CN112694071A - 一种尺寸可调的CdSe空心纳米球及其制备方法 - Google Patents
一种尺寸可调的CdSe空心纳米球及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112694071A CN112694071A CN202011576961.9A CN202011576961A CN112694071A CN 112694071 A CN112694071 A CN 112694071A CN 202011576961 A CN202011576961 A CN 202011576961A CN 112694071 A CN112694071 A CN 112694071A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cdse
- hollow
- reaction
- benzyl alcohol
- preparation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 73
- 239000002077 nanosphere Substances 0.000 title claims abstract description 62
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N Benzyl alcohol Chemical compound OCC1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 39
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 claims abstract description 28
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 claims abstract description 28
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 claims abstract description 28
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 19
- 235000019445 benzyl alcohol Nutrition 0.000 claims abstract description 13
- WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N phenyl(114C)methanol Chemical compound O[14CH2]C1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N 0.000 claims abstract description 10
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 8
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 8
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 8
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 8
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 8
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 8
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000005303 weighing Methods 0.000 claims description 8
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 abstract description 23
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 abstract description 8
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000376 reactant Substances 0.000 abstract description 4
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000004729 solvothermal method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 abstract description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 abstract description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 125000003748 selenium group Chemical group *[Se]* 0.000 abstract description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 abstract description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 7
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 6
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000090 biomarker Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
- C01B19/007—Tellurides or selenides of metals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/30—Particle morphology extending in three dimensions
- C01P2004/32—Spheres
- C01P2004/34—Spheres hollow
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/30—Particle morphology extending in three dimensions
- C01P2004/45—Aggregated particles or particles with an intergrown morphology
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/62—Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Manufacturing Of Micro-Capsules (AREA)
Abstract
本发明属纳米材料领域,具体涉及一种尺寸可调的CdSe空心纳米球及其制备方法。本发明采用溶剂热的方法,以苯甲醇作为溶剂,以表面活性剂聚乙烯吡咯烷酮(PVP)作为添加剂,以Cd(AC)2作为镉源,Se粉为硒源,制备了直径在30nm到350nm范围可调的CdSe空心纳米球。Cd(AC)2与Se粉溶解于苯甲醇中,发生反应形成拥有较高表面能小晶粒,PVP的添加抑制小晶粒生成速度,这样便有足够时间使其聚集长大,最终基于柯肯达尔效应,形成尺寸均一、单分散性好的空心纳米颗粒球;制备过程中可以通过调控反应物浓度以及温度,实现对纳米球尺寸的调控。该制备方法简便易行,成本低廉,具有很好的重复性。
Description
技术领域
本发明属纳米材料领域,具体涉及一种尺寸可调的CdSe空心纳米球及其制备方法。
背景技术
CdSe是一种II-VI族化合物,具有特殊的光学、光电性能。CdSe纳米材料在太阳能电池、发光二极管、荧光生物标记等领域有着十分重要的应用。目前,多种CdSe纳米材料如量子点、纳米颗粒、空心纳米球等被制备出来。由于CdSe纳米材料的发光性能与其尺寸及形状相关,因此通过调控其形状和尺寸来制得不同发光性能的CdSe纳米材料是重要的研发方向。目前,已有多种尺寸的CdSe量子点以及CdSe纳米颗粒被制备出来,用于研究不同尺寸CdSe纳米材料的光学性能。
由于CdSe空心纳米球具有中空结构,具有低密度、比表面积大、表面活性高、表面渗透性强等特点,有望在太阳能电池、生物细胞等领域广泛应用。CdSe空心纳米球的制备已经取得了一些进展,如现有技术(Nanoscale,2010,2,2619-2623)公开了色氨酸作为配体采用溶剂热法制备了直径100nm的空心CdSe纳米球;现有技术(Journal of Physics andChemistry of Solids 71(2010)940–945)公开了用无水乙醇和油酸作为溶剂,采用两步溶剂热法制备直径为100-150nm的空心CdSe纳米球。但迄今为止,没有在较大的尺寸范围内调控CdSe空心纳米球及其相关的制备方法的报道。
发明内容
本发明要解决的技术问题为克服现有技术中CdSe空心纳米球的尺寸范围小且不易调整、制备方法繁琐的不足之处,提供一种尺寸可调的CdSe空心纳米球及其制备方法。
为了解决本发明的技术问题,所采取的技术方案为,一种尺寸可调的CdSe空心纳米球的制备方法,包括如下步骤:
S1、称取Cd(AC)2、Se粉,分别溶于苯甲醇,搅拌至混合均匀,然后加入聚乙烯吡咯烷酮即PVP作为反应起始液,其中添加的Cd(AC)2、Se粉和PVP的摩尔比为3:3:40,Cd(AC)2在苯甲醇中的添加浓度为0.15-0.6mM/20mL,将上述溶液倒入聚四氟乙烯内胆,然后封装反应釜,将反应釜至于150-165℃的烘箱中,保持反应30-36h,自然冷却至室温;
S2、将步骤S1的反应产物用无水乙醇和去离子水交替清洗,洗涤3个循环,去除反应残留物,得到直径为30-350nm内可调的CdSe空心纳米球。
作为上述尺寸可调的CdSe空心纳米球的制备方法进一步的改进:
优选的,步骤S1中Cd(AC)2在苯甲醇中的添加浓度为0.15mM/20mL,反应釜至于150℃的烘箱,保持反应36h,制得直径为30nm的CdSe空心纳米球。
优选的,步骤S1中Cd(AC)2在苯甲醇中的添加浓度为0.45mM/20mL,反应釜至于150℃的烘箱,保持反应36h,制得直径为350nm的CdSe空心纳米球。
为了解决本发明的另一个技术问题所采取的技术方案为,一种由上述制备方法制得的CdSe空心纳米球。
本发明相比现有技术的有益效果在于:
(1)本发明采用溶剂热的方法,以苯甲醇作为溶剂,以表面活性剂聚乙烯吡咯烷酮(PVP)作为添加剂,以Cd(AC)2作为镉源,Se粉为硒源,制备了直径在30nm到350nm范围内可调的CdSe空心纳米球。该反应机理为:高温密闭条件下,Cd(AC)2与Se粉可以很好的溶解于苯甲醇中,Cd源与Se源发生反应先形成小晶粒,小晶粒拥有较高表面能,因此发生聚集从而降低表面能。如果没有PVP的添加,整个体系反应速度过快,生成的小晶粒来不及聚集形成均匀颗粒球,而是随机聚集,导致生成一部分不规则形貌的产物。PVP的添加可以抑制小晶粒生成速度,这样便有足够时间使其聚集长大,最终形成尺寸均一的纳米颗粒球,随着反应时间的延长,基于柯肯达尔效应,内部颗粒会向外部扩散,最终形成空心颗粒球。通过等比例增大或减少Cd源、Se源以及PVP的量,可以得到不同直径的CdSe空心球;保持反应物的比例不变,改变反应温度,可以得到不同直径的CdSe空心球。该制备方法简便易行,成本低廉,具有很好的重复性。
(2)本发明的CdSe空心纳米球壳体由尺寸为7nm的小晶粒堆积而成,形貌尺寸均一、单分散性好。该种尺寸可调的CdSe空心纳米球可用于研究尺寸依赖的光学、光电性能,进而实现性能调控和优化。
附图说明
图1是本发明实施例1制备的CdSe空心纳米球的SEM图像;
图2是本发明实施例2制备的CdSe空心纳米球的SEM图像;
图3是本发明实施例3制备的CdSe空心纳米球的SEM图像;
图4是本发明实施例4制备的CdSe空心纳米球的SEM图像;
图5是本发明实施例5制备的CdSe空心纳米球的SEM图像;
图6是本发明实施例6制备的CdSe空心纳米球的SEM图像;
图7(a)-(d)分别为实施例4、2、6、3制得的CdSe空心纳米球的TEM图像。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合实施例,对本发明进行进一步详细说明,基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例1
S1、称取Cd(AC)2、Se粉,分别溶于苯甲醇,搅拌30min,然后加入PVP作为反应起始液,其中添加的Cd(AC)2、Se粉和PVP的摩尔比为3:3:40,Cd(AC)2在苯甲醇中的添加浓度为0.15mM/20mL,将上述溶液倒入聚四氟乙烯内胆,然后封装反应釜,将反应釜至于150℃的烘箱中,保持反应36h,自然冷却至室温;
S2、将步骤S1的反应产物用无水乙醇和去离子水交替清洗,洗涤3个循环,去除反应残留物,得到CdSe空心纳米球。
将制得的CdSe空心纳米球扫描电子显微镜,结果如图1所示,由图1可知,制得的CdSe空心纳米球呈单分散性、粒径均匀,粒径为30nm。
实施例2
S1、称取Cd(AC)2、Se粉,分别溶于苯甲醇,搅拌30min,然后加入PVP作为反应起始液,其中添加的Cd(AC)2、Se粉和PVP的摩尔比为3:3:40,Cd(AC)2在苯甲醇中的添加浓度为0.3mM/20mL,将上述溶液倒入聚四氟乙烯内胆,然后封装反应釜,将反应釜至于150℃的烘箱中,保持反应36h,自然冷却至室温;
S2、将步骤S1的反应产物用无水乙醇和去离子水交替清洗,洗涤3个循环,去除反应残留物,得到CdSe空心纳米球。
将制得的CdSe空心纳米球扫描电子显微镜,结果如图2所示,由图2可知,制得的CdSe空心纳米球呈单分散性、粒径均匀,粒径为140nm。
实施例3
S1、称取Cd(AC)2、Se粉,分别溶于苯甲醇,搅拌30min,然后加入PVP作为反应起始液,其中添加的Cd(AC)2、Se粉和PVP的摩尔比为3:3:40,Cd(AC)2在苯甲醇中的添加浓度为0.45mM/20mL,将上述溶液倒入聚四氟乙烯内胆,然后封装反应釜,将反应釜至于150℃的烘箱中,保持反应36h,自然冷却至室温;
S2、将步骤S1的反应产物用无水乙醇和去离子水交替清洗,洗涤3个循环,去除反应残留物,得到CdSe空心纳米球。
将制得的CdSe空心纳米球扫描电子显微镜,结果如图3所示,由图3可知,制得的CdSe空心纳米球呈单分散性、粒径均匀,粒径为350nm。
实施例4
S1、称取Cd(AC)2、Se粉,分别溶于苯甲醇,搅拌30min,然后加入PVP作为反应起始液,其中添加的Cd(AC)2、Se粉和PVP的摩尔比为3:3:40,Cd(AC)2在苯甲醇中的添加浓度为0.6mM/20mL,将上述溶液倒入聚四氟乙烯内胆,然后封装反应釜,将反应釜至于150℃的烘箱中,保持反应36h,自然冷却至室温;
S2、将步骤S1的反应产物用无水乙醇和去离子水交替清洗,洗涤3个循环,去除反应残留物,得到CdSe空心纳米球。
将制得的CdSe空心纳米球扫描电子显微镜,结果如图4所示,由图4可知,制得的CdSe空心纳米球呈单分散性、粒径均匀,粒径为80nm。
实施例5
S1、称取Cd(AC)2、Se粉,分别溶于苯甲醇,搅拌30min,然后加入PVP作为反应起始液,其中添加的Cd(AC)2、Se粉和PVP的摩尔比为3:3:40,Cd(AC)2在苯甲醇中的添加浓度为0.3mM/20mL,将上述溶液倒入聚四氟乙烯内胆,然后封装反应釜,将反应釜至于165℃的烘箱中,保持反应36h,自然冷却至室温;
S2、将步骤S1的反应产物用无水乙醇和去离子水交替清洗,洗涤3个循环,去除反应残留物,得到CdSe空心纳米球。
将制得的CdSe空心纳米球扫描电子显微镜,结果如图5所示,由图5可知,制得的CdSe空心纳米球呈单分散性、粒径均匀,粒径为100nm。
实施例6
S1、称取Cd(AC)2、Se粉,分别溶于苯甲醇,搅拌30min,然后加入PVP作为反应起始液,其中添加的Cd(AC)2、Se粉和PVP的摩尔比为3:3:40,Cd(AC)2在苯甲醇中的添加浓度为0.45mM/20mL,将上述溶液倒入聚四氟乙烯内胆,然后封装反应釜,将反应釜至于165℃的烘箱中,保持反应36h,自然冷却至室温;
S2、将步骤S1的反应产物用无水乙醇和去离子水交替清洗,洗涤3个循环,去除反应残留物,得到CdSe空心纳米球。
将制得的CdSe空心纳米球扫描电子显微镜,结果如图6所示,由图6可知,制得的CdSe空心纳米球呈单分散性、粒径均匀,粒径为230nm。
由实施例1-4可知,保持溶剂量不变,等比例增大或减少Cd源、Se源以及PVP的量,可以得到不同直径的CdSe空心球。由实施例2、5以及3、6对比可知,保持反应物的比例不变,改变反应温度,可以得到不同直径的CdSe空心球。因此可以通过调控反应物的量和反应温度,制得30-350nm范围内不同直径的CdSe空心球。
将实施例4、2、6、3制得的CdSe空心纳米球分别扫描透射电子显微镜,结果分别如图7(a)-(d)所示,由图7可知,纳米球呈空心结构,纳米球壳体由尺寸为7nm的CdSe小晶粒堆积而成,壳层厚度为30nm-115nm。
本领域的技术人员应理解,以上所述仅为本发明的若干个具体实施方式,而不是全部实施例。应当指出,对于本领域的普通技术人员来说,还可以做出许多变形和改进,所有未超出权利要求所述的变形或改进均应视为本发明的保护范围。
Claims (4)
1.一种尺寸可调的CdSe空心纳米球的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1、称取Cd(AC)2、Se粉,分别溶于苯甲醇,搅拌至混合均匀,然后加入聚乙烯吡咯烷酮即PVP作为反应起始液,其中添加的Cd(AC)2、Se粉和PVP的摩尔比为3:3:40,Cd(AC)2在苯甲醇中的添加浓度为0.15-0.6mM/20mL,将上述溶液倒入聚四氟乙烯内胆,然后封装反应釜,将反应釜至于150-165℃的烘箱中,保持反应30-36h,自然冷却至室温;
S2、将步骤S1的反应产物用无水乙醇和去离子水交替清洗,洗涤3个循环,去除反应残留物,得到直径为30-350nm内可调的CdSe空心纳米球。
2.根据权利要求1所述一种尺寸可调的CdSe空心纳米球的制备方法,其特征在于,步骤S1中Cd(AC)2在苯甲醇中的添加浓度为0.15mM/20mL,反应釜至于150℃的烘箱,保持反应36h,制得直径为30nm的CdSe空心纳米球。
3.根据权利要求1所述一种尺寸可调的CdSe空心纳米球的制备方法,其特征在于,步骤S1中Cd(AC)2在苯甲醇中的添加浓度为0.45mM/20mL,反应釜至于150℃的烘箱,保持反应36h,制得直径为350nm的CdSe空心纳米球。
4.一种由权利要求1-3任意一项的制备方法制得的CdSe空心纳米球。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011576961.9A CN112694071B (zh) | 2020-12-28 | 2020-12-28 | 一种尺寸可调的CdSe空心纳米球及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011576961.9A CN112694071B (zh) | 2020-12-28 | 2020-12-28 | 一种尺寸可调的CdSe空心纳米球及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112694071A true CN112694071A (zh) | 2021-04-23 |
CN112694071B CN112694071B (zh) | 2024-01-23 |
Family
ID=75512414
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202011576961.9A Active CN112694071B (zh) | 2020-12-28 | 2020-12-28 | 一种尺寸可调的CdSe空心纳米球及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN112694071B (zh) |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1673095A (zh) * | 2005-03-11 | 2005-09-28 | 中山大学 | CdSe纳米晶体的制备方法 |
CN1986725A (zh) * | 2006-12-14 | 2007-06-27 | 上海交通大学 | CdSe量子点的制备方法 |
CN101049958A (zh) * | 2007-05-18 | 2007-10-10 | 南京大学 | CdS、CdSe或CdTe空心纳米环及其制法 |
CN101186816A (zh) * | 2007-11-16 | 2008-05-28 | 河南科技大学 | 一种核壳结构的纳米晶及制备方法 |
KR20080071856A (ko) * | 2007-01-31 | 2008-08-05 | 부산대학교 산학협력단 | 반도체 중공 입자 및 이의 제조 방법 |
KR20090010412A (ko) * | 2007-07-23 | 2009-01-30 | 고려대학교 산학협력단 | 마그네슘이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법 |
US20090203196A1 (en) * | 2007-07-12 | 2009-08-13 | National Institute Of Aerospace Associates | Fabrication of metallic hollow nanoparticles |
CN101580233A (zh) * | 2009-06-12 | 2009-11-18 | 清华大学 | 一种硒化镉纳米球的合成方法 |
CN103145105A (zh) * | 2013-04-09 | 2013-06-12 | 吉林大学 | 一种金属硒化物纳米晶的制备方法 |
CN103771355A (zh) * | 2014-01-05 | 2014-05-07 | 吉林化工学院 | 简单的溶剂热法合成CdS1/2Se1/2纳米球 |
CN103920433A (zh) * | 2014-04-11 | 2014-07-16 | 中国科学院理化技术研究所 | 无机纳米晶囊泡状微球及其光化学合成和应用 |
US20150137039A1 (en) * | 2013-11-21 | 2015-05-21 | Purdue Research Foundation | Homogeneous Mixtures for Nanoparticle Synthesis |
CN109603855A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-04-12 | 吉林师范大学 | 一种带有表面配体的CdSe/CdS核壳结构光催化剂及其制备方法和应用 |
-
2020
- 2020-12-28 CN CN202011576961.9A patent/CN112694071B/zh active Active
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1673095A (zh) * | 2005-03-11 | 2005-09-28 | 中山大学 | CdSe纳米晶体的制备方法 |
CN1986725A (zh) * | 2006-12-14 | 2007-06-27 | 上海交通大学 | CdSe量子点的制备方法 |
KR20080071856A (ko) * | 2007-01-31 | 2008-08-05 | 부산대학교 산학협력단 | 반도체 중공 입자 및 이의 제조 방법 |
CN101049958A (zh) * | 2007-05-18 | 2007-10-10 | 南京大学 | CdS、CdSe或CdTe空心纳米环及其制法 |
US20090203196A1 (en) * | 2007-07-12 | 2009-08-13 | National Institute Of Aerospace Associates | Fabrication of metallic hollow nanoparticles |
KR20090010412A (ko) * | 2007-07-23 | 2009-01-30 | 고려대학교 산학협력단 | 마그네슘이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법 |
CN101186816A (zh) * | 2007-11-16 | 2008-05-28 | 河南科技大学 | 一种核壳结构的纳米晶及制备方法 |
CN101580233A (zh) * | 2009-06-12 | 2009-11-18 | 清华大学 | 一种硒化镉纳米球的合成方法 |
CN103145105A (zh) * | 2013-04-09 | 2013-06-12 | 吉林大学 | 一种金属硒化物纳米晶的制备方法 |
US20150137039A1 (en) * | 2013-11-21 | 2015-05-21 | Purdue Research Foundation | Homogeneous Mixtures for Nanoparticle Synthesis |
CN103771355A (zh) * | 2014-01-05 | 2014-05-07 | 吉林化工学院 | 简单的溶剂热法合成CdS1/2Se1/2纳米球 |
CN103920433A (zh) * | 2014-04-11 | 2014-07-16 | 中国科学院理化技术研究所 | 无机纳米晶囊泡状微球及其光化学合成和应用 |
CN109603855A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-04-12 | 吉林师范大学 | 一种带有表面配体的CdSe/CdS核壳结构光催化剂及其制备方法和应用 |
Non-Patent Citations (7)
Title |
---|
GANGANAGAPPA NAGARAJU: "surfcant assisted hydrothermal synthesis od CdSe nanostructure material", JMST, vol. 28, no. 6, pages 495 - 499 * |
YONG HU ET AL.: "A novel route to prepare CdSe hollow structures", vol. 57, pages 3137 - 3139, XP004433513, DOI: 10.1016/S0167-577X(03)00010-7 * |
周菊红;王涛;陈友存;: "CdSe纳米制备方法的研究进展", 科技资讯, no. 27 * |
屈少华 等: "油酸石蜡体系中红光 CdSe 量子点的合成及其 高显色指数白光 LED 制备", vol. 40, no. 40, pages 91 - 95 * |
曹星星;张学斌;朱雅君;冀翼;刘莎莎;邵浩;凤仪;: "中空纳米球的制备和应用", 广州化工, no. 11 * |
王轶男;韩晓军;: "利用软模板法合成中空纳米结构的研究进展", 应用化学, no. 08 * |
董红星: "CdSe纳米结构单元的制备与自组装", 化学进展, vol. 18, no. 12, pages 1608 - 1613 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112694071B (zh) | 2024-01-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Hung et al. | A novel low-temperature growth and characterization of single crystal ZnO nanorods | |
Adhyapak et al. | Effect of preparation parameters on the morphologically induced photocatalytic activities of hierarchical zinc oxide nanostructures | |
Wen et al. | Controllable synthesis of CsPbI 3 nanorods with tunable photoluminescence emission | |
CN112374528B (zh) | 一种石墨烯表面负载氧化锌纳米颗粒复合材料及其制备方法与应用 | |
CN112694071A (zh) | 一种尺寸可调的CdSe空心纳米球及其制备方法 | |
CN110423616B (zh) | 核壳量子点制备方法、量子点光电器件 | |
CN110078116B (zh) | 一种钙钛矿CsPbBr3量子点及其制备方法和应用 | |
CN111974420A (zh) | 一种MnFe2O4@MoxSn1-xS2磁性催化材料及其制备方法 | |
CN109019694B (zh) | 微纳结构球型MnCO3的制备方法 | |
CN103862062A (zh) | 铜纳米粒子均匀掺杂亚微米碳球复合材料及其一步合成方法 | |
CN114605987B (zh) | 一种铅掺杂锌基卤化物纳米发光材料及其制备方法和应用 | |
CN113851620B (zh) | 多级异质结构的钾离子电池负极复合材料及其制备方法 | |
CN112191860B (zh) | 一种连续调节金纳米颗粒表面粗糙度的化学合成方法 | |
CN113998676A (zh) | 一种溶剂热法制备硒化汞纳米晶的方法 | |
CN110627125B (zh) | 一种合成硫化锰与硫化铅核壳结构纳米棒的方法 | |
CN110105596B (zh) | 一种高性能稳定的钙钛矿/聚合物纳米球的制备方法及其应用 | |
CN113912025A (zh) | 一种形貌可控的Te纳米材料的制备方法、产品及应用 | |
CN111423869A (zh) | 一种基于晶面控制抑制量子点表面缺陷态的方法 | |
CN112750919A (zh) | 一种钙钛矿纳米线的异质结及其制备方法 | |
CN112429768B (zh) | 一种类花状二氧化钛纳米线及其制备方法和应用 | |
Yang et al. | CdSe/Cd 1− x Zn x S core/shell quantum dots with tunable emission: Growth and morphology evolution | |
CN114735745B (zh) | 一种螺旋式125型钙钛矿纳米片及其制备方法和应用 | |
CN116984623B (zh) | 一种基于分段式水热法的二维铋纳米晶体合成方法 | |
CN114751446B (zh) | 一种阶梯式113型钙钛矿结构及其制备方法和应用 | |
CN113979468B (zh) | 一种太阳能电池组件用CZTS(Se)系纳米粉体的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |