CN113140598A - 显示装置 - Google Patents

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CN113140598A CN202110037733.2A CN202110037733A CN113140598A CN 113140598 A CN113140598 A CN 113140598A CN 202110037733 A CN202110037733 A CN 202110037733A CN 113140598 A CN113140598 A CN 113140598A
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Abstract

提供了显示装置。显示装置包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、绝缘层、第一像素电极和第二像素电极，其中，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管位于衬底上，第一薄膜晶体管包括第一电极层，并且第二薄膜晶体管包括第二电极层，绝缘层具有分别暴露第一电极层和第二电极层的第一接触孔和第二接触孔，第一像素电极通过第一接触孔连接到第一薄膜晶体管，并且第二像素电极通过第二接触孔连接到第二薄膜晶体管。在第一接触孔中与第一电极层重叠的第一像素电极的顶表面具有面对第一方向的第一台阶，并且在第二接触孔中与第二电极层重叠的第二像素电极的顶表面具有面对与第一方向相反的第二方向的第二台阶。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年1月16日提交到韩国知识产权局的第10-2020-0006020号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用以其整体地并入本文。
技术领域
本发明的一个或多个示例性实施方式涉及显示装置，并且更具体地，涉及具有得到改善的反射光的色分离的显示装置。
背景技术
显示装置视觉上显示数据。显示装置可用作诸如移动电话的小型产品或诸如电视的大型产品的显示单元。
通常，显示装置包括接收电信号以为了显示图像而发射光的多个像素。每个像素包括发光元件。例如，有机发光显示装置包括有机发光二极管(Organic Light-EmittingDiode，OLED)作为发光元件。通常，有机发光显示装置包括薄膜晶体管和设置在衬底上的OLED，并且OLED由自身来发射光。
随着显示装置的用途变得多样化，已经在开发针对显示装置的各种配置，以提高显示装置的显示品质。
发明内容
根据本发明的示例性实施方式，显示装置包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、绝缘层、第一像素电极和第二像素电极，其中，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管各自布置在衬底上，其中，第一薄膜晶体管包括第一电极层，并且第二薄膜晶体管包括第二电极层，绝缘层具有分别暴露第一电极层的一部分和第二电极层的一部分的第一接触孔和第二接触孔，第一像素电极布置在绝缘层上并且通过第一接触孔连接到第一薄膜晶体管，并且第二像素电极布置在绝缘层上并且通过第二接触孔连接到第二薄膜晶体管，其中，在第一接触孔中与第一电极层重叠的第一像素电极的顶表面具有面对第一方向的第一台阶，并且在第二接触孔中与第二电极层重叠的第二像素电极的顶表面具有面对与第一方向相反的第二方向的第二台阶。
在本发明的示例性实施方式中，显示装置还包括台阶校正层，其中，台阶校正层布置在衬底与绝缘层之间并且与第一接触孔至少部分地重叠。
在本发明的示例性实施方式中，显示装置还包括导线，其中，导线布置在衬底与台阶校正层之间并且在与第一方向和第二方向交叉的第三方向上延伸，以及其中，导线与第一接触孔的一部分和第二接触孔的一部分重叠。
在本发明的示例性实施方式中，第一像素电极的与导线重叠的一部分的顶表面低于第一像素电极的与台阶校正层重叠的一部分的顶表面。
在本发明的示例性实施方式中，导线与台阶校正层重叠。
在本发明的示例性实施方式中，导线为发射控制线。
在本发明的示例性实施方式中，导线在第一接触孔处断开。
在本发明的示例性实施方式中，显示装置还包括栅极绝缘层，其中，栅极绝缘层布置在台阶校正层与导线之间并且具有各自暴露导线的一部分的第三接触孔和第四接触孔，以及其中，台阶校正层通过第三接触孔和第四接触孔连接到导线。
在本发明的示例性实施方式中，第一像素电极在第一方向上延伸，并且第二像素电极在第二方向上延伸。
在本发明的示例性实施方式中，显示装置还包括像素限定膜，其中，像素限定膜具有第一开口和第二开口，其中，第一开口形成第一像素电极的第一发射区域，并且第二开口形成第二像素电极的第二发射区域，以及其中，第一开口相对于第一接触孔定位在第一方向上的侧部上，并且第二开口相对于第二接触孔定位在第二方向上的侧部上。
在本发明的示例性实施方式中，第一台阶具有朝向第一方向倾斜的第一倾斜表面，并且第二台阶具有朝向第二方向倾斜的第二倾斜表面。
在本发明的示例性实施方式中，显示装置还包括第一中间层、第二中间层和相对电极，其中，第一中间层和第二中间层分别布置在第一像素电极和第二像素电极上，并且相对电极覆盖第一中间层和第二中间层，其中，当第一中间层发射绿色光时，第二中间层发射红色光或蓝色光，并且当第一中间层发射红色光或蓝色光时，第二中间层发射绿色光。
在本发明的示例性实施方式中，第一薄膜晶体管包括半导体层和与半导体层重叠的栅极电极，其中，显示装置还包括布置在栅极电极上并且与栅极电极重叠的存储电容器的上电极，以及其中，台阶校正层布置在与上电极相同的层上。
在本发明的示例性实施方式中，第一薄膜晶体管与存储电容器重叠，并且栅极电极对应于存储电容器的下电极。
在本发明的示例性实施方式中，第一薄膜晶体管还包括布置在衬底与第一电极层之间的第三电极层，以及其中，台阶校正层布置在与第三电极层相同的层上。
在本发明的示例性实施方式中，第一薄膜晶体管包括半导体层和与半导体层重叠的栅极电极，并且第三电极层将半导体层连接到第一电极层。
在本发明的示例性实施方式中，台阶校正层与第一薄膜晶体管分离。
在本发明的示例性实施方式中，第一像素电极在第二方向上延伸，并且第二像素电极在第一方向上延伸。
在本发明的示例性实施方式中，显示装置还包括像素限定膜，其中，像素限定膜具有第一开口和第二开口，其中，第一开口形成第一像素电极的第一发射区域，并且第二开口形成第二像素电极的第二发射区域，其中，第一开口相对于第一接触孔定位在第二方向上的侧部上，第二开口相对于第二接触孔定位在第一方向上的侧部上，以及其中，第一台阶具有朝向第一方向倾斜的第一倾斜表面，并且第二台阶具有朝向第二方向倾斜的第二倾斜表面。
在本发明的示例性实施方式中，显示装置还包括第一中间层、第二中间层和相对电极，其中，第一中间层和第二中间层分别布置在第一像素电极和第二像素电极上，并且相对电极覆盖第一中间层和第二中间层，其中，当第一中间层发射红色光或蓝色光时，第二中间层发射绿色光，并且当第一中间层发射绿色光时，第二中间层发射红色光或蓝色光。
附图说明
参照附图，通过详细描述本发明的示例性实施方式，本发明的以上和其它特征将变得更加显而易见，在附图中：
图1是根据本发明的示例性实施方式的显示装置的示意性平面视图；
图2是根据本发明的示例性实施方式的显示面板的示意性平面视图；
图3是包括在根据本发明的示例性实施方式的显示装置中的像素的电路图；
图4是包括在根据本发明的示例性实施方式的显示装置中的像素的电路图；
图5是根据本发明的示例性实施方式的显示装置的像素电路的平面视图；
图6A、图6B和图6C是沿图5的线II-II'截取的显示装置的示意性剖面视图；
图7A是根据本发明的示例性实施方式的显示装置的一部分的示意性平面视图；
图7B是沿图7A的线III-III'截取的显示装置的示意性剖面视图；
图8A是根据本发明的示例性实施方式的显示装置的一部分的示意性平面视图；
图8B是沿图8A的线IV-IV'截取的显示装置的示意性剖面视图；
图9是根据本发明的示例性实施方式的显示装置的像素电路的平面视图；
图10A是沿图9的线V-V'截取的显示装置的示意性剖面视图；
图10B是沿图9的线VI-VI'截取的显示装置的示意性剖面视图；
图10C是沿图9的线V-V'截取的显示装置的示意性剖面视图；
图11A是沿图7A的线III-III'截取的显示装置的示意性剖面视图；以及
图11B是沿图8A的线IV-IV'截取的显示装置的示意性剖面视图。
具体实施方式
现在将参照附图对本发明的示例性实施方式进行更加全面的描述。将理解的是，本发明可以不同的形式来实施，并且因此，不应被解释为限于本文中所阐述的示例性实施方式。将理解的是，在整个说明书中，相似的附图标记可指示相似的元件，并且因此，冗余的描述可被省略。如本文中所使用的，术语“和/或者”包括相关所列项目中的一个或者多个的任何和所有组合。
将理解的是，虽然诸如“第一”、“第二”等的术语可用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不背离本发明的精神和范围的情况下，下面讨论的第一部件可被称为第二部件。
将理解的是，除非上下文中另有明确指示，否则单数形式的表达包括复数形式的表达。
为了清楚起见，附图中的部件的尺寸可被夸大。换言之，由于为了清楚起见，附图中部件的尺寸和厚度可被夸大，因此本发明不限于此。
当本发明的示例性实施方式可被不同地实现时，可与所描述的顺序不同地执行工艺顺序。例如，两个连续描述的过程可基本上同时执行或者以与描述的顺序相反的顺序执行。
在本公开中，“A和/或B”可包括“A”、“B”或“A和B”。另外，“A和B中的至少一个”可包括“A”、“B”或“A和B”。
将理解的是，当层、区或部件被称为连接到另一层、区或部件时，其可直接或间接地连接到另一层、区或部件。
将理解的是，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可在更广泛的意义上进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可彼此垂直，或者可代表彼此不垂直的不同方向。
在下文中，将参照附图对本发明的一个或多个示例性实施方式进行详细描述。
图1是根据本发明的示例性实施方式的显示装置1的示意性平面视图。
参照图1，显示装置1包括显示图像的显示区域DA和位于显示区域DA周围的外围区域PA。显示装置1可通过使用从显示区域DA发射的光来向外部提供图像。
衬底100可包括各种材料，诸如玻璃、金属、塑料或类似物。根据本发明的示例性实施方式，衬底100可包括柔性材料。例如，包括柔性材料的衬底可被扭曲、弯折、折叠或卷曲。包括柔性材料的衬底100可包括超薄玻璃、金属和/或塑料。
衬底100的显示区域DA中可布置有包括各种显示元件(诸如有机发光二极管(OLED))的像素PX。多个像素PX可被包括在显示装置1中，并且多个像素PX可以诸如条纹布置、pentile布置、镶嵌布置或类似布置的各种形式来布置，以实现图像。
如图1中所示，在显示区域DA的平面视图中，显示区域DA可具有矩形形状。在本发明的示例性实施方式中，显示区域DA可具有诸如三角形形状、五边形形状、六边形形状或类似形状的多边形形状，或者圆形形状、椭圆形形状、非典型形状或类似形状。
衬底100的外围区域PA为显示区域DA周围的区域，并且可为不显示图像的区域。例如，外围区域PA可至少部分地围绕显示区域DA。外围区域PA中可定位有配置成将电信号传送到显示区域DA的各种线以及附接有印刷电路板或驱动器集成电路(IntegratedCircuit，IC)芯片的焊盘。
图2是根据本发明的示例性实施方式的显示面板10的示意性平面视图。
参照图2，显示面板10包括显示区域DA和外围区域PA，并且包括布置在显示区域DA中的多个像素PX。多个像素PX中的每个可包括诸如OLED的显示元件。每个像素PX可通过OLED发射例如红色光、绿色光、蓝色光或白色光。在下文中，每个像素PX可被称为发射不同颜色光的子像素，并且每个像素PX可包括例如红色R子像素、绿色G子像素和蓝色B子像素中的一个。例如，像素单元可包括红色R子像素、绿色G子像素和蓝色B子像素中的一个。显示区域DA可由封装构件覆盖，以被保护免受外部空气或湿气的影响。
每个像素PX可电连接到布置在外围区域PA中的外部电路。外围区域PA中可布置有第一扫描驱动电路130、第二扫描驱动电路131、发射驱动电路133、端子140、数据驱动电路150、第一电源线160和第二电源线170。
第一扫描驱动电路130和第二扫描驱动电路131可通过扫描线SL将扫描信号提供给每个像素PX。第二扫描驱动电路131可在显示区域DA位于第二扫描驱动电路131与第一扫描驱动电路130之间的情况下与第一扫描驱动电路130平行地布置。布置在显示区域DA中的多个像素PX中的一些可电连接到第一扫描驱动电路130，并且其余像素PX可连接到第二扫描驱动电路131。在本发明的示例性实施方式中，第二扫描驱动电路131可被省略。
发射驱动电路133可通过发射控制线EL将发射控制信号提供给每个像素PX。
端子140可布置在衬底100的一个侧部上。端子140可通过不由绝缘层覆盖而被暴露，并且可电连接到印刷电路板PCB。印刷电路板PCB的端子PCB-P可电连接到显示面板10的端子140。印刷电路板PCB将信号或电力从控制器传输到显示面板10。
由控制器生成的控制信号可通过印刷电路板PCB分别传输到第一扫描驱动电路130和第二扫描驱动电路131。控制器可通过第一连接线161和第二连接线171分别将第一电源电压和第二电源电压提供给第一电源线160和第二电源线170。例如，第一电源电压可为驱动电压(将在下面描述的图3中的ELVDD)，而第二电源电压可为公共电压(将在下面描述的图3中的ELVSS)。第一电源电压可通过与第一电源线160连接的驱动电压线PL提供给每个像素PX，并且第二电源电压可提供给每个像素PX的与第二电源线170连接的相对电极(将在下面描述的图6A中的230)。
数据驱动电路150电连接到数据线DL。数据驱动电路150的数据信号可通过与端子140连接的连接线151和与连接线151连接的数据线DL提供给每个像素PX。尽管图2示出了数据驱动电路150布置在印刷电路板PCB中，但是在本发明的示例性实施方式中，数据驱动电路150可布置在衬底100上。例如，数据驱动电路150可布置在端子140与第一电源线160之间。
第一电源线160可包括第一子线162和第二子线163，其中，第一子线162和第二子线163均可在显示区域DA位于第一子线162与第二子线163之间的情况下沿x方向彼此平行地延伸。第二电源线170可以具有一个侧部开口的环形形状部分地围绕显示区域DA。
图3是包括在根据本发明的示例性实施方式的显示装置1中的像素PX的电路图。
参照图3，每个像素PX包括与扫描线SL、数据线DL和有机发光二极管OLED连接的像素电路PC。
像素电路PC包括驱动薄膜晶体管(Driving Thin-Film Transistor，TFT)T1、开关TFT T2和存储电容器Cst。开关TFT T2连接到扫描线SL和数据线DL，并且配置成根据通过扫描线SL输入的扫描信号Sn而通过数据线DL将数据信号Dm传输到驱动TFT T1。
存储电容器Cst连接到开关TFT T2和驱动电压线PL，并且存储与从开关TFT T2接收到的电压和供给到驱动电压线PL的驱动电压ELVDD之间的差异对应的电压。
驱动TFT T1可连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可根据存储在存储电容器Cst中的电压值来控制从驱动电压线PL流到有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可根据驱动电流来发射具有预定亮度的光。
尽管图3示出了像素电路PC包括两个TFT和一个存储电容器，但是本发明不限于此。例如，像素电路PC可包括三个或更多个TFT和/或两个或更多个存储电容器。在本发明的示例性实施方式中，像素电路PC可包括七个TFT和一个存储电容器。现在将在图4中对该实施方式进行描述。
图4是包括在根据本发明的示例性实施方式的显示装置1中的像素PX的电路图，并且图5是根据本发明的示例性实施方式的显示装置1的像素电路PC的平面视图。另外，图6A至图6C是沿图5的线II-II'截取的显示装置1的示意性剖面视图。
参照图4和图5，一个像素PX可包括像素电路PC和与像素电路PC电连接的有机发光二极管OLED。
在本发明的示例性实施方式中，如图4中所示，像素电路PC可包括多个TFT T1至T7和存储电容器Cst。多个TFT T1至T7和存储电容器Cst可连接到多个信号线SL、SL-1、SL+1、EL和DL、第一初始化电压线VL1、第二初始化电压线VL2和驱动电压线PL。
多个信号线SL、SL-1、SL+1、EL和DL可包括扫描线SL、前一扫描线SL-1、后一扫描线SL+1、发射控制线EL和数据线DL。扫描线SL配置成传送扫描信号Sn。前一扫描线SL-1配置成传送前一扫描信号Sn-1。后一扫描线SL+1配置成将扫描信号Sn传送到第二初始化TFT T7。发射控制线EL配置成将发射控制信号En传送到操作控制TFT T5和发射控制TFT T6。数据线DL与扫描线SL交叉并且配置成传送数据信号Dm。驱动电压线PL可配置成将驱动电压ELVDD传送到驱动TFT T1。第一初始化电压线VL1可配置成将初始化电压Vint传送到第一初始化TFT T4，并且第二初始化电压线VL2可配置成将初始化电压Vint传送到第二初始化TFT T7。
驱动TFT T1的驱动栅极电极G1可连接到存储电容器Cst的下电极CE1。驱动TFT T1的驱动源极电极S1可经由操作控制TFT T5连接到驱动电压线PL，并且驱动TFT T1的驱动漏极电极D1可经由发射控制TFT T6电连接到有机发光二极管OLED的像素电极(图6A中的210)。驱动TFT T1根据开关TFT T2的开关操作而接收数据信号Dm，并且将驱动电流IOLED供给到有机发光二极管OLED。
开关TFT T2的开关栅极电极G2可连接到扫描线SL。开关TFT T2的开关源极电极S2可连接到数据线DL，并且开关TFT T2的开关漏极电极D2可连接到驱动TFT T1的驱动源极电极S1并且经由操作控制TFT T5连接到驱动电压线PL。开关TFT T2可根据通过扫描线SL接收到的扫描信号Sn而被导通，并且可执行将传输到数据线DL的数据信号Dm传输到驱动TFT T1的驱动源极电极S1的开关操作。
补偿TFT T3的补偿栅极电极G3可连接到扫描线SL。补偿TFT T3的补偿源极电极S3可连接到驱动TFT T1的驱动漏极电极D1并且可经由发射控制TFT T6连接到有机发光二极管OLED的像素电极210，并且补偿TFT T3的补偿漏极电极D3可连接到存储电容器Cst的下电极CE1、第一初始化TFT T4的第一初始化漏极电极D4和驱动TFT T1的驱动栅极电极G1。补偿TFT T3可根据通过扫描线SL接收到的扫描信号Sn而被导通，并且可电连接驱动TFT T1的驱动栅极电极G1和驱动漏极电极D1以将驱动TFT T1二极管连接。
第一初始化TFT T4的第一初始化栅极电极G4可连接到前一扫描线SL-1。第一初始化TFT T4的第一初始化源极电极S4可连接到第一初始化电压线VL1，并且第一初始化TFTT4的第一初始化漏极电极D4可连接到存储电容器Cst的下电极CE1、补偿TFT T3的补偿漏极电极D3和驱动TFT T1的驱动栅极电极G1。第一初始化TFT T4可根据通过前一扫描线SL-1接收到的前一扫描信号Sn-1而被导通，并且可配置成将初始化电压Vint传送到驱动TFT T1的驱动栅极电极G1以执行对驱动TFT T1的驱动栅极电极G1的电压进行初始化的初始化操作。
操作控制TFT T5的操作控制栅极电极G5可连接到发射控制线EL。操作控制TFT T5的操作控制源极电极S5可连接到驱动电压线PL，并且操作控制TFT T5的操作控制漏极电极D5可连接到驱动TFT T1的驱动源极电极S1和开关TFT T2的开关漏极电极D2。
发射控制TFT T6的发射控制栅极电极G6可连接到发射控制线EL。发射控制TFT T6的发射控制源极电极S6可连接到驱动TFT T1的驱动漏极电极D1和补偿TFT T3的补偿源极电极S3，并且发射控制TFT T6的发射控制漏极电极D6可电连接到第二初始化TFT T7的第二初始化源极电极S7和有机发光二极管OLED的像素电极210。
操作控制TFT T5和发射控制TFT T6可根据通过发射控制线EL接收到的发射控制信号En而被导通，并且通过驱动电压线PL接收到的驱动电压ELVDD可传输到有机发光二极管OLED以允许驱动电流IOLED流过有机发光二极管OLED。
第二初始化TFT T7的第二初始化栅极电极G7连接到后一扫描线SL+1。第二初始化TFT T7的第二初始化源极电极S7连接到发射控制TFT T6的发射控制漏极电极D6和有机发光二极管OLED的像素电极210，并且第二初始化TFT T7的第二初始化漏极电极D7连接到第二初始化电压线VL2。
由于扫描线SL和后一扫描线SL+1彼此电连接，因此相同的扫描信号Sn可施加到扫描线SL和后一扫描线SL+1。相应地，第二初始化TFT T7可根据通过后一扫描线SL+1接收到的扫描信号Sn而被导通，并且执行对有机发光二极管OLED的像素电极210进行初始化的操作。
存储电容器Cst的上电极CE2连接到驱动电压线PL，并且有机发光二极管OLED的公共电极连接到公共电压ELVSS。相应地，有机发光二极管OLED可通过从驱动TFT T1接收驱动电流IOLED而发射光以显示图像。
尽管图4示出了补偿TFT T3和第一初始化TFT T4具有双栅极电极，但是补偿TFTT3和第一初始化TFT T4可各自具有一个栅极电极。
在下文中，将在下面参照图5、图6A、图6B和图6C对像素PX的结构进行详细描述。图6B和图6C对应于图6A的修改的示例性实施方式。将参照图6A对本发明的示例性实施方式进行描述，并且将基于与图6A的差异来对图6B和图6C进行描述。
驱动TFT T1、开关TFT T2、补偿TFT T3、第一初始化TFT T4、操作控制TFT T5、发射控制TFT T6和第二初始化TFT T7可沿半导体层1130布置，并且半导体层1130的一些区域可形成驱动TFT T1、开关TFT T2、补偿TFT T3、第一初始化TFT T4、操作控制TFT T5、发射控制TFT T6和第二初始化TFT T7的半导体层。
半导体层1130可形成在衬底100上，并且如图6A中所示，缓冲层110可形成在衬底100上，并且半导体层1130可形成在缓冲层110上。例如，半导体层1130可形成在缓冲层110上方。
如图6A中所示，半导体层1130可包括驱动TFT T1的有源层A1。有源层A1可以包括沟道区C1、源极电极S1和漏极电极D1。
衬底100可包括例如玻璃或聚合物树脂。聚合物树脂可包括例如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、乙酸丙酸纤维素或类似物。包括聚合物树脂的衬底100可为柔性的、可卷曲的或可弯折的。例如，衬底100可具有包括包含有上述聚合物树脂的层和无机层的多层结构。
缓冲层110可减少或阻挡异物、湿气或外部空气从衬底100的下部渗透，并且可在衬底100上提供平坦的表面。缓冲层110可包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或有机和无机复合物，并且缓冲层110可包括无机材料和有机材料的单层结构或多层结构。
例如，半导体层1130可包括低温多晶硅(Low Temperature Poly Silicon，LTPS)。多晶硅材料具有高电子迁移率(例如，大于100cm2/Vs)、低能耗和高可靠性。在本发明的示例性实施方式中，半导体层1130可包括非晶硅(a-Si)和/或氧化物半导体。多个TFT T1至T7的一些半导体层可包括LTPS，并且多个TFT T1至T7的其它半导体层可包括a-Si和/或氧化物半导体。
第一栅极绝缘层111可位于半导体层1130上，并且扫描线SL、前一扫描线SL-1、后一扫描线SL+1和发射控制线EL可位于第一栅极绝缘层111上。
第一栅极绝缘层111可包括例如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、氧化锌(ZnO)或类似物。
扫描线SL的与开关TFT T2和补偿TFT T3的沟道区域重叠的区域可分别为开关栅极电极G2和补偿栅极电极G3。前一扫描线SL-1的与第一初始化TFT T4的沟道区域重叠的区域可为第一初始化栅极电极G4。后一扫描线SL+1的与第二初始化TFT T7的沟道区域重叠的区域可为第二初始化栅极电极G7，并且发射控制线EL的分别与操作控制TFT T5和发射控制TFT T6的沟道区域重叠的区域可分别为操作控制栅极电极G5和发射控制栅极电极G6。
扫描线SL、前一扫描线SL-1、后一扫描线SL+1和发射控制线EL上可提供了第二栅极绝缘层113。第二栅极绝缘层113可包括例如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、氧化锌(ZnO)或类似物。
第二栅极绝缘层113上可布置有电极电压线HL、第一初始化电压线VL1和第二初始化电压线VL2。电极电压线HL可覆盖驱动栅极电极G1的至少一部分，并且可与驱动栅极电极G1一起形成存储电容器Cst。
存储电容器Cst的下电极CE1可与驱动TFT T1的驱动栅极电极G1形成为一体。例如，驱动TFT T1的驱动栅极电极G1可执行存储电容器Cst的下电极CE1的功能。电极电压线HL的与驱动栅极电极G1重叠的区域可为存储电容器Cst的上电极CE2。相应地，第二栅极绝缘层113可执行存储电容器Cst的介电层的功能。
根据本发明的示例性实施方式，第二栅极绝缘层113上可布置有台阶校正层DG。台阶校正层DG可具有隔离的图案。台阶校正层DG可与驱动TFT T1分离，并且可包括与存储电容器Cst的上电极CE2的材料相同的材料。例如，存储电容器Cst的上电极CE2和台阶校正层DG可包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种的单层或多层。
电极电压线HL、第一初始化电压线VL1和第二初始化电压线VL2上定位有层间绝缘层115。层间绝缘层115可包括例如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、氧化锌(ZnO)或类似物。
数据线DL、驱动电压线PL、第一初始化连接线1173a和第二初始化连接线1173b、节点连接线1174和电极层1175可布置在层间绝缘层115上。数据线DL、驱动电压线PL、节点连接线1174和电极层1175可包括诸如Mo、Al、Cu、Ti或类似物的导电材料，并且可包括包含有上述材料的多层或单层。在本发明的示例性实施方式中，数据线DL、驱动电压线PL、节点连接线1174和电极层1175可包括Ti/Al/Ti的多层。
数据线DL可通过接触孔1154连接到开关TFT T2的开关源极电极S2。数据线DL的一部分可理解为开关源极电极S2。
驱动电压线PL可通过形成在层间绝缘层115中的接触孔1158连接到存储电容器Cst的上电极CE2。相应地，电极电压线HL可具有与驱动电压线PL的电压电平相同的电压电平(例如，恒定电压)。另外，驱动电压线PL可通过接触孔1155连接到操作控制源极电极S5。
第一初始化电压线VL1可通过第一初始化连接线1173a连接到第一初始化TFT T4，并且第二初始化电压线VL2可通过第二初始化连接线1173b连接到第二初始化TFT T7。第一初始化电压线VL1和第二初始化电压线VL2可具有彼此相同的恒定电压(例如，-2V或类似电压)。
节点连接线1174的一端可通过接触孔1156连接到补偿漏极电极D3，并且节点连接线1174的另一端可通过接触孔1157连接到驱动栅极电极G1。
电极层1175通过穿透层间绝缘层115、第二栅极绝缘层113和第一栅极绝缘层111的接触孔1153连接到发射控制TFT T6的半导体层。发射控制TFT T6可通过电极层1175电连接到有机发光二极管OLED的像素电极210。
数据线DL、驱动电压线PL、第一初始化连接线1173a和第二初始化连接线1173b、节点连接线1174和电极层1175上可定位有平坦化层117。有机发光二极管OLED可位于平坦化层117上。
尽管图4和图5示出了一个像素电路PC的结构，但是具有基本上相同的像素电路PC的多个像素PX可在x方向和y方向上布置，并且第一初始化电压线VL1、前一扫描线SL-1、第二初始化电压线VL2和后一扫描线SL+1可由在y方向上彼此相邻地布置的两个像素电路PC共享。布置在前一行中的像素电路可共享第一初始化电压线VL1和前一扫描线SL-1，并且布置在后一行中的像素电路可共享第二初始化电压线VL2和后一扫描线SL+1。
例如，第一初始化电压线VL1和前一扫描线SL-1可电连接到在相对于图5的y方向上与图5中所示的像素电路PC相邻地布置的其它像素电路PC的第二初始化TFT。相应地，施加到前一扫描线SL-1的前一扫描信号Sn-1可作为后一扫描信号传输到其它像素电路PC的第二初始化TFT。相似地，第二初始化电压线VL2和后一扫描线SL+1可电连接到在相对于图5的y方向上与图5中所示的像素电路PC相邻地布置的其它像素电路PC的第一初始化TFT，以传输前一扫描信号Sn-1和初始化电压Vint。
返回参照图6A，平坦化层117可具有平坦的表面，以使得像素电极210可形成有基本上平坦的表面。平坦化层117可包括包含有机材料的膜的单层或多层。平坦化层117可包括例如苯并环丁烯(Benzocyclobutene，BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(Hexamethyldisiloxane，HDMSO)、诸如聚(甲基丙烯酸甲酯)(Poly(MethylMethacrylate)，PMMA)或聚苯乙烯(Polystyrene，PS)的通用商业聚合物、具有酚基团的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺聚合物、芳醚聚合物、酰胺聚合物、氟聚合物、对二甲苯聚合物、乙烯醇聚合物及其混合物。平坦化层117可包括无机材料。在这种情况下，平坦化层117可包括例如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、氧化锌(ZnO)或类似物。当平坦化层117包括无机材料时，可执行化学平坦化抛光。平坦化层117可包括有机材料和无机材料。
有机发光二极管OLED可包括像素电极210、相对电极230以及位于像素电极210与相对电极230之间并且包含有发射层的中间层220。
像素电极210可通过接触孔1163连接到电极层1175，并且电极层1175可通过接触孔1153连接到发射控制漏极电极D6。
像素电极210可为(半)透明电极或反射电极。在本发明的示例性实施方式中，像素电极210可包括包含有例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、其化合物或类似物的反射膜以及形成在反射膜上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可包括氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)、氧化铟锌(Indium Zinc Oxide，IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(Indium Gallium Oxide，IGO)和氧化铝锌(Aluminum Zinc Oxide，AZO)中的至少一种。在本发明的示例性实施方式中，像素电极210可包括具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
像素限定层119可布置在平坦化层117上，并且像素限定层119可通过具有暴露像素电极210的中心部分的开口OP来形成像素PX的发射区域EA。另外，像素限定层119可通过增加像素电极210的边缘与设置在像素电极210上的相对电极230之间的距离来防止在像素电极210的边缘处生成电弧或类似物。像素限定层119可以旋涂法或类似方法由诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB、HMDSO和酚醛树脂的有机绝缘材料形成。
中间层220可包括有机发射层。有机发射层可包括包含有发射红色光、绿色光、蓝色光或白色光的荧光材料或磷光材料的有机材料。有机发射层可包括低分子量有机材料或聚合物有机材料，并且诸如空穴传输层(Hole Transport Layer，HTL)、空穴注入层(HoleInjection Layer，HIL)、电子传输层(Electron Transport Layer，ETL)、电子注入层(Electron Injection Layer，EIL)或类似物的功能层还可选择性地布置在有机发射层上方或下方。中间层220可与多个像素电极210中的每个对应地布置。然而，本发明不限于此。中间层220中包括的多个层中的至少一些层可在多个像素电极210上方形成为单个连续体。
例如，相对电极230可为透明电极或反射电极。在本发明的示例性实施方式中，相对电极230可为透明或半透明电极，并且可包括包含有锂(Li)、钙、氟化锂(LiF)/Ca、LiF/Al、Ag、Mg及其化合物的具有小功函数的金属膜。另外，诸如ITO、IZO、ZnO、In2O3或类似物的透明导电氧化物(Transparent Conductive Oxide，TCO)膜还可布置在金属薄膜上方。相对电极230可以单个体形成，以对应于多个像素电极210。
根据本发明示例性实施方式的显示装置1(参见图1)可包括台阶校正层DG，而台阶校正层DG布置在衬底100与层间绝缘层115之间并且与平坦化层117中的暴露电极层1175的一部分的接触孔1163部分地重叠。
参照图5，根据本发明的示例性实施方式，导线ML可布置在衬底100与台阶校正层DG之间以在x方向上延伸，并且可与接触孔1163部分地重叠。在本发明的示例性实施方式中，导线ML可为上述的发射控制线EL。
如图6A中所示，导线ML可与台阶校正层DG部分地重叠。在本发明的示例性实施方式中，导线ML和台阶校正层DG可不彼此重叠，并且导线ML的端部和台阶校正层DG的端部可彼此重合。在本发明的示例性实施方式中，导线ML的端部和台阶校正层DG的端部可彼此对齐。
当包括与接触孔1163部分地重叠的台阶校正层DG时，布置在台阶校正层DG上的层间绝缘层115可沿台阶校正层DG形成。另外，布置在层间绝缘层115上并且连接到发射控制TFT T6的发射控制漏极电极D6的电极层1175可沿台阶校正层DG形成。
像素电极210可通过接触孔1163与电极层1175接触，并且像素电极210的与电极层1175接触的部分可形成为对应于台阶校正层DG的形状。换言之，像素电极210的与导线ML重叠的顶表面可低于像素电极210的与台阶校正层DG重叠的顶表面。
例如，像素电极210可在y方向(例如，+y方向)上延伸，并且像素限定层119的开口OP可相对于接触孔1163定位在+y方向上的侧部上。例如，开口OP可定位到接触孔1163的左侧。另外，参照示出了像素电极210和电极层1175的放大图的图6A，像素电极210可具有在+y方向上因台阶校正层DG而降低的台阶h。
换言之，像素电极210的顶表面之中的与由接触孔1163暴露的电极层1175重叠的较低顶表面可与发射区域EA相邻，并且像素电极210的台阶h可具有面对发射区域EA的倾斜表面N。例如，像素电极210的与导线ML重叠的顶表面可比像素电极210的与台阶校正层DG重叠的顶表面靠近发射区域EA。例如，与像素电极210的较低顶表面相对的较低底表面可与电极层1175接触。
朝向衬底100的内表面前进的外部光或类似物可通过作为反射电极的像素电极210反射回到外部。因此，当像素电极210包括由台阶校正层DG在+y方向上降低的台阶h时，外部光或类似物可在朝向发射区域EA的方向(参见图6A中的箭头)上由像素电极210的台阶h反射。
尽管图6A示出了像素电极210在+y方向上延伸，但是如图6C中所示，像素电极210可在-y方向上延伸。与图6A相反，当像素电极210的与电极层1175接触的部分具有由台阶校正层DG仍在+y方向上降低的台阶h时，朝向衬底100的内表面前进的外部光或类似物可在朝向不存在有发射区域EA的区域的方向(参见图6C中的箭头)上由像素电极210的台阶h反射。
在图6A和图6C中，使用了+y方向和-y方向，但是这些是为了描述的便利，并且与所示的那些不同地，可分别侧对侧对称地布置。例如，根据本发明的示例性实施方式，如图6A中所示，像素电极210的与由接触孔1163暴露的电极层1175重叠的顶表面之中与导线ML重叠的较低顶表面可比像素电极210的与台阶校正层DG重叠的较高顶表面靠近发射区域EA。另外，如图6C中所示，像素电极210的顶表面之中与台阶校正层DG重叠的较高顶表面可比像素电极210的与导线ML重叠的较低顶表面靠近发射区域EA。
根据本发明的示例性实施方式，当包括布置在衬底100与层间绝缘层115之间并且与接触孔1163部分地重叠的台阶校正层DG时，在接触孔1163中像素电极210的台阶h的方向可通过台阶校正层DG来调节，并且在接触孔1163中外部光或类似物由像素电极210反射的方向可被调节。
尽管图6A示出了层间绝缘层115布置在电极层1175与台阶校正层DG之间，但是如图6B中所示，层间绝缘层115可包括第一层间绝缘层115a和第二层间绝缘层115b。并且，台阶校正层DG可布置在第一层间绝缘层115a上。
像素电极210可通过接触孔1163与第二电极层1175b接触，并且第二电极层1175b可通过形成在第二层间绝缘层115b中的接触孔1153连接到第一电极层1175a。另外，第一电极层1175a可通过接触孔1143连接到发射控制TFT T6。台阶校正层DG可布置在与第一电极层1175a相同的层上，并且台阶校正层DG可包括与第一电极层1175a的材料相同的材料。
图7A是根据本发明的示例性实施方式的显示装置1的一部分的示意性平面视图，并且图7B是沿图7A的线III-III'截取的显示装置1的示意性剖面视图。在图7B中，与图6A中的附图标记相同的附图标记可指示图6A中的相同构件或元件，并且其冗余描述可被省略。
图7A示出了多个像素PX可布置在显示装置1(参见图1)的显示区域DA(参见图1)上。例如，显示区域DA中可布置有第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3。尽管图7A示出了第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3布置成pentile型，但是像素的数量和布置可变化。
根据本发明的示例性实施方式，第一像素PX1的第一像素电极210R和第三像素PX3的第三像素电极210B可在第一方向上延伸。在本发明的示例性实施方式中，如图7A中所示，第一方向可为-y方向，并且第一像素电极210R和第三像素电极210B可在-y方向上延伸。
例如，在平面视图中，分别形成了第一像素电极210R的第一发射区域EA1和第三像素电极210B的第三发射区域EA3的第一开口OP1和第三开口OP3可分别相对于第一接触孔1163R和第三接触孔1163B定位在-y方向上的侧部上。例如，第一开口OP1可定位到第一接触孔1163R的右侧，并且第三开口OP3可定位到第三接触孔1163B的右侧。作为附加实例，第一接触孔1163R和第一开口OP1可在-y方向上顺序地布置，并且第三接触孔1163B和第三开口OP3可在-y方向上顺序地布置。
另外，第二像素PX2的第二像素电极210G可在与第一方向相反的第二方向上延伸。在本发明的示例性实施方式中，如图7A中所示，第二方向可为+y方向，并且第二像素电极210G可在+y方向上延伸。
换言之，形成第二像素电极210G的第二发射区域EA2的第二开口OP2可相对于第二接触孔1163G定位在+y方向上的侧部上。例如，第二开口OP2可定位到第二接触孔1163G的左侧。作为附加实例，第二开口OP2和第二接触孔1163G可在-y方向上顺序地布置。
导线ML可穿过第一接触孔1163R、第二接触孔1163G和第三接触孔1163B以在与第一方向和第二方向交叉的第三方向上延伸。第一像素电极210R、第二像素电极210G和第三像素电极210B各自在第一方向或第二方向上延伸，并且分别与第一接触孔1163R的一部分、第二接触孔1163G的一部分和第三接触孔1163B的一部分重叠。在本发明的示例性实施方式中，导线ML可对应于上述的发射控制线EL。在本文中，第三方向为x方向。
尽管图7A示出了导线ML相对于图7A的中心部分地重叠于并且穿过第一接触孔1163R、第二接触孔1163G和第三接触孔1163B的区域的上部，但是导线ML可部分地重叠于并且穿过第一接触孔1163R、第二接触孔1163G和第三接触孔1163B的区域的下部。例如，图7A中所示的导线ML可通过在x方向上平行地延伸而与第一接触孔1163R、第二接触孔1163G和第三接触孔1163B的一些部分重叠。例如，导线ML可在-y方向上具有足够大的宽度以与第一接触孔1163R、第二接触孔1163G和第三接触孔1163B重叠。
在本发明的示例性实施方式中，台阶校正层DG可布置成与第二像素PX2的第二接触孔1163G的一部分部分地重叠。在这种情况下，第二像素PX2的第二像素电极210G在与第一像素PX1的第一像素电极210R和第三像素PX3的第三像素电极210B不同的方向上延伸。在本文中，台阶校正层DG可与导线ML部分地重叠。在本发明的示例性实施方式中，台阶校正层DG可不与导线ML重叠，并且导线ML的端部和台阶校正层DG的端部可彼此重合。
参照图7B，第一TFT TFT1可包括第一电极层1175R，第二TFT TFT2可包括第二电极层1175G，并且第三TFT TFT3可包括第三电极层1175B。在本发明的示例性实施方式中，第一TFT TFT1、第二TFT TFT2和第三TFT TFT3可对应于每个像素电路PC中的发射控制TFT T6。
参照示出了显示装置1的放大图的图7B，与由第一接触孔1163R暴露的第一电极层1175R接触的第一像素电极210R的顶表面可具有在第一方向(例如，-y方向)上降低的第一台阶h1。另外，第二像素电极210G的与由第二接触孔1163G暴露的第二电极层1175G接触的顶表面可具有在与第一方向相反的第二方向(例如，+y方向)上降低的第二台阶h2。例如，第一台阶h1的倾斜表面可面对第一方向，并且第二台阶h2的倾斜表面可面对第二方向。另外，第三像素电极210B的与由第三接触孔1163B暴露的第三电极层1175B接触的顶表面可具有在第一方向(例如，-y方向)上降低的第三台阶h3。例如，第三台阶h3的倾斜表面可面对第一方向。
例如，分别与分别由第一接触孔1163R、第二接触孔1163G和第三接触孔1163B暴露的第一电极层1175R、第二电极层1175G和第三电极层1175B接触的第一像素电极210R、第二像素电极210G和第三像素电极210B的下部的顶表面之中的较低顶表面可比第一像素电极210R、第二像素电极210G和第三像素电极210B的下部的较高顶表面靠近第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3。
在本发明的示例性实施方式中，第一像素电极210R、第二像素电极210G和第三像素电极210B的第一台阶h1、第二台阶h2和第三台阶h3可分别具有朝向第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3倾斜的第一倾斜表面N1、第二倾斜表面N2和第三倾斜表面N3。例如，第一倾斜表面N1、第二倾斜表面N2和第三倾斜表面N3可各自面向它们的相应的发射区域EA1、EA2或EA3被定位的方向。
在本发明的示例性实施方式中，第一像素PX1和第三像素PX3可在第一台阶h1和第三台阶h3上方形成与导线ML重叠的第一像素电极210R的顶表面和第三像素电极210B的顶表面，并且第二像素PX2可在第二像素电极210G的下部的下表面上方形成与台阶校正层DG重叠的第二像素电极210G的下部的顶表面。
根据本发明的示例性实施方式，分别与分别由第一接触孔1163R、第二接触孔1163G和第三接触孔1163B暴露的第一电极层1175R、第二电极层1175G和第三电极层1175B接触的第一像素电极210R、第二像素电极210G和第三像素电极210B的顶表面之中的较低顶表面可统一形成为分别比第一像素电极210R、第二像素电极210G和第三像素电极210B的较高顶表面靠近第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3。
在本发明的示例性实施方式中，第一中间层220R、第二中间层220G和第三中间层220B可分别布置在第一像素电极210R、第二像素电极210G和第三像素电极210B上，并且相对电极230可布置并覆盖在第一中间层220R、第二中间层220G和第三中间层220B上。例如，第一中间层220R可发射红色光，第二中间层220G可发射绿色光，并且第三中间层220B可发射蓝色光。
在本发明的示例性实施方式中，第一中间层220R和第三中间层220B可发射具有绿色波长的光，并且第二中间层220G可发射具有红色波长或蓝色波长的光。
在比较性实施方式中，台阶校正层可被省略。当像素布置成pentile型时，像素电极延伸的方向彼此偏移。通常，发射红色光或蓝色光的像素的像素电极和发射绿色光的像素的像素电极彼此相反地布置。在台阶校正层被省略的发射绿色光的像素的情况下，与由接触孔暴露的电极层接触的像素电极的顶表面之中的较高顶表面与发射区域相邻。即，发射绿色光的像素的像素电极的台阶方向形成为与发射红色光或蓝色光的像素的像素电极的台阶方向相反。
朝向衬底的内表面前进的外部光或类似物由像素电极反射回外部。另外，发射红色光或蓝色光的像素朝向发射区域反射外部光或类似物，并且发射绿色光的像素远离发射区域反射外部光或类似物。在这种情况下，由于外部光或类似物的反射方向不相同，因此可能发生分离为由红色和蓝色混合的品红色和绿色的分离现象。
在本发明的示例性实施方式中，台阶校正层DG布置在第二像素PX2中。在这种情况下，第二像素PX2的第二像素电极210G在与第一像素PX1的第一像素电极210R和第三像素PX3的第三像素电极210B的延伸方向相反的方向上延伸。在这种情况下，第一像素电极210R和第三像素电极210B可分别具有在-y方向上降低的第一台阶h1和第三台阶h3，并且第二像素电极210G可因台阶校正层DG而具有在+y方向上降低的第二台阶h2。
例如，第一像素电极210R、第二像素电极210G和第三像素电极210B的第一台阶h1、第二台阶h2和第三台阶h3下降的方向可统一形成为面对第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3。在这种情况下，朝向衬底100的内表面入射的外部光或类似物可由第一像素电极210R、第二像素电极210G和第三像素电极210B的第一台阶h1、第二台阶h2和第三台阶h3而在朝向第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3的方向上被反射。相应地，外部光或类似物被反射的方向可为相同的，并且可改善分离为由红色和蓝色混合的品红色和绿色的分离现象。
图8A是根据本发明的示例性实施方式的显示装置1的一部分的示意性平面视图，并且图8B是沿图8A的线IV-IV'截取的显示装置1的示意性剖面视图。在图8A和图8B中，与图7A和图7B中的附图标记相同的附图标记可指示相同构件或元件，并且其冗余描述可被省略。
在本发明的示例性实施方式中，第一像素PX1的第一像素电极210R和第三像素PX3的第三像素电极210B可在第一方向上延伸。在本发明的示例性实施方式中，如图8A中所示，第一方向可为-y方向，并且第一像素电极210R和第三像素电极210B可在-y方向上延伸。
例如，分别形成第一像素电极210R的第一发射区域EA1和第三像素电极210B的第三发射区域EA3的第一开口OP1和第三开口OP3可分别相对于第一接触孔1163R和第三接触孔1163B定位在-y方向上的侧部上。
另外，第二像素PX2的第二像素电极210G可在与第一方向相反的第二方向上延伸。在本发明的示例性实施方式中，如图8A中所示，第二方向可为+y方向，并且第二像素电极210G可在+y方向上延伸。
换言之，提供第二像素电极210G的第二发射区域EA2的第二开口OP2可相对于第二接触孔1163G定位在+y方向上的侧部上。例如，第二发射区域EA2可定位到第二接触孔1163G的左侧。
导线ML可穿过第一接触孔1163R、第二接触孔1163G和第三接触孔1163B以在与第一像素电极210R、第二像素电极210G和第三像素电极210B各自延伸的第一方向或第二方向交叉的第三方向上延伸。另外，导线ML可与第一接触孔1163R的一部分、第二接触孔1163G的一部分和第三接触孔1163B的一部分重叠。在本发明的示例性实施方式中，导线ML可对应于上述的发射控制线EL。在本文中，第三方向为x方向。
尽管图8A示出了导线ML部分地重叠于并且穿过第一接触孔1163R、第二接触孔1163G和第三接触孔1163B的上部，但是导线ML可部分地重叠于并且穿过第一接触孔1163R、第二接触孔1163G和第三接触孔1163B的下部。换言之，图8A中所示的导线ML可通过在-y方向上平行地移动来布置。例如，导线ML可在x方向和-y方向上延伸。
在本发明的示例性实施方式中，在平面视图中，导线ML可部分地重叠于并且穿过第一接触孔1163R、第二接触孔1163G和第三接触孔1163B的上部。
在本发明的示例性实施方式中，多个台阶校正层DG和DG'可布置成分别与第一像素PX1的第一接触孔1163R和第三像素PX3的第三接触孔1163B部分地重叠。在这种情况下，第一像素PX1的第一像素电极210R和第三像素PX3的第三像素电极210B在与第二像素PX2的第二像素电极210G的延伸方向不同的方向上延伸。在本文中，多个台阶校正层DG和DG'可与导线ML部分地重叠。在本发明的示例性实施方式中，多个台阶校正层DG和DG'可不与导线ML重叠，并且多个台阶校正层DG和DG'的端部可与导线ML的端部重合。
参照示出了显示装置1的放大图的图8B，与由第一接触孔1163R暴露的第一电极层1175R重叠的第一像素电极210R的顶表面可具有在第一方向(例如，+y方向)上降低的第一台阶h1，并且与由第二接触孔1163G暴露的第二电极层1175G重叠的第二像素电极210G的顶表面可具有在与第一方向相反的第二方向(例如，-y方向)上降低的第二台阶h2。另外，与由第三接触孔1163B暴露的第三电极层1175B重叠的第三像素电极210B的顶表面可具有在第一方向(例如，+y方向)上降低的第三台阶h3。
例如，分别与分别由第一接触孔1163R、第二接触孔1163G和第三接触孔1163B暴露的第一电极层1175R、第二电极层1175G和第三电极层1175B重叠的第一像素电极210R、第二像素电极210G和第三像素电极210B的顶表面之中的较低顶表面可比第一像素电极210R、第二像素电极210G和第三像素电极210B的较高顶表面远离第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3。
在本发明的示例性实施方式中，第一像素电极210R的第一台阶h1和第三像素电极210B的第三台阶h3可具有朝向+y方向倾斜的第一倾斜表面N1和第三倾斜表面N3，并且第二像素电极210G的第二台阶h2可具有朝向-y方向倾斜的第二倾斜表面N2。
在本发明的示例性实施方式中，第一像素PX1和第三像素PX3可形成有与第一像素电极210R和第三像素电极210B的与多个台阶校正层DG和DG'重叠的顶表面，并且第二像素PX2可形成有第二像素电极210G的与导线ML重叠的顶表面。例如，第一像素电极210R和第三像素电极210B的下部的与多个台阶校正层DG和DG'重叠的顶表面可形成为高于下部的不与多个台阶校正层DG和DG'重叠的其它顶表面。作为附加实例，与导线ML重叠的第二像素电极210G的下部的顶表面可形成为高于下部的不与导线ML重叠的另一顶表面。
根据本发明的示例性实施方式，分别与由第一接触孔1163R、第二接触孔1163G和第三接触孔1163B暴露的第一电极层1175R、第二电极层1175G和第三电极层1175B重叠的第一像素电极210R、第二像素电极210G和第三像素电极210B的顶表面之中的较低顶表面可统一形成为分别比分别与由第一接触孔1163R、第二接触孔1163G和第三接触孔1163B暴露的第一电极层1175R、第二电极层1175G和第三电极层1175B重叠的第一像素电极210R、第二像素电极210G和第三像素电极210B的较高顶表面远离第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3。
在本发明的示例性实施方式中，第一中间层220R可发射红色光，第二中间层220G可发射绿色光，并且第三中间层220B可发射蓝色光。在本发明的示例性实施方式中，第一中间层220R和第三中间层220B可发射绿色光，并且第二中间层220G可发射红色光或蓝色光。
在本发明的示例性实施方式中，多个台阶校正层DG和DG'可布置在第一像素PX1和第三像素PX3中。在这种情况下，第一像素PX1的第一像素电极210R和第三像素PX3的第三像素电极210B在与第二像素PX2的第二像素电极210G的延伸方向相反的方向上延伸。在这种情况下，第一像素电极210R、第二像素电极210G和第三像素电极210B的第一台阶h1、第二台阶h2和第三台阶h3下降的方向可统一形成为远离第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3。
例如，朝向衬底100的内表面前进的外部光或类似物可由第一像素电极210R、第二像素电极210G和第三像素电极210B的第一台阶h1、第二台阶h2和第三台阶h3在远离第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3的方向上被反射。相应地，外部光或类似物被反射的方向可为相同的，并且因此，可改善分离为由红色和蓝色混合的品红色和绿色的分离现象。
图9是根据本发明的示例性实施方式的显示装置1的像素电路PC的平面视图，图10A是沿图9的线V-V'截取的显示装置1的示意性剖面视图，图10B是沿图9的线VI-VI'截取的显示装置1的示意性剖面视图，并且图10C是沿图9的线V-V'截取的显示装置1的示意性剖面视图。在图9、图10A、图10B和图10C中，与图5、图6A和图6B中的附图标记相同的附图标记可指示图5、图6A和图6B中的相同构件或元件，并且其冗余描述可被省略。
在本发明的示例性实施方式中，布置在衬底100与台阶校正层DG之间以在第三方向(例如，x方向)上延伸的导线ML可在与接触孔1163重叠的部分处断开。例如，导线ML可包括开口或间隙，并且接触孔1163可与导线ML中的开口或间隙重叠。
参照图9、图10A和图10B，由于导线ML不与形成在平坦化层117中并且部分地暴露电极层1175的接触孔1163的下部重叠，因此导线ML不存在于接触孔1163的下部中，并且仅台阶校正层DG可布置成与接触孔1163的下部部分地重叠。
在与接触孔1163重叠的部分处断开的导线ML可通过形成在第二栅极绝缘层113中的多个接触孔1140a和1140b连接到台阶校正层DG。例如，台阶校正层DG可用作连接到断开的导线ML的桥接件。在本发明的示例性实施方式中，导线ML可为配置成传送发射控制信号En(参见图4)的发射控制线EL，并且发射控制信号En可在沿断开的导线ML行进期间通过多个接触孔1140a和1140b以及台阶校正层DG传送到发射控制TFT T6。
如图6A中所述，当包括与接触孔1163部分地重叠的台阶校正层DG时，布置在台阶校正层DG上的层间绝缘层115可沿台阶校正层DG的形状形成，并且布置在层间绝缘层115上并且连接到发射控制TFT T6的发射控制漏极电极D6的电极层1175也可沿台阶校正层DG的形状形成。
像素电极210可通过接触孔1163与电极层1175接触，并且像素电极210的与电极层1175接触的部分可沿台阶校正层DG的形状形成。换言之，像素电极210的与导线ML重叠的顶表面可低于像素电极210的与台阶校正层DG重叠的顶表面。
像素电极210可在+y方向上延伸，并且像素限定层119的开口OP可相对于接触孔1163定位在+y方向上的侧部上，并且像素电极210可具有因台阶校正层DG而在+y方向上降低的台阶h。
换言之，像素电极210的顶表面之中的与由接触孔1163暴露的电极层1175重叠的较低顶表面可与发射区域EA相邻，并且像素电极210的台阶h可具有朝向发射区域EA倾斜的倾斜表面N。
根据本发明的示例性实施方式，当包括布置在衬底100与层间绝缘层115之间并且与接触孔1163部分地重叠的台阶校正层DG时，在接触孔1163中像素电极210的台阶h的方向可通过台阶校正层DG来调节，并且外部光或类似物由像素电极210反射的方向可被调节。
尽管图10A示出了层间绝缘层115布置在电极层1175与台阶校正层DG之间，但是如图10C中所示，层间绝缘层115可包括第一层间绝缘层115a和第二层间绝缘层115b，并且台阶校正层DG可布置在第一层间绝缘层115a上。像素电极210可通过接触孔1163与第二电极层1175b接触，并且第二电极层1175b可通过形成在第二层间绝缘层115b中的接触孔1153连接到第一电极层1175a。台阶校正层DG可布置在与第一电极层1175a相同的层上，并且台阶校正层DG可包括与第一电极层1175a的材料相同的材料。
尽管图10C示出了导线ML布置在接触孔1163下方，但这是为了示出导线ML通过接触孔1140a连接到台阶校正层DG。如图10A中所示，未布置有与接触孔1163重叠的导线ML，并且如图10B中所示，断开的导线ML通过多个接触孔1140a和1140b连接到台阶校正层DG。
图11A是沿图7A的线III-III'截取的显示装置1的示意性剖面视图，并且图11B是沿图8A的线IV-IV'截取的显示装置1的示意性剖面视图。在图11A和图11B中，与图7B和图8B中的附图标记相同的附图标记指示图7B和图8B中的相同构件或元件，并且其冗余描述可被省略。
图11A和图11B对应于图7B和图8B的修改的示例性实施方式，并且将基于与图7B和图8B的差异进行描述。
参照图11A，在本发明的示例性实施方式中，台阶校正层DG可布置成与第二像素PX2的第二接触孔1163G部分地重叠。在这种情况下，第二像素PX2的像素电极210G在与第一像素PX1和第三像素PX3的第一像素电极210R和第三像素电极210B的延伸方向不同的方向上延伸。布置在衬底100与台阶校正层DG之间的导线ML可在与第二接触孔1163G重叠的部分处断开。
在图9和图10A中，如上所述，断开的导线ML可通过多个接触孔1140a和1140b连接到台阶校正层DG，并且可将发射控制信号En传送到发射控制TFT T6。
参照图11B，在本发明的示例性实施方式中，多个台阶校正层DG和DG'可布置成与第一像素PX1的第一接触孔1163R和第三像素PX3的第三接触孔1163B部分地重叠。在这种情况下，第一像素PX1和第三像素PX3的第一像素电极210R和第三像素电极210B在与第二像素PX2的第二像素电极210G的延伸方向不同的方向上延伸。布置在衬底100与多个台阶校正层DG和DG'之间的导线ML可在分别与第一接触孔1163R和第三接触孔1163B重叠的部分处断开。
在第一像素PX1的情况下，断开的导线ML可通过多个接触孔1140a和1140b(参见图10B)连接到第一台阶校正层DG，并且在第三像素PX3的情况下，断开的导线ML可通过接触孔1140a'连接到第二台阶校正层DG'。相应地，导线ML可在不中断的情况下将发射控制信号En传输到发射控制TFT T6。
尽管图11A和图11B示出了导线ML布置在第一接触孔1163R、第二接触孔1163G和第三接触孔1163B下方，但这是为了示出导线ML通过接触孔1140a和接触孔1140a'连接到多个台阶校正层DG和DG'。如图10A中所示，与接触孔1163重叠的导线ML可被省略。
根据本发明示例性实施方式的显示装置1可包括布置在衬底100与作为绝缘层的平坦化层117之间的台阶校正层DG，并且台阶校正层DG与接触孔1163(参见例如图10A)部分地重叠。相应地，由于位于像素PX的接触孔1163中的像素电极210的台阶h的方向可形成为相同的，因此可改善色分离。例如，像素电极210的台阶h可面对它们的相应的发射区域或者可背离它们的相应的发射区域。
描述了显示装置，但是本发明不限于此。例如，显示装置的制造方法也包括在本公开的范围内。
根据上述本发明的示例性实施方式，可实现可改善颜色由反射光而分离的现象的显示装置。本发明的范围不限于这些效果。
虽然已参照本发明的示例性实施方式对本发明进行了描述，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不背离本发明的范围和精神的情况下可在形式和细节上进行各种改变。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：
第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管各自布置在衬底上，其中，所述第一薄膜晶体管包括第一电极层，并且所述第二薄膜晶体管包括第二电极层；
绝缘层，所述绝缘层具有分别暴露所述第一电极层的一部分和所述第二电极层的一部分的第一接触孔和第二接触孔；
第一像素电极，所述第一像素电极布置在所述绝缘层上并且通过所述第一接触孔连接到所述第一薄膜晶体管；以及
第二像素电极，所述第二像素电极布置在所述绝缘层上并且通过所述第二接触孔连接到所述第二薄膜晶体管，
其中，在所述第一接触孔中与所述第一电极层重叠的所述第一像素电极的顶表面具有面对第一方向的第一台阶，并且
在所述第二接触孔中与所述第二电极层重叠的所述第二像素电极的顶表面具有面对与所述第一方向相反的第二方向的第二台阶。
2.如权利要求1所述的显示装置，还包括：
台阶校正层，所述台阶校正层布置在所述衬底与所述绝缘层之间并且与所述第一接触孔至少部分地重叠。
3.如权利要求2所述的显示装置，还包括：
导线，所述导线布置在所述衬底与所述台阶校正层之间并且在与所述第一方向和所述第二方向交叉的第三方向上延伸，并且
其中，所述导线与所述第一接触孔的一部分和所述第二接触孔的一部分重叠。
4.如权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一像素电极的与所述导线重叠的一部分的顶表面低于所述第一像素电极的与所述台阶校正层重叠的一部分的顶表面。
5.如权利要求3所述的显示装置，其中，所述导线与所述台阶校正层重叠。
6.如权利要求3所述的显示装置，其中，所述导线为发射控制线。
7.如权利要求3所述的显示装置，其中，所述导线在所述第一接触孔处断开。
8.如权利要求7所述的显示装置，还包括：
栅极绝缘层，所述栅极绝缘层布置在所述台阶校正层与所述导线之间，并且具有各自暴露所述导线的一部分的第三接触孔和第四接触孔，并且
其中，所述台阶校正层通过所述第三接触孔和所述第四接触孔连接到所述导线。
9.如权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一像素电极在所述第一方向上延伸，并且
所述第二像素电极在所述第二方向上延伸。
10.如权利要求9所述的显示装置，还包括：
像素限定膜，所述像素限定膜具有第一开口和第二开口，其中，所述第一开口形成所述第一像素电极的第一发射区域，并且所述第二开口形成所述第二像素电极的第二发射区域，并且
其中，所述第一开口相对于所述第一接触孔定位在所述第一方向上的侧部上，并且所述第二开口相对于所述第二接触孔定位在所述第二方向上的侧部上。
11.如权利要求10所述的显示装置，其中，所述第一台阶具有朝向所述第一方向倾斜的第一倾斜表面，并且所述第二台阶具有朝向所述第二方向倾斜的第二倾斜表面。
12.如权利要求9所述的显示装置，还包括：
第一中间层和第二中间层，所述第一中间层和所述第二中间层分别布置在所述第一像素电极和所述第二像素电极上；以及
相对电极，所述相对电极覆盖所述第一中间层和所述第二中间层，
其中，当所述第一中间层发射绿色光时，所述第二中间层发射红色光或蓝色光，并且
当所述第一中间层发射红色光或蓝色光时，所述第二中间层发射绿色光。
13.如权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一薄膜晶体管包括半导体层和与所述半导体层重叠的栅极电极，
其中，所述显示装置还包括：
存储电容器的上电极，所述存储电容器的所述上电极布置在所述栅极电极上并且与所述栅极电极重叠，并且
其中，所述台阶校正层布置在与所述上电极相同的层上。
14.如权利要求13所述的显示装置，其中，所述第一薄膜晶体管与所述存储电容器重叠，并且
所述栅极电极对应于所述存储电容器的下电极。
15.如权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一薄膜晶体管还包括布置在所述衬底与所述第一电极层之间的第三电极层，并且
其中，所述台阶校正层布置在与所述第三电极层相同的层上。
16.如权利要求15所述的显示装置，其中，所述第一薄膜晶体管包括半导体层和与所述半导体层重叠的栅极电极，并且
所述第三电极层将所述半导体层连接到所述第一电极层。
17.如权利要求2所述的显示装置，其中，所述台阶校正层与所述第一薄膜晶体管分离。
18.如权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一像素电极在所述第二方向上延伸，并且
所述第二像素电极在所述第一方向上延伸。
19.如权利要求18所述的显示装置，还包括：
像素限定膜，所述像素限定膜具有第一开口和第二开口，其中，所述第一开口形成所述第一像素电极的第一发射区域，并且所述第二开口形成所述第二像素电极的第二发射区域，
其中，所述第一开口相对于所述第一接触孔定位在所述第二方向上的侧部上，所述第二开口相对于所述第二接触孔定位在所述第一方向上的侧部上，并且
其中，所述第一台阶具有朝向所述第一方向倾斜的第一倾斜表面，并且所述第二台阶具有朝向所述第二方向倾斜的第二倾斜表面。
20.如权利要求18所述的显示装置，还包括：
第一中间层和第二中间层，所述第一中间层和所述第二中间层分别布置在所述第一像素电极和所述第二像素电极上；以及
相对电极，所述相对电极覆盖所述第一中间层和所述第二中间层，
其中，当所述第一中间层发射红色光或蓝色光时，所述第二中间层发射绿色光，并且
当所述第一中间层发射绿色光时，所述第二中间层发射红色光或蓝色光。
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