CN112823195A - 研磨剂、玻璃的研磨方法、以及玻璃的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提高玻璃的平滑性。研磨剂(A)含有非晶碳和水,非晶碳和水的合计量以质量比计为研磨剂整体的90%以上。
Description
技术领域
本发明涉及研磨剂、玻璃的研磨方法、以及玻璃的制造方法。
背景技术
作为玻璃板的表面的研磨剂,一般而言可使用氧化铈、胶体二氧化硅等。近年来,玻璃板的平滑性的要求高涨,特别是用于导光板等光学材料的情况下要求更高等级的平滑性。例如专利文献1中记载了将气相二氧化硅用作研磨剂的方案,专利文献2中记载了将树脂用作研磨剂的方案,专利文献3中记载了将金刚石用作研磨剂的方案。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2009-50920号公报
专利文献2:国际公开第2015/046542号公报
专利文献3:日本特开2016-216703号公报。
发明内容
然而,对于用于提高玻璃的平滑性的研磨剂,有改善的余地。因此,需要提供一种能够提高玻璃的平滑性的研磨剂。
本发明鉴于上述课题而完成,目的在于提供一种能够提高玻璃的平滑性的研磨剂、玻璃的研磨方法、以及玻璃的制造方法。
为了解决上述的课题、实现目的,本公开所涉及的研磨剂含有非晶碳和水,非晶碳和水的合计量以质量比计为研磨剂整体的90%以上。
为了解决上述的课题、实现目的,本公开所涉及的玻璃的研磨方法使用上述研磨剂而研磨玻璃。
为了解决上述的课题、实现目的,本公开所涉及的玻璃的制造方法使用上述玻璃的研磨方法而制造玻璃。
根据本发明,能够提高玻璃的平滑性。
附图说明
图1是说明本实施方式所涉及的玻璃的制造方法的示意图。
具体实施方式
以下参照附图,对本发明的优选的实施方式详细进行说明。应予说明,本发明不受该实施方式限定,另外,在有多个实施方式的情况下,还包括组合各实施方式而构成的方案。另外,数值包括四舍五入的范围。
本实施方式所涉及的研磨剂A是用于玻璃10的研磨的研磨剂。研磨剂A含有水和非晶碳。这里的水优选为纯水。非晶碳是指不具有晶体结构的非晶的碳,是不具有石墨结构这种平面的晶体结构和金刚石这样的晶体结构的碳。非晶碳也可称为无定形碳。非晶碳例如可以利用油炉法进行制造。油炉法中,例如在1300度以上的高温气氛中吹喷原料油使其热分解后,进行快速冷却,由此制造非晶碳。其中,非晶碳的制造方法不限于此,可以是任意的。
非晶碳可以通过X射线衍射法确定。例如作为分析对象物的碳的X射线衍射分析结果中的峰波形与已知的石墨结构的峰波形、已知的金刚石结构的峰波形不同的情况下,可以判断为非晶碳。应予说明,作为石墨结构的峰波形,可以使用ICSD No.53780、No.53781的数据,作为金刚石结构的峰波形,可使用ICSD No.53779的数据。
另外,本申请中非晶体不具有晶体结构,因此有时表现为一级结构,具有二维晶体结构的扩展的石墨有时表现为二级结构、具有三维晶体结构的扩展的材料有时表现为三级结构。
作为研磨剂A所含的磨粒的非晶碳的平均一次粒径优选在20nm~500nm的范围内,更优选为20nm~150nm的范围内。应予说明,一次粒径是指一个粒子的粒径,平均一次粒径是指一次粒径的平均值。另外,这里的20nm~500nm是指20nm以上且500nm以下,以下也相同。通过使平均一次粒径为20nm以上,能够减少玻璃10的表面粗糙度,通过使平均一次粒径为500nm以下,能够抑制玻璃10的表面的伤痕的形成。通过使平均一次粒径为150nm以下,能够进一步适当地抑制玻璃10的表面的伤痕的形成。
应予说明,本实施方式的非晶碳的平均一次粒径的测定方法是任意的,例如可以根据利用BET法测定的比表面积(m2/g)和碳的密度(例如7.215g·cm3),假定粒子为球形且磨粒中没有细孔而求出BET直径,由该BET直径算出平均一次粒径。
本实施方式中,可以对在研磨剂A中含有的疏水性的非晶碳实施亲水化处理。一般而言,非晶碳显示疏水性,对水的分散性差。亲水性的非晶碳在纯水中的分散性良好,因此与不对表面实施亲水化处理的疏水性的非晶碳相比,能够以更低浓度适宜地使用,因而优选。亲水化处理的方法没有限定,例如可以通过等离子体处理、UV处理、基于表面活性剂等的表面修饰这样的公知方法来在非晶碳的表面形成亲水基团。即,表面含有亲水基团而与水的亲和性高的非晶碳可以称为亲水性的非晶碳。作为亲水基团,通常是羟基,另外,也可举出羧基、氨基、环氧乙烷等。
本实施方式中,研磨剂A中的非晶碳和水的合计含量优选相对于研磨剂A的整体,以质量比计优选为90%以上,换言之,优选为90%~100%。另外,本实施方式中,研磨剂A的非晶碳的含量相对于研磨剂A的整体,以质量比计优选为0.0001%~20%,更优选为0.0005%~1%。通过使非晶碳和水的合计含量为90%以上,能够适当地研磨玻璃10。另外,通过非晶碳的含量为0.0001%以上,能够适当地研磨玻璃10,通过为20%以下能够抑制玻璃10的表面的伤痕的形成。另外,通过使非晶碳的含量为0.0005%以上能够更适当地研磨玻璃10,通过为1%以下能够更为适当地抑制玻璃10的表面的伤痕的形成。
[其他的成分]
另外,研磨剂A在非晶碳和水的基础上,作为其他的成分,可以将酸、碱等PH调整材料和分散剂等公知的添加剂相对于研磨剂A的整体以质量比计最多包含10%。作为分散剂,可举出在末端含有羧基、磺基、羟基等的聚合物、非离子性表面活性剂、阴离子性表面活性剂、阳离子性表面活性剂等。通过在研磨剂A添加分散剂,从而例如使疏水性的非晶碳在水中适当地分散而能够使玻璃10的研磨面均匀。例如,研磨剂A中的分散剂的含量相对于研磨剂A的整体,以质量比计,优选为0.001%~10%。通过使分散剂的含量为0.001%以上,能够使非晶碳在水中适当地分散,通过使分散剂的含量为10%以下,能够抑制分散剂的多余的消耗。
本实施方式中,使用以上的研磨剂A研磨玻璃10,制造玻璃10。研磨剂A可以研磨任意组成的玻璃。作为通过研磨剂A进行研磨的玻璃10,例如可举出钠钙玻璃、硼硅酸玻璃、结晶化玻璃、石英玻璃等。玻璃10在本实施方式中是板状的玻璃板,可以是平板状,也可以是弯曲的。但是,玻璃10的形状可以是任意的。
以下,对本实施方式所涉及的玻璃10的制造方法进行说明。图1是说明本实施方式所涉及的玻璃的制造方法的示意图。如图1所示,本实施方式所涉及的制造方法中,首先,准备研磨前的玻璃10(步骤S10)。例如,将利用熔融铸造法等任意的方法制造的玻璃切出规定的大小,使切出的玻璃薄壁化(研磨),从而准备研磨前的玻璃10。作为薄壁化的方法,例如可举出用磨石将切出的玻璃干式研磨等。但是,研磨前的玻璃10的准备方法不限于以上的说明,是任意的。
在准备研磨前的玻璃10之后,对研磨前的玻璃10,执行氧化铈研磨步骤(步骤S12)。氧化铈研磨步骤中,使用氧化铈研磨剂A1作为研磨剂来研磨玻璃10。氧化铈研磨剂A1是含有作为磨粒的氧化铈和水的研磨剂。氧化铈研磨步骤中,使用在表面具备研磨垫Da的研磨装置D而研磨玻璃10。在氧化铈研磨步骤中,一边向玻璃10的表面供给液状的氧化铈研磨剂A1、一边在使研磨垫Da挤压玻璃10的表面的状态下使研磨垫Da旋转,从而研磨玻璃10的表面。通过使用氧化铈研磨剂A1而研磨玻璃10的表面,从而将被研磨的玻璃10的表面的表面粗糙度Ra(算术平均粗糙度)例如控制在0.2nm~0.6nm的范围内。应予说明,氧化铈研磨步骤中,对玻璃10的一个表面10a和同表面10a相反一侧的表面10b中的至少一方进行研磨。另外,可以在氧化铈研磨步骤执行后利用与后述的步骤S16相同的方法清洗玻璃10。另外,氧化铈研磨步骤中,不限于使用图1中示出的结构的研磨装置D来研磨玻璃10,只要使用氧化铈研磨剂A1,则可以利用任意的方法研磨玻璃10。
在使用氧化铈研磨剂A1来研磨玻璃10后,对使用氧化铈研磨剂A1研磨了的玻璃10,执行二氧化硅研磨步骤(步骤S14)。二氧化硅研磨步骤中,使用二氧化硅研磨剂A2作为研磨剂来研磨玻璃10。二氧化硅研磨剂A2是含有作为磨粒的二氧化硅和水的研磨剂。作为二氧化硅,可以使用胶体二氧化硅。二氧化硅研磨步骤中,使用研磨装置D来研磨玻璃10。二氧化硅研磨步骤中,一边向玻璃10的表面供给液状的二氧化硅研磨剂A2,一边在使研磨垫Da挤压玻璃10的表面的状态下使研磨垫Da旋转,从而研磨玻璃10的表面。通过使用二氧化硅研磨剂A2来研磨玻璃10的表面,从而将被研磨的玻璃10的表面的表面粗糙度Ra例如控制在0.1nm~0.3nm的范围内。应予说明,二氧化硅研磨步骤中,对玻璃10的一个表面10a和表面10b中的至少一方进行研磨。另外,二氧化硅研磨步骤中,不限于使用研磨装置D来研磨玻璃10,只要使用二氧化硅研磨剂A2,则可以利用任意的方法研磨玻璃10。
在使用二氧化硅研磨剂A2而研磨玻璃10后,清洗玻璃10(步骤S16)。步骤S16中,将使用二氧化硅研磨剂A2研磨了的玻璃10装入清洗容器E内,进行清洗。例如清洗容器E在内部装满水等液体,利用吹气装置对液体进行吹气。通过玻璃10浸渍于清洗容器E内的液体而利用吹气装置吹气,从而进行清洗。但是,玻璃10的清洗方法并不限于此,可以是任意的。另外,玻璃10的清洗并不必须。
在清洗玻璃10后,对清洗后的玻璃10执行研磨步骤(步骤S18)。研磨步骤中,使用研磨剂A而研磨玻璃10,但可以预先在与研磨步骤相同的条件下设置调试研磨步骤。研磨步骤中,使用研磨装置D1研磨玻璃10。研磨装置D1例如具备圆柱状的研磨垫D1a,将研磨垫D1a的侧面按压在玻璃10的表面,使研磨垫D1a在沿着玻璃10的表面的方向相对于玻璃10进行相对移动,从而研磨玻璃10的表面。研磨步骤中,一边向玻璃10的表面供给液状的研磨剂A,一边在使研磨垫D1a挤压玻璃10的表面的状态下相对移动,从而研磨玻璃10的表面。通过使用研磨剂A来研磨玻璃10的表面,从而使被研磨的玻璃10的表面的表面粗糙度Ra例如在0.03nm~0.05nm的范围内。应予说明,研磨步骤中,对玻璃10的一个表面10a和表面10b中的至少一方进行研磨。应予说明,研磨步骤中,并不限于使用圆柱状的研磨垫D1a而研磨玻璃,例如可以使用研磨装置D进行研磨。即,研磨步骤中,只要使用研磨剂A,则可以利用任意的方法研磨玻璃10。
研磨步骤中,优选使每单位时间研磨剂A对玻璃10的表面的供给量为1mL/min~30mL/min。通过使研磨剂A的供给量为1mL/min以上,从而向研磨垫D1a供给充分量的磨粒,表面平滑性良好,通过为30mL/min以下,能够抑制磨粒的多余的消耗。另外,研磨步骤中,优选将作为使研磨垫向玻璃10的表面挤压的压力的按压力设为40g/cm2~200g/cm2。通过使按压力为40g/cm2以上,能够适当地研磨玻璃10,通过为200g/cm2以下,能够抑制玻璃10的表面的伤痕的形成。应予说明,研磨步骤中的研磨垫的按压力可以设定得比氧化铈研磨步骤以及二氧化硅研磨步骤中的研磨垫的按压力小。另外,研磨步骤中,优选将利用研磨垫的研磨时间设为1分钟以上且10分钟以下。通过使研磨时间为1分钟以上,能够适当地研磨玻璃10,通过为10分钟以下,能够抑制玻璃10的表面的伤痕的形成。应予说明,研磨步骤的研磨时间可以设定得比氧化铈研磨步骤和二氧化硅研磨步骤的研磨时间短。
在使用研磨剂A研磨玻璃10后,清洗玻璃10(步骤S20)。步骤S20中,使用研磨剂A而将玻璃10装入清洗容器E内,利用与步骤S16相同的方法,清洗玻璃10。但是,步骤S20的玻璃10的清洗方法也是任意的,步骤S20并不是必须的工序。
以上,本实施方式中,用氧化铈研磨剂A1研磨玻璃10,用二氧化硅研磨剂A2研磨用氧化铈研磨剂A1研磨后的玻璃10,用研磨剂A研磨用二氧化硅研磨剂A2研磨后的玻璃10。如此通过研磨玻璃10,能够制造表面粗糙度小且平滑性高的玻璃10。但是,玻璃10的研磨工序并限于此,例如可以不执行利用二氧化硅研磨剂A2的研磨(步骤S14)。此时,用氧化铈研磨剂A1研磨玻璃10,用研磨剂A研磨用氧化铈研磨剂A1研磨后的玻璃10。另外,利用氧化铈研磨剂A1的研磨不是必须的,在本实施方式中,至少用研磨剂A研磨玻璃10即可。
如以上说明,本实施方式所涉及的研磨剂A含有非晶碳和水,非晶碳和水的合计量以质量比计,为研磨剂A的整体的90%以上。通过使用非晶碳作为研磨剂A,能够减少玻璃10的表面粗糙度,能够提高玻璃10的平滑性。
另外,研磨剂A优选非晶碳的平均一次粒径在20nm~500nm的范围内。通过使平均一次粒径为20nm以上,能够减少玻璃10的表面粗糙度,通过使平均一次粒径为500nm以下,能够抑制玻璃10的表面的伤痕的形成。这样,通过使用非晶碳作为研磨剂,能够在减少粒径而抑制玻璃10的伤痕的形成的同时,减少玻璃10的表面粗糙度,并提高玻璃10的平滑性。
另外,研磨剂A优选非晶碳的含量相对于研磨剂A的整体以质量比计为0.0001%~20%的范围内。通过非晶碳的含量为0.5%以上,能够适当地研磨玻璃10,通过为20%以下,能够适当地抑制玻璃10的表面的伤痕的形成。
另外,研磨剂A优选进一步含有分散剂。通过向研磨剂A添加分散剂,能够使非晶碳在水中适当地分散而使玻璃10的研磨面均匀。
另外,优选研磨剂A的非晶碳为亲水性。通过使非晶碳为亲水性,即使低浓度也能够适宜地使用。
另外,研磨剂A用于玻璃研磨。通过使用研磨剂A而研磨玻璃10,能够提高玻璃10的平滑性。
另外,本实施方式所涉及的玻璃10的研磨方法使用研磨剂A而研磨玻璃10。通过使用研磨剂A而研磨玻璃10,能够提高玻璃10的平滑性。
另外,本实施方式所涉及的玻璃10的研磨方法包括氧化铈研磨步骤和氧化铈步骤后执行的研磨步骤。氧化铈研磨步骤中,利用含有氧化铈的氧化铈研磨剂A1研磨玻璃10。研磨步骤中,氧化铈研磨步骤后,用研磨剂A研磨玻璃10。本研磨方法中,通过用氧化铈研磨剂A1研磨玻璃10后利用研磨剂A研磨玻璃,能够减少玻璃10的表面粗糙度Ra而提高玻璃10的平滑性。
另外,本实施方式所涉及的玻璃10的研磨方法还包括氧化铈研磨步骤后,利用含有二氧化硅的二氧化硅研磨剂A2研磨玻璃10的二氧化硅研磨步骤。研磨步骤中,二氧化硅研磨步骤后,利用研磨剂A研磨玻璃10。本研磨方法中,通过用研磨剂A研磨用氧化铈研磨剂A1和二氧化硅研磨剂A2研磨了的玻璃10,能够减少玻璃10的表面粗糙度Ra,能够进一步适宜地提高玻璃10的平滑性。
另外,本实施方式所涉及的玻璃10的制造方法使用本实施方式所涉及的玻璃10的研磨方法来制造玻璃10。本制造方法通过用研磨剂A研磨玻璃10而制造玻璃10,能够提高玻璃10的平滑性。特别是使用研磨剂A研磨的玻璃10的平滑性高,因此能够适宜用作导光板等光学元件。
(实施例)
接下来,对实施例进行说明。应予说明,只要起到发明的效果,可以变更实施方式。实施例和比较例中,准备不同的研磨剂,使用各个研磨剂而研磨玻璃,测定研磨后的玻璃的表面粗糙度Ra,基于表面粗糙度Ra的测定结果评价研磨剂。以下,更详细进行说明。
[评价用玻璃]
实施例和比较例中,准备第1边的长度为50mm、与第1边交叉的第2边的长度为50mm且厚度为1.0mm的玻璃。作为玻璃,准备无碱硼硅酸玻璃、更详细而言是AGC株式会社制的AN100,和铝硅酸盐玻璃、更详细而言是AGC株式会社制的Rollandα’。实施例5中,使用Rollandα’。
[氧化铈研磨后玻璃]
实施例和比较例中,将准备的玻璃按照下述的条件使用氧化铈研磨剂A1进行研磨。即,作为研磨装置,使用SpeedFam株式会社制FAM12BS,作为氧化铈研磨剂A1,使用含有95重量%水、5重量%昭和电工制氧化铈磨粒的研磨剂。另外,作为研磨垫,使用FILWEL公司制Suede pad AG8,将底板的转速设为40rpm,将研磨垫的按压力设为144g/cm2,将研磨时间设为30分钟,将氧化铈研磨剂A1的供给量设为5ml/min。将在这样的条件下使用氧化铈研磨剂A1而研磨的玻璃在以下适宜地记载为氧化铈研磨后玻璃。氧化铈研磨后玻璃的表面粗糙度Ra为0.55nm。
[二氧化硅研磨后玻璃]
另外,实施例和比较例中,将准备的玻璃按照下述的条件使用二氧化硅研磨剂A2进行研磨。即,作为研磨装置,使用SpeedFam株式会社制FAM12BS,作为二氧化硅研磨剂A2,使用含有93重量%水、7重量%FUJIMI INCORPORATED公司制胶体二氧化硅磨粒的研磨剂。另外,作为研磨垫,使用FILWEL公司制Suede padNP787,将底板的转速设为40rpm,将研磨垫的按压力设为100g/cm2,将研磨时间设为20分钟,将二氧化硅研磨剂A2的供给量设为5ml/min。将在这样的条件下使用二氧化硅研磨剂A2而研磨的玻璃在以下适当地记载为二氧化硅研磨后玻璃。二氧化硅研磨后玻璃的表面粗糙度Ra为0.15nm。
[研磨条件]
然后,使用以下的表1所示的实施例和比较例示出的组成的研磨剂对氧化铈研磨后玻璃和二氧化硅研磨后玻璃进行研磨。
具体而言,将相对于研磨剂整体的非晶碳等磨粒的含量、即磨粒的浓度以质量比计设为1%或0.01%。在将磨粒的浓度设为1%的情况下,将表1、2所示的磨粒1g与水99g混合,搅拌至磨粒均匀地分散于水中,形成为各个研磨剂。将磨粒的浓度设为0.01%的情况下,将表1、2所示的磨粒0.01g与水99.99g混合,搅拌至磨粒均匀地分散于水中,形成各个研磨剂。使用该研磨剂,对氧化铈研磨后玻璃和二氧化硅研磨后玻璃按照下述的条件进行研磨。即,作为研磨装置,使用SpeedFam株式会社制FAM12BS,作为研磨垫,使用FILWEL公司制Suede padNP787,将底板的转速设为40rpm,将研磨垫的按压力设为44g/cm2,将研磨时间设为1分钟,将研磨剂的供给量设为5ml/min。
实施例1的作为磨粒的非晶碳使用旭碳株式会社制的旭#35,实施例2的作为磨粒的非晶碳使用旭碳株式会社制的旭#60HN,实施例3和实施例6的作为磨粒的非晶碳使用东海碳株式会社制的TOKAI CARBON#7550F,实施例4、5和实施例7的作为磨粒的非晶碳使用东海碳株式会社制的Aqua Black-001。
实施例1~3和实施例6的非晶碳为疏水性,实施例4、5和实施例7的非晶碳为亲水性。
另外,比较例1的作为磨粒的二氧化硅为非晶体状,使用日本AEROSIL株式会社制的AEROSIL 200。比较例2的作为磨粒的二氧化钛是金红石、锐钛矿结构,使用日本AEROSIL株式会社制的AEROSIL TiO2 P25。比较例3的作为磨粒的氧化铝是α/γ结构,使用日本AEROSIL株式会社制的AEROXIDE Alu C。比较例4的作为磨粒的树脂为非晶体状,使用株式会社日本触媒制的EPOSTAR MA1004。比较例5的作为磨粒的树脂为非晶体状,使用Momentive Performance Materials Japan制的TOSPEARL130。
比较例6的作为磨粒的碳为石墨结构,使用株式会社日本碳社制的JCPB。比较例7的作为磨粒的碳为石墨结构,使用对株式会社日本碳社制的JCPB进行粉碎处理而得的物质。具体而言,将JCPB 5g与纯水100g盛入容器,加入直径0.5mm的磨珠300g(约80mL)。对其利用台式球磨机在200rpm的条件下进行80分钟粉碎处理。利用过滤器将珠和粉末分离,得到粉碎后的碳。
比较例8的作为磨粒的碳为金刚石结构,使用ARBROWN公司制的μDiamondAndante。
另外,将实施例6和实施例7的磨粒的浓度设为0.01%,将其以外的实施例和比较例的磨粒的浓度设为1%。
【表1】
【表2】
[评价条件]
对于这样使用各研磨剂而研磨的氧化铈研磨后玻璃和二氧化硅研磨后玻璃,利用Asylum Research公司的CypherS AFM对表面粗糙度Ra(算术表面粗糙度)进行测定。
对于氧化铈研磨后玻璃,
将表面粗糙度Ra为0.20nm以下的情况设为双圆,
将表面粗糙度Ra大于0.20nm且0.30nm以下的情况设为圆,
将表面粗糙度Ra大于0.30nm且0.40nm以下的情况设为三角,
将表面粗糙度Ra大于0.40nm的情况设为叉。
另外,对于二氧化硅研磨后玻璃,
将表面粗糙度Ra为0.05nm以下的情况设为双圆,
将表面粗糙度Ra大于0.05nm且小于0.07nm的情况设为圆,
将表面粗糙度Ra为0.07nm以上且小于0.10nm的情况设为三角,
将表面粗糙度Ra为0.10nm以上的情况设为叉。
其中,将双圆和圆评价为合格。
如表1所示,可知实施例中,氧化铈研磨后玻璃和二氧化硅研磨后玻璃这两者的评价结果为合格。
另一方面可知,比较例中,氧化铈研磨后玻璃和二氧化硅研磨后玻璃中的至少一方的评价结果为不合格。即可知,通过将非晶碳用作研磨剂,能够减少玻璃的表面粗糙度而提高玻璃的平滑化。另外,如实施例5所示,可知在将非晶碳用作研磨剂的情况下,即使改变玻璃的种类,也能够提高玻璃的平滑化。另外,表2中,如实施例3与实施例6的比较、实施例4与实施例7的比较所示,可知亲水性的非晶碳的磨粒相较于疏水性的非晶碳的磨粒,即使在将磨粒设为低浓度的情况下,也能够更良好地保持表面粗糙度Ra。
以上,对本发明的实施方式进行了说明,但实施方式不受该实施方式的内容限定。另外,上述的构成要素中包括本领域技术人员可容易假定的内容、实质上相同的内容、所有均等的范围。并且,上述的构成要素能够适当地组合。并且,在不脱离上述的实施方式的主旨的范围内能够进行构成要素的各种省略、置换或者变更。
符号说明
10 玻璃
A 研磨剂
A1 氧化铈研磨剂
A2 二氧化硅研磨剂
Claims (10)
1.一种研磨剂,含有非晶碳和水,非晶碳和水的合计量以质量比计为研磨剂整体的90%以上。
2.根据权利要求1所述的研磨剂,其中,所述非晶碳的平均一次粒径在20nm~500nm的范围内。
3.根据权利要求1或2所述的研磨剂,其中,所述非晶碳的含量相对于所述研磨剂整体以质量比计在0.0001%~20%的范围内。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的研磨剂,其中,还含有分散剂。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的研磨剂,其中,所述非晶碳为亲水性。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的研磨剂,其中,用于玻璃研磨。
7.一种玻璃的研磨方法,使用权利要求1~6中任一项所述的研磨剂来研磨玻璃。
8.根据权利要求7所述的玻璃的研磨方法,包括:利用含有氧化铈的氧化铈研磨剂研磨所述玻璃的氧化铈研磨步骤;
在所述氧化铈研磨步骤后,利用所述研磨剂研磨所述玻璃的研磨步骤。
9.根据权利要求8所述的玻璃的研磨方法,其中,还包括在所述氧化铈研磨步骤后,利用含有二氧化硅的二氧化硅研磨剂研磨所述玻璃的二氧化硅研磨步骤,在所述二氧化硅研磨步骤后,利用所述研磨剂研磨所述玻璃。
10.一种玻璃的制造方法,使用权利要求7~9中任一项所述的玻璃的研磨方法来制造玻璃。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114292035A (zh) * | 2022-01-26 | 2022-04-08 | 杭州老板电器股份有限公司 | 一种玻璃表面的喷涂工艺 |
Citations (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU761532A1 (ru) * | 1978-11-24 | 1980-09-07 | Viktor P Bulychev | Абразивно-доводочная паста 1 |
JPH0786216A (ja) * | 1993-09-17 | 1995-03-31 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
US5607718A (en) * | 1993-03-26 | 1997-03-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Polishing method and polishing apparatus |
JP2000136374A (ja) * | 1998-11-02 | 2000-05-16 | Tokai Carbon Co Ltd | 炭素質研磨剤及びその製造方法 |
CN1284531A (zh) * | 1999-08-17 | 2001-02-21 | 三菱综合材料株式会社 | 树脂粘合研磨工具 |
US20040035153A1 (en) * | 2002-08-19 | 2004-02-26 | Hoya Corporation | Method of producing a glass substrate for a mask blank, method of producing a mask blank, method of producing a transfer mask, method of producing a semiconductor device, glass substrate for a mask blank, mask blank, and transfer mask |
US20050176250A1 (en) * | 2001-08-16 | 2005-08-11 | Hideaki Takahashi | Polishig fluid for metallic films and method for producing semiconductor substrate using the same |
US7087187B2 (en) * | 2002-06-06 | 2006-08-08 | Grumbine Steven K | Meta oxide coated carbon black for CMP |
CN101263208A (zh) * | 2005-09-09 | 2008-09-10 | 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 | 导电性烃类流体 |
JP2010016063A (ja) * | 2008-07-01 | 2010-01-21 | Kao Corp | 研磨液組成物 |
US20100107509A1 (en) * | 2008-11-04 | 2010-05-06 | Guiselin Olivier L | Coated abrasive article for polishing or lapping applications and system and method for producing the same. |
JP2011121151A (ja) * | 2009-12-11 | 2011-06-23 | Kao Corp | ハードディスク基板用研磨液組成物 |
CN102341473A (zh) * | 2009-03-13 | 2012-02-01 | 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 | 使用了纳米金刚石的化学机械平面化 |
CN102464944A (zh) * | 2010-11-05 | 2012-05-23 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种化学机械抛光液及其使用方法 |
JP5700912B2 (ja) * | 2009-02-13 | 2015-04-15 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド |
CN105038608A (zh) * | 2015-06-18 | 2015-11-11 | 上海飞尔实业有限公司 | 玻璃抛光剂 |
CN105580078A (zh) * | 2013-09-28 | 2016-05-11 | Hoya株式会社 | 玻璃基板的制造方法和磁盘的制造方法 |
JP2017075316A (ja) * | 2016-10-25 | 2017-04-20 | 花王株式会社 | 研磨液組成物の製造方法 |
US20180304210A1 (en) * | 2015-10-16 | 2018-10-25 | Elisa FERREIRA | Method for producing stable graphene, graphite and amorphous carbon aqueous dispersions |
CN109104866A (zh) * | 2016-04-20 | 2018-12-28 | 信越化学工业株式会社 | 合成石英玻璃基板用研磨剂及合成石英玻璃基板的研磨方法 |
CN109155246A (zh) * | 2016-04-22 | 2019-01-04 | 日挥触媒化成株式会社 | 二氧化硅系复合微粒分散液及其制造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4004973B2 (ja) * | 2003-02-19 | 2007-11-07 | 双葉電子工業株式会社 | 炭素物質とその製造方法及び電子放出素子、複合材料 |
JP2008174744A (ja) * | 2006-12-21 | 2008-07-31 | Mitsubishi Materials Corp | 砥粒体、その製造方法、および研削砥石 |
JP2009050920A (ja) | 2007-08-23 | 2009-03-12 | Asahi Glass Co Ltd | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 |
JP6669331B2 (ja) | 2015-05-19 | 2020-03-18 | 昭和電工株式会社 | 研磨組成物、及びその研磨組成物を用いた研磨方法 |
-
2019
- 2019-09-17 JP JP2019566854A patent/JP6680423B1/ja active Active
- 2019-09-17 CN CN201980023704.1A patent/CN112823195A/zh active Pending
- 2019-09-17 EP EP19916548.1A patent/EP3816259A4/en active Pending
- 2019-09-17 WO PCT/JP2019/036422 patent/WO2021053732A1/ja unknown
-
2020
- 2020-08-28 US US17/006,236 patent/US11370939B2/en active Active
-
2021
- 2021-05-19 US US17/324,921 patent/US11518912B2/en active Active
Patent Citations (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU761532A1 (ru) * | 1978-11-24 | 1980-09-07 | Viktor P Bulychev | Абразивно-доводочная паста 1 |
US5607718A (en) * | 1993-03-26 | 1997-03-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Polishing method and polishing apparatus |
US5775980A (en) * | 1993-03-26 | 1998-07-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Polishing method and polishing apparatus |
JPH0786216A (ja) * | 1993-09-17 | 1995-03-31 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2000136374A (ja) * | 1998-11-02 | 2000-05-16 | Tokai Carbon Co Ltd | 炭素質研磨剤及びその製造方法 |
CN1284531A (zh) * | 1999-08-17 | 2001-02-21 | 三菱综合材料株式会社 | 树脂粘合研磨工具 |
US20050176250A1 (en) * | 2001-08-16 | 2005-08-11 | Hideaki Takahashi | Polishig fluid for metallic films and method for producing semiconductor substrate using the same |
US7087187B2 (en) * | 2002-06-06 | 2006-08-08 | Grumbine Steven K | Meta oxide coated carbon black for CMP |
US20040035153A1 (en) * | 2002-08-19 | 2004-02-26 | Hoya Corporation | Method of producing a glass substrate for a mask blank, method of producing a mask blank, method of producing a transfer mask, method of producing a semiconductor device, glass substrate for a mask blank, mask blank, and transfer mask |
CN101263208A (zh) * | 2005-09-09 | 2008-09-10 | 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 | 导电性烃类流体 |
JP2010016063A (ja) * | 2008-07-01 | 2010-01-21 | Kao Corp | 研磨液組成物 |
US20100107509A1 (en) * | 2008-11-04 | 2010-05-06 | Guiselin Olivier L | Coated abrasive article for polishing or lapping applications and system and method for producing the same. |
JP5700912B2 (ja) * | 2009-02-13 | 2015-04-15 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド |
CN102341473A (zh) * | 2009-03-13 | 2012-02-01 | 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 | 使用了纳米金刚石的化学机械平面化 |
JP2011121151A (ja) * | 2009-12-11 | 2011-06-23 | Kao Corp | ハードディスク基板用研磨液組成物 |
CN102464944A (zh) * | 2010-11-05 | 2012-05-23 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种化学机械抛光液及其使用方法 |
CN105580078A (zh) * | 2013-09-28 | 2016-05-11 | Hoya株式会社 | 玻璃基板的制造方法和磁盘的制造方法 |
CN105038608A (zh) * | 2015-06-18 | 2015-11-11 | 上海飞尔实业有限公司 | 玻璃抛光剂 |
US20180304210A1 (en) * | 2015-10-16 | 2018-10-25 | Elisa FERREIRA | Method for producing stable graphene, graphite and amorphous carbon aqueous dispersions |
CN109104866A (zh) * | 2016-04-20 | 2018-12-28 | 信越化学工业株式会社 | 合成石英玻璃基板用研磨剂及合成石英玻璃基板的研磨方法 |
CN109155246A (zh) * | 2016-04-22 | 2019-01-04 | 日挥触媒化成株式会社 | 二氧化硅系复合微粒分散液及其制造方法 |
JP2017075316A (ja) * | 2016-10-25 | 2017-04-20 | 花王株式会社 | 研磨液組成物の製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114292035A (zh) * | 2022-01-26 | 2022-04-08 | 杭州老板电器股份有限公司 | 一种玻璃表面的喷涂工艺 |
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