CN111041312A - 一种高导热金属基复合材料及其制备方法 - Google Patents
一种高导热金属基复合材料及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111041312A CN111041312A CN201911068541.7A CN201911068541A CN111041312A CN 111041312 A CN111041312 A CN 111041312A CN 201911068541 A CN201911068541 A CN 201911068541A CN 111041312 A CN111041312 A CN 111041312A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- powder
- titanium
- diamond particles
- aluminum
- composite material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 75
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims abstract description 71
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims abstract description 71
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 54
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 54
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 54
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 30
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 27
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000011156 metal matrix composite Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 9
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 238000004321 preservation Methods 0.000 claims description 6
- -1 titanium hydride Chemical compound 0.000 claims description 6
- 229910000048 titanium hydride Inorganic materials 0.000 claims description 6
- YONPGGFAJWQGJC-UHFFFAOYSA-K titanium(iii) chloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)Cl YONPGGFAJWQGJC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 6
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 4
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 abstract description 8
- 238000004100 electronic packaging Methods 0.000 abstract description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002490 spark plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C26/00—Alloys containing diamond or cubic or wurtzitic boron nitride, fullerenes or carbon nanotubes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
- B22F3/10—Sintering only
- B22F3/105—Sintering only by using electric current other than for infrared radiant energy, laser radiation or plasma ; by ultrasonic bonding
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
- C22C1/05—Mixtures of metal powder with non-metallic powder
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/18—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
- B22F3/10—Sintering only
- B22F3/105—Sintering only by using electric current other than for infrared radiant energy, laser radiation or plasma ; by ultrasonic bonding
- B22F2003/1051—Sintering only by using electric current other than for infrared radiant energy, laser radiation or plasma ; by ultrasonic bonding by electric discharge
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C26/00—Alloys containing diamond or cubic or wurtzitic boron nitride, fullerenes or carbon nanotubes
- C22C2026/007—Alloys containing diamond or cubic or wurtzitic boron nitride, fullerenes or carbon nanotubes with additional metal compounds being nitrides
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
本发明公开了一种高导热金属基复合材料，由如下重量份的组分构成：钛/金刚石颗粒50‑60份、铝粉35‑45份、铜粉2‑3份、铬粉1‑2份、氮化铝粉0.01‑0.1份。其制备方法包括采用真空微蒸镀法在金刚石颗粒表面包覆钛层，取铝粉、铜粉、铬粉、氮化铝粉，与钛/金刚石颗粒于球磨机中混合均匀；将上步获得的混合粉末移入放电等离子烧结系统中进行烧结，得到所述高导热金属基复合材料。本发明通过在金刚石颗粒表面镀覆钛层，使金刚石表面金属化，使其与金属基材可形成良好的化学结合，在复合材料中添加少量铜、铬，并加入微量的氮化铝，可以显著提高材料的热导率，并且维持较低的热膨胀系数。本发明高导热金属基复合材料可用于电子封装材料。
Description
技术领域
本发明涉及电子封装材料技术领域，具体为一种高导热金属基复合材料及其制备方法。
背景技术
电子封装材料的应用需要考虑两大基本性能要求，首先是高热导率，实现热量的快速传递，保证芯片可以在理想的温度条件下稳定工作；同时需要具有可调控的热膨胀系数，从而与芯片和各级封装材料保持匹配，降低热应力的不良影响。
随着电子工业的发展和高密度封装技术的进步，电子器件面积越来越小，功能集成越来越多，使得电路的工作温度不断上升，这一趋势导致电子产品对于散热的要求越来越高。尤其是近年来以氮化镓、碳化硅及金刚石为代表的第三代半导体材料的发展，第三代半导体材料具有禁带宽度大、临界击穿电场强度高、载流子的饱和漂移速率以及迁移率大，介电常数非常小等特点，在高频、高压、高功率等领域具有非常广阔的前景，而这些领域的电子器件对于散热的要求更为严苛。因此电子产品卓越的性能和稳定的可靠性越来越依赖于高导热性能的电子封装材料。
金刚石具有自然材料中最高的热导率，可以达到600-2200W/(m·K)，同时热膨胀系数和密度也仅有1.0×10-6/K和3.52g/cm3，并且随着人造金刚石制备技术的不断发展成熟，金刚石颗粒的价格出现大幅度降低，因此将其作为增强相与高导热金属复合，理论上可以获得更为优异的热导率性能，因此成为新一代金属基电子封装材料的研究热点。然而进一步研究发现，金刚石由于具有极强的化学惰性，在一般的制备条件下，极难与高导热金属实现良好的界面结合，从而限制了金刚石在电子封装材料方面的应用。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明提供了一种高导热金属基复合材料，以及该高导热金属基复合材料的制备方法，具备优异的热导率和热膨胀系数，解决了金刚石与金属导热材料难以复合的技术问题。
本发明的第一个目的是提供一种高导热金属基复合材料，由如下重量份的组分构成：
所述钛/金刚石颗粒是指表面包覆钛镀层的金刚石颗粒。
优选的，所述钛/金刚石颗粒的钛镀层厚度控制在1-1.5μm。
优选的，所述金刚石的粒径为110-120μm。
优选的，所述铝粉、铜粉、铬粉的粒径控制在100-150μm。
优选的，所述氮化铝粉的粒径控制在20-50μm。
本发明的第二个目的是提供一种高导热金属基复合材料制备方法，包括如下步骤：
步骤一，采用真空微蒸镀法在金刚石颗粒表面包覆钛层，具体是将金刚石颗粒、三氯化钛、氢化钛粉末混合，真空环境下加热至650-850℃，在金刚石颗粒表面形成钛镀层，获得钛/金刚石颗粒；
步骤二，取铝粉、铜粉、铬粉、氮化铝粉，与钛/金刚石颗粒于球磨机中混合均匀；
步骤三，将上步获得的混合粉末移入放电等离子烧结系统中进行烧结，得到所述高导热金属基复合材料；
其中，铝粉、铜粉、铬粉、氮化铝粉，与钛/金刚石颗粒的质量配比如下：
优选的，所述钛/金刚石颗粒的钛镀层厚度控制在1-1.5μm。
优选的，所述金刚石的粒径为110-120μm。
优选的，所述铝粉、铜粉、铬粉的粒径控制在100-150μm。
优选的，所述氮化铝粉的粒径控制在20-50μm。
优选的，步骤二中，球磨机转速为300-350r/min，球磨时间2-3小时。
优选的，步骤三中，系统真空度为2-8Pa，烧结压力50-70MPa，保温时间10-15min。
本发明通过在金刚石颗粒表面镀一层钛层，使金刚石表面金属化，钛镀层与金刚石表面形成碳化物，提高与金刚石的结合力，并且钛在铝基体重具有一定溶解度，通过扩散作用实现与基体金属良好的结合，因此其与复合材料两相间可形成良好的化学结合，从而改善复合材料界面结构。此外，发明人意外的发现，在铝基复合材料中添加少量铜、铬，并加入微量的氮化铝，可以显著提高材料的热导率，并且维持较低的热膨胀系数。本发明高导热金属基复合材料可用于电子封装材料。
具体实施方式
下面将结合本发明的实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如无特别说明，各原料均为常规市售产品，球磨机型号为DM-20L行星式球磨机，放电等离子烧结系统型号为LABOX-210。
实施例1
一种高导热金属基复合材料的制备方法，包括如下步骤：
步骤一，采用真空微蒸镀法在金刚石颗粒表面包覆钛层，具体是将金刚石颗粒、三氯化钛、氢化钛粉末混合，真空环境下加热至800℃，在金刚石颗粒表面形成钛镀层，获得钛/金刚石颗粒，钛镀层厚度控制在1.5μm，金刚石的粒径为110-120μm；
步骤二，取铝粉、铜粉、铬粉、氮化铝粉，与钛/金刚石颗粒于球磨机中混合均匀，球磨机转速为350r/min，球磨时间3小时，铝粉、铜粉、铬粉的粒径控制在120-130μm，氮化铝粉的粒径控制在20-30μm；
步骤三，将上步获得的混合粉末移入放电等离子烧结系统中进行烧结，系统真空度为5Pa，烧结压力60MPa，保温时间15min，得到所述高导热金属基复合材料；
其中，铝粉、铜粉、铬粉、氮化铝粉，与钛/金刚石颗粒的质量配比如下：
经测定，该实施例制备的高导热金属基复合材料的热导率为475W/(m·K)，热膨胀系数为8.1×10-6/K。
实施例2
一种高导热金属基复合材料的制备方法，包括如下步骤：
步骤一，采用真空微蒸镀法在金刚石颗粒表面包覆钛层，具体是将金刚石颗粒、三氯化钛、氢化钛粉末混合，真空环境下加热至650℃，在金刚石颗粒表面形成钛镀层，获得钛/金刚石颗粒，钛镀层厚度控制在1μm，金刚石的粒径为110-120μm；
步骤二，取铝粉、铜粉、铬粉、氮化铝粉，与钛/金刚石颗粒于球磨机中混合均匀，球磨机转速为300r/min，球磨时间2小时，铝粉、铜粉、铬粉的粒径控制在110-120μm，氮化铝粉的粒径控制在30-50μm；
步骤三，将上步获得的混合粉末移入放电等离子烧结系统中进行烧结，系统真空度为2Pa，烧结压力50MPa，保温时间10min，得到所述高导热金属基复合材料；
其中，铝粉、铜粉、铬粉、氮化铝粉，与钛/金刚石颗粒的质量配比如下：
经测定，该实施例制备的高导热金属基复合材料的热导率为423W/(m·K)，热膨胀系数为8.7×10-6/K。
实施例3
一种高导热金属基复合材料的制备方法，包括如下步骤：
步骤一，采用真空微蒸镀法在金刚石颗粒表面包覆钛层，具体是将金刚石颗粒、三氯化钛、氢化钛粉末混合，真空环境下加热至850℃，在金刚石颗粒表面形成钛镀层，获得钛/金刚石颗粒，钛镀层厚度控制在1.3μm，金刚石的粒径为110-120μm；
步骤二，取铝粉、铜粉、铬粉、氮化铝粉，与钛/金刚石颗粒于球磨机中混合均匀，球磨机转速为330r/min，球磨时间2.5小时，铝粉、铜粉、铬粉的粒径控制在140-150μm，氮化铝粉的粒径控制在30-40μm；
步骤三，将上步获得的混合粉末移入放电等离子烧结系统中进行烧结，系统真空度为8Pa，烧结压力70MPa，保温时间12min，得到所述高导热金属基复合材料；
其中，铝粉、铜粉、铬粉、氮化铝粉，与钛/金刚石颗粒的质量配比如下：
经测定，该实施例制备的高导热金属基复合材料的热导率为458W/(m·K)，热膨胀系数为8.3×10-6/K。
实施例4
一种高导热金属基复合材料的制备方法，包括如下步骤：
步骤一，采用真空微蒸镀法在金刚石颗粒表面包覆钛层，具体是将金刚石颗粒、三氯化钛、氢化钛粉末混合，真空环境下加热至800℃，在金刚石颗粒表面形成钛镀层，获得钛/金刚石颗粒，钛镀层厚度控制在1.5μm，金刚石的粒径为110-120μm；
步骤二，取铝粉、铜粉、铬粉、氮化铝粉，与钛/金刚石颗粒于球磨机中混合均匀，球磨机转速为350r/min，球磨时间3小时，铝粉、铜粉、铬粉的粒径控制在120-130μm，氮化铝粉的粒径控制在20-30μm；
步骤三，将上步获得的混合粉末移入放电等离子烧结系统中进行烧结，系统真空度为5Pa，烧结压力60MPa，保温时间15min，得到所述高导热金属基复合材料；
其中，铝粉、铜粉、铬粉、氮化铝粉，与钛/金刚石颗粒的质量配比如下：
经测定，该实施例制备的高导热金属基复合材料的热导率为462W/(m·K)，热膨胀系数为8.2×10-6/K。
对比例1
步骤二中用40份铝粉替代铝粉、铜粉、铬粉、氮化铝粉，其他同实施例1。经测定，该实施例制备的金属基复合材料的热导率为337W/(m·K)，热膨胀系数为9.8×10-6/K。
对比例2
步骤二中用2份铬粉替代1.95份铬粉和0.05份氮化铝粉，其他同实施例1。经测定，该实施例制备的金属基复合材料的热导率为411W/(m·K)，热膨胀系数为8.1×10-6/K。
通过上述实施例可以看出，在铝基复合材料中添加少量铜、铬，并加入微量的氮化铝，可以显著提高材料的热导率，并且维持较低的热膨胀系数。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (10)
1.一种高导热金属基复合材料，其特征在于，由如下重量份的组分构成：
所述钛/金刚石颗粒是指表面包覆钛镀层的金刚石颗粒。
2.根据权利要求1所述的一种高导热金属基复合材料，其特征在于，所述钛/金刚石颗粒的钛镀层厚度控制在1-1.5μm。
3.根据权利要求1所述的一种高导热金属基复合材料，其特征在于，所述金刚石的粒径为110-120μm。
4.根据权利要求1所述的一种高导热金属基复合材料，其特征在于，所述铝粉、铜粉、铬粉的粒径控制在100-150μm。
5.根据权利要求1所述的一种高导热金属基复合材料，其特征在于，所述氮化铝粉的粒径控制在20-50μm。
6.一种高导热金属基复合材料制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一，采用真空微蒸镀法在金刚石颗粒表面包覆钛层，具体是将金刚石颗粒、三氯化钛、氢化钛粉末混合，真空环境下加热至650-850℃，在金刚石颗粒表面形成钛镀层，获得钛/金刚石颗粒；
步骤二，取铝粉、铜粉、铬粉、氮化铝粉，与钛/金刚石颗粒于球磨机中混合均匀；
步骤三，将上步获得的混合粉末移入放电等离子烧结系统中进行烧结，得到所述高导热金属基复合材料；
其中，铝粉、铜粉、铬粉、氮化铝粉，与钛/金刚石颗粒的质量配比如下：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述钛/金刚石颗粒的钛镀层厚度控制在1-1.5μm。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述金刚石的粒径为110-120μm；所述铝粉、铜粉、铬粉的粒径控制在100-150μm；所述氮化铝粉的粒径控制在20-50μm。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，步骤二中，球磨机转速为300-350r/min，球磨时间2-3小时。
10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，步骤三中，系统真空度为2-8Pa，烧结压力50-70MPa，保温时间10-15min。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911068541.7A CN111041312A (zh) | 2019-11-05 | 2019-11-05 | 一种高导热金属基复合材料及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911068541.7A CN111041312A (zh) | 2019-11-05 | 2019-11-05 | 一种高导热金属基复合材料及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111041312A true CN111041312A (zh) | 2020-04-21 |
Family
ID=70232210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911068541.7A Pending CN111041312A (zh) | 2019-11-05 | 2019-11-05 | 一种高导热金属基复合材料及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111041312A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113481471A (zh) * | 2021-07-10 | 2021-10-08 | 如皋市凯源电器设备有限公司 | 高性能导电条用金属材料制备工艺 |
| CN117004925A (zh) * | 2023-08-07 | 2023-11-07 | 深圳市博源碳晶科技有限公司 | 一种金刚石氮化铝基复合材料及其制备方法 |
-
2019
- 2019-11-05 CN CN201911068541.7A patent/CN111041312A/zh active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113481471A (zh) * | 2021-07-10 | 2021-10-08 | 如皋市凯源电器设备有限公司 | 高性能导电条用金属材料制备工艺 |
| CN117004925A (zh) * | 2023-08-07 | 2023-11-07 | 深圳市博源碳晶科技有限公司 | 一种金刚石氮化铝基复合材料及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN111455205B (zh) | 一种具有夹层结构的高导热低膨胀Diamond-Cu复合材料的制备方法 | |
| JP6254823B2 (ja) | ニッケルシリサイドスパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| CN111041312A (zh) | 一种高导热金属基复合材料及其制备方法 | |
| CN112981164B (zh) | 一种高可靠性高导热金刚石增强金属基复合材料的制备方法 | |
| US20090194898A1 (en) | Hafnium Silicide Target for Forming Gate Oxide Film, and Method for Preparation Thereof | |
| CN114309596B (zh) | 一种高导热表面金属化金刚石/铜复合基板制备方法 | |
| JPH08222669A (ja) | ヒートシンク及びその製法 | |
| CN105986158A (zh) | 一种高导热金刚石-金属复合材料及其制备方法 | |
| WO2018061778A1 (ja) | プラズマ処理装置用炭化ケイ素部材及びその製造方法 | |
| CN109234593A (zh) | 一种金刚石/铜基复合材料及其制备方法 | |
| JP2015195287A (ja) | 放熱シートおよび放熱シート用塗布液、並びにパワーデバイス装置 | |
| CN103966533B (zh) | 一种金刚石导热复合材料及其制备方法 | |
| CN112028636A (zh) | 一种高导热氮化铝/石墨烯复合陶瓷器件的制备方法 | |
| CN113758325B (zh) | 一种内置铜/金刚石烧结吸液芯的vc散热器及其制备方法 | |
| CN116550975B (zh) | 一种金刚石/铜复合材料制备方法 | |
| CN112981205B (zh) | 一种高导热金刚石增强金属基复合材料的低成本制备方法 | |
| CN113354418A (zh) | 一种真空热压烧结法制备的高性能氮化铝陶瓷基板及制备方法 | |
| CN104045081B (zh) | 一种金刚石复合体及其制备方法 | |
| CN111099898A (zh) | 一种铝基碳化硅高密度封装半导体复合材料 | |
| CN109524362A (zh) | 一种三维纳米碳复合金属固晶材料及其制备方法和应用、半导体封装结构 | |
| CN109321882B (zh) | 改善金刚石/镁复合电子封装材料界面结合的镀层及方法 | |
| CN107641730B (zh) | 一种电子封装用金属基复合材料及其制备方法和应用 | |
| JPH02192467A (ja) | 窒化アルミニウム―六方晶窒化ほう素系焼結体の製造方法 | |
| CN116042189A (zh) | 导热复合材料、其制备方法及应用 | |
| Zhang et al. | A novel mechanism of silver microflakes sinter joining |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20200421 |