JPH03185706A - パーティクル吸着装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ａ、産業上の利用分野 この発明は、半導体製造工程に利用され、特に、半導体
製造装置内に浮遊しているパーティクルを除去する技術
に関する。

Ｂ、従来技術 第４図に半導体製造装置の−・例の概略構成を示す。

図中、符号Ａは、複数枚の半導体ウェハ１を収納する多
段式トレイ２が設置されたウェハ収納部であり、このウ
ェハ収納部Ａに真空前室Ｂおよび真空処理室Ｃが連設さ
れている。さらに、ウェハ収納部Ａには、半導体ウェハ
ｌを真空前室Ｂ、真空処理室Ｃに搬入搬出するウェハ搬
送装置３が備えられている。

ウェハ搬送装置３は、半導体ウェハｌを支持するための
支持アーム４、搬送用レール５上を移動するための駆動
部６を備えており、多段式トレイ２に収納されている半
導体ウェハｌを支持アーム４によって、支持した後、駆
動部６により搬送用レール５上を移動し、開口部７を通
って真空前室Ｂ内に入る。ウェハ搬送装置３が真空前室
Ｂ内に入ると、図示しない閉止部材が真空前室Ｂの開口
部７を密閉し、真空前室Ｂの真空引きが行われる。

真空前室Ｂの真空度が真空処理室Ｃ内の真空度と同しに
なれば、真空処理室Ｃに設けられている第２開口部８が
開かれ、ウェハ搬送装置３は支持アーム４を延出して、
真空処理室Ｃ内の載置台９上に半導体ウェハ１を置く、
真空処理室Ｃ内で処理された処理済の半導体ウェハｌは
、再び支持アーム４によって支持されウェハ搬送装置３
の移動によって、室外に搬出される。

このような、半導体ウェハ１を搬送するウェハ搬送装置
３に設けられている駆動部６の摺動部分などから、微細
なパーティクルが発生すると、このパーティクルが半導
体ウェハ１上に付着し、半導体ウェハｌの歩留低下を招
く。このため、従来は、クリーンルームの空気清浄作用
によって、パーティクルが半導体ウェハ１上に付着する
のを防いでいた。

Ｃ０発明が解決しようとする課題 しかしながら、上述したクリーンルームの空気清浄作用
は、半導体製造装置が設置される環境を清浄化する上で
は有効であるが、半導体製造装置内に発生したパーティ
クルを積極的に除去することはできない。このため、半
導体製造装置内にあるパーティクルが半導体ウェハ上に
付着するのを十分に防ぐことはできず、半導体ウェハの
歩留低下を招くという問題点がある。

この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであ
って、半導体製造装置内のパーティクルを積極的に取り
除くことができるウェハ形パーティクル吸着装置を提供
することを目的としている。

０９課題を解決するための手段 この発明は、上記目的を達成するために次のような構成
を備えている。

即ち、この発明に係るパーティクル吸着装置は、半導体
ウェハと略同形状の基板に、パーティクル吸着用の！極
と、前記電極に直流高電圧を印加する光起電力素子とを
形成してなるパーティクル吸着器と、前記光起電力素子
に光を照射する光照射器とを備えたことを特徴としてい
る。

Ｅ１作用 この発明に係るパーティクル吸着装置に備えられている
パーティクル吸着器は、半導体ウェハと略同形状である
ので、半導体ウェハと同様にウェハ搬送装置によって半
導体製造装置内に搬送される。このとき、光照射器がパ
ーティクル吸着器に形成されている光起電力素子に光を
照射すると、その光起電力効果によって、電極に直流高
電圧が印加され、電極の周囲に静電界が生じる。半導体
製造装置内で浮遊しているパーティクルは、この静電界
により電極に吸着される。

Ｆ、実施例 以下、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。

第１図は、この発明のパーティクル吸着装置をウェハ搬
送装置３に取りつけた状態を示した斜視図、第２図はパ
ーティクル吸着器１０の上面図、第３図はその断面図で
ある。

パーティクル吸着器ＩＯの基板ＩＩは、ウェハ搬送装置
３の支持アーム４による支持が可能なように、ウェハ１
と略同形状に形成されている。この例では、周辺部が円
弧部と直線部となっている。基板１１は、例えば半導体
ウェハ、セラ主ツク板、ガラス板などの種々の材料で形
成することができる。

ウェハ搬送装置３の上部には、蛍光灯や白熱灯などの光
照射器１２が取りつけられており、このときの取りつけ
角度は、支持アーム４の搬送姿勢時に、光照射器１２の
光軸Ｈがパーティクル吸着器１０の略中心部に向かうよ
うに設定されている。

第２図および第３図に示すように、基板１１の上面中心
部には、複数個の光起電力素子１４を直列接続した電源
回路１５が組み込まれており、その周囲にはパーティク
ル吸着用の第１電８ｉｉ１６が形成されている。また、
基ＦｉＩ　Ｉの下面部には第２電極１７が形成されてい
る。

電源回路１５のプラス側出力端子は第１電極１６に接続
され、マイナス側出力端子は基＋ＪＮ　１１の貫通孔１
３を通って第２電極１７に接続されている。これにより
、第１電極１６は正の吸着電極として、第２電極１７は
負の吸着電極として作用するように構成されている。

電源回路１５は、例えば、一般に市販されている厚さ約
１ｍｓ＋、光度１００　［１ｕに１下で、出力電圧２］
νｊの特性をもつ太陽電池を光起電力素子として用い、
これを基板Ｉｌ上に百数十個実装して構成することがで
きる。これにより、数百ボルトの直流高電圧が得られる
。また、基ＦｉＨを半導体ウェハで構成している場合に
は、基Ｆｉｌｌに電源回路１５をモノリシック回路とし
て直接形成してもよい。

次に上述したパーティクル吸着装置の動作について、以
下に説明する。

パーティクル吸着器１０を、第１図に示したようなウェ
ハ搬送装Ｎ３によって、半導体製造装置内に搬送する。

このとき、光照射器１２がパーティクル吸着器ｌＯ上の
光起電力素子１４に光を照射すると、その光起電力効果
により、第１電極１６および第２電極１７に直流高電圧
が印加される。第１電極１６と第２電極１７との間は基
板１１によって絶縁されているので、第１電極１６と第
２電極Ｉ７との間の電荷の移動はなく、′第１電極１６
はプラス電荷の蓄積により正に帯電され、第２電極１７
はマイナス電荷の蓄積により負に帯電される。

その結果、電極１６．１７間に静電界が発生し、静電誘
導の作用によって半導体製造装置内のパーティクルが帯
電する。正に帯電したパーティクルは負に帯電された第
２電極１７に吸引・吸着され、負に帯電したパーティク
ルは正に帯電された第１電極１６に吸引・吸着される。

このようにして、半導体製造装置内に発生したパーティ
クルはパーティクル吸着器１０に吸着され除去される。

また、上述した実施例は、以下のように変形実施するこ
とができる。

■上述した実施例では光照射器１２をウェハ搬送装置３
に一体的に取りつけた例を示したが、これらを分離した
構成にしてもよい。

■パーティクル吸着器１ｏの近傍に紫外線や放射線を照
射するような光源を設けてもよい。このようにすること
で、パーティクル吸着器１ｏの周囲に浮遊している電気
的に中性なパーティクルを電離させることができ、パー
ティクルの除去能力を一層高めることができる。

■上述した実施例では、正の吸着電極１６を基板ＩＩの
上面に形威し、負の吸着電極１７を下面に形成した構成
としたが、これらの各吸着電極１６．１７を互いに絶縁
して基板１１の上面に同心円状に形威してもよい、この
ような構成にすることで、上空から降下してくる正・負
に帯電されたパーティクルをそれぞれ効率よく吸着する
ことができる。

Ｇ１発明の効果 以上の説明から明らかなように、この発明に係るパーテ
ィクル吸着装置は、半導体ウェハと略同形状に形威され
た基板にパーティクル吸着用の電極を形威し、この電極
に直流高電圧を印加し、その静電引力により、空中に浮
遊しているパーティクルを吸着するウェハ形パーティク
ル吸着器を備えた構成としたので、このウェハ形パーテ
ィクル吸着器を半導体製造装置内をウェハと同様に搬送
させることによって、クリーンルームの清浄作用の及ば
ない半導体製造装置内のパーティクルを除去することが
できる。

また、光起電力素子を用いて直流高電圧を発生するよう
に構成しているので、光照射器の０Ｎ−ＯＦＦを遠隔コ
ントロールすることによって、パーティクル吸着器の０
Ｎ−ＯＦＦ操作を行うことができるので、実用上便利で
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第３図は、この発明の一実施例に係り、第
１図はパーティクル吸着装置をウェハ搬送装置に取りつ
けた状態を示す斜視図、第２図はパーティクル吸着器の
上面図、第３図はその断面図である。 また、第４図は従来例に係る半導体製造装置の概略構成
を示した斜視図である。 １０・・・パーティクル吸着器 １１・・・基板　　　１２・・・光照射器１４・・・光
起電力素子

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体ウェハと略同形状の基板に、パーティクル
   吸着用の電極と、前記電極に直流高電圧を印加する光起
   電力素子とを形成してなるパーティクル吸着器と、前記
   光起電力素子に光を照射する光照射器とを備えたことを
   特徴とするパーティクル吸着装置。