CN112673490A - 显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明的一个实施例提供了一种显示面板，所述显示面板包括：基底，具有开口区域和围绕开口区域的显示区域；多个显示元件，位于显示区域中并且均包括像素电极、发光层和对电极；薄膜封装层，覆盖所述多个显示元件并且包括有机封装层和无机封装层；多个凹槽，位于开口区域与显示区域之间，并且在基底的深度方向上凹进以具有底切结构；以及分隔壁，位于所述多个凹槽之中的相邻的凹槽之间。

Description

显示面板
技术领域
本公开涉及一种包括凹槽的显示面板以及包括该显示面板的显示装置。
背景技术
近来，显示装置的用途已经多样化。此外，随着显示装置已经变得更薄且更轻量，它们的使用范围已经逐渐扩展。
随着被显示装置的显示区域占据的面积增加，可以与显示装置结合或相关联的功能正在被添加。作为在增加显示区域的尺寸的同时添加各种功能的方法，对在显示区域中包括开口的显示装置的研究正在进行。
发明内容
技术问题
在包括开口的显示装置中，诸如湿气的外来物质可以穿透开口的侧面。在这种情况下，围绕开口的显示元件会被损坏。提供了一种可以防止湿气通过开口的渗透的显示面板和包括该显示面板的显示装置。然而，应当理解的是，在此描述的实施例应当仅以描述性意义考虑，而不是为了限制本公开。
技术方案
根据本公开的方面，显示面板包括：基底，包括开口区域和围绕开口区域的显示区域；多个显示元件，均包括像素电极、发射层和对电极，所述多个显示元件定位在显示区域中；薄膜封装层，覆盖所述多个显示元件，并且包括有机封装层和无机封装层；多个凹槽，定位在开口区域与显示区域之间，所述多个凹槽在基底的深度方向上凹进并且具有底切结构；以及分隔壁，定位在所述多个凹槽之中的相邻的凹槽之间。
分隔壁可以包括包含有机绝缘材料的至少一个分隔壁层。
显示面板还可以包括：无机层，介于基底与所述至少一个分隔壁层之间，其中，无机层的顶表面和侧表面可以被所述至少一个分隔壁层覆盖。
显示面板还可以包括：像素限定层，定位在显示区域中，覆盖像素电极的边缘，并且包括与像素电极对应的开口；以及间隔件，布置在像素限定层的顶表面上。
从基底到分隔壁的顶表面的第一高度可以小于从基底到间隔件的顶表面的第二高度。
第一高度与第二高度之间的差可以为1μm或更大。
第一高度可以大于从基底到像素限定层的顶表面的第三高度并且小于第二高度。
像素限定层和间隔件可以包括有机绝缘材料。
分隔壁的底表面的宽度可以小于相邻的凹槽之间的水平距离。
分隔壁可以具有围绕开口区域的环形形状。
根据本公开的另一方面，显示面板包括：基底，包括开口；显示元件，定位在显示区域中，显示区域至少部分地围绕开口；薄膜封装层，定位在显示元件上并且包括有机封装层和无机封装层；多个凹槽，定位在开口与显示区域之间的凹槽区域中；以及分隔壁，定位在凹槽区域中并且布置在所述多个凹槽之中的相邻的凹槽之间。
基底可以包括基体层和在基体层上的阻挡层，并且所述多个凹槽中的每个可以包括：第一孔，穿过阻挡层；以及凹部或第二孔，穿过基体层。
阻挡层的侧表面可以比基体层的侧表面朝向第一孔的中心进一步突出，其中，阻挡层的侧表面限定第一孔，并且基体层的侧表面限定凹部或第二孔。
分隔壁可以包括包含有机绝缘材料的至少一个分隔壁层。
至少一个无机层可以布置在基底与所述至少一个分隔壁层之间，并且所述至少一个无机层的顶表面和侧表面可以被所述至少一个分隔壁层覆盖。
所述至少一个无机层和分隔壁可以定位在相邻的凹槽之间，并且可以具有围绕开口的环形形状。
显示面板还可以包括：像素限定层，定位在显示区域中，覆盖显示元件中的每个显示元件的像素电极的边缘，并且包括与像素电极对应的开口；以及间隔件，布置在像素限定层的顶表面上，其中，从基底到分隔壁的顶表面的第一高度可以小于从基底到间隔件的顶表面的第二高度。
第一高度可以大于从基底到像素限定层的顶表面的第三高度并且小于第二高度。
分隔壁的底表面的宽度可以小于相邻的凹槽之间的水平距离。
显示面板还可以包括：平坦化层，定位在凹槽区域中。
通过以下结合附图对实施例的描述，这些和/或其它方面将变得明显并且更容易理解。
有益效果
根据实施例的显示面板可以通过凹槽和相邻的凹槽之间的分隔壁的结构来防止显示元件的损坏。然而，提供该效果作为示例，并且本公开的范围不受该效果限制。
附图说明
图1是根据实施例的显示装置的透视图。
图2是根据实施例的显示装置的并且可以与沿着图1的线II-II’截取的剖面对应的剖视图。
图3是根据实施例的显示面板的平面图。
图4是显示面板的像素中的一个的等效电路图。
图5示出了定位在根据实施例的显示面板的第一非显示区域中的信号线。
图6示出了定位在根据实施例的显示面板的第一非显示区域中的凹槽。
图7是根据实施例的制造显示面板的工艺的剖视图。
图8a是根据实施例的凹槽的放大剖视图。
图8b是根据另一实施例的凹槽的放大剖视图。
图8c是根据另一实施例的凹槽的放大剖视图。
图8d是根据另一实施例的凹槽的放大剖视图。
图8e是根据另一实施例的凹槽的放大剖视图。
图9是根据实施例的制造显示面板的工艺的剖视图。
图10是图9的一部分的放大剖视图。
图11是根据实施例的制造显示面板的工艺的剖视图。
图12是根据实施例的制造显示面板的工艺的剖视图。
图13是根据另一实施例的制造显示面板的工艺的剖视图。
图14是根据另一实施例的制造显示面板的工艺的剖视图。
图15是根据另一实施例的制造显示面板的工艺的剖视图。
图16是根据另一实施例的制造显示面板的工艺的剖视图。
图17是根据另一实施例的显示面板的剖视图。
具体实施方式
由于公开允许各种改变和许多实施例，所以示例实施例将在附图中示出并且在书面描述中详细描述。当参考参照附图描述的实施例时，公开的效果和特性以及实现所述效果和特性的方法将明显。然而，本公开可以以许多不同的形式实施，并且不应被解释为限于在此所阐述的示例实施例。
在下文中，将参照附图更充分地描述公开，在附图中示出了公开的示例实施例。当参照附图进行描述时，附图中同样的附图标记表示同样的或相应的元件，并且将省略其重复描述。
将理解的是，尽管在此可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件，但是这些组件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。
如在此所使用的，单数形式“一”、“一个(种/者)”和“该(所述)”也意图包括复数形式，除非上下文另外清楚地指出。
还将理解的是，在此所使用的术语“包含/包括”及其变型说明存在所陈述的特征或组件，但是不排除存在或添加一个或更多个其它特征或组件。
将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件“上”时，该层、区域或组件可以直接或间接形成在所述另一层、区域或组件上。即，例如，可以存在中间层、区域或组件。
为了便于说明，可以夸大附图中的组件的尺寸。换言之，由于为了便于说明而任意地示出了附图中的组件的尺寸和厚度，所以下面的实施例不限于此。
当可以不同地实现某一实施例时，可以与描述的顺序不同地执行具体的工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或以与描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。
将理解的是，当层、区域或组件被称为“连接”到另一层、区域或组件时，该层、区域或组件可以“直接连接”到所述另一层、区域或组件，或者可以“间接连接”到所述另一层、区域或组件并且其它层、区域或组件介于它们之间。例如，将理解的是，当层、区域或组件被称为“连接到或电连接”到另一层、区域或组件时，该层、区域或组件可以“直接连接或电连接”到所述另一层、区域或组件，或者可以“间接连接或电连接”到所述另一层、区域或组件并且其它层、区域或组件介于它们之间。
图1是根据实施例的显示装置的透视图。
参照图1，显示装置1包括发光的显示区域DA和不发光的非显示区域NDA。非显示区域NDA邻近于显示区域DA。显示装置1可以通过使用从布置在显示装置1的显示区域DA中的多个像素发射的光来显示图像。
显示装置1包括被显示区域DA至少部分地围绕的开口区域OA。在实施例中，图1示出了开口区域OA被显示区域DA完全围绕。非显示区域NDA可以包括围绕开口区域OA的第一非显示区域NDA1和围绕显示区域DA的第二非显示区域NDA2。第一非显示区域NDA1可以完全围绕开口区域OA，显示区域DA可以完全围绕第一非显示区域NDA1，并且第二非显示区域NDA2可以完全围绕显示区域DA。
虽然下面将有机发光显示装置示例性地描述为根据实施例的显示装置1，但是显示装置不限于此。在另一实施例中，可以使用诸如无机发光显示器和量子点发光显示器的各种类型的显示装置。
图2是根据实施例的显示装置的并且可以与沿着图1的线II-II’截取的剖面对应的剖视图。
参照图2，显示装置1可以包括显示面板10以及设置在显示面板10上的输入感测构件20和光学功能构件30。这些构件可以被窗40覆盖。显示装置1可以包括各种电子装置，诸如移动电话、笔记本计算机和智能手表。
显示面板10可以显示图像。显示面板10包括布置在显示区域DA中的像素。像素中的每个可以包括显示元件和连接到显示元件的像素电路。显示元件可以包括有机发光二极管、无机发光二极管或量子点发光二极管。
输入感测构件20获得与外部输入(例如，触摸事件)对应的坐标信息。输入感测构件20可以包括感测电极(或触摸电极)和连接到感测电极的迹线。输入感测构件20可以布置在显示面板10上。
输入感测构件20可以直接形成在显示面板10上，或者可以单独地形成然后通过使用诸如光学透明粘合剂(OCA)的粘合层结合。例如，可以在形成显示面板10的工艺之后接着形成输入感测构件20。在这种情况下，在输入感测构件20与显示面板10之间可以不布置粘合层。虽然图2示出了输入感测构件20布置在显示面板10与光学功能构件30之间，但是输入感测构件20在另一实施例中可以布置在光学功能构件30上。
光学功能构件30可以包括防反射层。防反射层可以降低通过窗40从外部朝向显示面板10入射的光(外部光)的反射率。防反射层可以包括延迟器和偏振器。延迟器可以包括膜型延迟器或液晶型延迟器。延迟器可以包括λ/2延迟器和/或λ/4延迟器。偏振器可以包括膜型偏振器或液晶型偏振器。膜型偏振器可以包括可拉伸合成树脂膜，并且液晶型偏振器可以包括以预定排列布置的液晶。延迟器和偏振器中的每个还可以包括保护膜。延迟器和偏振器本身或它们的保护膜可以被限定为防反射层的基体层。
在另一实施例中，防反射层可以包括黑矩阵和滤色器。滤色器可以考虑分别从显示面板10的像素发射的光的颜色来布置。在另一实施例中，防反射层可以包括相消干涉结构。相消干涉结构可以包括分别设置在不同层上的第一反射层和第二反射层。分别由第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以被相消干涉，因此可以降低外部光的反射率。
光学功能构件30可以包括透镜层。透镜层可以改善从显示面板10发射的光的发射效率或者减小光的颜色偏差。透镜层可以包括具有凹透镜形状或凸透镜形状的层并且/或者包括分别具有不同折射率的多个层。光学功能构件30可以包括防反射层和透镜层两者或者可以包括防反射层和透镜层中的一者。
显示面板10、输入感测构件20和光学功能构件30中的每个可以包括开口。关于这一点，在图2中示出了显示面板10、输入感测构件20和光学功能构件30分别包括第一开口至第三开口10H、20H和30H，并且第一开口至第三开口10H、20H和30H彼此叠置。第一开口至第三开口10H、20H和30H定位为对应于开口区域OA。在另一实施例中，显示面板10、输入感测构件20或/和光学功能构件30中的至少一个可以不包括开口。例如，显示面板10、输入感测构件20和光学功能构件30中的一个或两个可以不包括开口。
组件50可以对应于开口区域OA。如由图2的实线所示，组件50可以定位在第一开口至第三开口10H、20H和30H内部，或者如由虚线所示，组件50可以定位在显示面板10下方。
组件50可以包括电子元件。例如，组件50可以包括使用光或声音的电子元件。例如，电子元件可以是诸如发射和/或接收光的红外传感器的传感器、接收光并捕获图像的相机、输出并感测光或声音以测量距离或识别指纹的传感器、输出光的小灯或输出声音的扬声器。使用光的电子元件可以使用诸如可见光、红外光和紫外光的各种波段的光。在实施例中，开口区域OA可以被理解为透射区域，从组件50输出到外部或者从外部朝向电子元件传播的光和/或声音可以穿过所述透射区域。
在另一实施例中，在显示装置1被用作智能手表或用于汽车的仪表板的情况下，组件50可以是包括时钟的指针或指示预定信息(例如，车辆的速度等)的指针的构件。在显示装置1包括时钟的指针或用于汽车的仪表板的情况下，组件50可以通过窗40暴露于外部，窗40可以包括与开口区域OA对应的开口。
如上所述，组件50可以包括与显示面板10的功能相关的元件或诸如增加显示面板10的美感的附件的元件。
图3是根据实施例的显示面板的平面图，并且图4是显示面板的像素中的一个的等效电路图。
参照图3，显示面板10包括显示区域DA以及第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2。图3可以被理解为显示面板10中的基底100的图。例如，基底100可以被理解为具有开口区域OA、第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2。
显示面板10包括布置在显示区域DA中的多个像素P。如图4中所示，每个像素P包括像素电路PC和连接到像素电路PC的作为显示元件的有机发光二极管OLED。像素电路PC可以包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。每个像素P可以通过有机发光二极管OLED发射例如红光、绿光、蓝光或白光。
第二薄膜晶体管T2包括开关薄膜晶体管，可以连接到扫描线SL和数据线DL，并且可以基于从扫描线SL输入的开关电压将从数据线DL输入的数据电压传输到第一薄膜晶体管T1。存储电容器Cst可以连接到第二薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可以存储同从第二薄膜晶体管T2传输的电压与供应到驱动电压线PL的第一电力电压ELVDD之间的差对应的电压。
第一薄膜晶体管T1包括驱动薄膜晶体管，可以连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以基于存储在存储电容器Cst中的电压值来控制从驱动电压线PL流过有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以通过使用驱动电流来发射具有预定亮度的光。有机发光二极管OLED的对电极(例如，阴极)可以接收第二电力电压ELVSS。
虽然参照图4描述了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是本公开不限于此。薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量可以根据像素电路PC的设计而各种地改变。
再次参照图3，第一非显示区域NDA1可以围绕开口区域OA。第一非显示区域NDA1是其中未布置诸如有机发光二极管OLED的显示元件的区域。向设置在开口区域OA周围的像素P提供信号的信号线可以穿越第一非显示区域NDA1或者可以在第一非显示区域NDA1中布置下面将描述的凹槽。向每个像素P提供扫描信号的扫描驱动器1100、向每个像素P提供数据信号的数据驱动器1200、提供第一电力电压ELVDD和第二电力电压ELVSS的主电力布线(未示出)等可以布置在第二非显示区域NDA2中。虽然在图3中示出了数据驱动器1200邻近于基底100的一个侧面，但是根据另一实施例，数据驱动器1200可以布置在柔性印刷电路板(FPCB)上，柔性印刷电路板(FPCB)电连接到布置在显示面板10的一侧上的垫(pad，或被称为“焊盘”或“焊垫”)。
图5是根据实施例的显示面板的一部分的平面图并且示出了定位在第一非显示区域中的信号线。
参照图5，像素P可以在显示区域DA中布置在开口区域OA周围，并且第一非显示区域NDA1可以定位在开口区域OA与显示区域DA之间。
像素P可以在开口区域OA周围彼此间隔开。像素P可以上下布置并且开口区域OA在上下布置的像素P之间，或者可以左右布置并且开口区域OA在左右布置的像素P之间。
向像素P供应信号的信号线之中的邻近于开口区域OA的信号线可以在开口区域OA周围绕行(或绕过)。数据线DL之中的穿越显示区域DA的一些数据线DL可以沿y方向延伸，将数据信号提供到上下布置且开口区域OA在其之间的像素P，并且在第一非显示区域NDA1中沿着开口区域OA的边缘绕行。扫描线SL之中的穿越显示区域DA的一些扫描线SL可以沿x方向延伸，将扫描信号提供到左右布置且开口区域OA在其之间的像素P，并且在第一非显示区域NDA1中沿着开口区域OA的边缘绕行。
图6是根据实施例的显示面板的一部分的平面图并且示出了定位在第一非显示区域中的凹槽。
多个凹槽定位在开口区域OA与显示区域DA之间。关于这一点，在图6中示出了第一凹槽至第三凹槽G1、G2和G3定位在开口区域OA与显示区域DA之间。在另一实施例中，比第一凹槽至第三凹槽G1、G2和G3更多数量的凹槽(例如，四个或更多个凹槽)可以布置在第一非显示区域NDA1中。
第一凹槽至第三凹槽G1、G2和G3可以具有在第一非显示区域NDA1中完全围绕开口区域OA的环形形状。第一凹槽至第三凹槽G1、G2和G3中的每个的直径可以大于开口区域OA的直径，并且第一凹槽至第三凹槽G1、G2和G3可以以预定间隔彼此间隔开。如图6中所示，第一凹槽至第三凹槽G1、G2和G3中的至少两个的宽度可以彼此不同。参照图5和图6，第一凹槽至第三凹槽G1、G2和G3可以比数据线和/或扫描线的在开口区域OA的边缘绕行的迂回部分更邻近于开口区域OA。
图7、图9、图11和图12是根据实施例的制造显示面板的工艺的剖视图，图8a是根据实施例的凹槽的放大剖视图并且对应于图7的局部放大图，图8b至图8e是根据另一实施例的凹槽的放大剖视图，并且图10是图9的一部分的放大剖视图。
首先，参照图7的显示区域DA，在基底100之上形成薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst以及电连接到它们的像素电极221。
基底100可以包括聚合物树脂。基底100可以包括阻挡层和包含聚合物树脂的基体层。例如，基底100可以包括第一基体层101、第一阻挡层102、第二基体层103和第二阻挡层104。
第一基体层101和第二基体层103中的每个可以包括聚合物树脂。例如，第一基体层101和第二基体层103可以包括诸如聚醚砜(PES，polyethersulfone)、聚丙烯酸酯(PAR，polyacrylate)、聚醚酰亚胺(PEI，polyetherimide)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN，polyethylene naphthalate)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET，polyethyleneterephthalate)、聚苯硫醚(PPS，polyphenylene sulfide)、聚芳酯(polyallylate)、聚酰亚胺(PI，polyimide)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)或乙酸丙酸纤维素(CAP，cellulose acetate propionate)的聚合物树脂。聚合物树脂可以是透明的。
第一阻挡层102和第二阻挡层104中的每个可以是防止外部的外来物质的渗透的阻挡层，并且可以是包括诸如氮化硅(SiNx)和/或氧化硅(SiOx)的无机材料的单层或多层。
可以在基底100上布置被构造为防止杂质渗透到薄膜晶体管的半导体层中的缓冲层201。缓冲层201可以包括诸如氮化硅或氧化硅的无机绝缘材料。缓冲层201可以是包括无机绝缘材料的单层或多层。在实施例中，基底100的第二阻挡层104可以被理解为具有多层结构的缓冲层201的部分层。
可以在缓冲层201上布置包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst的像素电路PC。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。图7中所示的薄膜晶体管TFT可以对应于参照图4描述的驱动薄膜晶体管。在本实施例中，虽然示出了其中栅电极GE布置在半导体层Act之上并且栅极绝缘层203在它们之间的顶栅型薄膜晶体管，但是根据另一实施例，薄膜晶体管TFT可以是底栅型薄膜晶体管。
半导体层Act可以包括多晶硅。可选地，半导体层Act可以包括非晶硅或氧化物半导体或者有机半导体。栅电极GE可以包括低电阻金属材料。栅电极GE可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)的导电材料并且可以包括包含上述材料的单层或多层。
栅极绝缘层203布置在半导体层Act与栅电极GE之间。栅极绝缘层203可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽和氧化铪。栅极绝缘层203可以包括包含上述材料的单层或多层。
源电极SE和漏电极DE可以包括具有优异导电性的材料。源电极SE和漏电极DE可以包括诸如Mo、Al、Cu和Ti及其混合物的导电材料。源电极SE和漏电极DE可以包括包含上述材料的单层或多层。在实施例中，源电极SE和漏电极DE可以包括包含Ti/Al/Ti的多层。
存储电容器Cst包括下电极CE1和上电极CE2，下电极CE1和上电极CE2彼此叠置并且第一层间绝缘层205在它们之间。存储电容器Cst可以与薄膜晶体管TFT叠置。关于这一点，在图7中示出了薄膜晶体管TFT的栅电极GE用作存储电容器Cst的下电极CE1。在另一实施例中，存储电容器Cst可以不与薄膜晶体管TFT叠置。存储电容器Cst可以被第二层间绝缘层207覆盖。
第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽和氧化铪。第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207可以包括包含上述材料的单层或多层。
包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst的像素电路PC被第一绝缘层209覆盖。第一绝缘层209可以是平坦化绝缘层。第一绝缘层209可以包括有机绝缘材料，有机绝缘材料包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或其共混物。在实施例中，第一绝缘层209可以包括聚酰亚胺。可选地，第一绝缘层209可以包括无机绝缘材料或者包括无机绝缘材料和有机绝缘材料。
可以在第一绝缘层209上形成像素电极221。像素电极221可以包括导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。在另一实施例中，像素电极221可以包括反射层，反射层包括银(Ag)、镁(Mg)、Al、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其混合物。在另一实施例中，像素电极221还可以包括在反射层上/下面的包含ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
可以在像素电极221上形成第二绝缘层211。第二绝缘层211是像素限定层，包括使像素电极221的顶表面的一部分暴露的开口，并且覆盖像素电极221的边缘。第二绝缘层211可以包括有机绝缘材料。可选地，第二绝缘层211可以包括无机绝缘材料，诸如氮化硅、氮氧化硅或氧化硅。可选地，第二绝缘层211可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。
可以在第二绝缘层211上形成间隔件213。间隔件213可以包括有机绝缘材料、无机绝缘材料或者有机绝缘材料和无机绝缘材料。
间隔件213可以包括与第二绝缘层211的材料不同的材料。可选地，间隔件213可以包括与第二绝缘层211的材料相同的材料。在这种情况下，第二绝缘层211和间隔件213可以在使用半色调掩模的掩模工艺期间同时形成。在实施例中，第二绝缘层211和间隔件213可以包括聚酰亚胺。
参照图7的第一非显示区域NDA1，第一非显示区域NDA1可以包括相对地邻近于显示区域DA的第一子非显示区域SNDA1以及相对地邻近于开口区域OA的第二子非显示区域SNDA2。
第一子非显示区域SNDA1可以是信号线(例如，图7中所示的数据线DL)穿越其的区域。图7中所示的数据线DL可以对应于参照图5描述的在开口区域OA周围绕行的数据线。第一子非显示区域SNDA1可以是数据线DL穿越其的布线区域或绕行(迂回)区域。
如图7中所示，数据线DL可以交替地布置，并且绝缘层在交替地布置的数据线DL之间。可选地，尽管未示出，但是数据线DL可以布置在同一绝缘层上。在相邻的数据线DL可以分别布置在绝缘层(例如，第二层间绝缘层207)下面和之上的情况下，相邻的数据线DL之间的间隙(间距)可以减小，并且第一非显示区域NDA1的宽度可以减小。虽然在图7中示出了数据线DL定位在第一子非显示区域SNDA1中，但是参照图5描述的在开口区域OA周围绕行的扫描线也可以定位在第一子非显示区域SNDA1中。
第二子非显示区域SNDA2可以是其中布置有凹槽的一种凹槽区域。在图7中示出了在第二子非显示区域SNDA2中形成第一凹槽至第三凹槽G1、G2和G3。
可以通过图案化包括无机层和有机层的多层来形成第一凹槽至第三凹槽G1、G2和G3。例如，可以通过去除包括多个层的基底100的一部分来形成第一凹槽至第三凹槽G1、G2和G3。可以通过去除基底100的第二基体层103和第二基体层103上的第二阻挡层104等的一部分来形成第一凹槽至第三凹槽G1、G2和G3。
参照图7和图8a，可以通过去除第二基体层103和第二阻挡层104的部分来形成第一凹槽至第三凹槽G1、G2和G3。可以通过与第二阻挡层104一起还去除第二阻挡层104上的缓冲层201的一部分来形成第一凹槽至第三凹槽G1、G2和G3。例如，穿过第二阻挡层104和缓冲层201的孔以及形成在第二基体层103中的凹部可以构成第一凹槽至第三凹槽G1、G2和G3。
在实施例中，凹部的深度dp1、dp2和dp3可以小于第二基体层103的厚度T。在这种情况下，第一凹槽至第三凹槽G1、G2和G3中的每个的底表面可以布置在第二基体层103的顶表面与底表面之间的虚拟平面上。虚拟平面可以平行于所述顶表面或所述底表面。
在另一实施例中，形成在第二基体层103中的凹部的深度dp1、dp2和dp3可以与第二基体层103的厚度T相同。在这种情况下，可以理解的是，代替凹部，穿过第二基体层103的孔形成在第二基体层103中。第一凹槽至第三凹槽G1、G2和G3中的每个的底表面可以定位在与第二基体层103的底表面相同的虚拟平面上。
形成在第二基体层103中的凹部或孔的深度dp1、dp2和dp3可以为约2μm或更大。在本说明书中，尽管缓冲层201和第二阻挡层104已经被描述为单独的元件，但是基底100的第二阻挡层104可以被理解为具有多层结构的缓冲层201的子层，或者缓冲层201可以被理解为具有多层结构的第二阻挡层104的子层。
可以通过蚀刻(干法蚀刻或湿法蚀刻)工艺来形成第一凹槽至第三凹槽G1、G2和G3。形成第一凹槽至第三凹槽G1、G2和G3的蚀刻工艺可以与形成定位在显示区域DA中的薄膜晶体管TFT的接触孔的工艺和形成像素电极221的工艺等分开地执行或者可以通过利用以上工艺来执行。在另一实施例中，可以通过使用激光蚀刻来形成第一凹槽至第三凹槽G1、G2和G3。
第一凹槽至第三凹槽G1、G2和G3中的每个可以具有底切(undercut)结构。第一凹槽至第三凹槽G1、G2和G3中的每个可以具有其中第一凹槽至第三凹槽G1、G2和G3中的每个的穿过第二基体层103的部分的宽度大于第一凹槽至第三凹槽G1、G2和G3中的每个的穿过绝缘层(例如，第二阻挡层104和/或缓冲层201)的部分的宽度的底切结构。
例如，第一凹槽G1的穿过第二阻挡层104和/或缓冲层201的部分的第一宽度W1可以小于第一凹槽G1的穿过第二基体层103的部分的第四宽度W4。在实施例中，第一宽度W1可以为约6μm至约14μm。缓冲层201和/或第二阻挡层104的侧表面可以比第二基体层103的内侧表面朝向第一凹槽G1的中心进一步突出。如图8a中所示，缓冲层201和第二阻挡层104的在与基底100的顶表面平行的方向上朝向第一凹槽G1的中心进一步突出的部分可以构成一对檐(或一对突出尖端或尖端PT)。朝向第一凹槽G1的中心突出的一对尖端PT中的每个可以比第二基体层103的内侧表面进一步突出第一距离d11。第一距离d11可以为约0.7μm至约1.5μm。在实施例中，第一距离d11可以为约1μm至约1.2μm。
同样地，第二凹槽G2的穿过第二阻挡层104和/或缓冲层201的部分的第二宽度W2可以小于第二凹槽G2的穿过第二基体层103的部分的第五宽度W5。在实施例中，第二凹槽G2的第二宽度W2可以为约12μm至约14μm。缓冲层201和/或第二阻挡层104的侧表面可以比第二基体层103的内侧表面朝向第二凹槽G2的中心进一步突出。如图8a中所示，缓冲层201和第二阻挡层104的在与基底100的顶表面平行的方向上朝向第二凹槽G2的中心进一步突出的部分可以构成一对檐(或一对突出的尖端或尖端PT)。朝向第二凹槽G2的中心突出的一对尖端PT中的每个可以比第二基体层103的内侧表面进一步突出第二距离d12。第二距离d12可以为约0.7μm至约1.5μm。在实施例中，第二距离d12可以为约1μm至约1.2μm。
第三凹槽G3的穿过第二阻挡层104和/或缓冲层201的部分的第三宽度W3可以小于第三凹槽G3的穿过第二基体层103的部分的第六宽度W6。在实施例中，第三凹槽G3的第三宽度W3可以为约18μm至约42μm。缓冲层201和/或第二阻挡层104的侧表面可以比第二基体层103的内侧表面朝向第三凹槽G3的中心进一步突出。如图8a所示，缓冲层201和第二阻挡层104的在与基底100的顶表面平行的方向上朝向第三凹槽G3的中心进一步突出的部分可以构成一对檐(或一对突出的尖端或尖端PT)。朝向第三凹槽G3的中心突出的一对尖端PT中的每个可以比第二基体层103的内侧表面进一步突出第三距离d13。第三距离d13可以为约0.7μm至约1.5μm。在实施例中，第三距离d13可以为约1μm至约1.2μm。第一距离至第三距离d11、d12和d13可以具有相同的值或不同的值。
第一凹槽至第三凹槽G1、G2和G3的宽度可以彼此相同或不同。关于这一点，在图7中示出了第一凹槽至第三凹槽G1、G2和G3的宽度彼此不同。这里，凹槽的宽度表示朝向凹槽的中心彼此面对的尖端与尖端之间的距离。例如，第二凹槽G2的宽度(对应于图7的W2)可以大于第一凹槽G1的宽度(对应于图7的W1)。第三凹槽G3的宽度(对应于图7的W3)可以大于第二凹槽G2的宽度(对应于图7的W2)。在实施例中，第一凹槽G1的宽度W1可以为10μm，第二凹槽G2的宽度W2可以为20μm，并且第三凹槽G3的宽度W3可以为30μm。
可以在多个凹槽(例如，第一凹槽至第三凹槽G1、G2和G3)之间布置分隔壁。例如，第一分隔壁510可以定位在第一凹槽G1与第二凹槽G2之间，并且第二分隔壁520可以定位在第二凹槽G2与第三凹槽G3之间。
第一分隔壁510的高度h1和第二分隔壁520的高度h2可以小于间隔件213的高度H1。这里，第一分隔壁510的高度h1表示从基底100到第一分隔壁510的顶表面的垂直距离，并且第二分隔壁520的高度h2表示从基底100到第二分隔壁520的顶表面的垂直距离。此外，间隔件213的高度H1表示从基底100到间隔件213的顶表面的垂直距离。在本说明书中，“A的高度”表示从基底100到“A”的顶表面的垂直距离，例如，可以表示从基底100的顶表面到“A”的顶表面的垂直距离或者从基底100的底表面到“A”的顶表面的垂直距离。在下文中，为了便于描述，对高度的参考点是基底100的底表面的情况进行描述。
在实施例中，间隔件213的高度H1与第一分隔壁510的高度h1和第二分隔壁520的高度h2中的每个之间的差可以为约1μm或更大。作为本公开的对比示例，当第一分隔壁510的高度h1和第二分隔壁520的高度h2与间隔件213的高度H1相同或大于间隔件213的高度H1时，第一分隔壁510和第二分隔壁520会被在形成中间层和对电极的工艺(将在下面参照图9描述)期间使用的掩模损坏。当第一分隔壁510和第二分隔壁520被损坏时，在形成有机封装层的工艺(将在下面描述)期间会难以控制单体的流动，并且有机封装层下面的无机封装层和有机封装层上的无机封装层会非预期地彼此接触，因此薄膜封装层的质量会劣化。然而，在如本公开的实施例中的第一分隔壁510的高度h1和第二分隔壁520的高度h2形成为小于间隔件213的高度H1的情况下，可以防止由上述掩模造成的损坏(例如，切碎等)和薄膜封装层的质量劣化。
在实施例中，第一分隔壁510的高度h1和第二分隔壁520的高度h2可以与第二绝缘层211的顶表面的高度H2相同。这里，第二绝缘层211的顶表面的高度H2表示从基底100的底表面到第一分隔壁510的顶表面的垂直距离。在另一实施例中，第一分隔壁510的高度h1和第二分隔壁520的高度h2可以小于间隔件213的高度H1并且大于第二绝缘层211的顶表面的高度H2。
参照图7和图8a，第一分隔壁510和第二分隔壁520中的每个可以包括多个绝缘层。在实施例中，第一分隔壁510和第二分隔壁520可以分别包括第一分隔壁层510A和520A以及第二分隔壁层510B和520B。第一分隔壁层510A和520A可以在与形成第一绝缘层209的工艺相同的工艺期间形成，并且可以包括与第一绝缘层209的材料相同的材料。第二分隔壁层510B和520B可以在与形成第二绝缘层211的工艺相同的工艺期间形成，并且可以包括与第二绝缘层211的材料相同的材料。在实施例中，第一分隔壁层510A和520A以及第二分隔壁层510B和520B可以包括有机绝缘材料。第二分隔壁层510B和520B可以分别形成在第一分隔壁层510A和520A正上，并且第二分隔壁层510B和520B的底表面可以分别直接接触定位在其下面的第一分隔壁层510A和520A的相应的顶表面。
可以在第一分隔壁层510A和520A的下部中布置一个或更多个无机层。关于这一点，在图7和图8a中示出了在第一分隔壁层510A和520A的下部中布置第一子层至第三子层203a、205a和207a。第一子层203a可以在与形成栅极绝缘层203的工艺相同的工艺期间形成，并且可以包括与栅极绝缘层203的材料相同的材料。第二子层205a可以在与形成第一层间绝缘层205的工艺相同的工艺期间形成，并且可以包括与第一层间绝缘层205的材料相同的材料。第三子层207a可以在与形成第二层间绝缘层207的工艺相同的工艺期间形成，并且可以包括与第二层间绝缘层207的材料相同的材料。
上面描述的一个或更多个无机层(在下文中被称为无机结构ST)可以被第一分隔壁层510A和520A覆盖。例如，第一分隔壁层510A和520A可以覆盖设置在其下面的无机结构ST的顶表面和侧表面中的全部，因此无机结构ST可以不暴露于外部。
参照图8a的第一分隔壁510，第一分隔壁510可以定位在第一凹槽G1与第二凹槽G2之间，并且第一分隔壁510的底表面的第七宽度W7可以小于邻近于第一分隔壁510的第一凹槽G1与第二凹槽G2之间的第九宽度W9。换言之，第一凹槽G1的尖端PT的端部与第二凹槽G2的尖端PT的端部之间的水平距离(对应于W9)大于第一分隔壁510的底表面的第七宽度W7。
由于第一凹槽G1和第二凹槽G2中的每个具有底切结构，所以第一凹槽G1与第二凹槽G2之间的第九宽度W9大于第八宽度W8，第八宽度W8是第二基体层103的构成第一凹槽G1的内表面与第二基体层103的构成第二凹槽G2的内表面之间的最小水平距离。
如图8a中所示，第八宽度W8可以大于第七宽度W7。可选地，如图8b中所示，第八宽度W8'可以小于第七宽度W7'。在图8b中所示的实施例中，第八宽度W8'和第七宽度W7'小于第九宽度W9，这与上面在图8a中所示的实施例相同。
参照图8a和图8b描述的在第一分隔壁510周围的第七宽度至第九宽度W7、W7'、W8、W8'和W9之间的关系同样可应用于第二分隔壁520。
例如，如图8a中所示，第二分隔壁520的底表面的第十宽度W10可以小于第二凹槽G2与第三凹槽G3之间的第十二宽度W12。第二凹槽G2与第三凹槽G3之间的第十二宽度W12对应于第二凹槽G2的左尖端PT的端部与第三凹槽G3的右尖端PT的端部之间的水平距离。由于第二凹槽G2和第三凹槽G3中的每个具有底切结构，所以第二凹槽G2与第三凹槽G3之间的第十二宽度W12大于第十一宽度W11，第十一宽度W11是第二基体层103的构成第二凹槽G2的内表面与第二基体层103的构成第三凹槽G3的内表面之间的最小水平距离。
如图8a中所示，第十一宽度W11可以大于第十宽度W10。可选地，如图8b中所示，第十一宽度W11'可以小于第十宽度W10'。在图8b中所示的实施例中，第十一宽度W11'和第十宽度W10'小于第十二宽度W12。
如图7和图8a中所示，可以通过无机结构ST以及第一分隔壁层和第二分隔壁层510A、510B、520A和520B来调节第一分隔壁510的高度h1和第二分隔壁520的高度h2。换言之，构成无机结构ST的层以及第一分隔壁层和第二分隔壁层510A、510B、520A和520B的厚度可以影响第一分隔壁510的高度h1和第二分隔壁520的高度h2。
虽然在图8a和图8b中示出了第一分隔壁510的高度h1和第二分隔壁520的高度h2基于第一子层至第三子层203a、205a和207a的厚度以及第一分隔壁层和第二分隔壁层510A、510B、520A和520B的厚度，但是本公开不限于此。在另一实施例中，可以省略第一子层203a、第二子层205a、第三子层207a、第一分隔壁层510A和第二分隔壁层510B中的一个或更多个，并且剩余的层可以确定第一分隔壁510的高度h1。同样地，第二分隔壁520的高度h2可以由从第一子层203a、第二子层205a、第三子层207a、第一分隔壁层520A和第二分隔壁层520B中选择的层来确定。即，可以省略与第二分隔壁520对应的第一子层203a、第二子层205a、第三子层207a、第一分隔壁层520A和第二分隔壁层520B中的一个或更多个，并且剩余的层可以确定第二分隔壁520的高度h2。第一分隔壁510的高度h1和第二分隔壁520的高度h2可以彼此相同或不同。
虽然在图8a和图8b中示出了包括在无机结构ST中的第一子层至第三子层203a、205a和207a包括无机绝缘层，但是本公开不限于此。在另一实施例中，无机结构ST可以包括金属层。
参照图8c，无机结构ST可以包括第一子层至第三子层203a、205a和207a以及第一金属层至第三金属层204a、206a和208a。例如，第一金属层204a可以包括与图7中所示的栅电极或存储电容器的下电极的材料相同的材料。第二金属层206a可以包括与图7中所示的存储电容器的上电极的材料相同的材料。第三金属层208a可以包括与图7中所示的源电极或漏电极或者数据线的材料相同的材料。
根据实施例，可以省略构成图8c中所示的无机结构ST的多个层中的至少一个，并且剩余的层可以影响第一分隔壁510的高度h1和第二分隔壁520的高度h2。例如，可以省略第一子层203a、第一金属层204a、第二子层205a、第二金属层206a、第三子层207a、第三金属层208a、第一分隔壁层510A和第二分隔壁层510B中的一个或更多个，并且剩余的层可以确定第一分隔壁510的高度h1。同样地，第二分隔壁520的高度h2可以通过省略从第一子层203a到第二分隔壁层520B的层中的一个或更多个来确定。参照图8c描述的无机结构ST同样可应用于根据图8b中所示的实施例和下面将描述的实施例的无机结构ST。
虽然在图8a至图8c中示出了第一分隔壁层和第二分隔壁层510A、510B、520A和520B中的每个的侧表面是正锥形表面并且整体上具有大致梯形的剖面，但是本公开不限于此。在另一实施例中，第一分隔壁层和第二分隔壁层510A、510B、520A和520B中的每个的侧表面和顶表面在其处会合的拐角部分可以具有圆形(rounded，或被称为倒圆)形状。
参照图8d，与第一分隔壁510对应的第一分隔壁层510A的侧表面可以具有正锥形表面，第一分隔壁层510A的顶表面的中心部分可以包括平坦表面，并且侧表面和顶表面在其处会合的拐角部分可以具有圆形形状(即，弯曲表面)。同样地，与第一分隔壁510对应的第二分隔壁层510B的侧表面和顶表面在其处会合的拐角部分也可以具有圆形形状。第一分隔壁510的第二分隔壁层510B的侧表面可以具有正锥形形状，并且第二分隔壁层510B的顶表面的中心部分可以包括平坦表面。在另一实施例中，与第一分隔壁510对应的第一分隔壁层510A和第二分隔壁层510B的顶表面的不仅边缘而且中心部分也可以在整体上具有凸弯曲表面。
同样地，与第二分隔壁520对应的第一分隔壁层520A的侧表面可以具有正锥形表面，第一分隔壁层520A的顶表面的中心部分可以包括平坦表面，并且侧表面和顶表面在其处会合的拐角部分可以具有圆形形状(即，弯曲表面)。同样地，与第二分隔壁520对应的第二分隔壁层520B的侧表面和顶表面在其处会合的拐角部分也可以具有圆形形状。第二分隔壁层520B的侧表面可以具有正锥形表面，并且第二分隔壁层520B的顶表面的中心部分可以包括平坦表面。在另一实施例中，与第二分隔壁520对应的第一分隔壁层520A和第二分隔壁层520B的顶表面的不仅边缘而且中心部分也可以整体上具有凸弯曲表面。
如上所述，可以在与形成第一分隔壁层510A和520A的工艺相同的工艺期间形成第一绝缘层209，因此第一绝缘层209的侧表面和顶表面在其处会合的拐角部分也可以具有圆形形状。类似地，第二绝缘层211的侧表面和顶表面在其处会合的拐角部分可以具有圆形形状。
虽然在图8a和图8d中示出了第一凹槽至第三凹槽G1、G2和G3中的每个的底表面布置在第二基体层103的顶表面与底表面之间，但是本公开不限于此。可选地，如上所述，第一凹槽至第三凹槽G1、G2和G3中的每个的底表面可以布置在与第二基体层103的底表面和第一阻挡层102的顶表面相同的虚拟表面上。在另一实施例中，如图8e中所示，可以通过去除第二阻挡层104、第二基体层103、第一阻挡层102和第一基体层101的一部分来形成第一凹槽至第三凹槽G1、G2和G3。
参照图8e，第一凹槽至第三凹槽G1、G2和G3中的每个的底表面可以布置在第一基体层101的顶表面与底表面之间的虚拟平面上。如图8e中所示，第一基体层101的厚度可以与第二基体层103的厚度相同或大于第二基体层103的厚度。
第一凹槽至第三凹槽G1、G2和G3中的每个可以在深度方向(或基底的厚度方向)上具有多个底切结构。例如，均与第一凹槽G1对应的第一基体层101和第一阻挡层102可以具有底切结构，并且均与第一凹槽G1对应的第二基体层103和第二阻挡层104可以具有底切结构。即，可以理解的是，第一凹槽G1具有多个叠置的底切结构。同样地，第二凹槽G2和第三凹槽G3中的每个可以具有多个叠置的底切结构。图8e的结构可应用于参照图8a至图8d描述的实施例以及从其派生的实施例。在下文中，为了便于描述，主要描述图8a的结构。
参照图9，在其之上已经形成有第一凹槽至第三凹槽G1、G2和G3的基底100之上形成中间层222和对电极223。中间层222和对电极223中的每个可以通过使用掩模来形成并且通过热蒸发等来形成。
参照图9的放大图，中间层222包括发射层222b。中间层222可以包括在发射层222b下面的第一功能层222a和/或在发射层222b上的第二功能层222c。发射层222b可以包括发射预定颜色的光的聚合物和/或低分子量有机材料。
第一功能层222a可以包括单层或多层。例如，在第一功能层222a包括聚合物材料的情况下，第一功能层222a是具有单层结构的空穴传输层(HTL)并且可以包括聚-(3,4)-乙烯-二羟基噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)。在第一功能层222a包括低分子量材料的情况下，第一功能层222a可以包括空穴注入层(HIL)和HTL。
不总是设置第二功能层222c。例如，在第一功能层222a和发射层222b包括聚合物材料的情况下，设置第二功能层222c是优选的。第二功能层222c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
可以在显示区域DA中针对每个像素布置中间层222的发射层222b。例如，发射层222b可以与像素电极221的顶表面的通过第二绝缘层211的开口暴露的部分叠置。中间层222的第一功能层222a和第二功能层222c中的每个可以设置为一体，以不仅覆盖显示区域DA而且覆盖第一非显示区域NDA1。
对电极223可以包括具有低的逸出功的导电材料。例如，对电极223可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或其合金的(半)透明层。可选地，对电极223还可以包括在包含上述材料的(半)透明层上的包含ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。对电极223可以设置为一体，以不仅覆盖显示区域DA而且覆盖第一非显示区域NDA1。
参照图9和图10，第一功能层222a和第二功能层222c以及对电极223形成在第一非显示区域NDA1中，并且可以通过第一凹槽至第三凹槽G1、G2和G3断开。第一功能层222a和第二功能层222c以及对电极223可以通过第一凹槽至第三凹槽G1、G2和G3的底切结构断开。
基底100之上的层之中的包括有机材料的层可以用作外来物质(例如，湿气)可以通过其传播的路径。由于第一功能层222a和第二功能层222c包括有机材料，所以第一功能层222a和第二功能层222c可以用作上述湿气传输路径，然而，由于第一功能层222a和第二功能层222c通过第一凹槽至第三凹槽G1、G2和G3断开，所以可以防止湿气在横向方向(x方向)上的传播，并且可以防止包括像素电极221、中间层222和对电极223的有机发光二极管OLED的损坏。
参照图11，形成薄膜封装层300。薄膜封装层300可以通过覆盖显示区域DA的有机发光二极管来防止有机发光二极管被外部杂质损坏或劣化。
薄膜封装层300可以包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。在图11中示出了薄膜封装层300包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及在第一无机封装层310与第二无机封装层330之间的有机封装层320。在另一实施例中，有机封装层的数量、无机封装层的数量和它们的堆叠顺序可以改变。
第一无机封装层310可以包括诸如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的至少一种无机绝缘材料。可以通过化学气相沉积(CVD)工艺形成第一无机封装层310。
与参照图9描述的第一功能层222a和第二功能层222c以及对电极223不同，由于第一无机封装层310具有相对优异的台阶覆盖性，所以第一无机封装层310可以连续地形成而不断开。
如图11中所示，第一无机封装层310可以完全覆盖第一凹槽至第三凹槽G1、G2和G3的内表面。缓冲层201和第二阻挡层104的侧表面和底表面以及第二基体层103的内侧表面和底表面可以被第一无机封装层310覆盖。第一无机封装层310也可以覆盖断开并且布置在第一凹槽至第三凹槽G1、G2和G3中的每个的底表面上的第一功能层222a和第二功能层222c以及对电极223。
有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。
可以通过在基底100之上涂覆单体并使其硬化来形成有机封装层320。第一分隔壁510和/或第二分隔壁520可以控制单体的流动并且调节单体的厚度(即，有机封装层320的厚度)。当有机封装层320的厚度为最小厚度或更小时，有机封装层320不能充分覆盖从有机封装层320下面的结构或在制造工艺期间出现的应力和杂质(颗粒等)，并且在有机封装层320上或下面的层会剥落或者会出现黑点。第一分隔壁510和/或第二分隔壁520可以通过控制单体的流动来确保有机封装层320的厚度，因此可以防止上面描述的问题。关于这一点，在图11中示出了通过第一分隔壁510来控制单体的流动并且确保有机封装层320的厚度。
有机封装层320可以在显示区域DA中具有相对平坦的顶表面，并且具有与在第一分隔壁510或第二分隔壁520周围(即，在第一非显示区域NDA1中)的弯曲表面对应的相对平滑的顶表面。由于有机封装层320覆盖其下面的层的凹结构或凸结构，所以有机封装层320可以根据其位置而具有不同的厚度。
有机封装层320的厚度可以在从约1μm至约8μm的范围内。在实施例中，有机封装层320的厚度可以在例如从约1μm至约4μm的范围内。例如，有机封装层320的在第二绝缘层211的顶表面与侧表面之间的点处的最小厚度t1可以为约1μm，并且所述点在竖直方向(z方向)上的厚度可以具有大于1μm的值。
第二无机封装层330可以包括诸如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的至少一种无机绝缘材料并且可以通过CVD工艺形成。
与第一无机封装层310一样，第二无机封装层330可以完全覆盖基底100。第二无机封装层330的一部分可以在第二子非显示区域SNDA2中直接接触第一无机封装层310。第一凹槽G1的在第一无机封装层310之上的空间至少部分地填充有有机封装层320。相反，在第二凹槽G2和第三凹槽G3中不存在有机封装层320。因此，第二无机封装层330可以在第二凹槽G2和第三凹槽G3中直接接触第一无机封装层310。第一无机封装层310和第二无机封装层330也可以在第一分隔壁510和第二分隔壁520的顶表面上彼此接触。
当如参照图11描述地形成薄膜封装层300，并且沿着第一线SCL1执行切割或划片(scribing，或被称为划线或划割)工艺时，可以如图12中所示地形成包括开口10H的显示面板10。可以通过使用诸如激光切割、使用轮的划片工艺或机械抛光等的各种方法来形成开口10H。
图12可以被理解为已经沿着图12中所示的第一线SCL1对其执行了切割或划片工艺的显示面板10的剖视图。在另一实施例中，图12中所示的从第一线SCL1至第n线SCLn的区域可以被理解为制造显示面板的工艺中的切割区域CA。即，可以沿着来自图12中所示的第一线SCL1至第n线SCLn的线中的一条执行切割或划片工艺，并且对应的剖面结构可以对应于根据本公开的实施例的显示面板的剖视图。
图12中所示的结构可以被理解为围绕开口区域OA和/或开口10H的结构。例如，沿着图6的线VI-VI’截取的剖面可以对应于图12的剖视图。与图12中所示的第一凹槽至第三凹槽G1、G2和G3在图6的平面图中具有环形形状一样，图12中所示的第一分隔壁510和第二分隔壁520可以被理解为在平面图中具有围绕开口区域OA和/或开口10H的环形形状。此外，包括在第一分隔壁510和第二分隔壁520中的无机结构ST可以被理解为在平面图中具有围绕开口区域OA和/或开口10H的环形形状。在平面图中，当在与基底100的顶表面垂直的方向上观察时，从开口区域OA的中心到第一分隔壁510的半径可以大于从开口区域OA的中心到第二分隔壁520的半径。
图13是根据另一实施例的制造显示面板的工艺的剖视图。图13可以被理解为在参照图11描述的制造显示面板的工艺之后的工艺。例如，如图11中所示，在形成薄膜封装层300之后，可以如图13中所示地进一步执行形成平坦化层410的工艺。
平坦化层410可以包括有机绝缘材料。在实施例中，可以通过在薄膜封装层300上涂覆光致抗蚀剂(负性光致抗蚀剂或正性光致抗蚀剂)或聚合物类有机材料并将它们图案化来形成平坦化层410。图案化的平坦化层410的端部410E可以如图13中所示地定位在第三凹槽G3中。
在另一实施例中，图案化的平坦化层410的端部410E可以比图13中所示的端部410E更邻近于开口区域OA。在这种情况下，第三凹槽G3的在第二无机封装层330之上的空间可以填充有平坦化层410。
平坦化层410可以通过覆盖第二子非显示区域SNDA2的其中不存在有机封装层320的区域来改善显示面板10的平坦度。因此，可以防止直接形成在显示面板10上或通过使用粘合层结合在显示面板10上的输入感测构件或光学功能构件与显示面板10分离或从显示面板10脱离。
图13可以被理解为已经沿着第一线SCL1对其执行了切割或划片工艺的显示面板10的剖视图。然而，本公开不限于此。图13中所示的从第一线SCL1至第n线SCLn的区域可以被理解为制造显示面板的工艺中的切割区域CA。即，可以沿着来自图13中所示的第一线SCL1至第n线SCLn的线中的一条执行切割或划片工艺，并且对应的剖面结构可以对应于根据本公开的实施例的显示面板。
图14是根据另一实施例的制造显示面板的工艺的剖视图。图14可以被理解为在参照图11描述的制造显示面板的工艺之后的工艺。例如，如图11中所示，在形成薄膜封装层300之后，可以如图14中所示地进一步执行形成平坦化层410'的工艺。
与图13的平坦化层410不同，可以不对图14的平坦化层410'另外执行图案化工艺。因此，在沿着第一线SCL1对平坦化层410'执行切割或划片工艺的情况下，平坦化层410'的侧表面410S'可以与基底100的端部100E布置在同一竖直线上。
图14可以被理解为已经沿着第一线SCL1对其执行了切割或划片工艺的显示面板10的剖视图。然而，本公开不限于此。图14中所示的从第一线SCL1至第n线SCLn的区域可以被理解为制造显示面板的工艺中的切割区域CA。即，可以沿着来自图14中所示的第一线SCL1至第n线SCLn的线中的一条执行切割或划片工艺，并且对应的剖面结构也可以对应于根据本公开的实施例的显示面板。
图13和图14中所示的结构可以被理解为围绕开口区域OA和/或开口10H的结构。例如，第一分隔壁510和第二分隔壁520可以具有围绕开口区域OA和/或开口10H的环形形状。类似地，平坦化层410和410'可以具有围绕开口区域OA和/或开口10H的环形形状，同时具有预定宽度。可选地，在另一实施例中，平坦化层410和410'可以覆盖基底100的整个表面。例如，平坦化层410和410'不仅可以完全覆盖第一非显示区域NDA1而且可以完全覆盖显示区域DA。
图15和图16是根据另一实施例的制造显示面板的工艺的剖视图。
参照图15，由于显示区域DA中的堆叠结构与上面描述的图7的显示区域DA的堆叠结构相同，所以主要描述作为第一非显示区域NDA1的一部分的第二子非显示区域SNDA2。虽然图13中所示的第一非显示区域NDA1还包括如上面参照图7描述的其中布置有数据线和/或扫描线的第一子非显示区域SNDA1，但是在图15中已经省略了第一子非显示区域SNDA1。
参照第二子非显示区域SNDA2，第一凹槽G1、第二凹槽G2和多个第三凹槽G3a、G3b、……、G3k可以从显示区域DA朝向开口区域OA布置。第一凹槽G1、第二凹槽G2和多个第三凹槽G3a、G3b、……、G3k中的每个可以具有底切结构并且其具体描述与参照图7至图8a做出的描述相同。
第一凹槽G1、第二凹槽G2和多个第三凹槽G3a、G3b、……、G3k的宽度可以彼此相同或不同。关于这一点，在图15中示出了第一凹槽G1、第二凹槽G2和多个第三凹槽G3a、G3b、……、G3k的宽度彼此不同。
在实施例中，第二凹槽G2的第二宽度W2可以大于第一凹槽G1的第一宽度W1，第(3-1)凹槽G3a的宽度W3a可以小于第二凹槽G2的第二宽度W2，并且第(3-2)凹槽G3b的宽度W3b可以大于第(3-1)凹槽G3a的宽度W3a。如图15中所示，具有相对小的宽度的凹槽和具有相对大的宽度的凹槽可以在从显示区域DA朝向开口区域OA的方向上交替地布置。
在另一实施例中，多个第三凹槽G3a、G3b、……、G3k中的每个的宽度可以与第一凹槽G1的宽度相同。在这种情况下，第二凹槽G2可以具有与第一凹槽G1的宽度相同或比第一凹槽G1的宽度大的宽度。在另一实施例中，多个第三凹槽G3a、G3b、……、G3k中的每个的宽度可以小于第一凹槽G1和/或第二凹槽G2中的至少一个的宽度。
第一分隔壁510可以布置在第一凹槽G1与第二凹槽G2之间。第三分隔壁530可以比第一分隔壁510更邻近于开口区域OA。例如，第三分隔壁530可以布置在多个第三凹槽G3a、G3b、……、G3k之中的相邻的第三凹槽之间。关于这一点，在图15中示出了第三分隔壁530布置在第(3-1)凹槽G3a与第(3-2)凹槽G3b之间。
第一分隔壁510的高度h1和第三分隔壁530的高度h3小于定位在显示区域DA中的间隔件213的高度H1。例如，间隔件213的高度H1与第一分隔壁510的高度h1和第三分隔壁530的高度h3之间的差可以为约1μm或更大。
第一分隔壁510的高度h1和第三分隔壁530的高度h3可以与第二绝缘层211的顶表面的高度H2相同。可选地，第一分隔壁510的高度h1和第三分隔壁530的高度h3可以大于第二绝缘层211的顶表面的高度H2并且小于间隔件213的高度H1。
第三分隔壁530可以包括多个绝缘层。例如，第三分隔壁530可以包括第一分隔壁层530A和第二分隔壁层530B，第一分隔壁层530A和第二分隔壁层530B可以包括有机绝缘材料。在实施例中，第一分隔壁层530A可以在与形成第一绝缘层209的工艺相同的工艺期间形成，并且可以包括与第一绝缘层209的材料相同的材料。第二分隔壁层530B可以在与形成第二绝缘层211的工艺相同的工艺期间形成，并且可以包括与第二绝缘层211的材料相同的材料。第二分隔壁层530B可以形成在第一分隔壁层530A正上，并且第二分隔壁层530B的底表面可以直接接触定位在其下面的第一分隔壁层530A的顶表面。
包括多个无机层的无机结构ST可以布置在第三分隔壁530的第一分隔壁层530A下面。例如，无机结构ST可以包括多个绝缘层，多个绝缘层包括与栅极绝缘层203至第二层间绝缘层207的材料相同的材料。
虽然在图15中示出了第一分隔壁510和第三分隔壁530中的每个包括无机结构ST和无机结构ST上的分隔壁层，并且每个无机结构ST包括无机绝缘层，但是本公开不限于此。如上面参照图8c描述的，无机结构ST还可以包括金属层。如上所述，第一分隔壁510的高度h1和第三分隔壁530的高度h3中的每个可以基于包括在无机结构ST中的无机绝缘层和金属层以及分隔壁层的厚度。另外，可以通过省略上面描述的层中的至少一个来调节第一分隔壁510的高度h1和第三分隔壁530的高度h3。
图15中所示的第一分隔壁510的底表面的宽度小于第一凹槽G1与第二凹槽G2之间的宽度。与此相关的结构与参照图8a和图8b描述的结构相同。例如，如参照图8a描述的，第一分隔壁510的底表面的宽度可以小于第一凹槽G1与第二凹槽G2之间的宽度，并且可以小于第二基体层103的构成第一凹槽G1的内表面与第二基体层103的构成第二凹槽G2的内表面之间的最小水平距离。可选地，如参照图8b描述的，第一分隔壁510的底表面的宽度可以小于第一凹槽G1与第二凹槽G2之间的宽度，并且可以大于第二基体层103的构成第一凹槽G1的内表面与第二基体层103的构成第二凹槽G2的内表面之间的最小水平距离。
与第一分隔壁510一样，第三分隔壁530的底表面的第十三宽度W13可以小于相邻的第三凹槽之间的距离(或第十五宽度W15)。
例如，如图15中所示，第三分隔壁530的底表面的第十三宽度W13可以小于第十五宽度W15并且可以小于第十四宽度W14，第十五宽度W15是第(3-1)凹槽G3a与第(3-2)凹槽G3b之间的水平距离，第十四宽度W14是第二基体层103的构成第(3-1)凹槽G3a的内表面与第二基体层103的构成第(3-2)凹槽G3b的内表面之间的最小水平距离。
可选地，虽然未示出，但是第三分隔壁530的底表面的第十三宽度W13可以小于第十五宽度W15并且可以大于第十四宽度W14，第十五宽度W15是第(3-1)凹槽G3a与第(3-2)凹槽G3b之间的水平距离，第十四宽度W14是第二基体层103的构成第(3-1)凹槽G3a的内表面与第二基体层103的构成第(3-2)凹槽G3b的内表面之间的最小水平距离。
参照图16，在其中已经形成有凹槽的基底100之上形成中间层222和对电极223。中间层222的第一功能层和第二功能层以及对电极223可以覆盖基底100的整个表面，并且通过第一凹槽G1和第二凹槽G2以及多个第三凹槽G3a、G3b、……、G3k断开。与此相关的具体构造与上面参照图10描述的构造相同。
在这之后，可以在对电极223上顺序地形成第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。在形成薄膜封装层300之后，当沿着第一线SCL1执行切割或划片工艺时，可以如图16中所示地形成包括开口10H的显示面板10。
由于通过CVD形成的第一无机封装层310具有优异的台阶覆盖性，因此第一无机封装层310可以完全覆盖凹槽的内表面而不断开。
可以通过涂覆单体并使其硬化来形成有机封装层320。可以在制造工艺期间涂覆单体以覆盖显示区域DA和开口区域OA。涂覆在开口区域OA中的单体可以填充多个第三凹槽之中的相邻于开口区域OA的第(3-k)凹槽G3k的至少一部分。
通过在形成薄膜封装层300之后执行的切割或划片工艺去除恰好存在于开口区域OA中的材料(在单体硬化时形成的有机材料)。因此，在显示面板10中，有机材料(在下文中被称为有机绝缘层320B)可以如图16中所示地仅保留在相邻于开口区域OA的第三凹槽G3k中，并且有机绝缘层320B包括与有机封装层320的材料相同的材料。有机绝缘层320B可以减轻在切割或划片工艺期间的应力或冲击，因此可以防止或最小化在开口10H周围的层的裂纹或浮动的产生。
在形成有机封装层320的工艺期间，通过诸如喷墨的工艺将单体滴落在基底100上，滴落的单体的一部分落在基底100周围并且可以立即硬化。可选地，可以通过诸如灰化的工艺来除去在单体硬化时形成的有机绝缘材料的一部分。在这种情况下，在基底100上可以存在尚未去除的有机绝缘材料。例如，如图16中所示，在第二凹槽G2和第(3-2)凹槽G3b中可以存在有机材料320A，并且有机材料320A可以包括与有机封装层320的材料相同的材料。有机材料320A可以是在形成有机封装层320的工艺期间保留在基底100上的残余物。在第二凹槽G2和第(3-2)凹槽G3b的檐下面(即，在尖端下面)可以存在少量的有机材料320A。
第二无机封装层330在显示区域DA中覆盖有机封装层320。第二无机封装层330可以在第一非显示区域NDA1中覆盖有机材料320A和有机绝缘层320B。第二无机封装层330可以延伸以覆盖第一非显示区域NDA1并且在部分区域(例如，第二子非显示区域SNDA2)中直接接触第一无机封装层310。
图16可以被理解为已经沿着第一线SCL1对其执行了切割或划片工艺的显示面板10的剖视图。然而，本公开不限于此。即，可以沿着来自图16中所示的第一线SCL1至第n线SCLn的线中的一条执行切割或划片工艺，并且对应的剖面结构也可以对应于根据本公开的实施例的显示面板。
图17是根据另一实施例的显示面板的剖视图。图17可以被理解为在参照图16描述的形成显示面板的薄膜封装层300的工艺与切割或划片工艺之间添加进一步形成平坦化层410的工艺。
参照图17，在形成薄膜封装层300之后并且在执行切割或划片工艺之前，可以在基底100之上形成平坦化层410。平坦化层410可以包括有机绝缘材料。可以通过在薄膜封装层300上涂覆光致抗蚀剂(负性光致抗蚀剂或正性光致抗蚀剂)或聚合物类有机材料来形成平坦化层410。在制造显示面板10的工艺期间，平坦化层410可以恰好存在于开口区域OA中，但是可以通过沿着第一线SCL1的切割或划片工艺来去除平坦化层410。平坦化层410可以防止直接形成在显示面板10上或附着在显示面板10上的输入感测构件或光学功能构件与显示面板10分离。
图17可以被理解为已经沿着第一线SCL1对其执行了切割或划片工艺的显示面板10的剖视图。然而，本公开不限于此。在另一实施例中，图17中所示的从第一线SCL1至第n线SCLn的区域可以被理解为制造显示面板的工艺中的切割区域CA。因此，在沿着来自第一线SCL1至第n线SCLn的线中的一条执行切割或划片工艺的同时制造的显示面板可以对应于本公开的实施例。
尽管已经参照附图中所示的实施例描述了公开，但是这仅被提供作为示例，并且本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求限定的本公开的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节及其等同物上的各种改变。

Claims (20)

1.一种显示面板，所述显示面板包括：
基底，包括开口区域和围绕所述开口区域的显示区域；
多个显示元件，均包括像素电极、发射层和对电极，所述多个显示元件定位在所述显示区域中；
薄膜封装层，覆盖所述多个显示元件，并且包括有机封装层和无机封装层；
多个凹槽，定位在所述开口区域与所述显示区域之间，所述多个凹槽在所述基底的深度方向上凹进并且具有底切结构；以及
分隔壁，定位在所述多个凹槽之中的相邻的凹槽之间。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述分隔壁包括包含有机绝缘材料的至少一个分隔壁层。
3.根据权利要求2所述的显示面板，所述显示面板还包括：
无机层，介于所述基底与所述至少一个分隔壁层之间，
其中，所述无机层的顶表面和侧表面被所述至少一个分隔壁层覆盖。
4.根据权利要求1所述的显示面板，所述显示面板还包括：
像素限定层，定位在所述显示区域中，覆盖所述像素电极的边缘，并且包括与所述像素电极对应的开口；以及
间隔件，布置在所述像素限定层的顶表面上。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其中，从所述基底到所述分隔壁的顶表面的第一高度小于从所述基底到所述间隔件的顶表面的第二高度。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其中，所述第一高度与所述第二高度之间的差为1μm或更大。
7.根据权利要求5所述的显示面板，其中，所述第一高度大于从所述基底到所述像素限定层的所述顶表面的第三高度并且小于所述第二高度。
8.根据权利要求4所述的显示面板，其中，所述像素限定层和所述间隔件包括有机绝缘材料。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述分隔壁的底表面的宽度小于所述相邻的凹槽之间的水平距离。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述分隔壁具有围绕所述开口区域的环形形状。
11.一种显示面板，所述显示面板包括：
基底，包括开口；
显示元件，定位在显示区域中，所述显示区域至少部分地围绕所述开口；
薄膜封装层，设置在所述显示元件上并且包括有机封装层和无机封装层；
多个凹槽，定位在所述开口与所述显示区域之间的凹槽区域中；以及
分隔壁，定位在所述凹槽区域中并且布置在所述多个凹槽之中的相邻的凹槽之间。
12.根据权利要求11所述的显示面板，其中，所述基底包括基体层和在所述基体层上的阻挡层，并且
所述多个凹槽中的每个包括：
第一孔，穿过所述阻挡层；以及
凹部或第二孔，穿过所述基体层。
13.根据权利要求12所述的显示面板，其中，所述阻挡层的侧表面比所述基体层的侧表面朝向所述第一孔的中心进一步突出，其中，所述阻挡层的所述侧表面限定所述第一孔，并且所述基体层的所述侧表面限定所述凹部或所述第二孔。
14.根据权利要求11所述的显示面板，其中，所述分隔壁包括包含有机绝缘材料的至少一个分隔壁层。
15.根据权利要求14所述的显示面板，其中，至少一个无机层介于所述基底与所述至少一个分隔壁层之间，并且所述至少一个无机层的顶表面和侧表面被所述至少一个分隔壁层覆盖。
16.根据权利要求15所述的显示面板，其中，所述至少一个无机层和所述分隔壁定位在所述相邻的凹槽之间，并且具有围绕所述开口的环形形状。
17.根据权利要求11所述的显示面板，所述显示面板还包括：
像素限定层，定位在所述显示区域中，覆盖所述显示元件中的每个显示元件的像素电极的边缘，并且包括与所述像素电极对应的开口；以及
间隔件，布置在所述像素限定层的顶表面上，
其中，从所述基底到所述分隔壁的顶表面的第一高度小于从所述基底到所述间隔件的顶表面的第二高度。
18.根据权利要求17所述的显示面板，其中，所述第一高度大于从所述基底到所述像素限定层的所述顶表面的第三高度并且小于所述第二高度。
19.根据权利要求11所述的显示面板，其中，所述分隔壁的底表面的宽度小于所述相邻的凹槽之间的水平距离。
20.根据权利要求11所述的显示面板，所述显示面板还包括：
平坦化层，定位在所述凹槽区域中。
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