CN114613925A - 发光器件 - Google Patents
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Abstract
公开了一种实施例的发光器件。所述发光器件包括第一电极、面对第一电极的第二电极以及设置在第一电极与第二电极之间的多个有机层。有机层之中的至少一个包括由下面的式1表示的稠合多环化合物，从而显示出改善的发射效率。[式1]
Description
本申请要求于2020年12月8日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0170131号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
公开涉及一种作为发光材料的稠合多环化合物和包括该稠合多环化合物的发光器件。
背景技术
针对有机电致发光显示器作为图像显示器的积极的开发在继续。有机电致发光显示器与液晶显示器不同，并且有机电致发光显示器是所谓的自发光显示器，在所述自发光显示器中，分别从第一电极和第二电极注入的空穴和电子在发射层中复合，使得发射层中的包括有机化合物的发光材料发射光以实现显示。
在将发光器件应用于图像显示器时，需要一种具有减小的驱动电压、增大的发射效率和增大的使用寿命的发光器件，并且需要持续开发稳定地实现这种特性的发光器件中的材料。
为了在有机电致发光器件中获得高效率，正在开发关于使用三重态能量的磷光发射或使用通过三重态激子碰撞(三重态-三重态湮灭，TTA)产生单重态激子的现象的延迟荧光发射的技术，因此继续开发关于使用延迟荧光现象的用于热激活延迟荧光(TADF)的材料。
将理解的是，该背景技术部分部分地旨在提供用于理解技术的有用的背景。然而，该背景技术部分也可以包括想法、概念或认识，所述想法、概念或认识不是在这里所公开的主题的对应的有效提交日期之前相关领域技术人员已知或理解的内容的一部分。
发明内容
公开提供了一种显示出改善的发射效率的发光器件。
公开还提供了一种能够改善发光器件的发射效率的稠合多环化合物。
实施例提供了一种发光器件，所述发光器件可以包括：第一电极；第二电极，面对第一电极；以及有机层，设置在第一电极与第二电极之间。有机层之中的至少一个有机层可以包括稠合多环化合物，并且稠合多环化合物可以由下面的式1表示。
[式1]
在式1中，Y1和Y2可以均独立地是直连键、-O-、-S-、-(C＝O)-或-C(R17)(R18)-，并且R1至R18可以均独立地是氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、硝基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的硼基、取代或未取代的氧基、取代或未取代的羰基、取代或未取代的2个至30个碳原子的烷基、取代或未取代的6个至60个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的2个至60个成环碳原子的杂芳基。
在实施例中，有机层可以包括：空穴传输区域，设置在第一电极上；发射层，设置在空穴传输区域上；以及电子传输区域，设置在发射层上。发射层可以包括稠合多环化合物。
在实施例中，发射层可以发射延迟荧光。
在实施例中，发射层可以是包括主体和掺杂剂的延迟荧光发射层，并且掺杂剂可以包括稠合多环化合物。
在实施例中，发射层可以发射具有在约430nm至约530nm的范围内的中心波长的光。
在实施例中，在式1中，Y1和Y2可以相同。
在实施例中，在式1中，R1和R14可以相同，R2和R13可以相同，R3和R12可以相同，R4和R11可以相同，R5和R10可以相同，R6和R9可以相同，并且R7和R8可以相同。
在实施例中，由式1表示的稠合多环化合物可以由下面的式2-1至式2-5之中的任何一个表示。
[式2-1]
[式2-2]
[式2-3]
[式2-4]
[式2-5]
在式2-1至式2-5中，R1a、R1b、R2a和R2b可以均独立地是氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的2个至30个碳原子的烷基、取代或未取代的6个至60个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的2个至60个成环碳原子的杂芳基。
在式2-1至式2-5中，R1至R16可以与结合式1所定义的相同。
在实施例中，由式1表示的稠合多环化合物可以由下面的式3-1至式3-13之中的任何一个表示。
[式3-1]
[式3-2]
[式3-3]
[式3-4]
[式3-5]
[式3-6]
[式3-7]
[式3-8]
[式3-9]
[式3-10]
[式3-11]
[式3-12]
[式3-13]
在式3-1至式3-13中，A可以均独立地是氢原子或氘原子，并且R1a至R16a可以均独立地是卤素原子、氰基、硝基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的硼基、取代或未取代的氧基、取代或未取代的羰基、取代或未取代的2个至30个碳原子的烷基、取代或未取代的6个至60个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的2个至60个成环碳原子的杂芳基。
在式3-1至式3-13中，Y1、Y2、R17和R18可以与结合式1所定义的相同。
在实施例中，在式1中，R1至R18可以均独立地是氢原子、氘原子、取代或未取代的胺基、取代或未取代的甲基、取代或未取代的叔丁基、取代或未取代的辛基、取代或未取代的环己基、取代或未取代的金刚烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基或者取代或未取代的芴基。
在实施例中，发光器件还可以包括设置在第二电极上的覆盖层，并且覆盖层可以具有大于或等于约1.6的折射率。
实施例提供了一种发光器件，所述发光器件可以包括：第一电极；第二电极，面对第一电极；以及发射层，设置在第一电极与第二电极之间。发射层可以包括主体和延迟荧光掺杂剂，并且延迟荧光掺杂剂包括由式1表示的稠合多环化合物。
在实施例中，主体可以包括由下面的式E-2a或式E-2b表示的化合物。
[式E-2a]
[式E-2b]
在式E-2a中，a可以是0至10的整数，La可以是直连键、取代或未取代的6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的2个至30个成环碳原子的亚杂芳基，A1至A5可以均独立地是N或C(Ri)，并且Ra至Ri可以均独立地是氢原子、氘原子、取代或未取代的胺基、取代或未取代的硫基、取代或未取代的氧基、取代或未取代的氧化膦基、取代或未取代的1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的2个至20个碳原子的烯基、取代或未取代的6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可选地，可以与相邻基团结合以形成环。在式E-2a中，A1至A5中的两个或三个可以是N，并且A1至A5中的其余部分可以是C(Ri)。在式E-2b中，Cbz1和Cbz2可以均独立地是未取代的咔唑基或者取代有6个至30个成环碳原子的芳基的咔唑基，Lb可以是直连键、取代或未取代的6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的2个至30个成环碳原子的亚杂芳基，并且b可以是0至10的整数。
根据实施例的稠合多环化合物可以由上面的式1表示。
附图说明
附图被包括以提供对实施例的进一步理解，并且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了公开的实施例及其原理。通过参照附图详细描述公开的实施例，公开的以上和其它方面及特征将变得更加明显，在附
图中：
图1是根据实施例的显示设备的平面图；
图2是根据实施例的显示设备的示意性剖视图；
图3是示出根据实施例的发光器件的示意性剖视图；
图4是示出根据实施例的发光器件的示意性剖视图；
图5是示出根据实施例的发光器件的示意性剖视图；
图6是示出根据实施例的发光器件的示意性剖视图；以及
图7和图8均是关于根据实施例的显示设备的示意性剖视图。
具体实施方式
在下文中，现在将参照附图更充分地描述公开，在附图中示出了实施例。然而，本公开可以以不同的形式实现，并且不应被解释为限于在此所阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达公开的范围。
在附图中，为了易于描述和为了清楚起见，可以夸大元件的尺寸、厚度、比例和大小。同样的标记始终指同样的元件。
在说明书中，将理解的是，当元件(或区域、层、部分(部件)等)被称为“在”另一元件“上”、“连接到”或“结合到”另一元件时，该元件可以直接在所述另一元件上、直接连接到或直接结合到所述另一元件，或者在它们之间可以存在一个或更多个中间元件。在类似的含义上，当元件(或区域、层、部分(部件)等)被描述为“覆盖”另一元件时，该元件可以直接覆盖所述另一元件，或者在它们之间可以存在一个或个更多个中间元件。
在说明书中，当元件“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件时，不存在中间元件。例如，“直接在……上”可以意指设置两个层或两个元件，而在它们之间没有诸如粘合元件的附加元件。
如在此所使用的，除非上下文另有明确说明，否则以诸如“一”、“一个(者/种)”和“该(所述)”的以单数使用的表达也旨在包括复数形式。
如在此所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。例如，“A和/或B”可以被理解为意指“A、B或者A和B”。术语“和”和“或”可以用于连接或分离的意义，并且可以被理解为等同于“和/或”。
出于其含义和解释的目的，术语“……中的至少一个(者/种)”旨在包括“选自于……中的至少一个(者/种)”的含义。例如，“A和B中的至少一个(者/种)”可以被理解为意指“A、B或者A和B”。当术语“……中的至少一个(者/种)”位于一列元素(元件)之后时，修饰整列元素(元件)，而不修饰该列中的个别元素(元件)。
将理解的是，虽然在此可以使用术语第一、第二等来描述各种元件，但这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离公开的教导的情况下，第一元件可以被命名为第二元件。类似地，在不脱离公开的范围的情况下，第二元件可以被命名为第一元件。
为了易于描述，在此可以使用空间相对术语“在……下方”、“在……之下”、“下”、“在……上方”、“上”等来描述如附图中所示的一个元件或组件与另一元件或组件之间的关系。将理解的是，空间相对术语意图涵盖装置在使用或操作中的除了附图中描绘的方位之外的不同方位。例如，在附图中所示的装置被翻转的情况下，定位“在”另一装置“下方”或“之下”的装置可以放置“在”所述另一装置“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包括下方和上方两种位置。装置也可以在其它方向上定位，因此，空间相对术语可以根据方位而不同地解释。
如在此所使用的术语“大约(约)”或“近似”包括所陈述的值，并且意指在如由本领域普通技术人员考虑所讨论的测量和与所列举的量的测量有关的误差(即，测量系统的局限性)所确定的所列举的值的偏差的可接受的范围之内。例如，“大约(约)”可以意指在一个或更多个标准偏差内，或者在所陈述值的±20％、±10％或±5％之内。
应理解的是，术语“包括”、“包含”、“具有”、“含有”及其变型等旨在说明存在公开中的所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件或它们的组合，但是不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件或它们的组合。
除非在此另有定义或暗示，否则所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，除非在说明书中明确地定义，否则术语(诸如在通用词典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过于形式化的含义来解释。
在说明书中，术语“取代或未取代的”可以意指未被取代或被从由氘原子、卤素原子、氰基、硝基、胺基、甲硅烷基、氧基、硫基、亚磺酰基、磺酰基、羰基、硼基、膦基、氧化膦基、硫化膦基、烷基、烯基、炔基、烷氧基、烃环基、芳基和杂环基组成的组中选择的至少一个取代基取代。以上列出的取代基中的每个本身可以是取代的或未取代的。例如，联苯基可以被解释为芳基或取代有苯基的苯基。
在说明书中，术语“通过与相邻基团结合形成环”可以意指通过与相邻基团结合形成取代或未取代的烃环或者取代或未取代的杂环。烃环可以是脂肪族烃环或芳香族烃环。杂环可以是脂肪族杂环或芳香族杂环。烃环和杂环可以均是单环或多环。通过与相邻基团结合形成的环可以与另一环结合以形成螺结构。
在说明书中，术语“相邻基团”可以意指对与取代有对应取代基的原子直接结合的原子进行取代的取代基、对取代有对应取代基的原子进行取代的另一取代基或者空间定位在与对应取代基最接近位置处的取代基。例如，在1,2-二甲基苯中，两个甲基可以被解释为彼此“相邻基团”，并且在1,1-二乙基环戊烷中，两个乙基可以被解释为彼此“相邻基团”。例如，在1,13-二甲基喹啉并[3,2,1-de]吖啶-5,9-二酮中，分别与位置1处的碳和位置13处的碳连接的两个甲基可以被解释为彼此“相邻基团”。
在说明书中，卤素原子的示例可以包括氟原子、氯原子、溴原子和碘原子。
在说明书中，烷基可以是直链型、支链型或环状型。烷基中的碳原子数可以是1个至50个、1个至30个、1个至20个、1个至10个或1个至6个。烷基的示例可以包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、2-乙基丁基、3,3-二甲基丁基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、环戊基、1-甲基戊基、3-甲基戊基、2-乙基戊基、4-甲基-2-戊基、正己基、1-甲基己基、2-乙基己基、2-丁基己基、环己基、4-甲基环己基、4-叔丁基环己基、正庚基、1-甲基庚基、2,2-二甲基庚基、2-乙基庚基、2-丁基庚基、正辛基、叔辛基、2-乙基辛基、2-丁基辛基、2-己基辛基、3,7-二甲基辛基、环辛基、正壬基、正癸基、金刚烷基、2-乙基癸基、2-丁基癸基、2-己基癸基、2-辛基癸基、正十一烷基、正十二烷基、2-乙基十二烷基、2-丁基十二烷基、2-己基十二烷基、2-辛基十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、2-乙基十六烷基、2-丁基十六烷基、2-己基十六烷基、2-辛基十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、正十九烷基、正二十烷基、2-乙基二十烷基、2-丁基二十烷基、2-己基二十烷基、2-辛基二十烷基、正二十一烷基、正二十二烷基、正二十三烷基、正二十四烷基、正二十五烷基、正二十六烷基、正二十七烷基、正二十八烷基、正二十九烷基、正三十烷基等，而没有限制。
在说明书中，烃环基可以是从脂肪族烃环或芳香族烃环衍生的可选的官能团或取代基。例如，烃环基可以是具有5个至30个或5个至20个成环碳原子的饱和烃环基。
在说明书中，芳基可以是从芳香族烃环衍生的官能团或取代基。芳基可以是单环芳基或多环芳基。芳基中的成环碳原子数可以是6个至60个、6个至30个、6个至20个或6个至15个。芳基的示例可以包括苯基、萘基、芴基、蒽基、菲基、联苯基、三联苯基、四联苯基、五联苯基、六联苯基、苯并[9,10]菲基、芘基、苯并荧蒽基、
基等，而没有限制。
在说明书中，芴基可以被取代，并且两个取代基可以彼此结合以形成螺结构。取代的芴基的示例如下所示，但是实施例不限于此。
在说明书中，杂环基可以是从包括B、O、N、P、Si和S中的至少一种作为杂原子的环衍生的官能团或取代基。杂环基可以包括脂肪族杂环基和芳香族杂环基。芳香族杂环基可以是杂芳基。脂肪族杂环基和芳香族杂环基可以是单环或多环。
在说明书中，杂环基可以包括B、O、N、P、Si和S中的至少一种作为杂原子。如果杂环基包括两种或更多种杂原子，则所述两种或更多种杂原子可以彼此相同或彼此不同。杂环基可以是单环杂环基或多环杂环基，并且该术语也可以包括杂芳基。杂环基中的成环碳原子数可以是2个至60个、2个至30个、2个至20个和2个至10个。
在说明书中，脂肪族杂环基可以包括B、O、N、P、Si和S中的至少一种作为杂原子。脂肪族杂环基中的成环碳原子数可以是2个至60个、2个至30个、2个至20个或2个至10个。脂肪族杂环基的示例可以包括环氧乙烷基、环硫乙烷基、吡咯烷基、哌啶基、四氢呋喃基、四氢噻吩基、噻烷基、四氢吡喃基、1,4-二氧六烷基等，而没有限制。
在说明书中，杂芳基可以包括B、O、N、P、Si和S中的至少一种作为杂原子。如果杂芳基包括两种或更多种杂原子，则所述两种或更多种杂原子可以彼此相同或彼此不同。杂芳基可以是单环杂芳基或多环杂芳基。杂芳基中的成环碳原子数可以是2个至60个、2个至30个、2个至20个或2个至10个。杂芳基的示例可以包括噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、三唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、吩噁嗪基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、N-芳基咔唑基、N-杂芳基咔唑基、N-烷基咔唑基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、噻吩并噻吩基、苯并呋喃基、菲咯啉基、噻唑基、异噁唑基、噁唑基、噁二唑基、噻二唑基、吩噻嗪基、二苯并噻咯基、二苯并呋喃基等，而没有限制。
在说明书中，除了亚芳基是二价基团之外，针对芳基的解释可以适用于亚芳基。除了亚杂芳基是二价基团之外，针对杂芳基的解释可以适用于亚杂芳基。
在说明书中，烯基可以是直链或支链。烯基中的碳原子数没有特别限制，而是可以是2个至30个、2个至20个或2个至10个。烯基的示例可以包括乙烯基、1-丁烯基、1-戊烯基、1,3-丁二烯基、苯乙烯基、苯乙烯基乙烯基等，而没有限制。
在说明书中，炔基中的碳原子数没有特别限制，而是可以是2个至30个、2个至20个或2个至10个。炔基的示例可以包括乙炔基、2-丁炔基和2-戊炔基，而没有限制。
在说明书中，除了烷基连接基、烯基连接基、炔基连接基、芳基连接基和杂芳基连接基是二价基团、三价基团或四价基团之外，针对烷基、烯基、炔基、芳基和杂芳基的解释可以分别适用于烷基连接基、烯基连接基、炔基连接基、芳基连接基和杂芳基连接基。
在说明书中，甲硅烷基可以包括烷甲硅烷基和芳甲硅烷基。甲硅烷基的示例包括三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、二苯基甲硅烷基、苯基甲硅烷基等，而没有限制。
在说明书中，羰基中的碳原子数没有特别限制，而是可以是1个至40个、1个至30个或1个至20个。例如，羰基可以具有下面的结构，但不限于此。
在说明书中，亚磺酰基和磺酰基中的碳原子数没有特别限制，而是可以是1个至30个。亚磺酰基可以包括烷亚磺酰基和芳亚磺酰基。磺酰基可以包括烷磺酰基和芳磺酰基。
在说明书中，硫基可以包括烷硫基或芳硫基。硫基可以是与硫原子结合的上文定义的烷基或芳基。硫基的示例可以包括甲硫基、乙硫基、丙硫基、戊硫基、己硫基、辛硫基、十二烷硫基、环戊硫基、环己硫基、苯硫基、萘硫基等，而没有限制。
在说明书中，氧基可以包括与氧原子结合的上文定义的烷基或芳基。氧基可以包括烷氧基和芳氧基。烷氧基可以是直链、支链或环链。烷氧基中的碳原子数没有特别限制，而是可以是例如1个至20个或1个至10个。氧基的示例可以包括甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、辛氧基、壬氧基、癸氧基、苄氧基等。然而，实施例不限于此。
在说明书中，硼基可以包括与硼原子结合的上文定义的烷基或芳基。硼基可以包括烷基硼基和芳基硼基。硼基的示例可以包括三甲基硼基、三乙基硼基、叔丁基二甲基硼基、三苯基硼基、二苯基硼基、苯基硼基等，而没有限制。
在说明书中，胺基中的碳原子数没有特别限制，而是可以是1个至30个。胺基可以包括烷胺基和芳胺基。胺基的示例可以包括甲胺基、二甲胺基、苯胺基、二苯胺基、萘胺基、9-甲基-蒽基胺基等，而没有限制。
在说明书中，包括在烷硫基、烷磺氧基、烷芳基、烷氨基、烷硼基、烷甲硅烷基和烷胺基中的烷基可以与上述烷基的示例相同。
在说明书中，包括在芳氧基、芳硫基、芳硫氧基、芳氨基、芳硼基和芳甲硅烷基中的芳基可以与上述芳基的示例相同。
在说明书中，直连键可以是单键。
在说明书中，
和-*均表示与相邻原子的结合位。
在下文中，将参照附图解释实施例。
图1是示出显示设备DD的实施例的平面图。图2是实施例的显示设备DD的示意性剖视图。图2是示出与线I-I'对应的部分的示意性剖视图。
显示设备DD可以包括显示面板DP和设置在显示面板DP上的光学层PP。显示面板DP包括发光器件ED-1、ED-2和ED-3。显示设备DD可以包括多个发光器件ED-1、ED-2和ED-3。光学层PP可以设置在显示面板DP上，并且可以控制在显示面板DP处从外部光反射的光。光学层PP可以包括例如偏振层或滤色器层。虽然在附图中未示出，但是在实施例中，可以从显示设备DD省略光学层PP。
上基体层BL可以设置在光学层PP上。上基体层BL可以是提供其中设置有光学层PP的基体表面的构件。上基体层BL可以是玻璃基底、金属基底、塑料基底等。然而，实施例不限于此，上基体层BL可以包括无机层、有机层或复合材料层。虽然在附图中未示出，但是可以在实施例中省略上基体层BL。
根据实施例的显示设备DD还可以包括插塞层(plugging layer，或称为“填塞层”)(未示出)。插塞层(未示出)可以设置在显示器件层DP-ED与上基体层BL之间。插塞层(未示出)可以是有机层。插塞层(未示出)可以包括丙烯酸树脂、硅类树脂和环氧类树脂中的至少一种。
显示面板DP可以包括基体层BS、设置在基体层BS上的电路层DP-CL和显示器件层DP-ED。显示器件层DP-ED可以包括像素限定层PDL、设置在像素限定层PDL中的发光器件ED-1、ED-2和ED-3以及设置在发光器件ED-1、ED-2和ED-3上的封装层TFE。
基体层BS可以是提供其中设置有显示器件层DP-ED的基体表面的构件。基体层BS可以是玻璃基底、金属基底、塑料基底等。然而，实施例不限于此，基体层BS可以包括无机层、有机层或复合材料层。
在实施例中，电路层DP-CL设置在基体层BS上，电路层DP-CL可以包括多个晶体管(未示出)。晶体管(未示出)中的每个可以包括控制电极、输入电极和输出电极。例如，电路层DP-CL可以包括用于驱动显示器件层DP-ED的发光器件ED-1、ED-2和ED-3的开关晶体管和驱动晶体管。
发光器件ED-1、ED-2和ED-3中的每个可以具有稍后将解释的根据图3至图6的实施例的发光器件ED的结构。发光器件ED-1、ED-2和ED-3中的每个可以包括第一电极EL1、空穴传输区域HTR、发射层EML-R、EML-G或EML-B、电子传输区域ETR以及第二电极EL2。
图2示出实施例，其中发光器件ED-1、ED-2和ED-3的发射层EML-R、EML-G和EML-B设置在限定在像素限定层PDL中的开口部OH中，并且空穴传输区域HTR、电子传输区域ETR和第二电极EL2作为在所有发光器件ED-1、ED-2和ED-3中的公共层设置。然而，实施例不限于此。虽然在图2中未示出，但是在实施例中，空穴传输区域HTR和电子传输区域ETR可以均被图案化且设置在限定在像素限定层PDL中的开口部OH中。例如，在实施例中，发光器件ED-1、ED-2和ED-3的空穴传输区域HTR、发射层EML-R、EML-G和EML-B以及电子传输区域ETR可以通过喷墨印刷法被图案化和设置。
封装层TFE可以覆盖发光器件ED-1、ED-2和ED-3。封装层TFE可以封装显示器件层DP-ED。封装层TFE可以是薄膜封装层。封装层TFE可以是一个层或多个层的堆叠体。封装层TFE可以包括至少一个绝缘层。根据实施例的封装层TFE可以包括至少一个无机层(在下文中，封装无机层)。根据实施例的封装层TFE可以包括至少一个有机层(在下文中，封装有机层)和至少一个封装无机层。
封装无机层可以保护显示器件层DP-ED免受湿气和/或氧的影响，封装有机层可以保护显示器件层DP-ED免受诸如灰尘颗粒的异物的影响。封装无机层可以包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛或氧化铝，而没有特别限制。封装有机层可以包括亚克力化合物、环氧类化合物等。封装有机层可以包括可光聚合的有机材料，而没有特别限制。
封装层TFE可以设置在第二电极EL2上，并且可以设置为填充开口部OH。
参照图1和图2，显示设备DD可以包括非发光区域NPXA以及发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B。发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以是分别发射从发光器件ED-1、ED-2和ED-3产生的光的区域。发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以在平面上彼此分开。
发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以是被像素限定层PDL分开的区域。非发光区域NPXA可以是相邻的发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B之间的区域，并且可以是与像素限定层PDL对应的区域。在公开中，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以均与像素对应。像素限定层PDL可以将发光器件ED-1、ED-2和ED-3分开。发光器件ED-1、ED-2和ED-3的发射层EML-R、EML-G和EML-B可以被设置且被划分在开口部OH中，所述开口部OH限定在像素限定层PDL中。
发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以根据从发光器件ED-1、ED-2和ED-3产生的光的颜色被划分为多个组。在图1和图2中所示的实施例的显示设备DD中，分别发射红光、绿光和蓝光的三个发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B被示出为实施例。例如，实施例的显示设备DD可以包括彼此分开的红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B。
在根据实施例的显示设备DD中，发光器件ED-1、ED-2和ED-3可以发射具有不同的波长范围的光。例如，在实施例中，显示设备DD可以包括发射红光的第一发光器件ED-1、发射绿光的第二发光器件ED-2和发射蓝光的第三发光器件ED-3。例如，显示设备DD的红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B中的每个可以分别与第一发光器件ED-1、第二发光器件ED-2和第三发光器件ED-3对应。
然而，实施例不限于此，第一发光器件至第三发光器件ED-1、ED-2和ED-3可以发射在相同的波长范围内的光，或者第一发光器件至第三发光器件ED-1、ED-2和ED-3中的至少一个可以发射在不同的波长范围内的光。例如，所有第一发光器件至第三发光器件ED-1、ED-2和ED-3可以发射蓝光。
根据实施例的显示设备DD中的发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以以条带构造布置。参照图1，多个红色发光区域PXA-R、多个绿色发光区域PXA-G和多个蓝色发光区域PXA-B可以沿着第二方向轴DR2布置。红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B可以沿着第一方向轴DR1轮流(或交替)布置。
在图1和图2中，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B均被示出为具有类似的面积，但是实施例不限于此。发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的面积可以根据发射的光的波长区域而彼此不同。发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的面积可以是在被第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的平面图中的面积。
发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的布置类型不限于图1中所示的构造，并且红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B的布置顺序可以根据显示设备DD所需的显示质量的性质以各种组合设置。例如，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的布置类型可以是
布置类型或菱形布置类型。
发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的面积可以彼此不同。例如，在实施例中，绿色发光区域PXA-G的面积可以比蓝色发光区域PXA-B的面积小，但是实施例不限于此。
在下文中，图3至图6均是示出根据实施例的发光器件的示意性剖视图。根据实施例的发光器件ED可以包括依次堆叠的第一电极EL1、空穴传输区域HTR、发射层EML、电子传输区域ETR和第二电极EL2。
与图3相比，图4示出实施例的发光器件ED的示意性剖视图，其中，空穴传输区域HTR包括空穴注入层HIL和空穴传输层HTL，并且电子传输区域ETR包括电子注入层EIL和电子传输层ETL。与图3相比，图5示出实施例的发光器件ED的示意性剖视图，其中，空穴传输区域HTR包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL和电子阻挡层EBL，并且电子传输区域ETR包括电子注入层EIL、电子传输层ETL和空穴阻挡层HBL。与图4相比，图6示出实施例的包括设置在第二电极EL2上的覆盖层CPL的发光器件ED的示意性剖视图。
第一电极EL1具有导电性。第一电极EL1可以使用金属材料、金属合金或导电化合物形成。第一电极EL1可以是阳极或阴极。然而，实施例不限于此。例如，在实施例中，第一电极EL1可以是像素电极。第一电极EL1可以是透射电极、透反射电极或反射电极。如果第一电极EL1是透射电极，则第一电极EL1可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟锡锌(ITZO)的透明金属氧化物。如果第一电极EL1是透反射电极或反射电极，则第一电极EL1可以包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、In、Zn、Sn、它们的化合物或它们的混合物(例如，Ag和Mg的混合物)、或者具有诸如LiF/Ca或者LiF/Al的多层结构的材料。第一电极EL1可以具有包括多个层的结构，所述多个层包括使用以上材料形成的反射层或透反射层以及使用ITO、IZO、ZnO或ITZO形成的透射导电层。例如，第一电极EL1可以包括ITO/Ag/ITO的三层结构。然而，实施例不限于此。第一电极EL1可以包括上述金属材料、选自于上述金属材料的两种或更多种金属材料的组合或者上述金属材料的氧化物。第一电极EL1的厚度可以在约
至约
的范围内。例如，第一电极EL1的厚度可以在约
至约
的范围内。
空穴传输区域HTR设置在第一电极EL1上。空穴传输区域HTR可以包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、缓冲层(未示出)、发射辅助层(未示出)和电子阻挡层EBL中的至少一个。空穴传输区域HTR的厚度可以在约
至约
的范围内。
空穴传输区域HTR可以具有使用单种材料形成的单个层、使用不同材料形成的单个层或包括使用不同材料形成的层的多层结构。
例如，空穴传输区域HTR可以具有空穴注入层HIL或空穴传输层HTL的单个层的结构，并且可以具有使用空穴注入材料和空穴传输材料形成的单个层的结构。在另一实施例中，空穴传输区域HTR可以具有使用多种不同材料形成的单个层的结构或者从第一电极EL1堆叠的空穴注入层HIL/空穴传输层HTL、空穴注入层HIL/空穴传输层HTL/缓冲层(未示出)、空穴注入层HIL/缓冲层(未示出)、空穴传输层HTL/缓冲层(未示出)或空穴注入层HIL/空穴传输层HTL/电子阻挡层EBL的结构，而没有限制。
空穴传输区域HTR可以使用各种方法(诸如真空沉积法、旋涂法、浇铸法、朗格缪尔-布洛杰特(LB)法、喷墨印刷法、激光印刷法和激光诱导热成像(LITI)法)来形成。
空穴传输区域HTR可以包括由下面的式H-1表示的化合物。
[式H-1]
在上面的式H-1中，L1和L2可以均独立地是直连键、取代或未取代的6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的2个至30个成环碳原子的亚杂芳基。在式H-1中，a和b可以均独立地是0至10的整数。在式H-1中，如果a或b是2或更大，则多个L1基团和多个L2基团可以均独立地是取代或未取代的6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的2个至30个成环碳原子的亚杂芳基。
在式H-1中，Ar1和Ar2可以均独立地是取代或未取代的6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的2个至30个成环碳原子的杂芳基。在式H-1中，Ar3可以是取代或未取代的6个至30个成环碳原子的芳基。
由式H-1表示的化合物可以是单胺化合物。在另一实施例中，由式H-1表示的化合物可以是其中Ar1至Ar3之中的至少一个包括胺基作为取代基的二胺化合物。例如，由式H-1表示的化合物可以是其中Ar1至Ar3之中的至少一个包括取代或未取代的咔唑基的咔唑类化合物或者其中Ar1至Ar3之中的至少一个包括取代或未取代的芴基的芴类化合物。
由式H-1表示的化合物可以是选自于下面的化合物组H中的化合物中的任何一种。然而，化合物组H中所示的化合物仅是示例，并且由式H-1表示的化合物不限于下面的化合物组H中的化合物。
[化合物组H]
空穴传输区域HTR可以包括酞菁化合物(诸如酞菁铜)、N1,N1'-([1,1'-联苯]-4,4'-二基)双(N1-苯基-N4,N4-二间甲苯基-1,4-苯二胺)(DNTPD)、4,4',4”-[三(3-甲基苯基)苯基氨基]三苯胺(m-MTDATA)、4,4',4”-三(N,N-二苯基氨基)三苯胺(TDATA)、4,4',4”-三[N-(2-萘基)-N-苯基氨基]-三苯胺(2-TNATA)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)、含三苯胺的聚醚酮(TPAPEK)、4-异丙基-4'-甲基二苯基碘鎓[四(五氟苯基)硼酸盐]和二吡嗪并[2,3-f:2',3'-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六腈(HAT-CN)。
空穴传输区域HTR可以包括咔唑衍生物(诸如N-苯基咔唑和聚乙烯基咔唑)、芴类衍生物、N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(TPD)、三苯胺类衍生物(诸如4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA))、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)、4,4'-亚环己基双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)、4,4'-双[N,N'-(3-甲苯基)氨基]-3,3'-二甲基联苯(HMTPD)、1,3-双(N-咔唑基)苯(mCP)等。
空穴传输区域HTR可以包括9-(4-叔丁基苯基)-3,6-双(三苯基甲硅烷基)-9H-咔唑(CzSi)、9-苯基-9H-3,9'-联咔唑(CCP)、1,3-双(1,8-二甲基-9H-咔唑-9-基)苯(mDCP)等。
空穴传输区域HTR可以包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL和电子阻挡层EBL中的至少一个中的空穴传输区域的化合物。
空穴传输区域HTR的厚度可以在约
至约
的范围内。例如，空穴传输区域HTR的厚度可以在约
至约
的范围内。在其中空穴传输区域HTR包括空穴注入层HIL的情况下，空穴注入层HIL的厚度可以例如在约
至约
的范围内。在其中空穴传输区域HTR包括空穴传输层HTL的情况下，空穴传输层HTL的厚度可以在约
至约
的范围内。例如，在其中空穴传输区域HTR包括电子阻挡层EBL的情况下，电子阻挡层EBL的厚度可以在约
至约
的范围内。如果空穴传输区域HTR、空穴注入层HIL、空穴传输层HTL和电子阻挡层EBL的厚度满足上述范围，则可以实现令人满意的空穴传输性质，而不显著增大驱动电压。
除了上述材料之外，空穴传输区域HTR还可以包括电荷产生材料以增大导电性。电荷产生材料可以均匀地或不均匀地分散在空穴传输区域HTR中。电荷产生材料可以是例如p掺杂剂。p掺杂剂可以包括卤化金属化合物、醌衍生物、金属氧化物和含氰基的化合物中的至少一种，而没有限制。例如，p掺杂剂可以包括卤化金属化合物(诸如CuI和RbI)、醌衍生物(诸如四氰基醌二甲烷(TCNQ)和2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ))、金属氧化物(诸如氧化钨和氧化钼)、含氰基的化合物(诸如二吡嗪并[2,3-f:2',3'-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六腈(HAT-CN)和4-[[2,3-双[氰基-(4-氰基-2,3,5,6-四氟苯基)亚甲基]环亚丙基]-氰基甲基]-2,3,5,6-四氟苯甲腈)等，而没有限制。
如上所述，除了空穴注入层HIL和空穴传输层HTL之外，空穴传输区域HTR还可以包括缓冲层(未示出)和电子阻挡层EBL中的至少一个。缓冲层(未示出)可以根据从发射层EML发射的光的波长来补偿谐振距离，并且可以增大发射效率。可以包括在空穴传输区域HTR中的材料可以用作包括在缓冲层(未示出)中的材料。电子阻挡层EBL可以防止电子从电子传输区域ETR注入到空穴传输区域HTR。
发射层EML设置在空穴传输区域HTR上。发射层EML可以具有例如在约
至约
的范围内的厚度。例如，发射层EML可以具有在约
至约
的范围内的厚度。发射层EML可以具有使用单种材料形成的单个层、使用不同材料形成的单个层或具有使用不同材料形成的层的多层结构。
在根据实施例的发光器件ED中，发射层EML可以包括实施例的稠合多环化合物。
实施例的稠合多环化合物可以是在喹啉并吖啶二酮骨架中包括附加的稠合结构的化合物。实施例的稠合多环化合物可以是通过在喹啉并吖啶二酮骨架上的附加的连接基团而具有附加的稠合结构的化合物，所述附加的连接基团包括直连键、氧基、硫基、羰基、烷基等。
实施例的稠合多环化合物可以由下面的式1表示。
[式1]
在式1中，Y1和Y2可以均独立地是直连键、-O-、-S-、-(C＝O)-或-C(R17)(R18)-。由式1表示的稠合多环化合物可以是在Y1和Y2处具有附加的稠合结构(即，包括直连键、氧基、硫基、羰基、烷基等的附加的连接基团)的化合物。
在式1中，R1至R18可以均独立地是氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、硝基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的硼基、取代或未取代的氧基、取代或未取代的羰基、取代或未取代的2个至30个碳原子的烷基、取代或未取代的6个至60个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的2个至60个成环碳原子的杂芳基。在实施例中，在式1中，R1至R16可以均独立地是氢原子、氘原子、取代或未取代的胺基、取代或未取代的甲基、取代或未取代的叔丁基、取代或未取代的辛基、取代或未取代的环己基、取代或未取代的金刚烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基或者取代或未取代的芴基。例如，R17和R18可以均独立地是氢原子、氘原子、取代或未取代的甲基、取代或未取代的苯基或者取代或未取代的三联苯基。在式1中，R1至R18可以均独立地与相邻基团结合以形成环。
实施例的稠合多环化合物可以具有由式1表示的结构。实施例的稠合多环化合物可以具有其中附加的稠合结构通过附加的连接基团形成在喹啉并吖啶二酮骨架上的结构，所述附加的连接基团包括直连键、氧基、硫基、羰基、烷基等。实施例的稠合多环化合物可以包括其中附加的稠合结构形成在喹啉并吖啶二酮骨架上且形成宽共轭结构的结构，从而稳定稠合芳香族环结构。因此，可以针对蓝色发光材料选择合适的波长区域，并且如果应用于发光器件，则可以改善发光器件的效率。
由式1表示的稠合多环化合物可以具有以连接取代基R15和取代基R16的假想线作为参考线的对称结构。
当由式1表示的稠合多环化合物具有对称结构时，相对于对称线存在于对称位置处的取代基可以相同。
例如，在式1中，Y1和Y2可以相同。例如，Y1和Y2可以均是直连键。例如，Y1和Y2可以均是-O-。例如，Y1和Y2可以均是-S-。例如，Y1和Y2可以均是-(C＝O)-。例如，Y1和Y2可以均为-C(R17)(R18)-。例如，分别包括在Y1和Y2中的R17和R18可以相同。
在实施例中，在式1中，R1和R14可以相同，R2和R13可以相同，R3和R12可以相同，R4和R11可以相同，R5和R10可以相同，R6和R9可以相同，并且R7和R8可以相同。
然而，实施例不限于此，并且式1可以不具有对称结构，而是可以相对于连接取代基R15和取代基R16的假想线作为参考线具有不对称结构。
在实施例中，由式1表示的稠合多环化合物可以由下面的式2-1至式2-5之中的任何一个表示。
[式2-1]
[式2-2]
[式2-3]
[式2-4]
[式2-5]
式2-1至式2-5表示其中指定Y1和Y2的式1的情况。式2-1至式2-5表示其中Y1和Y2被指定为相同的部分的式1的情况。
在式2-1至式2-5中，R1a、R1b、R2a和R2b可以均独立地是氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的2个至30个碳原子的烷基、取代或未取代的6个至60个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的2个至60个成环碳原子的杂芳基。在式2-1至式2-5中，R1至R16可以与结合式1所定义的相同。
在实施例中，由式1表示的稠合多环化合物可以由下面的式3-1至式3-13之中的任何一个表示。
[式3-1]
[式3-2]
[式3-3]
[式3-4]
[式3-5]
[式3-6]
[式3-7]
[式3-8]
[式3-9]
[式3-10]
[式3-11]
[式3-12]
[式3-13]
式3-1至式3-13表示其中由R1至R16表示的取代基是氢原子或氘原子或者与其它取代基连接的式1的情况。
在式3-1中，A可以均独立地是氢原子或氘原子。在式3-1中，由A表示的取代基的位置中的每个可以相同，并且可以全部是氢原子或氘原子，或者可以部分地是氢原子，其余部分可以是氘原子。
在式3-2至式3-13中，R1a至R16a可以均独立地是卤素原子、氰基、硝基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的硼基、取代或未取代的氧基、取代或未取代的羰基、取代或未取代的2个至30个碳原子的烷基、取代或未取代的6个至60个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的2个至60个成环碳原子的杂芳基。例如，R1a至R16a可以是不是氢原子或氘原子的取代基。例如，R1a至R16a可以均独立地是取代或未取代的胺基、取代或未取代的甲基、取代或未取代的叔丁基、取代或未取代的辛基、取代或未取代的环己基、取代或未取代的金刚烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基或者取代或未取代的芴基。
在式3-1至式3-13中，Y1、Y2、R17和R18可以与结合式1所定义的相同。
在实施例中，实施例的稠合多环化合物可以是选自于下面的化合物组1的任何一种。实施例的发光器件ED可以在发射层EML中包括选自于化合物组1的至少一种稠合多环化合物。
[化合物组1]
由式1表示的实施例的稠合多环化合物的发光光谱可以具有在约10nm至约50nm的范围内的半峰全宽(FWHM)。例如，实施例的稠合多环化合物的发光光谱可以具有在约20nm至约40nm的范围内的FWHM。由于由式1表示的实施例的稠合多环化合物的发光光谱具有在上述范围内的半峰全宽，因此可以在包括稠合多环化合物的发光器件中改善发射效率。当实施例的稠合多环化合物用作用于发光器件的蓝色发光材料时，可以改善器件寿命。
由式1表示的实施例的稠合多环化合物可以是用于发射热激活延迟荧光的材料。由式1表示的实施例的稠合多环化合物可以是具有等于或小于约0.6eV的最低三重态激发能级(T1级)与最低单重态激发能级(S1级)之间的差(ΔEST)的热激活延迟荧光掺杂剂。由式1表示的实施例的稠合多环化合物可以是具有等于或小于约0.2eV的最低三重态激发能级(T1级)与最低单重态激发能级(S1级)之间的差(ΔEST)的热激活延迟荧光掺杂剂。
由式1表示的实施例的稠合多环化合物可以是具有在约430nm至约530nm的范围内的波长区域内的光的中心波长的发光材料。例如，由式1表示的实施例的稠合多环化合物可以是蓝色热激活延迟荧光(TADF)掺杂剂。然而，实施例不限于此。当实施例的稠合多环化合物用作发光材料时，稠合多环化合物可以用作包括红色发光掺杂剂、绿色发光掺杂剂等的发射在各种波长区域内的光的掺杂剂材料。
在实施例的发光器件ED中，发射层EML可以发射延迟荧光。例如，发射层EML可以发射热激活延迟荧光(TADF)。
发光器件ED的发射层EML可以发射蓝光。例如，实施例的发光器件ED的发射层EML可以发射在等于或小于约490nm的波长区域内的蓝光。然而，实施例不限于此。发射层EML可以发射绿光或红光。
在实施例中，发射层EML可以包括主体和掺杂剂，并且可以包括稠合多环化合物作为掺杂剂。例如，在实施例的发光器件ED中，发射层EML可以包括用于发射延迟荧光的主体和用于发射延迟荧光的掺杂剂。用于发射延迟荧光的掺杂剂可以包括稠合多环化合物。发射层EML可以包括化合物组1中表示的稠合多环化合物之中的至少一种作为热激活延迟荧光掺杂剂。
在实施例的发光器件ED中，发射层EML还可以包括诸如蒽衍生物、芘衍生物、荧蒽衍生物、
衍生物、二氢苯并蒽衍生物或苯并[9,10]菲衍生物的材料。在实施例中，发射层EML可以包括蒽衍生物或芘衍生物。
在图3至图6中所示的实施例的发光器件ED中，发射层EML可以包括主体和掺杂剂，并且发射层EML可以包括由下面的式E-1表示的化合物。由下面的式E-1表示的化合物可以用作荧光主体材料或延迟荧光主体材料。
[式E-1]
在式E-1中，R31至R40可以均独立地是氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的1个至10个碳原子的烷基、取代或未取代的6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可选地，可以与相邻基团结合以形成环。在式E-1中，R31至R40可以可选地与相邻基团结合以形成饱和烃环或不饱和烃环。
在式E-1中，c和d可以均独立地是0至5的整数。
由式E-1表示的化合物可以是选自于下面的化合物E1至化合物E19中的任何一种。
在实施例中，发射层EML可以包括由下面的式E-2a或式E-2b表示的化合物。由下面的式E-2a或式E-2b表示的化合物可以用作磷光主体材料或延迟荧光主体材料。
[式E-2a]
在式E-2a中，a可以是0至10的整数，并且La可以是直连键、取代或未取代的6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的2个至30个成环碳原子的亚杂芳基。在式E-2a中，如果a是2或更大，则多个La基团可以均独立地是取代或未取代的6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的2个至30个成环碳原子的亚杂芳基。
在式E-2a中，A1至A5可以均独立地是N或C(Ri)。在式E-2a中，Ra至Ri可以均独立地是氢原子、氘原子、取代或未取代的胺基、取代或未取代的硫基、取代或未取代的氧基、取代或未取代的1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的2个至20个碳原子的烯基、取代或未取代的6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可选地，可以与相邻基团结合以形成环。Ra至Ri可以可选地与相邻基团结合以形成烃环或包括N、O、S等作为成环原子的杂环。
在式E-2a中，A1至A5中的两个或三个可以是N，并且A1至A5中的其余部分可以是C(Ri)。
[式E-2b]
在式E-2b中，Cbz1和Cbz2可以均独立地是未取代的咔唑基或者取代有6个至30个成环碳原子的芳基的咔唑基。在式E-2b中，Lb可以是直连键、取代或未取代的6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的2个至30个成环碳原子的亚杂芳基。在式E-2b中，b可以是0至10的整数，并且如果b是2或更大，则多个Lb基团可以均独立地是取代或未取代的6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的2个至30个成环碳原子的亚杂芳基。
由式E-2a或式E-2b表示的化合物可以是选自于下面的化合物组E-2的任何一种。然而，下面的化合物组E-2中所示的化合物仅是示例，并且由式E-2a或式E-2b表示的化合物不限于下面的化合物组E-2中的化合物。
[化合物组E-2]
发射层EML还可以包括本领域中的常用材料作为主体材料。例如，发射层EML可以包括双[2-(二苯基膦基)苯基]醚氧化物(DPEPO)、4,4'-双(咔唑-9-基)联苯(CBP)、1,3-双(咔唑-9-基)苯(mCP)、2,8-双(二苯基磷酰基)二苯并[b,d]呋喃(PPF)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯(TPBi)中的至少一种作为主体材料。然而，实施例不限于此。例如，可以使用三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、2-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)、二苯乙烯基亚芳基化物(DSA)、4,4'-双(9-咔唑基)-2,2'-二甲基-联苯(CDBP)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)、六苯基环三磷腈(CP1)、1,4-双(三苯基甲硅烷基)苯(UGH2)、六苯基环三硅氧烷(DPSiO3)、八苯基环四硅氧烷(DPSiO4)等作为主体材料。
发射层EML可以包括由下面的式M-a或式M-b表示的化合物。由式M-a或式M-b表示的化合物可以用作磷光掺杂剂材料。
[式M-a]
在式M-a中，Y1至Y4和Z1至Z4可以均独立地是C(R1)或N，并且R1至R4可以均独立地是氢原子、氘原子、取代或未取代的胺基、取代或未取代的硫基、取代或未取代的氧基、取代或未取代的1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的2个至20个碳原子的烯基、取代或未取代的6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可选地，可以与相邻基团结合以形成环。在式M-a中，m可以是0或1，并且n可以是2或3。在式M-a中，如果m是0，则n可以是3，并且如果m是1，则n可以是2。
由式M-a表示的化合物可以用作红色磷光掺杂剂或绿色磷光掺杂剂。
由式M-a表示的化合物可以是选自于下面的化合物M-a1至化合物M-a19中的任何一种。然而，下面的化合物M-a1至化合物M-a19是示例，并且由式M-a表示的化合物不限于下面的化合物M-a1至化合物M-a19。
化合物M-a1和化合物M-a2可以用作红色掺杂剂材料，并且化合物M-a3至化合物M-a5可以用作绿色掺杂剂材料。
[式M-b]
在式M-b中，Q1至Q4可以均独立地是C或N，C1至C4可以均独立地是取代或未取代的5个至30个成环碳原子的烃环或者取代或未取代的2个至30个成环碳原子的杂环。在式M-b中，L21至L24可以均独立地是直连键、*-o-*、*-s-*、
取代或未取代的1个至20个碳原子的二价烷基、取代或未取代的6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的2个至30个成环碳原子的亚杂芳基，并且e1至e4可以均独立地是0或1。在式M-b中，R31至R39可以均独立地是氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可选地，可以与相邻基团结合以形成环，d1至d4可以均独立地是0至4的整数。
由式M-b表示的化合物可以用作蓝色磷光掺杂剂或绿色磷光掺杂剂。
由式M-b表示的化合物可以是选自于下面的化合物中的任何一种。然而，下面的化合物是示例，并且由式M-b表示的化合物不限于下面的化合物。
在以上化合物中，R、R38和R39可以均独立地是氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的2个至30个成环碳原子的杂芳基。
发射层EML可以包括下面的式F-a至式F-c之中的任何一个。由下面的式F-a至式F-c中的任何一个表示的化合物可以用作荧光掺杂剂材料。
[式F-a]
在式F-a中，选自于Ra至Rj中的两个可以均独立地取代有*-NAr1Ar2。Ra至Rj的未取代有*-NAr1Ar2的其余部分可以均独立地是氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的2个至30个成环碳原子的杂芳基。
在基团*-NAr1Ar2中，Ar1和Ar2可以均独立地是取代或未取代的6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的2个至30个成环碳原子的杂芳基。例如，Ar1和Ar2之中的至少一个可以是包括O或S作为成环原子的杂芳基。
[式F-b]
在式F-b中，Ra和Rb可以均独立地是氢原子、氘原子、取代或未取代的1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的2个至20个碳原子的烯基、取代或未取代的6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可选地，可以与相邻基团结合以形成环。
在式F-b中，U和V可以均独立地是取代或未取代的5个至30个成环碳原子的烃环或者取代或未取代的2个至30个成环碳原子的杂环。
在式F-b中，由U和V表示的环的数量可以均独立地是0或1。例如，在式F-b中，如果U或V的数量是1，则一个环可以在由U或V的指定部分处形成稠环，并且如果U或V的数量是0，则在由U或V的指定部分处可以不存在环。如果U的数量是0且V的数量是1，或者如果U的数量是1且V的数量是0，则具有式F-b的芴核的稠环可以是具有四个环的环化合物。如果U和V两者的数量是0，则具有式F-b的芴核的稠环可以是具有三个环的环化合物。如果U和V的数量均是1，则具有式F-b的芴核的稠环可以是具有五个环的环化合物。
[式F-c]
在式F-c中，A1和A2可以均独立地是O、S、Se或N(Rm)，并且Rm可以是氢原子、氘原子、取代或未取代的1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的2个至30个成环碳原子的杂芳基。在式F-c中，R1至R11可以均独立地是氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的硼基、取代或未取代的氧基、取代或未取代的硫基、取代或未取代的1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可选地，可以与相邻基团结合以形成环。
在式F-c中，A1和A2可以均独立地与相邻环的取代基结合以形成稠环。例如，如果A1和A2均是N(Rm)，则A1可以与R4或R5结合以形成环。例如，A2可以与R7或R8结合以形成环。
在实施例中，发射层EML可以包括苯乙烯基衍生物(例如，1,4-双[2-(3-N-乙基咔唑基)乙烯基]苯(BCzVB)、4-(二-对甲苯基氨基)-4'-[(二-对甲苯基氨基)苯乙烯基]茋(DPAVB)、N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(二苯基氨基)苯乙烯基)萘-2-基)乙烯基)苯基)-N-苯基苯胺(N-BDAVBi)和4,4'-双[2-(4-(N,N-二苯基氨基)苯基)乙烯基]联苯(DPAVBi))、苝及其衍生物(例如，2,5,8,11-四叔丁基苝(TBP))、芘及其衍生物(例如，1,1'-二芘、1,4-二芘基苯和1,4-双(N,N-二苯基氨基)芘)等作为掺杂剂材料。
发射层EML可以包括磷光掺杂剂材料。例如，磷光掺杂剂可以使用包括铱(Ir)、铂(Pt)、锇(Os)、金(Au)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)或铥(Tm)的金属配合物。在实施例中，双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2')吡啶甲酰合铱(III)(FIrpic)、双(2,4-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱(III)(Fir6)或八乙基卟啉合铂(PtOEP)可以用作磷光掺杂剂。然而，实施例不限于此。
发射层EML可以包括量子点材料。量子点的核可以选自于II-VI族化合物、III-VI族化合物、I-III-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物和它们的组合。
II-VI族化合物可以选自于由以下组成的组：二元化合物，选自于由CdSe、CdTe、CdS、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS和它们的混合物组成的组；三元化合物，选自于由CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS和它们的混合物组成的组；以及四元化合物，选自于HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe和它们的混合物组成的组。
III-VI族化合物可以包括：二元化合物，诸如In2S3和In2Se3；三元化合物，诸如InGaS3和InGaSe3；或者它们的组合。
I-III-VI族化合物可以选自于：三元化合物，选自于由AgInS、AgInS2、CuInS、CuInS2、AgGaS2、CuGaS2、CuGaO2、AgGaO2、AgAlO2和它们的混合物组成的组；或者四元化合物，诸如AgInGaS2和CuInGaS2。
III-V族化合物可以选自于由以下组成的组：二元化合物，选自于由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb和它们的混合物组成的组；三元化合物，选自于由GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InAlP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb和它们的混合物组成的组；以及四元化合物，选自于由GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb和它们的混合物组成的组。III-V族化合物还可以包括II族金属。例如，InZnP等可以被选择为III-II-V族化合物。
IV-VI族化合物可以选自于由以下组成的组：二元化合物，选自于由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe和它们的混合物组成的组；三元化合物，选自于由SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe和它们的混合物组成的组；以及四元化合物，选自于由SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe和它们的混合物组成的组。IV族元素可以选自于由Si、Ge和它们的混合物组成的组。IV族化合物可以是选自于由SiC、SiGe和它们的混合物组成的组的二元化合物。
二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以均匀的浓度存在于颗粒中，或者可以以部分地不同的浓度分布状态存在于同一颗粒中。量子点可以具有其中一个量子点包裹另一量子点的核/壳结构。核和壳的界面可以具有其中存在于壳中的元素的浓度朝向核降低的浓度梯度。
在实施例中，量子点可以具有包括包含纳米晶体的核和包裹核的壳的上述核/壳结构。量子点的壳可以是用于防止核的化学变性以保持半导体性质的保护层和/或用于向量子点赋予电泳性质的荷电层。壳可以具有单个层或多层。量子点的壳的示例可以包括金属或非金属氧化物、半导体化合物或它们的组合。
例如，金属或非金属氧化物可以包括：二元化合物，诸如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4和NiO；或者三元化合物，诸如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4和CoMn2O4，但是实施例不限于此。
例如，半导体化合物可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb等，但是实施例不限于此。
量子点可以具有等于或小于约45nm的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)。例如，量子点可以具有等于或小于约40nm的发射波长光谱的FWHM。例如，量子点可以具有等于或小于约30nm的发射波长光谱的FWHM。在这些范围内，可以改善色纯度或颜色再现性。通过这种量子点发射的光可以在所有方向上发射，并且可以改善光视角性质。
量子点可以具有从本领域中通常使用的形状之中选择的形状，而没有特定限制。例如，量子点可以具有球形形状、角锥形形状、多臂形状或立方体形状，或者量子点可以是纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维、纳米板等的形式。
量子点可以根据粒径控制发射的光的颜色，因此，量子点可以具有诸如蓝色、红色和绿色的各种发射颜色。
在如图3至图6中所示的实施例的发光器件ED中，电子传输区域ETR设置在发射层EML上。电子传输区域ETR可以包括空穴阻挡层HBL、电子传输层ETL和电子注入层EIL中的至少一种。然而，实施例不限于此。
电子传输区域ETR可以具有使用单种材料形成的单个层、使用不同材料形成的单个层或具有使用不同材料形成的层的多层结构。
例如，电子传输区域ETR可以具有电子注入层EIL或电子传输层ETL的单个层结构，或者使用电子注入材料和电子传输材料形成的单个层结构。电子传输区域ETR可以具有使用多种不同材料形成的单个层结构，或者从发射层EML堆叠的电子传输层ETL/电子注入层EIL或空穴阻挡层HBL/电子传输层ETL/电子注入层EIL的结构，而没有限制。电子传输区域ETR的厚度可以例如在约
至约
的范围内。
电子传输区域ETR可以使用各种方法(诸如真空沉积法、旋涂法、浇铸法、朗格缪尔-布洛杰特(LB)法、喷墨印刷法、激光印刷法和激光诱导热成像(LITI)法)来形成。
电子传输区域ETR可以包括由下面的式ET-1表示的化合物。
[式ET-1]
在式ET-1中，X1至X3之中的至少一个可以是N，并且X1至X3中的其余部分可以是C(Ra)。Ra可以是氢原子、氘原子、取代或未取代的1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的2个至30个成环碳原子的杂芳基。在式ET-1中，Ar1至Ar3可以均独立地是氢原子、氘原子、取代或未取代的1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的2个至30个成环碳原子的杂芳基。
在式ET-1中，a至c可以均独立地是0至10的整数。在式ET-1中，L1至L3可以均独立地是直连键、取代或未取代的6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的2个至30个成环碳原子的亚杂芳基。在式ET-1中，如果a至c是2或更大，则L1至L3可以均独立地是取代或未取代的6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的2个至30个成环碳原子的亚杂芳基。
电子传输区域ETR可以包括蒽类化合物。然而，实施例不限于此，并且电子传输区域ETR可以包括例如三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、1,3,5-三[(3-吡啶基)-苯-3-基]苯、2,4,6-三(3'-(吡啶-3-基)联苯-3-基)-1,3,5-三嗪、2-(4-(N-苯基苯并咪唑-1-基)苯基)-9,10-二萘基蒽、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯(TPBi)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(tBu-PBD)、双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝(BAlq)、双(苯并喹啉-10-羟基)铍(Bebq2)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、1,3-双[3,5-二(吡啶-3-基)苯基]苯(BmPyPhB)和它们的混合物，而没有限制。
电子传输区域ETR可以包括下面的化合物ET1至化合物ET36之中的至少一种。
电子传输区域ETR可以包括诸如LiF、NaCl、CsF、RbCl、RbI、CuI和KI的金属卤化物、诸如Yb的镧系金属或者金属卤化物和镧系金属的共沉积材料。例如，电子传输区域ETR可以包括KI:Yb、RbI:Yb等作为共沉积材料。电子传输区域ETR可以包括诸如Li2O和BaO的金属氧化物或者8-羟基-喹啉锂(Liq)。然而，实施例不限于此。电子传输区域ETR也可以使用电子传输材料和绝缘的有机金属盐的混合材料形成。有机金属盐可以是具有等于或大于约4eV的能带隙的材料。例如，有机金属盐可以包括金属乙酸盐、金属苯甲酸盐、金属乙酰乙酸盐、金属乙酰丙酮化物或金属硬脂酸盐。
除了上述材料之外，电子传输区域ETR可以包括2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)和4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)中的至少一种。然而，实施例不限于此。
电子传输区域ETR可以在电子注入层EIL、电子传输层ETL和空穴阻挡层HBL中的至少一个中包括电子传输区域的化合物。
如果电子传输区域ETR包括电子传输层ETL，则电子传输层ETL的厚度可以在约
至约
的范围内。例如，电子传输层ETL的厚度可以在约
至约
的范围内。如果电子传输层ETL的厚度满足上述范围，则可以获得令人满意的电子传输性质，而不显著增大驱动电压。如果电子传输区域ETR包括电子注入层EIL，则电子注入层EIL的厚度可以在约
至约
的范围内。例如，电子注入层EIL的厚度可以在约
至约
的范围内。如果电子注入层EIL的厚度满足上述范围，则可以获得令人满意的电子注入性质，而不引起驱动电压的显著增大。
第二电极EL2设置在电子传输区域ETR上。第二电极EL2可以是共电极。第二电极EL2可以是阴极或阳极，但是实施例不限于此。例如，如果第一电极EL1是阳极，则第二电极EL2可以是阴极，如果第一电极EL1是阴极，则第二电极EL2可以是阳极。
第二电极EL2可以是透射电极、透反射电极或反射电极。如果第二电极EL2是透射电极，则第二电极EL2可以包括例如ITO、IZO、ZnO、ITZO等的透明金属氧化物。
如果第二电极EL2是透反射电极或反射电极，则第二电极EL2可以包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、Yb、W、In、Zn、Sn、它们的化合物或它们的混合物(例如，AgYb或MgAg)、或者具有诸如LiF/Ca或者LiF/Al的多层结构的材料。在另一实施例中，第二电极EL2可以具有包括使用上述材料形成的反射层或透反射层以及使用ITO、IZO、ZnO、ITZO等形成的透明导电层的多层结构。例如，第二电极EL2可以包括上述金属材料、选自于上述金属材料的两种或更多种金属材料的组合或者上述金属材料的氧化物。
虽然未示出，但是第二电极EL2可以电连接到辅助电极。如果第二电极EL2电连接到辅助电极，则第二电极EL2的电阻可以减小。
在实施例中，发光器件ED还可以包括设置在第二电极EL2上的覆盖层CPL。覆盖层CPL可以包括多层或单个层。
在实施例中，覆盖层CPL可以包括有机层或无机层。例如，如果覆盖层CPL包括无机材料，则无机材料可以包括诸如LiF的碱金属化合物、诸如MgF2、SiON、SiNx、SiOy的碱土金属化合物等。
例如，如果覆盖层CPL包括有机材料，则有机材料可以包括α-NPD、NPB、TPD、m-MTDATA、Alq3、CuPc、N4,N4,N4',N4'-四(联苯-4-基)联苯-4,4'-二胺(TPD15)、4,4',4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)等，或者可以包括环氧树脂或诸如甲基丙烯酸酯的丙烯酸酯。覆盖层CPL可以包括下面的化合物P1至化合物P5之中的至少一种，但是实施例不限于此。
覆盖层CPL的折射率可以等于或大于约1.6。例如，覆盖层CPL相对于在约550nm至约660nm的波长范围内的光的折射率可以等于或大于约1.6。
图7和图8均是根据实施例的显示设备的示意性剖视图。在关于实施例的显示设备的解释中，参照图7和图8，将不再解释与关于图1至图6的解释重叠的部分，并且将解释不同的特征。
参照图7，根据实施例的显示设备DD可以包括包含显示器件层DP-ED的显示面板DP、设置在显示面板DP上的光控制层CCL和滤色器层CFL。
在图7中所示的实施例中，显示面板DP包括基体层BS、设置在基体层BS上的电路层DP-CL和显示器件层DP-ED，并且显示器件层DP-ED可以包括发光器件ED。
发光器件ED可以包括第一电极EL1、设置在第一电极EL1上的空穴传输区域HTR、设置在空穴传输区域HTR上的发射层EML、设置在发射层EML上的电子传输区域ETR以及设置在电子传输区域ETR上的第二电极EL2。图3至图6的发光器件的相同描述可以应用于图7中所示的发光器件ED的结构。
参照图7，发射层EML可以设置在限定在像素限定层PDL中的开口部OH中。例如，由像素限定层PDL划分且相应地提供到发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B中的每个的发射层EML可以发射在相同的波长区域内的光。在实施例的显示设备DD中，发射层EML可以发射蓝光。虽然在附图中未示出，但是在实施例中，发射层EML可以设置为针对所有发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的公共层。
光控制层CCL可以设置在显示面板DP上。光控制层CCL可以包括光转换器。光转换器可以包括量子点或磷光体。光转换器可以转换所提供的光的波长且发射所转换的光。例如，光控制层CCL可以是包括量子点的层或包括磷光体的层。
光控制层CCL可以包括光控制部CCP1、CCP2和CCP3。光控制部CCP1、CCP2和CCP3可以彼此分开。
参照图7，分隔图案BMP可以设置在分开的光控制部CCP1、CCP2和CCP3之间，但是实施例不限于此。在图7中，分隔图案BMP被示出为不与光控制部CCP1、CCP2和CCP3叠置，但是光控制部CCP1、CCP2和CCP3的边缘的至少一部分可以与分隔图案BMP叠置。
光控制层CCL可以包括包含将从发光器件ED提供的第一颜色光转换为第二颜色光的第一量子点QD1的第一光控制部CCP1、包含将第一颜色光转换为第三颜色光的第二量子点QD2的第二光控制部CCP2和透射第一颜色光的第三光控制部CCP3。
在实施例中，第一光控制部CCP1可以提供作为第二颜色光的红光，第二光控制部CCP2可以提供作为第三颜色光的绿光。第三光控制部CCP3可以透射作为从发光器件ED提供的第一颜色光的蓝光。例如，第一量子点QD1可以是红色量子点，第二量子点QD2可以是绿色量子点。以上提供的量子点的相同描述可以应用于量子点QD1和QD2。
光控制层CCL还可以包括散射体SP。第一光控制部CCP1可以包括第一量子点QD1和散射体SP，第二光控制部CCP2可以包括第二量子点QD2和散射体SP，第三光控制部CCP3可以不包括量子点但可以包括散射体SP。
散射体SP可以是无机颗粒。例如，散射体SP可以包括TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和中空二氧化硅中的至少一种。散射体SP可以包括TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和中空二氧化硅中的至少一种，或者可以是选自于TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和中空二氧化硅之中的两种或更多种材料的混合物。
第一光控制部CCP1、第二光控制部CCP2和第三光控制部CCP3中的每个可以包括其中分散有量子点QD1和QD2以及散射体SP的基体树脂BR1、BR2和BR3。在实施例中，第一光控制部CCP1可以包括分散在第一基体树脂BR1中的第一量子点QD1和散射体SP，第二光控制部CCP2可以包括分散在第二基体树脂BR2中的第二量子点QD2和散射体SP，第三光控制部CCP3可以包括分散在第三基体树脂BR3中的散射体SP。基体树脂BR1、BR2和BR3是其中可以分散有量子点QD1和QD2以及散射体SP的介质，并且可以由通常可以被称为粘合剂的各种树脂组合物组成。例如，基体树脂BR1、BR2和BR3可以是亚克力树脂、氨基甲酸酯类树脂、硅类树脂、环氧类树脂等。基体树脂BR1、BR2和BR3可以是透明树脂。在实施例中，第一基体树脂BR1、第二基体树脂BR2和第三基体树脂BR3可以彼此相同或彼此不同。
光控制层CCL可以包括阻挡层BFL1。阻挡层BFL1可以防止湿气和/或氧(在下文中，将被称为“湿气/氧”)的渗透。阻挡层BFL1可以设置在光控制部CCP1、CCP2和CCP3上，以阻挡光控制部CCP1、CCP2和CCP3暴露于湿气/氧。阻挡层BFL1可以覆盖光控制部CCP1、CCP2和CCP3。阻挡层BFL2可以设置在光控制部CCP1、CCP2和CCP3与滤光器CF1、CF2和CF3之间。
阻挡层BFL1和BFL2可以包括至少一个无机层。例如，阻挡层BFL1和BFL2可以通过包括无机材料来形成。例如，阻挡层BFL1和BFL2可以通过包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅或者确保透光率的金属薄膜来形成。阻挡层BFL1和BFL2还可以均包括有机层。阻挡层BFL1和BFL2可以由单个层或多个层组成。
在实施例的显示设备DD中，滤色器层CFL可以设置在光控制层CCL上。例如，在实施例中，滤色器层CFL可以直接设置在光控制层CCL上，并且可以省略阻挡层BFL2。
滤色器层CFL可以包括光阻挡部BM以及滤光器CF1、CF2和CF3。滤色器层CFL可以包括透射第二颜色光的第一滤光器CF1、透射第三颜色光的第二滤光器CF2和透射第一颜色光的第三滤光器CF3。例如，第一滤光器CF1可以是红色滤光器，第二滤光器CF2可以是绿色滤光器，第三滤光器CF3可以是蓝色滤光器。滤光器CF1、CF2和CF3中的每个可以包括聚合物光敏树脂以及颜料或染料。第一滤光器CF1可以包括红色颜料或染料，第二滤光器CF2可以包括绿色颜料或染料，第三滤光器CF3可以包括蓝色颜料或染料。然而，实施例不限于此，第三滤光器CF3可以不包括颜料或染料。第三滤光器CF3可以包括聚合物光敏树脂且不包括颜料或染料。第三滤光器CF3可以是透明的。第三滤光器CF3可以使用透明光敏树脂形成。
在实施例中，第一滤光器CF1和第二滤光器CF2可以均是黄色滤光器。第一滤光器CF1和第二滤光器CF2可以没有区别地设置为一体。
光阻挡部BM可以是黑矩阵。光阻挡部BM可以通过包括有机光阻挡材料或者包括黑色颜料或黑色染料的无机光阻挡材料来形成。光阻挡部BM可以防止光泄漏现象且在相邻的滤光器CF1、CF2和CF3之间划分边界。在实施例中，光阻挡部BM可以形成为蓝色滤光器。
第一滤光器至第三滤光器CF1、CF2和CF3中的每个可以设置为与红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B中的每个对应。
上基体层BL可以设置在滤色器层CFL上。上基体层BL可以是提供其上设置有滤色器层CFL、光控制层CCL等的基体表面的构件。上基体层BL可以是玻璃基底、金属基底、塑料基底等。然而，实施例不限于此，上基体层BL可以包括无机层、有机层或复合材料层。虽然在附图中未示出，但是在实施例中可以省略上基体层BL。
图8是示出根据实施例的显示设备的部分的示意性剖视图。在图8中，示出与图7中的显示面板DP对应的部分的示意性剖视图。在实施例的显示设备DD-TD中，发光器件ED-BT可以包括多个发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3。发光器件ED-BT可以包括相对设置的第一电极EL1和第二电极EL2以及在厚度方向上依次堆叠且设置在第一电极EL1与第二电极EL2之间的多个发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3。发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3中的每个可以包括发射层EML(图7)、空穴传输区域HTR和电子传输区域ETR，并且发射层EML(图7)设置在空穴传输区域HTR与电子传输区域ETR之间。
例如，包括在实施例的显示设备DD-TD中的发光器件ED-BT可以是具有串联结构且包括多个发射层的发光器件。
在图8中所示的实施例中，从发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3发射的光可以全部是蓝光。然而，实施例不限于此，从发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3发射的光的波长区域可以彼此不同。例如，包括发射在不同的波长区域内的光的多个发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3的发光器件ED-BT可以发射白光。
电荷产生层CGL1和CGL2可以设置在相邻的发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3之间。电荷产生层CGL1和CGL2可以均包括p型电荷产生层和/或n型电荷产生层。
实施例的稠合多环化合物包括其中附加的稠合结构通过诸如直连键、氧基、硫基、羰基和烷基的附加的连接基团形成在喹啉并吖啶二酮骨架上的结构。由于根据实施例的稠合多环化合物具有由式1表示的宽共轭结构，因此当实施例的稠合多环化合物用作用于发光器件的材料时，可以实现发光器件的高效率。
在下文中，将参照实施例和对比实施例解释根据实施例的稠合多环化合物和实施例的发光器件。下面的实施例仅是帮助理解公开的示例，并且其范围不限于此。
[示例]
1、稠合多环化合物的合成
将通过示出化合物4和化合物6的合成方法来解释根据实施例的稠合多环化合物的合成方法。在下文中解释的稠合多环化合物的合成方法是实施例，并且根据实施例的稠合多环化合物的合成方法不限于下面的实施例。
(1)化合物4的合成
根据实施例的化合物4可以例如通过下面的反应合成。
(中间体化合物4a的合成)
将4,6-二溴间苯二甲酸二乙酯(2.7g，7.0mmol)、10H-吩噁嗪(3.2g，17.5mmol)、K2CO3(溶解在无水甲苯(30mL)中，3.2g，23.1mmol)、Pd2(dba)3(0.096g，0.105mmol)和DFFP(0.12g，0.21mmol)在N2气氛下回流约72小时。在冷却至室温之后，将获得的混合物用氯仿稀释并通过硅藻土垫过滤。将收集的有机层用水萃取并用无水Na2SO4干燥。在过滤并蒸发之后，通过硅胶柱色谱(洗脱液：己烷/CH2Cl2/乙酸乙酯＝17:2:1)分离粗产物以获得作为橙色固体的中间体化合物4a(4,6-二(10H-吩噁嗪-10-基)间苯二甲酸二乙酯)(产率＝2.6g，63％)。1H-NMR测量结果和MS测量结果如下。由此，橙色固体化合物被鉴定为中间体化合物4a。
1H-NMR(400MHz,DMSO-d6):δ8.73(s,1H),7.91(s,1H),6.73-6.76(m,4H),6.65-6.71(m,8H),5.99-6.03(m,4H),4.13(q,J＝7.1Hz,4H),1.01(t,J＝7.2Hz,6H)。
MS(ESI)：m/z，计算值：584.19[M]+；发现值：584.10。
(化合物4的合成)
将中间体化合物4a(2.6g，4.4mmol)在乙醇(30mL)、THF(30mL)和NaOH(1.8g，44mmol)的水溶液(30mL)中的悬浮液回流约36小时。在冷却至室温之后，在减压下蒸发产生的溶液以去除THF，并向其加入HCl(6M)直至pH达到1至2以进行酸化。将沉淀物过滤并用水和己烷洗涤。将由此获得的粉末在约60℃下真空干燥超过约3小时以获得二酸粉末(2.3g)，并且该二酸粉末在没有额外分离的情况下用于下一步骤中。在N2气氛下将二酸粉末分散在CH2Cl2(100mL)中。在室温下向反应混合物加入三氟乙酸酐(2.8g，13.2mmol)，并将反应混合物在相同温度下进一步搅拌约0.5小时。将混合物冷却至约0℃，并加入三氟化硼乙醚(0.6mL，4.4mmol)，并使反应混合物在相同温度下反应约1小时并在室温下进一步反应约48小时。将由此产生的混合物倒入到NaHCO3水溶液中并搅拌约0.5小时。在过滤之后，将粗粉末用水、甲醇和己烷洗涤。在约60℃下真空干燥约3小时之后，通过真空温度梯度升华(340℃，1.0×10-3Pa)分离粗产物以获得作为黄色固体的化合物4(产率＝0.65g，30％)。MS测量结果如下。由此，黄色固体化合物被鉴定为化合物4。
MS(ESI)：m/z，计算值：492.11[M]+；发现值：492.63。
(2)化合物6的合成
实施例的化合物6可以例如通过下面的反应合成。
(中间体化合物6a的合成)
将4,6-二溴间苯二甲酸二乙酯(3.8g，10mmol)、2-氨基苯甲酸甲酯(3.8g，25mmol)、K2CO3(溶解在无水甲苯(20mL)中，4.6g，33mmol)、Pd2(dba)3(0.14g，0.15mmol)和DFFP(0.17g，0.3mmol)的混合物在N2气氛下回流约48小时。在冷却至室温之后，将获得的混合物用氯仿稀释并通过硅藻土垫过滤。将收集的有机层用水萃取并用无水Na2SO4干燥。在过滤并蒸发之后，通过硅胶柱色谱(洗脱液：己烷/乙酸乙酯＝4:1)分离粗产物以获得作为白色固体的中间体化合物6a(4,6-双((2-(甲氧基羰基)苯基)氨基)间苯二甲酸二乙酯)(产率＝3.2g，48％)。1H-NMR测量结果和MS测量结果如下。由此，白色固体化合物被鉴定为中间体化合物6a。
1H-NMR(400MHz,DMSO-d6):δ7.76(s,1H),7.52(dd,J＝7.7,1.1Hz,2H),7.49(dd,J＝7.8,2.0Hz,2H),7.21(td,J＝7.6,1.0Hz,2H),7.10-7.16(m,6H),6.88-6.92(m,2H),6.69(d,J＝7.3Hz,4H),6.56(s,1H),3.69(q,J＝7.1Hz,4H),3.32(s,6H),0.95(t,J＝7.2Hz,6H)。
MS(ESI)：m/z，计算值：520.18[M]+；发现值：521.47。
(中间体化合物6b的合成)
将中间体化合物6a(3.2g，6.1mmol)、K2CO3(2.6g，18.3mmol)和Cu粉末(溶解在碘苯(15mL)中，0.18g，2.8mmol)在N2气氛下在约200℃下搅拌约72小时。在冷却至室温之后，向反应混合物加入大量NH4Cl水溶液和CH2Cl2。将收集的有机层萃取并用无水Na2SO4干燥。在过滤并蒸发之后，通过硅胶柱色谱(洗脱液：己烷/乙酸乙酯＝6:1)分离粗产物，并在低温下从己烷/乙酸乙酯溶液中重结晶粗产物，以获得作为柠檬黄色固体的中间体化合物6b(二乙基-4,6-双((2-(甲氧基羰基)苯基)(苯基)氨基)间苯二甲酸酯)(产率＝3.8g，93％)。1H-NMR测量结果和MS测量结果如下。由此，柠檬黄色固体化合物被鉴定为中间体化合物6b。
1H-NMR(400MHz,DMSO-d6):δ7.76(s,1H),7.52(dd,J＝7.7,1.1Hz,2H),7.48(dd,J＝7.8,2.0Hz,2H),7.20(td,J＝7.6,1.0Hz,2H),7.09-7.16(m,6H),6.87-6.91(m,2H),6.69(d,J＝7.3Hz,4H),6.55(s,1H),3.68(q,J＝7.1Hz,4H),3.31(s,6H),0.94(t,J＝7.2Hz,6H)。
MS(ESI)：m/z，计算值：672.25[M]+；发现值：672.80。
(化合物6的合成)
将中间体化合物6b(1.5g，2.2mmol)在乙醇(20mL)、THF(20mL)和NaOH(1.8g，44mmol)的水溶液(20mL)中的悬浮液回流约24小时。在冷却至室温之后，将产生的混合物在减压下蒸发以去除THF，并向其加入HCl(6M)直至pH达到1至2以进行酸化。将沉淀物过滤并用水和己烷洗涤。将由此获得的粉末在约60℃下真空干燥超过约3小时以获得二酸粉末(1.2g)，并且该二酸粉末在没有额外分离的情况下用于下一步骤中。在N2气氛下将二酸粉末分散在CH2Cl2(30mL)中。向反应混合物依次加入草酰氯(0.7mL，8.0mmol)和四滴DMF。在回流约3小时之后，将反应混合物冷却至室温。在正N2流下，缓慢地加入AlCl3(5.3g，40mmol)。在回流约24小时之后，将反应混合物冷却至室温并用大量水淬灭。将沉淀物过滤并用水、甲醇和己烷洗涤。在在约60℃下真空干燥约3小时之后，通过真空温度梯度升华(350℃，1.0×10-3Pa)分离粗产物以获得作为黄色固体的化合物6(产率＝0.15g，13％)。MS测量结果如下。由此，黄色固体化合物被鉴定为化合物6。
MS(ESI)：m/z，计算值：516.11[M]+；发现值：517.01。
2、包括稠合多环化合物的发光器件的制造和评价
(发光器件的制造)
使用化合物4和化合物6作为发射层的掺杂剂材料制造示例1和示例2的发光器件。
[示例化合物]
下面的对比化合物X1用于对比示例的器件的制造。
[对比化合物]
通过下面的方法制造在发射层中包括实施例的稠合多环化合物的实施例的发光器件。示例1和示例2与通过使用作为示例化合物的化合物4和化合物6作为发光材料制造的发光器件对应。对比示例1与通过使用对比化合物X1作为发光材料制造的发光器件对应。
使用ITO形成具有约50nm的厚度的第一电极，使用二吡嗪并[2,3-f:2',3'-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六腈(HAT-CN)形成具有约10nm的厚度的空穴注入层，使用1,1-双[(二-4-甲苯基氨基)苯基]环己烷(TAPC)形成具有约40nm的厚度的第一空穴传输层，使用9-苯基-9H-3,9'-联咔唑(CCP)形成具有约10nm的厚度的第二空穴传输层，使用掺杂有3％的示例化合物或对比化合物的(9-苯基-9H-咔唑-3,6-二基)双(二苯基氧化膦)(PPCz)形成具有约20nm的厚度的发射层，使用二苯并[b,d]呋喃-2,8-二基双(二苯基氧化膦)(PPF)形成具有约10nm的厚度的第一电子传输层，使用4,6-双(3,5-二(吡啶-3-基)苯基)-2-甲基嘧啶(B3PyMPM)形成具有约50nm的厚度的第二电子传输层，使用Liq形成具有约1nm的厚度的电子注入层，并且使用Al形成具有约100nm的厚度的第二电极。通过沉积法在真空气氛下形成所有层。
用于示例和对比示例的发光器件的制造的化合物如下所示。材料是通过升华纯化并用于器件的制造的商业材料。
(实验示例)
评价使用化合物4、化合物6和对比化合物X1制造的发光器件的器件效率。评价结果示出在下表1中。在器件评价中，测量并示出了最大发光波长λmax、外部量子效率的最大值EQEmax、约100cdm-2处的外部量子效率值EQE100cdm -2和滚降比(roll-off ratio)。
[表1]
参照表1的结果，可以证实的是，当与对比示例相比时，使用根据实施例的稠合多环化合物作为发光材料的发光器件的示例在保持蓝光的发光波长的同时显示出改善的发光效率和降低的滚降比。
在示例化合物的情况下，在喹啉并吖啶二酮骨架上的通过诸如直连键、氧基、硫基、羰基和烷基的附加的连接基团的附加的稠合结构包括在分子中，并且可以形成宽共轭结构，可以稳定多环芳香族环的结构，可以增加多共振效应，并且可以容易地产生反系间跨越。因此，如果示例化合物用作热激活延迟荧光掺杂剂，则半峰全宽和波长区域适合作为蓝色发光材料，并且可以改善发射效率。实施例的发光器件包括实施例的稠合多环化合物作为热激活延迟荧光(TADF)发射器件的掺杂剂，并且在约100cdm-2处的外部量子效率值以及外部量子效率的最大值可以是高的，因此，可以降低滚降比。
包括在对比示例1中的对比化合物X-1具有喹啉并吖啶二酮结构，但不具有附加的稠合结构。因此，可以确认的是，当与示例相比时，发射效率降低，并且在约100cdm-2处的外部量子效率值显著地降低，并且滚降比高。由于示例的器件包括具有短延迟荧光寿命长度(Tau延迟)的示例化合物，因此可以实现具有高效率、以高效率和低滚降发射光的发光器件。
实施例的发光器件可以显示出改善的高效率的器件性质。
实施例的稠合多环化合物可以包括在发光器件的发射层中，并且可以有助于增大有机电致发光器件的效率。
在此已经公开了实施例，虽然采用了术语，但是它们仅在一般性和描述性意义上使用和解释，而不是为了限制的目的。在一些情况下，如对于本领域普通技术人员将明显的，除非另有具体说明，否则结合实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独地使用或者与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如以下权利要求中阐述的公开的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。
Claims (10)
1.一种发光器件，所述发光器件包括：
第一电极；
第二电极，面对所述第一电极；以及
多个有机层，设置在所述第一电极与所述第二电极之间，
其中，所述多个有机层之中的至少一个有机层包括稠合多环化合物，并且
所述稠合多环化合物由式1表示：
[式1]
其中，在式1中，
Y1和Y2均独立地是直连键、-O-、-S-、-(C＝O)-或-C(R17)(R18)-，
R1至R18均独立地是氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、硝基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的硼基、取代或未取代的氧基、取代或未取代的羰基、取代或未取代的2个至30个碳原子的烷基、取代或未取代的6个至60个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的2个至60个成环碳原子的杂芳基。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，
所述多个有机层包括：
空穴传输区域，设置在所述第一电极上；
发射层，设置在所述空穴传输区域上；以及
电子传输区域，设置在所述发射层上，并且
所述发射层包括所述稠合多环化合物。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述发射层发射延迟荧光。
4.根据权利要求2所述的发光器件，其中，
所述发射层是包括主体和掺杂剂的延迟荧光发射层，并且
所述掺杂剂包括由式1表示的所述稠合多环化合物。
5.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述发射层发射具有在430nm至530nm的范围内的中心波长的光。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，在式1中，Y1和Y2相同。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，在式1中，
R1和R14相同，
R2和R13相同，
R3和R12相同，
R4和R11相同，
R5和R10相同，
R6和R9相同，并且
R7和R8相同。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其中，由式1表示的所述稠合多环化合物由式2-1至式2-5中的一个表示：
[式2-1]
[式2-2]
[式2-3]
[式2-4]
[式2-5]
其中，在式2-1至式2-5中，
R1a、R1b、R2a和R2b均独立地是氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的2个至30个碳原子的烷基、取代或未取代的6个至60个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的2个至60个成环碳原子的杂芳基，并且
R1至R16与结合式1所定义的相同。
9.根据权利要求1所述的发光器件，其中，由式1表示的所述稠合多环化合物由式3-1至式3-13中的一个表示：
[式3-1]
[式3-2]
[式3-3]
[式3-4]
[式3-5]
[式3-6]
[式3-7]
[式3-8]
[式3-9]
[式3-10]
[式3-11]
[式3-12]
[式3-13]
其中，在式3-1至式3-13中，
A均独立地是氢原子或氘原子，
R1a至R16a均独立地是卤素原子、氰基、硝基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的硼基、取代或未取代的氧基、取代或未取代的羰基、取代或未取代的2个至30个碳原子的烷基、取代或未取代的6个至60个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的2个至60个成环碳原子的杂芳基，并且
Y1、Y2、R17和R18与结合式1所定义的相同。
10.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述稠合多环化合物包括选自于化合物组1的至少一种：
[化合物组1]
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |