CN113078195A - 显示装置、显示面板及其制造方法 - Google Patents

显示装置、显示面板及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113078195A
CN113078195A CN202110321693.4A CN202110321693A CN113078195A CN 113078195 A CN113078195 A CN 113078195A CN 202110321693 A CN202110321693 A CN 202110321693A CN 113078195 A CN113078195 A CN 113078195A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
substrate
orthographic projection
area
dam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202110321693.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113078195B (zh
Inventor
刘江
王大伟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN202110321693.4A priority Critical patent/CN113078195B/zh
Publication of CN113078195A publication Critical patent/CN113078195A/zh
Priority to US18/279,398 priority patent/US20240188389A1/en
Priority to PCT/CN2021/131322 priority patent/WO2022199062A1/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113078195B publication Critical patent/CN113078195B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)

Abstract

本公开是关于一种显示装置、显示面板及其制造方法，涉及显示技术领域。本公开的显示面板包括衬底、驱动器件层、平坦层、发光层、阻挡坝、第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，衬底包括显示区和位于显示区外的外围区，外围区包括沿背离显示区的方向依次分布的电路区和阻挡区；驱动器件层设于衬底一侧；平坦层设于驱动器件层背离衬底的一侧，且平坦层在衬底上的正投影的边界位于电路区内；发光层设于平坦层背离衬底的表面；阻挡坝位于阻挡区；第一无机封装层覆盖发光层和阻挡坝；有机封装层设于第一无机封装层上，平坦层在衬底上的正投影位于有机封装层在衬底上的正投影以内；第二无机封装层覆盖有机封装层。

Description

显示装置、显示面板及其制造方法
技术领域
本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种显示装置、显示面板及显示面板的制造方法。
背景技术
目前，显示面板已经广泛的应用于各种电子设备，其中，封装工艺是提高可靠性的重要工艺，特别是对于有机电致发光显示面板而言，通常需要通过封装层阻隔外界的水、氧对发光器件和电路的侵蚀。但是，现有显示面板中，在形成封装层后的其它膜层时，成膜质量容易出现问题，难以形成预定的图案。
需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种显示装置、显示面板及其制造方法，可提高产品质量，降低故障风险。
根据本公开的一个方面，提供一种显示面板，包括：
衬底，包括显示区和位于所述显示区外的外围区，所述外围区包括沿背离所述显示区的方向依次分布的电路区和阻挡区；
驱动器件层，设于所述衬底一侧，且覆盖所述显示区和所述外围区；
平坦层，设于所述驱动器件层背离所述衬底的一侧，且所述平坦层在所述衬底上的正投影的边界位于所述电路区内；
发光层，设于所述平坦层背离所述衬底的表面，所述发光层在所述衬底上的正投影至少覆盖所述显示区；
阻挡坝，设于所述驱动器件层背离所述衬底的一侧，且围绕所述显示区设置，所述阻挡坝在所述衬底上的正投影位于所述阻挡区；
第一无机封装层，覆盖所述发光层和所述阻挡坝，所述第一无机封装层在所述衬底上的正投影覆盖所述显示区和所述外围区；
有机封装层，设于所述第一无机封装层背离所述衬底的表面，所述平坦层在所述衬底上的正投影位于所述有机封装层在所述衬底上的正投影以内；
第二无机封装层，覆盖所述有机封装层，且在所述衬底上的正投影覆盖所述显示区和所述外围区。
在本公开的一种示例性实施例中，所述平坦层包括：
第一平坦层，覆盖所述驱动器件层，所述第一平坦层在所述衬底上的正投影的边界位于所述电路区内；
第二平坦层，设于所述第一平坦层背离所述衬底的一侧，所述第二平坦层在所述衬底上的正投影的边界位于所述电路区；所述发光层设于所述第二平坦层背离所述衬底的表面。
在本公开的一种示例性实施例中，所述发光层包括：
第一电极层，设于所述第二平坦层背离所述衬底的一侧，所述第一电极层包括第一电极和转接部，所述第一电极在所述衬底上的正投影位于所述显示区，所述转接部在所述衬底上的正投影位于所述电路区；
像素定义层，设于所述第二平坦层背离所述衬底的表面，所述像素定义层在所述衬底上的正投影覆盖所述显示区和所述电路区；所述像素定义层设有露出所述第一电极的像素开口和露出所述转接部的转接开口；
发光功能层，覆盖所述像素定义层和所述第一电极，所述发光功能层在所述衬底上的正投影位于所述显示区内；
第二电极层，覆盖所述发光功能层，所述第二电极层在所述衬底上的正投影的边界位于所述电路区，所述第二电极层通过所述转接开口与所述转接部连接；
所述第一无机封装层覆盖所述第二电极层。
在本公开的一种示例性实施例中，所述阻挡坝包括第一坝体和第二坝体，所述第二坝体围绕于所述第一坝体以外。
在本公开的一种示例性实施例中，所述第一坝体与所述像素定义层同层设置；所述第二坝体包括向背离所述衬底的方向层叠的第一阻挡层和第二阻挡层，所述第一阻挡层与所述第二平坦层同层设置，所述第二阻挡层与所述像素定义层同层设置。
在本公开的一种示例性实施例中，所述第一电极层还包括：
延伸部，与所述转接部连接，所述延伸部在所述衬底上的正投影位于所述阻挡区；
所述第一坝体设于所述延伸部背离所述衬底的表面。
在本公开的一种示例性实施例中，所述驱动器件层包括：
有源层，设于所述衬底一侧面，所述有源层在所述衬底上的正投影位于所述显示区和所述电路区；
第一栅绝缘层，覆盖所述有源层和所述衬底；
栅极，设于所述第一栅绝缘层背离所述衬底的表面，所述栅极在所述衬底上的正投影位于所述显示区和所述电路区；
第二栅绝缘层，覆盖所述栅极和所述第一栅绝缘层；
层间介质层，覆盖所述第二栅绝缘层；
源漏层，设于所述层间介质层背离所述衬底的表面，所述源漏层在所述衬底上的正投影位于所述显示区和所述电路区；
所述第一平坦层设于所述源漏层背离所述衬底的一侧；
所述显示面板还包括：
连接层，设于所述第一平坦层背离所述衬底的表面，且与所述源漏层连接，所述连接层在所述衬底上的正投影位于所述显示区；
信号线，设于所述阻挡坝靠近所述衬底的一侧，所述信号线包括向背离所述衬底的方向依次层叠的第一线层和第二线层，所述第一线层与所述源漏层同层设置，所述第二线层与所述连接层同层设置；所述第二坝体的至少部分区域设于所述第二线层背离所述衬底的表面；
所述延伸部设于所述信号线背离所述衬底的表面。
在本公开的一种示例性实施例中，所述第二平坦层设有贯穿所述第二平坦层和所述第一平坦层的第一阻隔槽，所述第一阻隔槽在所述衬底上的正投影位于所述电路区，且围绕所述显示区。
在本公开的一种示例性实施例中，所述层间介质层设有第二阻隔槽，所述第二阻隔槽在所述衬底上的正投影围绕于所述第二坝体以外。
在本公开的一种示例性实施例中，所述第二平坦化层的边界与所述第一坝体的距离为第一距离，所述第二平坦化层的边界与所述第二坝体的距离为第二距离；
所述第二距离与所述第一距离之比为7/5。
根据本公开的一个方面，提供一种显示面板的制造方法，包括：
提供一衬底，所述衬底包括显示区和位于所述显示区外的外围区，所述外围区包括沿背离所述显示区的方向依次分布的电路区和阻挡区；
在所述衬底一侧形成覆盖所述显示区和所述外围区驱动器件层；
在所述驱动器件层背离所述衬底的一侧形成平坦层，且所述平坦层在所述衬底上的正投影的边界位于所述电路区内；
在所述驱动器件层背离所述衬底的一侧形成阻挡坝，且所述阻挡坝围绕所述显示区设置，所述阻挡坝在所述衬底上的正投影位于所述阻挡区；
在所述平坦层背离所述衬底的表面形成发光层，所述发光层在所述衬底上的正投影至少覆盖所述显示区；
形成覆盖所述发光层和所述阻挡坝的第一无机封装层，所述第一无机封装层在所述衬底上的正投影覆盖所述显示区和所述外围区；
在所述第一无机封装层背离所述衬底的表面形成液态的有机材料层，所述有机材料层在所述衬底上的正投影位于所述阻挡坝围绕的范围内，且与所述阻挡坝之间具有间隙；所述平坦层在所述衬底上的正投影的边界位于所述有机材料层在所述衬底上的正投影以内，且与所述有机材料层在所述衬底上的正投影的边界至少部分重合；
在所述有机材料层流平形成有机封装层后，形成覆盖所述有机材料层的第二无机封装层，在所述第二无机封装层在所述衬底上的正投影覆盖所述显示区和所述外围区。
在本公开的一种示例性实施例中，在所述驱动器件层背离所述衬底的一侧形成平坦层；包括：
形成覆盖所述驱动器件层的第一平坦层，所述第一平坦层在所述衬底上的正投影的边界位于所述电路区内；
在所述第一平坦层背离所述衬底的一侧形成第二平坦层，所述第二平坦层在所述衬底上的正投影的边界位于所述电路区；
所述发光层设于所述第二平坦层背离所述衬底的表面。
在本公开的一种示例性实施例中，所述第二平坦层和所述有机材料层在所述衬底上的正投影均为矩形，且所述矩形的相邻两边通过圆角过渡连接；
所述第二平坦层在所述衬底上的正投影的圆角内切于所述有机材料层在所述衬底上的正投影的圆角。
在本公开的一种示例性实施例中，在所述第二平坦层背离所述衬底的表面形成发光层；包括：
在所述第二平坦层背离所述衬底的一侧形成第一电极层，所述第一电极层包括第一电极和转接部，所述第一电极在所述衬底上的正投影位于所述显示区，所述转接部在所述衬底上的正投影位于所述电路区；
在所述第二平坦层背离所述衬底的表面形成像素定义层，所述像素定义层在所述衬底上的正投影覆盖所述显示区和所述电路区；所述像素定义层设有露出所述第一电极的像素开口和露出所述转接部的转接开口；
形成覆盖所述像素定义层和所述第一电极发光功能层，所述发光功能层在所述衬底上的正投影位于所述显示区内；
形成覆盖所述发光功能层的第二电极层，所述第二电极层在所述衬底上的正投影的边界位于所述电路区，所述第二电极层通过所述转接开口与所述转接部连接；
所述阻挡坝包括第一坝体和第二坝体，所述第二坝体围绕于所述第一坝体以外；所述第二坝体包括向背离所述衬底的方向层叠的第一阻挡层和第二阻挡层，所述第一阻挡层与所述第二平坦层通过一次构图工艺同时设置，所述第二阻挡层和所述第一坝体与所述像素定义层通过一次构图工艺同时形成。
在本公开的一种示例性实施例中，所述第一坝体的厚度不大于2μm，所述有机材料层的厚度不小于8μm。
根据本公开的一个方面，提供一种显示装置，包括上述任意一项所述的显示面板。
本公开的显示装置、显示面板及其制造方法，可通过第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层对发光层进行保护，具体而言，第一无机封装层和第二无机封装层可阻隔水、氧，防止侵蚀。有机封装层可实现平坦化，并进行缓冲。其中，在形成有机封装层时，可形成液态的有机材料层，而平坦层的边界位于有机材料层的边界以内，在有机材料层流平形成有机封装层后，可确保平坦层的边界位于有机封装层的边界以内。由于平坦层的边界位于电路区，而未延伸至衬底的边界，从而形成台阶，有机封装层可对该台阶的位置实现平坦化，避免在后续工艺中，在台阶外侧出现光刻胶堆积，难以在曝光工艺中曝透，影响后续膜层的形成，从而影响产品质量，例如，在第二无机封装层上形成触控层时，触控层边缘设有多个走线，在至少一部分走线中，每个走线的至少部分区域位于平坦层的边界以外，由于在该边界处存在高度差，使得光刻胶容易出现堆积，从而使相邻两走线位于边界外的区域难以完全间隔开，而出现短路。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本公开显示面板一实施方式的俯视图。
图2为图1的A-A截面图。
图3为图1的B-B截面图。
图4为本公开制造方法一实施方式的流程图。
图5为本公开显示面板中的边界示意图。
附图标记说明：
1、衬底；101、显示区；102、外围区；1021、电路区；1022、阻挡区；
2、驱动器件层；21、有源层；22、第一栅绝缘层；23、栅极；24、第二栅绝缘层；25、层间介质层；251、第二阻隔槽；26、源漏层；261、源极；262、漏极；
100、平坦层；3、第一平坦层；31、第一阻隔槽；4、第二平坦层；
5、发光层；51、第一电极层；511、第一电极；512、转接部；513、延伸部；52、像素定义层；521、像素开口；522、转接开口；53、发光功能层；54、第二电极层；
6、阻挡坝；61、第一坝体；62、第二坝体；621、第一阻挡层；622、第二阻挡层；
7、第一无机封装层；
8、有机封装层；
9、第二无机封装层；
10、连接层；
11、信号线；111、第一线层；112、第二线层；
001、第一边界；002、第二边界；003、第三边界。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。
虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”、“第二”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。
本公开实施方式提供了一种显示面板，该显示面板可为有机电致(OLED)显示面板，如图1-图3所示，本公开的显示面板可包括衬底1、驱动器件层2、平坦层100、发光层5、阻挡坝6、第一无机封装层7、有机封装层8和第二无机封装层9，其中：
衬底1包括显示区101和位于显示区101外的外围区102，外围区102包括沿背离显示区101的方向依次分布的电路区1021和阻挡区1022；
驱动器件层2设于衬底1一侧，且覆盖显示区101和外围区102；
平坦层100设于驱动器件层2背离衬底1的一侧，平坦层100在衬底1上的正投影的边界位于电路区1021；
发光层5设于第二平坦层4背离衬底1的表面，发光层5在衬底1上的正投影至少覆盖显示区101；
阻挡坝6设于驱动器件层2背离衬底1的一侧，且围绕显示区101设置，阻挡坝6在衬底1上的正投影位于阻挡区1022；
第一无机封装层7覆盖发光层5和阻挡坝6，第一无机封装层7在衬底1上的正投影覆盖显示区101和外围区102；
有机封装层8设于第一无机封装层7背离衬底1的表面，有机封装层8在衬底1上的正投影位于阻挡坝6围绕的范围内，第二平坦层4在衬底1上的正投影位于有机封装层8在衬底1上的正投影以内；
第二无机封装层9覆盖有机封装层8，且在衬底1上的正投影覆盖显示区101和外围区102。
本公开实施方式的显示面板，可通过第一无机封装层7、有机封装层8和第二无机封装层9对发光层5进行保护，具体而言，第一无机封装层7和第二无机封装层9可阻隔水、氧，防止侵蚀。有机封装层8可实现平坦化，并进行缓冲。其中，在形成有机封装层8时，可形成液态的有机材料层，而平坦层100的边界，即第一边界001，可位于有机材料层的边界以内，即位于第二边界002以内，在有机材料层流平形成有机封装层8后，可确保平坦层100的边界，即第三边界003，位于有机封装层8的边界以内。由于第一边界001位于电路区1021，而未延伸至衬底1的边界，从而形成台阶，有机封装层8可对该台阶的位置实现平坦化，避免在后续工艺中，在台阶外侧出现光刻胶堆积，难以在曝光工艺中曝透，影响触控层等后续膜层的形成，从而影响产品质量。例如，在第二无机封装层上形成触控层时，触控层边缘设有多个走线，在至少一部分走线中，每个走线的至少部分区域位于平坦层的边界以外，由于在该边界处存在高度差，使得光刻胶容易出现堆积，从而使相邻两走线位于边界外的区域难以完全间隔开，而出现短路。
下面对本公开的显示面板进行详细说明：
如图1-图3所示，衬底1可包括显示区101和外围区102，外围区102位于显示区101外，例如，外围区102为围绕于显示区101外的环形区域。同时，外围区102可包括沿背离显示区101的方向依次分布的电路区1021和阻挡区1022。衬底1可为单层或多层结构，其材料可包括玻璃等硬质材料，也可包括聚酰亚胺等柔性材料。
如图1-图3所示，驱动器件层2设于衬底1一侧，且覆盖显示区101和外围区102，即驱动器件层2覆盖显示区101、电路区1021和阻挡区1022。驱动器件层2用于设置驱动电路所需的驱动器件，该驱动器件可包括薄膜晶体管和电容等，其中，驱动器件层2对应于显示区101的区域可设有像素电路所需的薄膜晶体管和电容等，驱动器件层2对应于电路区1021的区域可设有外围电路所需的薄膜晶体管和电容等，外围电路可包括栅极驱动电路，还可包括发光控制电路等。
在本公开的一些实施方式中，如图2所示，以顶栅型薄膜晶体管为例，其可包括向背离衬底1的方向层叠的有源层21、第一栅绝缘层22、栅极23、第二栅绝缘层24、层间介质层25和源漏层26，驱动器件层2有多个薄膜晶体管，至少一部分薄膜晶体管中的任意两薄膜晶体管的相同膜层可同层设置，因而可通过描述一个薄膜晶体管的结构对驱动器件层2的膜层结构进行说明，即驱动器件层2可包括有源层21、第一栅绝缘层22、栅极23、第二栅绝缘层24、层间介质层25和源漏层26，其中：
有源层21设于衬底1一侧面，由于各薄膜晶体管均具有一有源层21，因而，有源层21的数量为多个，且有源层21在衬底1上的正投影位于显示区101和电路区1021，即显示区101和电路区1021均设有有源层21。
第一栅绝缘层22覆盖有源层21和衬底1，且第一栅绝缘层22可覆盖显示区101、电路区1021和阻挡区1022。
栅极23设于第一栅绝缘层22背离衬底1的表面，由于各薄膜晶体管均具有一栅极23，因而，栅极23的数量为多个，各栅极23分布于显示区101和电路区1021，即栅极23在衬底1上的正投影位于显示区101和电路区1021。同时，各栅极23与各有源层21在垂直于衬底1的方向上一一对应设置，即栅极23在衬底1上的正投影与其对应的有源层21至少部分重合。
第二栅绝缘层24覆盖栅极23和第一栅绝缘层22，第二栅绝缘层24的边界可与第一栅绝缘层22的边界平齐。
层间介质层25可覆盖第二栅绝缘层24，且与第二栅绝缘层24的边界平齐，即层间介质层25在衬底1上的正投影覆盖显示区101和外围区102。层间介质层25的材料可为有机材料，为了防止外界的水、氧沿层间介质层25侵入显示区101，可在层间介质层25设置沿垂直于衬底1的方向贯穿层间介质层25的第二阻隔槽251，第二阻隔槽251为围绕于电路区1021外的环形槽，从而切断水、氧沿层间介质层25侵入显示区101的路径。
源漏层26设于层间介质层25背离衬底1的表面，由于各薄膜晶体管均具有一源漏层26，因而，源漏层26的数量为多个，各源漏层26分布于显示区101和电路区1021，即源漏层26在衬底1上的正投影位于显示区101和电路区1021。每个源漏层26与一有源层21对应设置，并可包括连接至有源层21两端的源极261和漏极262。
此外，驱动器件层2还可包括钝化层，钝化层可覆盖源漏层26和层间介质层25，且钝化层在衬底1上的正投影至少覆盖显示区101。
如图2和图3所示，平坦层100设于驱动器件层2背离衬底1的一侧，平坦层100在衬底1上的正投影的边界位于电路区1021。同时，平坦层100在衬底1上的可为单层结构，也可为多层结构，举例而言，平坦层100可包括第一平坦层3和第二平坦层4，其中：
第一平坦层3覆盖驱动器件层2，例如，覆盖源漏层26和层间介质层25，且第一平坦层3在衬底1上的正投影的边界位于电路区1021内，即第一平坦层3仅覆盖全部的显示区101和电路区1021的至少部分区域。
在第一平坦层3背离衬底1的表面上，可设置连接层10和信号线11，其中：
连接层10设于第一平坦层3背离衬底1的表面，且连接层10在衬底1上的正投影位于显示区101。同时，连接层10通过贯穿第一平坦层3的过孔与源漏层26连接。驱动器件层2和连接层10可形成多个像素电路，每个像素电路可包括多个薄膜晶体管、电容和部分连接层10。该像素电路可以是7T1C、7T2C、6T1C或6T2C等像素电路，在此不对其结构做特殊限定。其中，nTmC表示一个像素电路包括n个晶体管(用字母“T”表示)和m个电容(用字母“C”表示)。
信号线11设于阻挡坝6靠近衬底1的一侧，信号线11包括向背离衬底1的方向依次层叠的第一线层111和第二线层112，第一线层111设于第一平坦层3背离衬底1的表面，且至少部分位于阻挡区1022，当然，也可延伸至电路区1021内，第一线层111与源漏层26同层设置，从而可通过同一次构图工艺形成。第二线层112设于第一线层111背离衬底1的表面，第二线层112与连接层10同层设置，从而可通过同一次构图工艺形成。
如图2和图3所示，第二平坦层4设于第一平坦层3背离衬底1的表面，且覆盖连接层10。第二平坦层4在衬底1上的正投影的边界位于电路区1021，且该边界即为平坦层100的边界，即第一边界001，第一平坦层3的边界位于第一边界001以内。
如图2和图3所示，发光层5可设于第二平坦层4背离衬底1的表面，且发光层5在衬底1上的正投影至少覆盖显示区101。发光层5可包括多个发光器件，该发光器件可为有机电致发光(OLED)元件，每个发光器件可与一像素电路连接。每个发光器件可包括向背离衬底1的方向层叠的第一电极511、发光功能层53和第二电极。
在本公开的一些实施方式中，如图2和图3所示，发光层5包括第一电极层51、像素定义层52、发光功能层53和第二电极层54，其中：
第一电极层51设于第二平坦层4背离衬底1的一侧，例如，第一电极层51直接设于第二平坦层4背离衬底1的表面。第一电极层51可包括第一电极511和转接部512，第一电极511和转接部512可通过同一次构图工艺同时形成，其中：第一电极511在衬底1上的正投影位于显示区101，用于构成发光器件的阳极。第一电极511的数量为多个，且阵列分布。转接部512在衬底1上的正投影位于电路区1021，且与第一电极511之间不连接，即第一电极511与转接部512之间断开，转接部512的图案在此不做特殊限定，其可用于将第二电极与信号线11连接。进一步的，转接部512上可设有多个用于排气的通孔。
进一步的，如图3所示，第一电极层51还可包括延伸部513，其与转接部512连接，且在衬底1上的正投影位于阻挡区1022，延伸部513可为转接部512向背离第一电极511的方向连续延伸的膜层，其与转接部512为一体结构，可通过一次构图工艺同时形成。同时，延伸部513覆盖信号线11，与信号线11电连接。
像素定义层52设于第二平坦层4背离衬底1的表面，像素定义层52在衬底1上的正投影覆盖显示区101和电路区1021。像素定义层52设有像素开口521和转接开口522，像素开口521的数量与第一电极511的数量相同，并一一对应地露出各第一电极511。转接开口522露出转接部512，但其数量不做特殊限定。
发光功能层53覆盖像素定义层52和第一电极511，发光功能层53在衬底1上的正投影位于显示区101内。举例而言，发光功能层53可包括向背离衬底1的方向依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层和电子注入层。
第二电极层54覆盖发光功能层53，第二电极层54在衬底1上的正投影的边界位于电路区1021，且第二电极层54通过转接开口522与转接部512连接，从而通过转接部512与信号线11连接，同时，第一电极511可与像素电路的连接层10连接，从而可通过信号线11向发光器件输入电源信号，通过外围电路和像素电路向第一电极511输入驱动信号，从而驱动发光功能层53发光。
如图2和图3所示，阻挡坝6可设于驱动器件层2背离衬底1的一侧，且围绕显示区101设置，阻挡坝6在衬底1上的正投影位于阻挡区1022。
在本公开的一些实施方式中，如图2和图3所示，阻挡坝6可包括多层同心间隔分布的坝体，例如，其可包括第一坝体61和第二坝体62，其中：
第一坝体61与像素定义层52同层设置，且设于延伸部513背离衬底1的表面。
第二坝体62的至少部分区域设于信号线11背离衬底1的表面，例如，第二坝体62的部分区域设于第二线层112背离衬底的表面；且第二坝体62围绕于第一坝体61外，第二坝体62的厚度可大于第一坝体61的厚度。进一步的，第二坝体62可包括向背离衬底1的方向层叠的第一阻挡层621和第二阻挡层622，第一阻挡层621与第二平坦层4同层设置，从而可通过同一次构图工艺形成；第二阻挡层622与像素定义层52同层设置，从而可通过同一次构图工艺形成。
第二平坦化层4的边界与第一坝体61的距离，即第二平坦化层4的边界与第一坝体61靠近第二平坦化层4的侧壁的最小距离，为第一距离L1。
第二平坦化层4的边界与第二坝体62的距离，第二平坦化层4的边界与第二坝体63靠近第二平坦化层4的侧壁的最小距离，为第二距离L2。
第二距离L2与第一距离L1之比可为7/5，L2/L1＝7/5。举例而言，第一距离为200μm，第二距离可为280μm。
如图2和图3所示，第一无机封装层7覆盖发光层5和阻挡坝6，例如，覆盖第二电极层54和阻挡坝6。第一无机封装层7在衬底1上的正投影覆盖显示区101和外围区102，第一无机封装层7的边界可与第一栅绝缘层22、第二栅绝缘层24和层间介质层25的边界平齐。由于第二平坦层4的边界位于电路区1021内，而第一无机封装层7的边界在第二平坦层4外，故第一无机封装层7在第二平坦层4的侧壁处向衬底1凹陷，到达延伸部513背离衬底1的表面。
如图2和图3所示，有机封装层8设于第一无机封装层7背离衬底1的表面，有机封装层8在衬底1上的正投影位于阻挡坝6围绕的范围内，例如，有机封装层8位于第一坝体61围绕的范围内。同时，第二平坦层4在衬底1上的正投影位于有机封装层8在衬底1上的正投影以内，从而可通过有机封装层8包覆第二平坦层4的边界，实现平坦化。
如图2和图3所示，第二无机封装层9覆盖有机封装层8，且在衬底1上的正投影覆盖显示区101和外围区102，从而将有机封装层8包覆于第一无机封装层7和第二无机封装层9之间，阻挡外界侵蚀。
此外，为了进一步防止外界侵蚀，可在第二平坦层4开设贯穿第二平坦层4和第一平坦层3的第一阻隔槽31，第一阻隔槽31在衬底1上的正投影位于电路区1021，且第一阻隔槽31为围绕显示区101的环形槽。第一阻隔槽31的数量可为多个，且围绕显示区101同心间隔设置。
层间介质层25设有贯穿层间介质层25的第二阻隔槽251，第二阻隔槽251在衬底1上的正投影围绕于阻挡坝6以外，例如，围绕于第二坝体62外。第二阻隔槽251的数量可为多个，且围绕阻挡坝6同心间隔设置。
此外，本公开的显示面板还可包括触控层，设于第二无机封装层9背离衬底1的一侧，触控层包括电极区和位于电极区的走线区，电极区设有触控电极，走线区设有与触控电极连接的走线，各走线可沿背离电极区的方向分布，且相邻两走线间隔设置，避免短路。在各走线中，一部分走线的至少部分区域位于第二平坦层4的边界的外侧，即背离电极区的一侧。若未通过有机封装层8实现平坦化，在通过光刻工艺形成触控层时，在对应于第二平坦层4的边界外的区域存在光刻胶堆积而难以充分曝光的情况，光刻胶的曝光不充分的区域在显影后无法被去除，导致该区域的材料无法被刻蚀，使得在相邻两走线位于该边界外的区域无法断开，从而导致短路，影响触控功能。而通过通过有机封装层8对该边界处实现平坦化，则可以避免出现走线的短路问题。而有机封装层8的边界外通常不存在上述的走线，因此，不会出现上述短路的问题。
本公开实施方式提供一种显示面板的制造方法，该显示面板为上述任意实施方式的显示面板，如图4所示，该制造方法可包括步骤S110-步骤S180，其中：
步骤S110、提供一衬底，所述衬底包括显示区和位于所述显示区外的外围区，所述外围区包括沿背离所述显示区的方向依次分布的电路区和阻挡区；
步骤S120、在所述衬底一侧形成覆盖所述显示区和所述外围区驱动器件层；
步骤S130、在所述驱动器件层背离所述衬底的一侧形成平坦层，且所述平坦层在所述衬底上的正投影的边界位于所述电路区内；
步骤S140、在所述驱动器件层背离所述衬底的一侧形成阻挡坝，且所述阻挡坝围绕所述显示区设置，所述阻挡坝在所述衬底上的正投影位于所述阻挡区；
步骤S150、在所述平坦层背离所述衬底的表面形成发光层，所述发光层在所述衬底上的正投影至少覆盖所述显示区；
步骤S160、形成覆盖所述发光层和所述阻挡坝的第一无机封装层，所述第一无机封装层在所述衬底上的正投影覆盖所述显示区和所述外围区；
步骤S170、在所述第一无机封装层背离所述衬底的表面形成液态的有机材料层，所述有机材料层在所述衬底上的正投影位于所述阻挡坝围绕的范围内，且与所述阻挡坝之间具有间隙；所述平坦层在所述衬底上的正投影的边界位于所述有机材料层在所述衬底上的正投影以内，且与所述有机材料层在所述衬底上的正投影的边界至少部分重合；
步骤S180、在所述有机材料层流平形成有机封装层后，形成覆盖所述有机材料层的第二无机封装层，在所述第二无机封装层在所述衬底上的正投影覆盖所述显示区和所述外围区。
进一步的，在本公开的一些实施方式中，在所述驱动器件层背离所述衬底的一侧形成平坦层，且所述平坦层在所述衬底上的正投影的边界位于所述电路区内；即步骤S130可包括如下步骤一和步骤二：
步骤一、形成覆盖所述驱动器件层的第一平坦层，所述第一平坦层在所述衬底上的正投影的边界位于所述电路区内；
步骤二、在所述第一平坦层背离所述衬底的一侧形成第二平坦层，所述第二平坦层在所述衬底上的正投影的边界位于所述电路区。
所述发光层设于所述第二平坦层背离所述衬底的表面。
进一步的，有机封装层8可通过喷墨打印工艺形成，具体而言，可采用喷墨打印设备在第一无机封装层7上打印液态的有机材料层，有机材料层的边界即为喷墨打印设备设定的打印边界，在有机材料向外扩散，边界逐渐扩大至流平后，形成有机封装层8。第二平坦层4的边界位于打印有机材料层的边界以内，且在垂直于衬底1的方向上，第二平坦层4的边界与有机材料层的边界至少部分区域重合，既确保能够覆盖第二平坦层4的边界，又能避免打印的有机材料过多，距离阻挡坝6过近，而在流平后越过阻挡坝6，造成封装失效。举例而言，第一坝体61的厚度不大于2μm，有机材料层的厚度不小于8μm。
在本公开的一些实施方式中，第二平坦层和有机材料层在衬底上的正投影均为矩形，且矩形的相邻两边通过圆角过渡连接。第二平坦层在衬底上的正投影的四个侧边位于有机材料层在衬底上的正投影以外，且第二平坦层在衬底上的正投影的圆角内切于有机材料层在衬底上的正投影的圆角。如图5所示，第一边界001为第二平坦层4的边界，第二边界002为有机材料层的边界。
在本公开的一些实施方式中，在所述第二平坦层背离所述衬底的表面形成发光层；即步骤S160，包括如下步骤一-步骤四，其中：
步骤一、在所述第二平坦层背离所述衬底的一侧形成第一电极层，所述第一电极层包括第一电极和转接部，所述第一电极在所述衬底上的正投影位于所述显示区，所述转接部在所述衬底上的正投影位于所述电路区；
步骤二、在所述第二平坦层背离所述衬底的表面形成像素定义层，所述像素定义层在所述衬底上的正投影覆盖所述显示区和所述电路区；所述像素定义层设有露出所述第一电极的像素开口和露出所述转接部的转接开口；
步骤三、形成覆盖所述像素定义层和所述第一电极发光功能层，所述发光功能层在所述衬底上的正投影位于所述显示区内；
步骤四、形成覆盖所述发光功能层的第二电极层，所述第二电极层在所述衬底上的正投影的边界位于所述电路区，所述第二电极层通过所述转接开口与所述转接部连接；
所述阻挡坝包括第一坝体和第二坝体，具体结构可参考上文显示面板的实施方式，其中，所述第一阻挡层与所述第二平坦层通过一次构图工艺同时设置，所述第二阻挡层和所述第一坝体与所述像素定义层通过一次构图工艺同时形成。
需要说明的是，尽管在附图中以特定顺序描述了本公开中制造方法的各个步骤，但是，这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤，或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的，可以省略某些步骤，将多个步骤合并为一个步骤执行，以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等。
本公开实施方式还提供一种显示装置，该显示装置可包括上述任意实施方式的显示面板，该显示面板的结构和有益效果可参考上文中显示面板的实施方式，在此不再赘述。本公开的显示装置可以是手机、平板电脑、笔记本电脑等电子设备，在此不再一一列举。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。

Claims (16)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
衬底，包括显示区和位于所述显示区外的外围区，所述外围区包括沿背离所述显示区的方向依次分布的电路区和阻挡区；
驱动器件层，设于所述衬底一侧，且覆盖所述显示区和所述外围区；
平坦层，设于所述驱动器件层背离所述衬底的一侧，且所述平坦层在所述衬底上的正投影的边界位于所述电路区内；
发光层，设于所述平坦层背离所述衬底的表面，所述发光层在所述衬底上的正投影至少覆盖所述显示区；
阻挡坝，设于所述驱动器件层背离所述衬底的一侧，且围绕所述显示区设置，所述阻挡坝在所述衬底上的正投影位于所述阻挡区；
第一无机封装层，覆盖所述发光层和所述阻挡坝，所述第一无机封装层在所述衬底上的正投影覆盖所述显示区和所述外围区；
有机封装层，设于所述第一无机封装层背离所述衬底的表面，所述平坦层在所述衬底上的正投影位于所述有机封装层在所述衬底上的正投影以内；
第二无机封装层，覆盖所述有机封装层，且在所述衬底上的正投影覆盖所述显示区和所述外围区。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述平坦层包括：
第一平坦层，覆盖所述驱动器件层，所述第一平坦层在所述衬底上的正投影的边界位于所述电路区内；
第二平坦层，设于所述第一平坦层背离所述衬底的一侧，所述第二平坦层在所述衬底上的正投影的边界位于所述电路区；所述发光层设于所述第二平坦层背离所述衬底的表面。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述发光层包括：
第一电极层，设于所述第二平坦层背离所述衬底的一侧，所述第一电极层包括第一电极和转接部，所述第一电极在所述衬底上的正投影位于所述显示区，所述转接部在所述衬底上的正投影位于所述电路区；
像素定义层，设于所述第二平坦层背离所述衬底的表面，所述像素定义层在所述衬底上的正投影覆盖所述显示区和所述电路区；所述像素定义层设有露出所述第一电极的像素开口和露出所述转接部的转接开口；
发光功能层，覆盖所述像素定义层和所述第一电极，所述发光功能层在所述衬底上的正投影位于所述显示区内；
第二电极层，覆盖所述发光功能层，所述第二电极层在所述衬底上的正投影的边界位于所述电路区，所述第二电极层通过所述转接开口与所述转接部连接；
所述第一无机封装层覆盖所述第二电极层。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述阻挡坝包括第一坝体和第二坝体，所述第二坝体围绕于所述第一坝体以外。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一坝体与所述像素定义层同层设置；所述第二坝体包括向背离所述衬底的方向层叠的第一阻挡层和第二阻挡层，所述第一阻挡层与所述第二平坦层同层设置，所述第二阻挡层与所述像素定义层同层设置。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一电极层还包括：
延伸部，与所述转接部连接，所述延伸部在所述衬底上的正投影位于所述阻挡区；
所述第一坝体设于所述延伸部背离所述衬底的表面。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述驱动器件层包括：
有源层，设于所述衬底一侧面，所述有源层在所述衬底上的正投影位于所述显示区和所述电路区；
第一栅绝缘层，覆盖所述有源层和所述衬底；
栅极，设于所述第一栅绝缘层背离所述衬底的表面，所述栅极在所述衬底上的正投影位于所述显示区和所述电路区；
第二栅绝缘层，覆盖所述栅极和所述第一栅绝缘层；
层间介质层，覆盖所述第二栅绝缘层；
源漏层，设于所述层间介质层背离所述衬底的表面，所述源漏层在所述衬底上的正投影位于所述显示区和所述电路区；
所述第一平坦层设于所述源漏层背离所述衬底的一侧；
所述显示面板还包括：
连接层，设于所述第一平坦层背离所述衬底的表面，且与所述源漏层连接，所述连接层在所述衬底上的正投影位于所述显示区；
信号线，设于所述阻挡坝靠近所述衬底的一侧，所述信号线包括向背离所述衬底的方向依次层叠的第一线层和第二线层，所述第一线层与所述源漏层同层设置，所述第二线层与所述连接层同层设置；所述第二坝体的至少部分区域设于所述第二线层背离所述衬底的表面；
所述延伸部设于所述信号线背离所述衬底的表面。
8.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第二平坦层设有贯穿所述第二平坦层和所述第一平坦层的第一阻隔槽，所述第一阻隔槽在所述衬底上的正投影位于所述电路区，且围绕所述显示区。
9.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述层间介质层设有第二阻隔槽，所述第二阻隔槽在所述衬底上的正投影围绕于所述第二坝体以外。
10.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第二平坦化层的边界与所述第一坝体的距离为第一距离，所述第二平坦化层的边界与所述第二坝体的距离为第二距离；
所述第二距离与所述第一距离之比为7/5。
11.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，所述衬底包括显示区和位于所述显示区外的外围区，所述外围区包括沿背离所述显示区的方向依次分布的电路区和阻挡区；
在所述衬底一侧形成覆盖所述显示区和所述外围区驱动器件层；
在所述驱动器件层背离所述衬底的一侧形成平坦层，且所述平坦层在所述衬底上的正投影的边界位于所述电路区内；
在所述驱动器件层背离所述衬底的一侧形成阻挡坝，且所述阻挡坝围绕所述显示区设置，所述阻挡坝在所述衬底上的正投影位于所述阻挡区；
在所述平坦层背离所述衬底的表面形成发光层，所述发光层在所述衬底上的正投影至少覆盖所述显示区；
形成覆盖所述发光层和所述阻挡坝的第一无机封装层，所述第一无机封装层在所述衬底上的正投影覆盖所述显示区和所述外围区；
在所述第一无机封装层背离所述衬底的表面形成液态的有机材料层，所述有机材料层在所述衬底上的正投影位于所述阻挡坝围绕的范围内，且与所述阻挡坝之间具有间隙；所述平坦层在所述衬底上的正投影的边界位于所述有机材料层在所述衬底上的正投影以内，且与所述有机材料层在所述衬底上的正投影的边界至少部分重合；
在所述有机材料层流平形成有机封装层后，形成覆盖所述有机材料层的第二无机封装层，在所述第二无机封装层在所述衬底上的正投影覆盖所述显示区和所述外围区。
12.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，在所述驱动器件层背离所述衬底的一侧形成平坦层；包括：
形成覆盖所述驱动器件层的第一平坦层，所述第一平坦层在所述衬底上的正投影的边界位于所述电路区内；
在所述第一平坦层背离所述衬底的一侧形成第二平坦层，所述第二平坦层在所述衬底上的正投影的边界位于所述电路区；
所述发光层设于所述第二平坦层背离所述衬底的表面。
13.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述第二平坦层和所述有机材料层在所述衬底上的正投影均为矩形，且所述矩形的相邻两边通过圆角过渡连接；
所述第二平坦层在所述衬底上的正投影的圆角内切于所述有机材料层在所述衬底上的正投影的圆角。
14.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，在所述第二平坦层背离所述衬底的表面形成发光层；包括：
在所述第二平坦层背离所述衬底的一侧形成第一电极层，所述第一电极层包括第一电极和转接部，所述第一电极在所述衬底上的正投影位于所述显示区，所述转接部在所述衬底上的正投影位于所述电路区；
在所述第二平坦层背离所述衬底的表面形成像素定义层，所述像素定义层在所述衬底上的正投影覆盖所述显示区和所述电路区；所述像素定义层设有露出所述第一电极的像素开口和露出所述转接部的转接开口；
形成覆盖所述像素定义层和所述第一电极发光功能层，所述发光功能层在所述衬底上的正投影位于所述显示区内；
形成覆盖所述发光功能层的第二电极层，所述第二电极层在所述衬底上的正投影的边界位于所述电路区，所述第二电极层通过所述转接开口与所述转接部连接；
所述阻挡坝包括第一坝体和第二坝体，所述第二坝体围绕于所述第一坝体以外；所述第二坝体包括向背离所述衬底的方向层叠的第一阻挡层和第二阻挡层，所述第一阻挡层与所述第二平坦层通过一次构图工艺同时设置，所述第二阻挡层和所述第一坝体与所述像素定义层通过一次构图工艺同时形成。
15.根据权利要求14所述的制造方法，其特征在于，所述第一坝体的厚度不大于2μm，所述有机材料层的厚度不小于8μm。
16.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-10任一项所述的显示面板。
CN202110321693.4A 2021-03-25 2021-03-25 显示装置、显示面板及其制造方法 Active CN113078195B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110321693.4A CN113078195B (zh) 2021-03-25 2021-03-25 显示装置、显示面板及其制造方法
US18/279,398 US20240188389A1 (en) 2021-03-25 2021-11-17 Display apparatus, and display panel and manufacturing method therefor
PCT/CN2021/131322 WO2022199062A1 (zh) 2021-03-25 2021-11-17 显示装置、显示面板及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110321693.4A CN113078195B (zh) 2021-03-25 2021-03-25 显示装置、显示面板及其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113078195A true CN113078195A (zh) 2021-07-06
CN113078195B CN113078195B (zh) 2024-04-05

Family

ID=76610220

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110321693.4A Active CN113078195B (zh) 2021-03-25 2021-03-25 显示装置、显示面板及其制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20240188389A1 (zh)
CN (1) CN113078195B (zh)
WO (1) WO2022199062A1 (zh)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113571561A (zh) * 2021-07-19 2021-10-29 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及显示装置
CN113809112A (zh) * 2021-08-06 2021-12-17 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN113838996A (zh) * 2021-09-23 2021-12-24 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法
WO2022199062A1 (zh) * 2021-03-25 2022-09-29 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示面板及其制造方法
WO2023108703A1 (zh) * 2021-12-13 2023-06-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和电子装置
CN117042542A (zh) * 2023-08-31 2023-11-10 绵阳惠科光电科技有限公司 显示面板及显示装置
WO2023241297A1 (zh) * 2022-06-14 2023-12-21 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
WO2024016702A1 (zh) * 2022-07-19 2024-01-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示终端
WO2024022126A1 (zh) * 2022-07-26 2024-02-01 京东方科技集团股份有限公司 触控面板及显示装置
WO2024099009A1 (zh) * 2022-11-10 2024-05-16 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置
WO2024108550A1 (zh) * 2022-11-25 2024-05-30 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116322117A (zh) * 2022-12-01 2023-06-23 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160035997A1 (en) * 2014-08-01 2016-02-04 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
US20170110532A1 (en) * 2015-10-16 2017-04-20 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus
CN111653595A (zh) * 2020-06-15 2020-09-11 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示面板
CN112002831A (zh) * 2020-09-22 2020-11-27 京东方科技集团股份有限公司 显示装置及显示面板

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113078195B (zh) * 2021-03-25 2024-04-05 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示面板及其制造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160035997A1 (en) * 2014-08-01 2016-02-04 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
US20170110532A1 (en) * 2015-10-16 2017-04-20 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus
CN111653595A (zh) * 2020-06-15 2020-09-11 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示面板
CN112002831A (zh) * 2020-09-22 2020-11-27 京东方科技集团股份有限公司 显示装置及显示面板

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022199062A1 (zh) * 2021-03-25 2022-09-29 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示面板及其制造方法
CN113571561B (zh) * 2021-07-19 2023-12-01 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及显示装置
CN113571561A (zh) * 2021-07-19 2021-10-29 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及显示装置
CN113809112A (zh) * 2021-08-06 2021-12-17 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN113838996A (zh) * 2021-09-23 2021-12-24 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法
CN113838996B (zh) * 2021-09-23 2024-03-19 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法
WO2023108703A1 (zh) * 2021-12-13 2023-06-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和电子装置
WO2023241297A1 (zh) * 2022-06-14 2023-12-21 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
WO2024016702A1 (zh) * 2022-07-19 2024-01-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示终端
WO2024022126A1 (zh) * 2022-07-26 2024-02-01 京东方科技集团股份有限公司 触控面板及显示装置
WO2024099009A1 (zh) * 2022-11-10 2024-05-16 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置
WO2024108550A1 (zh) * 2022-11-25 2024-05-30 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置
CN117042542A (zh) * 2023-08-31 2023-11-10 绵阳惠科光电科技有限公司 显示面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN113078195B (zh) 2024-04-05
US20240188389A1 (en) 2024-06-06
WO2022199062A1 (zh) 2022-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113078195A (zh) 显示装置、显示面板及其制造方法
US20190229171A1 (en) Display device
TWI644425B (zh) 有機發光顯示裝置
CN110112317B (zh) 显示装置、柔性显示面板及其制造方法
US20220075479A1 (en) Touch substrate and manufacturing method therefor, touch display substrate, and touch display device
US20190058021A1 (en) Organic light-emitting display device
US9070897B2 (en) Display panel
CN111146211A (zh) 待切割基板、显示面板及微显示芯片
CN112602198B (zh) 显示基板及显示装置
CN113950712B (zh) 显示基板、显示面板、显示装置及显示面板的制造方法
WO2022007034A1 (zh) Oled显示面板及显示装置
CN112289948B (zh) 有机发光二极体显示面板及其制作方法
CN112951891A (zh) 显示基板及其制备方法、显示面板
US20240282781A1 (en) Display substrate, method for manufacturing same, and display device
CN114270527A (zh) 显示面板及其制作方法和显示装置
JP2022531996A (ja) 表示基板、表示装置、及び表示基板の製造方法
CN115581089A (zh) 显示面板及显示装置
EP4109541A1 (en) Display panel and display device
CN113035901A (zh) 透光显示面板及其制备方法、显示面板
US12127436B2 (en) Display panel and display device
TWI802471B (zh) 顯示面板
CN113795925B (zh) 显示面板及显示装置
US20240179967A1 (en) Display substrate, manufacturing method thereof and display apparatus
WO2023206283A1 (zh) 显示面板和显示装置
CN219679162U (zh) 显示基板及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant