CN1143378C - 形成半导体熔丝的方法以及含有上述熔丝的集成电路 - Google Patents
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Abstract
一种具有熔丝和有源器件的半导体集成电路的形成方法。介质层形成在熔丝上和有源器件的接触区域上。穿过介质层的选择区域形成通孔，露出下面的部分熔丝和下面有源器件的部分接触区域。导电材料淀积在介质层上，并贯穿通孔，淀积在熔丝和接触区域的露出部分上。选择性地除去淀积到熔丝上的部分导电材料，同时留下淀积到有源器件的接触区域上的部分导电材料上。填充材料设置在一个熔丝中，所述填充材料的底部与熔丝隔开。
Description
技术领域
本发明一般涉及形成熔丝的方法，特别涉及在半导体集成电路中使用的熔丝的形成方法，本发明还涉及含有这种熔丝的集成电路。
背景技术
如本领域所公知的，许多现代的半导体集成电路包括熔丝，在制造工艺期间保护敏感部件以及激活冗余电路，例如动态随机存取存储器(DRAM)的冗余存储单元等。一般有两种熔丝：激光可熔断的熔丝，和电(例如电流)可熔断的熔丝。就尺寸而言，电可熔断熔丝比激光可熔断的熔丝优越。
在电可熔断熔丝的制造中使用的一种技术是用如二氧化硅或BPSG材料等的环绕介质材料覆盖熔丝材料。然而，熔丝材料熔断之后，材料会随着时间迁移(即，合拢)，提供了不希望的短路条件。此外，当熔丝熔断时，在环绕介质中产生的机械力会在介质材料中产生裂缝，并随着熔丝材料的膨胀而扩大。这些膨胀效应会损坏其它相邻的熔丝。
在另一技术中，在熔丝上形成空腔。由此，当熔丝熔断形成开路时，熔丝材料在某种程度上容纳在提供的空腔内。对于DRAM，这些熔丝通常为具有硅化钨上层的掺杂的多晶硅。此外，这些熔丝通常在形成DRAM单元的栅电极时形成。虽然栅电极形成在半导体内的有源区域上，但熔丝通常形成在用于电隔离有源区的二氧化硅隔离区上。空腔有时由特定的光刻步骤形成，即在熔丝区域上的掩模内开一个孔，同时保护芯片的其余部分(即，有源区域)免受形成空腔使用的一系列干和湿腐蚀步骤影响。特别是，空腔通常选择性地形成在熔丝材料和一般为氮化硅的环绕绝缘体之间。由此，一般的栅结构(或栅叠层)和熔丝都包括由密封在氮化硅绝缘体内的掺杂多晶硅/硅化钨组成的导体，在熔丝上选择性地除去氮化硅绝缘体形成用于熔丝熔断材料的空腔。所述空腔通常由等离子体淀积的二氧化硅密封，留出用于熔断的熔丝材料的凹坑，即以上介绍的空腔。在任何情况中，所述后一技术在制造工艺中需要单独的掩蔽步骤。
发明内容
根据本发明，提供一种半导体集成电路的熔丝的形成方法。该电路有一个有源器件。该方法包括在半导体衬底的不同区域内形成熔丝和有源器件。介质层形成在熔丝和有源器件的接触区域上。穿过介质层的选择区域形成通孔，露出下面部分熔丝和下面有源器件的部分接触区域。金属导电材料淀积在介质层上，并通过通孔淀积在熔丝和接触区域的露出部分上。选择性地除去淀积到熔丝上的部分金属导电材料，同时留下淀积到有源器件的接触区域上的部分金属导电材料。
采用这种方法，可以使用相同的掩蔽步骤形成用于熔丝的空腔和有源器件的接触通孔。
根据本发明的另一个特征，第二介质层形成在金属导电材料上。穿过第二介质材料形成第二通孔，露出淀积到有源器件的接触区域上的部分金属导电材料。在与金属导电材料层的材料不同的第二介质层上形成金属化层。部分所述金属化层通过第二通孔淀积到露出的下面淀积在有源器件的接触区域上部分金属导电材料上。
根据本发明的又一个特征，穿过熔丝和部分金属化层上的第二介质材料形成第三通孔。腐蚀剂接触第二介质，并通过第二和第三通孔接触淀积在熔丝上金属导电材料的露出部分，并接触金属化层的露出部分。腐蚀剂选择性地除去淀积在熔丝上金属导电材料的露出部分，留下基本上未腐蚀的淀积的部分金属化层，由第二通孔露出。
根据本发明的再一个特征，金属填充材料淀积到熔丝上第二通孔的上部分内，所述金属填充材料的底部与熔丝隔开。
根据本发明的还一个特征，金属导电材料是钨，金属化层是铝。
根据本发明的又一个特征，提供一种半导体集成电路，具有半导体衬底，熔丝和有源器件设置在半导体衬底的不同区域内。有源器件有一个导电的栅电极。介质层设置在熔丝上和栅电极上。介质层有一个通孔，穿过介质层的选择区域，露出下面的部分熔丝和下面的部分有源器件的源/漏接触区域。具有金属导电材料的第一金属化层设置在介质层上，并贯穿一个通孔，所述金属导电材料的一部分设置在源/漏接触区域的露出部分上。第二介质层设置在金属导电材料上，所述第二介质材料具有穿过第二介质层的第二通孔，所述第二通孔中的一个设置在一个第一通孔上，露出下面的部分熔丝，另一个所述第二通孔露出下面第二部分的金属导电材料。金属填充材料设置在熔丝上的一个第二通孔中，所述金属填充材料的底部与熔丝隔开。
当结合附图阅读时，本发明的其它特征以及本发明的本身将变得更显然。
附图说明
图1A-1G为具有有源器件和熔丝的半导体集成电路在制造中的不同阶段的剖面示意草图。
具体实施方式
现在参考图1A-1G，示出了具有熔丝12和有源器件14的半导体集成电路10的形成方法。该方法包括使用常规的工艺在半导体衬底16的不同区域中形成这里为电可熔断的熔丝12，和这里为MOSFET的有源器件14。用于熔丝12和有源器件14的区域由二氧化硅，这里为浅沟槽二氧化硅区域18电隔离。这里如前所述，有源器件为分别具有源和漏区20，22以及两者之间栅区24的MOSFET。熔丝12形成在二氧化硅浅沟槽隔离区域18上，如前所述。这里，MOSFET有源器件14包括由设置在薄栅二氧化硅层18上的掺杂的多晶硅层26制成的栅电极(即，叠层)25。这里为硅化钨的导电层28设置在掺杂的多晶硅层26上。氮化硅的绝缘层设置在硅化钨的导电层28上。未示出的光刻胶层淀积在要形成栅电极的区域中的氮化硅层上。将部分氮化硅层、硅化钨的导电层28和由掩模露出的掺杂的多晶硅层26腐蚀到二氧化硅层18。应该注意腐蚀将留下露出的栅电极的侧壁。保形的氮化硅的第二层淀积在结构上。使用反应离子腐蚀除去部分第二氮化硅层，部分第二氮化硅层留在栅电极的侧壁上，以常规的方式形成侧壁间隔层。由此，第一淀积的氮化硅层形成帽盖氮化物30，第二氮化硅层形成侧壁间隔层31。
这里为硼磷硅玻璃(BPSG)的介质层32淀积在栅叠层25和熔丝12上，回流，用化学机械抛光工艺平面化，后接这里为TEOS的介质层34。
现在参考图1B，光刻胶层36形成在介质层34的表面上，并使用常规的光刻构图，在其中形成开口38，如图1B所示。构图的光刻胶层36用做腐蚀掩模在介质层34的上表面部分中形成沟槽40，如图所示。应该注意沟槽34在源和漏区域20，22上对准。
现在参考图1C，除去光刻胶掩模36(图1B)，并用另一个光刻胶层42代替。如图所示构图光刻胶层42，腐蚀出通孔44，穿过露出的下面部分介质层34，32和源和漏区域20，22上的二氧化硅栅氧化层18，如图所示。由此，形成通孔44，穿过介质层32，34的选择区域，露出下面的部分熔丝12和下面MOSFET有源器件14的部分源/漏接触区域20，22。应该注意在形成沟槽40之前形成通孔44。
接下来参考图1D，除去光刻胶层42(图1C)，这里为钨的导电材料46a，46b，46c淀积在介质层34的表面上。应该注意导电材料46a，46b，46c穿过通孔44淀积到沟槽38(图1B)内，如图所示。使用如化学机械抛光(CMP)等的任何工艺除去导电材料46a，46b，46c的上部分(未示出)，形成图1D所示的平面表面。由此，应该注意使用双镶嵌工艺形成源/漏接触46b，46c，同时相同的材料46a淀积到熔丝12上。同样应该注意淀积到熔丝12上的部分钨46a由部分介质层34，32与源/漏电接触部分46b，46c隔离，如图所示。
现在参考图1E，这里为TEOS的介质层48淀积在结构的表面上，即介质层34上和钨材料46a，46b，46c的上部分上，如图所示。以类似于构图介质层34的方式构图介质层48。然而，沟槽和通孔与钨材料46b，46c提供的源和漏电接触对准，如图所示。
接下来，形成第一金属化层50a，50b。这里，用作金属化层50a，50b这里的为铝的导电材料，与用作导电材料46a，46b，46c的这里为以上介绍的钨导电材料不同。铝层50a，50b淀积在结构的表面上，然后使用例如化学机械抛光如图所示平面化，产生图1E所示的结构。应该注意所述第一级金属化部分50a，50b通过介质层48中的通孔淀积到露出的下面部分钨材料46a，46b上，用于提供到源和漏区的源和漏电接触。
接下来，这里为TEOS的介质层52淀积到图1E所示的结构表面上。以类似于结合图1B和1C介绍的类似方式构图介质层52。由此，应该注意如图所示和通孔56a，56b一起在介质层52中形成沟槽58。这里为通孔56a的一个通孔在熔丝12上对准，这里为通孔56b的另一个通孔在这里为部分漏电接触64c的一个源/漏电接触的部分上对准。这里为过氧化氢的湿腐蚀剂接触介质层52，接触露出的淀积到熔丝12上的钨材料46a，和漏电接触50c的露出部分。如前所述，漏电接触50c的材料与熔丝12上的材料不同，即前者为铝，后者为钨。过氧化氢选择性地除去钨材料46a(图1E)，基本上没有腐蚀介质TEOS或BPSG层52，48，34，32或铝材料50c。过氧化氢腐蚀之后，图1F示出了所得结构，这里任选地，从熔丝12上的硅化钨的导电层28的上部分除去氮化硅层30的露出部分。用过氧化氢除去硅化钨的一些部分。应该注意除去导电硅化钨越多导致熔丝12电阻的越高，由此当电流经过掺杂的多晶硅26时，有助于熔断所述熔丝。
作为另一选择，使用化学干法各向异性含氟的腐蚀剂除去氮化硅的侧壁间隔层31(图1B)，来增加空腔的尺寸(即，空间64的尺寸)。
接下来，参考图1G，这里为铝的第二金属化层60a，60b，60c淀积在图1F显示的结构表面上，然后使用例如CMP平面化产生图1G所示的结构。由此，熔丝12上通孔56a中的铝60a起金属填充材料的作用。此外，由于高宽比较高，(例如通孔56a的高度为通孔56a宽度的五倍)，金属填充材料60a的底部62垂直地与熔丝12的上表面隔开。由此所述空间64提供了熔丝12熔断后用于熔丝材料的空腔。
其它的实施例在附带的权利要求的精神和范围内。
Claims (16)
1.一种半导体集成电路的熔丝的形成方法，所述电路具有一个有源器件，所述方法包括以下步骤：
在半导体衬底的不同区域内形成熔丝和有源器件；
在熔丝和有源器件上形成介质层；
穿过介质层的选择区域形成通孔，露出下面的部分熔丝和下面有源器件的部分接触区域；
将金属导电材料淀积在介质层上，并穿过通孔淀积在熔丝和接触区域的露出部分上；
选择性地除去淀积到熔丝上的部分金属导电材料，同时留下淀积到有源器件的接触区域上的部分金属导电材料。
2.根据权利要求1的方法，包括步骤：
在金属导电材料上形成第二介质层；
穿过第二介质材料形成第二通孔，露出下面淀积到有源器件的接触区域上的部分金属导电材料；
在与金属导电材料层的材料不同的第二介质层上形成金属化层，部分所述金属化层通过第二通孔淀积到淀积在有源器件的接触区域上露出的下层部分金属导电材料上。
3.根据权利要求2的方法，包括穿过熔丝和部分金属化层上的第二介质材料形成第三通孔的步骤。
4.根据权利要求3的方法，包括以下步骤：腐蚀剂接触第二介质，并通过第二和第三通孔接触淀积在熔丝上的金属导电材料的露出部分，并接触金属化层的露出部分，所述腐蚀剂选择性地除去淀积在熔丝上的金属导电材料的露出部分，留下基本上未腐蚀的淀积的部分金属层，由第二通孔露出。
5.根据权利要求4的方法，包括金属填充材料淀积到熔丝上第二通孔的上部分内的步骤，所述金属填充材料的底部与熔丝隔开。
6.根据权利要求5的方法，其中金属导电材料是钨。
7.根据权利要求6的方法，其中金属化层是铝。
8.一种半导体集成电路的熔丝的形成方法，所述电路具有一个有源器件，所述方法包括以下步骤：
在半导体衬底的不同区域内形成熔丝和有源器件，所述有源器件具有导电的栅电极；
在熔丝和栅电极上形成介质层；
穿过介质层的选择区域形成通孔，露出下面的部分熔丝和下面有源器件的部分源/漏接触区域；
形成第一金属化层，具有淀积在介质层上的金属导电材料，并贯穿通孔，所述金属导电材料具有淀积在熔丝露出部分上的第一部分，和淀积在源/漏接触区域的暴露部分上的第二部分，所述第一和第二部分由部分介质层电隔离；
选择性地除去部分金属导电材料的第一部分，同时留下基本上为金属导电材料的第二部分。
9.根据权利要求8的方法，包括步骤：
在金属导电材料上形成第二介质层；
穿过第二介质材料形成第二通孔，所述第二通孔露出下面的部分金属导电材料的第二部分；
在第二介质层上形成第二级金属化层，所述第二级金属化层的材料与金属导电材料不同，部分所述第二级金属化层通过第二通孔淀积到露出的下面金属导电材料的第二部分上。
10.根据权利要求9的方法，其中形成第二通孔的步骤包括在金属导电材料的第一部分上形成通孔，露出下面部分第一金属导电材料的第一部分。
11.根据权利要求10的方法，包括腐蚀第二介质层、金属导电材料露出的第一部分和第二金属层的露出部分，所述腐蚀选择性地除去金属导电材料露出的第一部分，留下基本上未腐蚀的露出的第二金属层。
12.根据权利要求11的方法，包括将金属填充材料淀积到熔丝上的步骤，所述金属填充材料的底部与熔丝隔开。
13.根据权利要求12的方法，其中金属导电材料是钨。
14.一种半导体集成电路的熔丝的形成方法，所述电路具有一个有源器件，所述方法包括以下步骤：
在半导体衬底的不同区域内形成熔丝和有源器件，所述熔丝和所述有源器件每一个具有导电的栅电极；
在熔丝和栅电极上形成第一介质层；
穿过第一介质层的选择区域形成第一通孔，所述第一通孔露出下面的部分熔丝和有源器件的部分源/漏接触区域；
形成第一金属化层，具有淀积在第一介质层上的第一金属导电材料，并贯穿第一通孔，所述第一金属导电材料具有淀积在熔丝露出部分上的第一部分和淀积在源/漏接触区域的暴露部分上的第二部分，所述第一和第二部分由部分第一介质层电隔离；
在第一介质层和第一金属导电材料上形成第二介质层；
穿过第二介质层形成第二通孔，所述第二通孔露出部分第一金属导电材料的第二部分；
在第二介质层上形成第二金属化层，所述第二金属化层的金属导电材料与第一导电层不同，所述第二金属导电材料的一部分穿过第二通孔，淀积到露出的部分第一金属导电材料的第二部分上；
在第二介质层上形成第三介质层；
在部分第三介质层中形成第三通孔，露出部分第一金属导电材料的第一部分，和部分第二金属化层；
将第三介质层暴露到腐蚀剂，所述腐蚀剂选择性地除去由第三通孔露出的部分第一金属导电材料，同时留下基本上未腐蚀的第二金属化层；以及
将金属填充材料淀积到第三介质层上，所述材料淀积在第三通孔的上部分中，所述金属填充材料具有与熔丝隔开的底部。
15.一种集成电路，包括：
半导体衬底，在半导体衬底的不同区域内设置熔丝和有源器件，所述有源器件有一个导电的栅电极；
介质层设置在熔丝上和栅电极上，所述介质层有一个通孔，穿过介质层的选择区域，露出下面的部分熔丝和下面的部分有源器件的源/漏接触区域；
第一金属化层具有设置在介质层上的金属导电材料，并贯穿一个通孔，所述金属导电材料的一部分设置在源/漏接触区域的露出部分上；
在金属导电材料上的第二介质层，所述第二介质层具有穿过其中的第二通孔，所述第二通孔中的一个设置在一个第一通孔上，露出下面的部分熔丝，另一个所述第二通孔露出下面金属导电材料的第二部分；
金属填充材料设置在熔丝上的一个第二通孔中，所述金属填充材料的底部与熔丝隔开。
16.根据权利要求15的集成电路，其中金属填充材料是金属导电材料。
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