CN113998676A - 一种溶剂热法制备硒化汞纳米晶的方法 - Google Patents

一种溶剂热法制备硒化汞纳米晶的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113998676A
CN113998676A CN202111506999.3A CN202111506999A CN113998676A CN 113998676 A CN113998676 A CN 113998676A CN 202111506999 A CN202111506999 A CN 202111506999A CN 113998676 A CN113998676 A CN 113998676A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mercury
quantum dots
solvent
precursor solution
preparing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111506999.3A
Other languages
English (en)
Inventor
房永征
房诗玉
刘玉峰
王雅荣
田志新
张娜
赵国营
侯京山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Institute of Technology
Original Assignee
Shanghai Institute of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Institute of Technology filed Critical Shanghai Institute of Technology
Priority to CN202111506999.3A priority Critical patent/CN113998676A/zh
Publication of CN113998676A publication Critical patent/CN113998676A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B19/00Selenium; Tellurium; Compounds thereof
    • C01B19/007Tellurides or selenides of metals
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/89Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing mercury
    • C09K11/892Chalcogenides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/01Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/04Particle morphology depicted by an image obtained by TEM, STEM, STM or AFM
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/60Particles characterised by their size
    • C01P2004/64Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

本发明公开了一种溶剂热法制备硒化汞量子点的方法:将汞源、表面活性配体、溶剂,混合搅拌,得到汞前驱体溶液;将硒粉溶解于三辛基膦中,然后加入溶剂,得到硒前驱体溶液;将汞源、硒源、溶剂放置在反应釜的聚四氟乙烯内衬中,于50‑100℃条件下加热4‑12小时。该方法得到的碲镉汞量子点表现出较均匀的粒径分布和较好的单分散性。

Description

一种溶剂热法制备硒化汞纳米晶的方法
技术领域
本发明涉及一种溶剂热法制备硒化汞量子点的方法,属于近红外量子点发光材料技术领域。
背景技术
胶体量子点通过调节量子点的尺寸及组成改变带隙,可实现其吸收及发射光谱宽波长范围内调节。其中红外胶体量子点广泛应用于光伏器件、医学成像、红外探测、场效应晶体管及红外发光二极管等多领域。红外胶体量子点包括二元PbS、HgTe、Ag2S及三元CuInS2、CsSnI3等,这些量子点尤其是近红外量子点在生物应用中具有组织穿透深度高、可有效避免生物组织自身荧光影响的优势。
胶体量子点是开发低成本光电器件的优秀组成模块,目前有许多基于多量子阱、InSb、HgCdTe和II型超晶格等技术的高性能探测器,但器件制备价格昂贵且需要较高的技术要求,为了克服这些限制,利用近红外胶体量子点具有易于合成、吸光能力几乎与块体材料一样,可在短波红外(1.4-3μm)、中波红外(3-8μm)、长波红外(8-15μm)的宽调谐性能及可溶液加工的特性等优势,可以成为降低制备成本的有效替代方案。
自上世纪九十年代首次报道镉基量子点的溶液可控制备开始,量子点的制备方法目前已经有很多种,但对于硒化汞量子点的低成本高通量的制备方法报道较少,EmmanuelLhuillier等人利用热注入方法得到HgSe量子点,其中HgSe量子点的成核与生长条件需要在惰性气体氛围下进行,且对于反应温度及时间需要严格控制,这种方法虽然能得到粒径均匀且高度单分散性的HgSe量子点,但不适用于工业化生产需求(Nano Lett.2016,16,1282-1286)。Adrien Robin等人通过改变硒源的包覆剂,同样也是利用热注入的方法得到HgSe量子点(J.Phys.Chem.C 2020,124,16216-16221),热注入方法需要将一种前驱体溶液迅速注入另一种前驱体溶液中,量子点的成核与生长控制在不同温度下进行,同时需要在惰性气体保护下进行实验,这种合成方式并不适用于批量化生产。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:提供一种单分散硒化汞量子点的合成方法。
为了解决上述问题,本发明采用如下技术方案:
一种溶剂热法制备硒化汞量子点的方法,包括以下步骤:
步骤1):将汞源、表面活性配体、溶剂,混合搅拌,得到汞前驱体溶液;
步骤2):将硒粉溶解于三辛基膦中,然后加入溶剂,得到硒前驱体溶液;
步骤3):将汞前驱体溶液、硒前驱体溶液、溶剂放置在反应釜的聚四氟乙烯内衬中,于50-100℃条件下加热4-12小时。待冷却后在溶液中加入一定量猝灭剂对反应进行猝灭。随后利用抗溶剂对其离心,并分散入易溶剂内。
优选地,所述步骤1)中,汞源为氯化汞、乙酸汞中的至少一种,表面活性配体为油酸、油胺,溶剂为1-十八烯。
更优选地,所述汞源及表面活性配体的摩尔比为1:2-1:10。
优选地,所述步骤1)中,汞前驱体溶液的浓度为0.1-2M。
优选地,所述步骤3)中,猝灭剂为甲苯、8-18个碳原子的烷基硫醇中的至少一种。抗溶剂为甲醇、乙醇中的至少一种。易溶剂为甲苯、正己烷、正辛烷中的至少一种。
优选地,所述步骤1和2)中,汞源和硒源的摩尔比为5:1-1:1,
与现有技术相比,本发明具有以下优点:
相比于高温热注入法,反应实现条件较温和,反应条件无需惰性气体保护,操作简单,适用于批量化生产,对于近红外光电探测器、太阳能电池等器件上有很好的应用前景和巨大实际意义。
附图说明
图1为实施例1所制备的硒化汞量子点的TEM图片;
图2为实施例2所制备的硒化汞量子点的TEM图片。
具体实施方式
为使本发明更明显易懂,兹以优选实施例,并配合附图作详细说明如下。
实施例1
一种溶剂热法制备硒化汞量子点的方法,包括如下步骤:
将0.13mmol(0.0337g)乙酸汞、2.5mL油酸,2.5mL油胺加入到10mL的小瓶内,在70℃下搅拌至澄清溶液并冷却至室温,将0.1mmol(0.0079g)硒粉、2mL三辛基膦加入到10mL的小瓶内,在70℃下搅拌至澄清溶液并冷却至室温待用。将汞前驱体溶液及硒前驱体溶液混合放入到30mL具有聚四氟乙烯内衬的反应釜内,并加入13mL的1-十八烯,随后在80℃下加热3h。反应完成待自然冷却至室温后,加入2mL甲苯作为反应猝灭剂,随后利用与溶液等量的甲醇、乙醇离心得到HgSe量子点。
对实施例1制备得到的硒化汞量子点进行结构表征,如图1所得的透射电镜图可以看出,制备出的碲镉汞量子点粒径均匀,且单分散性好.
实施例2
一种溶剂热法制备硒化汞量子点的方法,包括如下步骤:
将0.2mmol(0.0519g)乙酸汞、2.5mL油酸,2.5mL油胺加入到10mL的小瓶内,在70℃下搅拌至澄清溶液并冷却至室温,将0.1mmol(0.0079g)硒粉、2mL三辛基膦加入到10mL的小瓶内,在70℃下搅拌至澄清溶液并冷却至室温待用。将汞前驱体溶液及硒前驱体溶液混合放入到30mL具有聚四氟乙烯内衬的反应釜内,并加入13mL的1-十八烯,随后在90℃下加热3h。反应完成待自然冷却至室温后,加入2mL甲苯作为反应猝灭剂,随后利用与溶液等量的甲醇、乙醇离心得到HgSe量子点。
对实施例2制备得到的硒化汞量子点进行结构表征,如图2所得的透射电镜图可以看出,制备出的碲镉汞量子点粒径均匀,且单分散性好.
实施例3
一种溶剂热法制备硒化汞量子点的方法,包括如下步骤:
将0.13mmol(0.0337g)乙酸汞、2.5mL油酸,2.5mL油胺加入到10mL的小瓶内,在70℃下搅拌至澄清溶液并冷却至室温,将0.1mmol(0.0079g)硒粉、2mL三辛基膦加入到10mL的小瓶内,在70℃下搅拌至澄清溶液并冷却至室温待用。将汞前驱体溶液及硒前驱体溶液混合放入到30mL具有聚四氟乙烯内衬的反应釜内,并加入13mL的1-十八烯,随后在70℃下加热8h。反应完成待自然冷却至室温后,加入2mL十八硫醇作为反应猝灭剂,随后利用与溶液等量的甲醇、乙醇离心得到HgSe量子点。
实施例4
一种溶剂热法制备硒化汞量子点的方法,包括如下步骤:
将0.13mmol(0.0337g)乙酸汞、2.5mL油酸,2.5mL油胺加入到10mL的小瓶内,在70℃下搅拌至澄清溶液并冷却至室温,将0.1mmoL(0.0079g)硒粉、2mL三辛基膦加入到10mL的小瓶内,在70℃下搅拌至澄清溶液并冷却至室温待用。将汞前驱体溶液及硒前驱体溶液混合放入到30mL具有聚四氟乙烯内衬的反应釜内,并加入13mL的1-十八烯,随后在100℃下加热3h。反应完成待自然冷却至室温后,加入2mL十六烷基硫醇作为反应猝灭剂,随后利用与溶液等量的甲醇、乙醇离心得到HgSe量子点。
实施例5
一种溶剂热法制备硒化汞量子点的方法,包括如下步骤:
将0.13mmol(0.0353g)氯化汞、2.5mL油酸,2.5mL油胺加入到10mL的小瓶内,在70℃下搅拌至澄清溶液并冷却至室温,将0.1mmol(0.0079g)硒粉、2mL三辛基膦加入到10mL的小瓶内,在70℃下搅拌至澄清溶液并冷却至室温待用。将汞前驱体溶液及硒前驱体溶液混合放入到30mL具有聚四氟乙烯内衬的反应釜内,并加入13mL的1-十八烯,随后在80℃下加热5h。反应完成待自然冷却至室温后,加入2mL十二烷基硫醇作为反应猝灭剂,随后利用与溶液等量的甲醇、乙醇离心得到HgSe量子点。

Claims (6)

1.一种溶剂热法制备硒化汞量子点的方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1):将汞源、表面活性配体、溶剂,混合搅拌,得到汞前驱体溶液;
步骤2):将硒粉溶解于三辛基膦中,然后加入溶剂,得到硒前驱体溶液;
步骤3):将汞前驱体溶液、硒前驱体溶液、溶剂放置在反应釜的聚四氟乙烯内衬中,于50-100℃条件下加热4-12小时。待冷却后在溶液中加入一定量猝灭剂对反应进行猝灭。随后利用抗溶剂对其离心,并分散入易溶剂内。
2.如权利要求1所述的单分散碲镉汞量子点的制备方法,其特征在于,所述步骤1)中,汞源为氯化汞、乙酸汞中的至少一种,表面活性配体为油酸、油胺,溶剂为1-十八烯。
3.如权利要求1所述的溶剂热法制备硒化汞量子点的方法,其特征在于,所述汞源及表面活性配体的摩尔比为1:2-1:10。
4.如权利要求1所述的溶剂热法制备硒化汞量子点的方法,其特征在于,所述步骤1)中,汞前驱体溶液的浓度为0.1-2M。
5.如权利要求1所述的溶剂热法制备硒化汞量子点的方法,其特征在于,所述步骤3)中,汞源为碘化汞或氯化汞中的至少一种,烷基硫醇为8-18个碳原子的烷基硫醇,抗溶剂为甲醇、乙醇中的至少一种。易溶剂为甲苯、正己烷、正辛烷中的至少一种。
6.如权利要求1所述的溶剂热法制备硒化汞量子点的方法,其特征在于,所述步骤4)中,汞源和硒源的摩尔比为5:1-1:1。
CN202111506999.3A 2021-12-10 2021-12-10 一种溶剂热法制备硒化汞纳米晶的方法 Pending CN113998676A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111506999.3A CN113998676A (zh) 2021-12-10 2021-12-10 一种溶剂热法制备硒化汞纳米晶的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111506999.3A CN113998676A (zh) 2021-12-10 2021-12-10 一种溶剂热法制备硒化汞纳米晶的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113998676A true CN113998676A (zh) 2022-02-01

Family

ID=79931844

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111506999.3A Pending CN113998676A (zh) 2021-12-10 2021-12-10 一种溶剂热法制备硒化汞纳米晶的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113998676A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114852971A (zh) * 2022-04-15 2022-08-05 华中科技大学 一种单分散碲化汞胶体量子点及其合成方法与应用

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1631793A (zh) * 2004-11-05 2005-06-29 中国科学院长春应用化学研究所 硒化镉和碲化镉量子点的合成方法
US20150013589A1 (en) * 2011-11-22 2015-01-15 Qd Vision, Inc. Method of making quantum dots
WO2018056570A1 (ko) * 2016-09-26 2018-03-29 고려대학교 산학협력단 단일 전자 점유된 양자점 및 이의 자성 제어방법
US20190119565A1 (en) * 2016-04-01 2019-04-25 Korea University Research And Business Foundation Intraband transition-based infrared device of nonstoichiometric quantum dots
WO2020063256A1 (zh) * 2018-09-30 2020-04-02 Tcl集团股份有限公司 量子点及其制备方法
CN110964505A (zh) * 2018-09-30 2020-04-07 Tcl集团股份有限公司 量子点及其制备方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1631793A (zh) * 2004-11-05 2005-06-29 中国科学院长春应用化学研究所 硒化镉和碲化镉量子点的合成方法
US20150013589A1 (en) * 2011-11-22 2015-01-15 Qd Vision, Inc. Method of making quantum dots
US20190119565A1 (en) * 2016-04-01 2019-04-25 Korea University Research And Business Foundation Intraband transition-based infrared device of nonstoichiometric quantum dots
WO2018056570A1 (ko) * 2016-09-26 2018-03-29 고려대학교 산학협력단 단일 전자 점유된 양자점 및 이의 자성 제어방법
WO2020063256A1 (zh) * 2018-09-30 2020-04-02 Tcl集团股份有限公司 量子点及其制备方法
CN110964505A (zh) * 2018-09-30 2020-04-07 Tcl集团股份有限公司 量子点及其制备方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114852971A (zh) * 2022-04-15 2022-08-05 华中科技大学 一种单分散碲化汞胶体量子点及其合成方法与应用

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7829059B2 (en) Rapid synthesis of ternary, binary and multinary chalcogenide nanoparticles
Peng et al. Synthesis of AgInS 2 nanocrystal ink and its photoelectrical application
JP6371764B2 (ja) セレン化13族ナノ粒子
CN104277852A (zh) 多异质结纳米颗粒、其制备方法以及包含该纳米颗粒的制品
Singh et al. Photonic sintering of thin film prepared by dodecylamine capped CuInxGa1− xSe2 nanoparticles for printed photovoltaics
CN111253942A (zh) 具有钙钛矿结构的上转换纳米发光材料及其制备方法与应用
CN113998676A (zh) 一种溶剂热法制备硒化汞纳米晶的方法
CN114084874B (zh) 碲化锡胶体量子点制备方法
CN115197695B (zh) 一种CuInS2量子点超晶格结构的制备方法
Wang et al. A greener synthetic route to monodisperse CdSe quantum dots with zinc-blende structure
CN110616068A (zh) 粒子及其制备方法
CN113913181A (zh) 一种甲脒碘化铅钙钛矿纳米晶的尺寸调控方法
CN110627125B (zh) 一种合成硫化锰与硫化铅核壳结构纳米棒的方法
Yang et al. CdSe/Cd 1− x Zn x S core/shell quantum dots with tunable emission: Growth and morphology evolution
Zhang et al. Morphological and luminescent evolution of near-infrared-emitting CdTe x Se 1− x nanocrystals
CN109880624B (zh) 超小型PbSe量子点的制备方法
Wang et al. A novel strategy for boosting the photoluminescence quantum efficiency of CdSe nanocrystals at room temperature
CN113502085A (zh) 硫化铅胶体量子点墨水、制备方法及在可印刷太阳能电池中的应用
CN106430119A (zh) 一种量子点合成放大的方法
US20230174863A1 (en) Method for in-situ modification of mercury quantum dots in traditional thermal injection process
CN114751446B (zh) 一种阶梯式113型钙钛矿结构及其制备方法和应用
CN114560449B (zh) 一种不同形貌及相态的硒化锰纳米材料的制备方法及应用
CN115477947B (zh) 一种汞基硫属化合物量子点及其制备方法、传感器
CN111019631A (zh) 核壳结构纳米晶的制备方法
CN114538388B (zh) 一种组成可控的硒化锌纳米线的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination