CN113078072A - 一种探针检测方法 - Google Patents

一种探针检测方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113078072A
CN113078072A CN202110388896.5A CN202110388896A CN113078072A CN 113078072 A CN113078072 A CN 113078072A CN 202110388896 A CN202110388896 A CN 202110388896A CN 113078072 A CN113078072 A CN 113078072A
Authority
CN
China
Prior art keywords
test
group
site
probe detection
probe
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202110388896.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113078072B (zh
Inventor
高跃红
王蕾
孙斌
武绍军
孙德举
李家奇
王毓樟
王纪彬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Changchun Guanghua Micro Electronic Equipment Engineering Center Co ltd
Original Assignee
Changchun Guanghua Micro Electronic Equipment Engineering Center Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Changchun Guanghua Micro Electronic Equipment Engineering Center Co ltd filed Critical Changchun Guanghua Micro Electronic Equipment Engineering Center Co ltd
Priority to CN202110388896.5A priority Critical patent/CN113078072B/zh
Publication of CN113078072A publication Critical patent/CN113078072A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113078072B publication Critical patent/CN113078072B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • H01L22/34—Circuits for electrically characterising or monitoring manufacturing processes, e. g. whole test die, wafers filled with test structures, on-board-devices incorporated on each die, process control monitors or pad structures thereof, devices in scribe line

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

本发明涉及半导体技术领域。具体提供一种探针检测方法，通过在探针检测中增加分组测试程序，使晶圆上均匀分布多组待测区域，并以组为间隔进行同一晶圆待测区域内多路芯片同时测试；并构建可进行标准测试模式和分组测试模式的探针检测程序。本发明提供的探针检测方法，以group为间隔进行多site测试，解决了在传统分组测试模式中因为每组中site分布不均，而只能采用单site的测试方式的问题，极大缩短了测试时间，提高测试效率。同时构建了可以对所需检测模式进行选择的检测程序。

Description

一种探针检测方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种探针检测方法。
背景技术
目前对分组测试只有单site测试，site指能够进行多路测试的最多芯片数，site数越大表示测试效率越高。图1是晶圆测试区域分布图，如图1所示，一个晶圆测试区域分为32组，每组记为一个group，虚线框代表一个group。
图2是group单位中site排列示意图，如图2所示，group中具体site排列，图中虚线框代表一个site，该group中共有12个site。
对于group测试晶圆，由于每个group中site的位置不一定是等间距分布，所以不能采用传统测试中的多测试端(multi-site)测试，只能采用单site测试，测试时间长，效率低。
发明内容
针对上述问题，本发明提出了一种探针检测方法，通过对探针检测程序的改进，解决了在传统分组测试模式中因为每组中site分布不均，而只能采用单site的测试方式的问题。
本发明提供一种探针检测方法，通过在探针检测中增加分组测试程序，使晶圆上均匀分布多组待测区域，并以组为间隔进行同一晶圆待测区域内多路芯片同时测试。
优选地，在探针检测过程中增加测试模式选择步骤，对标准测试模式和分组测试模式进行选择。
优选地，所述探针检测步骤包括：
S1：开启探针检测程序；
S2：根据待测需要选择标准模式/分组测试模式；
S3：按照选择好的检测路径进行测试。
优选地，分组测试模式以group为单位进行检测，一个group单位代表一组，一个group单位内含至少一个site。
优选地，同一晶圆上每个group单位内的site分布完全相同。
优选地，分组测试模式，一次至少同时检测两个group单位。
优选地，当选中测试第一个group中的任一位置的site时，则在同步测试的其余group中也同样选中与第一个group中同一位置的site。
优选地，分组测试模式中，每个测试位点之间至少间隔一个group单位。
本发明能够得到以下有益效果：
本发明提供的探针检测方法，以group为间隔进行多site测试，解决了在传统分组测试模式中因为每组中site分布不均，而只能采用单site测试方式的问题，极大缩短了测试时间，提高测试效率。同时可以对所需检测模式进行选择。
附图说明
图1是晶圆测试区域分布图；
图2是group单位中site排列示意图；
图3是本发明的一种探针检测方法的检测模式程序图；
图4是本发明的一种探针检测方法的分组测试示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，而不构成对本发明的限制。
下面将结合实施例对本发明提供的一种探针检测方法进行详细说明。
图3是本发明的一种探针检测方法的检测模式程序图；
图4是本发明的一种探针检测方法的分组测试示意图。
本发明提供一种探针检测方法，通过在探针检测中增加分组测试程序，使晶圆上均匀分布多组待测区域，并以组为间隔进行同一晶圆待测区域内多路芯片同时测试。
在本发明的一个实施例中，探针检测程序可以根据需要选择标准模式或多组检测模式；在多组检测模式中，探针检测一次可以检测一个晶圆待测区域内的多个site数据。
在本发明的一个实施例中，在同一个晶圆测试区内分布多个测试区，通过分组的形式进行一次多路芯片同时测试。
在本发明的一个实施例中，将选中的晶圆测试区分隔出多个测试组，即group；每个group记为一个单位，在每个group单位中含有至少一个site，且每个group单位内的site分布完全相同，分组测试模式，一次至少同时检测两个group单位，根据分组的方法来同时测试多路芯片，大幅度地缩短了测试时间。并且在单site测试程序的基础上，增加分组测试程序，可以根据实际测试需要，选择标准测试程序或者多site的分组测试程序，使整体操作选择性更高也更加便捷。
如图3所示，探针检测步骤包括：
S1：开启探针检测程序；
S2：根据待测需要选择标准模式/分组测试模式；
S3：按照选择好的检测路径进行测试。
本发明的一个实施例中，在进行探针台启动检测时，通过加入检测模式选择程序，当用户测试方式选择为“标准测试”时，multi-site中每两个site的间隔为一个site或者多个site；然后按照测试路径进行测试，直到测试结束。
当测试方式选择为分组测试时，在晶圆测试区域划分多个正方形group，以group为单位进行探针检测；其中每个group中的小长方形为一个site，每个group单位内含至少一个site。且在同一片晶圆上，每个group单位中的site分布是完全相同的。
本发明的一个实施例中，分组测试模式中，每个site之间间隔至少一个group单位；即从一个group单位中第一个site到第二个group单位中的第一个site之间的间隔为一个group单位。
实施例
本发明的一个实施例中，如图4所示为4-site测试，即每操作一次检测四个site。由于每个group单位中的site分布是完全相同的，所以当选中测试第一个group中的某一位置的site时，在其余三个group中也同样选中了同一位置的site，从而进行四个site的同时测试，并以此类推。避免了常规分组测试模式中因site分布不均而造成的漏检情况。
本发明的一个实施例中，在4-site测试中，每两个site之间的间隔记为I，I具体为一个group或多个group，所以每个group都是均匀分布的；然后按照测试路径进行测试，直到测试结束。
本发明提供的探针检测方法，以group为间隔进行多site测试，解决了在传统分组测试模式中因为每组中site分布不均，而只能采用单site测试方式的问题，提高测试效率。同时可以对所需检测模式进行选择。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
以上本发明的具体实施方式，并不构成对本发明保护范围的限定。任何根据本发明的技术构思所作出的各种其他相应的改变与变形，均应包含在本发明权利要求的保护范围内。

Claims (8)

1.一种探针检测方法，其特征在于，通过在探针检测中增加分组测试程序，使晶圆上均匀分布多组待测区域，并以组为间隔进行同一晶圆待测区域内多路芯片同时测试。
2.如权利要求1所述的探针检测方法，其特征在于，在探针检测过程中增加测试模式选择步骤，对标准测试模式和分组测试模式进行选择。
3.如权利要求1所述的探针检测方法，其特征在于，所述探针检测步骤包括：
S1：开启探针检测程序；
S2：根据待测需要选择标准模式/分组测试模式；
S3：按照选择好的检测路径进行测试。
4.如权利要求3所述的探针检测方法，其特征在于，所述分组测试模式以group为单位进行检测，一个group单位代表一组，一个group单位内含至少一个site。
5.如权利要求4所述的探针检测方法，其特征在于，同一晶圆上每个所述group单位内的所述site分布完全相同。
6.如权利要求5所述的探针检测方法，其特征在于，所述分组测试模式，一次至少同时检测两个所述group单位。
7.如权利要求6所述的探针检测方法，其特征在于，当选中测试第一个group中的任一位置的site时，则在同步测试的其余group中也同样选中与所述第一个group中同一位置的site。
8.如权利要求7所述的探针检测方法，其特征在于，所述分组测试模式中，每个测试位点之间至少间隔一个group单位。
CN202110388896.5A 2021-04-12 2021-04-12 一种探针检测方法 Active CN113078072B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110388896.5A CN113078072B (zh) 2021-04-12 2021-04-12 一种探针检测方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110388896.5A CN113078072B (zh) 2021-04-12 2021-04-12 一种探针检测方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113078072A true CN113078072A (zh) 2021-07-06
CN113078072B CN113078072B (zh) 2023-04-07

Family

ID=76617271

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110388896.5A Active CN113078072B (zh) 2021-04-12 2021-04-12 一种探针检测方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113078072B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114088979A (zh) * 2021-12-20 2022-02-25 百及纳米科技(上海)有限公司 探针校准方法、表面测量方法以及探针控制设备

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19822000A1 (de) * 1998-05-15 1999-11-25 Siemens Ag Haltevorrichtung für einen Wafer und Prüfverfahren für integrierte Schaltungen auf einem Wafer
JP2001284232A (ja) * 2000-03-31 2001-10-12 Fujitsu Ltd 位置検出マークに基づく位置検出方法及び露光装置
US20030003347A1 (en) * 2001-05-17 2003-01-02 Stmicroelectronics S.R.L. Micro silicon fuel cell, method of fabrication and self-powered semiconductor device integrating a micro fuel cell
US20030213953A1 (en) * 2002-05-15 2003-11-20 Kwon-Il Sohn Integrated circuit chips and wafers including on-chip test element group circuits, and methods of fabricating and testing same
CN1773679A (zh) * 2004-11-11 2006-05-17 富士通株式会社 半导体衬底、半导体器件制造方法和半导体器件测试方法
US20110231129A1 (en) * 2010-03-18 2011-09-22 Ricoh Company, Ltd. Identification method of data point distribution area on coordinate plane and recording medium
US20120123734A1 (en) * 2010-11-11 2012-05-17 Optimaltest Ltd. Misalignment indication decision system and method
CN103809099A (zh) * 2014-03-05 2014-05-21 上海华虹宏力半导体制造有限公司 晶圆探针测试次数的检测方法
WO2014112077A1 (ja) * 2013-01-17 2014-07-24 富士通株式会社 光配線チップとその検査方法、および光受信器
JP2014238371A (ja) * 2013-06-10 2014-12-18 シャープ株式会社 プローバシステム
CN106158689A (zh) * 2016-06-30 2016-11-23 华灿光电(苏州）有限公司 基于多组测试探针的二极管光电测试方法
WO2022028102A1 (zh) * 2020-08-06 2022-02-10 长鑫存储技术有限公司 测试方法及测试系统
WO2022062059A1 (zh) * 2020-09-25 2022-03-31 歌尔股份有限公司 纳米压印工艺监测装置、方法和纳米压印设备

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19822000A1 (de) * 1998-05-15 1999-11-25 Siemens Ag Haltevorrichtung für einen Wafer und Prüfverfahren für integrierte Schaltungen auf einem Wafer
JP2001284232A (ja) * 2000-03-31 2001-10-12 Fujitsu Ltd 位置検出マークに基づく位置検出方法及び露光装置
US20030003347A1 (en) * 2001-05-17 2003-01-02 Stmicroelectronics S.R.L. Micro silicon fuel cell, method of fabrication and self-powered semiconductor device integrating a micro fuel cell
US20030213953A1 (en) * 2002-05-15 2003-11-20 Kwon-Il Sohn Integrated circuit chips and wafers including on-chip test element group circuits, and methods of fabricating and testing same
CN1773679A (zh) * 2004-11-11 2006-05-17 富士通株式会社 半导体衬底、半导体器件制造方法和半导体器件测试方法
US20110231129A1 (en) * 2010-03-18 2011-09-22 Ricoh Company, Ltd. Identification method of data point distribution area on coordinate plane and recording medium
US20120123734A1 (en) * 2010-11-11 2012-05-17 Optimaltest Ltd. Misalignment indication decision system and method
WO2014112077A1 (ja) * 2013-01-17 2014-07-24 富士通株式会社 光配線チップとその検査方法、および光受信器
JP2014238371A (ja) * 2013-06-10 2014-12-18 シャープ株式会社 プローバシステム
CN103809099A (zh) * 2014-03-05 2014-05-21 上海华虹宏力半导体制造有限公司 晶圆探针测试次数的检测方法
CN106158689A (zh) * 2016-06-30 2016-11-23 华灿光电(苏州）有限公司 基于多组测试探针的二极管光电测试方法
WO2022028102A1 (zh) * 2020-08-06 2022-02-10 长鑫存储技术有限公司 测试方法及测试系统
WO2022062059A1 (zh) * 2020-09-25 2022-03-31 歌尔股份有限公司 纳米压印工艺监测装置、方法和纳米压印设备

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
董姝;伍平;米佳;赵学梅;张静雯;: "声表面波器件小型化工艺中芯片的测试与改进" *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114088979A (zh) * 2021-12-20 2022-02-25 百及纳米科技(上海)有限公司 探针校准方法、表面测量方法以及探针控制设备

Also Published As

Publication number Publication date
CN113078072B (zh) 2023-04-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102474252B1 (ko) 충진재 셀들, 탭 셀들, 디캡 셀들, 스크라이브 라인들, 및／또는 더미 충진, 그리고 이들을 포함하는 제품 ｉｃ 칩들의 용도와는 달리 사용되는 부위들에의 ｉｃ 테스트 구조들 및／또는 전자 비임 타깃 패드들의 편의적 배치
CN108519550A (zh) 集成电路晶圆测试优化方法
CN103163442B (zh) 一种晶圆测试方法
CN109767996A (zh) 晶圆缺陷分析系统及分析方法
CN102707225A (zh) 集成电路测试优化方法及其测试装置
CN113078072B (zh) 一种探针检测方法
US9435847B2 (en) Method for testing special pattern and probe card defect in wafer testing
WO2022028102A1 (zh) 测试方法及测试系统
CN106158689A (zh) 基于多组测试探针的二极管光电测试方法
CN109655737B (zh) 一种晶圆的测试方法
CN109633417B (zh) 多芯片同测结构及方法
CN103605092B (zh) Wat测试系统及测试方法
CN104977518A (zh) 一种晶圆出货检验方法
US6446021B1 (en) Method and apparatus to display processing parameter
CN103063976A (zh) 一种采用二分法对硅通孔进行故障检测的方法和系统
CN101165502B (zh) 测试仪同测方法
CN108983072B (zh) 晶圆测试方法、晶圆测试装置以及晶圆测试系统
US7863923B2 (en) Adaptive test time reduction for wafer-level testing
CN111157868B (zh) 晶圆重测的方法及测试设备
CN106057696A (zh) 基于光电分离的二极管光电测试方法
CN104678290A (zh) 多测试流程的测试方法
CN106898563A (zh) 产品验收系统及产品验收方法
CN102253595B (zh) 一种查找缺陷掩膜版的方法
CN116613147B (zh) 测试结构及晶圆接受测试系统和方法
CN114152864B (zh) 一种多芯片并行测试的方法及装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant