CN115207232A - 发光二极管 - Google Patents
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Abstract
提供了一种发光二极管，所述发光二极管包括：第一电极；第二电极，设置在第一电极上；以及发射层，设置在第一电极与第二电极之间并且包括由式1表示的多环化合物，从而表现出高发光效率和改善的寿命特性，[式1]
其中，在式1中，X1至X4、a至d、R1至R4和L均与说明书中所定义的相同。
Description
本申请要求于2021年4月6日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0044667号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
公开在此涉及在发射层中包括新型多环化合物的发光二极管。
背景技术
对于有机电致发光显示装置等作为图像显示装置继续积极开发。有机电致发光显示装置是包括所谓的自发光发光二极管的显示装置，在自发光发光二极管中，分别从第一电极和第二电极注入的空穴和电子在发射层中复合，使得发射层中的发光材料发射光以实现显示。
在将发光二极管应用于显示装置时，需要具有低驱动电压、高发光效率和长寿命的发光二极管，并且需要对能够稳定地获得这样的特性的发光二极管的材料不断开发。
近年来，为了实现高效率的发光二极管，正在开发涉及使用三重态能量的磷光发射或使用其中通过三重态激子的碰撞产生单重态激子的三重态-三重态湮灭(TTA)的延迟荧光的技术，并且正在开发使用延迟荧光现象的热激活延迟荧光(TADF)材料。
将理解的是，技术部分的该背景技术部分地旨在提供用于理解技术的有用的背景技术。然而，技术部分的该背景技术也可以包括不是相关领域技术人员在在此公开的主题的相应有效提交日之前已知或领会的一部分的想法、构思或认识。
发明内容
公开提供了一种表现出优异的发光效率和长寿命特性的发光二极管。
实施例提供了一种发光二极管，所述发光二极管可以包括：第一电极；第二电极，设置在第一电极上；以及发射层，设置在第一电极与第二电极之间。第一电极和第二电极可以均独立地包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、In、Sn、Zn、它们的氧化物、它们的化合物或它们的混合物，并且发射层可以包括由式1表示的多环化合物。
[式1]
在式1中，X1至X4可以均独立地为B(Ra)、N(Rb)、C(Rc)(Rd)、O、S或Se，并且a至d可以均独立地为从0至4的整数。Ra至Rd和R1至R4可以均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的具有1个至10个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且L可以是取代或未取代的二价三蝶烯基团或者取代或未取代的二价碳硼烷基团。
在实施例中，由式1表示的多环化合物可以由式1-1表示。
[式1-1]
在式1-1中，X1至X4、a至d、R1至R4和L可以均与式1中所定义的相同。
在实施例中，L可以是由L-1至L-4中的任何一个表示的基团。
在L-2至L-4中，
可以是BH，并且
可以是C。
在实施例中，R1至R4可以均独立地为叔丁基、取代或未取代的苯基或者取代或未取代的联苯基。
在实施例中，X1至X4可以相同。
在实施例中，发射层可以是包括主体和掺杂剂的延迟荧光发射层，并且掺杂剂可以包括多环化合物。
在实施例中，由式1表示的多环化合物可以是选自于化合物组1中的任何一种。
[化合物组1]
在化合物4至化合物6中，CB可以是二价碳硼烷基团。
在实施例中，发射层可以包括：第一主体；第二主体，与第一主体不同；辅助掺杂剂，包括有机金属配合物；以及发光掺杂剂，并且发光掺杂剂可以包括多环化合物。
在实施例中，第一主体可以包括选自于化合物HT-01至化合物HT-09中的任何一种。
在实施例中，第二主体可以包括选自于化合物ET-01至化合物ET-06中的任何一种。
在实施例中，辅助掺杂剂可以包括选自于化合物组P中的至少一种。
[化合物组P]
在实施例中，发射层可以发射具有在约450nm至约470nm的范围内的中心波长的蓝光。
在实施例中，发光二极管还可以包括设置在第二电极上的盖层，并且盖层的折射率可以等于或大于约1.6。
在实施例中，发光二极管可以包括：第一电极；第二电极，设置在第一电极上；以及发射层，设置在第一电极与第二电极之间。发射层可以包括：空穴传输第一主体；电子传输第二主体，与空穴传输第一主体不同；辅助掺杂剂；以及发光掺杂剂，与辅助掺杂剂不同，并且发光掺杂剂可以是由式1表示的多环化合物。
[式1]
在式1中，X1至X4可以均独立地为B(Ra)、N(Rb)、C(Rc)(Rd)、O、S或Se，并且a至d可以均独立地为从0至4的整数。Ra至Rd和R1至R4可以均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的具有1个至10个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基，并且L可以是取代或未取代的二价三蝶烯基团或者取代或未取代的二价碳硼烷基团。
附图说明
包括附图以提供对实施例的进一步理解，并且附图被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了公开的实施例及其原理。通过参照附图详细描述公开的实施例，公开的上方和其它方面和特征将变得更加明显，在附图中：
图1是示出根据实施例的显示装置的平面图；
图2是根据实施例的显示装置的示意性剖视图；
图3是示出根据实施例的发光二极管的示意性剖视图；
图4是示出根据实施例的发光二极管的示意性剖视图；
图5是示出根据实施例的发光二极管的示意性剖视图；
图6是示出根据实施例的发光二极管的示意性剖视图；
图7是根据实施例的显示装置的示意性剖视图；以及
图8是根据实施例的显示装置的示意性剖视图。
具体实施方式
现在将在下文中参照附图更充分地描述公开，在附图中示出了实施例。然而，本公开可以以不同的形式实施，并且不应该被解释为限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达公开的范围。
在附图中，为了易于描述和为了清楚，可以夸大元件的尺寸、厚度、比率和大小。同样的标号始终指同样的元件。
在描述中，将理解的是，当元件(或区域、层、部分等)被称为“在”另一元件“上”、“连接到”或“结合到”另一元件时，该元件(或区域、层、部分等)可以直接在所述另一元件上、连接到或结合到所述另一元件，或者在它们之间可以存在一个或更多个居间元件。以类似的含义，当元件(或区域、层、部分等)被描述为“覆盖”另一元件时，该元件(或区域、层、部分等)可以直接覆盖所述另一元件，或者在它们之间可以存在一个或更多个居间元件。
在描述中，当元件“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件时，不存在居间元件。例如，“直接在……上”可以意味着设置两个层或两个元件，而在它们之间没有诸如粘合元件的附加元件。
如在此所使用的，除非上下文另外清楚地指示，否则以单数使用的表达(诸如“一”、“一个(种/者)”和“所述(该)”)也旨在包括复数形式。
如在此所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。例如，“A和/或B”可以被理解为意味着“A、B或A和B”。术语“和”以及“或”可以以连接或分离的含义使用，并且可以被理解为等同于“和/或”。
出于其含义和解释的目的，术语“……中的至少一个(种/者)”旨在包括“选自于……中的至少一个(种/者)”的含义。例如，“A和B中的至少一个(种/者)”可以被理解为意味着“A、B或A和B”。当术语“……中的至少一个(种/者)”在一列元件(要素)之后时，修饰整列元件(要素)，而不修饰列表中的个别元件(要素)。
将理解的是，尽管在此可以使用术语第一、第二等来描述各种元件，但是这些元件不应该受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离公开的教导的情况下，第一元件可以被称为第二元件。类似地，在不脱离公开的范围的情况下，第二元件可以被称为第一元件。
为了易于描述，在此可以使用“在……下方”、“在……之下”、“下(下部)”、“在……上方”、“上(上部)”等的空间相对术语来描述如附图中所示出的一个元件或组件与另一元件或组件之间的关系。将理解的是，除了附图中所描绘的方位之外，空间相对术语旨在涵盖装置在使用或操作中的不同方位。例如，在附图中所示出的装置被翻转的情况下，位于另一装置“下方”或“之下”的装置可以放置“在”另一装置“上方”。因此，说明性术语“在……下方”可以包括下部位置和上部位置两者。装置也可以在其它方向上定向，因此空间相对术语可以根据方位而不同地解释。
考虑到所讨论的测量和与所述量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，如在此所使用的术语“约(大约)”或“近似”包括所陈述的值，并且意味着在如由本领域普通技术人员所确定的所述值的可接受的偏差范围内。例如，“约(大约)”可以意味着在一个或更多个标准偏差内，或在所陈述的值的±20％、±10％或±5％内。
应该理解的是，术语“包含”、“包括”、“具有”、“含有”及其变型等旨在说明在公开中存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件或它们的组合，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件或它们的组合。
除非在此另外定义或暗示，否则所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，除非在说明书中清楚地定义，否则术语(诸如在常用词典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且不应该以理想化或过于形式化的含义解释。
在描述中，术语“取代或未取代的”可以意味着被选自于由氘原子、卤素原子、氰基、硝基、胺基(或氨基)、甲硅烷基、氧基、硫基、亚磺酰基、磺酰基、羰基、硼基、氧化膦基、硫化膦基、烷基、烯基、炔基、烷氧基、烃环基、芳基和杂环基组成的组中的至少一个取代基取代或未取代的基团。上述取代基中的每个本身可以被取代或未被取代。例如，联苯基可以解释为芳基或解释为被苯基取代的苯基。
在描述中，术语“结合到相邻基团以形成环”可以意味着结合到相邻基团以形成取代或未取代的烃环或者取代或未取代的杂环的基团。烃环可以包括脂肪族烃环和芳香族烃环。杂环可以包括脂肪族杂环和芳香族杂环。烃环和杂环可以均是单环或多环。由彼此结合的基团形成的环可以连接到另一环以形成螺结构。
在描述中，术语“相邻基团”可以意味着对与被对应的取代基取代的原子直接连接的原子进行取代的取代基、对被对应的取代基取代的原子进行取代的另一取代基或者在空间上位于与对应的取代基最近位置处的取代基。例如，1,2-二甲基苯中的两个甲基可以被解释为相互“相邻基团”，并且1,1-二乙基环戊烷中的两个乙基可以被解释为相互“相邻基团”。例如，4,5-二甲基菲中的两个甲基可以被解释为相互“相邻基团”。
在描述中，卤素原子的示例可以包括氟原子、氯原子、溴原子和碘原子。
在描述中，烷基可以是直链型的、支链型的或环型的。烷基中的碳原子数可以为1个至50个、1个至30个、1个至20个、1个至10个或1个至6个。烷基的示例可以包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、2-乙基丁基、3,3-二甲基丁基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、环戊基、1-甲基戊基、3-甲基戊基、2-乙基戊基、4-甲基-2-戊基、正己基、1-甲基己基、2-乙基己基、2-丁基己基、环己基、4-甲基环己基、4-叔丁基环己基、正庚基、1-甲基庚基、2,2-二甲基庚基、2-乙基庚基、2-丁基庚基、正辛基、叔辛基、2-乙基辛基、2-丁基辛基、2-己基辛基、3,7-二甲基辛基、环辛基、正壬基、正癸基、金刚烷基、2-乙基癸基、2-丁基癸基、2-己基癸基、2-辛基癸基、正十一烷基、正十二烷基、2-乙基十二烷基，2-丁基十二烷基、2-己基十二烷基、2-辛基十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、2-乙基十六烷基、2-丁基十六烷基、2-己基十六烷基、2-辛基十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、正十九烷基、正二十烷基、2-乙基二十烷基、2-丁基二十烷基、2-己基二十烷基、2-辛基二十烷基、正二十一烷基、正二十二烷基、正二十三烷基、正二十四烷基、正二十五烷基、正二十六烷基、正二十七烷基、正二十八烷基、正二十九烷基、正三十烷基等，但不限于此。
在描述中，烃环基可以是衍生自脂肪族烃环的任何官能团或取代基。烃环基可以是具有5个至20个成环碳原子的饱和烃环基。
在描述中，芳基可以是衍生自芳香族烃环的任何官能团或取代基。芳基可以是单环芳基或多环芳基。芳基中的成环碳原子数可以为6个至30个、6个至20个或6个至15个。芳基的示例可以包括苯基、萘基、芴基、蒽基、菲基、联苯基、三联苯基、四联苯基、五联苯基、六联苯基、苯并[9,10]菲基、芘基、苯并荧蒽基、
基等，但不限于此。
在描述中，芴基可以被取代，并且两个取代基可以彼此结合以形成螺结构。被取代的芴基的示例如下。然而，实施例不限于此。
在描述中，杂环基可以是衍生自包含B、O、N、P、Si和S中的至少一种作为杂原子的环的任何官能团或取代基。杂环基可以包括脂肪族杂环基和芳香族杂环基。芳香族杂环基可以是杂芳基。脂肪族杂环和芳香族杂环可以均是单环或多环。
在描述中，杂环基可以包含B、O、N、P、Si和S中的至少一种作为杂原子。当杂环基包含两种或更多种杂原子时，两种或更多种杂原子可以彼此相同或不同。杂环基可以是单环杂环基或多环杂环基，并且可以包括杂芳基。杂环基中的成环碳原子数可以为2个至30个、2个至20个或2个至10个。
在描述中，脂肪族杂环基可以包含B、O、N、P、Si和S中的至少一种作为杂原子。脂肪族杂环基中的成环碳原子数可以为2个至30个、2个至20个或2个至10个。脂肪族杂环基的示例可以包括环氧乙烷基、硫杂丙环基、吡咯烷基、哌啶基、四氢呋喃基、四氢噻吩基、硫代环戊烷基、四氢吡喃基、1,4-二噁烷基等，但不限于此。
在描述中，杂芳基可以包括B、O、N、P、Si和S中的至少一种作为杂原子。当杂芳基包含两种或更多种杂原子时，两种或更多种杂原子可以彼此相同或不同。杂芳基可以是单环杂芳基或多环杂芳基。杂芳基中的成环碳原子数可以为2个至30个、2个至20个或2个至10个。杂芳基的示例可以包括噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、三唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、吩噁嗪基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、N-芳基咔唑基、N-杂芳基咔唑基、N-烷基咔唑基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、噻吩并噻吩基、苯并呋喃基、菲咯啉基、噻唑基、异噁唑基、噁唑基、噁二唑基、噻二唑基、吩噻嗪基、二苯并噻咯基、二苯并呋喃基等，但不限于此。
在描述中，除了亚芳基是二价基团之外，芳基的上方描述可以应用于亚芳基。除了亚杂芳基是二价基团之外，杂芳基的上方描述可以应用于亚杂芳基。
在描述中，甲硅烷基可以包括烷基甲硅烷基和芳基甲硅烷基。甲硅烷基的示例可以包括三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、二苯基甲硅烷基、苯基甲硅烷基等，但不限于此。
在描述中，氨基中的碳原子数没有具体限制，但可以是1个至30个。氨基可以包括烷氨基、芳氨基或杂芳氨基。氨基的示例可以包括甲氨基、二甲氨基、苯氨基、二苯氨基、萘氨基、9-甲基-蒽氨基等，但不限于此。
在描述中，羰基中的碳原子数没有具体限制，但可以是1个至40个、1个至30个或1个至20个。例如，羰基可以具有选自于以下基团的结构，但不限于此。
在描述中，亚磺酰基和磺酰基中的碳原子数没有具体限制，但可以是1个至30个。亚磺酰基可以包括烷基亚磺酰基和芳基亚磺酰基。磺酰基可以包括烷基磺酰基和芳基磺酰基。
在描述中，硫基可以包括烷硫基和芳硫基。硫基可以是结合到如上方定义的烷基或芳基的硫原子。硫基的示例可以包括甲硫基、乙硫基、丙硫基、戊硫基、己硫基、辛硫基、十二烷硫基、环戊硫基、环己硫基、苯硫基、萘硫基等，但不限于此。
在描述中，氧基可以是结合到如上方定义的烷基或芳基的氧原子。氧基可以包括烷氧基和芳氧基。烷氧基可以是直链的、支链的或环链的。烷氧基中的碳原子数没有具体限制，但可以是例如1个至20个或1个至10个。氧基的示例可以包括甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、辛氧基、壬氧基、癸氧基、苄氧基等，但不限于此。
在描述中，硼基可以是结合到如上方定义的烷基或芳基的硼原子。硼基可以包括烷基硼基和芳基硼基。硼基的示例可以包括二甲基硼基、二乙基硼基、叔丁基甲基硼基、二苯基硼基、苯基硼基等，但不限于此。
在描述中，烯基可以是直链的或支链的。烯基中的碳原子数没有具体限制，但可以是2个至30个、2个至20个或2个至10个。烯基的示例可以包括乙烯基、1-丁烯基、1-戊烯基、1,3-丁二烯基、苯乙烯基、苯乙烯基乙烯基等，但不限于此。
在描述中，胺基中的碳原子数没有具体限制，但可以为1个至30个。胺基可以包括烷胺基和芳胺基。胺基的示例可以包括甲胺基、二甲胺基、苯胺基、二苯胺基、萘胺基、9-甲基-蒽胺基等，但不限于此。
在描述中，烷基的示例可以包括烷氧基、烷硫基、烷基亚磺酰基、烷基磺酰基、烷芳基、烷氨基、烷基硼基、烷基甲硅烷基和烷胺基。
在描述中，芳基的示例可以包括芳氧基、芳硫基、芳基亚磺酰基、芳基磺酰基、芳氨基、芳基硼基、芳基甲硅烷基和芳胺基。
在描述中，直连键可以是单键。
在描述中，
和*均表示对应式中的结合位。
在下文中，将参照附图描述实施例。
图1是示出显示装置DD的实施例的平面图。图2是实施例的显示装置DD的示意性剖视图。图2是示出对应于图1的线I-I'的部分的示意性剖视图。
显示装置DD可以包括显示面板DP和设置在显示面板DP上的光学层PP。显示面板DP包括发光二极管ED-1、ED-2和ED-3。显示装置DD可以包括多个发光二极管ED-1、ED-2和ED-3。光学层PP可以设置在显示面板DP上，并且可以控制来自外部光而在显示面板DP处的反射光。光学层PP可以包括例如偏振层或滤色器层。尽管未在附图中示出，但是在实施例中，可以从显示装置DD省略光学层PP。
基体基底BL可以设置在光学层PP上。基体基底BL可以提供其上设置有光学层PP的基体表面。基体基底BL可以是玻璃基底、金属基底、塑料基底等。然而，实施例不限于此，并且基体基底BL可以包括无机层、有机层或复合材料层。尽管未在附图中示出，但是在实施例中，可以省略基体基底BL。
根据实施例的显示装置DD还可以包括填充层(未示出)。填充层(未示出)可以设置在显示元件层DP-ED与基体基底BL之间。填充层(未示出)可以是有机材料层。填充层(未示出)可以包括丙烯酸树脂、有机硅类树脂和环氧类树脂中的至少一种。
显示面板DP可以包括基体层BS、设置在基体层BS上的电路层DP-CL和显示元件层DP-ED。显示元件层DP-ED可以包括像素限定层PDL、设置在像素限定层PDL中的发光二极管ED-1、ED-2和ED-3以及设置在发光二极管ED-1、ED-2和ED-3上的封装层TFE。
基体层BS可以提供其上设置有显示元件层DP-ED的基体表面。基体层BS可以是玻璃基底、金属基底、塑料基底等。然而，实施例不限于此，并且基体层BS可以包括无机层、有机层或复合材料层。
在实施例中，电路层DP-CL可以设置在基体层BS上，并且电路层DP-CL可以包括晶体管(未示出)。晶体管(未示出)可以均包括控制电极、输入电极和输出电极。例如，电路层DP-CL可以包括开关晶体管和驱动晶体管，用以驱动显示元件层DP-ED的发光二极管ED-1、ED-2和ED-3。
发光二极管ED-1、ED-2和ED-3可以均具有稍后将描述的图3至图6的实施例的发光二极管ED的结构。发光二极管ED-1、ED-2和ED-3可以均包括第一电极EL1、空穴传输区域HTR、发射层EML-R、EML-G和EML-B、电子传输区域ETR以及第二电极EL2。
图2示出了其中发光二极管ED-1、ED-2和ED-3的发射层EML-R、EML-G和EML-B设置在像素限定层PDL中限定的开口OH中，并且空穴传输区域HTR、电子传输区域ETR和第二电极EL2均设置为遍及发光二极管ED-1、ED-2和ED-3的公共层的实施例。然而，实施例不限于此，并且尽管未在图2中示出，但是在实施例中，空穴传输区域HTR和电子传输区域ETR可以均通过被图案化而设置在像素限定层PDL中限定的开口OH内部。例如，在实施例中，发光二极管ED-1、ED-2和ED-3的空穴传输区域HTR、发射层EML-R、EML-G和EML-B以及电子传输区域ETR可以均通过喷墨印刷方法而被图案化和被设置。
封装层TFE可以覆盖发光二极管ED-1、ED-2和ED-3。封装层TFE可以使显示元件层DP-ED的其它部分密封。封装层TFE可以是薄膜封装层。封装层TFE可以是单个层或多个层的层叠体。封装层TFE可以包括至少一个绝缘层。根据实施例的封装层TFE可以包括至少一个无机膜(在下文中，封装无机膜)。根据实施例的封装层TFE可以包括至少一个有机膜(在下文中，封装有机膜)和至少一个封装无机膜。
封装无机膜可以保护显示元件层DP-ED免受湿气和/或氧的影响，并且封装有机膜可以保护显示元件层DP-ED免受诸如灰尘颗粒的异物的影响。封装无机膜可以包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛、氧化铝等，但实施例不限于此。封装有机膜可以包括丙烯酸化合物、环氧类化合物等。封装有机膜可以包括可光聚合的有机材料，并且实施例不限于此。
封装层TFE可以设置在第二电极EL2上，并且可以设置为填充开口OH。
参照图1和图2，显示装置DD可以包括非发光区域NPXA和发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B。发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以均是发射从发光二极管ED-1、ED-2和ED-3中的每个产生的光的区域。发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以在平面上彼此间隔开。
发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B中的每个可以是通过像素限定层PDL彼此分离的区域。非发光区域NPXA可以是在邻近的发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B之间的区域，并且可以对应于像素限定层PDL。在描述中，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B中的每个可以对应于像素。像素限定层PDL可以使发光二极管ED-1、ED-2和ED-3分离。发光二极管ED-1、ED-2和ED-3的发射层EML-R、EML-G和EML-B可以设置在由像素限定层PDL限定并且彼此分离的开口OH中。
可以根据从发光二极管ED-1、ED-2和ED-3中的每个产生的光的颜色将发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B划分成组。在图1和图2中所示的实施例的显示装置DD中，分别发射红光、绿光和蓝光的三个发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B呈现为示例。例如，实施例的显示装置DD可以包括彼此不同的红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B。
在根据实施例的显示装置DD中，发光二极管ED-1、ED-2和ED-3可以发射具有不同的波长范围的光。例如，在实施例中，显示装置DD可以包括发射红光的第一发光二极管ED-1、发射绿光的第二发光二极管ED-2和发射蓝光的第三发光二极管ED-3。例如，显示装置DD的红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B可以分别对应于第一发光二极管ED-1、第二发光二极管ED-2和第三发光二极管ED-3。
然而，实施例不限于此，并且第一发光二极管ED-1、第二发光二极管ED-2和第三发光二极管ED-3可以发射相同的波长范围内的光或发射至少一个不同的波长范围内的光。例如，第一发光二极管ED-1、第二发光二极管ED-2和第三发光二极管ED-3都可以发射蓝光。
根据实施例的显示装置DD中的发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以以条纹的形式布置。参照图1，红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B可以均沿着第二方向轴DR2布置。在另一实施例中，红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B可以沿着第一方向轴DR1交替地依次布置。
图1和图2示出了发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B在尺寸上都相似，但是实施例不限于此，并且发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以根据发射的光的波长范围而在尺寸上彼此不同。发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的面积可以是在平面图中由与第三方向轴DR3交叉的第一方向轴DR1和第二方向轴DR2定义的面积。
发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的布置不限于图1中所示的布置，并且可以根据显示装置DD所需的显示质量特性以各种组合设置其中布置有红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B的顺序。例如，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以以
构造或以菱形构造布置。
在实施例中，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B中的每个的面积可以在尺寸上彼此不同。例如，在实施例中，绿色发光区域PXA-G可以在尺寸上小于蓝色发光区域PXA-B，但是实施例不限于此。
在下文中，图3至图6均是示出根据实施例的发光二极管ED的示意性剖视图。如图3中所示，根据实施例的发光二极管ED可以包括第一电极EL1、面对第一电极EL1的第二电极EL2以及设置在第一电极EL1与第二电极EL2之间的至少一个功能层。所述至少一个功能层可以包括顺序堆叠的空穴传输区域HTR、发射层EML和电子传输区域ETR。例如，实施例的发光二极管ED可以包括第一电极EL1、空穴传输区域HTR、发射层EML、电子传输区域ETR和第二电极EL2。
与图3相比，图4示出了其中空穴传输区域HTR包括空穴注入层HIL和空穴传输层HTL，并且其中电子传输区域ETR包括电子注入层EIL和电子传输层ETL的实施例的发光二极管ED的示意性剖视图。与图3相比，图5示出了其中空穴传输区域HTR包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL和电子阻挡层EBL，并且其中电子传输区域ETR包括电子注入层EIL、电子传输层ETL和空穴阻挡层HBL的实施例的发光二极管ED的示意性剖视图。与图4相比，图6示出了其中设置有设置在第二电极EL2上的盖层CPL的实施例的发光二极管ED的示意性剖视图。
根据实施例的发光二极管ED可以在发射层EML中包括稍后将描述的实施例的多环化合物。在包括多个发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的实施例的显示装置DD(图2)中，构成至少一个发光区域的发射层EML可以包括稍后将描述的根据实施例的多环化合物。
在根据实施例的发光二极管ED中，第一电极EL1具有导电性。第一电极EL1可以由金属材料、金属合金或导电化合物形成。第一电极EL1可以是阳极或阴极。然而，实施例不限于此。在实施例中，第一电极EL1可以是像素电极。第一电极EL1可以是透射电极、透反射电极或反射电极。第一电极EL1可以包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、In、Sn、Zn、它们的氧化物、它们的化合物或它们的混合物。
当第一电极EL1是透射电极时，第一电极EL1可以包括透明金属氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟锡锌(ITZO)。当第一电极EL1是透反射电极或反射电极时，第一电极EL1可以包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、它们的化合物、它们的混合物(例如，Ag和Mg的混合物)或具有包括从它们中选择的两种或更多种的多层结构的材料(诸如LiF/Ca(例如，LiF和Ca的堆叠结构)或LiF/Al(例如，LiF和Al的堆叠结构))。在实施例中，第一电极EL1可以具有包括由上述材料形成的反射膜或透反射膜以及由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)等形成的透明导电膜的多层结构。例如，第一电极EL1可以具有ITO/Ag/ITO的三层结构，但是实施例不限于此。第一电极EL1可以包括上述金属材料、选自于上述金属材料中的两种或更多种金属材料的组合或上述金属材料的氧化物。第一电极EL1可以具有在约
至约
的范围内的厚度。例如，第一电极EL1可以具有在约
至约
的范围内的厚度。
空穴传输区域HTR设置在第一电极EL1上。空穴传输区域HTR可以包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、缓冲层(未示出)、发光辅助层(未示出)和电子阻挡层EBL中的至少一个。空穴传输区域HTR可以具有例如在约
至约
的范围内的厚度。
空穴传输区域HTR可以是由单种材料形成的层、由不同的材料形成的层或具有由不同的材料形成的层的多层结构。
例如，空穴传输区域HTR可以具有由空穴注入层HIL或空穴传输层HTL形成的单层结构，或者由空穴注入材料或空穴传输材料形成的单层结构。例如，空穴传输区域HTR可以具有由不同的材料形成的单层结构，或者其中空穴注入层HIL/空穴传输层HTL、空穴注入层HIL/空穴传输层HTL/缓冲层(未示出)、空穴注入层HIL/缓冲层(未示出)、空穴传输层HTL/缓冲层(未示出)或空穴注入层HIL/空穴传输层HTL/电子阻挡层EBL从第一电极EL1以其相应的所陈述的顺序堆叠的结构，但是实施例不限于此。
空穴传输区域HTR可以使用各种方法(诸如真空沉积方法、旋涂方法、浇铸方法、朗格缪尔-布洛杰特(LB)方法、喷墨印刷方法、激光印刷方法和激光诱导热成像(LITI)方法)形成。
空穴传输区域HTR可以包括由下方的式H-1表示的化合物。
[式H-1]
在上方的式H-1中，L1和L2可以均独立地为直连键、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基。在式H-1中，a和b可以均独立地为从0至10的整数。当a或b为2或更大时，多个L1基团和多个L2基团可以均独立地为取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基。
在式H-1中，Ar1和Ar2可以均独立地为取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基。在式H-1中，Ar3可以是取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基。
由上方的式H-1表示的化合物可以是单胺化合物。在另一实施例中，由式H-1表示的化合物可以是其中Ar1至Ar3中的至少一个可以包括胺基作为取代基的二胺化合物。例如，由式H-1表示的化合物可以是在Ar1和Ar2中的至少一个中包括取代或未取代的咔唑基的咔唑类化合物或者在Ar1和Ar2中的至少一个中包括取代或未取代的芴基的芴类化合物。
由式H-1表示的化合物可以是选自于下方的化合物组H中的任何一种。然而，化合物组H中列出的化合物呈现为示例，并且由式H-1表示的化合物不限于下方的化合物组H中列出的化合物。
[化合物组H]
空穴传输区域HTR可以包括酞菁化合物(诸如铜酞菁)、N,N'-二苯基-N,N'-双-[4-(苯基-间甲苯基-氨基)-苯基]-联苯-4,4'-二胺(DNTPD)、4,4',4”-[三(3-甲基苯基)苯基氨基]三苯胺(m-MTDATA)、4,4',4”-三(N,N-二苯基氨基)三苯胺(TDATA)、4,4',4”-三(N-(2-萘基)-N-苯基氨基)-三苯胺(2-TNATA)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB或NPD)、含三苯胺聚醚酮(TPAPEK)、4-异丙基-4'-甲基二苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸盐、二吡嗪并[2,3-f:2',3'-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六腈(HAT-CN)等。
空穴传输区域HTR可以包括咔唑类衍生物(诸如N-苯基咔唑和聚乙烯基咔唑)、芴类衍生物、N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(TPD)、三苯胺类衍生物(诸如4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA))、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)、4,4'-亚环己基双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)、4,4'-双[N,N'-(3-甲苯基)氨基]-3,3'-二甲基联苯(HMTPD)、1,3-双(N-咔唑基)苯(mCP)等。
空穴传输区域HTR可以包括9-(4-叔丁基苯基)-3,6-双(三苯基甲硅烷基)-9H-咔唑(CzSi)、9-苯基-9H-3,9'-联咔唑(CCP)、1,3-双(1,8-二甲基-9H-咔唑-9-基)苯(mDCP)等。
空穴传输区域HTR可以在空穴注入层HIL、空穴传输层HTL和电子阻挡层EBL中的至少一个中包括上方描述的空穴传输区域HTR的化合物。
空穴传输区域HTR可以具有在约
至约
的范围内的厚度。例如，空穴传输区域HTR可以具有在约
至约
的范围内的厚度。当空穴传输区域HTR包括空穴注入层HIL时，空穴注入层HIL可以具有例如在约
至约
的范围内的厚度。当空穴传输区域HTR包括空穴传输层HTL时，空穴传输层HTL可以具有在约
至约
的范围内的厚度。当空穴传输区域HTR包括电子阻挡层EBL时，电子阻挡层EBL可以具有例如在约
至约
的范围内的厚度。当空穴传输区域HTR、空穴注入层HIL、空穴传输层HTL和电子阻挡层EBL的厚度满足上述范围时，可以获得令人满意的空穴传输性质而不显著增大驱动电压。
除了上述材料之外，空穴传输区域HTR还可以包括电荷产生材料以增加导电性。电荷产生材料可以均匀地或非均匀地分散在空穴传输区域HTR中。电荷产生材料可以是例如p掺杂剂。p掺杂剂可以包括卤化金属化合物、醌衍生物、金属氧化物和含氰基化合物中的至少一种，但不限于此。例如，p掺杂剂可以包括卤化金属化合物(诸如CuI和RbI)、醌衍生物(诸如四氰基醌二甲烷(TCNQ)和2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ))、金属氧化物(诸如氧化钨和氧化钼)、含氰基化合物(诸如二吡嗪并[2,3-f:2',3'-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六腈(HAT-CN)和4-[[2,3-双[氰基-(4-氰基-2,3,5,6-四氟苯基)亚甲基]亚环丙基]-氰基甲基]-2,3,5,6-四氟苄腈(NDP9))等，但不限于此。
如上方所描述的，除了空穴注入层HIL和空穴传输层HTL之外，空穴传输区域HTR还可以包括缓冲层(未示出)和电子阻挡层EBL中的至少一个。缓冲层(未示出)可以根据从发射层EML发射的光的波长来补偿谐振距离，并且因此可以增加发光效率。可以包括在空穴传输区域HTR中的材料可以用作包括在缓冲层(未示出)中的材料。电子阻挡层EBL是可以防止电子从电子传输区域ETR注入到空穴传输区域HTR的层。
发射层EML设置在空穴传输区域HTR上。发射层EML可以具有例如在约
至约
的范围内的厚度。例如，发射层EML可以具有在约
至约
的范围内的厚度。发射层EML可以是由单种材料形成的层、由不同的材料形成的层或具有由不同的材料形成的层的多层结构。
根据实施例的发光二极管ED可以在发射层EML中包括实施例的多环化合物。实施例的多环化合物可以由下方的式1表示。
[式1]
在式1中，X1至X4可以均独立地为B(Ra)、N(Rb)、C(Rc)(Rd)、O、S或Se。在式1中，Ra至Rd可以均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的具有1个至10个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基。
在实施例中，X1至X4可以相同。然而，实施例不限于此，并且X1至X4中的至少一个可以与其它不同。
在实施例中，Ra至Rd可以均独立地为取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基等。然而，实施例不限于此。
在式1中，a至d可以均独立地为从0至4的整数，并且R1至R4可以均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的具有1个至10个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基。
当a至d为1或更大时，R1至R4可以均独立地为取代或未取代的具有1个至10个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基。例如，在实施例中，R1至R4可以均独立地为叔丁基、取代或未取代的苯基或者取代或未取代的联苯基。然而，实施例不限于此。
在式1中，L可以是取代或未取代的二价三蝶烯基团或者取代或未取代的二价碳硼烷基团。例如，L可以是未取代的二价三蝶烯基团或未取代的二价碳硼烷基团。
在式1中，L可以是由下方的L-1至L-4中的任何一个表示的基团。
L-2至L-4均表示二价碳硼烷基团，并且在L-2至L-4中，
是BH，并且
表示成环原子C。L-2表示邻位碳硼烷基团，L-3表示间位碳硼烷基团，并且L-4表示对位碳硼烷基团。
例如，根据实施例的多环化合物可以具有呈通过庞大的(体积大的)连接基团连接的二聚体形式的化合物骨架结构。实施例的多环化合物可以具有其中含有硼(B)原子的两个DABNA衍生物通过连接基团连接的结构。在实施例中，通过连接基团连接的两个DABNA衍生物可以相对于连接基团对称。然而，实施例不限于此。
呈通过连接基团连接的二聚体形式的实施例的多环化合物防止相邻多环化合物之间的聚集，从而在形成发光二极管ED的有机层时提高成膜质量。实施例的多环化合物可以与用作能量转移剂的辅助掺杂剂一起使用，以增加福斯特(Forster)能量转移并防止德克斯特(Dexter)能量转移，使得在发射层EML中包括实施例的多环化合物的发光二极管ED的寿命延长和效率增加。
由式1表示的实施例的多环化合物可以由下方的式1-1表示。
[式1-1]
在上方的式1-1中，X1至X4、a至d、R1至R4和L可以均与式1中所定义的相同。例如，实施例的多环化合物可以包括二价三蝶烯基团或二价碳硼烷基团作为连接基团，并且可以具有其中被称为DABNA衍生物的多环衍生物通过在与被称为DABNA衍生物的多环衍生物的硼原子相对的对位处的连接基团彼此连接的结构。通过连接基团L连接的两个DABNA衍生物可以具有相同的结构。然而，实施例不限于此。
由式1表示的实施例的多环化合物可以是选自于下方的化合物组1中的任何一种。实施例的发光二极管ED可以在发射层EML中包括选自于下方的化合物组1中的至少一种多环化合物。
[化合物组1]
在化合物组1的化合物4至化合物6中，“CB”表示二价碳硼烷基团。例如，在化合物4至化合物6中，“CB”可以由上方描述的L-2至L-4之中的任何一个表示。在实施例中，在化合物4至化合物6中，“CB”可以具有如上方所描述的L-3的结构。
由式1表示的实施例的多环化合物可以用作荧光发光材料或热激活延迟荧光(TADF)材料。例如，实施例的多环化合物可以用作发射蓝光的发光掺杂剂。在实施例中，实施例的多环化合物可以用作TADF掺杂剂材料。
实施例的多环化合物可以是具有等于或小于约490nm的中心发光波长(λmax)的发光材料。例如，在实施例中，由式1表示的实施例的多环化合物可以是具有在约450nm至约470nm的范围内的中心发光波长的发光材料。例如，实施例的多环化合物可以是蓝色热激活延迟荧光掺杂剂。然而，实施例不限于此。
在图3至图6中所示的实施例的发光二极管ED中，发射层EML可以包括主体和掺杂剂，并且发射层EML可以包括上方描述的实施例的多环化合物作为掺杂剂。在实施例中，掺杂剂可以包括实施例的多环化合物。此外，发射层EML可以是延迟荧光发射层。
在实施例的发光二极管ED中，发射层EML可以包括第一主体、第二主体、辅助掺杂剂和发光掺杂剂。在实施例中，第一主体和第二主体可以彼此不同。在实施例中，辅助掺杂剂可以包括有机金属配合物。在实施例中，发光掺杂剂可以包括由上方描述的式1表示的实施例的多环化合物。
在实施例中，第一主体可以是空穴传输主体，并且第二主体可以是电子传输主体。实施例的发射层EML的第一主体可以包括选自于下方的HT-01至HT-09中的至少一种。
实施例的发射层EML的第二主体可以包括选自于下方的ET-01至ET-06中的至少一种。
在实施例的发光二极管ED中，发射层EML可以包括有机金属配合物。例如，在实施例的发光二极管ED中，发射层EML可以包括包含有机金属配合物的辅助掺杂剂。在实施例中，包括在发射层EML中的辅助掺杂剂可以被称为磷光敏化剂。在实施例的发光二极管ED中，包括在发射层EML中的磷光敏化剂可以将能量转移到发光掺杂剂以增加发光掺杂剂的荧光发射率。
在发光二极管ED中，实施例的发射层EML的辅助掺杂剂可以包括选自于化合物组P中的至少一种。
[化合物组P]
然而，实施例不限于此，并且在另一实施例中，发光二极管ED可以包括磷光掺杂剂材料，该磷光掺杂剂材料包括有机金属配合物作为辅助掺杂剂。
实施例的发光二极管ED包括发射层EML，并因此可以表现出优异的器件寿命和提高的发光效率特性，该发射层EML包括如上方所描述的第一主体和第二主体、包含有机金属配合物的辅助掺杂剂和包含上方描述的实施例的多环化合物的发光掺杂剂。
除了上方描述的实施例的多环化合物、上方描述的第一主体和第二主体以及辅助掺杂剂材料之外，实施例的发光二极管ED还可以包括下方的发射层材料。在实施例的发光二极管ED中，发射层EML可以包括蒽衍生物、芘衍生物、荧蒽衍生物、
衍生物、二氢苯并蒽衍生物或苯并[9,10]菲衍生物。例如，在实施例中，发射层EML可以包括蒽衍生物或芘衍生物。
在图3至图6中所示的实施例的发光二极管ED中，发射层EML可以包括主体和掺杂剂，并且发射层EML可以包括由下方的式E-1表示的化合物。可以包括由下方的式E-1表示的化合物作为荧光主体材料。
[式E-1]
在式E-1中，R31至R40可以均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的硫基、取代或未取代的氧基、取代或未取代的具有1个至10个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至10个碳原子的烯基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可以可选地结合到相邻基团以形成环。在式E-1中，R31至R40可以结合到相邻基团以形成饱和烃环、不饱和烃环、饱和杂环或不饱和杂环。
在式E-1中，c和d可以均独立地为从0至5的整数。
由式E-1表示的化合物可以是选自于下方的化合物E1至化合物E19中的任何一种。
在实施例中，发射层EML可以包括由下方的式E-2a或式E-2b表示的化合物。由下方的式E-2a或式E-2b表示的化合物可以用作磷光主体材料。
[式E-2a]
在式E-2a中，a可以是从0至10的整数，并且La可以是直连键、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基。当a为2或更大时，多个La基团可以均独立地为取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基。
在式E-2a中，A1至A5可以均独立地为N或C(Ri)。Ra至Ri可以均独立地为氢原子、氘原子、取代或未取代的胺基、取代或未取代的硫基、取代或未取代的氧基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至20个碳原子的烯基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可以可选地结合到相邻基团以形成环。Ra至Ri可以结合到相邻基团以形成烃环或含有N、O、S等作为成环原子的杂环。
在式E-2a中，A1至A5中的两个或三个可以是N，并且A1至A5中的其余可以是C(Ri)。
[式E-2b]
在式E-2b中，Cbz1和Cbz2可以均独立地为未取代的咔唑基或取代有具有6个至30个成环碳原子的芳基的咔唑基。Lb可以是直连键、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基。在式E-2b中，b可以是从0至10的整数，并且当b为2或更大时，多个Lb基团可以均独立地为取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基。
由式E-2a或式E-2b表示的化合物可以是选自于下方的化合物组E-2中的任何一种。然而，下方的化合物组E-2中列出的化合物呈现为示例，并且由式E-2a或式E-2b表示的化合物不限于下方的化合物组E-2中列出的化合物。
[化合物组E-2]
发射层EML还可以包括本领域中的通用材料作为主体材料。例如，发射层EML可以包括双[2-(二苯基膦基)苯基]醚氧化物(DPEPO)、4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(CBP)、1,3-双(咔唑-9-基)苯(mCP)、2,8-双(二苯基磷酰基)二苯并呋喃(PPF)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)-三苯胺(TCTA)和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯(TPBi)之中的至少一种作为主体材料。然而，实施例不限于此，并且例如，三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、2-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)、二苯乙烯基亚芳基化物(DSA)、4,4'-双(9-咔唑基)-2,2'-二甲基-联苯(CDBP)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)、六苯基环三磷腈(CP1)、1,4-双(三苯基甲硅烷基)苯(UGH2)、六苯基环三硅氧烷(DPSiO3)、八苯基环四硅氧烷(DPSiO4)等可以用作主体材料。
发射层EML可以包括由下方的式M-a或式M-b表示的化合物。由下方的式M-a或式M-b表示的化合物可以用作磷光掺杂剂材料。在实施例中，由式M-a或式M-b表示的化合物可以用作辅助掺杂剂材料。
[式M-a]
在上方的式M-a中，Y1至Y4和Z1至Z4可以均独立地为C(R1)或N，并且R1至R4可以均独立地为氢原子、氘原子、取代或未取代的胺基、取代或未取代的硫基、取代或未取代的氧基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至20个碳原子的烯基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可以可选地结合到相邻基团以形成环。在式M-a中，m可以是0或1，并且n可以是2或3。在式M-a中，当m是0时，n可以是3，并且当m是1时，n可以是2。
由式M-a表示的化合物可以用作磷光掺杂剂。下方的化合物M-a1至化合物M-a25可以用作磷光掺杂剂。
由式M-a表示的化合物可以是选自于下方的化合物M-a1至化合物M-a21中的任何一种。然而，化合物M-a1至化合物M-a21在下方呈现为示例，并且由式M-a表示的化合物不限于化合物M-a1至化合物M-a21。
化合物M-a1和化合物M-a2可以用作红色掺杂剂材料，并且化合物M-a3至化合物M-a25可以用作绿色掺杂剂材料。
[式M-b]
在式M-b中，Q1至Q4可以均独立地为C或N，并且C1至C4可以均独立地为取代或未取代的具有5个至30个成环碳原子的烃环或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂环。L21至L24可以均独立地为直连键、
取代或未取代的具有1个至20个碳原子的二价烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基，并且e1至e4可以均独立地为0或1。在式M-b中，R31至R39可以均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可以可选地结合到相邻基团以形成环，并且d1至d4可以均独立地为从0至4的整数。
由式M-b表示的化合物可以用作蓝色磷光掺杂剂或用作绿色磷光掺杂剂。在实施例中，可以在发射层EML中进一步包括由式M-b表示的化合物作为辅助掺杂剂。
由式M-b表示的化合物可以是选自于化合物M-b-1至化合物M-b-12中的任何一种。然而，下方的化合物呈现为示例，并且由式M-b表示的化合物不限于化合物M-b-1至化合物M-b-12。
在化合物M-b-1至化合物M-b-12中，R、R38和R39可以均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基。
发射层EML还可以包括由下方的式F-a至式F-c中的任何一个表示的化合物。由下方的式F-a至式F-c表示的化合物可以用作荧光掺杂剂材料。
[式F-a]
在上方的式F-a中，选自于Ra至Rj中的两个可以均独立地被*-NAr1Ar2取代。Ra至Rj中的未被*一NAr1Ar2取代的其余可以均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基。在基团*一NAr1Ar2中，Ar1和Ar2可以均独立地为取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基。例如，Ar1和Ar2中的至少一个可以是含有O或S作为成环原子的杂芳基。
[式F-b]
在上方的式F-b中，Ra和Rb可以均独立地为氢原子、氘原子、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至20个碳原子的烯基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可以可选地结合到相邻基团以形成环。
在式F-b中，U和V可以均独立地为取代或未取代的具有5个至30个成环碳原子的烃环或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂环。
在式F-b中，由U和V表示的环的数量可以均独立地为0或1。例如，在式F-b中，当U或V的数量为1时，缩合环可以存在于由U或V指示的位置处，并且当U或V的数量为0时，环可以不存在于由U或V指示的位置处。当U的数量为0且V的数量为1时，或当U的数量为1且V的数量为0时，式F-b的具有芴核的缩合环可以是具有四个环的环化合物。当U和V都是0时，式F-b的缩合环可以是具有三个环的环化合物。当U和V都是1时，式F-b的具有芴核的缩合环可以是具有五个环的环化合物。
在式F-b中，Ar1至Ar4可以均独立地为
[式F-c]
在式F-c中，A1和A2可以均独立地为O、S、Se或N(Rm)，并且Rm可以为氢原子、氘原子、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基。在式F-c中，R1至R11可以均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的硼基、取代或未取代的氧基、取代或未取代的硫基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可以可选地结合到相邻基团以形成环。
在式F-c中，A1和A2可以均独立地结合到邻近的环的取代基以形成缩合环。例如，当A1和A2均独立地为N(Rm)时，A1可以结合到R4或R5以形成环。例如，A2可以结合到R7或R8以形成环。
发射层EML可以包括苯乙烯基衍生物(例如，1,4-双[2-(3-N-乙基咔唑基)乙烯基]苯(BCzVB)、4-(二-对甲苯基氨基)-4'-[(二-对甲苯基氨基)苯乙烯基]茋(DPAVB)和N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(二苯基氨基)苯乙烯基)萘-2-基)乙烯基)苯基)-N-苯基苯胺(N-BDAVBi))、苝及其衍生物(例如，2,5,8,11-四叔丁基苝(TBP))、芘及其衍生物(例如，1,1'-二芘、1,4-二芘基苯、1,4-双(N,N-二苯基氨基)芘)等作为掺杂剂材料。
在实施例中，当包括多个发射层EML时，至少一个发射层EML可以包括磷光掺杂剂材料。例如，包括铱(Ir)、铂(Pt)、锇(Os)、金(Au)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)或铥(Tm)的金属配合物可以用作磷光掺杂剂。例如，双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酸合铱(III)(FIrpic)、双(2,4-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸铱(III)(FIr6)、八乙基卟啉铂(PtOEP)等可以用作磷光掺杂剂。然而，实施例不限于此。
至少一个发射层EML可以包括量子点材料。量子点可以是II-VI族化合物、III-VI族化合物、I-III-VI族化合物、III-V族化合物、III-II-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物或它们的组合。
II-VI族化合物可以是：二元化合物，选自于由CdSe、CdTe、CdS、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS和它们的混合物组成的组；三元化合物，选自于由CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS和它们的混合物组成的组；四元化合物，选自于由HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe和它们的混合物组成的组；或者它们的任何组合。
III-VI族化合物可以是：二元化合物(诸如In2S3和In2Se3)；三元化合物(诸如InGaS3和InGaSe3)；或者它们的任何组合。
I-III-VI族化合物可以是：三元化合物，选自于由AgInS、AgInS2、CuInS、CuInS2、AgGaS2、CuGaS2、CuGaO2、AgGaO2、AgAlO2和它们的任何混合物组成的组；四元化合物，诸如AgInGaS2和CuInGaS2；或者它们的任何组合。
III-V族化合物可以是：二元化合物，选自于由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb和它们的混合物组成的组；三元化合物，选自于由GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InAlP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb和它们的混合物组成的组；四元化合物，选自于由GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb和它们的混合物组成的组；或者它们的任何组合。III-V族化合物可以进一步包括II族金属。例如，可以选择InZnP等作为III-II-V族化合物。
IV-VI族化合物可以是：二元化合物，选自于由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe和它们的混合物组成的组；三元化合物，选自于由SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe和它们的混合物组成的组；四元化合物，选自于由SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe和它们的混合物组成的组；或者它们的任何组合。IV族元素可以选自于由Si、Ge和它们的混合物组成的组。IV族化合物可以是选自于由SiC、SiGe和它们的混合物组成的组的二元化合物。
二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以均匀的浓度分布存在于颗粒中，或者可以以部分不同的浓度分布存在于颗粒中。在实施例中，量子点可以具有其中一个量子点围绕另一量子点的核/壳结构。核/壳结构可以具有其中存在于壳中的元素的浓度朝向核降低的浓度梯度。
在实施例中，量子点可以具有包括上方所描述的具有纳米晶体的核和围绕核的壳的核/壳结构。量子点的壳可以是防止核的化学变形以保持半导体性质的保护层和/或可以是赋予量子点电泳性质的荷电层。壳可以是单个层或可以包括多个层。量子点的壳的示例可以是金属氧化物、非金属氧化物、半导体化合物或它们的组合。
例如，金属氧化物或非金属氧化物可以是：二元化合物，诸如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4、NiO；或三元化合物，诸如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4和CoMn2O4，但实施例不限于此。
半导体化合物的示例可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb等，但是实施例不限于此。
量子点可以具有等于或小于约45nm的发光波长光谱的半峰全宽(FWHM)。例如，量子点可以具有等于或小于约40nm的发光波长光谱的FWHM。例如，量子点可以具有等于或小于约30nm的发光波长光谱的FWHM。可以在上方的范围内提高色纯度或颜色再现性。通过量子点发射的光可以在所有方向上发射，因此，可以改善宽视角。
量子点的形式没有具体限制，只要它是本领域常用的形式即可。例如，量子点可以具有球形形状、金字塔形形状、多臂形形状或立方体形状，或者量子点可以呈纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维、纳米片等的形式。
量子点可以根据其粒径来控制发射的光的颜色，因此，量子点可以具有各种光发射颜色(诸如蓝色、红色、绿色等)。
在图3至图6中所示的实施例的发光二极管ED中，电子传输区域ETR设置在发射层EML上。电子传输区域ETR可以包括空穴阻挡层HBL、电子传输层ETL和电子注入层EIL中的至少一个，但实施例不限于此。
电子传输区域ETR可以是由单种材料形成的层、由不同的材料形成的层或具有由不同的材料形成的层的多层结构。
例如，电子传输区域ETR可以具有电子注入层EIL或电子传输层ETL的单层结构，或者可以具有由电子注入材料和电子传输材料形成的单层结构。电子传输区域ETR可以具有由不同的材料形成的单层结构，或者可以具有其中电子传输层ETL/电子注入层EIL、空穴阻挡层HBL/电子传输层ETL/电子注入层EIL或电子传输层ETL/缓冲层(未示出)/电子注入层EIL从发射层EML以其相应的所陈述的顺序堆叠的结构，但实施例不限于此。电子传输区域ETR可以具有例如在约
至约
的范围内的厚度。
电子传输区域ETR可以使用各种方法(诸如真空沉积方法、旋涂方法、浇铸方法、朗格缪尔-布洛杰特(LB)方法、喷墨印刷方法、激光印刷方法、激光诱导热成像(LITI)方法等)形成。
电子传输区域ETR可以包括由下方的式ET-1表示的化合物。
[式ET-1]
在式ET-1中，X1至X3中的至少一个可以是N，并且X1至X3中的其余可以是C(Ra)。Ra可以为氢原子、氘原子、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基。在式ET-1中，Ar1至Ar3可以均独立地为氢原子、氘原子、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基。
在式ET-1中，a至c可以均独立地为从0至10的整数。在式ET-1中，L1至L3可以均独立地为直连键、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基。当a至c为2或更大时，L1至L3可以均独立地为取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基。
电子传输区域ETR可以包括蒽类化合物。然而，实施例不限于此，并且电子传输区域ETR可以包括例如三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、1,3,5-三[(3-吡啶基)-苯-3-基]苯、2,4,6-三(3'-(吡啶-3-基)联苯-3-基)-1,3,5-三嗪、2-(4-(N-苯基苯并咪唑-1-基)苯基)-9,10-二萘基蒽、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯(TPBi)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(tBu-PBD)、双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝(BAlq)、双(苯并喹啉-10-羟基)铍(Bebq2)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、1,3-双[3,5-二(吡啶-3-基)苯基]苯(BmPyPhB)、二苯基(4-(三苯基甲硅烷基)苯基)氧化膦(TSPO1)或它们的混合物。
电子传输区域ETR可以包括金属卤化物(诸如LiF、NaCl、CsF、RbCl、RbI、CuI和KI)、镧系金属(诸如Yb)或金属卤化物和镧系金属的共沉积材料。例如，电子传输区域ETR可以包括KI:Yb、RbI:Yb等作为共沉积材料。电子传输区域ETR可以使用诸如Li2O和BaO的金属氧化物或8-羟基-喹啉锂(Liq)等形成，但是实施例不限于此。电子传输区域ETR也可以由电子传输材料和绝缘的有机金属盐的混合材料形成。有机金属盐可以是具有等于或大于约4eV的能带隙的材料。例如，有机金属盐可以包括金属乙酸盐、金属苯甲酸盐、金属乙酰乙酸盐、金属乙酰丙酮酸盐或金属硬脂酸盐。
除了上方描述的材料之外，电子传输区域ETR还可以包括例如2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)和4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)中的至少一种，但实施例不限于此。
电子传输区域ETR可以在电子注入层EIL、电子传输层ETL和空穴阻挡层HBL中的至少一个中包括上方描述的电子传输区域ETR的化合物。
当电子传输区域ETR包括电子传输层ETL时，电子传输层ETL可以具有在约
至约
的范围内的厚度。例如，电子传输层ETL可以具有在约
至约
的范围内的厚度。当电子传输层ETL的厚度满足上述范围时，可以获得令人满意的电子传输性质而不显著增大驱动电压。当电子传输区域ETR包括电子注入层EIL时，电子注入层EIL可以具有在约
至约
的范围内的厚度。例如，电子注入层EIL可以具有在约
至约
的范围内的厚度。当电子注入层EIL的厚度满足上述范围时，可以获得令人满意的电子注入性质而不显著增大驱动电压。
第二电极EL2设置在电子传输区域ETR上。第二电极EL2可以是共电极。第二电极EL2可以是阴极或阳极，但实施例不限于此。例如，当第一电极EL1是阳极时，第二电极EL2可以是阴极，并且当第一电极EL1是阴极时，第二电极EL2可以是阳极。第二电极EL2可以包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、In、Sn、Zn、它们的氧化物、它们的化合物或它们的混合物。
第二电极EL2可以是透射电极、透反射电极或反射电极。当第二电极EL2是透射电极时，第二电极EL2可以由透明金属氧化物(例如，氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)等)形成。
当第二电极EL2是透反射电极或反射电极时，第二电极EL2可以包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、它们的化合物、它们的混合物(例如，AgMg、AgYb或MgYb)或具有包括从它们中选择的两种或更多种的多层结构的材料(诸如LiF/Ca(例如，LiF和Ca的堆叠结构)或LiF/Al(例如，LiF和Al的堆叠结构))。在实施例中，第二电极EL2可以具有多层结构，该多层结构包括由上述材料形成的反射膜或透反射膜以及由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)等形成的透明导电膜。例如，第二电极EL2可以包括上述金属材料、选自于上述金属材料中的两种或更多种金属材料的组合或上述金属材料的氧化物。
尽管未在附图中示出，但是第二电极EL2可以电连接到辅助电极。当第二电极EL2电连接到辅助电极时，第二电极EL2的电阻可以减小。
在实施例中，发光二极管ED还可以包括设置在第二电极EL2上的盖层CPL。盖层CPL可以是多层或单个层。
在实施例中，盖层CPL可以包括有机层或无机层。例如，当盖层CPL包括无机材料时，无机材料可以包括诸如LiF的碱金属化合物、诸如MgF2的碱土金属化合物、SiON、SiNx、SiOy等。
例如，当盖层CPL包括有机材料时，有机材料可以包括α-NPD、NPB、TPD、m-MTDATA、Alq3、CuPc、N4,N4,N4',N4'-四(联苯-4-基)联苯-4,4'-二胺(TPD15)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)等，或者可以包括环氧树脂或诸如甲基丙烯酸酯的丙烯酸酯。然而，实施例不限于此，并且盖层CPL可以包括下方的化合物P1至化合物P5中的至少一种。
盖层CPL可以具有等于或大于约1.6的折射率。例如，相对于在约550nm至约660nm的波长范围内的光，盖层CPL可以具有等于或大于约1.6的折射率。
图7和图8均是根据实施例的显示装置DD的示意性剖视图。图7是示出对应于图1的线I-I'的部分的示意性剖视图。在下文中，在参照图7和图8根据实施例的显示装置DD的描述中，将不再描述已经关于图1至图6解释的特征，并且将描述差异。
参照图7，根据实施例的显示装置DD可以包括具有显示元件层DP-ED的显示面板DP、设置在显示面板DP上的光控制层CCL和滤色器层CFL。
在图7中所示的实施例中，显示面板DP可以包括基体层BS、设置在基体层BS上的电路层DP-CL和显示元件层DP-ED，并且显示元件层DP-ED可以包括发光二极管ED。
发光二极管ED可以包括第一电极EL1、设置在第一电极EL1上的空穴传输区域HTR、设置在空穴传输区域HTR上的发射层EML、设置在发射层EML上的电子传输区域ETR以及设置在电子传输区域ETR上的第二电极EL2。图7中所示的发光二极管ED的结构可以与上方描述的图3至图6的发光二极管ED的结构相同。
参照图7，发射层EML可以设置在像素限定层PDL中限定的开口OH中。例如，通过像素限定层PDL分离并且对应于发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B中的每个设置的发射层EML可以发射相同波长范围内的光。在实施例的显示装置DD中，发射层EML可以发射蓝光。尽管未在附图中示出，但是在实施例中，发射层EML可以设置为遍及发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的公共层。
对应于发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B设置的发射层EML中的至少一个可以包括由上方描述的式1表示的实施例的多环化合物，并且剩余的发射层EML可以包括额外的荧光发光材料、磷光发光材料、量子点等。然而，实施例不限于此。
光控制层CCL可以设置在显示面板DP上。光控制层CCL可以包括光转换体。光转换体可以包括量子点或磷光体。光转换体可以转换所提供的光的波长，并且发射转换的光。例如，光控制层CCL可以是含有量子点或磷光体的层。
光控制层CCL可以包括光控制单元CCP1、CCP2和CCP3。光控制单元CCP1、CCP2和CCP3可以彼此间隔开。
参照图7，分割图案BMP可以设置在彼此间隔开的光控制单元CCP1、CCP2和CCP3之间，但是实施例不限于此。在图7中，分割图案BMP被示出为不与光控制单元CCP1、CCP2和CCP3叠置，但是光控制单元CCP1、CCP2和CCP3的边缘可以与分割图案BMP的至少一部分叠置。
光控制层CCL可以包括第一光控制单元CCP1、第二光控制单元CCP2和第三光控制单元CCP3，第一光控制单元CCP1包括将从发光二极管ED提供的第一颜色光转换成第二颜色光的第一量子点QD1，第二光控制单元CCP2包括将第一颜色光转换成第三颜色光的第二量子点QD2，第三光控制单元CCP3透射第一颜色光。
在实施例中，第一光控制单元CCP1可以提供作为第二颜色光的红光，并且第二光控制单元CCP2可以提供作为第三颜色光的绿光。第三光控制单元CCP3可以透射和提供作为从发光二极管ED提供的第一颜色光的蓝光。例如，第一量子点QD1可以是红色量子点，第二量子点QD2可以是绿色量子点。如上面关于量子点提供的相同的描述可以应用于量子点QD1和QD2。
光控制层CCL还可以包括散射体SP。第一光控制单元CCP1可以包括第一量子点QD1和散射体SP，第二光控制单元CCP2可以包括第二量子点QD2和散射体SP，并且第三光控制单元CCP3可以不包括量子点但可以包括散射体SP。
散射体SP可以是无机颗粒。例如，散射体SP可以包括TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和中空二氧化硅中的至少一种。散射体SP可以包括TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和中空二氧化硅中的任何一种，或者可以是选自于TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和中空二氧化硅中的两种或更多种材料的混合物。
第一光控制单元CCP1、第二光控制单元CCP2和第三光控制单元CCP3可以均包括分散量子点QD1和QD2以及散射体SP的基体树脂BR1、BR2和BR3。在实施例中，第一光控制单元CCP1可以包括分散在第一基体树脂BR1中的第一量子点QD1和散射体SP，第二光控制单元CCP2可以包括分散在第二基体树脂BR2中的第二量子点QD2和散射体SP，并且第三光控制单元CCP3可以包括分散在第三基体树脂BR3中的散射体SP。基体树脂BR1、BR2和BR3可以是其中分散有量子点QD1和QD2以及散射体SP的介质，并且可以由通常可以被称为粘合剂的各种树脂成分形成。例如，基体树脂BR1、BR2和BR3可以是丙烯酸树脂、聚氨酯类树脂、有机硅类树脂、环氧类树脂等。基体树脂BR1、BR2和BR3可以均是透明树脂。在实施例中，第一基体树脂BR1、第二基体树脂BR2和第三基体树脂BR3可以均彼此相同或不同。
光控制层CCL可以包括阻挡层BFL1。阻挡层BFL1可以防止湿气和/或氧(在下文中，被称为“湿气/氧”)被引入。阻挡层BFL1可以设置在光控制单元CCP1、CCP2和CCP3上，以防止光控制单元CCP1、CCP2和CCP3被暴露于湿气/氧。阻挡层BFL1可以覆盖光控制单元CCP1、CCP2和CCP3。阻挡层BFL2可以设置在光控制单元CCP1、CCP2和CCP3与滤色器层CFL之间。在图7中，为了便于示出，将阻挡层BFL2示出为滤色器层CFL的一部分，然而，本公开的实施例不限于此。
阻挡层BFL1和BFL2可以包括至少一个无机层。例如，阻挡层BFL1和BFL2可以由无机材料形成。例如，阻挡层BFL1和BFL2可以通过包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈、氮氧化硅或其中确保透光率的金属薄膜等来形成。阻挡层BFL1和BFL2还可以包括有机膜。阻挡层BFL1和BFL2可以由单个层形成或由多个层形成。
在实施例的显示装置DD中，滤色器层CFL可以设置在光控制层CCL上。例如，滤色器层CFL可以直接设置在光控制层CCL上。在实施例中，可以省略阻挡层BFL2。
滤色器层CFL可以包括阻光单元BM和滤光器CF1、CF2和CF3。例如，滤色器层CFL可以包括透射第二颜色光的第一滤光器CF1、透射第三颜色光的第二滤光器CF2和透射第一颜色光的第三滤光器CF3。例如，第一滤光器CF1可以是红色滤光器，第二滤光器CF2可以是绿色滤光器，并且第三滤光器CF3可以是蓝色滤光器。滤光器CF1、CF2和CF3可以均包括聚合光敏树脂、颜料或染料。第一滤光器CF1可以包括红色颜料或红色染料，第二滤光器CF2可以包括绿色颜料或绿色染料，并且第三滤光器CF3可以包括蓝色颜料或蓝色染料。然而，实施例不限于此，并且第三滤光器CF3可以不包括颜料或染料。第三滤光器CF3可以包括聚合光敏树脂，但不包括颜料或染料。第三滤光器CF3可以是透明的。第三滤光器CF3可以由透明光敏树脂形成。
在实施例中，第一滤光器CF1和第二滤光器CF2可以是黄色滤光器。第一滤光器CF1和第二滤光器CF2可以彼此不分离，并且可以设置为一体。
阻光单元BM可以是黑色矩阵。阻光单元BM可以通过包括有机阻光材料或无机阻光材料而形成，有机阻光材料或无机阻光材料均包括黑色颜料或黑色染料。阻光单元BM可以防止光泄漏，并且可以使相邻的滤光器CF1、CF2和CF3之间的边界分离。在实施例中，阻光单元BM可以由蓝色滤光器形成。
第一滤光器CF1、第二滤光器CF2和第三滤光器CF3可以分别对应于红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B设置。
基体基底BL可以设置在滤色器层CFL上。基体基底BL可以提供其上设置有滤色器层CFL和光控制层CCL的基体表面。基体基底BL可以是玻璃基底、金属基底、塑料基底等。然而，实施例不限于此，并且基体基底BL可以包括无机层、有机层或复合材料层。尽管未在附图中示出，但是在实施例中，可以省略基体基底BL。
图8是示出根据实施例的显示装置DD-TD的一部分的示意性剖视图。图8示出了对应于图7的显示面板DP的部分的示意性剖视图。在实施例的显示装置DD-TD中，发光二极管ED-BT可以包括发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3。发光二极管ED-BT可以包括彼此面对的第一电极EL1和第二电极EL2以及在厚度方向上堆叠在第一电极EL1与第二电极EL2之间的发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3。发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3可以均包括发射层EML(图7)以及在其间设置有发射层EML(图7)的空穴传输区域HTR和电子传输区域ETR。
例如，实施例的显示装置DD-TD中包括的发光二极管ED-BT可以是具有包括多个发射层EML的串联结构的发光二极管。
在图8中所示的实施例中，从发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3中的每个发射的光可以全部是蓝光。然而，实施例不限于此，并且从发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3中的每个发射的光的波长范围可以彼此不同。例如，包括发射不同波长范围内的光的发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3的发光二极管ED-BT可以发射白光。
电荷产生层CGL1和CGL2可以设置在邻近的发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3之间。电荷产生层CGL1和CGL2可以均独立地包括p型电荷产生层和/或n型电荷产生层。
实施例的显示装置DD-TD中包括的发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3中的至少一个可以包括上方描述的实施例的多环化合物。
根据实施例的发光二极管ED-BT可以在设置于第一电极EL1与第二电极EL2之间的至少一个发射层EML中包括上方描述的实施例的多环化合物，并因此可以表现出提高的发光效率和寿命特性。
上方描述的实施例的多环化合物包括诸如三蝶烯基团或碳硼烷基团作为连接基团的庞大的部分，并且具有其中两个DABNA衍生物的多环环通过连接基团连接以防止多环化合物之间的聚集的结构，并因此当用作用于发光二极管的材料时可以表现出优异的膜性质。实施例的多环化合物可以发射热激活延迟荧光，并且当实施例的多环化合物用作发射层材料时，实施例的发光二极管可以表现出优异的发光效率和长寿命特性。
实施例的发光二极管可以在发射层中包括空穴传输主体、电子传输主体、作为磷光敏化剂的包括有机金属配合物的辅助掺杂剂和作为实施例的多环化合物的发光掺杂剂，以减少三重态下的能量损失并增加荧光发射率，并因此可以表现出提高的发光效率和长寿命特性。
在下文中，参照示例和对比示例，将描述实施例的多环化合物和发光二极管。下方示出的示例仅为了理解公开而示出，并且其范围不限于此。
[示例]
1、多环化合物的合成
将通过提供合成化合物1至化合物6的方法作为示例来详细描述根据实施例的合成多环化合物的方法。提供将在下文中描述的合成多环化合物的方法作为示例，因此根据实施例的合成多环化合物的方法不限于下方的示例。
化合物1的合成
根据实施例的化合物1可以通过例如下方的反应式1的工艺来合成。
[反应式1]
将10.8g中间体化合物1-1(40.0mmol)和22.5g中间体化合物1-2(80.0mmol)放入到烧瓶中，并且向其加入甲苯。向其加入叔丁醇钠、Pd2(dba)3和三叔丁基膦四氟硼酸盐，并且将混合物回流6小时。使用硅胶色谱纯化所获得的残余物，并且用氯仿和己烷的混合溶剂对其重结晶，从而获得21.0g中间体化合物1-3(产率：78％)。
将6.71g中间体化合物1-3(10.0mmol)和3.92g三碘化硼(10.0mmol)放入到烧瓶中，并且向其加入1,2-二氯苯(o-DCB)。使用硅胶色谱纯化所获得的残余物，并用氯仿和己烷的混合溶剂对其重结晶，从而获得2.31g中间体化合物1-4(产率：34％)。
将2.31g中间体化合物1-4(3.40mmol)和0.58g中间体化合物1-5(1.70mmol)放入到烧瓶中，并且向其加入甲苯和EtOH的混合溶剂。向其加入0.3M Na2CO3水溶液和经过氮鼓泡10分钟或更长时间的Pd(PPh3)4，并且将混合物回流过夜。使用硅胶色谱纯化所获得的残余物，并且用氯仿和己烷的混合溶剂对其重结晶，从而获得2.10g化合物1(产率：80％)。[MS：m/z[M]+计算值1539.94；发现值1539.80]
化合物2的合成
根据实施例的化合物2可以通过例如下方的反应式2的工艺来合成。
[反应式2]
将10.8g中间体化合物2-1(40.0mmol)和25.7g中间体化合物2-2(80.0mmol)放入到烧瓶中，并且向其加入甲苯。向其加入叔丁醇钠、Pd2(dba)3和三叔丁基膦四氟硼酸盐，并且将混合物回流6小时。使用硅胶色谱纯化所获得的残余物，并且用氯仿和己烷的混合溶剂对其重结晶，从而获得22.3g中间体化合物2-3(产率：74％)。
将7.51g中间体化合物2-3(10.0mmol)和3.92g三碘化硼(10.0mmol)放入到烧瓶中，并且向其加入1,2-二氯苯(o-DCB)。使用硅胶色谱纯化所获得的残余物，并且用氯仿和己烷的混合溶剂对其重结晶，从而获得2.05g中间体化合物2-4(产率：27％)。
将3.04g中间体化合物2-4(4.00mmol)和0.68g中间体化合物2-5(2.00mmol)放入到烧瓶中，并且向其加入甲苯和EtOH的混合溶剂。向其加入0.3M Na2CO3水溶液和经过氮鼓泡10分钟或更长时间的Pd(PPh3)4，并且将混合物回流过夜。使用硅胶色谱纯化所获得的残余物，并且用氯仿和己烷的混合溶剂对其重结晶，从而获得2.31g化合物2(产率：68％)。[MS：m/z[M]+计算值1699.69；发现值1698.79]
化合物3的合成
根据实施例的化合物3可以通过例如下方的反应式3的工艺来合成。
[反应式3]
将10.8g中间体化合物3-1(40.0mmol)和13.5g中间体化合物3-2(80.0mmol)放入到烧瓶中，并且向其加入甲苯。向其加入叔丁醇钠、Pd2(dba)3和三叔丁基膦四氟硼酸盐，并且将混合物回流6小时。使用硅胶色谱纯化所获得的残余物，并且用氯仿和己烷的混合溶剂对其重结晶，从而获得13.8g中间体化合物3-3(产率：77％)。
将6.70g中间体化合物3-3(15.0mmol)和5.87g三碘化硼(15.0mmol)放入到烧瓶中，并且向其加入1,2-二氯苯(o-DCB)。使用硅胶色谱纯化所获得的残余物，并且用氯仿和己烷的混合溶剂对其重结晶，从而获得2.59g中间体化合物3-4(产率：38％)。
将1.64g中间体化合物3-4(3.60mmol)和0.62g中间体化合物3-5(1.80mmol)放入到烧瓶中，并且向其加入甲苯和EtOH的混合溶剂。向其加入0.3M Na2CO3水溶液和经过氮鼓泡10分钟或更长时间的Pd(PPh3)4，并且将混合物回流过夜。使用硅胶色谱纯化所获得的残余物，并且用氯仿和己烷的混合溶剂对其重结晶，从而获得1.43g化合物3(产率：73％)。[MS：m/z[M]+计算值1090.44；发现值1090.40]
化合物4的合成
根据实施例的化合物4可以通过例如下方的反应式4的工艺来合成。
[反应式4]
将15.7g中间体化合物4-1(50.0mmol)和28.1g中间体化合物4-2(100.0mmol)放入到烧瓶中，并且向其加入甲苯。向其加入叔丁醇钠、Pd2(dba)3和三叔丁基膦四氟硼酸盐，并且将混合物在80℃下搅拌6小时。使用硅胶色谱纯化所获得的残余物，并且用氯仿和己烷的混合溶剂对其重结晶，从而获得14.3g中间体化合物4-3(产率：40％)。
将14.0g中间体化合物4-3(19.6mmol)和7.67g三碘化硼(19.6mmol)放入到烧瓶中，并且向其加入1,2-二氯苯(o-DCB)。使用硅胶色谱纯化所获得的残余物，并且用氯仿和己烷的混合溶剂对其重结晶，从而获得1.42g中间体化合物4-4(产率：10％)。
将7.24g中间体化合物4-4(10.0mmol)放入到烧瓶中，并且向其加入THF。加入CuI、Pd(PPh3)4、1.96g三甲基甲硅烷基乙炔(TMSA，20.0mmol)和Et3N，并将混合物在60℃下搅拌24小时。使用硅胶色谱纯化所获得的残余物，并且用氯仿和己烷的混合溶剂对其重结晶，从而获得4.38g中间体化合物4-5(产率：58％)。
将22.7g中间体化合物4-5(30.0mmol)放入到烧瓶中，并且向其加入THF、甲醇和1MKOH水溶液，并且将混合物在室温下搅拌1小时。使用硅胶色谱纯化所获得的残余物，并且用氯仿和己烷的混合溶剂对其重结晶，从而获得2.41g中间体化合物4-6(产率：12％)。
将2.27g中间体化合物4-6(3.40mmol)放入到烧瓶中，并且向其加入THF。向其加入2.46g中间体化合物4-4(3.40mmol)，并且向其加入甲醇和1M KOH水溶液，并且将混合物在60℃下搅拌24小时。使用硅胶色谱纯化所获得的残余物，从而获得0.27g中间体化合物4-7(产率：6％)。
将0.026g癸硼烷(0.21mmol)和N,N-二甲基苯胺加入到其中加入有甲苯的烧瓶中，并且将混合物在室温下搅拌30分钟并在100℃下搅拌2小时。将温度降至室温，向其加入0.27g中间体化合物4-7(0.21mmol)，并且回流16小时。使用硅胶色谱纯化所获得的残余物，从而获得0.10g化合物4(产率：48％)。[MS：m/z[M]+计算值1430.03]
化合物5的合成
根据实施例的化合物5可以通过例如下方的反应式5的工艺来合成。
[反应式5]
将15.7g中间体化合物5-1(50.0mmol)和32.1g中间体化合物5-2(100.0mmol)放入到烧瓶中，并且向其加入甲苯。向其加入叔丁醇钠、Pd2(dba)3和三叔丁基膦四氟硼酸盐，并且将混合物在80℃下搅拌6小时。使用硅胶色谱纯化所获得的残余物，并且用氯仿和己烷的混合溶剂对其重结晶，从而获得13.9g中间体化合物5-3(产率：35％)。
将13.9g中间体化合物5-3(17.5mmol)和6.85g三碘化硼(17.5mmol)放入到烧瓶中，并且向其加入1,2-二氯苯(o-DCB)。使用硅胶色谱纯化所获得的残余物，并且用氯仿和己烷的混合溶剂对其重结晶，从而获得0.99g中间体化合物5-4(产率：7％)。
将8.04g中间体化合物5-4(10.0mmol)放入到烧瓶中，并且向其加入THF。向其加入CuI、Pd(PPh3)4、1.96g三甲基甲硅烷基乙炔(TMSA，20.0mmol)和Et3N，并且将混合物在60℃下搅拌24小时。使用硅胶色谱纯化所获得的残余物，并且用氯仿和己烷的混合溶剂对其重结晶，从而获得5.18g中间体化合物5-5(产率：62％)。
将25.1g中间体化合物5-5(30.0mmol)放入到烧瓶中，并且向其加入THF、甲醇和1MKOH水溶液，并且将混合物在室温下搅拌1小时。使用硅胶色谱纯化所获得的残余物，并且用氯仿和己烷的混合溶剂对其重结晶，从而获得2.03g中间体化合物5-6(产率：9％)。
将1.87g中间体化合物5-6(2.50mmol)放入到烧瓶中，并且向其加入THF。向其加入2.01g中间体化合物5-4(2.50mmol)，并且向其加入甲醇和1M KOH水溶液，并且将混合物在60℃下搅拌24小时。使用硅胶色谱纯化所获得的残余物，从而获得0.29g中间体化合物5-7(产率：8％)。
将0.03g癸硼烷(0.25mmol)和N,N-二甲基苯胺加入到其中加入有甲苯的烧瓶中，并且将混合物在室温下搅拌30分钟并在100℃下搅拌2小时。将温度降至室温，向其加入0.20g中间体化合物5-7(0.25mmol)，并且回流16小时。使用硅胶色谱纯化所获得的残余物，从而获得0.18g化合物5(产率：45％)。[MS：m/z[M]+计算值1589.78]
化合物6的合成
根据实施例的化合物6可以通过例如下方的反应式6的工艺来合成。
[反应式6]
将15.7g中间体化合物6-1(50.0mmol)和16.9g中间体化合物6-2(100.0mmol)放入到烧瓶中，并且向其加入甲苯。向其加入叔丁醇钠、Pd2(dba)3和三叔丁基膦四氟硼酸盐，并且将混合物在80℃下搅拌6小时。使用硅胶色谱纯化所获得的残余物，并且用氯仿和己烷的混合溶剂对其重结晶，从而获得7.87g中间体化合物6-3(产率：32％)。
将7.86g中间体化合物6-3(16.0mmol)和6.26g三碘化硼(16.0mmol)放入到烧瓶中，并且向其加入1,2-二氯苯(o-DCB)。使用硅胶色谱纯化所获得的残余物，并且用氯仿和己烷的混合溶剂对其重结晶，从而获得0.4g中间体化合物6-4(产率：5％)。
将3.00g中间体化合物6-4(6.00mmol)放入到烧瓶中，并且向其加入THF。加入CuI、Pd(PPh3)4、1.18g三甲基甲硅烷基乙炔(TMSA，12.0mmol)和Et3N，并且将混合物在60℃下搅拌24小时。使用硅胶色谱纯化所获得的残余物，并且用氯仿和己烷的混合溶剂对其重结晶，从而获得2.07g中间体化合物6-5(产率：65％)。
将15.9g中间体化合物6-5(30.0mmol)放入到烧瓶中，并且向其加入THF、甲醇和1MKOH水溶液，并且将混合物在室温下搅拌1小时。使用硅胶色谱纯化所获得的残余物，并且用氯仿和己烷的混合溶剂对其重结晶，从而获得1.60g中间体化合物6-6(产率：12％)。
将1.60g中间体化合物6-6(3.60mmol)放入到烧瓶中，并且向其加入THF。向其加入1.80g中间体化合物6-4(3.60mmol)，并且向其加入甲醇和1M KOH水溶液，并且将混合物在60℃下搅拌24小时。使用硅胶色谱纯化所获得的残余物，从而获得0.22g中间体化合物6-7(产率：7％)。
将0.034g癸硼烷(0.28mmol)和N,N-二甲基苯胺加入到其中加入有甲苯的烧瓶中，并且将混合物在室温下搅拌30分钟并在100℃下搅拌2小时。将温度降至室温，向其加入0.22g中间体化合物6-7(0.25mmol)，并且回流16小时。使用硅胶色谱纯化所获得的残余物，从而获得0.11g化合物6(产率：42％)。[MS：m/z[M]+计算值979.53]
2、发光二极管的制备和评价
(发光二极管的制造)
使用下方的方法来制造在发射层中含有实施例的多环化合物的实施例的发光二极管。使用上方描述的化合物1至化合物4的多环化合物作为发射层的发光掺杂剂来制造示例1至示例4的发光二极管。
在对比示例1和对比示例2中，分别使用对比示例化合物C1和对比示例化合物C2作为发射层的发光掺杂剂来制造发光二极管。
用于制造发光二极管的对比示例化合物在下方示出。
(对比示例化合物)
(用于制造发光二极管的其它化合物)
清洗ITO图案化的玻璃基底，并且以
的厚度沉积NPD以形成空穴注入层。以
的厚度沉积TCTA以形成空穴传输层。将CzSi真空沉积在空穴传输层上以形成具有
的厚度的辅助发射层。
以70:30:15:0.5的重量比共沉积第一主体、第二主体、辅助掺杂剂和发光掺杂剂，以形成具有
的厚度的发射层。在对比示例和示例中，当形成发射层时，使用化合物HT-08作为第一主体，使用化合物ET-04作为第二主体，并且使用化合物13作为辅助掺杂剂。对比示例的化合物和示例的化合物用作发光掺杂剂。
以
的厚度沉积TSPO1以形成电子传输层，并且以
的厚度沉积TPBi以形成缓冲层，并且以
的厚度沉积LiF以形成电子注入层。
以
的厚度提供Al以形成第二电极。
(发光二极管的性质评价)
表1示出了对示例1至示例4以及对比示例1和对比示例2的发光二极管的评价的结果。在表1中，对比并示出了所制造的发光二极管的发光效率、发光波长和二极管寿命。在10mA/cm2的电流密度下的发光效率值呈现在表1中所示的示例和对比示例的特性评价结果中。二极管寿命表示在10mA/cm2的电流密度下连续驱动从初始亮度到95％亮度(亮度降低5％)的减少时间。
通过使用2400系列源仪表(吉时利仪器公司(Keithley Instruments))、色度仪CS-200(柯尼卡美能达公司(Konica Minolta,Inc.))和PC程序LabVIEW 2.0(日本国家仪器公司(Japan National Instruments Corporation))在暗室中测量示例和对比示例的发光二极管的电流密度、驱动电压和发光效率。
[表1]
参照表1中的结果，看出的是，示例和对比示例的发光二极管发射具有461nm至462nm的发光波长的蓝光。参照表1中的结果，与对比示例的发光二极管相比，使用实施例的多环化合物作为发射层的发光掺杂剂材料的示例的发光二极管显示出优异的发光效率和改善的二极管寿命特性。
参照表1，证实的是，示例1至示例4包括具有通过庞大的连接基团连接的二聚体结构的多环化合物，因此与对比示例1和对比示例2的发光二极管的发射层中使用的发光掺杂剂相比，示例1至示例4表现出长寿命和高效率特性。
根据实施例的多环化合物具有通过庞大的连接基团连接的二聚体型化合物结构，并且用作延迟荧光发光材料，从而能够有助于实现发光二极管的高效率和长寿命特性。根据实施例的发光二极管包括根据实施例的多环化合物，并因此可以表现出长寿命和高效率特性。
根据实施例的发光二极管包括实施例的多环化合物，并因此可以表现出高效率和长寿命特性。
在此已经公开了实施例，并且尽管采用了术语，但是它们仅在一般性和描述性含义上使用和将被解释，而不是为了限制的目的。在一些情况下，如对于本领域普通技术人员将明显的是，除非另外特别地指示，否则结合实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求中阐述的公开的精神和范围的情况下，可以进行形式和细节上的各种改变。
Claims (20)
1.一种发光二极管，所述发光二极管包括：
第一电极；
第二电极，设置在所述第一电极上；以及
发射层，设置在所述第一电极与所述第二电极之间，其中，
所述第一电极和所述第二电极均独立地包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、In、Sn、Zn、它们的氧化物、它们的化合物或它们的混合物，并且
所述发射层包括由式1表示的多环化合物：
[式1]
其中，在式1中，
X1至X4均独立地为B(Ra)、N(Rb)、C(Rc)(Rd)、O、S或Se，
a至d均独立地为从0至4的整数，
Ra至Rd和R1至R4均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的具有1个至10个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且
L是取代或未取代的二价三蝶烯基团或者取代或未取代的二价碳硼烷基团。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，由式1表示的所述多环化合物由式1-1表示：
[式1-1]
其中，在式1-1中，
X1至X4、a至d、R1至R4和L均与式1中所定义的相同。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，L是由L-1至L-4中的一个表示的基团：
其中，在L-1至L-4中，
“●”是C，并且
*表示与邻近原子的结合位。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，R1至R4均独立地为叔丁基、取代或未取代的苯基或者取代或未取代的联苯基。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，X1至X4相同。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，
所述发射层是包括主体和掺杂剂的延迟荧光发射层，并且
所述掺杂剂包括所述多环化合物。
7.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，由式1表示的所述多环化合物是选自于化合物组1中的一种：
[化合物组1]
其中，在化合物4至化合物6中，
CB是二价碳硼烷基团。
8.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述发射层包括：
第一主体；
第二主体，与所述第一主体不同；
辅助掺杂剂，包括有机金属配合物；以及
发光掺杂剂，
所述发光掺杂剂包括所述多环化合物。
9.根据权利要求8所述的发光二极管，其中，所述第一主体包括选自于化合物HT-01至化合物HT-09中的一种：
10.根据权利要求8所述的发光二极管，其中，所述第二主体包括选自于化合物ET-01至化合物ET-06中的一种：
11.根据权利要求8所述的发光二极管，其中，所述辅助掺杂剂包括选自于化合物组P中的至少一种：
[化合物组P]
12.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述发射层发射具有在450nm至470nm的范围内的中心波长的蓝光。
13.根据权利要求1所述的发光二极管，所述发光二极管还包括设置在所述第二电极上的盖层，其中，
所述盖层的折射率等于或大于1.6。
14.一种发光二极管，所述发光二极管包括：
第一电极；
第二电极，设置在所述第一电极上；以及
发射层，设置在所述第一电极与所述第二电极之间，其中，
所述发射层包括：空穴传输第一主体；电子传输第二主体，与所述空穴传输第一主体不同；辅助掺杂剂；以及发光掺杂剂，与所述辅助掺杂剂不同，并且
所述发光掺杂剂是由式1表示的多环化合物：
[式1]
其中，在式1中，
X1至X4均独立地为B(Ra)、N(Rb)、C(Rc)(Rd)、O、S或Se，
a至d均独立地为从0至4的整数，
Ra至Rd和R1至R4均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的具有1个至10个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且
L是取代或未取代的二价三蝶烯基团或者取代或未取代的二价碳硼烷基团。
15.根据权利要求14所述的发光二极管，其中，由式1表示的所述多环化合物由式1-1表示：
[式1-1]
其中，在式1-1中，
X1至X4、a至d、R1至R4和L均与式1中所定义的相同。
16.根据权利要求14所述的发光二极管，其中，L是由L-1至L-4中的一种表示的基团：
其中，在L-1至L-4中，
“●”是C，并且
*表示与邻近原子的结合位。
17.根据权利要求14所述的发光二极管，其中，由式1表示的所述多环化合物是选自于化合物组1中的一种：
[化合物组1]
其中，在化合物4至化合物6中，
CB是二价碳硼烷基团。
18.根据权利要求14所述的发光二极管，其中，所述空穴传输第一主体包括选自于化合物HT-01至化合物HT-09中的一种：
19.根据权利要求14所述的发光二极管，其中，所述电子传输第二主体包括选自于化合物ET-01至化合物ET-06中的一种：
20.根据权利要求14所述的发光二极管，其中，所述辅助掺杂剂包括选自于化合物组P中的至少一种：
[化合物组P]
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