CN112640042A - 洗净装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种洗净装置，可抑制真空状态下的静电吸附力的减少，并去除半导体制造装置的真空处理室内的异物。所述洗净装置包括：异物吸附部4，在绝缘体的内部设置有包含一对电极的吸附电极3；以及吸附控制部5，将控制开关接通来使所述吸附电极带电，使绝缘体的表面显现静电吸附力而可吸附异物；且所述吸附控制部5的控制开关是可进行外部操作的远程操作型的开关，针对在真空状态下被封闭的真空封闭空间内的所述洗净装置，将控制开关接通，由此可通过在真空状态下显现的静电吸附力来去除真空处理室内的异物。

Description

洗净装置
技术领域
本发明涉及一种用于去除半导体制造装置的真空处理室内的异物的洗净装置，详细而言，本发明涉及一种在绝缘体的内部包括吸附电极，可通过静电吸附力来吸附并去除异物的洗净装置。
背景技术
例如，在离子注入装置或蚀刻装置、化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)装置或光刻装置等各种半导体制造工艺中所使用的半导体制造装置的真空处理室内附着或悬浮有半导体的制造过程中产生的各种异物。作为其一例，可列举：来自硅晶片的断片或抗蚀剂的残留物、等离子体或因机械式的摩擦而产生的源自真空处理室内的结构构件的灰尘或尘土、以及因晶片的搬送而自外部带入的粒子等(在本说明书中，将这些总称为异物)。
若此种异物堆积于真空处理室内，则例如在使用吸附固定如硅晶片等那样的被处理物的静电吸盘的情况下，存在如下的问题：异物介于静电吸盘的吸附面与被处理物之间，静电吸盘与被处理物的接触变得不充分，由静电吸盘所产生的被处理物的冷却性能下降。另外，因在被处理物的背面侧存在异物，而导致被处理物的位置精度产生紊乱，例如在光刻装置中也产生焦距不一致等问题。进而，因异物附着于被处理物的表面(主面)侧，而存在产生配线不良等缺陷之虞。
因此，通常定期地对半导体制造装置实施洗净，去除真空处理室内的异物，不使这些异物堆积。然而，此种洗净主要以手工作业为中心，因此，无法否定新产生人为的污染的可能性。另外，在洗净时，必须解除真空处理室内的真空，在半导体制造装置的再启动时，为了达成必要的真空度，每次花费几小时左右，因此并不经济。
因此，提出有几种用于不解除真空处理室的真空而去除异物的洗净装置。例如，在专利文献1中公开有如下的灰尘吸附用晶片：将进行电晕充电等而带电的挡片(dummywafer)搬送至半导体制造装置的真空处理室内，通过挡片的静电力来吸附灰尘(异物)。另外，在专利文献2中公开有如下的洗净装置：将通过利用电晕法的电驻极体化或热驻极体化而电极化的聚对苯二甲酸乙二酯等的洗净片粘附于洗净用晶片，并搬送至半导体制造装置的真空处理室内来去除异物。进而，在专利文献3中公开有如下的洗净装置：将包含粘着性的聚合物的洗净晶片经由突出部而载置于半导体制造装置的晶片台，当突出部被压缩而压碎时，通过粘着性的洗净晶片来回收晶片台上的异物。
但是，这些之前的洗净装置若为使用粘着性的洗净聚合物的洗净装置，则每次使用均必须更换粘着剂，而耗费运营成本。另一方面，若为通过电晕充电等来使挡片带电的洗净装置，则必须将用于带电的设备组装入原有的设备。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2000-260671号公报
专利文献2：日本专利特开2002-28594号公报
专利文献3：日本专利第5956637号公报
发明内容
发明所要解决的问题
然而，本发明人等人对使表面带电而通过静电来吸附并去除真空处理室内的异物的洗净装置进行研究后，获得了如下的实验结果：在大气压下带电而获得的静电吸附力因进入真空状态而急剧地减少。即，可认为即便如之前的洗净装置那样，将在大气压下使静电吸附力显现的挡片等搬送至真空处理室内，实际上也未充分地发挥真空处理室内的异物的吸附性能。
因此，本发明人等人进一步反复研究，结果发现使用可自外部进行操作的远程操作型的控制开关，使处于真空状态的洗净装置带电而可使静电吸附力显现，由此可提高真空处理室内的异物的吸附的实效性，从而完成了本发明。
因此，本发明的目的在于提供一种可抑制静电吸附力的减少并去除真空处理室内的异物的洗净装置。
解决问题的技术手段
即，本发明是一种洗净装置，是用于去除半导体制造装置的真空处理室内的异物的洗净装置，所述洗净装置的特征在于包括：异物吸附部，在绝缘体的内部设置有包含一对电极的吸附电极；以及吸附控制部，将控制开关接通来使所述吸附电极带电，使所述绝缘体的表面显现静电吸附力而可吸附异物；且所述吸附控制部的控制开关是可进行外部操作的远程操作型的开关，针对在真空状态下被封闭的真空封闭空间内的所述洗净装置，将控制开关接通，由此可通过在真空状态下显现的静电吸附力来去除真空处理室内的异物。
本发明的洗净装置包括：异物吸附部，在绝缘体的内部设置有包含一对电极的吸附电极；以及吸附控制部，将控制开关接通来使吸附电极带电，使绝缘体的表面显现静电吸附力而可吸附异物；且作为吸附控制部的控制开关，使用可进行外部操作的远程操作型的开关。
关于所述远程操作型的控制开关，只要可进行外部操作，针对在真空状态下被封闭的真空封闭空间内的洗净装置，不打破真空而一直维持真空状态，可将吸附控制部的电路接点接通(即，不具有引线而可通过无线来控制电性连接)即可，例如可列举：内置定时器且在经过规定的时间后开关接通/断开的定时器式开关、以及感知来自外部的激光光来进行运行的激光感知式开关、通过磁力来进行运行的舌簧开关等，可将这些开关的两种以上组合使用，也可将其他开关与这些开关组合使用。
此处，作为在真空状态下被封闭的真空封闭空间，去除异物的对象即半导体制造装置的真空处理室符合，除此以外，例如可列举中间搬送室等，所述中间搬送室与真空处理室一并设置，且用于通过搬送机器人来供给如硅晶片等那样的被处理物。
另外，在吸附控制部，也可内置用于使异物吸附部的吸附电极带电，而使绝缘体的表面显现静电吸附力的电源，或者也可内置利用外部电源来使电容器等暂时储存电荷等可蓄积电能的蓄电元件，而不内置电源。
其中，关于内置电源的情况，例如以吸附控制部包括使电压升压的升压电路、用于使所述升压电路工作的电池、以及用于通过来自升压电路的高电压输出来使吸附电极带电的电压施加开关，且所述电压施加开关构成所述远程操作型的控制开关为宜。由此，若将洗净装置配置于真空封闭空间内并将电压施加开关接通，则在真空状态下可使静电吸附力显现。此时，也可在升压电路与吸附电极之间具有二极管。由此，利用来自升压电路的高电压输出的吸附电极的带电由整流作用来维持，因此无需始终维持升压电路的输出。
另一方面，在不内置电源的情况下，例如以吸附控制部包括与外部电源的连接端子、通过与所述连接端子连接的外部电源的电压来充电并储存电荷的电容器、以及用于将储存于电容器的电荷放电来使吸附电极带电的放电开关，且所述放电开关构成所述远程操作型的控制开关为宜。由此，若在大气压下与外部电源连接来对电容器进行充电后，将所述洗净装置配置于真空封闭空间内并将放电开关接通，则在真空状态下可使静电吸附力显现。另外，通过内置电容器等蓄电元件来代替内置电源，可使吸附控制部更小型，因此例如在可更确实地进行洗净装置自身的密封方面也合适。
进而，在吸附控制部，也可包括用于放出已带电的吸附电极的电荷的接地端子、及将吸附电极与接地端子之间连接的接地开关。在吸附真空处理室内的异物后，将所述接地开关接通而自接地端子放出电荷，由此可自异物吸附部的绝缘体的表面容易地去除异物。
此处，自异物吸附部的绝缘体的表面去除异物只要是在自半导体制造装置的真空处理室搬出洗净装置之后即可，例如，可将洗净装置转移至所述中间搬送室，在维持真空的状态下将接地开关接通，而自接地端子放出电荷，也可自中间搬送室搬出洗净装置，在大气下将接地开关接通。为了可在真空下将接地开关接通，关于所述接地开关，也只要包含如上所述的可进行外部操作的远程操作型的开关即可。
另外，关于本发明的洗净装置的异物吸附部，只要在绝缘体的内部设置有包含一对电极的吸附电极，可通过所述绝缘体的表面所产生的静电吸附力来吸附半导体制造装置的真空处理室内的异物即可。此处，为了应对真空处理室内带正电的异物与带负电的异物两者，吸附电极包含一对电极，一个电极在正侧带电，另一个电极在负侧带电。
所述异物吸附部的形状或尺寸等并无特别限制，但理想的是与去除异物的对象的半导体制造装置所处理的晶片或玻璃基板等被处理物的形状等一致。另外，所述异物吸附部的材质或形成方法等也无特别限制，例如可在包含聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate，PET)、氟树脂等的两种树脂膜之间夹入由金属箔所形成的规定的形状的吸附电极，由这些进行层叠而成的树脂制的绝缘体来形成异物吸附部，也可在两个生片(green sheet)的一者，以变成规定的形状的吸附电极的方式形成金属层，通过将这些叠加并进行煅烧而成的陶瓷制的绝缘体来形成异物吸附部，也可通过这些以外的方法或材料等来形成异物吸附部。
进而，本发明的洗净装置也可将异物吸附部及吸附控制部与模仿如晶片或玻璃基板那样的半导体制造装置中的被处理物的形状的基体部一体地设置。由此，可利用被处理物的搬入方法或搬入路径，容易地将洗净装置搬入真空处理室内。此时，以异物吸附部的绝缘体的表面与真空处理室内的晶片载置台侧相向的方式，将异物吸附部配置于基体部的背面，由此有效地去除晶片载置台上的异物。另外，以使异物吸附部的绝缘体的表面朝向与晶片载置台侧相反的真空处理室内的处理空间侧的方式，将异物吸附部配置于基体部的表面，由此可去除如漂浮于真空处理室内的处理空间的异物。
此处，在以使异物吸附部的绝缘体的表面与真空处理室内的晶片载置台侧相向的方式，将异物吸附部配置于基体部的背面的情况下，也可设置用于使异物吸附部的绝缘体的表面与晶片载置台之间相互分离的突起部。由此，可排除在异物吸附部的绝缘体与晶片载置台之间夹入异物并将异物弄碎、或者因异物而损伤异物吸附部的绝缘体或晶片载置台的表面之虞。
另外，在设置此种突起部后，也可在异物吸附部的绝缘体的表面包括具有粘着性的粘着层。由此，可更确实地捕捉暂时吸附的异物，例如可排除在洗净装置的搬送途中使异物落下等由已吸附的异物所引起的再污染之虞。此处，作为粘着层，例如可涂布高纯度硅酮系粘着剂等来形成，但理想的是使用在真空处理室内产生某些气体之虞少的粘着层(脱气少的粘着层)。
在本发明中，去除异物的对象的半导体制造装置并无特别限制，只要是包括在真空下对被处理物进行处理来作为半导体制造工艺的真空处理室，便可应用，其中，适宜的是使用通过静电吸附力来吸附保持被处理物的静电吸盘的半导体制造装置。作为此种半导体制造装置，例如可列举：离子注入装置、离子掺杂装置、蚀刻装置、CVD装置、灰化装置、步进装置、光刻装置、液晶基板制造装置、晶片检查装置。另外，作为去除的异物，如开头所述，半导体制造工艺中所产生、或混入的真空处理室内的各种异物成为对象。
发明的效果
根据本发明的洗净装置，使用可自外部进行操作的远程操作型的控制开关，使处于真空状态的洗净装置带电而可使静电吸附力显现，因此不存在如在大气压下产生的静电吸附力在真空状态下急剧地减少的问题，可提高实效性来去除真空处理室内的异物。
附图说明
[图1]图1是本发明的洗净装置的说明图，图1(a)表示平面图(表面)，图1(b)表示剖面图(X-X')，图1(c)表示平面图(背面)。
[图2]图2是表示真空处理室内的洗净装置的使用形态的说明图。
[图3]图3是表示洗净装置的基于变形例的使用形态的说明图。
[图4]图4是表示形成吸附控制部的吸附控制电路的第一例的说明图。
[图5]图5是表示将外部电源与第一例的吸附控制电路连接来对电容器进行充电的样子的说明图。
[图6]图6是表示在第一例的吸附控制电路中对电容器进行放电来使吸附电极带电的样子的说明图。
[图7]图7是用于对电荷自电容器朝吸附电极的移动进行计算的说明图，图7(a)表示连接了外部电源的状态，图7(b)表示将外部电源分开并将电容器与吸附电极连接的状态。
[图8]图8是表示在第一例的吸附控制电路中将接地端子与地面连接来放出吸附电极的电荷的样子的说明图。
[图9]图9是表示形成吸附控制部的吸附控制电路的第二例的说明图。
[图10]图10是表示形成吸附控制部的吸附控制电路的第三例的说明图。
[图11]图11是表示形成吸附控制部的吸附控制电路的第四例的说明图。
[图12]图12是用于说明试验例1中所使用的试验装置的示意图。
[图13]图13是用于说明试验例1中的测定条件及压力条件的概要的示意图。
[图14]图14是表示试验例1中的吸附力的测定结果的图表。
[图15]图15是用于说明试验例2中所使用的试验装置的示意图。
[图16]图16是用于说明试验例2中的测定条件及压力条件的概要的示意图。
[图17]图17是表示试验例2中的表面电位的测定结果的图表(维持大气压的条件的情况)。
[图18]图18是表示试验例2中的表面电位的测定结果的图表(经由真空的条件的情况)。
具体实施方式
以下，对本发明进行更详细的说明。
在图1中表示本发明的洗净装置的一例。如由图1(b)的剖面图所示，所述洗净装置在包含硅晶片或氧化铝等的圆板状的基体部1的一侧的面(背面)设置有异物吸附部4，在另一侧的面(表面)设置有吸附控制部5。另外，在基体部1的背面，在异物吸附部4的外侧，在将基体部1在圆周方向上大致四等分的位置上配备有四个突起部6。
其中，如由图1(b)的剖面图或图1(c)的平面图(背面)所示，异物吸附部4是在相互粘合来构成绝缘体的两片圆形聚酰亚胺膜2之间插入包含铜箔的一对半圆状的吸附电极3a、3b而形成。另外，吸附控制部5是具有使这些吸附电极3a、3b带电来使静电吸附力显现的吸附控制电路而形成，如由图1(a)的平面图(吸附控制部5的表面)所示，包括成为与后述的外部电源的连接端子的输入端子7a、输入端子7b，及用于放出已带电的吸附电极3a、吸附电极3b的电荷的接地端子8。而且，这些异物吸附部4及吸附控制部5分别通过接合片而与基体部1接合。再者，在所述图1中表示了半圆状的吸附电极3a、吸附电极3b的例子，但吸附电极3a、吸附电极3b的形状并不限定于此，例如也可使用梳齿型的吸附电极3a、吸附电极3b等。
另外，在图2中表示图1的洗净装置在真空处理室内的使用形态。即，将形成异物吸附部4的绝缘体的表面(聚酰亚胺膜2的表面)以与真空处理室内的静电吸盘等晶片载置台31相向的方式配置，由此可去除晶片载置台上的异物。此时，由于设置有突起部6，因此异物吸附部4与晶片载置台之间以距离d相互分离，也无在两者之间夹入异物并将异物弄碎、或者因异物而损伤异物吸附部4或晶片载置台的表面之虞。
进而，在图3中表示所述洗净装置的基于变形例的使用形态。即，如所述图3所示，也可朝与晶片载置台31相反的真空处理室内的处理空间侧设置异物吸附部4来去除异物。
此处，关于形成吸附控制部5的吸附控制电路，在图4～图8中表示第一例。如图4所示，所述第一例的吸附控制电路包括：成为与外部电源(图示外)的连接端子的输入端子7a、输入端子7b，通过外部电源的电压来充电并储存电荷的电容器9，以及用于将储存于所述电容器9的电荷放电来使吸附电极3(3a、3b)带电的放电开关10a、放电开关10b。另外，在输入端子7a与电容器9之间、及输入端子7b与电容器9之间，分别设置有二极管11a、二极管11b。由此，即便在如真空处理室内的压力穿过易放电区域的情况下，电流也不会自电容器9朝输入端子7a、输入端子7b侧流动，可防止在使吸附电极3带电之前电容器9进行放电。进而，在所述吸附控制电路包括：用于放出已带电的吸附电极3(3a、3b)的电荷的接地端子8，及将吸附电极3与接地端子8之间连接的接地开关12a、接地开关12b。
其中，放电开关10a、放电开关10b分别是可进行外部操作的远程操作型的开关(控制开关)，可列举：定时器式开关、激光感知式开关、通过磁力来进行运行的舌簧开关(reedswitch)等。其中，为了电容器9与吸附电极3之间的传导电流朝所述图4的吸附控制电路中的放电开关10a、放电开关10b流通，必须使用可承受至少1kV左右的电压的高耐压规格的开关，就目前容易获得此种规格的开关而言，优选为舌簧开关。具体而言，可例示斯丹电子(Standex Electronics)公司制造的商品名KSK-1A83-100150等市售品。再者，关于接地开关12a、接地开关12b，也只要同样地使用高耐压规格的开关即可。
而且，当使用包括图4的吸附控制电路的洗净装置，去除半导体制造装置的真空处理室内的异物时，首先，如图5所示，在大气压下将外部电源13的输出端子13a、输出端子13b与输入端子7a、输入端子7b分别连接，而对电容器9进行充电。此时，作为外部电源13，以使用高压电源为宜，优选为自V+的输出端子13a输入(+)1kV～5kV左右的高电压，自V-的输出端子13b输入(-)1kV～5kV左右的高电压。
对电容器9进行充电后，使已与外部电源13分开的洗净装置移动至真空封闭空间内。继而，如图6所示，通过外部操作来将放电开关10a、放电开关10b分别接通，由此对电容器9进行放电来使吸附电极3带电。在所述外部操作时，例如在使用舌簧开关的情况下，只要先将磁铁等安装于半导体制造装置的真空处理室或使用搬送机器人的中间搬送室等真空封闭空间内、或者经由不妨碍磁力的玻璃制观察孔等而将磁铁等安装于外部即可，具体而言，只要先将磁铁等设置于中间搬送室内的壁面、或将中间搬送室与真空处理室连结的真空处理室的入口等，当在真空状态下配置了洗净装置时，可关闭放电开关10a、放电开关10b的电路即可。另外，在激光感知式开关的情况下，只要先在中间搬送室或真空处理室等真空封闭空间的任一者设置激光照射窗即可，若为定时器式开关，则只要瞅准将洗净装置配置于真空处理室内的时机来设定定时器即可。
关于电容器9，若将一对吸附电极3(3a、3b)当作电容器而将其静电电容设为CESC，将电容器9的静电电容设为CC，则只要使电容器9的静电电容CC变得比吸附电极3的静电电容CESC大即可，优选为使电容器9的静电电容CC变成吸附电极3的静电电容CESC的10倍以上(CC≧10×CESC)。由此，在计算方面，可将外部电源13的输出电压的九成以上的电压赋予吸附电极3，在使吸附电极3(3a、3b)带电后，也并不特别需要将舌簧开关10a、舌簧开关10b维持于接通的状态。在使吸附电极3带电方面，电容器9的静电电容CC只要是尽可能大的静电电容即可，虽然难以规定其上限，但即便使电容器9的静电电容CC变成某种程度以上的大小，赋予吸附电极3的电压的增加量也变少，效果饱和，因此可以说只要使用静电电容CC为静电电容CESC的50倍左右的电容器9便足够。
关于此种关系，若如图7(a)所示，将与外部电源13连接来对电容器9进行了充电的状态下的吸附控制电路的电压设为Vi，将电容器9的电荷设为Qci，将电容器9的静电电容设为CC，将吸附电极3的静电电容设为CESC，另外，如图7(b)所示，将在分开外部电源13后，将电容器9与吸附电极3连接来使吸附电极3带电的状态下的吸附控制电路的电压设为Vf，将电容器9的电荷设为Qcf，将吸附电极3的电荷设为QESC，则这些可如以下那样表示。即，由于电荷的总量在电容器9与吸附电极3的连接的前后不变，因此下述式(1)成立。
Qci＝Qcf+QESC···(1)
另外，若使用静电电容的关系式Q＝CV来改写所述式(1)，则可由下述式(2)及式(3)表示。
CCVi＝CCVf+CESCVf···(2)
Vf＝〔CC/(CC+CESC)〕Vi···(3)
此处，若设想使用静电电容CC为吸附电极3的静电电容CESC的10倍的电容器9的情况，则可知在根据所述式(3)的计算中，如下述式(4)那样，施加至吸附电极3的电压变成外部电源13的电压的约0.91倍。
Vf＝〔10CESC/(10CESC+CESC)〕Vi＝(10/11)Vi＝0.91Vi···(4)
另一方面，对实际使用静电电容CC为吸附电极3的静电电容CESC的约11倍的电容器9，自电容器9朝吸附电极3放电时的吸附电极3的表面电位进行调查后，确认变成将吸附电极3不经由电容器9而直接与外部电源13连接时的吸附电极3的表面电位的约0.7倍。作为经由电容器9时的表面电位的下降的理由，可想到电荷的泄漏或由电阻所产生的损耗等，但若依据所述(4)的计算结果，则如大致所设想那样，可以说通过来自电容器9的放电而可使吸附电极3带电。
将使吸附电极3带电来使形成异物吸附部4的绝缘体的表面显现静电吸附力的洗净装置配置于半导体制造装置的真空处理室内，吸附异物后，在吸附有异物的状态下将洗净装置取出至真空处理室的外部。而且，如图8所示，将接地端子8与地面(大地)连接，并且将接地开关12a、接地开关12b及舌簧开关10a、舌簧开关10b分别接通，由此放出吸附电极3中带有的电荷来解除静电吸附力，而去除吸附于异物吸附部4的异物。此时，例如可在如中间搬送室等那样的真空下解除洗净装置的静电吸附力，也可在大气压下解除洗净装置的静电吸附力。去除了异物的洗净装置当然可再次用于真空处理室内的异物的去除。
另外，关于形成吸附控制部5的吸附控制电路，也可如图9中所示的第二例那样构成。所述第二例的吸附控制电路在将电容器9与吸附电极3连接的放电开关由交换电路形成这一点上与第一例不同。即，在所述第二例中，用于将储存于电容器9的电荷放电来使吸附电极3带电的放电开关包含交换电路，所述交换电路具有固态继电器14a、固态继电器14b，用于使这些固态继电器14a、固态继电器14b工作的电池15a、电池15b，以及用于将这些电池与固态继电器连接的电路开关16a、电路开关16b，其中，作为电路开关16a、电路开关16b，例如使用定时器式开关、激光感知式开关、通过磁力来进行运行的舌簧开关等可进行外部操作的远程操作型的开关。
此处，固态继电器14a、固态继电器14b是无可动接点部分的无接点继电器，因此可通过电子电路的工作而以电子方式进行接通/断开。即，为了电容器9与吸附电极3之间的传导电流朝固态继电器14a、固态继电器14b流通，只要使用如第一例中所述的高耐压规格的开关即可，可进行外部操作的远程操作型的电路开关16a、电路开关16b无需为高耐压，可使用通用的开关。作为此种固态继电器，具体而言，可列举松下(Panasonic)公司制造的商品名AQV258A等市售品。
所述第二例的吸附控制电路除通过交换电路来构成放电开关这一点以外，与第一例相同。即，关于通过与外部电源的连接而在大气压下对电容器9进行充电、通过真空封闭空间内的电容器9的放电来使吸附电极3带电、吸附真空处理室内的异物后解除静电吸附力等，能够以与第一例中所说明的内容相同的方式来进行。
另外，形成吸附控制部5的吸附控制电路也可如图10中所示的第三例那样构成。在所述第三例中，吸附控制部内置用于使静电吸附力显现的电源这一点与之前的第一例、第二例不同。即，所述第三例的吸附控制电路包括：使电压升压的升压电路17、使升压电路17工作的电池18、以及用于通过来自升压电路17的高电压输出来使吸附电极3带电的电压施加开关19。
此处，作为电压施加开关19，使用可进行外部操作的远程操作型的开关(控制开关)，例如可列举定时器式开关、激光感知式开关、通过磁力来进行运行的舌簧开关等，但优选为舌簧开关。但是，在此情况下，由于是用于将电池18与升压电路17连接的开关，因此并不特别需要使用高耐压规格的开关。另外，关于升压电路17，以使吸附电极3带电而使静电吸附力显现后，可自V+的输出端子17a输出(+)1kV～5kV左右的高电压，自V-的输出端子17b输出(-)1kV～5kV左右的高电压的电路为宜。作为此种升压电路17，并无特别限制，可使用如柯克劳夫-沃耳吞电路(cockcroft-walton circuit)等公知的电路。
当使用包括如图10中所示的电源内置型的吸附控制电路的洗净装置，去除半导体制造装置的真空处理室内的异物时，将洗净装置配置于中间搬送室或真空处理室等真空封闭空间内，并在真空状态下将电压施加开关19接通。由此，在形成异物吸附部4的绝缘体的表面显现静电吸附力，因此将洗净装置配置于半导体制造装置的真空处理室内来吸附异物。在完成真空处理室内的异物的吸附后，在吸附有异物的状态下将洗净装置取出至真空处理室的外部，并将电压施加开关19断开，由此解除静电吸附力而自异物吸附部4去除异物。将所述电压施加开关19断开可为真空状态，也可为大气压状态。
进而，形成吸附控制部5的吸附控制电路也可如图11中所示的第四例那样构成。所述第四例是与之前的第三例同样地吸附控制部内置电源的例子，但在以下方面不同：在升压电路17与吸附电极3之间设置有二极管20a、二极管20b，以及设置有用于放出已带电的吸附电极3的电荷的接地端子21，及将吸附电极3与接地端子21之间连接的接地开关22a、接地开关22b。即，通过设置二极管20a、二极管20b，利用来自升压电路17的高电压输出的吸附电极3的带电由整流作用来维持，因此在使吸附电极3带电后，无需将电压施加开关19继续维持于接通的状态。另外，通过设置接地端子21，在完成真空处理室内的异物的吸附后，将接地开关22a、接地开关22b接通，由此可放出吸附电极3中带有的电荷来解除静电吸附力，而去除吸附于异物吸附部4的异物。除这些以外，与第三例的情况相同。
实施例
(试验例1)
为了对在真空处理室内显现的静电吸附力进行比较，针对在大气压下使吸附电极带电时的静电吸附力、与在真空下使吸附电极带电时的静电吸附力，以如下方式进行测定吸附力的试验。在图12中表示所述试验中所使用的试验装置，在与图示外的旋转泵连接的真空腔室23内配置有试验用洗净装置，在试验用洗净装置的上方，设置有安装有切成50mm×48mm尺寸(24cm2)的硅晶片24的测力器25。试验用洗净装置在约120mm×120mm、厚度约5mm的铝制底座(基体部)1的上表面包括异物吸附部4，在相反侧的铝制底座1的下表面贴有双面胶带26，而固定于真空腔室23的内壁底面部。再者，关于硅晶片24，为了防止破损(为了防止由晶片的破裂或碎片所引起的真空腔室内的污染)，在与试验用洗净装置相向的面相反侧粘贴有聚酰亚胺制的保护膜。
在准备所述试验用洗净装置时，首先，准备层叠有厚度约10μm的铜箔的厚度50μm的聚酰亚胺膜，对铜箔部分进行蚀刻，形成约58mm×110mm的两个角型电极相向的吸附电极。其次，使用厚度约10μm的接合片，将铜箔蚀刻后的聚酰亚胺膜与厚度50μm的聚酰亚胺膜粘合后，沿着吸附电极3的外周切成约120mm×120mm的尺寸，由此制作在包含两片聚酰亚胺膜的绝缘体的内部包括吸附电极的异物吸附部4。另外，在形成所述异物吸附部4的吸附电极3的一对角型电极3a、3b分别连接硅酮电缆27a、硅酮电缆27b，并将硅酮电缆27a、硅酮电缆27b的前端抽出至真空腔室23的外部，分别连接舌簧开关(斯丹电子(StandexElectronics)公司制造的商品名KSK-1A83-100150)28a、舌簧开关28b。再者，这些硅酮电缆27a、硅酮电缆27b插通于圆筒状的金属零件(图示外)，将所述金属零件插入真空腔室，其间隙通过O形环来密封。
关于使用以所述方式准备的试验装置，在大气压下使吸附电极带电的情况，首先，(1)事先将试验用洗净装置的舌簧开关28a、舌簧开关28b与地面连接并将开关接通，去除吸附电极3的带电(重置)后，再次将舌簧开关28a、舌簧开关28b断开。其次，(2)在舌簧开关28a、舌簧开关28b的输入端子侧连接图示外的高电压电源，将舌簧开关28a、舌簧开关28b接通来对吸附电极3(3a、3b)施加直流±400V，并将其维持10秒(将舌簧开关接通10秒)。继而，(3)在将舌簧开关28a、舌簧开关28b断开后(电压施加结束后)，将高电压电源的开关断开后(其原因在于：若在舌簧开关维持接通的状态下将高电压电源断开，则带电消失，另外，若在将舌簧开关断开后，在维持电源接通的状态下分开，则在舌簧开关的与电源连接一侧残留带电)将舌簧开关28a、舌簧开关28b与高电压电源分开。然后，(4)自将舌簧开关28a、舌簧开关28b断开起2分钟后，使图示外的旋转泵运转来开始抽真空，在大概3分钟后将真空腔室23内的压力减压至40Pa～50Pa左右为止。因此，(5)自将舌簧开关28a、舌簧开关28b断开起5分钟后，使测力器25下降，将硅晶片24载置于试验用洗净装置的异物吸附部4。继而，(6)自将舌簧开关28a、舌簧开关28b断开起5分30秒后，使测力器25上升来提起硅晶片24，并测定吸附力。
另一方面，关于在真空下使吸附电极带电的情况，先使腔室23内变成真空状态后，与所述同样地进行吸附力的测定。即，首先，(4)使旋转泵运转来将真空腔室23内的压力减压至40Pa左右为止后，(1)将舌簧开关28a、舌簧开关28b与地面连接并将开关接通，去除吸附电极3的带电后，再次将舌簧开关28a、舌簧开关28b断开，(2)在舌簧开关28a、舌簧开关28b的输入端子侧连接图示外的高电压电源，将舌簧开关28a、舌簧开关28b接通来对吸附电极3(3a、3b)施加直流±400V，并将其维持10秒。继而，(3)在将舌簧开关28a、舌簧开关28b断开后，将高电压电源的开关断开后将舌簧开关28a、舌簧开关28b与高电压电源分开。然后，(5)自将舌簧开关28a、舌簧开关28b断开起5分钟后，使测力器25下降，将硅晶片24载置于试验用洗净装置的异物吸附部4，(6)自将舌簧开关28a、舌簧开关28b断开起5分30秒后，使测力器25上升来提起硅晶片24，并测定吸附力。
在图13中，表示将在大气压下产生的静电吸附力与在真空下产生的静电吸附力进行比较方面的测定条件及压力条件的概要。另外，在图14中表示这些的测定结果。吸附力的测定在大气压下、真空下均分别进行两次，在图14中，以平均值表示硅晶片(Si晶片)的每单位面积的吸附力。如根据所述图表而可知那样，在真空下产生的静电吸附力显示远优于在大气压下产生的静电吸附力的结果(6倍～7倍)。此外，在图14中，一并表示不进行在真空下使吸附电极带电的情况的程序中的(2)与高电压电源的连接，而测定吸附力时的值。
(试验例2)
关于使吸附电极带电时的表面电位，为了将在大气压下维持的维持大气压的条件的情况、与自大气压变成真空后再次恢复成大气压的经由真空的条件的情况进行比较，以如下方式进行测定表面电位的试验。再者，因所使用的表面电位测定装置(春日电机公司制造的KSD-3000)的关系，在真空下无法测定表面电位，因此此处采用如上所述的条件。
在图15中表示所述试验中所使用的试验装置。首先，试验用洗净装置在约120mm×120mm、厚度约5mm的铝制底座(基体部)1的下表面侧包括异物吸附部4，所述异物吸附部4是以与试验例1的情况相同的方式制作。另外，与试验例1的情况同样地，在形成异物吸附部4的吸附电极3的一对角型电极3a、3b分别连接硅酮电缆27a、硅酮电缆27b，并在硅酮电缆27a、硅酮电缆27b的前端连接舌簧开关(斯丹电子(Standex Electronics)公司制造的商品名KSK-1A83-100150)28a、舌簧开关28b，但在所述试验例2中，如后述那样，包含舌簧开关28a、舌簧开关28b且配置于真空腔室23内，因此利用乙烯-乙酸乙烯酯(Ethylene VinylAcetate，EVA)树脂灌注将硅酮电缆27a、硅酮电缆27b与舌簧开关28a、舌簧开关28b连接的部分的焊料或露出的导线来实施绝缘处理29。进而，在铝制底座1的下表面侧周边部设置有铝制的间隔件(突起部)30，当将试验用洗净装置设置于真空腔室23内时，在真空腔室23的内壁底面部与异物吸附部4之间空开约5mm的距离d。
使用以所述方式准备的试验例2的洗净装置，如以下那样测定使吸附电极带电时的表面电位。
首先，关于将洗净装置终始维持于大气压的情况，(1)在舌簧开关28a、舌簧开关28b的输入端子侧连接图示外的高电压电源，将舌簧开关28a、舌簧开关28b接通来对吸附电极3(3a、3b)施加直流±3.5kV，在所述电压施加的状态下测定异物吸附部4的表面电位〔测定(i)〕。其次，(2)将舌簧开关28a、舌簧开关28b断开，并且将高电压电源断开后，将高电压电源与舌簧开关28a、舌簧开关28b分开，并测定刚将舌簧开关断开之后的异物吸附部4的表面电位〔测定(ii)〕。继而，(3)将所述试验用洗净装置放入与图示外的旋转泵连接的真空腔室23内，维持大气压状态而待机5分钟。最后，(4)自真空腔室23中取出试验用洗净装置，在自(2)中将舌簧开关28a、舌簧开关28b断开起经过10分钟的时机测定异物吸附部4的表面电位〔测定(iii)〕。
另一方面，关于将大气压状态的洗净装置暂时变成真空状态后，再次恢复成大气压的情况，在之前的(3)中，将试验用洗净装置放入真空腔室23内并使旋转泵运转5分钟，除此以外，设为与所述(1)～所述(4)相同。即，(1)在连接高电压电源来对吸附电极3(3a、3b)施加直流±3.5kV的状态下测定异物吸附部4的表面电位〔测定(i)〕，其次，(2)测定刚将舌簧开关28a、舌簧开关28b断开之后的异物吸附部4的表面电位〔测定(ii)〕，继而，(3)将试验用洗净装置放入真空腔室23内并使旋转泵运转，进行5分钟减压而使真空腔室23内的压力变成40Pa左右的真空后，(4)再次将真空腔室23内恢复成大气压，自真空腔室23中取出试验用洗净装置，在自(2)中将舌簧开关28a、舌簧开关28b断开起经过10分钟的时机测定异物吸附部4的表面电位〔测定(iii)〕。
在图16中，表示对使压力环境变化时的表面电位进行比较方面的测定条件及压力条件的概要。另外，在图17及图18中表示这些的测定结果。其中，图17是将洗净装置终始维持于大气压的维持大气压的条件下的表面电位的测定结果，均显示大致相同程度的表面电位，尤其，将舌簧开关断开后经过10分钟后的表面电位显示相当于电压施加状态下的约92％的高值。相对于此，图18是经由真空的条件下的结果，将舌簧开关断开后经过10分钟后的表面电位下降至相当于电压施加状态下的约14％的值为止。
如图18中所示的表面电位下降的原因可列举由自大气压朝真空的环境变化造成、及自真空朝大气压的环境变化造成这两种原因，但若考虑之前的试验例1的结果，则可认为至少在自大气压朝真空的环境变化的情况下，表面电位也下降。即，如根据这些试验例而可知那样，在大气压下带电而获得的静电吸附力因进入真空状态而急剧地减少(其理由目前未充分地明确)。再者，所述试验例2中的表面电位表示吸附电极的一对角型电极3a、3b中的表面电位的差。
符号的说明
1：基体部
2：聚酰亚胺膜
3：吸附电极
4：异物吸附部
5：吸附控制部
6：突起部
7：输入端子(连接端子)
8：接地端子
9：电容器
10：放电开关
11：二极管
12：接地开关
13：外部电源
14：固态继电器
15：电池
16：电路开关
17：升压电路
18：电池
19：电压施加开关
20：二极管
21：接地端子
22：接地开关
23：真空腔室
24：硅晶片
25：测力器
26：双面胶带
27：硅酮电缆
28：舌簧开关
29：绝缘处理
30：间隔件
31：晶片载置台

Claims (11)

1.一种洗净装置，是用于去除半导体制造装置的真空处理室内的异物的洗净装置，其特征在于包括：
异物吸附部，在绝缘体的内部设置有包含一对电极的吸附电极；以及吸附控制部，将控制开关接通来使所述吸附电极带电，使所述绝缘体的表面显现静电吸附力而能够吸附异物；且
所述吸附控制部的控制开关是能够进行外部操作的远程操作型的开关，针对在真空状态下被封闭的真空封闭空间内的所述洗净装置，将控制开关接通，由此可通过在真空状态下显现的静电吸附力来去除真空处理室内的异物。
2.根据权利要求1所述的洗净装置，其中所述吸附控制部包括与外部电源的连接端子、利用外部电源的电压来充电并蓄积电荷的电容器、以及用于将蓄积于电容器的电荷放电来使吸附电极带电的放电开关，并且所述放电开关构成所述控制开关，
在大气压下将外部电源与所述连接端子连接来对所述电容器进行充电后，将所述洗净装置配置于真空封闭空间内并将所述放电开关接通，由此在真空状态下使静电吸附力显现。
3.根据权利要求2所述的洗净装置，其中所述放电开关是通过磁力来进行运行的舌簧开关，电容器与吸附电极之间的传导电流朝所述舌簧开关流通。
4.根据权利要求2所述的洗净装置，其中所述放电开关包含交换电路，所述交换电路具有固态继电器、使固态继电器工作的电池、以及将两者连接的电路开关，所述电路开关是选自由定时器式开关、激光感知式开关、及通过磁力来进行运行的舌簧开关所组成的群组中的任一种远程操作型开关。
5.根据权利要求1所述的洗净装置，其中所述吸附控制部包括使电压升压的升压电路、使升压电路工作的电池、以及用于通过来自升压电路的高电压输出来使吸附电极带电的电压施加开关，并且所述电压施加开关构成所述控制开关，
将所述洗净装置配置于真空封闭空间内并将电压施加开关接通，由此在真空状态下使静电吸附力显现。
6.根据权利要求5所述的洗净装置，其中所述电压施加开关是选自由定时器式开关、激光感知式开关、及通过磁力来进行运行的舌簧开关所组成的群组中的任一种远程操作型开关。
7.根据权利要求5或6所述的洗净装置，其中所述吸附控制部在升压电路与吸附电极之间具有二极管，利用来自升压电路的高电压输出的吸附电极的带电由整流作用来维持。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的洗净装置，其中所述吸附控制部包括用于放出已带电的吸附电极的电荷的接地端子、及将吸附电极与接地端子之间连接的接地开关，在吸附真空处理室内的异物后，将接地开关接通，由此可自异物吸附部的绝缘体的表面去除异物。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的洗净装置，其中所述异物吸附部及所述吸附控制部一体地设置于基体部的一侧的面，将异物吸附部的绝缘体以与真空处理室内的晶片载置台相向的方式配置，而去除晶片载置台上的异物。
10.根据权利要求9所述的洗净装置，还包括突起部，所述突起部用于使所述异物吸附部的绝缘体的表面与晶片载置台之间相互分离。
11.根据权利要求10所述的洗净装置，其中所述异物吸附部的绝缘体的表面包括具有粘着性的粘着层。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115985833A (zh) * 2023-02-03 2023-04-18 广东海拓创新技术有限公司 一种半永久吸附功能的静电卡盘

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD946843S1 (en) * 2020-02-14 2022-03-22 Sharkninja Operating Llc Cleaning device
USD946842S1 (en) * 2020-02-14 2022-03-22 Sharkninja Operating Llc Cleaning device
USD946226S1 (en) * 2020-02-14 2022-03-15 Sharkninja Operating Llc Cleaning device
USD946223S1 (en) * 2020-02-14 2022-03-15 Sharkninja Operating Llc Cleaning device

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59181635A (ja) * 1983-03-31 1984-10-16 Toshiba Corp 静電集塵器付き搬送機構
JPH1187457A (ja) * 1997-09-16 1999-03-30 Hitachi Ltd 異物除去機能付き静電吸着装置を備えた半導体製造装置
JP2000260671A (ja) 1999-03-12 2000-09-22 Toshiba Corp ダスト吸着用ウエハ及び半導体装置内のクリーニング方法
JP3942324B2 (ja) * 1999-09-29 2007-07-11 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 入力保護回路
JP2002028594A (ja) 2000-07-13 2002-01-29 Nitto Denko Corp クリーニングシ―ト、及びこれを用いた基板処理装置のクリーニング方法
TWI420579B (zh) * 2005-07-12 2013-12-21 Creative Tech Corp And a foreign matter removing method for a substrate
WO2007108371A1 (en) * 2006-03-15 2007-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2009239013A (ja) 2008-03-27 2009-10-15 Tokyo Electron Ltd クリーニング基板及びクリーニング方法
KR101503679B1 (ko) 2009-04-14 2015-03-19 인터내셔널 테스트 솔루션즈, 인코포레이티드 웨이퍼 제조 세정 장치, 방법 및 사용 방법
JP2012004253A (ja) * 2010-06-15 2012-01-05 Panasonic Corp 双方向スイッチ、２線式交流スイッチ、スイッチング電源回路および双方向スイッチの駆動方法
JP5478586B2 (ja) * 2011-11-16 2014-04-23 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置、剥離システム、洗浄方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5768731B2 (ja) * 2012-01-27 2015-08-26 三菱電機株式会社 異物除去装置、異物除去方法
US9993853B2 (en) * 2014-11-28 2018-06-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for backside cleaning of substrates
EP3050742A1 (en) * 2015-02-02 2016-08-03 Magneti Marelli S.p.A. Solid-state relay including an electronic current detection block
US10804127B2 (en) * 2015-04-01 2020-10-13 Apple Inc. Electrostatic cleaning device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115985833A (zh) * 2023-02-03 2023-04-18 广东海拓创新技术有限公司 一种半永久吸附功能的静电卡盘
CN115985833B (zh) * 2023-02-03 2023-11-14 广东海拓创新技术有限公司 一种半永久吸附功能的静电卡盘的制造方法

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