CN113314073B - 显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种显示面板及显示装置。包括像素电路，第一复位模块包括第一双栅晶体管，第一双栅晶体管的第一中间节点通过第一电容与发光控制信号线电连接；补偿模块包括第二双栅晶体管，第二双栅晶体管的栅极与第二扫描信号线电连接，第二双栅晶体管的第二中间节点通过第二电容与发光控制信号线电连接；其中，第一双栅晶体管包括第一寄生电容，第二双栅晶体管包括第二寄生电容，第一电容对应第一寄生电容，第二电容对应第二寄生电容，第一电容与第二电容中的至少一者的电容量大于或者等于其对应的寄生电容的电容量。根据本申请实施例，能够解决低频模式下，显示面板较易出现闪烁的问题。

Description

显示面板及显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展，变频驱动技术逐渐应用于显示面板，比如采用刷新率较高的驱动方式来驱动显示动态画面(例如体育赛事或者游戏场景)，以保证显示画面的流畅性；采用刷新率较低的驱动方式来驱动显示慢镜头图像或者静态画面，以降低功耗。在低频模式下，显示面板较易出现闪烁的问题。
发明内容
本申请提供一种显示面板及显示装置，以解决低频模式下，显示面板较易出现闪烁的问题。
第一方面，本申请实施例提供一种显示面板，包括像素电路，像素电路包括驱动模块、第一复位模块、补偿模块、发光控制模块及发光模块；其中，驱动模块、发光控制模块与发光模块串联在第一电源线与第二电源线之间，驱动模块用于驱动发光模块发光，发光控制模块用于控制发光模块进入发光阶段，发光控制模块的控制端与发光控制信号线电连接；第一复位模块串联在参考信号线与驱动模块的控制端之间，第一复位模块包括第一双栅晶体管，第一双栅晶体管的栅极与第一扫描信号线电连接，第一双栅晶体管的第一中间节点通过第一电容与发光控制信号线电连接；补偿模块串联在驱动模块的控制端与驱动模块的第二端之间，补偿模块包括第二双栅晶体管，第二双栅晶体管的栅极与第二扫描信号线电连接，第二双栅晶体管的第二中间节点通过第二电容与发光控制信号线电连接；其中，第一双栅晶体管包括第一寄生电容，第二双栅晶体管包括第二寄生电容，第一电容对应第一寄生电容，第二电容对应第二寄生电容，第一电容与第二电容中的至少一者的电容量大于或者等于其对应的寄生电容的电容量。
第二方面，基于同一发明构思，本申请实施例提供一种显示装置，其包括如第一方面实施例的显示面板。
根据本申请实施例提供的显示面板及显示装置，增加了第一电容和第二电容，在第一扫描信号线的信号由低电平跳变为高电平时，第一双栅晶体管的栅极电位也由低电平跳变为高电平，使得第一中间节点的电位被拉高，而在发光控制信号线的信号由低电平跳变为高电平时，使得第一中间节点的电位被拉低，相当于降低了第一中间节点的电位变化量。同理，在第二扫描信号线的信号由低电平跳变为高电平时，第二双栅晶体管的栅极电位也由低电平跳变为高电平，使得第二中间节点的电位被拉高，而在发光控制信号线的信号由低电平跳变为高电平时，使得第二中间节点的电位被拉低，相当于降低了第二中间节点的电位变化量。另外，第一电容和/或第二电容的电容量越大，会第一中间节点和/或第二中间节点的电位变化幅度越大，而在发光阶段第一中间节点的电位应当为负电位，在第一电容的电容量大于或者等于第一寄生电容的电容量的情况下，能够使第一中间节点跳变到负电位，在发光阶段第二中间节点的电位应当为正电位，在第二电容的电容量大于或者等于第二寄生电容的电容量的情况下，能够使第二中间节点跳变到正电位，如此能够尽量减小第一中间节点和第二中间节点向驱动模块的控制端漏电，从而稳定驱动模块的控制端电位，解决致显示面板出现闪烁的问题。
附图说明
通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显，其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征，附图并未按照实际的比例绘制。
图1示出本申请一种实施例提供的显示面板的俯视示意图；
图2示出图1中A-A向的截面示意图；
图3示出图1中B-B向的截面示意图；
图4示出本申请一种实施例提供的像素电路的电路结构示意图；
图5示出图4的一种时序示意图；
图6示出对比示例提供的像素电路的电路结构示意图；
图7示出图6的一种节点电位的示意图；
图8示出本申请实施例提供的一种节点电位的示意图；
图9示出本申请一种实施例提供的显示面板的局部版图俯视结构示意图；
图10示出本申请另一种实施例提供的像素电路的电路结构示意图；
图11示出本申请又一种实施例提供的像素电路的电路结构示意图；
图12示出图11的一种时序示意图；
图13示出本申请另一种实施例提供的显示面板的俯视示意图；
图14示出本申请另一种实施例提供的显示面板的局部版图俯视结构示意图；
图15示出本申请一种实施例提供的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将详细描述本申请的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本申请进行进一步详细描述。应理解，此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本申请，并不被配置为限定本申请。对于本领域技术人员来说，本申请可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本申请的示例来提供对本申请更好的理解。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
应当理解，在描述部件的结构时，当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时，可以指直接位于另一层、另一个区域上面，或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且，如果将部件翻转，该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。
本申请实施例提供一种显示面板、显示面板及显示装置，以下将结合附图对本申请实施例提供的显示面板、显示面板及显示装置进行说明。
示例性的，本申请实施例提供的显示面板可支持低频模式和高频模式。例如，低频模式可包括小于60Hz的刷新率，例如30Hz、15Hz等。高频模式可包括大于或等于60Hz的刷新率，例如60Hz、90Hz、120Hz、144Hz等。
如图1所示，本申请实施例提供的显示面板100包括多个像素电路10。多个像素电路10可以呈阵列分布。例如，多个像素电路10可以在相交的第一方向X和第二方向Y上呈阵列分布。示例性的，第一方向X可以是行方向，第二方向Y可以是列方向。当然，第一方向X也可以是列方向，第二方向Y也可以是行方向。
示例性的，显示面板100还可以包括驱动芯片IC、第一移位寄存器VSR1、第二移位寄存器VSR2、第一电源线PVDD、数据信号线Vdata、参考信号线Vref、扫描信号线S(n-1)、Sn、S(n+1)以及发光控制信号线Emit。
第一移位寄存器VSR1可以包括多个级联的第一移位寄存电路S-VSR1，各第一移位寄存电路S-VSR1通过扫描信号线与像素电路10连接，第一移位寄存器VSR1用于向像素电路10提供扫描信号。驱动芯片IC为第一移位寄存器VSR1提供第一起始信号STV1。另外，如图1所示，多个级联的第一移位寄存电路S-VSR1中除第一级和最后一级第一移位寄存电路S-VSR1之外，其余第一移位寄存电路S-VSR1可以为相邻两行像素电路10提供扫描信号。此时，可以在显示面板上设置两行dummy像素电路(图1中未示出)，分别与第一移位寄存电路S-VSR1中第一级和最后一级第一移位寄存电路S-VSR1的扫描信号线对应连接，但dummy像素电路并不用于显示。
第二移位寄存器VSR2可以包括多个级联的第二移位寄存电路E-VSR，各第二移位寄存电路E-VSR通过发光控制信号线Emit与相邻两行像素电路10连接，第二移位寄存器VSR2用于向相邻两行像素电路10提供发光控制信号。驱动芯片IC为第二移位寄存器VSR2提供第二起始信号STV2。
另外，第一移位寄存器VSR1与驱动芯片IC之间以及第二移位寄存器VSR2与驱动芯片IC之间可以连接有时钟信号线(图中未示出)、高电平信号线(VGH)(图中未示出)、低电平信号线(VGL)(图中未示出)，驱动芯片IC向第一移位寄存器VSR1以及第二移位寄存器VSR2提供时钟信号、高电平信号以及低电平信号。
例如，如图1所示，显示面板100可以包括一个第一移位寄存器VSR1以及一个第二移位寄存器VSR2，一个第一移位寄存器VSR1以及一个第二移位寄存器VSR2可以设置在显示面板100在第二方向Y上的相对两侧，一个第一移位寄存器VSR1以及一个第二移位寄存器VSR2也可以设置在同一侧。
又例如，显示面板100也可以包括两个第一移位寄存器VSR1以及两个第二移位寄存器VSR2，扫描信号线的两端各自分别电连接一个第一移位寄存器VSR1，发光控制信号线Emit的两端各自分别电连接一个第二移位寄存器VSR2。
又例如，显示面板100包括两个第一移位寄存器VSR1，其中一个第一移位寄存器VSR1通过扫描信号线与奇数行的像素电路电连接，另一个第一移位寄存器VSR1通过扫描信号线与偶数行的像素电路电连接。
又例如，显示面板100包括两个第二移位寄存器VSR2，其中一个第二移位寄存器VSR2通过发光控制信号线与奇数行的像素电路电连接，另一个第二移位寄存器VSR2通过发光控制信号线与偶数行的像素电路电连接。
示例性的，也可以设置能够同时产生扫描信号和发光控制信号的移位寄存器。
为了更好的从整体上理解实施例提供的显示面板的结构，请参考图2及图3。如图2所示，显示面板可以包括显示区AA、非显示区NA，非显示NA可以包括油墨区INK。示例性的，显示面板包括基板01及设置于基板01一侧的驱动电路层02。图2还示出了平坦化层PLN、像素定义层PDL、发光元件(发光元件包括阳极RE、有机发光层OM及阴极SE)、支撑柱PS、薄膜封装层(包括第一无机层CVD1、有机层IJP及第二无机层CVD2)、光学胶层OCA、盖板CG。另外，图2还示出了第一移位寄存器VSR1、第一挡墙Bank1及第二挡墙Bank2。第一移位寄存器VSR1可设置于驱动电路层02的非显示区NA。
像素电路10可设置于驱动电路层02内，像素电路10与发光元件的阳极RE连接。如图3所示，显示面板的驱动电路层02可包括在远离基板01方向上层叠设置的栅极金属层M1、电容金属层MC及源漏金属层M2。栅极金属层M1与基板01之间设置有半导体层b。各金属层之间以及半导体层b与栅极金属层M1之间设置有绝缘层。示例性的，栅极金属层M1与半导体层b之间设有栅极绝缘层GI，电容金属层MC与栅极金属层M1之间设有电容绝缘层IMD，源漏金属层M2与电容金属层MC之间设有层间介质层ILD。
半导体层b为晶体管的有源层所在的半导体层，栅极金属层M1为晶体管的栅极所在的金属导电层，电容金属层MC为电容的其中一个极板所在的金属导电层，源漏极金属层M2为晶体管的源极和漏极所在的金属导电层。
示例性的，扫描信号线以及发光控制信号线Emit可设置于栅极金属层M1。参考信号线Vref可设置于电容金属层MC，第一电源线PVDD以及数据信号线Vdata可设置于源漏极金属层M2。
如图4所示，像素电路10包括驱动模块11、第一复位模块12、补偿模块13、发光控制模块14及发光模块15。
其中，驱动模块11、发光控制模块14与发光模块15串联在第一电源线PVDD与第二电源线PVEE之间，驱动模块11用于驱动发光模块15发光，发光控制模块14用于控制发光模块15进入发光阶段，发光控制模块15的控制端与发光控制信号线Emit电连接。第一复位模块12串联在参考信号线Vref与驱动模块11的控制端之间，第一复位模块12包括第一双栅晶体管T1，第一双栅晶体管T1的栅极与第一扫描信号线S(n-1)电连接，第一双栅晶体管T1的第一中间节点N1通过第一电容C1与发光控制信号线Emit电连接。补偿模块13串联在驱动模块11的控制端与驱动模块11的第二端之间，补偿模块13包括第二双栅晶体管T2，第二双栅晶体管T2的栅极与第二扫描信号线Sn电连接，第二双栅晶体管T2的第二中间节点N2通过第二电容C2与发光控制信号线Emit电连接。其中，第一双栅晶体管T1包括第一寄生电容，第二双栅晶体管T2包括第二寄生电容，第一电容C1对应第一寄生电容，第二电容C2对应第二寄生电容，第一电容C1与第二电容C2中的至少一者的电容量大于或者等于其对应的寄生电容的电容量。
第一双栅晶体管T1和第二双栅晶体管T2均为双栅晶体管，可以理解的是，第一双栅晶体管T1和第二双栅晶体管T2均包括两个子晶体管，以第一双栅晶体管T1包括第一子晶体管T11和第二子晶体管T12，第二双栅晶体管T2包括第三子晶体管T21和第四子晶体管T22为例进行解释，第一中间节点N1为第一子晶体管T11的第二极和第二子晶体管T12的第一极的连接点，第二中间节点N2为第三子晶体管T21的第二极和第四子晶体管T22的第一极的连接点。其中，第一子晶体管T11的第一极与参考信号线Vref电连接，第二子晶体管T12的第二极与驱动模块11的控制端电连接，第三子晶体管T21的第一极与驱动模块11的第二端电连接，第四子晶体管T22的第二极与驱动模块11的控制端电连接。
第一子晶体管T11的第二极和第二子晶体管T12的第一极以及第一中间节点N1与第一双栅晶体管T1的两个栅极之间构成第一寄生电容，第三子晶体管T21的第二极和第四子晶体管T22的第一极以及第二中间节点N2与第二双栅晶体管T2的两个栅极之间构成第二寄生电容。
示例性的，发光模块15包括至少一个发光元件D，发光元件可以为有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)。
参考图4，第一扫描信号线S(n-1)控制该像素电路的第一双栅晶体管T1的导通或关断，并在第一双栅晶体管T1导通时对驱动模块11的控制端电位进行重置。第二扫描信号线Sn控制该像素电路的第二双栅晶体管T2的导通和关断，在第二双栅晶体管T2的导通时，对驱动模块11的阈值电压进行补偿。发光控制信号线Emit控制该像素电路的发光控制模块14的导通或关断，并在发光控制模块14导通时控制发光模块15发光。
用于显示的每行像素电路10均至少对应连接有第一扫描信号线和第二扫描信号线。
第一电源线PVDD用于提供电源电压，第一电源线PVDD上的电压可以为正电压，比如4.6V。第二电源线PVEE上的电压可以为负电压，比如-2.5V。参考信号线Vref用于提供重置电压信号，参考信号线Vref上的电压可以为负电压，比如-3.5V。
以下实施例以像素电路10中的第一双栅晶体管T1、第二双栅晶体管T2均为P型晶体管，且发光控制模块14在发光控制信号线Emit的电平为低电平时导通为例进行说明，对于P型晶体管，控制其导通的电平为低电平，控制其截止的电平为高电平。
如图5所示，像素电路10的驱动过程可以包括复位阶段、数据写入阶段及发光阶段。在复位阶段，第一扫描信号线S(n-1)提供低电平信号，第一双栅晶体管T1导通，重置驱动模块11的控制端电位。在数据写入阶段，第二扫描信号线Sn提供低电平信号，第二双栅晶体管T2导通，对驱动模块11的阈值电压进行补偿。在发光阶段，发光控制信号线Emit提供低电平信号，发光控制模块14导通，驱动模块11产生的驱动电流传输至发光模块15，发光模块15发光。
示例性的，驱动模块11的控制端、第一双栅晶体管T1及第二双栅晶体管T2连接于第三节点N3，图7及图8中N3电位即表示驱动模块11的控制端电位。
申请人发现，如图6所示，图6与图4的不同之处在于像素电路10不包括第一电容和第二电容。参考图6和图7，在第一扫描信号线S(n-1)的信号由低电平跳变为高电平时，第一双栅晶体管T1的栅极电位也由低电平跳变为高电平，导致第一中间节点N1的电位变高，比如由-3V变化为3V，在第二扫描信号线Sn的信号由低电平跳变为高电平时，第二双栅晶体管T2的栅极电位也由低电平跳变为高电平，导致第二中间节点N2的电位变高，比如由2V变化为7V，在发光阶段，第一中间节点N1和第二中间节点N2向驱动模块的控制端漏电，导致驱动模块的控制端电位变高，从而导致显示面板出现闪烁的问题。
而本申请实施例中，增加了第一电容C1和第二电容C2，结合参考图4和图8，在第一扫描信号线S(n-1)的信号由低电平跳变为高电平时，第一双栅晶体管T1的栅极电位也由低电平跳变为高电平，使得第一中间节点N1的电位被拉高，比如由-3V变化为3V，而在发光控制信号线Emit的信号由低电平跳变为高电平时，使得第一中间节点N1的电位被拉低，比如由3V降低为-1V，相当于降低了第一中间节点N1的电位变化量。同理，在第二扫描信号线Sn的信号由低电平跳变为高电平时，第二双栅晶体管T2的栅极电位也由低电平跳变为高电平，使得第二中间节点N2的电位被拉高，比如由2V变化为7V，而在发光控制信号线Emit的信号由低电平跳变为高电平时，使得第二中间节点N2的电位被拉低，比如由7V降低为4V，相当于降低了第二中间节点N2的电位变化量。另外，第一电容C1和/或第二电容C2的电容量越大，会第一中间节点N1和/或第二中间节点N2的电位变化幅度越大，而在发光阶段第一中间节点N1的电位应当为负电位，在第一电容C1电容量大于或者等于第一寄生电容的电容量的情况下，能够使第一中间节点N1跳变到负电位，在发光阶段第二中间节点N2的电位应当为正电位，在第二电容C2电容量大于或者等于第二寄生电容的电容量的情况下，能够使第二中间节点N2跳变到正电位，如此能够尽量减小第一中间节点N1和第二中间节点N2向驱动模块的控制端漏电，从而稳定驱动模块的控制端电位，解决致显示面板出现闪烁的问题。
在一些可选的实施例中，结合参考图4和图5，像素电路10的工作过程包括复位阶段、数据写入阶段和发光阶段。数据写入阶段在复位阶段之后，发光阶段在数据写入阶段之后。如上文所述，在复位阶段，第一扫描信号线S(n-1)提供的信号控制第一双栅晶体管T1导通；在数据写入阶段，第二扫描信号线Sn提供的信号控制第二双栅晶体管T2导通；在发光阶段，发光控制信号线Emit提供的信号控制发光控制模块14导通。并且，第一扫描信号线S(n-1)提供的信号在第一双栅晶体管T1由导通转变为截止的时刻的电压跳变方向以及第二扫描信号线Sn提供的信号在第二双栅晶体管T2由导通转变为截止的时刻的电压跳变方向均与发光控制信号线Emit提供的信号在发光控制模块14由截止转变为导通的时刻的电压跳变方向相反。
图5中示例性的示出了第一扫描信号线S(n-1)提供的信号在第一双栅晶体管T1由导通转变为截止的时刻的电压跳变方向以及第二扫描信号线Sn提供的信号在第二双栅晶体管T2由导通转变为截止的时刻的电压跳变方向是由低电平跳变为高电平，导致第一中间节点N1的电位以及第二中间节点N2的电位被抬升，发光控制信号线Emit提供的信号在发光控制模块14由截止转变为导通的时刻的电压跳变方向是由高电平跳变为低电平，利用第一电容C1和第二电容C2，致使第一中间节点N1的电位以及第二中间节点N2的电位被重新拉低。当然，第一扫描信号线S(n-1)提供的信号在第一双栅晶体管T1由导通转变为截止的时刻的电压跳变方向以及第二扫描信号线Sn提供的信号在第二双栅晶体管T2由导通转变为截止的时刻的电压跳变方向也可以是由高电平跳变为低电平，发光控制信号线Emit提供的信号在发光控制模块14由截止转变为导通的时刻的电压跳变方向也可以是由低电平跳变为高电平，本申请对此不作限定。
通过将上述电压跳变方向设置为相反，可以在第一中间节点N1、第二中间节点N2的电位被拉高或拉低的情况下，使第一中间节点N1、第二中间节点N2得电位往相反的方向变化，尽量维持第一中间节点N1、第二中间节点N2的电位不变。
在一些可选的实施例中，第一双栅晶体管T1由导通转变为截止的时刻位于发光控制模块14由截止转变为导通的时刻之前，或者位于同一时刻；第二双栅晶体管T2由导通转变为截止的时刻位于发光控制模块14由截止转变为导通的时刻之前，或者位于同一时刻。如此能够保证第一中间节点N1受第一双栅晶体管T1由导通转变为截止引起的电压变化与受发光控制模块14由截止转变为导通的电压变化相互抵消，保证第二中间节点N1受第二双栅晶体管T2由导通转变为截止引起的电压变化与受发光控制模块14由截止转变为导通的电压变化相互抵消。
示例性的，第一扫描信号线及第二扫描信号线传输的扫描信号的高电平可以是8V，低电平可以是-7V。发光控制信号线传输的发光控制信号的高电平可以是8V，低电平可以是-7V。
如图4所示，第一双栅晶体管T1、第二双栅晶体管T4及驱动模块11的控制端连接于第三节点N3。申请人发现，在发光阶段，漏电流IN3-N1从第三节点N3流向第一中间节点N1，漏电流IN2-N3从第二中间节点N2流向第三节点N3，在漏电流IN3-N1等于漏电流IN2-N3的情况下，第三节点N3的电位才能维持动态平衡。
在一些可选的实施例中，第一电容C1和第二电容C2两者中的一者的电容量大于另一者的电容量。申请人通过大量实验发现，漏电流IN3-N1小于漏电流IN2-N3，因此，可以将第一电容C1的电容量设置为大于第二电容C2的电容量，使得第一中间节点N1的电位跳变幅度更大，进而使第一中间节点N1的电位往更小的负电位变化，以增大漏电流IN3-N1，使得漏电流IN3-N1的大小与漏电流IN2-N3的大小相当，从而使得第三节点N3的电位能维持动态平衡。
当然，在漏电流IN3-N1大于漏电流IN2-N3的情况下，可以将第一电容C1的电容量设置为小于第二电容C2的电容量。
在一些可选的实施例中，第一电容C1的电容量为c1，第二电容C2的电容量为c2，申请人发现，在c1-c2≥2飞法(fF)的情况下，可以较好的稳定驱动模块的控制端电位。示例性的，第一电容C1的电容量可以为6飞法，第二电容C2的电容量可以为4飞法。
在一些可选的实施例中，第一电容C1的电容量、第二电容C2的电容量、第一寄生电容的电容量及第二寄生电容的电容量均在1飞法～6飞法之间。第一电容C1、第二电容C2也相当于像素电路10的寄生电容，在第一电容C1的电容量、第二电容C2的电容量、第一寄生电容的电容量及第二寄生电容的电容量较大的情况下，会对驱动模块的控制端的充电产生负面影响，例如会导致驱动模块的控制端的充电速度较慢，而将第一电容C1的电容量、第二电容C2的电容量、第一寄生电容的电容量及第二寄生电容的电容量均设置为在1飞法～6飞法之间时，可以避免对驱动模块的控制端的充电产生负面影响，例如避免导致驱动模块的控制端的充电速度较慢。
在一些可选的实施例中，如图9所示，第一电容C1包括第一极板C11和第二极板C12。第二电容C2包括第三极板C21和第四极板C22。第一双栅晶体管T1包括第一连接部b1，第一连接部b1包括第一中间节点N1。第二双栅晶体管T2包括第二连接部b2，第二连接部b2包括第二中间节点N2。可以理解的是，第一连接部b1连接在第一子晶体管T11的第二极和第二子晶体管T12的第一极之间，第二连接部b2连接在第三子晶体管T21的第二极和第四子晶体管T22的第一极之间。
第一连接部b1可以复用为第一电容C1的第一极板C11，第二连接部b2可以复用为第二电容C2的第三极板C21。如此可以不必额外设置一个与第一中间节点N1或第二中间节点N2连接的极板以作为第一电容C1的第一极板C11或第二电容C2的第三极板C21，可以简化工艺步骤。
在一些可选的实施例中，第一电容C1的第二极板C12与第二电容C2的第四极板C22设置为同层且同材质。如此可在同一工艺步骤中同时形成第一电容C1的第二极板C12与第二电容C2的第四极板C22。
在一些可选的实施例中，结合参考图3和图9，第一连接部b1和/或第二连接部b2也可以为半导体材料。结合参考图3和图9，第一连接部b1、第一子晶体管T11的第二极以及第二子晶体管T12的第一极可以均位于半导体层b；第二连接部b2、第三子晶体管T21的第二极以及第四子晶体管T22的第一极也可以均位于半导体层b。另外，第一子晶体管T11的第一极以及第二子晶体管T12的第二极可以均位于半导体层b，第三子晶体管T21的第一极以及第四子晶体管T22的第二极也可以均位于半导体层b。第一双栅晶体管T1的有源层和第二双栅晶体管T2的有源层可位于半导体层b。
第一双栅晶体管T1的栅极、第二双栅晶体管T2的栅极、第一扫描信号线S(n-1)、第二扫描信号线Sn和发光控制信号线Emit位于第一金属层M1。参考信号线Vref位于电容金属层MC。
像素电路10还包括存储电容Cst，存储电容Cst分别与第一电源线PVDD及驱动模块11的控制端g电连接。存储电容Cst包括第五极板C5和第六极板C6，第五极板C5复用为驱动模块11的控制端g，第六极板C6位于电容金属层MC。第一电容C1的第二极板C12和第二电容C2的第四极板C22位于源漏金属层M2。第二极板C12和第四极板C22如果设置于栅极金属层M1，第一连接部b1与第二极板C12之间构成的则是晶体管而不是第一电容C1，第二连接部b2与第四极板C22之间构成的是晶体管而不是第二电容C2；另外，为了更好的稳定驱动模块11的控制端g的电位，通常会将存储电容Cst设置的较大，而第六极板C6位于电容金属层MC，如果将第二极板C12和第四极板C22也设置于电容金属层MC，则需要减小第六极板C6的面积。本申请实施例中第一电容C1的第二极板C12和第二电容C2的第四极板C22均设置于源漏金属层M2，既不会构成多余的晶体管，又不会占用存储电容Cst的第六极板C6的空间。
在一些可选的实施例中，第一电容C1的第二极板C12和第二电容C2的第四极板C22通过过孔与发光控制信号线Emit电连接。示例性的，在第二极板C12和第四极板C22在基板01上的正投影存在交叠的情况下，可以仅设置一个第一过孔h1以将发光控制信号线Emit同时与第二极板C12和第四极板C22连接。在第二极板C12和第四极板C22在基板01上的正投影无交叠情况下，可以仅设置两个过孔以将发光控制信号线Emit分别与第二极板C12和第四极板C22连接。
在一些可选的实施例中，如图9所示，多条发光控制信号线Emit沿第一方向X延伸且在第二方向Y上间隔分布；第一电容C1的第二极板C12与第二电容C2的第四极板C22均沿第二方向Y延伸，从而实现第一电容C1及第二电容C2与发光控制信号线的Emit电连接。
可以理解的是，第二极板C12以及第四极板C22在第一方向X上也具有一定的长度。
在一些可选的实施例中，显示面板100包括多条发光控制信号线Emit和多行像素电路10。多条发光控制信号线Emit和像素电路所在行一一对应。图9示例性的示出了第i行像素电路和第i+1行像素电路。第i行像素电路与发光控制信号线Ei对应，第i+1行像素电路与发光控制信号线Ei+1对应。第i+1行像素电路中的第一电容C1与第i行像素电路对应的发光控制信号线Ei电连接，第i+1行像素电路中的第二电容C2与第i+1行像素电路对应的发光控制信号线Ei+1电连接，其中，i为正整数。示例性的，第i+1行像素电路中的第一电容C1的第二极板C12与第i行像素电路对应的发光控制信号线Ei电连接，第i+1行像素电路中的第二电容C2的第四极板C22与第i+1行像素电路对应的发光控制信号线Ei+1电连接，如此可以减少第二极板C12以及第四极板C22的延伸长度。
例如，相邻两行发光控制信号线Ei、Ei+1上的信号可以是相同的，在相邻两行发光控制信号线Ei、Ei+1上的信号相同的情况下，相邻两行发光控制信号线Ei、Ei+1上的信号的电压跳变时刻是相同的。
又例如，相邻两行发光控制信号线Ei、Ei+1上的信号可以是不同的，在相邻两行发光控制信号线Ei、Ei+1上的信号不同的情况下，相邻两行发光控制信号线Ei、Ei+1上的信号的电压跳变时刻也是不同的。以像素电路的晶体管为P型晶体管为例，发光控制信号线Ei上的信号由高电平跳变的时刻与发光控制信号线Ei+1上的信号由高电平跳变的时刻相差的时长大致为发光控制信号线Ei+1上的信号为高电平的时长，而发光控制信号线Ei+1上的信号为高电平的时长较短，因此可忽略相邻两行发光控制信号线Ei、Ei+1上的信号不同造成的影响。
示例性的，第i行像素电路对应第一扫描信号线S(i，1)以及第二扫描信号线S(i，2)，第i+1行像素电路对应第一扫描信号线S(i+1，1)以及第二扫描信号线S(i+1，2)。第i行像素电路对应的第二扫描信号线S(i，2)上的信号可以与第i+1行像素电路对应的第一扫描信号线S(i+1，1)上的信号相同。
在一些可选的实施例中，如图10或图11所示，像素电路10还可以包括数据写入模块16、第二复位模块17及存储模块18，发光控制模块14包括第一发光控制模块141和第二发光控制模块142。
驱动模块11包括驱动晶体管T3，第一发光控制模块141包括电源写入晶体管T5，数据写入模块16包括数据写入晶体管T4，第二发光控制模块142包括发光控制晶体管T6，第二复位模块17包括阳极复位晶体管T7，存储模块18包括存储电容Cst，发光模块15包括发光元件D。
电源写入晶体管T5及发光控制晶体管T6的栅极均与发光控制信号线Emit电连接，电源写入晶体管T5的第一极与第一电源线PVDD电连接，电源写入晶体管T5的第二极与驱动晶体管T3的第一极电连接，发光控制晶体管T6的第一极与驱动晶体管T3的第二极电连接，发光控制晶体管T6的第二极与发光元件D的阳极电连接。
数据写入晶体管T4的第一极与数据信号线Vdata电连接，数据写入晶体管T4的第二极与驱动晶体管T3的第一极电连接。
第一双栅晶体管T1的第一极与参考信号线Vref电连接，第一双栅晶体管T1的第二极与驱动晶体管T3的栅极电连接。
第二双栅晶体管T2的第一极与驱动晶体管T3的第二极电连接，第二双栅晶体管T2的第二极与驱动晶体管T3的栅极电连接。
阳极复位晶体管T7的栅极与第三扫描信号线Sr电连接，阳极复位晶体管T7的第一极与参考信号线Vref电连接，阳极复位晶体管T7的第二极与发光元件D的阳极电连接。
存储电容Cst的第一极与第一电源线PVDD电连接，存储电容Cst的第二极与驱动晶体管t3的栅极电连接。
在一些可选的实施例中，如图10所示，第i+1行像素电路对应的第一扫描信号线S(i+1，1)复用为第i行像素电路对应的第三扫描信号线Sr。第i+1行像素电路对应的第一扫描信号线S(i+1，1)上的信号可以与第i行像素电路对应的第二扫描信号线S(i，2)相同。
在一些可选的实施例中，如图10所示，数据写入晶体管T4的栅极可以与第二扫描信号线Sn电连接，或者，如图11所示，数据写入晶体管T4的栅极可以与第三扫描信号线Sr电连接。
在第i+1行像素电路对应的第一扫描信号线S(i+1，1)复用为第i行像素电路对应的第三扫描信号线Sr的情况下，对于每行像素电路可以仅设置两条扫描信号线，可以减少扫描信号线的数量以及移位寄存电路S-VSR1的数量，实现窄边框。
以下以第一扫描信号线S(i+1，1)复用为第三扫描信号线Sr，数据写入晶体管T4的栅极可以与第二扫描信号线Sn电连接，像素电路的各晶体管均为P型晶体管且以第i行像素电路为例进行说明，结合参考图5和图10，在复位阶段，第一扫描信号线S(i，1)提供低电平，第一双栅晶体管T1导通，重置驱动晶体管T3的栅极电位。在数据写入阶段，第二扫描信号线S(i，2)提供低电平信号，数据写入晶体管T4及第二双栅晶体管T2导通，数据信号线Vdata上的数据信号写到驱动晶体管T3的栅极，且对驱动晶体管T3的阈值电压进行补偿；且阳极初始化晶体管T7导通，重置发光元件的阳极电位。在发光阶段，发光控制信号线Emit提供低电平信号，电源写入晶体管T5、发光控制晶体管T6导通，驱动晶体管T3产生的驱动电流传输至发光元件，发光元件发光。
第三扫描信号线Sr的信号与第一扫描信号线S(i+1，1)的信号可以不同，也就是说，可以单独控制第三扫描信号线Sr的信号。
以下以第三扫描信号线Sr的信号与第一扫描信号线S(i+1，1)的信号不同为例，数据写入晶体管T4的栅极可以与第三扫描信号线Sr电连接，显示面板的工作过程包括数据写入帧和保持帧。数据信号线Vdata可以提供数据信号和调节电压。在数据写入帧，像素电路执行数据写入阶段和发光阶段，在数据写入阶段，数据写入模块16与第二双栅晶体管T2开启，数据写入模块写入数据信号；在保持帧，像素电路执行复位调节阶段和发光阶段，在复位调节阶段，数据写入模块16开启，第二双栅晶体管T2关断，数据写入模块写入调节电压，用于调整驱动晶体管的偏置状态。
具体的，以像素电路的各晶体管均为P型晶体管为例进行说明，结合参考图11和图12，结合图11和图12，在数据写入帧Z1，像素电路执行复位阶段T1、数据写入阶段T2和发光阶段T3。复位阶段T1位于数据写入阶段T2之前，在复位阶段T1，第一双栅晶体管T1开启，对驱动晶体管T3的栅极进行复位，以保证显示面板在执行数据写入帧Z1时，能够向驱动晶体管的栅极写入准确的数据电压。在数据写入阶段T2，数据写入模块16与第二双栅晶体管T2开启，将数据信号写入驱动晶体管T3的栅极，第二双栅晶体管T2对驱动晶体管T3的阈值电压进行补偿。具体的，数据写入模块211在第三扫描信号线Sr的信号的控制下开启，将数据信号输入端Data提供的信号写入驱动晶体管Mn的源极，第二双栅晶体管T2在第二扫描信号线Sn的信号控制下开启，将驱动晶体管T3的漏极的电压提供给驱动晶体管T3的栅极。在发光阶段T3，发光控制模块14在发光控制信号线Emit的信号的控制下开启，将驱动晶体管T3产生的驱动电流提供给发光元件D。
在保持帧Z2，像素电路执行复位调节阶段T4和发光阶段T3。在复位调节阶段T4，数据写入模块16开启，第二双栅晶体管T2关断，数据写入模块16写入调节电压VJ，用于调整驱动晶体管T3的偏置状态。具体的，数据写入模块16在第三扫描信号线Sr的信号的控制下开启，将数据信号输入线Vdata通过的调节电压VJ写入到驱动晶体管T3的源极，以调整驱动晶体管T3的偏置状态。像素电路在保持帧Z2中的发光阶段T3的工作过程与其在数据写入帧Z1中的发光阶段T3的工作过程相同。
在发光元件D发光的初期有一个亮度上升的过程，亮度上升的速度与驱动晶体管T3的偏置状态相关。
在数据写入帧Z1包括对驱动晶体管T3的栅极进行复位的阶段，将参考信号线Vref的电压信号VR提供给驱动晶体管T3的栅极后，开始对驱动晶体管T3的偏置状态产生影响。在数据写入阶段T2的初期，驱动晶体管T3的栅极电压为VR；驱动晶体管T3的源极的电压维持上一阶段发光时的电压，其接近第一电源端PVDD提供的电压VP；所以此时，驱动晶体管T3的栅极相对于源极的电压Vgs1＝VR-VP。
在本申请提供的显示面板工作时包括保持帧Z2，保持帧Z2包括复位调节阶段T4，在复位调节阶段T4数据写入模块16向驱动晶体管T3的源极写入调节电压VJ，则在此阶段，驱动晶体管T3的源极的电压接近于VJ，而驱动晶体管T3的栅极维持上一发光阶段的电位，则驱动晶体管T3的栅极电压接近于VData+Vth，VData为数据电压。则此时驱动晶体管T3的栅极相对于源极的电压Vgs2＝VData+Vth-VJ。本本申请中通过对调节电压VJ进行控制，以调整驱动晶体管T3的偏置状态，能够减小Vgs2与Vgs1之间的差异，使得Vgs2与Vgs1相接近。相当于在复位调节阶段T4向驱动晶体管T3的源极写入调节电压VJ以模拟在数据写入帧Z1中驱动晶体管Mn的偏置状态，以降低在保持帧Z2中发光元件D的亮度上升速度，使得保持帧Z2中发光元件的亮度上升速度和数据写入帧Z1中发光元件的亮度上升速度趋于一致，改善显示画面闪烁问题。
在一些可选的实施例中，VP＝4.6V，6V≤VJ≤8V。设置VP大于VP，且VJ不会过大，避免功耗过大。
在一些可选的实施例中，驱动晶体管T3、电源写入晶体管T5、数据写入晶体管T4、第一双栅晶体管T1、第二双栅晶体管T2、发光控制晶体管T6和阳极复位晶体管T7均为P型晶体管。各晶体管的类型均相同的情况下，可以降低显示面板的工艺制备难度。
在一些可选的实施例中，驱动晶体管T3、电源写入晶体管T5、数据写入晶体管T4、第一双栅晶体管T1、第二双栅晶体管T2、发光控制晶体管T6和阳极复位晶体管T7的有源层的材料均包括多晶硅。例如驱动晶体管T3、电源写入晶体管T5、数据写入晶体管T4、第一双栅晶体管T1、第二双栅晶体管T2、发光控制晶体管T6和阳极复位晶体管T7的有源层的材料均包括低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)。多晶硅晶体管的迁移率相对较大，能够提高像素电路的驱动能力。
在一些可选的实施例中，如图13所示，显示面板100包括第一移位寄存器VSR1、第二移位寄存器VSR2以及第三移位寄存器VSR3。图13所示的第一移位寄存器VSR1、第二移位寄存器VSR2可以和上文图1所示的第一移位寄存器VSR1、第二移位寄存器VSR2相同，在此不再赘述。
第三移位寄存器VSR3包括多级第三移位寄存电路S-VSR2，第三移位寄存电路S-VSR2向单独一行像素电路10提供扫描信号。示例性的，第三移位寄存电路S-VSR2可通过第三扫描信号线Sr与像素电路10中的数据写入晶体管T4的栅极及阳极复位晶体管T7的栅极电连接。驱动芯片IC为第三移位寄存器VSR3提供第三起始信号STV3。
另外，第三移位寄存器VSR3与驱动芯片IC之间可以连接有时钟信号线(图中未示出)、高电平信号线(VGH)(图中未示出)、低电平信号线(VGL)(图中未示出)，驱动芯片IC向第三移位寄存器VSR3提供时钟信号、高电平信号以及低电平信号。
例如，如图13所示，显示面板100可以包括一个第一移位寄存器VSR1、一个第二移位寄存器VSR2以及一个第三移位寄存器VSR3，一个第一移位寄存器VSR1、一个第二移位寄存器VSR2以及一个第三移位寄存器VSR3可以设置在显示面板100在第二方向Y上的相对两侧，一个第一移位寄存器VSR1、一个第二移位寄存器VSR2以及一个第三移位寄存器VSR3也可以设置在同一侧。
又例如，显示面板100也可以包括两个第一移位寄存器VSR1、两个第二移位寄存器VSR2以及两个第三移位寄存器VSR3，第一扫描信号线及第二扫描信号线的两端各自分别电连接一个第一移位寄存器VSR1，发光控制信号线Emit的两端各自分别电连接一个第二移位寄存器VSR2，第三扫描信号线的两端各自分别电连接一个第三移位寄存器VSR3。
在一些可选的实施例中，第一双栅晶体管T1包括第一子晶体管T11和第二子晶体管T12，第二双栅晶体管T2包括第三子晶体管T21和第四子晶体管T22为例进行解释，第一中间节点N1为第一子晶体管T11的第二极和第二子晶体管T12的第一极的连接点，第二中间节点N2为第三子晶体管T21的第二极和第四子晶体管T22的第一极的连接点。其中，第一子晶体管T11的第一极与参考信号线Vref电连接，第二子晶体管T12的第二极与驱动模块11的控制端电连接，第三子晶体管T21的第一极与驱动模块11的第二端电连接，第四子晶体管T22的第二极与驱动模块11的控制端电连接。如图14所示，显示面板100还包括遮光层20。第二子晶体管T12和第四子晶体管T22中的至少一者的沟道在显示面板100所在平面上的正投影与遮光层20在显示面板100所在平面上的正投影至少部分交叠。
可以理解的是，第二子晶体管T12的沟道为第二子晶体管T12的有源层与其栅极交叠的区域，第四子晶体管T22的沟道为第四子晶体管T22的有源层与其栅极交叠的区域。
图14示例性的示出了第二子晶体管T12和第四子晶体管T22的沟道在显示面板100所在平面上的正投影与遮光层20在显示面板100所在平面上的正投影均交叠。
在光照条件下，晶体管的漏电流会增大，通过遮挡双栅晶体管中靠近驱动模块11的控制端的子晶体管，可以减小靠近驱动模块11的控制端的子晶体管的漏电流，从而使得驱动模块11的控制端的电位变化较小，以改善显示面板的闪烁问题。
可以理解的是，第一子晶体管T11的沟道及第三子晶体管T21的沟道与遮光层20在显示面板100所在平面上的正投影均无交叠。第二子晶体管T12的沟道被遮光层20遮挡，第一子晶体管T11的沟道未被遮光层20遮挡，第一中间节点N1和驱动模块11的控制端之间的漏电比例减小，第一中间节点N1和参考信号线Vref之间的漏电比例增加；第四子晶体管T22的沟道被遮光层20遮挡，第三子晶体管T21的沟道未被遮光层20遮挡，第二中间节点N2和驱动模块11的控制端之间的漏电比例减小，第二中间节点N2和驱动模块11的第二端之间的漏电比例增加，从而使得驱动模块11的控制端的电位变化较小。
示例性的，参考图3，遮光层20可设置于源漏金属层或者与阳极RE同层设置。遮光层20可由具有遮光性能的金属材料形成。
示例性的，在本申请中，如图9所示，发光控制晶体管T6的第二极以及阳极复位晶体管T7的第二极可以通过第二过孔h2与发光元件的阳极电连接。
需要说明的是，在不矛盾的情况下，上述各实施例可以相互结合。
本申请还提供了一种显示装置，包括本申请提供的显示面板。请参考图15，图15是本申请实施例提供的一种显示装置的结构示意图。图15提供的显示装置1000包括本申请上述任一实施例提供的显示面板100。图15实施例仅以手机为例，对显示装置1000进行说明，可以理解的是，本申请实施例提供的显示装置，可以是可穿戴产品、电脑、电视、车载显示装置等其他具有显示功能的显示装置，本申请对此不作具体限制。本申请实施例提供的显示装置，具有本申请实施例提供的显示面板的有益效果，具体可以参考上述各实施例对于显示面板的具体说明，本实施例在此不再赘述。
依照本申请如上文所述的实施例，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该申请仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本申请的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本申请以及在本申请基础上的修改使用。本申请仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (22)

1.一种显示面板，其特征在于，包括像素电路，所述像素电路包括驱动模块、第一复位模块、补偿模块、发光控制模块及发光模块；其中，
所述驱动模块、所述发光控制模块与所述发光模块串联在第一电源线与第二电源线之间，所述驱动模块用于驱动所述发光模块发光，所述发光控制模块用于控制所述发光模块进入发光阶段，所述发光控制模块的控制端与发光控制信号线电连接；
所述第一复位模块串联在参考信号线与所述驱动模块的控制端之间，所述第一复位模块包括第一双栅晶体管，所述第一双栅晶体管的栅极与第一扫描信号线电连接，所述第一双栅晶体管的第一中间节点通过第一电容与所述发光控制信号线电连接；
所述补偿模块串联在所述驱动模块的控制端与所述驱动模块的第二端之间，所述补偿模块包括第二双栅晶体管，所述第二双栅晶体管的栅极与第二扫描信号线电连接，所述第二双栅晶体管的第二中间节点通过第二电容与所述发光控制信号线电连接；
其中，所述第一双栅晶体管包括第一寄生电容，所述第二双栅晶体管包括第二寄生电容，所述第一电容对应所述第一寄生电容，所述第二电容对应所述第二寄生电容，所述第一电容与所述第二电容中的至少一者的电容量大于或者等于其对应的寄生电容的电容量。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一电容和所述第二电容两者中的一者的电容量大于另一者的电容量。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一电容的电容量大于所述第二电容的电容量。
4.根据权利要求3所述的显示面板 ，其特征在于，所述第一电容的电容量为c1，所述第二电容的电容量为c2，c1-c2≥2飞法。
5.根据权利要求1-4任一项所述的显示面板，其特征在于，所述第一电容的电容量、所述第二电容的电容量、所述第一寄生电容的电容量及所述第二寄生电容的电容量均在1飞法～6飞法之间。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一电容包括第一极板和第二极板，所述第一双栅晶体管包括第一连接部，所述第一连接部包括所述第一中间节点，所述第一连接部复用为所述第一电容的第一极板；
所述第二电容包括第三极板和第四极板，所述第二双栅晶体管包括第二连接部，所述第二连接部包括所述第二中间节点，所述第二连接部复用为所述第二电容的第三极板。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第一电容的第二极板与所述第二电容的第四极板设置为同层且同材质。
8.根据权利要求6或者7所述的显示面板，其特征在于，还包括：
基板；
半导体层，位于所述基板的一侧，所述第一连接部和所述第二连接部位于所述半导体层；
第一金属层，位于所述半导体层的远离所述基板的一侧，所述第一双栅晶体管的栅极、所述第二双栅晶体管的栅极、所述第一扫描信号线、所述第二扫描信号线和所述发光控制信号线位于所述第一金属层；
电容金属层，位于所述第一金属层远离所述基板的一侧，所述参考信号线位于所述电容金属层；
源漏金属层，位于所述电容金属层远离所述基板的一侧；
所述像素电路还包括存储电容，所述存储电容分别与所述第一电源线及所述驱动模块的控制端电连接，所述存储电容包括第五极板和第六极板，所述第五极板复用为所述驱动模块的控制端，所述第六极板位于所述电容金属层；
其中，所述第一电容的第二极板和所述第二电容的第四极板位于所述源漏金属层。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第一电容的第二极板与所述第二电容的第四极板通过过孔与所述发光控制信号线电连接。
10.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，多条所述发光控制信号线沿第一方向延伸且在第二方向上间隔分布；
所述第一电容的第二极板与所述第二电容的第四极板均沿所述第二方向延伸。
11.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素电路还包括数据写入模块、第二复位模块及存储模块，所述发光控制模块包括第一发光控制模块和第二发光控制模块；
所述驱动模块包括驱动晶体管，所述第一发光控制模块包括电源写入晶体管，所述数据写入模块包括数据写入晶体管，所述第二发光控制模块包括发光控制晶体管，所述第二复位模块包括阳极复位晶体管，所述存储模块包括存储电容，所述发光模块包括发光元件；其中，
所述电源写入晶体管及所述发光控制晶体管的栅极均与所述发光控制信号线电连接，所述电源写入晶体管的第一极与所述第一电源线电连接，所述电源写入晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极电连接，所述发光控制晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极电连接，所述发光控制晶体管的第二极与所述发光元件的阳极电连接；
所述数据写入晶体管的第一极与数据信号线电连接，所述数据写入晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极电连接；
所述第一双栅晶体管的第一极与所述参考信号线电连接，所述第一双栅晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极电连接；
所述第二双栅晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极电连接，所述第二双栅晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极电连接；
所述阳极复位晶体管的栅极与第三扫描信号线电连接，所述阳极复位晶体管的第一极与所述参考信号线电连接，所述阳极复位晶体管的第二极与所述发光元件的阳极电连接；
所述存储电容的第一极与所述第一电源线电连接，所述存储电容的第二极与所述驱动晶体管的栅极电连接。
12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，第i+1行所述像素电路对应的所述第一扫描信号线复用为第i行所述像素电路对应的所述第三扫描信号线，其中，i为正整数。
13.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述数据写入晶体管的栅极与所述第二扫描信号线电连接，或者，所述数据写入晶体管的栅极与所述第三扫描信号线电连接。
14.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素电路还包括数据写入模块、第二复位模块；
所述驱动模块包括驱动晶体管；
所述发光控制模块包括第一发光控制模块和第二发光控制模块，所述第一发光控制模块包括电源写入晶体管，所述第二发光控制模块包括发光控制晶体管；
所述数据写入模块包括数据写入晶体管；
所述第二复位模块包括阳极复位晶体管；
其中，所述驱动晶体管、电源写入晶体管、数据写入晶体管、第一双栅晶体管、第二双栅晶体管、发光控制晶体管和阳极复位晶体管均为P型晶体管。
15.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素电路还包括数据写入模块、第二复位模块；
所述驱动模块包括驱动晶体管；
所述发光控制模块包括第一发光控制模块和第二发光控制模块，所述第一发光控制模块包括电源写入晶体管，所述第二发光控制模块包括发光控制晶体管；
所述数据写入模块包括数据写入晶体管；
所述第二复位模块包括阳极复位晶体管；
其中，所述驱动晶体管、电源写入晶体管、数据写入晶体管、第一双栅晶体管、第二双栅晶体管、发光控制晶体管和阳极复位晶体管的有源层的材料均包括多晶硅。
16.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素电路的工作过程包括复位阶段、数据写入阶段和所述发光阶段；
在所述复位阶段，所述第一扫描信号线提供的信号控制所述第一双栅晶体管导通；
在所述数据写入阶段，所述第二扫描信号线提供的信号控制所述第二双栅晶体管导通；
在所述发光阶段，所述发光控制信号线提供的信号控制所述发光控制模块导通；
其中，所述第一扫描信号线提供的信号在所述第一双栅晶体管由导通转变为截止的时刻的电压跳变方向以及所述第二扫描信号线提供的信号在所述第二双栅晶体管由导通转变为截止的时刻的电压跳变方向均与所述发光控制信号线提供的信号在所述发光控制模块由截止转变为导通的时刻的电压跳变方向相反。
17.根据权利要求16所述的显示面板，其特征在于，
所述第一双栅晶体管由导通转变为截止的时刻位于所述发光控制模块由截止转变为导通的时刻之前，或者位于同一时刻；所述第二双栅晶体管由导通转变为截止的时刻位于所述发光控制模块由截止转变为导通的时刻之前，或者位于同一时刻。
18.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括多条所述发光控制信号线和多行所述像素电路，且所述发光控制信号线和所述像素电路所在行一一对应；
第i+1行所述像素电路中的所述第一电容与第i行所述像素电路对应的所述发光控制信号线电连接，第i+1行所述像素电路中的所述第二电容与第i+1行所述像素电路对应的所述发光控制信号线电连接，其中，i为正整数。
19.根据权利要求17所述的显示面板，其特征在于，还包括第一移位寄存器和第二移位寄存器；
所述第一移位寄存器包括多级第一移位寄存电路，所述第一移位寄存电路向相邻两行所述像素电路提供扫描信号；
所述第二移位寄存器包括多级第二移位寄存电路，所述第二移位寄存电路向相邻两行所述像素电路提供发光控制信号。
20.根据权利要求17所述的显示面板，其特征在于，还包括第一移位寄存器、第二移位寄存器和第三移位寄存器；
所述第一移位寄存器包括多级第一移位寄存电路，所述第一移位寄存电路向相邻两行所述像素电路提供扫描信号；
所述第二移位寄存器包括多级第二移位寄存电路，所述第二移位寄存电路向相邻两行所述像素电路提供发光控制信号；
所述第三移位寄存器包括多级第三移位寄存电路，所述第三移位寄存电路向单独一行所述像素电路提供扫描信号。
21.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括遮光层，其中，
所述第一双栅晶体管包括第一子晶体管和第二子晶体管，所述第一子晶体管的第一极与所述参考信号线电连接，所述第一子晶体管的第二极与所述第二子晶体管的第一极电连接于所述第一中间节点，所述第二子晶体管的第二极与所述驱动模块的控制端电连接；
所述第二双栅晶体管包括第三子晶体管和第四子晶体管，所述第三子晶体管的第一极与所述驱动模块的第二端电连接，所述第三子晶体管的第二极与所述第四子晶体管的第一极电连接于所述第二中间节点，所述第四子晶体管的第二极与所述驱动模块的控制端电连接；
所述第二子晶体管和所述第四子晶体管中的至少一者的沟道在所述显示面板所在平面上的正投影与所述遮光层在所述显示面板所在平面上的正投影至少部分交叠。
22.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至21任一项所述的显示面板。
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