然后在约160℃下搅拌约1小时。将该反应溶液冷却至室温，然后用水猝灭，随后用乙醚萃取有机层三次。分离的有机层经无水硫酸镁干燥，并在减压下蒸馏以得到残留物。所得残留物通过柱色谱分离和纯化，以得到化合物95(5.60g，产率：72％)。
通过利用FAB-MS进行测量，通过分子离子峰观察到m/z＝777.33的质量数，从而鉴定化合物95。
合成化合物115
根据实施例的胺化合物115可以通过例如以下反应方案10中所示的步骤来合成：
反应方案10
合成化合物115-2
将化合物115-1(2.90g)、Pd(PPh3)4(0.56g)、K2CO3(3.45g)和化合物62-2(1.22g)溶解于THF/H2O(100mL/25mL)中，然后在约80℃下搅拌约12小时。将该反应溶液冷却至室温，然后用水猝灭，随后用乙醚萃取有机层三次。分离的有机层经无水硫酸镁干燥，并在减压下蒸馏以得到残留物。所得残留物通过柱色谱分离和纯化，以得到化合物115-2(1.81g，产率：63％)。
通过利用FAB-MS进行测量，通过分子离子峰观察到m/z＝287.04的质量数，从而鉴定化合物115-2。
合成化合物115-4
在氩气氛中，在250mL两颈烧瓶中，将化合物115-2(2.88g)溶解于THF(50mL)中，然后在约-78℃下向其逐滴添加2.5M n-BuLi(4.8mL)。在将所得反应溶液在约-78℃下搅拌约1小时后，向其添加化合物115-3(2.57g)，然后搅拌约12小时。其后，用水猝灭反应，随后用乙醚萃取有机层三次。分离的有机层经无水硫酸镁干燥，并在减压下蒸馏以得到残留物。所得残留物通过柱色谱分离和纯化，以得到化合物115-4(2.62g，产率：56％)。
通过利用FAB-MS进行测量，通过分子离子峰观察到m/z＝467.10的质量数，从而鉴定化合物115-4。
合成化合物115-5
在氩气氛中，在250mL两颈烧瓶中，添加化合物115-4(4.68g)、乙酸(30mL)和HCl(6mL)并在约60℃下搅拌约4小时。其后，用水猝灭反应，随后用乙醚萃取有机层三次。分离的有机层经无水硫酸镁干燥，并在减压下蒸馏以得到残留物。所得残留物通过柱色谱分离和纯化，以得到化合物115-5(4.05g，产率：90％)。
通过利用FAB-MS进行测量，通过分子离子峰观察到m/z＝449.09的质量数，从而鉴定化合物115-5。
合成化合物115
在氩气氛中，在250mL两颈烧瓶中，将化合物115-5(4.50g)、化合物95-1(4.10g)、Pd2(dba)3(0.46g)、P(t-Bu)3(0.21g)和NaOtBu(2.44g)溶解于甲苯(50mL)中，然后在约80℃下搅拌约1小时。将该反应溶液冷却至室温，然后用水猝灭，随后用乙醚萃取有机层三次。分离的有机层经无水硫酸镁干燥，并在减压下蒸馏以得到残留物。所得残留物通过柱色谱分离和纯化，以得到化合物115(5.14g，产率：66％)。
通过利用FAB-MS进行测量，通过分子离子峰观察到m/z＝779.34的质量数，从而鉴定化合物115。
合成化合物119
根据实施例的胺化合物119可以通过例如以下反应方案11中所示的步骤来合成：
反应方案11
合成化合物119
在氩气氛中，在250mL两颈烧瓶中，将化合物115-5(4.50g)、化合物119-1(4.24g)、Pd2(dba)3(0.46g)、P(t-Bu)3(0.21g)和NaOtBu(2.44g)溶解于甲苯(50mL)中，然后在约80℃下搅拌约1小时。将该反应溶液冷却至室温，然后用水猝灭，随后用乙醚萃取有机层三次。分离的有机层经无水硫酸镁干燥，并在减压下蒸馏以得到残留物。所得残留物通过柱色谱分离和纯化，以得到化合物119(6.11g，产率：77％)。
通过利用FAB-MS进行测量，通过分子离子峰观察到m/z＝793.32的质量数，从而鉴定化合物119。
合成化合物150
根据实施例的胺化合物150可以通过例如以下反应方案12中所示的步骤来合成：
反应方案12
合成化合物150-3
将化合物150-1(2.93g)、Pd(PPh3)4(0.56g)、K2CO3(3.45g)和化合物150-2(1.99g)溶解于THF/H2O(100mL/25mL)中，然后在约80℃下搅拌约12小时。将该反应溶液冷却至室温，然后用水猝灭，随后用乙醚萃取有机层三次。分离的有机层经无水硫酸镁干燥，并在减压下蒸馏以得到残留物。所得残留物通过柱色谱分离和纯化，以得到化合物150-3(1.96g，产率：61％)。
通过利用FAB-MS进行测量，通过分子离子峰观察到m/z＝321.00的质量数，从而鉴定化合物150-3。
合成化合物150-4
在氩气氛中，在250mL两颈烧瓶中，将化合物150-3(3.22g)溶解于THF(50mL)中，然后在约-78℃下向其逐滴添加2.5M n-BuLi(4.8mL)。在将所得反应溶液在约-78℃下搅拌约1小时后，向其添加化合物37-4(1.80g)，然后搅拌约12小时。其后，用水猝灭反应，随后用乙醚萃取有机层三次。分离的有机层经无水硫酸镁干燥，并在减压下蒸馏以得到残留物。所得残留物通过柱色谱分离和纯化，以得到化合物150-4(2.53g，产率：60％)。
通过利用FAB-MS进行测量，通过分子离子峰观察到m/z＝422.14的质量数，从而鉴定化合物150-4。
合成化合物150-5
在氩气氛中，在250mL两颈烧瓶中，添加化合物150-4(4.23g)、乙酸(30mL)和HCl(6mL)并在约60℃下搅拌约4小时。用水猝灭反应，随后用乙醚萃取有机层三次。分离的有机层经无水硫酸镁干燥，并在减压下蒸馏以得到残留物。所得残留物通过柱色谱分离和纯化，以得到化合物150-5(3.40g，产率：84％)。
通过利用FAB-MS进行测量，通过分子离子峰观察到m/z＝404.13的质量数，从而鉴定化合物150-5。
合成化合物150
在氩气氛中，在250mL两颈烧瓶中，将化合物150-5(4.05g)、化合物50-1(4.40g)、Pd2(dba)3(0.46g)、P(t-Bu)3(0.21g)和NaOtBu(2.44g)溶解于邻二甲苯(50mL)中，然后在约160℃下搅拌约1小时。将该反应溶液冷却至室温，然后用水猝灭，随后用乙醚萃取有机层三次。分离的有机层经无水硫酸镁干燥，并在减压下蒸馏以得到残留物。所得残留物通过柱色谱分离和纯化，以得到化合物150(5.50g，产率：68％)。
通过利用FAB-MS进行测量，通过分子离子峰观察到m/z＝808.29的质量数，从而鉴定化合物150。
合成化合物160
根据实施例的胺化合物160可以通过例如以下反应方案13中所示的步骤来合成：
反应方案13
合成化合物160
在氩气氛中，在250mL两颈烧瓶中，将化合物150-5(4.05g)、化合物160-1(4.40g)、Pd2(dba)3(0.46g)、P(t-Bu)3(0.21g)和NaOtBu(2.44g)溶解于邻二甲苯(50mL)中，然后在约160℃下搅拌约1小时。将该反应溶液冷却至室温，然后用水猝灭，随后用乙醚萃取有机层三次。分离的有机层经无水硫酸镁干燥，并在减压下蒸馏以得到残留物。所得残留物通过柱色谱分离和纯化，以得到化合物160(6.22g，产率：77％)。
通过利用FAB-MS进行测量，通过分子离子峰观察到m/z＝808.29的质量数，从而鉴定化合物160。
2、发光元件的制造和评估
制造发光元件
在空穴传输层中包括实施方式的胺化合物的实施方式的发光元件如下制造。如上所述的化合物1、化合物6、化合物17、化合物37、化合物44、化合物50、化合物62、化合物84、化合物95、化合物115、化合物119、化合物150和化合物160的胺化合物用作空穴传输层材料，以分别制造实施例1至13的发光元件。
比较例化合物C1和C2用作空穴传输层材料，以分别制造比较例1和比较例2的发光元件。
用于制造装置的实施例化合物和比较例化合物如下所示：
实施例化合物
比较例化合物
用于制造装置的其他化合物
作为第一电极，将其上
厚的ITO已被图案化的玻璃基板通过使用异丙醇和纯水各自超声冲洗约5分钟。在超声冲洗后，用UV射线辐射玻璃基板约30分钟并用臭氧处理。其后，沉积2-TNATA以形成
厚的空穴注入层。然后，沉积实施例化合物或比较例化合物以形成
厚的空穴传输层。
其后，将作为蓝色荧光掺杂剂的ADN和DPAVBi以98:2的重量比共沉积，以形成
厚的发射层。然后，沉积Alq3以形成
厚的电子传输层，并且沉积LiF以形成
厚的电子注入层。
然后，提供Al以形成
厚的第二电极。
在实施例中，通过使用真空沉积设备形成空穴注入层、空穴传输层、发射层、电子传输层、电子注入层和第二电极。
评估发光元件特性
实施例1至13以及比较例1和2的发光元件的评估结果列于表1中。表1中列出了发光元件的驱动电压、亮度、发光效率和半衰期以供比较。在表1中列出的实施例和比较例的特性的评估结果中，发光效率显示在50mA/cm2的电流密度下的效率值，并且半衰期显示在100mA/cm2下的亮度半衰期。同时，确认所制造的发光元件均显示蓝色发射颜色。
实施例和比较例的发光元件的电流密度、电压和发光效率在暗室中通过使用来自Keithley Instruments,Inc.的2400系列源表、来自Konica Minolta,Inc.的CS-200颜色和亮度计、来自Japan National Instrument,Inc.的用于测量的PC Program LabVIEW 8.2来测量。
表1
参考表1的结果，可以看出，使用根据本公开的实施方式的胺化合物作为空穴传输层材料的发光元件的实施例表现出低驱动电压、高亮度、卓越的发光效率和改善的使用寿命特性。即，参考表1，可以看出，与比较例1和2的发光元件相比，实施例1至13的发光元件表现出低驱动电压、高亮度、长使用寿命和高效率特性。
从以上可以看出，与比较例化合物C1相比，实施例化合物具有其中具有螺结构的稠环和胺衍生物键合的分子结构，并且因此，表现出高耐久性以改善例如使用寿命特性，并且由于稳定的分子结构而表现出改善的亮度和高发光效率特性。
另外，可以看出，比较例化合物C2具有如实施例化合物一样的其中具有螺结构的稠环和胺衍生物键合的分子结构，但是与使用比较例化合物C2的情况相比，实施例化合物包括至少一个氘原子作为取代基，从而表现出改善的使用寿命和高发光效率特性。
因此，与比较例1和2相比，实施例1至13显示改善发光效率和发光使用寿命的结果。结果，通过使用具有其中具有被至少一个氘原子取代的螺结构的稠环和胺衍生物键合的结构的实施例的胺化合物，可同时(例如，同步)改善实施例的发光元件的发光元件效率和发光元件使用寿命。
根据实施例的胺化合物具有这样的分子结构，其中具有被至少一个氘原子取代的螺结构的稠环和胺衍生物键合，从而有助于发光元件的低电压、长使用寿命和高效率特性。另外，根据实施例的发光元件可包括实施例的胺化合物，从而同时(例如，同步)表现出长使用寿命和高效率特性。
本公开的实施方式的发光元件可在空穴传输区中包括实施方式的胺化合物，从而表现出高效率和长使用寿命特性。
实施方式的胺化合物可改善发光元件的发光效率和装置使用寿命。
虽然已经参考本公开的示例实施方式描述了本公开的主题，但是将理解，本公开不应限于这些示例实施方式，而是在不脱离本公开的精神和范围的情况下，本领域技术人员可以进行各种改变和修改。
因此，本公开的技术范围不旨在限于本说明书的详细描述中阐述的内容，而是旨在由所附权利要求及其等同物来限定。
Claims (10)
1.一种由式1表示的胺化合物：
[式1]
其中，在式1中，
选自R1至R18中的至少一个为氘原子，并且其余的各自独立地为氢原子、卤素原子、取代的或未取代的甲硅烷基或者取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基，并且
选自R3、R6、R8和R15中的任一个由式2表示：
[式2]
其中，在式2中，
n为选自0至3的整数，
L为取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的亚芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的亚杂芳基，
Ar1和Ar2各自独立地为取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基，并且
-*是指要连接的位置。
2.如权利要求1所述的胺化合物，其中式1由选自式1-1至式1-3中的任一个表示：
[式1-1]
[式1-2]
[式1-3]
其中，在式1-1中，R1至R8和R13至R18各自独立地为氢原子、卤素原子、取代的或未取代的甲硅烷基或者取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基，并且选自R3、R6、R8和R15中的任一个由式2表示，
在式1-2中，R1至R12各自独立地为氢原子、卤素原子、取代的或未取代的甲硅烷基或者取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基，并且当R15为氘原子时，选自R3、R6和R8中的任一个由式2表示，并且
在式1-3中，R1至R4和R9至R18各自独立地为氢原子、卤素原子、取代的或未取代的甲硅烷基或者取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基，并且R3或R15由式2表示。
3.如权利要求1所述的胺化合物，其中式1由选自式1A至式1D中的任一个表示：
[式1A]
[式1B]
[式1C]
[式1D]
其中，在式1A中，选自R5至R18中的至少一个为氘原子，并且其余的为氢原子，并且R1至R4与式1中的相同，
在式1B和式1C中，选自R1至R4和R9至R18中的至少一个为氘原子，并且其余的为氢原子，并且R5至R8与式1中的相同，
在式1D中，选自R1至R14和R16至R18中的至少一个为氘原子，并且其余的为氢原子，并且
在式1A至式1D中，L、n、Ar1和Ar2与式2中的相同。
4.如权利要求1所述的胺化合物，其中Ar1和Ar2各自独立地为取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的萘基、取代的或未取代的芴基、取代的或未取代的联苯基、取代的或未取代的菲基、取代的或未取代的咔唑基、取代的或未取代的吲哚基、取代的或未取代的吡啶基、取代的或未取代的二苯并呋喃基或者取代的或未取代的二苯并噻吩基。
5.如权利要求1所述的胺化合物，其中选自Ar1和Ar2中的任一个为取代的或未取代的咔唑基。
6.如权利要求1所述的胺化合物，其中Ar1和Ar2彼此不同。
7.如权利要求1所述的胺化合物，其中式2由式2-1表示：
[式2-1]
其中，在式2-1中，Ar2与关于式2限定的相同，并且
-*是指要连接的位置。
8.如权利要求1所述的胺化合物，其中，在式2中，当n为1或更大的整数时，
L各自独立地为取代的或未取代的二价苯基、取代的或未取代的二价联苯基、取代的或未取代的二价萘基、取代的或未取代的二价芴基、取代的或未取代的二价菲基、取代的或未取代的二价咔唑基、取代的或未取代的二价吲哚基或者取代的或未取代的二价吡啶基。
9.如权利要求1所述的胺化合物，其中式1由选自化合物组1的化合物中的任一种表示：
[化合物组1]
10.一种发光元件，包括：
第一电极；
在所述第一电极上的第二电极；和
至少一个功能层，所述至少一个功能层在所述第一电极和所述第二电极之间且包括根据权利要求1至9中任一项所述的胺化合物。
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