CN112750879A - 显示设备 - Google Patents

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CN112750879A
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thin film
film transistor
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electrode
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

一种显示设备包括：包括像素区域和透射区域的基板；和设置在像素区域中的像素电路。像素电路包括第一多层膜中包括的第一薄膜晶体管和第一多层膜上的第二多层膜中包括的第二薄膜晶体管。第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管彼此电连接。该显示设备还包括显示元件，该显示元件设置在第二多层膜上并且包括：通过在第二多层膜中限定的接触孔与第二薄膜晶体管电连接的像素电极；面对像素电极的对电极；和在像素电极和相对电极之间的中间层。

Description

显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求2019年10月29日提交至韩国知识产权局的第10-2019-0135587号韩国专利申请的优先权和权益，该申请的全部内容通过引用合并于此。
技术领域
一个或多个实施例涉及一种透明显示设备，该透明显示设备的设备性能可以被保持并且同时该透明显示设备的高透射率可以被实现。
背景技术
显示设备的使用已在各种领域中变得多样化。由于显示设备的厚度和重量已经减小，所以显示设备的使用范围已经扩大。
例如，这些显示设备可以以各种方式被使用，例如，诸如移动电话的小型产品的显示器、诸如电视(TV)、车辆的平视显示器(HUD)或用于人工智能(AI)的电子设备的大型产品的显示器。根据本申请，具有透光性的透明显示设备可以是期望的。
然而，在传统的显示设备中，在它们的发展中存在障碍，使得由于需要确保用于发光器件的面积，因此难以增加显示设备的透射率，并且为了增加透射率，发光器件的性能可能被降低。
因此，期望在显示设备的透射率增加的同时保持显示设备的性能。
应理解，本背景技术部分部分地旨在提供用于理解技术的有用的背景。但是，本背景技术部分还可以包括在本文中公开的主题的相应的有效申请日之前不是本领域技术人员已知或了解的一部分的思想、概念或认识。
发明内容
根据实施例，显示设备可以包括：包括像素区域和透射区域的基板；和像素电路，该像素电路布置在像素区域中并且包括第一多层膜中包括的第一薄膜晶体管和第一多层膜上的第二多层膜中包括的第二薄膜晶体管。第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管可以彼此电连接。该显示设备可以包括显示元件，该显示元件设置在第二多层膜上并且包括：通过在第二多层膜中限定的接触孔与第二薄膜晶体管电连接的像素电极；面对像素电极的相对电极；和在像素电极和相对电极之间的中间层。
第一多层膜和第二多层膜可以延伸到透射区域中，第一多层膜可以包括在透射区域中的第一透射开口，并且第二多层膜可以包括在透射区域中的第二透射开口。
显示设备可以进一步包括：设置在第一透射开口和第二透射开口中的透光填充层。
第一薄膜晶体管可以包括：第一半导体层；与第一半导体层重叠的第一栅电极和电连接到第一半导体层的第一导电层。第一多层膜可以进一步包括设置在第一导电层上以覆盖第一导电层的绝缘层。
第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管可以经由在绝缘层中限定的接触孔彼此电连接。
像素电路可以进一步包括存储电容器，该存储电容器包括彼此重叠的上电极和下电极，并且下电极和第一栅电极可以包括相同的材料。
上电极可以在第一栅电极和第一导电层之间。
下电极可以与第一半导体层重叠。
第二薄膜晶体管可以包括：设置在第一导电层上的第二半导体层；与第二半导体层重叠的第二栅电极；和电连接到第二半导体层的第二导电层。
第一半导体层可以包括多晶硅，并且第二半导体层可以包括氧化物半导体材料。
第一栅电极和第二栅电极可以包括相同的材料。
第一导电层的至少一部分和第二导电层的至少一部分可以彼此重叠。
第一导电层和第二导电层可以包括相同的材料。
像素电路可以进一步包括在第一方向上延伸的扫描线，并且扫描线和第一栅电极可以包括相同的材料。
像素电路可以进一步包括在与第一方向交叉的第二方向上延伸的数据线，并且数据线和第一导电层可以包括相同的材料。
第一薄膜晶体管可以包括驱动薄膜晶体管。
第二薄膜晶体管可以包括发射控制薄膜晶体管。
第一多层膜可以进一步包括第三薄膜晶体管，并且第三薄膜晶体管可以包括开关薄膜晶体管、补偿薄膜晶体管和操作控制薄膜晶体管中的至少一个。
第二多层膜可以进一步包括第四薄膜晶体管，并且第四薄膜晶体管可以包括初始化薄膜晶体管。
第一多层膜可以包括在第一方向上延伸的扫描线和发射控制线，并且第二多层膜可以包括在第一方向上延伸的前一扫描线和初始化电压线，并且扫描线、发射控制线、前一扫描线和初始化电压线可以绕过透射区域。
根据其他实施例，显示设备可以包括：包括像素区域和透射区域的基板，该像素区域包括像素电路和电连接到像素电路的显示元件；设置在像素区域中的第一有源图案；设置在第一有源图案上的第一栅图案；设置在第一栅图案上的第一导电图案；设置在第一导电图案上的第二有源图案；设置在第二有源图案上的第二栅图案；设置在第二栅图案上的第二导电图案；和设置在第二导电图案上的像素电极。像素电路可以包括：包括第一半导体层的第一薄膜晶体管和包括第二半导体层的第二薄膜晶体管，第一半导体层可以是第一有源图案的一部分，并且第二半导体层可以是第二有源图案的一部分。
第一有源图案和第二有源图案可以经由第一有源图案和第二有源图案之间的桥接图案而彼此电连接。
第一有源图案和第二有源图案可以经由在第一有源图案和第二有源图案之间的绝缘层中限定的接触孔彼此电连接。
第一有源图案可以包括多晶硅，并且第二有源图案可以包括氧化物半导体材料。
像素电路可以包括存储电容器，该存储电容器包括下电极和上电极，第一栅图案可以用作下电极，并且第一栅图案和第一导电图案之间的第三导电图案的至少一部分可以用作上电极。
像素电路可以进一步包括：扫描线和第一发射控制线，与第一栅图案设置在同一层上并且在第一方向上延伸；和前一扫描线和第二发射控制线，与第二栅图案设置在同一层上并且在第一方向上延伸。
第一栅图案和第二栅图案可以包括相同的材料。
第一导电图案和第二导电图案可以包括相同的材料。
通过用于实现下面的发明的详细描述、权利要求和附图，本公开的某些实施例的除以上描述的方面、特征和优点以外的其他方面、特征和优点将是显而易见的。
附图说明
从下面结合附图的描述，本公开的某些实施例的以上和其它方面、特征和优点将更显而易见，在附图中：
图1A和图1B是示意性图示根据实施例的显示设备的透视图；
图2是示意性图示根据实施例的显示设备的平面图；
图3是示意性图示根据实施例的显示面板的像素的等效电路图；
图4是示意性图示根据实施例的显示设备的一部分的平面图；
图5A至图5D是示意性图示根据实施例的显示设备的一部分的截面图；
图6是示意性图示图3的像素电路的一部分的平面图；
图7至图10是示意性图示图6的层的平面图；
图11是示意性图示图3的像素电路的一部分的平面图；
图12至图15是示意性图示图11的层的平面图；并且
图16和图17是示意性图示根据实施例的像素堆叠结构的一部分的横截面的截面图。
具体实施方式
现在将详细地参考实施例，实施例的示例在附图中被图示。在这方面，实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中阐述的描述。因此，以下仅通过参考附图描述实施例以解释说明书的各个方面。如本文中使用的，术语“和/或”包括相关列出的项目中的一个或多个的任意和所有组合。术语“和”和“或”可以以结合或分离的方式使用，并且可以被理解为等同于“和/或”。在整个本公开中，表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或其变体。
在下文中，以下将参考附图更详细地描述本公开的实施例。相同或对应的那些部件被给予相同的附图标记，而与附图编号无关，并且可以省略对那些部件的多余描述。
将理解，尽管本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种部件，但是这些部件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个部件与另一部件区分开。
如本文中使用的，单数形式“一”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另有明确指示。
将进一步理解，如本文中使用的，诸如“包括”、“具有”和“包含”的术语指定所陈述的特征或部件的存在，但是不排除一个或多个其他特征或部件的存在或添加。
将理解，当层、区或部件被称为相对于另一层、区或部件“形成在上”或类似的表述时，该层、区或部件可以直接或间接地形成在另一层、区或部件上。例如，可以存在中间层、区或部件。
为了便于说明，可以夸大附图中元件的尺寸。换句话说，由于为了便于说明可以任意地图示附图中部件的尺寸和厚度，因此实施例不限于此。
当某些实施例可以被不同地实现时，特定工艺可以以与所描述的顺序不同的顺序执行。例如，两个连续地描述的工艺可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。
“A和/或B”表示A、B或者A和B。“A和B中的至少一个”表示A、B或者A和B。
将理解，当层、区或部件相对于另一层、区或部件被称为“连接到”或类似的表述时，该层、区或部件可以直接或间接地连接到另一层、区或部件。例如，可以存在中间层、区或部件。
x轴、y轴和z轴可以不限于直角坐标系的三个轴，并且可以在更广泛的意义上解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示可以彼此不垂直的不同方向。
术语“重叠”可以包括层、堆叠、面对、在其上延伸、覆盖或部分覆盖或本领域普通技术人员将认识和理解的任何其他合适的术语。
考虑到所讨论的测量和与具体量的测量相关联的误差(即，测量系统的限制)，如本文中使用的“大约”或“近似”包括所陈述的值并且意味着在由本领域普通技术人员确定的具体值的可接受的偏差范围内。例如，“大约”可以意味着在一个或多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、20％、5％内。
除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的技术人员所通常理解的含义相同的含义。将进一步理解，诸如那些在常用字典中定义的术语的应被解释为具有与它们在相关领域的语境中的含义一致的含义，并且将不以理想化的或过于正式的意义被解释，除非在说明书中明确定义。
在下文中，有机发光显示设备将被描述为根据实施例的显示设备1(参见图1)的示例。然而，根据本公开的显示设备不限于此。在另一实施例中，根据本公开的显示设备1可以是诸如无机发光显示设备或无机电致发光(EL)显示设备的显示设备，或者是量子点发光显示设备。例如，显示设备1中的显示元件的发射层可以包括有机材料、无机材料、量子点、有机材料和量子点或者无机材料和量子点。
图1A和图1B是示意性图示根据实施例的显示设备1和显示设备1'的透视图。
参见图1A，显示设备1可以包括在其中图像可以被实现的显示区域DA和可以是在其中没有图像可以被实现的外围区域的非显示区域NDA。像素可以设置在显示区域DA中，并且由于从像素发射的光而可以向外部提供图像。非显示区域NDA可以在显示区域DA外部并且可以围绕显示区域DA。
显示区域DA可以包括像素区域PA和透射区域TA。组合的像素区域PA和透射区域TA可以在显示区域DA中。像素区域PA可以是在其中像素可以被设置的区域，并且可以是在其中可以基本上执行发射的区域。尽管未示出，但是像素区域PA中的像素可以是多种类型的，例如条型、五格型和马赛克型。
透射区域TA可以是在其中没有像素可以被设置的区域，并且可以是穿过基板100(参见图2)的光可以通过其透射的区域。有机层和/或无机层可以位于透射区域TA中。在另一实施例中，基板100可以位于透射区域TA中，并且基板100上的所有层可以被去除。在另一实施例中，基板100可以位于透射区域TA中，并且仅无机层，诸如缓冲层可以位于基板100上。
在图1A中，可以在整个显示区域DA中设置透射区域TA。如以上所描述的，透射区域TA可以是光可以通过其透射的区域。由于透射区域TA和像素区域PA可以在显示区域DA中重复地设置，因此可以经由显示设备1的显示区域DA向用户显示图像，并且同时，显示区域DA可以被认出为近似透明的。显示设备1可以以显示区域DA的整个表面可以像透明显示器的方式来实现。
在可替代的实施例中，如图1B中所示，在显示设备1'中，显示区域DA可以包括第一显示区域DA1和第二显示区域DA2，并且透射区域TA可以仅在第二显示区域DA2中。
在实施例中，第二显示区域DA2可以是在其中诸如使用红外线、可见光或声音的传感器的部件可以位于第二显示区域DA2下方的区域。例如，透射区域TA可以是可以从该部件输出到外部或从外部朝向该部件行进的光或/和声音通过其可以透射的区域。在光(例如，红外线)通过第二显示区域DA2透射的情况下，透光率可以是大约10％或更大，更具体地，大约20％或更大、大约25％或更大、大约50％或更大、大约85％或更大或大约90％或更大。
每单位面积设置在第二显示区域DA2中的像素的数量可以小于设置在显示区域DA中的像素的数量。
在图1B中，第二显示区域DA2可以在具有矩形形状的显示区域DA的一侧(例如，上侧)。然而，实施例不限于此。在实施例中，第二显示区域DA2可以在显示区域DA内并且可以具有圆形或多边形形状。第二显示区域DA2的位置和第二显示区域DA2的数量可以不同地改变。
此外，图1A和图1B中所示的显示区域DA的形状可以不限于矩形形状，并且可以是圆形形状、椭圆形形状或诸如三角形或五边形等的多边形形状。在显示区域DA的形状可以是圆形形状的情况下，根据显示区域DA的形状，基板100可以具有近似圆形形状。
在下文中，有机发光显示设备将被描述为根据实施例的显示设备1的示例。然而，根据本公开的显示设备不限于此。在另一实施例中，根据本公开的显示设备1可以是诸如无机发光显示设备或无机EL显示设备的显示设备，或者是量子点发光显示设备。例如，显示设备1中的显示元件的发射层可以包括有机材料、无机材料、量子点、有机材料和量子点或者无机材料和量子点。
图2是示意性图示根据实施例的显示设备的平面图。
参见图2，可以构成显示设备1的各种部件可以位于基板100上。基板100可以包括玻璃材料、金属材料、塑料材料或其组合。在基板100包括塑料材料的情况下，例如，基板100可以包括聚合物树脂，诸如聚醚砜，聚丙烯酸酯，聚醚酰亚胺，聚萘二甲酸乙二醇酯，聚对苯二甲酸乙二醇酯，聚苯硫醚，聚芳酯，聚酰亚胺，聚碳酸酯，乙酸丙酸纤维素丙酸酯或其组合。包括塑料材料的基板100可以是柔性的、可卷曲的或可弯曲的。
基板100可以包括显示区域DA和围绕显示区域DA的非显示区域NDA。显示区域DA可以是在其中可以整体显示图像的区域。显示区域DA可以包括在其中像素P可以被设置的像素区域PA以及在其中没有像素P可以被设置并且可以具有透光性的透射区域TA。
像素P可以设置在显示区域DA的像素区域PA中。像素P中的每个像素P可以包括诸如有机发光二极管OLED的显示元件。例如，像素P中的每个像素P可以从有机发光二极管OLED发射红光、绿光、蓝光或白光。在下文中，如以上所描述的，说明书中的像素P可以是发射具有红色、绿色、蓝色和白色的光的(子)像素。
显示区域DA可以被封装构件300覆盖并且被保护免受外部空气或湿气的影响。封装构件300可以是包括玻璃材料的封装基板，并且可以具有包括可以交替堆叠的至少一个有机层和至少一个无机层的薄膜封装层。尽管未示出，但是在封装构件300可以是封装基板的情况下，用于将基板100结合到封装构件300的密封材料可以沉积在非显示区域NDA中。
像素P可以电连接到非显示区域NDA中的外部电路。第一扫描驱动电路150、第二扫描驱动电路152、第一电源线160、第二电源线170、焊盘部分180和数据驱动电路190可以设置在非显示区域NDA中。
第一扫描驱动电路150可以通过扫描线SL将扫描信号提供给每个像素P。第一扫描驱动电路150可以通过发射控制线EL将发射控制信号提供给每个像素P。第二扫描驱动电路152可以与第一扫描驱动电路150平行地被设置，而显示区域DA在第一扫描驱动电路150和第二扫描驱动电路152之间。显示区域DA中设置的像素P中的一些像素P可以电连接到第一扫描驱动电路150，并且其余的像素P可以电连接到第二扫描驱动电路152。在另一实施例中，第二扫描驱动电路152可以省略。
第一电源线160可以包括第一子线162和第二子线163，第一子线162和第二子线163在x方向上彼此平行地延伸，而显示区域DA在第一子线162和第二子线163之间。具有带有开口侧的环形形状的第二电源线170可以部分地围绕显示区域DA。
焊盘部分180可以位于基板100的边缘。焊盘部分180可以不被绝缘层覆盖，而是可以被暴露，因此可以电连接到印刷电路板PCB。印刷电路板PCB的焊盘部分PCB-P可以电连接到显示设备1的焊盘部分180。印刷电路板PCB可以将控制器(未示出)的信号或电力提供给显示设备1。
控制器中产生的控制信号可以通过印刷电路板PCB被分别传输到第一扫描驱动电路150和第二扫描驱动电路152。控制器可以通过第一连接线161和第二连接线171将第一电源电压ELVDD和第二电源电压ELVSS(见图3)分别提供给第一电源线160和第二电源线170。第一电源电压ELVDD可以经由电连接到第一电源线160的驱动电压线PL被提供给像素P中的每个像素P，并且第二电源电压ELVSS可以被提供给电连接到第二电源线170的每个像素P的对电极。
数据驱动电路190可以电连接到数据线DL。数据驱动电路190的数据信号可以经由电连接到焊盘部分180的连接线181和电连接到连接线181的数据线DL被提供给每个像素P。图1B图示了数据驱动电路190可以位于印刷电路板PCB。在另一实施例中，数据驱动电路190可以位于基板100上。例如，数据驱动电路190可以位于焊盘部分180和第一电源线160之间。
图3是示意性图示根据实施例的显示面板的像素P的电路图。
参见图3，像素P中的每个像素P可以包括像素电路PC和电连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。像素电路PC可以包括薄膜晶体管和存储电容器。薄膜晶体管和存储电容器可以电连接到信号线SL、SL-1、EL1、EL2和DL、初始化电压线VL和驱动电压线PL。
图3图示了每个像素P可以电连接到信号线SL、SL-1、EL1、EL2和DL、初始化电压线VL和驱动电压线PL。然而，实施例不限于此。在另一实施例中，信号线SL、SL-1、EL1、EL2和DL、初始化电压线VL和驱动电压线PL中的至少一个可以在相邻像素之间共享。
薄膜晶体管可以包括驱动薄膜晶体管(TFT)T1、开关TFT T2、补偿TFT T3、第一初始化TFT T4、操作控制TFT T5、发射控制TFT T6和第二初始化TFT T7。
信号线可以包括可以传送扫描信号Sn的扫描线SL、可以将前一扫描信号Sn-1传送到第一初始化TFT T4和第二初始化TFT T7的前一扫描线SL-1、可以将发射控制信号En分别传送到操作控制TFT T5和发射控制TFT T6的第一发射控制线EL1和第二发射控制线EL2以及与扫描线SL交叉并且可以传送数据信号Dm的数据线DL。驱动电压线PL可以将诸如第一电源电压ELVDD的驱动电压传送至驱动TFT T1，并且初始化电压线VL可以将初始化电压Vint传送到驱动TFT T1和有机发光二极管OLED的像素电极。
驱动TFT T1的驱动栅电极G1可以电连接到存储电容器Cst的第一存储电容板Cst1，并且驱动TFT T1的驱动源电极S1可以经由操作控制TFT T5电连接到在驱动TFT T1的下方的驱动电压线PL，并且驱动TFT T1的驱动漏电极D1可以经由发射控制TFT T6电连接到有机发光二极管OLED的像素电极。驱动TFT T1可以根据开关TFT T2的开关操作来提供数据信号Dm，并且可以将驱动电流IOLED提供给有机发光二极管OLED。
开关TFT T2的开关栅电极G2可以电连接到扫描线SL，并且开关TFT T2的开关源电极S2可以电连接到数据线DL，并且开关TFT T2的开关漏电极D2可以电连接到驱动TFT T1的驱动源电极S1并经由操作控制TFT T5电连接到在驱动TFT T1的下方的驱动电压线PL。开关TFT T2可以根据经由扫描线SL传送的扫描信号Sn而导通，并且可以进行将传输到数据线DL的数据信号Dm传送到驱动TFT T1的驱动源电极S1的开关操作。
补偿TFT T3的补偿栅电极G3可以电连接到扫描线SL，补偿TFT T3的补偿源电极S3可以电连接到驱动TFT T1的驱动漏电极D1并且经由发射控制TFT T6电连接到有机发光二极管OLED的像素电极，并且补偿TFT T3的补偿漏电极D3可以电连接到存储电容器Cst的第一存储电容板Cst1、第一初始化TFT T4的第一初始化漏电极D4和驱动TFT T1的驱动栅电极G1。补偿TFT T3可以根据经由扫描线SL提供的扫描信号Sn而导通，并且可以将驱动TFT T1的驱动栅电极G1电连接到驱动漏电极D1，从而将驱动TFT T1二极管连接。
第一初始化TFT T4的第一初始化栅电极G4可以电连接到前一扫描线SL-1，并且第一初始化TFT T4的第一初始化源电极S4可以电连接到第二初始化TFT T7的第二初始化漏电极D7和初始化电压线VL，并且第一初始化TFT T4的第一初始化漏电极D4可以电连接到存储电容器Cst的第一存储电容板Cst1、补偿TFT T3的补偿漏电极D3和驱动TFT T1的驱动栅电极G1。第一初始化TFT T4可以根据经由前一扫描线SL-1传送的前一扫描信号Sn-1而导通，并且可以进行将初始化电压Vint传送到驱动TFT T1的驱动栅电极G1并且初始化驱动TFT T1的驱动栅电极G1的电压的初始化操作。
操作控制TFT T5的操作控制栅电极G5可以电连接到第一发射控制线EL1，并且操作控制TFT T5的操作控制源电极S5可以电连接到操作控制TFT T5的下方的驱动电压线PL，并且操作控制TFT T5的操作控制漏电极D5可以电连接到驱动TFT T1的驱动源电极S1和开关TFT T2的开关漏电极D2。
发射控制TFT T6的发射控制栅电极G6可以电连接到第二发射控制线EL2，并且发射控制TFT T6的发射控制源电极S6可以电连接到驱动TFT T1的驱动漏电极D1和补偿TFTT3的补偿源电极S3，并且发射控制TFT T6的发射控制漏电极D6可以电连接到第二初始化TFT T7的第二初始化源电极S7和有机发光二极管OLED的像素电极。
操作控制TFT T5和发射控制TFT T6可以分别根据经由第一发射控制线EL1和第二发射控制线EL2传送的发射控制信号En而同时导通，并且因此，诸如第一电源电压ELVDD的驱动电压可以被传送到有机发光二极管OLED并且驱动电流IOLED可以流过有机发光二极管OLED。
第二初始化TFT T7的第二初始化栅电极G7可以电连接到前一扫描线SL-1，第二初始化TFT T7的第二初始化源电极S7可以电连接到发射控制TFT T6的发射控制漏电极D6和有机发光二极管OLED的像素电极，并且第二初始化TFT T7的第二初始化漏电极D7可以电连接到第一初始化TFT T4的第一初始化源电极S4和初始化电压线VL。第二初始化TFT T7可以根据经由前一扫描线SL-1提供的前一扫描信号Sn-1而导通，并且可以初始化有机发光二极管OLED的像素电极。
图3图示了第一初始化TFT T4和第二初始化TFT T7可以电连接到前一扫描线SL-1。然而，实施例不限于此。在另一实施例中，第一初始化TFT T4可以电连接到前一扫描线SL-1，并且根据前一扫描信号Sn-1而被驱动，并且第二初始化TFT T7可以电连接到另外的信号线(例如，后一扫描线)，并且根据传送到另外的信号线的信号而被驱动。
存储电容器Cst的第二存储电容板Cst2可以电连接到驱动电压线PL，并且有机发光二极管OLED的对电极可以电连接到诸如第二电源电压ELVSS的公共电压。因此，有机发光二极管OLED可以从驱动TFT T1接收驱动电流IOLED以发光，从而显示图像。
图3图示了补偿TFT T3和初始化TFT T4可以具有双栅电极。然而，补偿TFT T3和初始化TFT T4可以具有一个栅电极。
图4是示意性图示根据实施例的显示设备的一部分的平面图。
参见图4，像素区域PA和透射区域TA可以彼此相邻。有机发光二极管OLED可以设置在像素区域PA中。换句话说，像素区域PA可以包括像素电路区域PCA，并且有机发光二极管OLED中的每个有机发光二极管OLED可以与像素电路区域PCA中的每个像素电路区域PCA相对应。包括TFT和存储电容器的像素电路(参见图3的像素电路PC)可以位于像素电路区域PCA中，并且像素电路PC可以电连接到有机发光二极管OLED，并且因此可以驱动像素(参见图3的像素P)。
图4图示有机发光二极管OLED可以大致位于像素电路区域PCA的中心。然而，实施例不限于此。在另一实施例中，可以存在各种修改，在该各种修改中，有机发光二极管OLED可以设置在像素电路区域PCA的一侧上或者设置在整个像素电路区域PCA中。
可以是外部光可以通过其透射的区域的透射区域TA可以是没有像素电路PC并且没有有机发光二极管OLED可以位于其中的区域。没有像素电路PC意味着像素电路PC的导电层可以不位于透射区域TA中。在实施例中，在第一方向(x方向)和/或第二方向(y方向)上延伸的线可以绕过透射区域TA。
像素区域PA和透射区域TA可以组合。平面上的透射区域TA的面积可以大于像素区域PA的面积。在实施例中，透射区域TA可以是显示区域DA的大约50％或更大。可替代地，透射区域TA可以是显示区域DA的大约75％或更大。根据实施例，在其中透射区域TA可以被增加以实现高透射率的显示设备可以被实现。
图5A至图5D是示意性图示根据实施例的显示设备的一部分的截面图。图5A和图5B可以与沿着图1A或1B的线A-A'截取的横截面相对应。
参见图5A，基板100上的第一多层膜ML1和第一多层膜ML1上的第二多层膜ML2可以被提供在像素区域PA中。像素限定层PDL和有机发光二极管OLED可以位于第二多层膜ML2上。
第一多层膜ML1和第二多层膜ML2可以具有在其中绝缘层和导电层可以交替被堆叠的结构。像素电路PC可以通过可以在图案化的导电层之间以使导电层绝缘的绝缘层来实现。
第一薄膜晶体管TFT1可以包括在第一多层膜ML1中，并且第二薄膜晶体管TFT2可以包括在第二多层膜ML2中。“包括在多层膜中的薄膜晶体管”可以意味着包括在多层膜中的多个导电层的一部分构成薄膜晶体管的半导体层、栅电极和源/漏电极。
如图5A中所示，至少一个第一薄膜晶体管TFT1可以被提供在第一多层膜ML1中。此外，至少一个第二薄膜晶体管TFT2可以被提供在第二多层膜ML2中。
根据实施例的像素电路PC包括薄膜晶体管。在像素电路PC包括七个薄膜晶体管以及存储电容器的情况下，如图3中所示，可能需要一定的面积，使得七个薄膜晶体管可以被设置在基板100上。具体地，在根据实施例的透明显示设备中，随着像素电路PC的面积可以逐渐减小，透射区域TA的比率可以增大。因此，具有高透射率的显示设备可以被实现。
因此，在根据实施例的显示设备中，薄膜晶体管可以设置在多个层次(例如，双工)中，使得可以在平面上相对减小包括相同数量的薄膜晶体管的像素电路的面积。因此，像素电路的相同性能可以被保持，并且同时每个像素P的像素电路PC的面积可以被减小，使得具有高透射率的显示设备可以被实现。
第一多层膜ML1和第二多层膜ML2可以延伸到透射区域TA。参见图5A，薄膜晶体管可以不位于第一多层膜ML1的延伸到透射区域TA的部分和第二多层膜ML2的延伸到透射区域TA的部分上。尽管未示出，但是透射区域TA中的第一多层膜ML1和第二多层膜ML2可以仅包括无机层和/或有机层的绝缘层，而不包括导电层。
在实施例中，像素限定层PDL可以具有与透射区域TA相对应的第三透射开口OP3。例如，像素限定层PDL的与透射区域TA相对应的部分可以被去除。
在另一实施例中，如图5B中所示，对电极230可以具有与透射区域TA相对应的第四透射开口OP4。例如，对电极230的与透射区域TA相对应的部分可以被去除。具体地，对电极230可以由金属形成，并且因此对电极230的透射率可以大大低于绝缘层。因此，为了提高透射区域TA的每单位面积的透射率，对电极230的与透射区域TA相对应的部分可以被去除。
在图5C中所示的另一个实施例中，延伸到透射区域TA中的第一多层膜ML1和第二多层膜ML2可以分别具有第一透射开口OP1和第二透射开口OP2，每个与透射区域TA相对应。这样，透射区域TA中的层可以被去除，使得透射区域TA的每单位面积的透射率可以被提高。
图5C图示了基板100的顶表面可以通过第一透射开口OP1被暴露于外部。然而，在一些实施例中，缓冲层可以保留在与透射区域TA相对应的基板100上。
如图5D中所示，透光填充层400可以设置或填充在第一透射开口OP1和第二透射开口OP2中。例如，透光填充层400可以包括具有优异的透光性的氧氮化硅(SiON)。透光填充层400的顶表面可以位于基板100的顶表面和像素限定层PDL的顶表面之间的虚拟表面上。
在下文中，将参见图6至图17描述图3中所示的像素P的详细结构。
图6是示意性图示图3的像素电路PC中包括的薄膜晶体管T1至T7的一部分以及存储电容器Cst的位置的平面图。图7至图10是示意性图示图6的层的平面图。
图11是示意性图示图3的像素电路PC中包括的薄膜晶体管T1至T7的其余部分以及像素电极的位置的平面图。图12至图15是示意性图示图11的层的平面图。
图16和图17是示意性图示根据实施例的像素堆叠结构的一部分的截面图。
图6(以及图7至图10)与第一多层膜ML1相对应，并且图11(以及图12至图14)与第二多层膜ML2相对应。即，从图12至图14的结构可以被顺序地堆叠在图6的结构上，并且如图15中所示，像素电极210可以位于图14的结构上。
在实施例中，图6(以及图7至图10)的第一多层膜ML1可以包括驱动TFT T1、开关TFT T2、补偿TFT T3和操作控制TFT T5。图11(以及图12至图14)中所示的第二多层膜ML2可以包括第一初始化TFT T4、发射控制TFT T6和第二初始化TFT T7。第一多层膜ML1上的薄膜晶体管和第二多层膜ML2上的薄膜晶体管可以彼此电连接，并且如图3中示意性示出的电路可以被构成。
图7至图10中的每个图图示了在同一层上的线、电极和半导体层的布置。图12至图15中的每个图图示了在同一层上的线、电极和半导体层的布置。与图7至图10相对应的层可以不同于与图12至图15相对应的层。
绝缘层可以在图7至图10和图12至图15中所示的层之间。例如，缓冲层(参见图16的缓冲层111)可以在基板100和图7的层之间。第一栅绝缘层(参见图16的第一栅绝缘层112)可以在图7的层与图8的层之间。第一层间绝缘层(参见图16的第一层间绝缘层113)可以在图8的层和图9的层之间。第二层间绝缘层(参见图16的第二层间绝缘层114)可以在图9的层和图10的层之间。
绝缘层(参见图16的绝缘层115)可以在图10的层与图12的层之间。例如，第二多层膜ML2可以位于绝缘层115上。这样，根据实施例的第一多层膜ML1可以包括图7至图10所示的层、绝缘层(即，图7至图10所示的层之间的第一栅绝缘层112、第一层间绝缘层113和第二层间绝缘层114)以及绝缘层115。
此外，图12中所示的层可以位于第一多层膜ML1上。图12中所示的层可以在绝缘层115上(例如，直接在绝缘层115上)。第二栅绝缘层(参见图16的第二栅绝缘层121)可以在图12的层与图13的层之间，并且第三层间绝缘层(参见图16的第三层间绝缘层122)可以在图13的层与图14的层之间，并且平坦化绝缘层(参见图16的平坦化绝缘层123)可以在图14的层与图15的层之间。这样，根据实施例的第二多层膜ML2可以包括图12至图14的层和绝缘层(即，图12至图14的层之间的第二栅绝缘层121和第三层间绝缘层122)以及平坦化绝缘层123。
图7至图10和图12至图15中所示的层可以经由限定在以上描述的绝缘层的至少一部分中的接触孔而彼此电连接。
参见图6和图11，像素P可以包括可以分别施加扫描信号Sn、前一扫描信号Sn-1、发射控制信号En和初始化电压Vint并且可以在第一方向(x方向)上延伸的扫描线SL、前一扫描线SL-1、第一发射控制线EL1、第二发射控制线EL2和初始化电压线VL。像素P可以包括可以在第二方向(y方向)上延伸以与扫描线SL、前一扫描线SL-1、第一发射控制线EL1、第二发射控制线EL2和初始化电压线VL交叉并且分别施加数据信号Dm和诸如第一电源电压ELVDD的驱动电压的数据线DL和驱动电压线PL。像素P包括薄膜晶体管T1至T7、存储电容器Cst和与其电连接的有机发光二极管OLED。在下文中，为了便于说明，将根据堆叠顺序提供描述。
参见图6至图10以及图16和图17，驱动TFT T1、开关TFT T2、补偿TFT T3和操作控制TFT T5可以沿着图7中所示的第一有源图案ACT1设置。如图16中所示，第一有源图案ACT1可以位于基板100上，并且包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氧氮化硅(SiON)的无机材料的缓冲层111可以在第一有源图案ACT1和基板100之间。
第一有源图案ACT1的部分区可以分别与驱动TFT T1、开关TFT T2、补偿TFT T3和操作控制TFT T5的半导体层相对应。换句话说，驱动TFT T1、开关TFT T2、补偿TFT T3和操作控制TFT T5的半导体层可以彼此电连接并且可以弯曲成各种形状。
第一有源图案ACT1可以由多晶硅形成。可替代地，第一有源图案ACT1可以包括非晶硅或氧化物半导体层，例如G-I-Z-O层[(In2O3)a(Ga2O3)b(ZnO)c层](其中a、b和c可以是满足a≥0、b≥0且c＞0的条件的实数)。在下文中，在实施例中，第一有源图案ACT1可以由多晶硅形成的情况将被描述。
在下文中，图7的第一有源图案ACT1和图12的第二有源图案ACT2中的每个可以包括沟道区以及在沟道区的两侧的源区和漏区。源区和漏区可以被理解为薄膜晶体管的源电极和漏电极。在下文中，为了方便起见，源区和漏区可以分别被称为源电极和漏电极。
驱动TFT T1可以包括与驱动沟道区重叠的驱动栅电极G1以及在驱动沟道区两侧的驱动源电极S1和驱动漏电极D1。与驱动栅电极G1重叠的驱动沟道区可以具有弯曲的形状，如字母“S”或欧米加形状，并且因此可以在狭窄的空间内构成大的沟道长度。在驱动沟道区的长度可以为大的情况下，栅电压的驱动范围可以被加宽，使得可以更精确地控制从有机发光二极管OLED发射的光的灰度，并且可以提高显示质量。
开关TFT T2可以包括与开关沟道区重叠的开关栅电极G2以及在开关沟道区的两侧的开关源电极S2和开关漏电极D2。开关漏电极D2可以电连接到驱动源电极S1。
可以是双TFT的补偿TFT T3可以包括与两个补偿沟道区重叠的补偿栅电极G3以及可以位于两个补偿沟道区的两侧的补偿源电极S3和补偿漏电极D3。补偿TFT T3可以经由稍后将描述的节点连接线NL电连接到驱动TFT T1的驱动栅电极G1。
操作控制TFT T5可以包括与操作控制沟道区重叠的操作控制栅电极G5以及可以位于操作控制沟道区的两侧的操作控制源电极S5和操作控制漏电极D5。操作控制漏电极D5可以电连接到驱动源电极S1。
以上描述的薄膜晶体管T1、T2、T3和T5可以电连接到信号线SL、EL1和DL以及驱动电压线PL。
第一栅绝缘层112可以位于以上描述的第一有源图案ACT1上，并且扫描线SL、第一发射控制线EL1和驱动栅电极G1可以位于第一栅绝缘层112上，如图8中所示。第一栅绝缘层112可以包括无机材料，诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiON)或其组合。扫描线SL、第一发射控制线EL1和驱动栅电极G1可以包括金属，诸如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)及其合金。
扫描线SL可以在x方向上延伸。扫描线SL的某些区域可以与开关栅电极G2和补偿栅电极G3相对应。例如，扫描线SL的与开关TFT T2和补偿TFT T3的沟道区重叠的区域可以分别是开关栅电极G2和补偿栅电极G3。
第一发射控制线EL1在x方向上延伸。第一发射控制线EL1的某些区域可以与操作控制栅电极G5相对应。例如，第一发射控制线EL1的与操作控制驱动TFT T5的沟道区重叠的区域可以是操作控制栅电极G5。
可以是浮置电极的驱动栅电极G1可以经由节点连接线(参见图10的NL)电连接到补偿TFT T3。
如图9中所示，电极电压线HL可以位于以上描述的扫描线SL、第一发射控制线EL1和驱动栅电极G1上，而第一层间绝缘层113包括无机材料并且在电极电压线HL以及以上描述的扫描线SL、第一发射控制线EL1和驱动栅电极G1之间。
如图9中所示，电极电压线HL可以在x方向上延伸以与数据线DL和驱动电压线PL交叉。电极电压线HL的一部分可以覆盖驱动栅电极G1的至少一部分，并且可以与驱动栅电极G1一起构成存储电容器Cst。在实施例中，驱动栅电极G1可以是存储电容器Cst的第一存储电容板Cst1(即，下电极)，并且电极电压线HL的一部分可以是存储电容器Cst的第二存储电容板Cst2(即，上电极)。换句话说，电极电压线HL和第二存储电容板Cst2可以被一体地提供。
电极电压线HL和第二存储电容板Cst2可以电连接到驱动电压线PL。在这方面，图6图示了电极电压线HL可以经由第二接触孔CH2电连接到电极电压线HL上的驱动电压线PL。电极电压线HL和驱动电压线PL可以具有相同的电压电平(恒定电压，例如，+5V)。电极电压线HL可以理解为一种横向驱动电压线。
因为驱动电压线PL在y方向上延伸，并且电连接到驱动电压线PL的电极电压线HL在与y方向交叉的x方向上延伸，所以显示区域DA中的驱动电压线PL和电极电压线HL可以构成网格结构。
如图10中所示，诸如数据线DL、驱动电压线PL、桥接线BL和节点连接线NL的第一导电层可以位于第二存储电容板Cst2和电极电压线HL上，而包括无机材料的第二层间绝缘层114在它们之间。例如，数据线DL、驱动电压线PL、桥接线BL和节点连接线NL可以包括Al、Cu、Ti或其组合。数据线DL、驱动电压线PL、桥接线BL和节点连接线NL可以具有多层或单层结构。在实施例中，驱动电压线PL和数据线DL可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
数据线DL可以在y方向上延伸并且可以经由第一接触孔CH1电连接到开关TFT T2的开关源电极S2。数据线DL的一部分可以被理解为开关源电极S2(即，电极层)。
驱动电压线PL可以在y方向上延伸并且可以经由第二接触孔CH2电连接到电极电压线HL。此外，驱动电压线PL可以经由第三接触孔CH3电连接到操作控制TFT T5。驱动电压线PL可以经由第三接触孔CH3电连接到操作控制源电极S5。
桥接线BL的一端可以通过第四接触孔CH4电连接到第一有源图案ACT1，并且桥接线BL的另一端可以经由稍后将描述的第七接触孔CH7电连接到第二有源图案ACT2。例如，不同层中的第一有源图案ACT1和第二有源图案ACT2可以经由桥接线BL彼此电连接。例如，桥接线BL的一端可以电连接到补偿漏电极D3，并且桥接线BL的另一端可以电连接到第一初始化漏电极D4。
节点连接线NL的一端可以经由第五接触孔CH5电连接到补偿漏电极D3，并且节点连接线NL的另一端可以经由第六接触孔CH6和在电极电压线HL中的开口(参见图9的OP)电连接到驱动栅电极G1。
绝缘层115可以位于数据线DL、驱动电压线PL、桥接线BL和节点连接线NL上。绝缘层115可以包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiON)或其组合的无机绝缘材料和/或诸如丙烯酸、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅烷(HMDSO)或其组合的有机绝缘材料。
图11中所示的层可以位于绝缘层115上。图11图示了包括图12至图14的层的第二多层膜ML2和图15中所示的像素电极可以被顺序地堆叠。
一起参考图11至图17，第一初始化TFT T4、发射控制TFT T6和第二初始化TFT T7可以沿着图12中所示的第二有源图案ACT2而被设置。如图16中所示，第二有源图案ACT2可以位于绝缘层115(即，第一多层膜ML1)上。
第二有源图案ACT2的部分区域分别与第一初始化TFT T4、发射控制TFT T6和第二初始化TFT T7的半导体层相对应。换句话说，第一初始化TFT T4、发射控制TFT T6和第二初始化TFT T7的半导体层可以彼此连接并且可以弯曲成各种形状。
如以上所描述的，第一有源图案ACT1和第二有源图案ACT2可以经由桥接线BL彼此电连接。
第二有源图案ACT2可以由多晶硅形成。可替代地，第二有源图案ACT2可以包括非晶硅或氧化物半导体层，例如G-I-Z-O层[(In2O3)a(Ga2O3)b(ZnO)c层](其中a、b和c可以是满足a≥0、b≥0且c＞0的条件的实数)。
可以是双TFT的第一初始化TFT T4可以包括与两个第一初始化沟道区重叠的第一初始化栅电极G4以及可以位于两个第一初始化沟道区的两侧的第一初始化源电极S4和第一初始化漏电极D4。
发射控制TFT T6可以包括与发射控制沟道区重叠的发射控制栅电极G6以及可以位于发射控制沟道区的两侧的发射控制源电极S6和发射控制漏电极D6。发射控制源电极S6可以电连接到驱动漏电极D1。
第二初始化TFT T7可以包括与第二初始化沟道区重叠的第二初始化栅电极G7以及可以位于第二初始化沟道区的两侧的第二初始化源电极S7和第二初始化漏电极D7。
在实施例中，第二有源图案ACT2可以电连接到位于第二有源图案ACT2下方的第一有源图案ACT1。在实施例中，第二有源图案ACT2可以经由第七接触孔CH7与桥接线BL的位于第二有源图案ACT2下方的一端接触，并且桥接线BL的另一端可以经由第四接触孔CH4与位于第二有源图案ACT2下方的第一有源图案ACT1接触。此外，第二有源图案ACT2可以经由第八接触孔CH8与位于第二有源图案ACT2下方的第一有源图案ACT1接触。例如，发射控制源电极S6和补偿源电极S3可以经由第八接触孔CH8彼此电连接。
以上描述的薄膜晶体管可以电连接到信号线SL-1和EL2以及初始化电压线VL。
第二栅绝缘层121可以位于以上描述的第二有源图案ACT2上，并且前一扫描线SL-1和第二发射控制线EL2可以位于第二栅绝缘层121上，如图13中所示。第二栅绝缘层121可以包括无机材料，诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiON)或其组合。前一扫描线SL-1和第二发射控制线EL2可以包括金属，诸如，Mo、Al、Cu、Ti及其合金。
在实施例中，前一扫描线SL-1、第二发射控制线EL2、扫描线SL、第一发射控制线EL1和驱动栅电极G1可以包括相同的材料。扫描线SL、第一发射控制线EL1和驱动栅电极G1的材料可以在以上被描述。
前一扫描线SL-1可以在x方向上延伸，并且前一扫描线SL-1的部分区域可以与第一初始化栅电极G4和第二初始化栅电极G7相对应。例如，前一扫描线SL-1的与第一初始化驱动TFT T4和第二初始化驱动TFT T7的沟道区重叠的区域可以分别是第一初始化栅电极G4和第二初始化栅电极G7。
第二发射控制线EL2可以在x方向上延伸。第二发射控制线EL2的某些区域可以与发射控制栅电极G6相对应。例如，第二发射控制线EL2的与发射控制驱动TFT T6的沟道区重叠的区域可以是发射控制栅电极G6。
如图14中所示，第二导电层，即初始化电压线VL和接触金属CM，可以位于以上描述的前一扫描线SL-1和第二发射控制线EL2上，而包括无机材料的第三层间绝缘层122在第二导电层与以上描述的前一扫描线SL-1和第二发射控制线EL2之间。
初始化电压线VL在x方向上延伸。初始化电压线VL可以经由第九接触孔CH9电连接到第一初始化TFT T4和第二初始化TFT T7。在实施例中，初始化电压线VL可以经由第九接触孔CH9电连接到第一初始化源电极S4和第二初始化漏电极D7。
如图16中所示，接触金属CM可以将发射控制TFT T6连接到像素电极210。接触金属CM可以包括金属，诸如，Mo、Al、Cu、Ti及其合金。在实施例中，接触金属CM可以具有Ti/Al/Ti的三层。在实施例中，接触金属CM、数据线DL、驱动电压线PL、桥接线BL和节点连接线NL可以包括相同的材料。数据线DL、驱动电压线PL、桥接线BL和节点连接线NL可以在图10中示出。
平坦化绝缘层123可以位于初始化电压线VL和接触金属CM上，并且像素电极210可以位于平坦化绝缘层123上。像素电极210可以经由形成在平坦化绝缘层123中的接触孔CNT而电连接到像素电极210下方的接触金属CM，并且因此，可以电连接到像素电路PC。
参见图15至图17，像素电极210可以位于平坦化绝缘层123上。像素电极210可以经由接触金属CM电连接到发射控制TFT T6的发射控制漏电极D6。
像素电极210可以是反射电极。例如，像素电极210可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、Al、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)及其混合物的反射层以及形成在反射层上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)中的至少一种。
用于暴露像素电极210的像素限定层130可以位于像素电极210上。像素限定层130可以包括聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB和酚醛树脂中的一种或多种有机绝缘材料。像素限定层130覆盖像素电极210的端部并且具有用于暴露像素电极210的顶表面的至少一部分的开口。像素P的发射区域可以通过像素限定层130的开口来限定。
中间层220可以设置在通过像素限定层130的开口暴露的像素电极210上。中间层220可以包括发射具有某些颜色的光的聚合物或小分子量有机材料。中间层220可以包括发射层(EML)。图16和图17中所示的中间层220可以指发射层。
尽管未示出，但是在实施例中，中间层220可以包括在发射层下方的第一功能层和/或在发射层上的第二功能层。
第一功能层可以具有单层或多层结构。例如，在第一功能层包括聚合物材料的情况下，可以是具有单层结构的空穴传输层(HTL)的第一功能层可以包括聚(3,4)-乙烯-二羟基噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)。在第一功能层包括小分子量材料的情况下，第一功能层可以包括空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)。
可以不必提供第二功能层。例如，在第一功能层和发射层包括聚合物材料的情况下，可以提供第二功能层，使得有机发光二极管OLED的特性是优异的。第二功能层可以具有单层或多层结构。第二功能层可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
对电极230可以面对像素电极210，而中间层220在对电极230和像素电极210之间。对电极230可以包括具有小的功函数的导电材料。例如，对电极230可以包括(半)透明层，该(半)透明层包括Ag、Mg、AL、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、锂(Li)、钙(Ca)或其合金。可替代地，对电极230可以进一步包括在包括以上描述的材料的(半)透明层上的诸如ITO、IZO、ZnO、In2O3或其组合的层。
图16和图17图示了可以与图7的第一有源图案ACT1的一部分相对应的驱动TFT T1的驱动半导体层A1和补偿TFT T3的补偿半导体层A3以及可以与图12的第二有源图案ACT2的一部分相对应的发射控制TFT T6的发射控制半导体层A6和第一初始化TFT T4的第一初始化半导体层A4。
参见图16和图17，根据实施例的像素电路PC可以包括基板100上的第一多层膜ML1和第二多层膜ML2，并且第一多层膜ML1和第二多层膜ML2中的每个可以包括薄膜晶体管。因此，第一多层膜ML1中包括的薄膜晶体管和第二多层膜ML2中包括的薄膜晶体管可以具有在其中它们可以被垂直地堆叠的结构。
例如，如图16和图17中所示，在可以垂直地堆叠在上层上的第一初始化TFT T4和发光控制TFT T6的情况下，可以提供在下层上的驱动TFT T1和补偿TFT T3。
根据实施例的薄膜晶体管最终具有图3中所示的像素电路PC的结构。因此，与相同像素电路PC的结构可以位于相同平面上的情况相比，由于实施例的薄膜晶体管可以被垂直地堆叠，因此每个像素P的像素电路PC的面积可以被减小。在根据实施例的像素电路PC可以应用于透明显示设备的情况下，像素电路PC的面积可以被减小，使得透射区域TA的面积可以相对增加。在另一实施例中，根据实施例，可以通过像素电路PC来实现具有高分辨率的显示器。
到目前为止，已经描述了显示设备。然而，实施例不限于此。例如，制造如以上所描述的显示设备的方法也可以属于本公开的范围。
在以上描述的本公开的实施例中，可以实现一种显示设备，该显示设备的设备性能可以被保持并且同时该显示设备的高透射率可以被实现。当然，本公开的范围不受这些效果的限制。
应理解，本文中描述的实施例应仅在描述性意义上被考虑，并且不是出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。尽管已经参考附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解，可以进行在形式和细节上的各种改变，而不脱离由包括任何等同物的所附权利要求限定的精神和范围的情况下。

Claims (28)

1.一种显示设备，包括：
基板，包括像素区域和透射区域；
像素电路，设置在所述像素区域中，并且包括：
第一多层膜中包括的第一薄膜晶体管；和
所述第一多层膜上的第二多层膜中包括的第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管彼此电连接；和
显示元件，设置在所述第二多层膜上，并且包括：
像素电极，通过在所述第二多层膜中限定的接触孔与所述第二薄膜晶体管电连接；
对电极，面对所述像素电极；和
中间层，在所述像素电极和所述对电极之间。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中：
所述第一多层膜和所述第二多层膜延伸到所述透射区域中，
所述第一多层膜包括在所述透射区域中的第一透射开口，并且
所述第二多层膜包括在所述透射区域中的第二透射开口。
3.根据权利要求2所述的显示设备，进一步包括：
透光填充层，设置在所述第一透射开口和所述第二透射开口中。
4.根据权利要求1所述的显示设备，其中：所述第一薄膜晶体管包括：
第一半导体层；
第一栅电极，与所述第一半导体层重叠；和
第一导电层，电连接到所述第一半导体层，并且
所述第一多层膜进一步包括：
绝缘层，设置在所述第一导电层上以覆盖所述第一导电层。
5.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管经由在所述绝缘层中限定的接触孔彼此电连接。
6.根据权利要求4所述的显示设备，其中：
所述像素电路进一步包括存储电容器，所述存储电容器包括彼此重叠的上电极和下电极，并且
所述下电极和所述第一栅电极包括相同的材料。
7.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述上电极在所述第一栅电极和所述第一导电层之间。
8.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述下电极与所述第一半导体层重叠。
9.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述第二薄膜晶体管包括：
第二半导体层，设置在所述第一导电层上；
第二栅电极，与所述第二半导体层重叠；和
第二导电层，电连接到所述第二半导体层。
10.根据权利要求9所述的显示设备，其中：
所述第一半导体层包括多晶硅，并且
所述第二半导体层包括氧化物半导体材料。
11.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极包括相同的材料。
12.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述第一导电层的至少一部分和所述第二导电层的至少一部分彼此重叠。
13.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述第一导电层和所述第二导电层包括相同的材料。
14.根据权利要求4所述的显示设备，其中：
所述像素电路进一步包括在第一方向上延伸的扫描线，并且
所述扫描线和所述第一栅电极包括相同的材料。
15.根据权利要求14所述的显示设备，其中：
所述像素电路进一步包括在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的数据线，并且
所述数据线和所述第一导电层包括相同的材料。
16.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一薄膜晶体管包括驱动薄膜晶体管。
17.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二薄膜晶体管包括发射控制薄膜晶体管。
18.根据权利要求1所述的显示设备，其中：
所述第一多层膜进一步包括第三薄膜晶体管，并且
所述第三薄膜晶体管包括开关薄膜晶体管、补偿薄膜晶体管和操作控制薄膜晶体管中的至少一个。
19.根据权利要求1所述的显示设备，其中：
所述第二多层膜进一步包括第四薄膜晶体管，并且
所述第四薄膜晶体管包括初始化薄膜晶体管。
20.根据权利要求1所述的显示设备，其中：
所述第一多层膜包括在第一方向上延伸的扫描线和发射控制线，并且
所述第二多层膜包括在所述第一方向上延伸的前一扫描线和初始化电压线，并且
所述扫描线、所述发射控制线、所述前一扫描线和所述初始化电压线绕过所述透射区域。
21.一种显示设备，包括：
基板，包括：像素区域，该像素区域包括像素电路和电连接到所述像素电路的显示元件；和透射区域；
第一有源图案，设置在所述像素区域中；
第一栅图案，设置在所述第一有源图案上；
第一导电图案，设置在所述第一栅图案上；
第二有源图案，设置在所述第一导电图案上；
第二栅图案，设置在所述第二有源图案上；
第二导电图案，设置在所述第二栅图案上；和
像素电极，设置在所述第二导电图案上，其中，
所述像素电路包括：
第一薄膜晶体管，包括第一半导体层；和
第二薄膜晶体管，包括第二半导体层，
所述第一半导体层是所述第一有源图案的一部分，并且
所述第二半导体层是所述第二有源图案的一部分。
22.根据权利要求21所述的显示设备，其中，所述第一有源图案和所述第二有源图案经由所述第一有源图案和所述第二有源图案之间的桥接图案而彼此电连接。
23.根据权利要求21所述的显示设备，其中，所述第一有源图案和所述第二有源图案经由在所述第一有源图案和所述第二有源图案之间的绝缘层中限定的接触孔而彼此电连接。
24.根据权利要求21所述的显示设备，其中：
所述第一有源图案包括多晶硅，并且
所述第二有源图案包括氧化物半导体材料。
25.根据权利要求21所述的显示设备，其中：
所述像素电路包括存储电容器，所述存储电容器包括下电极和上电极，
所述第一栅图案用作所述下电极，并且
在所述第一栅图案和所述第一导电图案之间的第三导电图案的至少一部分用作所述上电极。
26.根据权利要求21所述的显示设备，其中，所述像素电路进一步包括：
扫描线和第一发射控制线，与所述第一栅图案设置在同一层上，并且在第一方向上延伸；和
前一扫描线和第二发射控制线，与所述第二栅图案设置在同一层上，并且在所述第一方向上延伸。
27.根据权利要求21所述的显示设备，其中，所述第一栅图案和所述第二栅图案包括相同的材料。
28.根据权利要求21所述的显示设备，其中，所述第一导电图案和所述第二导电图案包括相同的材料。
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