KR20120071100A - 투명 전도막의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 투명 전도막 - Google Patents

투명 전도막의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 투명 전도막 Download PDF

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KR20120071100A
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Abstract

본 발명에서는 전기적, 광학적 특성이 우수한 투명 전도막의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 투명 전도막이 개시된다.
일 예로, 기판을 구비하는 단계와, 상기 기판의 상부에 알루미늄 도핑 산화 아연을 증착하는 단계와, 상기 기판의 상부에 붕소 도핑 산화 아연을 증착하는 단계를 포함하는 투명 전도막의 제조 방법이 개시된다.

Description

투명 전도막의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 투명 전도막{Method for Fabricating Transparent Conductive Film and Transparent Conductive Film by Thereof}
본 발명은 투명 전도막의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 투명 전도막에 관한 것이다.
투명 전도막은 평판표시장치인 유기발광다이오드 디스플레이와 액정표시장치 디스플레이 및 태양전지의 전극으로 널리 이용된다. 이러한, 투명 전도막은 광학적 투과도가 높을수록 그리고, 동시에 전기적 전도성이 좋을수록 좋은 투명 전도막이다.
종래에는 ITO(Indium Tin Oxide) 계열의 투명 전도막이 많이 이용되어 왔으나, 인듐(Indium)의 가격 상승과 ITO의 플라스마에 대한 불안정성 문제를 가지고 있었다. 따라서, ITO를 대체하는 투명 전도막을 제조하기 위한 연구가 진행되고 있다.
본 발명은 전기적, 광학적 특성이 우수한 투명 전도막의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 투명 전도막을 제공한다.
본 발명에 따른 투명 전도막의 제조 방법은 기판을 구비하는 단계; 상기 기판의 상부에 알루미늄 도핑 산화 아연을 증착하는 단계; 및 상기 기판의 상부에 붕소 도핑 산화 아연을 증착하는 단계를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 알루미늄 도핑 산화 아연을 증착하는 단계 및 붕소 도핑 산화 아연을 증착하는 단계는 동시에 이루어질 수 있다.
그리고 상기 알루미늄 도핑 산화 아연을 증착하는 단계 및 붕소 도핑 산화 아연을 증착하는 단계는 동시 스퍼터링법(co-sputtering)에 의하여 이루어질 수 있다.
또한, 상기 알루미늄 도핑 산화 아연을 증착하는 단계는 챔버 내부에 알루미늄 도핑 산화 아연(Aluminum doped Zinc Oxide)을 타겟으로 이용하여 이루어질 수 있다.
또한, 상기 알루미늄 도핑 산화 아연을 증착하는 단계는 DC 마그네트론 스퍼터링법에 의하여 이루어질 수 있다.
또한, 상기 붕소 도핑 산화 아연을 증착하는 단계는 챔버 내부에 붕소 도핑 산화 아연(Boron doped Zinc Oxide)을 타겟으로 이용하여 이루어질 수 있다.
또한, 상기 붕소 도핑 산화 아연을 증착하는 단계는 RF 마그네트론 스퍼터링법에 의하여 이루어질 수 있다.
또한, 상기 붕소 도핑 산화 아연을 증착하는 단계는 RF 파워의 조절을 통해 붕소의 도핑 농도를 제어할 수 있다.
또한, 상기 붕소 도핑 산화 아연을 증착하는 단계는 도핑된 붕소의 원자 농도를 0.8 내지 1 at.%가 되도록 할 수 있다.
더불어, 본 발명에 따른 투명 전도막은 상기 방법 중 어느 하나에 의해 제조될 수 있다.
더불어, 본 발명에 따른 투명 전도막은 산화 아연 박막을 포함하는 투명 전도막에 있어서, 상기 산화 아연 박막은 알루미늄 및 붕소가 도핑되어 있을 수 있다.
또한, 상기 붕소는 0.8 내지 1 at.%의 농도로 도핑되어 있을 수 있다.
본 발명에 의한 투명 전도막은 산화 아연에 알루미늄 및 붕소를 도핑함으로써, 전기적 특성 및 광학적 특성이 향상될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 투명 전도막의 제조 방법에 사용되는 제조 장치의 개념도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 투명 전도막의 제조시 RF 파워에 따른 붕소 원자 함유량을 도시한 것이다.
도 3은 본 발명의 비교예 및 실시예에 따른 투명 전도막의 결정성 방향을 비교 도시한 것이다.
도 4는 본 발명의 비교예 및 실시예에 따른 투명 전도막의 홀 이동도, 비저항 및 캐리어 농도를 비교 도시한 것이다.
도 5는 본 발명의 비교예 및 실시예에 따른 투명 전도막의 광학적 투과도를 비교 도시한 것이다.
도 6은 본 발명의 비교예 및 실시예에 따른 투명 전도막의 열처리 전후 비저항을 도시한 것이다.
도 7은 본 발명의 비교예 및 실시예에 따른 투명 전도막의 열처리 전후 홀 이동도 및 캐리어 농도를 도시한 것이다.
본 발명이 속하는 기술분야에 있어서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 본 발명의 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 투명 전도막의 제조 방법에 대해 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 투명 전도막의 제조 방법에 사용되는 제조 장치의 개념도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 투명 전도막의 제조 방법은 챔버(10) 내에 투명 전도막이 증착될 기판(S)을 실장하는 단계로부터 시작된다. 상기 기판(S)은 기판(S)은 유리, 플라스틱 및 이의 등가물 등으로 형성될 수 있으나, 여기서 그 재질을 한정하는 것은 아니다. 또한, 상기 기판(S)은 상기 챔버(10)에 초음파(ultrasonic)를 이용하여 세정된다.
그리고, 기판을 실장하는 단계에서는 이후에 투명 도전막이 증착되기 위한 공정 조건들이 조정되어 진다. 구체적으로, 기판(S)은 지지대(20)의 상부에 고정되어 있는 히터(30)의 상부에 구비될 수 있다. 그리고, 이후 투명 도전막의 전기적, 광학적 특성을 향상시키기 위해, 기판(S)은 히터(30)에 의하여 가열될 수 있다. 이 때, 기판(S)의 온도는 100[℃] 내지는 300[℃]가 될 때까지 가열될 수 있다. 또한, 챔버(10)의 내부는 진공 펌프(40)에 의하여, 초기 진공 상태가 유지될 수 있다. 이 때, 챔버(10) 내부의 초기 압력(Base pressure)은 10-6[torr]이하로 설정될 수 있다. 또한, 진공 상태가 유지되는 챔버(10) 내부에 반응가스 공급부(50)에 의하여, 반응가스를 주입한다. 이 때, 반응가스는 아르곤(Ar) 가스일 수 있다.
이 후, 본 발명의 실시예에 따른 투명 전도막의 제조 방법은 기판(S)의 상부에 알루미늄 도핑 산화 아연(Aluminum doped Zinc Oxide, AZO) 및 붕소 도핑 산화 아연(Boron doped Zinc Oxide, BZO) 박막을 증착하는 단계가 이루어진다. 이 때, 상기 알루미늄 도핑 산화 아연(AZO)을 형성하는 것과 붕소 도핑 산화 아연(BZO)를 형성하는 공정은 후술하는 바와 같이, 동시에 한꺼번에 이루어진다.
그리고 상기 알루미늄 도핑 산화 아연(AZO)은 DC 마그네트론 스퍼터링을 통해 상기 기판(S)에 증착된다. 보다 상세히 설명하면, 제 1 캐소드부(60a)에 기판(S)과 마주하는 면에 알루미늄 도핑 산화 아연 타겟(70a)이 위치한다. 그리고 상기 제 1 캐소드부(60a)는 DC 전원(90a)이 연결되어 DC 파워를 공급받게 된다. 또한, 제 1 캐소드부(60a)의 타겟(70a)이 부착된 배면에는 자성 물질 즉, 자석(80)이 위치한다. 자석(80)은 전기장에 수직한 자기장을 형성함으로써 전자들의 움직임을 타겟(70a) 주위로 구속하고 이동 경로를 길게 연장시켜 증착률을 높인다.
또한, 상기 붕소 도핑 산화 아연(BZO)은 RF 마그네트론 스퍼터링법에 의하여 행하여질 수 있다. 상기 붕소 도핑 산화 아연 타겟(70b)은 제 2 캐소드부(60b)의 기판(S)과 마주하는 면에 위치한다. 그리고, 제 2 캐소드부(60b)는 RF 전원(90b)에 연결되어 RF 파워를 공급받게 된다. 또한, 제 2 캐소드부(60b)의 타겟(70b)이 부착된 배면에는 자성 물질 즉, 자석(80)이 위치한다. 상기 자석(80)은 역시 전기장에 수직한 자기장을 형성함으로써 전자들의 움직임을 타겟 주위로 구속하고 이동 경로를 길게 연장시켜 증착률을 높인다.
그리고, RF 전원(90b)의 RF 파워의 조절을 통해 붕소 도핑 산화 아연(BZO)의 도핑 농도를 조절할 수 있다. 즉, RF 파워가 증가하면 도핑되는 붕소 도핑 산화 아연(BZO)의 농도는 증가하고, RF 파워가 감소하면 도핑되는 붕소 농도는 감소하게 된다.
또한, 상기 알루미늄 도핑 산화 아연(AZO) 및 붕소 도핑 산화 아연(BZO)은 동시 스퍼터링(Co-Sputtering)을 통해 상기 기판(S)에 증착된다. 즉, 제 1 캐소드부(70a)와 제 2 캐소드부(70b)에 각각 DC 전원(90a)와 RF 전원(90b)에 의한 DC 파워와 RF 파워가 동시에 인가된다. 따라서, 기판(S) 상부에는 알루미늄 도핑 산화아연(AZO) 박막이 증착됨과 동시에 상기 붕소 도핑 산화 아연(BZO)이 함께 증착되며, 본 발명의 실시예에 따른 투명 전도막에 제조된다.
그리고 상기 제조 방법에 따라 형성되는 본 발명의 실시예에 따른 투명 전도막은 후술하는 바와 같이, 알루미늄 도핑 산화 아연(AZO)만 증착된 투명 도전막에 비해, 전기적 광학적 특성이 향상된다.
이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 투명 도전막의 특성을 보다 상세하게 설명하도록 한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 투명 전도막의 제조시 RF 파워에 따른 붕소 원자 함유량을 도시한 것이다.
도 2를 얻기 위한, 실험 조건은 DC 파워 300[W], 공정 압력 3[mT], 기판(S)의 온도 150[℃], 타겟(70a, 70b)과 기판(S)간 거리 134[mm]로서 설정하였고, 공정 가스로는 아르곤(Ar) 가스를 15[sccm]을 사용하였다.
또한, 앞서 설명한 것처럼, RF 마그네트론 스퍼터링법시, RF 전원(90b)의 RF 파워를 순차적으로 증가시킴으로써, 도핑되는 붕소 도핑 산화 아연(BZO)의 농도를 순차적으로 증가시킬 수 있다. 도 2의 실험시에 RF 파워는 0, 30, 40, 90, 120[W]으로 순차적으로 증가시켰다.
이에 따라 제조된 도 2의 그래프에 따른 붕소 농도를 표로써 도시하면 다음과 같다.
구분 RF Power BZO(W) 붕소 농도(at. %)
AZO 0 0
BAZO1 30 0.82
BAZO2 60 0.96
BAZO3 90 1.78
BAZO4 120 2.58
표 1에서 보듯이, RF 파워가 0W인 경우는 비교예인 알루미늄 도핑 산화아연(AZO)이 형성되고, RF 파워를 인가함에 따라 본 발명의 실시예인 붕소 알루미늄 도핑 산화아연(BAZO)을 얻게 된다. RF 파워를 순차적으로 높임에 따라 점차 높은 농도로 붕소가 도핑되어 있음을 확인할 수 있다.
이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 투명 전도막의 결정성 방향을 설명하도록 한다.
도 3은 본 발명의 비교예 및 실시예에 따른 투명 전도막의 결정성 방향을 비교 도시한 것이다.
도 3은 X-ray 회절을 통해 투명 전도막의 결정 구조를 분석한 것이다. 도 3에서 보듯이, 붕소의 농도가 증가하여도, 다른 상(phase)의 물질이 생성되지 않고, 비교예의 알루미늄 도핑 산화아연(AZO)의 (002) 방향에서 결정성이 증가하였음을 확인할 수 있다. 이것은 이온 반경(ion radius)이 0.027nm인 B3+ 이온들이 이온 반경이 0.074nm인 Zn2 + 이온들을 대체하면서 침입 알루미늄(interstitial Al)때문에 생기던 압력 스트레스(compressive stress)를 줄여주기 때문이다. 즉, 장력 변형 (tensile strain) 성분이 압력 변형(compressive strain) 성분을 보상하면서, 전체적인 전도막의 압력 스트레스가 점점 감소할 수 있게 된다.
이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 투명 도전막의 전기적 특성을 설명하도록 한다.
도 4는 본 발명의 비교예 및 실시예에 따른 투명 전도막의 홀 이동도, 비저항 및 캐리어 농도를 비교 도시한 것이다. 도 4는 홀 분석(Hall measurement)을 통해, 붕소 도핑 농도에 따른 홀 이동도(hall mobility), 비저항(resistivity) 및 캐리어 농도(carrier concentration)을 측정한 것이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 비교예인 알루미늄 도핑 산화아연(AZO)은 홀 이동도는 약 11.5[cm2/Vsec]을 보이고, 비저항은 약 1.7x10-3[Ωcm], 캐리어 농도는 약 3.2x1020[1/cm3]를 갖는다.
반면, 본 발명의 실시예에 따른 붕소의 농도가 0.82[at.%]인 경우(BAZO1)는 비교예에 비해 홀 이동도가 증가하고, 비저항은 감소하였음을 확인할 수 있다. 이것은 결정성의 향상에 따라서 증가한 것으로 볼 수 있다. 또한, 캐리어 농도 또한 증가하고 있는데, 이것은 B3+가 Zn2 +를 대체하면서 초과 캐리어(excess carrier)를 생성해주기 때문이다. 또한, 침입 붕소 원자도 캐리어 농도에 공헌하게 된다. 따라서, 본 발명의 실시예에 따른 투명 전도막(BAZO)의 비저항은 감소하게 된다.
한편, 붕소가 0.96[at.%]를 넘어가면서 홀 이동도가 감소하는 것을 확인할 수 있다. 이것은 캐리어 농도가 증가하여 이온화된 불순물 스캐터링(ionized impurity scattering)이 증가하기 때문이다. 홀 이동도의 감소분으로 인해 비저항은 약간 증가하게 된다. 그러나 이 경우에도, 비교예(AZO)에 비해서는 비저항이 작음을 확인할 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따른 투명 전도막은 비교예에 비해 전기적 특성이 향상되었음을 확인할 수 있다.
도 5는 본 발명의 비교예 및 실시예에 따른 투명 전도막의 광학적 투과도를 비교 도시한 것이다.
도 5는 스펙트로포토미터(spectrophotometer)로 측정한 비교예 및 실시예의 투명 전도막의 광학적 투과도를 나타내고 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 비교예의 투명 전도막(AZO)은 가시광 영역에서 약 85.7[%], 근적외선 영역에서 약 91[%]의 평균 투과율을 나타낸다.
이에 대해, 본 발명의 실시예에 따른 투명 전도막(BAZO)은 붕소의 농도가 0.82[at.%]인 경우, 전 구간에 걸쳐서 1~2[%]의 투과율 증가를 보여준다. 또한, 붕소의 농도를 1[%] 이하로 조절한다면, 투과도에서도 비교예에 비해 전 구간에서 손실이 없는 투명 전도막(BAZO)을 형성할 수 있음을 알 수 있다.
또한, 붕소의 농도가 더 증가해도, 모든 파장 대역에서 85[%] 이상의 투과도를 보여주고 있다. 다만, 붕소의 농도가 높은 경우, 근적외선 영역에서 투과도가 약 2[%] 정도 감소하는데, 이것은 캐리어 농도가 증가하면서 자유 캐리어 흡수(free carrier absorption) 효과가 나타나기 때문이다. 따라서, 붕소의 농도가 증가하여도 태양 전지 등에 사용되는 투명 전극에 적합함을 알 수 있다.
이하에서는 본 발명의 비교예 및 실시예의 열화에 대한 특성을 설명하도록 한다.
도 6은 본 발명의 비교예 및 실시예에 따른 투명 전도막의 열처리 전후 비저항을 도시한 것이다.
도 6은 본 발명의 비교예 및 실시예에 따른 투명 전도막을 300[℃]에서 1시간 동안 대기 중에서 열처리 테스트를 수행한 후에, 열처리 전후의 결과를 도시한 것이다.
투명 전극은 광학적 투과도와 전도성이 좋아야 함은 물론, 열화에 대해 강해야 한다. 투명 전극 사용시 열화가 진행되면, 이것은 곧바로 효율 저하로 이어지기 때문이다. 도 6의 결과를 표 2로써 정리하였다.

구분		 비저항 10-4(Ωcm)
<열처리 전>		 비저항 10-4(Ωcm)
<열처리 후>
비저항 증가율(%)
AZO 17 54.9 223
BAZO1(0.82 at.%) 15.8 25.3 60.1
BAZO2(0.96 at.%) 13.3 7.64 -42.5
BAZO3(1.78 at.%) 13.7 7.97 -41.8
BAZO4(2.58 at.%) 14 9.16 -34.5
도 6 및 표 2에서 보듯이, 비교예의 투명 전도막(AZO)은 비저항(resistivity)값이 약 1.7x10-3[Ωcm] 이었던 것이, 대기 중에서 열처리를 하게 되면 약 5.49x10-3[Ωcm]이 되어, 약 223%가 증가하였음을 확인할 수 있다.
반면, 본 발명의 실시예 중 붕소가 0.82[at.%]인 경우, 투명 전도막(BAZO1)은 비저항 값이 약 약 1.58x10-3[Ωcm] 이었던 것이, 대기 중에서 열처리를 하게 되면 약 2.53x10-3[Ωcm]이 되어, 상대적으로 적은 비율인 60.1%가 증가한다. 또한, 붕소의 농도를 더 높이는 경우, 비저항값은 심지어 열처리 전에 비해 더 작아지고 있으며, 1.0x10-3[Ωcm] 이하로 형성된다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따른 투명 전도막은 실시예에 비해서, 열화에 대해 향상되었음을 확인할 수 있다.
또한, 도 7은 본 발명의 비교예 및 실시예에 따른 투명 전도막의 열처리 전후 홀 이동도 및 캐리어 농도를 도시한 것이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 비교예의 투명 전도막(AZO)은 열처리 이후에 홀 이동도 및 캐리어 농도가 급격하게 감소하는 것을 확인할 수 있다.
반면, 본 발명의 실시예에 따른 투명 전도막(BAZO1 내지 BAZO4)들은 열처리 이후에도 홀 이동도 및 캐리어 농도의 감소량이 비교예에 비하여 작다. 또한, 붕소 농도가 0.96[at.%] 이상인 경우(BAZO2 내지 BAZO4), 열처리 이후 홀 이동도 및 캐리어 농도는 열처리 이전에 비해 증가하였음을 확인할 수 있다.
따라서, 도 7의 결과를 통해서도 역시 본 발명의 실시예에 따른 투명 전도막은 실시예에 비해서, 열화에 대해 향상되었음을 확인할 수 있다.
도 6과 도 7의 결과는 다음과 같이 설명될 수 있다. 비교예의 투명 전도막(AZO)은 헥사고날 부르자이트(hexagonal wurzite) 구조의 다결정상(polycrystalline phase)을 갖는데, 기판(s)에 대해 수직 방향으로 성장하게 된다. 따라서, 외부의 수분이나 산소 등이 그레인 바운더리(grain boundary) 및 표면에 흡착되면서 투명 전도막(AZO)의 내부로 침투하여 전기적 특성을 열화시키게 된다.
반면, 본 발명의 실시예에 따른 투명 전도막(BAZO1 내지 BAZO4)은 붕소가 막에 도핑되면서 비저항을 낮추는 역할을 하면서 동시에 그레인 바운더리 등의 결함(defect)을 패시베이션(passivation)해주는 역할을 수행한다. 따라서, 붕소 도핑을 하면, 외부의 수분과 산호가 결함을 통해서 막 내부로 침투하는 프로세스를 막아주게 된다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따른 투명 전도막(BAZO1 내지 BAZO4)은 전기적 특성이 우수함과 동시에, 열처리 후의 전기적 안정성 또한 획기적으로 향상될 수 있다.
결론적으로, 본 발명의 실시예에 따른 투명 전도막(BAZO)은 비교예(AZO)에 비해, 초기의 전기적 특성, 열처리 후의 전기적 안정성이 높다. 또한, 광학적 특성을 함께 감안하면, 붕소의 농도를 0.8 내지 1 [at.%]로 형성하는 것이 바람직하다. 붕소의 농도가 0.8 [at.%] 이상이면, 우수한 전기적 특성을 확보할 수 있고, 붕소의 농도가 1 [at.%] 이하이면 광학적 투과도의 손실이 발생하는 것을 방지할 수 있기 때문이다.
이상에서 설명한 것은 본 발명에 의한 투명 전도막의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 투명 전도막을 실시하기 위한 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.
s; 기판 10; 챔버
20; 지지대 30; 히터
40; 진공펌프 50; 반응가스 공급부
60a;제 1 캐소드부 60b; 제 2 캐소드부
70a; 알루미늄 도핑 산화아연(AZO) 타겟
70b; 붕소 도핑 산화아연(BZO) 타겟
80; 자석부
90a; DC 전원 90b; RF 전원

Claims (12)

  1. 기판을 구비하는 단계;
    상기 기판의 상부에 알루미늄 도핑 산화 아연을 증착하는 단계; 및
    상기 기판의 상부에 붕소 도핑 산화 아연을 증착하는 단계를 포함하는 투명 전도막의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 알루미늄 도핑 산화 아연을 증착하는 단계 및 붕소 도핑 산화 아연을 증착하는 단계는 동시에 이루어지는 투명 전도막의 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 알루미늄 도핑 산화 아연을 증착하는 단계 및 붕소 도핑 산화 아연을 증착하는 단계는 동시 스퍼터링법(co-sputtering)에 의하여 이루어지는 투명 전도막의 제조 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 알루미늄 도핑 산화 아연을 증착하는 단계는 챔버 내부에 알루미늄 도핑 산화 아연(Aluminum doped Zinc Oxide)을 타겟으로 이용하여 이루어지는 투명 전도막의 제조 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 알루미늄 도핑 산화 아연을 증착하는 단계는 DC 마그네트론 스퍼터링법에 의하여 이루어지는 투명 전도막의 제조 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 붕소 도핑 산화 아연을 증착하는 단계는 챔버 내부에 붕소 도핑 산화 아연(Boron doped Zinc Oxide)을 타겟으로 이용하여 이루어지는 투명 전도막의 제조 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 붕소 도핑 산화 아연을 증착하는 단계는 RF 마그네트론 스퍼터링법에 의하여 이루어지는 투명 전도막의 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 붕소 도핑 산화 아연을 증착하는 단계는 RF 파워의 조절을 통해 붕소의 도핑 농도를 제어하는 투명 전도막의 제조 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 붕소 도핑 산화 아연을 증착하는 단계는 도핑된 붕소의 원자 농도를 0.8 내지 1 at.%가 되도록 하는 투명 전도막의 제조 방법.
  10. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따라 제조되는 투명 전도막.
  11. 산화 아연 박막을 포함하는 투명 전도막에 있어서,
    상기 산화 아연 박막은 알루미늄 및 붕소가 도핑되어 있는 투명 전도막.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 붕소는 0.8 내지 1 at.%의 농도로 도핑되어 있는 투명 전도막.
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KR101315002B1 (ko) * 2013-04-05 2013-10-04 군산대학교산학협력단 Ａｂｚｏ 투명 전도막의 제작방법
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KR101508517B1 (ko) * 2013-05-30 2015-04-06 건국대학교 산학협력단 인듐 저감용 아이제트티오 박막이 적용된 피아이 기판 투명전극과 이를 이용한 디바이스 제조방법

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