CN113481471A - 高性能导电条用金属材料制备工艺 - Google Patents

高性能导电条用金属材料制备工艺 Download PDF

Info

Publication number
CN113481471A
CN113481471A CN202110780327.5A CN202110780327A CN113481471A CN 113481471 A CN113481471 A CN 113481471A CN 202110780327 A CN202110780327 A CN 202110780327A CN 113481471 A CN113481471 A CN 113481471A
Authority
CN
China
Prior art keywords
metallic substance
metal
powder
metal material
mixed solution
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202110780327.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113481471B (zh
Inventor
陆新华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rugao Kaiyuan Electrical Equipment Co Ltd
Original Assignee
Rugao Kaiyuan Electrical Equipment Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rugao Kaiyuan Electrical Equipment Co Ltd filed Critical Rugao Kaiyuan Electrical Equipment Co Ltd
Priority to CN202110780327.5A priority Critical patent/CN113481471B/zh
Publication of CN113481471A publication Critical patent/CN113481471A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113481471B publication Critical patent/CN113481471B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/26—Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C21/00—Alloys based on aluminium
    • C22C21/12—Alloys based on aluminium with copper as the next major constituent
    • C22C21/16—Alloys based on aluminium with copper as the next major constituent with magnesium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C21/00—Alloys based on aluminium
    • C22C21/12—Alloys based on aluminium with copper as the next major constituent
    • C22C21/18—Alloys based on aluminium with copper as the next major constituent with zinc
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/16—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H01B13/0026—Apparatus for manufacturing conducting or semi-conducting layers, e.g. deposition of metal

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Abstract

本发明公开了高性能导电条用金属材料制备工艺，该金属材料由以下原料配制而成：以银离子混合液11.6%‑13.6%，铝粉61.5%‑63.5%、铜粉13.6%‑15.6%、碳7.3%‑9.3%作为主要原料，以锰0.3%、锌1.6%、镁粉0.017%作为辅料，本发明通过在铝和铜的基础上添加了银、锰、镁、锌等导电性能良好的金属材料，并将其混合后的晶体材料通过真空蒸发法制成了金属导电薄膜，可用于贴附在导电条的金属基片表面，增加了导电率的同时又对导电条进行了有效保护，使导电条具有更高的导电性能，应用范围更加广泛。

Description

高性能导电条用金属材料制备工艺
技术领域
本发明涉及钢化玻璃的制备领域，特别涉及高性能导电条用金属材料制备工艺。
背景技术
在高科技迅猛发展的今天，电子产品的更新日新月异，电子产品的材料要求越来越高，为了能够让人们生活更加安全，需要导电性能突出且成本低的金属导电条。
导电条是一种导电设备，主要用于非水平方向的带电运动及中、低压断路器等，导电条由金属基片（铜或铝）和硅胶绝缘保护层制成，主要导电部分由导电率高的金属材料完成。
由于铜和铝的电阻率小，电导率高，因此一直被认为制作导电条的最佳材料，而在实际使用中，对于长期暴露在电子设备外部的导电条而言，由于外界因素的影响和长时间使用，其导电性能会随着时间的递增而下降，影响电子设备的正常使用，因此需要提供一种高性能导电条用金属材料制备工艺。
发明内容
本发明的目的在于提供高性能导电条用金属材料制备工艺，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：高性能导电条用金属材料制备工艺，该金属材料由以下原料配制而成：以银离子混合液11.6%-13.6%，铝粉61.5%-63.5%、铜粉13.6%-15.6%、碳7.3%-9.3%作为主要原料，以锰 0.3%、锌 1.6%、镁粉 0.017%作为辅料，其制备工艺为：
S1：将铝粉、铜粉、碳、锰、锌、镁粉按照质量比混入银离子混合液中，通过搅拌机对混合料液进行匀速搅拌，搅拌辊速率控制为150-200r/min，搅拌时间控制为20-35分钟，搅拌温度控制为50-60摄氏度；
S2：提取S1中冷却后的混合液，并将其混合液放入金属液浓缩机中进行浓缩，浓缩后再将其制得的混合液放入真空干燥结晶设备中进行结晶，得到固状金属结晶；
S3：选用超声波清洗机，并将其内部注入15-18摄氏度的去离子水，通过去离子水对结晶体进行超声波清洗；
S4：采用真空蒸发法将S3清洗后的结晶体蒸发沉积为金属薄膜，具体操作为：将钨丝加热绕成螺旋状，将金属结晶放入螺旋钨丝中，基片置于加热源正上方，此时由于气体分子平均自由程度可达500厘米，远大于蒸发源到基片的距离，这样蒸发原子均以直线轨迹从蒸发源向四周空间出射，到达基片上的原子便沉积成金属薄膜。
优选的，该金属材料的配方比例1为：
原料 原料品种 比重 重量份（kg）
银离子混合液 金属化合物 11.6% /
铝粉 金属物质 61.5% /
铜粉 金属物质 15.6% /
碳 非金属元素 9.3% /
锰 金属物质 0.3% /
锌 金属物质 1.6% /
锰 金属物质 0.017% /
优选的，该金属材料的配方比例2为：
原料 原料品种 比重 重量份（kg）
银离子混合液 金属化合物 12.6% /
铝粉 金属物质 62.5% /
铜粉 金属物质 14.6% /
碳 非金属物质 8.3% /
锰 金属物质 0.3% /
锌 金属物质 1.6% /
锰 金属物质 0.017% /
优选的，该金属材料的配方比例3为：
原料 原料品种 比重 重量份（kg）
银离子混合液 金属化合物 13.6% /
铝粉 金属物质 63.5% /
铜粉 金属物质 13.6% /
碳 非金属物质 7.3% /
锰 金属物质 0.3% /
锌 金属物质 1.6% /
锰 金属物质 0.017% /
优选的，所述铝粉为氧化铝，所述铜粉为电解铜。
优选的，所述铝的电阻率为0.0282Ω·m2，电导率为61，抗拉强度为78MPa，所述铜的电阻率为0.0172Ω·m2，电导率为100，抗拉强度为196MPa，所述银的电阻率为0.0162Ω·m2，电导率为106，抗拉强度为147MPa。
优选的，所述S4中的蒸发成膜中，需向系统中引入氩或氧氩混合气体，保证成膜效果。
本发明的技术效果和优点：高性能导电条用金属材料制备工艺，本发明通过在铝和铜的基础上添加了银、锰、镁、锌等导电性能良好的金属材料，并将其混合后的晶体材料通过真空蒸发法制成了金属导电薄膜，可用于贴附在导电条的金属基片表面，增加了导电率的同时又对导电条进行了有效保护，使导电条具有更高的导电性能，应用范围更加广泛。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明提供了高性能导电条用金属材料制备工艺，高性能导电条用金属材料制备工艺，该金属材料由以下原料配制而成：以银离子混合液11.6%-13.6%，铝粉61.5%-63.5%、铜粉 13.6%-15.6%、碳7.3%-9.3%作为主要原料，以锰 0.3%、锌 1.6%、镁粉 0.017%作为辅料，其制备工艺为：
S1：将铝粉、铜粉、碳、锰、锌、镁粉按照质量比混入银离子混合液中，通过搅拌机对混合料液进行匀速搅拌，搅拌辊速率控制为150-200r/min，搅拌时间控制为20-35分钟，搅拌温度控制为50-60摄氏度；
S2：提取S1中冷却后的混合液，并将其混合液放入金属液浓缩机中进行浓缩，浓缩后再将其制得的混合液放入真空干燥结晶设备中进行结晶，得到固状金属结晶；
S3：选用超声波清洗机，并将其内部注入15-18摄氏度的去离子水，通过去离子水对结晶体进行超声波清洗；
S4：采用真空蒸发法将S3清洗后的结晶体蒸发沉积为金属薄膜，具体操作为：将钨丝加热绕成螺旋状，将金属结晶放入螺旋钨丝中，基片置于加热源正上方，此时由于气体分子平均自由程度可达500厘米，远大于蒸发源到基片的距离，这样蒸发原子均以直线轨迹从蒸发源向四周空间出射，到达基片上的原子便沉积成金属薄膜。
实施例一，该金属材料的配方比例1为：
原料 原料品种 比重 重量份（kg）
银离子混合液 金属化合物 11.6% /
铝粉 金属物质 61.5% /
铜粉 金属物质 15.6% /
碳 非金属元素 9.3% /
锰 金属物质 0.3% /
锌 金属物质 1.6% /
锰 金属物质 0.017% /
实施例二，该金属材料的配方比例2为：
原料 原料品种 比重 重量份（kg）
银离子混合液 金属化合物 12.6% /
铝粉 金属物质 62.5% /
铜粉 金属物质 14.6% /
碳 非金属物质 8.3% /
锰 金属物质 0.3% /
锌 金属物质 1.6% /
锰 金属物质 0.017% /
实施例三，该金属材料的配方比例3为：
原料 原料品种 比重 重量份（kg）
银离子混合液 金属化合物 13.6% /
铝粉 金属物质 63.5% /
铜粉 金属物质 13.6% /
碳 非金属物质 7.3% /
锰 金属物质 0.3% /
锌 金属物质 1.6% /
锰 金属物质 0.017% /
实施例四，所述铝粉为氧化铝，所述铜粉为电解铜，所述铝的电阻率为0.0282Ω·m2，电导率为61，抗拉强度为78MPa，所述铜的电阻率为0.0172Ω·m2，电导率为100，抗拉强度为196MPa，所述银的电阻率为0.0162Ω·m2，电导率为106，抗拉强度为147MPa，所述S4中的蒸发成膜中，需向系统中引入氩或氧氩混合气体，保证成膜效果。
综上所述，本发明提供的高性能导电条用金属材料制备工艺，本发明通过在铝和铜的基础上添加了银、锰、镁、锌等导电性能良好的金属材料，并将其混合后的晶体材料通过真空蒸发法制成了金属导电薄膜，可用于贴附在导电条的金属基片表面，增加了导电率的同时又对导电条进行了有效保护，使导电条具有更高的导电性能，应用范围更加广泛。
最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
本发明使用到的标准零件均可以从市场上购买，异形件根据说明书的记载均可以进行订制。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (7)

1.高性能导电条用金属材料制备工艺，其特征在于，该金属材料由以下原料配制而成：以银离子混合液11.6%-13.6%，铝粉61.5%-63.5%、铜粉 13.6%-15.6%、碳7.3%-9.3%作为主要原料，以锰 0.3%、锌 1.6%、镁粉 0.017%作为辅料，其制备工艺为：
S1：将铝粉、铜粉、碳、锰、锌、镁粉按照质量比混入银离子混合液中，通过搅拌机对混合料液进行匀速搅拌，搅拌辊速率控制为150-200r/min，搅拌时间控制为20-35分钟，搅拌温度控制为50-60摄氏度；
S2：提取S1中冷却后的混合液，并将其混合液放入金属液浓缩机中进行浓缩，浓缩后再将其制得的混合液放入真空干燥结晶设备中进行结晶，得到固状金属结晶；
S3：选用超声波清洗机，并将其内部注入15-18摄氏度的去离子水，通过去离子水对结晶体进行超声波清洗；
S4：采用真空蒸发法将S3清洗后的结晶体蒸发沉积为金属薄膜，具体操作为：将钨丝加热绕成螺旋状，将金属结晶放入螺旋钨丝中，基片置于加热源正上方，此时由于气体分子平均自由程度可达500厘米，远大于蒸发源到基片的距离，这样蒸发原子均以直线轨迹从蒸发源向四周空间出射，到达基片上的原子便沉积成金属薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种防自爆的钢化玻璃，其特征在于，该金属材料的配方比例1为：
1． 原料 2． 原料品种 3． 比重 4． 重量份（kg） 5． 银离子混合液 6． 金属化合物 7． 11.6% 8． / 9． 铝粉 10． 金属物质 11． 61.5% 12． / 13． 铜粉 14． 金属物质 15． 15.6% 16． / 17． 碳 18． 非金属元素 19． 9.3% 20． / 21． 锰 22． 金属物质 23． 0.3% 24． / 25． 锌 26． 金属物质 27． 1.6% 28． / 29． 锰 30． 金属物质 31． 0.017% 32． /
。
3.根据权利要求1所述的一种防自爆的钢化玻璃，其特征在于，该金属材料的配方比例2为：
33． 原料 34． 原料品种 35． 比重 36． 重量份（kg） 37． 银离子混合液 38． 金属化合物 39． 12.6% 40． / 41． 铝粉 42． 金属物质 43． 62.5% 44． / 45． 铜粉 46． 金属物质 47． 14.6% 48． / 49． 碳 50． 非金属物质 51． 8.3% 52． / 53． 锰 54． 金属物质 55． 0.3% 56． / 57． 锌 58． 金属物质 59． 1.6% 60． / 61． 锰 62． 金属物质 63． 0.017% 64． /
。
4.根据权利要求1所述的一种防自爆的钢化玻璃，其特征在于，该金属材料的配方比例3为：
65． 原料 66． 原料品种 67． 比重 68． 重量份（kg） 69． 银离子混合液 70． 金属化合物 71． 13.6% 72． / 73． 铝粉 74． 金属物质 75． 63.5% 76． / 77． 铜粉 78． 金属物质 79． 13.6% 80． / 81． 碳 82． 非金属物质 83． 7.3% 84． / 85． 锰 86． 金属物质 87． 0.3% 88． / 89． 锌 90． 金属物质 91． 1.6% 92． / 93． 锰 94． 金属物质 95． 0.017% 96． /
。
5.根据权利要求1所述的高性能导电条用金属材料制备工艺，其特征在于，所述铝粉为氧化铝，所述铜粉为电解铜。
6.根据权利要求1所述的高性能导电条用金属材料制备工艺，其特征在于，所述铝的电阻率为0.0282Ω·m2，电导率为61，抗拉强度为78MPa，所述铜的电阻率为0.0172Ω·m2，电导率为100，抗拉强度为196MPa，所述银的电阻率为0.0162Ω·m2，电导率为106，抗拉强度为147MPa。
7.根据权利要求1所述的高性能导电条用金属材料制备工艺，其特征在于，所述S4中的蒸发成膜中，需向系统中引入氩或氧氩混合气体，保证成膜效果。
CN202110780327.5A 2021-07-10 2021-07-10 高性能导电条用金属材料制备工艺 Active CN113481471B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110780327.5A CN113481471B (zh) 2021-07-10 2021-07-10 高性能导电条用金属材料制备工艺

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110780327.5A CN113481471B (zh) 2021-07-10 2021-07-10 高性能导电条用金属材料制备工艺

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113481471A true CN113481471A (zh) 2021-10-08
CN113481471B CN113481471B (zh) 2023-08-04

Family

ID=77938404

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110780327.5A Active CN113481471B (zh) 2021-07-10 2021-07-10 高性能导电条用金属材料制备工艺

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113481471B (zh)

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1875128A (zh) * 2003-11-04 2006-12-06 山特维克知识产权股份有限公司 涂覆金属涂层的不锈钢带
CN102482154A (zh) * 2009-08-05 2012-05-30 住友金属矿山株式会社 离子镀用片料和其制造方法以及透明导电膜
CN105683884A (zh) * 2013-11-12 2016-06-15 株式会社神户制钢所 电极及其制造方法
CN106835048A (zh) * 2017-02-21 2017-06-13 南通纳瑞纳米科技有限公司 一种核壳结构Cu/Ag纳米合金的气相制备方法
CN108504904A (zh) * 2017-02-27 2018-09-07 江苏港缆新材料科技有限公司 一种高强耐热导电铝合金丝及其制备方法
US20190143405A1 (en) * 2017-11-13 2019-05-16 National Cheng Kung University Methods of Fabricating Conductive Thick-Film Pastes of Base Metals with High Conductivity Achieved
CN111041312A (zh) * 2019-11-05 2020-04-21 上海乾乐欣展实业有限公司 一种高导热金属基复合材料及其制备方法
CN111471962A (zh) * 2020-02-21 2020-07-31 西安理工大学 一种利用旋转蒸发制备ZrC有机前驱体的方法
US20200255929A1 (en) * 2017-08-23 2020-08-13 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Method for producing an electrically conductive foil
CN112201389A (zh) * 2020-09-30 2021-01-08 浙江长宇新材料有限公司 一种替代铝箔的导电膜及其制备方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1875128A (zh) * 2003-11-04 2006-12-06 山特维克知识产权股份有限公司 涂覆金属涂层的不锈钢带
CN102482154A (zh) * 2009-08-05 2012-05-30 住友金属矿山株式会社 离子镀用片料和其制造方法以及透明导电膜
CN105683884A (zh) * 2013-11-12 2016-06-15 株式会社神户制钢所 电极及其制造方法
CN106835048A (zh) * 2017-02-21 2017-06-13 南通纳瑞纳米科技有限公司 一种核壳结构Cu/Ag纳米合金的气相制备方法
CN108504904A (zh) * 2017-02-27 2018-09-07 江苏港缆新材料科技有限公司 一种高强耐热导电铝合金丝及其制备方法
US20200255929A1 (en) * 2017-08-23 2020-08-13 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Method for producing an electrically conductive foil
US20190143405A1 (en) * 2017-11-13 2019-05-16 National Cheng Kung University Methods of Fabricating Conductive Thick-Film Pastes of Base Metals with High Conductivity Achieved
CN111041312A (zh) * 2019-11-05 2020-04-21 上海乾乐欣展实业有限公司 一种高导热金属基复合材料及其制备方法
CN111471962A (zh) * 2020-02-21 2020-07-31 西安理工大学 一种利用旋转蒸发制备ZrC有机前驱体的方法
CN112201389A (zh) * 2020-09-30 2021-01-08 浙江长宇新材料有限公司 一种替代铝箔的导电膜及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN113481471B (zh) 2023-08-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Shen et al. Preparation and properties of AZO thin films on different substrates
US8372314B2 (en) Indium tin oxide target, method for manufacturing the same, transparent conductive film of indium tin oxide, and method for manufacturing transparent conductive film of indium tin oxide
CN104919542B (zh) 透明导电性薄膜及其制造方法
KR20100017549A (ko) 반도체 박막, 반도체 박막의 제조 방법 및 반도체 소자
Gong et al. Towards suppressing dielectric loss of GO/PVDF nanocomposites with TA-Fe coordination complexes as an interface layer
JP5763064B2 (ja) スパッタリングターゲット
JP6270738B2 (ja) 透明電極付き基板およびその製造方法
JP6267641B2 (ja) 透明電極付き基板の製造方法、および透明電極付き基板
CN113481471A (zh) 高性能导电条用金属材料制备工艺
JP4230594B2 (ja) スパッタリング用ターゲット及び透明導電ガラス並びに透明導電フィルム
JP2016098396A (ja) スパッタリングターゲット、透明導電性酸化物薄膜、及び導電性フィルム
JP2009161389A (ja) 酸化亜鉛系透明導電膜
JP2002226966A (ja) 透明電極膜及び同電極膜を形成するためのスパッタリングターゲット
TW200304954A (en) Silicon monoxide sintered product and sputtering target comprising the same
Zhou et al. Conductive ZnO: Zn composites for high-rate sputtering deposition of ZnO thin films
KR20120071100A (ko) 투명 전도막의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 투명 전도막
JP5363742B2 (ja) 酸化亜鉛系透明導電膜
JPS6354788B2 (zh)
JP2018100437A (ja) Ａｇ合金スパッタリングターゲットおよびＡｇ合金膜
JP2008053118A (ja) 酸化亜鉛系透明導電膜の熱処理方法
KR100788333B1 (ko) 투명도전막 형성용 구리 함유 금속 산화물 및 그 소결체와이를 이용한 투명도전막 및 그 제조방법
JP5613805B2 (ja) 酸化亜鉛系透明導電膜、マグネトロンスパッタリング用焼結体ターゲット、液晶ディスプレイ及びタッチパネル、ならびに酸化亜鉛系透明導電膜を含んでなる機器
JP2012148937A (ja) 導電性複合酸化物、酸化亜鉛系焼結体、その製造方法およびターゲット
JP2013209708A (ja) 黒色被膜製品
JP2012132089A (ja) 酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法、酸化亜鉛系透明導電膜および透明導電性基板

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant