CN112909059B - 显示面板及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种显示面板及其制备方法，解决了现有技术中因隔离区的结构加工精度难以控制而导致封装失效的问题。显示面板包括：开孔；隔离区，所述隔离区设置有分别环绕开孔的隔离实体部和隔离间隙，隔离实体部和隔离间隙相邻设置；隔离实体部靠近隔离间隙的侧壁上设置有沟道，沟道的深度方向背离隔离间隙；以及部分填充所述沟道的填充层。

Description

显示面板及其制备方法

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法。

背景技术

随着电子设备的快速发展，用户对屏占比的要求越来越高。为了提高电子设备中显示面板的屏占比，可在屏幕上设置开孔，从而将前置摄像头、光线传感器等元件布置在开孔中。为了避免空气中的氧气或水蒸气通过开孔进入显示面板的其他器件中，通常在显示面板的开孔周围设置隔离区，以切断水蒸气和氧气的入侵路径。然而，现有技术中的隔离区的结构加工精度难以有效控制，导致所形成的隔离结构并不能很好的阻断水蒸气和氧气的入侵路径，从而导致封装失效。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例致力于提供一种显示面板及其制备方法，以解决现有技术中因隔离区的结构加工精度难以控制而导致封装失效的问题。

本申请第一方面提供了一种显示面板，包括：开孔；隔离区，隔离区设置有分别环绕开孔的隔离实体部和隔离间隙；隔离实体部和隔离间隙相邻布置，隔离实体部靠近隔离间隙的侧壁上设置有沟道，沟道的深度方向背离所述隔离间隙；以及部分填充沟道的填充层。

在一个实施例中，显示器件，用于发出显示光，其中，显示器件包括至少一个功能膜层，至少一个功能膜层延伸至隔离区；其中，至少一个功能膜层被隔离间隙隔断。

在一个实施例中，填充层的材料包括有机材料。

在一个实施例中，隔离实体部包括依次层叠的多个隔离层，多个隔离层包括与至少一个功能膜层接触的顶层隔离层。其中，多个隔离层中除了顶层隔离层之外的至少一个隔离层在平行于开孔的端面方向上的宽度小于顶层隔离层。

在一个实施例中，隔离区包括多个隔离间隙，多个隔离间隙沿远离开孔的中心方向分布设置。

本申请第二方面提供了一种显示面板的制备方法，包括：制备围绕显示面板的开孔设置的隔离实体部和半制成隔离间隙，其中，隔离实体部和半制成隔离间隙相邻布置，隔离实体部靠近半制成隔离间隙的侧壁上设置有沟道，沟道的深度方向背离半制成隔离间隙；制备填充半制成隔离间隙的填充材料层；对填充材料层的第一区域进行图形化处理，形成填充部分沟道的填充层，以得到隔离间隙。

在一个实施例中，在制备填充半制成隔离间隙的填充材料层之后，还包括：对填充材料层的第二区域进行图形化处理，形成像素界定层。

在一个实施例中，像素界定层包括开口；在对填充材料层的第二区域进行图形化处理，形成像素界定层之后，还包括：在像素界定层的开口内制备显示器件，显示器件包括至少一个功能膜层，至少一个功能膜层被隔离间隙隔断。

在一个实施例中，制备围绕显示面板的开孔设置的隔离实体部和半制成隔离间隙，包括：在阵列基板上依次制备多个隔离材料层；对多个隔离材料层的第三区域进行图形化处理，得到具有平整侧壁的半制成隔离实体部和中空隔断带；对半制成隔离实体部的平整侧壁进行侧蚀，以得到隔离实体部和半制成隔离间隙。

在一个实施例中，在对多个隔离材料层的第三区域进行图形化处理，得到具有平整侧壁的半制成隔离实体部和中空隔断带的同时，还包括：对多个隔离材料层的第四区域进行图形化处理，得到源极和漏极。

本申请提供的显示面板及其制备方法，通过在隔离区中设置隔离间隙，且在隔离间隙的侧壁上设置具有一定深度的沟道，可使得其他器件的相关膜层在制备的过程中在沟道的开口处断开，从而避免水氧通过开孔进入到其他器件的相关膜层。更重要的是，由于沟道中设置了填充层，使得沟道的加工难度大大降低。具体而言，若沟道的深度过浅，可能无法使得其他器件的相关膜层断开，因此沟道的深度需要足够深；而若沟道的深度过深，沟道本身又有结构坍塌的风险。本申请通过在沟道中设置填充层，因为后续可以通过填充层的加工过程来调整沟道的加工深度，因此沟道的加工深度可以尽量大一些以保证阻隔性能，因而沟道的深度方向的加工难度大大降低；而且当隔离区中包括多个隔离间隙时，通过填充层的加工过程也可使得多个隔离区的沟道加工深度保持一致；此外填充层本身也可以起到对于沟道结构的支撑作用，也可降低沟道结构坍塌的风险。由此可见，本申请所提供的显示面板的隔离区的结构不仅加工精度要求低，而且封装可靠性也更高。

附图说明

图1为本申请一实施例提供的显示面板的俯视图。

图2所示为图1所示显示面板沿AA₁线的截面示意图。

图3为本申请第一实施例提供的显示面板的局部截面示意图。

图4为图3所示显示面板的局部放大图。

图5为本申请第二实施例提供的显示面板的局部截面示意图。

图6为本申请一实施例提供的显示面板的制备方法流程图。

图7a-图7e本申请一实施例提供的显示面板在制作过程中的阶段性结构。

图8为本申请一实施例提供的步骤S510的具体执行过程。

具体实施方式

图1为本申请一实施例提供的显示面板的俯视图。如图1所示，显示面板100包括相邻设置的显示区D和开孔Q。开孔Q用于形成容纳预定元件的空间，该预定元件例如是传感器、摄像头等。为了避免空气中的氧气或水蒸气从开孔Q进入显示区D，在显示区D和开孔Q之间设置环绕开孔Q的隔离区ID。

具体而言，如图2所示为图1所示显示面板沿AA₁线的截面示意图。如图2所示，从膜层结构的角度来看，显示面板100包括阵列基板12，开孔Q在厚度方向贯穿阵列基板12。阵列基板12包括环绕开孔Q的隔离区ID和环绕隔离区ID的显示区D。隔离区ID表面设置有环绕开孔Q的隔离实体部142和中空的隔离间隙141，隔离实体部142和隔离间隙141相邻设置。隔离实体部142靠近隔离间隙141的侧壁上设置有沟道140，沟道140的深度方向背离隔离间隙141。显示区D表面设置有显示器件130，用于实现显示功能。显示器件130由依次叠置的多个功能膜层组成，该多个功能膜层中的至少一个功能膜层延伸至阵列基板12的隔离区ID，为了便于描述，下文将显示器件130中延伸至隔离区ID的至少一个功能膜层统称为延展层131。延展层131被隔离区ID的隔离间隙141隔断，从而切断了水蒸气和/或氧气的渗透路径。

然而，现有技术中的隔离间隙141的不同位置的阻隔能力不均，影响显示面板的使用寿命。申请人研究发现，造成这一结果的原因之一在于：如图2所示，为了确保延展层131在隔离间隙141处断开，通常在隔离实体部142靠近隔离间隙141的侧壁上设置沟道140。沟道140越深，延展层131在隔离间隙141处断开的可能性越大，相应地，隔离间隙141的水氧阻隔性能越好。然而，沟道140过深的话，形成沟道140的侧壁容易坍塌，可靠性低，因此通常选择一个适中的深度，现有技术中，通常采用湿法刻蚀的方法形成深度适中的沟道140。然而，由于湿法刻蚀工艺限制，可能存在经过刻蚀得到的沟道140的深度不一致的情况。这种情况下，沟道140深度浅的地方，就可能被延展层131覆盖，导致延展层131无法在此处断开，进而空气中的氧气和水蒸气就可以沿此路径渗入到显示器件130中，导致显示失效。

有鉴于此，本申请提供了一种显示面板及其制备方法，通过在沟道中设置填充层，使得沟道的加工难度大大降低。具体而言，因为后续可以通过填充层的加工过程来调整沟道的加工深度，因此沟道的加工深度可以尽量大一些以保证阻隔性能，因而沟道的深度方向的加工难度大大降低；而且当隔离区中包括多个隔离间隙时，通过填充层的加工过程也可使得多个隔离区的沟道加工深度保持一致；此外填充层本身也可以起到对于沟道结构的支撑作用，也可降低沟道结构坍塌的风险。

应当理解，虽然在上面的描述中以显示区D和显示器件130为例进行了解释，但本申请实施例所提供的隔离区ID的结构也可设置在其他器件去和开孔Q之间，以起到阻隔水氧通过开孔Q进入其他器件结构的作用。

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

图3为本申请一实施例提供的显示面板的截面示意图。图4为图3所示显示面板的局部放大图。结合图3和图4所示，显示面板200包括相邻设置的开孔Q和隔离区ID。隔离区ID设置有分别环绕开孔Q的隔离实体部242和隔离间隙241，隔离实体部242靠近隔离间隙241的侧壁上设置有沟道，沟道的深度方向背离隔离间隙241。显示面板200还包括填充层2420，填充层2420部分填充隔离实体部242侧壁上的沟道。

在一个实施例中，填充层2420的材料为有机材料，例如聚酰亚胺、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯中的任一种。由于有机材料层更易于加工，例如刻蚀工艺的精度更容易控制，因此采用有机材料形成填充层2420，相当于利用有机材料调整和限定沟道的实际深度。进而可以确保延展层131完全断开，不会存在因凹陷深度不够而连接的部分，从而提高了隔离间隙241的水氧阻隔均一性。

隔离实体部242形成隔离间隙241的至少部分侧壁。在本申请一实施例中，隔离实体部242可以与显示区D的薄膜晶体管中的源极和漏极同步制备。

在一个实施例中，隔离间隙241位于隔离实体部242和显示区D之间，隔离实体部242形成隔离间隙241的一面侧壁，由隔离实体部242形成的隔离间隙241的侧壁上设置有沟道。沟道的数量可以根据实际需要合理设置。在一个实施例中，由隔离实体部242形成的隔离间隙241的侧壁上设置有一条沟道，如图3和4所示。在另一个实施例中，由隔离实体部242形成的隔离间隙241的侧壁上设置有多条沟道，该多条沟道沿开孔Q的轴线方向L依次排布。

在另一个实施例中，隔离区ID包括两个隔离实体部242，两个隔离实体部242由内向外逐层环绕开孔Q，隔离间隙241位于两个隔离实体部242之间，两个隔离实体部242分别形成隔离间隙241的两面侧壁，两面侧壁上分别设置有沟道。这种情况下，对于一个隔离间隙241而言，可以将延展层131分别在隔离间隙241的两面侧壁上隔断，相比于仅在隔离间隙241的一面侧壁上设置沟道而言，可以进一步提升水氧阻隔效果。两面侧壁上的沟道的数量相等或不等。在一个实施例中，沟道通过湿法刻蚀工艺形成，两面侧壁上的沟道对称设置。由于湿法刻蚀具有不定向性，因此，在两面侧壁上同步形成对称的沟道，更易于工业实现。

在一个实施例中，隔离区ID包括多个隔离间隙241，多个隔离间隙241沿远离开孔Q的中心方向分布设置。相邻两个隔离间隙241通过隔离实体部242隔开。在一个实施例中，多个隔离间隙241沿开孔Q的径向逐层环绕开孔Q。

在一个实施例中，参阅图3和图4，隔离实体部242包括依次层叠的多个隔离层，多个隔离层包括与延展层131，即发光器件130中的至少一个功能膜层接触的顶层隔离层，多个隔离层中除了顶层隔离层之外的至少一个隔离层在平行于开孔Q的端面方向上的宽度小于顶层隔离层。

通过在隔离实体部242中设置多个隔离层，相当于形成了环绕开孔Q的止挡面。这样，可以防止水氧经过填充层2420直接穿过隔离实体部242渗入显示区D，从而进一步提升封装效果。在一个实施例中，隔离层的材料为无机材料，由于无机材料的水氧阻隔性能高于有机材料，因此隔离层本身也可起到一定的水氧阻隔作用。

例如，如图3和图4所示，隔离实体部242包括依次叠置在阵列基板12上的两层隔离层，即第一隔离层2421和第二隔离层2422。第一隔离层2421在第二隔离层2422上的正投影落入第二隔离层2422内。第二隔离层2422包括靠近第一隔离层2421的第一表面，第一表面不与第一隔离层2421接触的部分和第一隔离层2421的侧壁、阵列基板12的表面共同形成沟道。填充层2420部分填充沟道。

为了便于形成半制成沟道，第二隔离层2422的材料的耐刻蚀性高于第一隔离层2421的材料的耐刻蚀性。在一个实施例中，第二隔离层2422的材料选自铝、铜和阴中的任一种。第一隔离层2421的材料选自钛、金和铂中的任一种。

次如，图5所示隔离实体部342和图4所示隔离实体部带242的区别仅在于，隔离实体部342还包括位于阵列基板12和第一隔离层3421之间的第三隔离层3423，第三隔离层3423在第二隔离层3422上的正投影与第二隔离层3422重合。第三隔离层3423包括靠近第一隔离层3421的第二表面，第二表面不与第一隔离层3421接触的部分、第一隔离层3421的侧壁、第一表面不与第一隔离层3421接触的部分共同形成沟道。填充层3420部分填充沟道。在一个实施例中，第三隔离层3423的材料选自钛、金和铂中的任一种。

在一个实施例中，阵列基板12包括位于显示区D的薄膜晶体管，薄膜晶体管包括源极和漏极。多个隔离层的层布置结构可以和源极和漏极的层布置结构相同。具体而言，以图3和图4所示显示面板为例，阵列基板12的隔离区ID表面布置有隔离实体部242，隔离实体部242包括依次叠置的两层隔离层，即第一隔离层2421和第二隔离层2422。阵列基板12的显示区D内布置有薄膜晶体管120，薄膜晶体管120包括源极112S和漏极112D，源极112S和漏极112D的层叠结构相同，包括依次叠置的第一金属层和第二金属层。第一金属层和第二金属层分别与第一隔离层2421和第二隔离层2422同步制备。这种情况下，可以整层制备第一金属材料层和第二金属材料层，通过对第一金属材料层的图形化处理，分别在显示区D形成第一金属层，在隔离区ID形成第一隔离层2421；通过对第二金属材料层的图形化处理，分别在显示区D形成第二金属层，在隔离区ID形成第二隔离层2422，从而简化制备工艺。

在一个实施例中，位于显示区的阵列基板12上制备有用于界定像素发光区域的像素界定层，填充层可与像素界定层的材料相同。这样填充层2420可以与像素界定层同步制备。

仍以图3和图4所示显示面板为例，显示面板包括阵列基板12，阵列基板12的显示区D上布置有像素界定层114，阵列基板12的隔离区ID上布置有隔离间隙241，隔离间隙241的侧壁上设置有沟道，沟道被填充层2420部分填充。像素界定层114的材料和填充层2420的材料相同。这种情况下，可以整层制备有机材料层，通过对有机材料层的图形化处理，在显示区D形成像素界定层114，并同时在隔离区ID形成填充层2420，从而进一步简化工艺。

在一个实施例中，如图3所示，显示面板还包括布置在阵列基板12上，被像素界定层114包围的显示器件130，以及覆盖显示器件130并延伸至非显示区ID的封装层150。在一个实施例中，封装层150包括第一无机层151和有机层152，以阻挡水蒸气和氧气的侵蚀。在非显示区ID，第一无机层151覆盖延展层131，并且第一无机层151填充隔离带240的至少部分侧蚀沟道，使得被隔断的延展层131的相邻区段间形成物理绝缘。在一个实施例中，在有机层上形成有第二无机层153。第一无机层151和第二无机层153靠近开孔Q的部分连接在一起，以包围有机层152，从而充分发挥第一无机层151和第二无机层153的阻隔能力。在一个实施例中，第一无机层151和第二无机层153的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝中的任一种。

本申请还提供了一种显示面板的制备方法。图6为本申请一实施例提供的显示面板的制备方法流程图。图7a-图7e本申请一实施例提供的显示面板在制作过程中的阶段性结构。该制备方法用于上述任一实施例提供的显示面板，显示面板的制备方法包括制备隔离带的过程，具体包括：

步骤S510，制备围绕显示面板的开孔区设置的隔离实体部和半制成隔离间隙，其中，隔离实体部和半制成隔离间隙相邻布置，隔离实体部靠近半制成隔离间隙的侧壁上设置有沟道，沟道的深度方向背离半制成隔离间隙。开孔区可为用于形成容纳传感器、摄像头等部件的开孔的预留加工区域，也可就为开孔，本申请对开孔的加工步骤的具体执行时机不做严格限定。步骤S510的执行过程具体参见图8，包括：

步骤S511，参阅图7a，在阵列基板12上依次制备多个隔离材料层。

该多个隔离材料层后续用于形成隔离实体部。多个隔离材料层是依次形成在阵列基板12上的未经图案化的膜层。在一个实施例中，多个隔离材料层为多个无机材料层。多个隔离材料层的材料相同或不同。例如，如图7a所示，在阵列基板12上依次制备第一隔离材料层和第二隔离材料层，第一隔离材料层的材料选自铝、铜和阴中的任一种，第二隔离材料层的材料选自钛、金或铂中的任一种。

步骤S512，参阅图7a，对多个隔离材料层的第三区域P进行图形化处理，得到具有平整侧壁的半制成隔离实体部和中空隔断带，如图7b所示。

参阅图3和图4所示，第三区域P是指多个隔离材料层位于隔离区ID的部分区域。对第三区域P进行图形化处理是指有目的的去掉第三区域P的部分隔离材料层，例如，刻蚀掉第三区域P的隔离材料层的中部区域和/或边缘区域，以得到图形化结构。该图形化结构包括具有平整侧壁的半制成隔离实体部和去掉多个隔离材料层后得到的中空沟槽，即中空隔断带。

仍以两个隔离材料层为例，选定刻蚀区域包括隔离材料层的中部区域、靠近孔区Q的第一边缘区域和靠近显示区D的第二边缘区域。在选定的刻蚀区域，通过干法刻蚀去掉第一隔离材料层和第二隔离材料层，以得到具有平整侧壁的半制成隔离实体部242’和中空隔断带2410。这种情况下，如图7b所示，可以得到三个中空隔断带2410和两个半制成隔离实体部242’，每个半制成隔离实体部242’包括依次叠置在阵列基板12上的半制成第一隔离层2421’和第二隔离层2422，半制成第一隔离层2421’和第二隔离层2422的侧面平齐。半制成第一隔离层2421’是第一隔离材料层经刻蚀后形成的侧边与第二隔离层2422对齐的膜层。

干法刻蚀工艺具有定向性特点，使得经刻蚀的层的侧面的形貌更可控。因此，通过干法刻蚀工艺可以形成具有平整侧壁的半制成隔离实体部242’和中空隔断带2410。

步骤S513，对半制成隔离实体部242’的平整侧壁进行侧蚀，以得到隔离实体部242和半制成隔离间隙2411。

参阅图7c，采用湿法刻蚀工艺对半制成隔离实体部242’的侧壁进行侧蚀，以在半制成隔离实体部242’的侧壁上形成较深的半制成沟道，从而得到隔离实体部242和半制成隔离间隙2411。

在一个实施例中，为了便于在中空隔断带2410的平整侧壁上形成沟道，选择第一隔离材料层的耐刻蚀性弱于第二隔离材料层。这样，半制成的第一隔离层2421’相比于第二隔离层2422而言，易受到刻蚀液侵蚀，使得半制成的第一隔离层2421’从侧面向内被逐渐刻蚀，从而形成较深的半制成沟道，以得到半制成隔离间隙。

在一个实施例中，可以使用酸性刻蚀液对半制成的第一隔离层2421’进行刻蚀。

由于湿法刻蚀工艺限制，可能存在经过刻蚀得到的侧蚀沟道的深度不一致的情况。例如，在垂直于显示面板的某一截面上，半制成隔离间隙2411两侧的半制成沟道的深度不均；又例如，半制成隔离间隙2411同侧的半制成沟道各处的深度不均。

步骤S520，参阅图7d，制备填充半制成隔离间隙2411的填充材料层2420’。填充材料层2420’可以是有机材料层，有机材料层的材料选自聚酰亚胺、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯中的任一种。

步骤S530，参阅图7d，对填充材料层2420’的第一区域W进行图形化处理，形成填充部分沟道的填充层2420，以得到具有适中深度的沟道的隔离间隙241，如图7e所示。

参阅图3和图4所示，第一区域W是指填充材料层位于隔离区ID的部分区域。在一个实施例中，填充材料层为有机材料层，该有机材料层例如为正性光刻胶层。则步骤S530具体执行为：利用掩膜板，采用光刻工艺，对有机材料层的第一区域W进行曝光，并通过过曝方式使得光能照射到沟道内部以形成侧向曝光。具体地，可以通过控制曝光强度来控制沟道内有机材料层的曝光范围，从而达到控制沟道内有机材料层的侧刻蚀程度的目的；溶解去除曝光后的有机材料层，得到部分填充半制成隔离带2411的沟道的有机层2420以得到最终的隔离间隙241。

有机层2420填充部分沟道，也就是说，最终得到的隔离间隙241的侧壁上的沟道仍具备足够深度。利用有机层2420填充部分沟道，相当于利用有机层2420调整隔离间隙241的侧壁上的沟道的深度。由于，有机层2420相比于无机层而言，具有更高的刻蚀精度。因此，利用有机层2420限定隔离间隙241的侧壁上的沟道的深度，可以补偿由无机层形成的深度不均匀的沟道，例如图7c所示半制成隔离间隙2411中的半制成沟道的深度不一致的情况，从而形成如图7e所示的具有凹陷深度一致的沟道的隔离间隙241，进而可以确保延展层131在隔离间隙241处完全断开，不会存在因凹陷深度不够而连接的部分，从而实现了封装效果的提升。

在一个实施例中，阵列基板12包括位于显示区D的薄膜晶体管，薄膜晶体管包括源漏极。显示面板的制备方法500在步骤S512的同时，还包括：对多个隔离材料层的第四区域进行图形化处理，得到源极和漏极。

具体而言，参阅图3，首先，在衬底基板上依次制备阻挡层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间介质层，在显示区D的层间介质层和栅极绝缘层上开设过孔，以暴露有源层；其次，在层间介质层上依次沉积多个无机材料层，多个无机材料层延伸至隔离区ID，并填充显示区D的过孔；接着，对多个无机材料层进行图形化处理，在显示区D形成源极和漏极，在隔离区ID形成具有平整侧壁的中空隔断带2410。后续，接着执行步骤S513、步骤S520、步骤S530，以得到具有均匀深度的沟道的隔离间隙241。

在一个实施例中，阵列基板12的显示区D上布置有像素界定层，像素界定层的材料和有机材料层的材料相同。显示面板的制备方法500在步骤S520之后，还包括：对填充材料层的第二区域进行图形化处理，形成像素界定层。

具体而言，继续参阅图3，根据步骤S510得到具有半制成沟道的半制成隔离间隙2411之后，首先，制备覆盖半制成隔离间隙2411的有机材料层，该有机材料层延伸至显示区D；接着，对有机材料层进行图形化处理，通过分别控制有机材料层在显示区D和隔离区ID的刻蚀条件，在显示区D形成具有开孔的像素界定层114，在隔离区ID形成部分填充半制成沟道的有机膜层2423，从而得到最终的隔离间隙241。

在一个实施例中，像素界定层包括开口。在步骤S521之后，还包括：在像素界定层的开口内制备显示器件，显示器件包括延伸至隔离区ID的至少一个功能膜层，至少一个功能膜层被隔离间隙隔断。

具体而言，继续参阅图3，根据步骤S530得到隔离间隙241和像素界定层114之后，首先，采用精细金属掩膜板工艺，在像素界定层114上依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层；然后，采用蒸镀和喷墨打印的方法，依次制备阴极层、光取出层。阴极层和光取出层延伸至隔离区ID，并在隔离区ID被隔离间隙241隔断。

可见，在上述实施例中，阴极层和光取出层相当于延展层131。在形成延展层131后，可以继续制备封装结构。例如，继续参阅图3，在延展层131上沉积第一无机层151。第一无机层151的至少部分填充侧蚀沟道，使得延展层131在隔离带24上的部分被第一无机层151完整封装。延展层131在物理上被隔绝。在一个实施例中，第一无机层151可以通过化学气相沉积或原子层沉积工艺制备。化学气相沉积和原子层沉积具有良好的图形覆盖性，能够填充隔离间隙的侧壁上的沟道，使得易受水蒸气和氧气侵蚀的延展层131被第一无机层151隔断，阻断入侵通道。在第一无机层151上可以设置有机层152。有机层152的特性使得其靠近开孔区的部分的厚度逐渐变薄。在一个实施例中，还可以在有机层152上提供第二无机层153，并且使得第二无机层153靠近开孔区的部分与第一无机层151靠近开孔区的部分连接在一起，并包裹有机层152，以充分发挥无机层的阻隔性能。有机层152的边缘以覆盖隔离间隙241的隔断范围为宜，使得第二无机层153得以沉积在相对平滑的表面上，提高膜层的可靠性。

在封装完成后，可以采用机械、激光、刻蚀等方法，对开孔区进行贯通开口，形成开孔Q，以备后续的其他工艺。

为了例示和描述的目的已经给出了以上描述。此外，此描述不意图将本申请的实施例限制在此公开的形式。尽管以上已经讨论了多个示例方面和实施例，但是本领域技术人员将认识到其某些变型、修改、改变、添加和子组合。

Claims (8)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

开孔；

隔离区，所述隔离区设置有分别环绕所述开孔的隔离实体部和隔离间隙，所述隔离实体部和所述隔离间隙相邻布置，所述隔离实体部靠近所述隔离间隙的侧壁上设置有沟道，所述沟道的深度方向背离所述隔离间隙；

部分填充所述沟道的填充层；以及

显示器件，用于发出显示光，所述显示器件包括至少一个功能膜层，所述至少一个功能膜层延伸至所述隔离区；所述至少一个功能膜层被所述隔离间隙隔断；

所述隔离实体部包括依次层叠的多个隔离层，所述多个隔离层包括与所述至少一个功能膜层接触的顶层隔离层；所述多个隔离层中除了所述顶层隔离层之外的至少一个隔离层在平行于所述开孔的端面方向上的宽度小于所述顶层隔离层。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述填充层的材料包括有机材料。

3.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，所述隔离区包括多个所述隔离间隙；

其中，所述多个所述隔离间隙沿远离所述开孔的中心方向分布设置。

4.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：

制备围绕所述显示面板的开孔区设置的隔离实体部和半制成隔离间隙，其中，所述隔离实体部和所述半制成隔离间隙相邻布置，所述隔离实体部靠近所述半制成隔离间隙的侧壁上设置有沟道，所述沟道的深度方向背离所述半制成隔离间隙；

制备填充所述半制成隔离间隙的填充材料层；以及

对所述填充材料层的第一区域进行图形化处理，形成填充部分所述沟道的填充层，以得到隔离间隙。

5.根据权利要求4所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述制备填充所述半制成隔离间隙的填充材料层之后，还包括：

对所述填充材料层的第二区域进行图形化处理，形成像素界定层。

6.根据权利要求5所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述像素界定层包括开口；在所述对所述填充材料层的第二区域进行图形化处理，形成像素界定层之后，还包括：

在所述像素界定层的所述开口内制备显示器件，所述显示器件包括至少一个功能膜层，所述至少一个功能膜层被所述隔离间隙隔断。

7.根据权利要求4-6中任一项所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述制备围绕所述显示面板的开孔区设置的隔离实体部和半制成隔离间隙，包括：

在阵列基板上依次制备多个隔离材料层；

对所述多个隔离材料层的第三区域进行图形化处理，得到具有平整侧壁的半制成隔离实体部和中空隔断带；

对所述半制成隔离实体部的所述平整侧壁进行侧蚀，以得到所述隔离实体部和所述半制成隔离间隙。

8.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述对所述多个隔离材料层的第三区域进行图形化处理，得到具有平整侧壁的半制成隔离实体部和中空隔断带的同时，还包括：

对所述多个隔离材料层的第四区域进行所述图形化处理，得到源极和漏极。

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