JPH03186364A - ウエハ形パーティクル吸着器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ａ、産業上の利用分野 この発明は、半導体製造工程に利用され、特に、半導体
製造装置内に浮遊しているパーティクルを除去する技術
に関する。

Ｂ、従来技術 第４図に半導体製造装置−例の概略構成を示す。

図中、符号Ａは、複数枚の半導体ウェハｌを収納する多
段式トレイ２が設置されたウェハ収納部であり、このウ
ェハ収納部Ａに真空前室Ｂおよび真空処理室Ｃが連設さ
れている。さらに、ウェハ収納部Ａには、半導体ウェハ
１を真空前室Ｂ、真空処理室Ｃに搬入搬出するウェハ搬
送装置３が備えられている。

ウェハ搬送装置Ｉ３は、半導体ウェハ１を支持するため
の支持アーム４、搬送用レール５上を移動するための駆
動部６を備えており、多段式トレイ２に収納されている
半導体ウェハｌを支持アーム４によって、支持した後、
駆動部６により搬送用レール５上を移動し、開口部７を
通って真空前室Ｂ内に入る。ウェハ搬送装置３が真空前
室Ｂ内に入ると、図示しない閉止部材が真空前室Ｂの開
口部７を密閉し、真空前室Ｂの真空引きが行われる。

真空前室Ｂの真空度が真空処理室Ｃ内の真空度と同じに
なれば、真空処理室Ｃに設けられている第２開口部８が
開かれ、ウェハ搬送装置３は支持アーム４を延出して、
真空処理室Ｃ内の載置台９上に半導体ウェハｌを置く、
真空処理室Ｃ内で処理された処理済の半導体ウェハ１は
、再び支持アーム４によって支持されウェハ搬送装置３
の移動によって、室外に搬出される。

このような、半導体ウェハｌを搬送するウェハ搬送装置
３に設けられている駆動部６の摺動部分などから、微細
なパーティクルが発生すると、このパーティクルが半導
体ウェハ１上に付着し、半導体ウェハ１の歩留低下を招
く、このため、従来は、クリーンルームの空気清浄作用
によって、パーティクルが半導体ウェハｌ上に付着する
のを防いでいた。

Ｃ０発明が解決しようとする！ＩＩ！！１しかしながら
、上述したクリーンルームの空気清浄作用は、半導体製
造装置が設置される環境を清浄化する上では有効である
が、半導体製造装置内に発生したパーティクルを積極的
に除去することはできない、このため、半導体製造装置
内にあるパーティクルが半導体ウェハ上に付着するのを
十分に防ぐことはできず、半導体ウェハの歩留低下を招
くという問題点がある。

この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであ
って、半導体製造装置内のパーティクルを積極的に取り
除くことができるウェハ形パーティクル吸着器を提供す
ることを目的としている。

０８課題を解決するための手段 この発明は、上記目的を達成するために次のような構成
を備えている。

即ち、この発明に係るウェハ形パーティクル吸着器は、
半導体ウェハと略同形状の基板に、パーティクルを吸着
用の電極と、前記電極に直流高電圧を印加する電源部と
を形式したことを特徴としている。

８９作用 この発明に係るパーティクル吸着器は、半導体ウェハと
略同形状であるので、半導体ウェハと同様にウェハ搬送
装置によって半導体製造装置内に搬送される。このとき
、パーティクル吸着器の電源部が、基板に形式された電
極に直流高電圧を印加すると、電極の周囲に静電界が生
じる。半導体製造装置内で浮遊しているパーティクルは
、この静電界により電極に吸着される。

Ｆ、実施例 以下、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。

第１図は、この発明のウェハ形パーティクル吸着器の平
面図、第２図はその断面図である。

これらの図に示すように、ウェハ形パーティクル吸着器
１０の基板１１は、第４図の従来例に示したウェハ搬送
装置３の支持アーム４による支持が可能なように、ウェ
ハｌと略同形状に形成されている。この例では、周辺部
が円弧部と直線部となっている。基板１１は、例えば半
導体ウェハ、セラ稟フタ板、ガラス板などの種々の材料
で形式することができる。

基板１１の上面中心部には、電源部２０が実装されてお
り、その周囲にはパーティクル吸着用の第１電極１２が
形式されている。また、基板１１の下面部には第２電極
１３が形式されている。

電源部２０は、第３図のブロック図に示すように、直流
Ｔｌ源１４、直流電源１４の出力を交流に変換する発振
回路１５、交流電圧を昇圧、整流し、直流高電圧を得る
昇圧回路１６とで構威されている。昇圧回路１６は、直
流高電圧を得るために、高電圧半導体整流素子とコンデ
ンサ素子との組み合わせで構成されるコツククロフトウ
オルトン回路形式となっており、組み合わせ段数を増す
ことによって、発振回路１５からの出力交流電圧の整数
倍の直流高電圧を得ることができる。昇圧回路１６の＋
側出力端子は第１電極１２に接続され、−側出力端子は
、基板１１を貫通して第２電極１３にそれぞれ接続され
ており、第１ｉｔ極１２は正の吸着電極として、第２電
Ｆ＠１３は負の吸着電極として作用するように構威され
ている。

直流電源１４としては、第４図の従来例に示したた多段
式トレイ２内に収納可能なように、フィルム電池などの
非常に薄い電源が用いられる０発振回路１５．昇圧回路
１６を構成している電子回路素子の多くは、例えば基板
１１を半導体ウェハで構威している場合には、基板１１
にモノリシック回路として直接形式することができる。

モノリシック化することが困難な素子は、超小型の電子
部品を用いて基板１１上に実装する。もちろん、基板１
１　、にへの電子回路の形式の手法は任意であり、例え
ば、セラミック基板上にハイブリッド回路として構威し
てもよい。

次に上述したウェハ形パーティクル吸着器１０の動作に
ついて、以下に説明する。

直流電源１４の出力は、発振回路１５で交流となり、昇
圧回路１６によって約数百ポルトの直流高電圧にまで昇
圧されて、第１および第２の電Ｆ＠１２．１３に印加さ
れる。第１電極１２と第２１１極１３との間は基板１１
によって絶縁されているので、第１電極１２と第２１ｉ
極１３との間の電荷の移動はなく、第１電極Ｉ２はプラ
ス電荷の蓄積により正に帯電され、第２電極１３はマイ
ナス電荷の蓄積により負に帯電される。

このような、ウェハ形パーティクル吸着８１０を第４図
の従来例に示したウェハ搬送装Ｎ３の支持アーム４に支
持させて、半導体製造装置！１内を搬送させると、装置
内に発生したパーティクルのうち、正に帯電しているも
のは負に帯電された第２電極１３に吸引・吸着され、負
に帯電しているものは正に帯電された第１電極１２に吸
引・吸着される。

このようにして、半導体製造装置１内に発生したパーテ
ィクルはウェハ形パーティクル吸着器ＩＯに吸着され除
去される。

Ｇ９発明の効果 以上の説明から明らかなように、この発明に係るウェハ
形パーティクル吸着器は、半導体ウェハと略同形状に形
威された基板にパーティクル吸着用の電極を形威し、こ
の電極に直流高電圧を印加し、その静電引力により、空
中に浮遊しているパーティクルを吸着するように構成し
たので、このウェハ形パーティクル吸着器を半導体製造
装置内をウェハと同様に搬送させることによって、半導
体製造装置内のパーティクルを除去することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第３図は、この発明の一実施例に係り、第
１図はウェハ形パーティクル吸着器の上面図、第２図は
その断面図、第３図は電源部の概略構成を示すブロック
図である。 第４図は従来例に係る半導体製造装置の概略構成を示し
た斜視図である。 ０・・・ウェハ形パーティクル吸着器 ｌ・・・基板　　　１２・・・第１電極３・・・第２電
極 ４・・・直流電源　　１５・・・発振回路６・・・昇圧
回路

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体ウェハと略同形状の基板に、パーティクル
   吸着用の電極と、前記電極に直流高電圧を印加する電源
   部とを形成したことを特徴とするウェハ形パーティクル
   吸着器。