KR20210049111A - 클리닝 장치 - Google Patents

클리닝 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20210049111A
KR20210049111A KR1020217006428A KR20217006428A KR20210049111A KR 20210049111 A KR20210049111 A KR 20210049111A KR 1020217006428 A KR1020217006428 A KR 1020217006428A KR 20217006428 A KR20217006428 A KR 20217006428A KR 20210049111 A KR20210049111 A KR 20210049111A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
adsorption
switch
cleaning device
vacuum
processing chamber
Prior art date
Application number
KR1020217006428A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102671297B1 (ko
Inventor
요시아키 타츠미
신스케 히라노
카즈아키 타하라
Original Assignee
가부시키가이샤 크리에이티브 테크놀러지
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 크리에이티브 테크놀러지 filed Critical 가부시키가이샤 크리에이티브 테크놀러지
Publication of KR20210049111A publication Critical patent/KR20210049111A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102671297B1 publication Critical patent/KR102671297B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B6/00—Cleaning by electrostatic means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B9/00—Cleaning hollow articles by methods or apparatus specially adapted thereto 
    • B08B9/08—Cleaning containers, e.g. tanks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32853—Hygiene
    • H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02082—Cleaning product to be cleaned
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Surgical Instruments (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)

Abstract

진공 상태에서의 정전 흡착력 감소를 억제하여 반도체 제조 장치의 진공 처리실 내의 이물을 제거할 수 있는 클리닝 장치를 제공한다. 한 쌍의 전극으로 이루어지는 흡착 전극(3)이 절연체의 내부에 마련된 이물 흡착부(4)와, 제어 스위치를 온으로 하여 상기 흡착 전극을 대전시키고 절연체의 표면에 정전 흡착력을 발현시켜서 이물을 흡착 가능하게 하는 흡착 제어부(5)를 구비하며, 상기 흡착 제어부(5)의 제어 스위치가 외부 조작이 가능한 원격 조작형 스위치이고, 진공 상태에서 폐쇄된 진공 폐쇄 공간 내의 상기 클리닝 장치에 대하여 제어 스위치를 온으로 함으로써, 진공 상태에서 발현시킨 정전 흡착력에 의해 진공 처리실 내의 이물을 제거할 수 있도록 한 클리닝 장치이다.

Description

클리닝 장치
본 발명은 반도체 제조 장치의 진공 처리실 내에서의 이물을 제거하기 위한 클리닝 장치에 관한 것이며, 자세하게는 흡착 전극을 절연체의 내부에 구비하여 정전 흡착력에 의해 이물을 흡착하여 제거할 수 있는 클리닝 장치에 관한 것이다.
예를 들면, 이온 주입 장치나 에칭 장치, CVD 장치나 리소그래피 장치 등, 각종 반도체 제조 프로세스에서 이용되는 반도체 제조 장치의 진공 처리실 내에는 반도체의 제조 과정에서 발생한 다양한 이물이 부착 혹은 부유한다. 그 일례로서, 실리콘 웨이퍼로부터의 조각이나 레지스트의 잔류물, 플라스마나 기계적 마찰에 의해 발생한 진공 처리실 내의 구성 부재에서 유래하는 더스트나 먼지, 그 밖에 웨이퍼의 반송에 의해 외부로부터 유입된 파티클 등을 들 수 있다(본 명세서에서는 이들을 총칭하여 이물이라고 함).
이와 같은 이물이 진공 처리실 내에 퇴적되면, 예를 들면, 실리콘 웨이퍼 등과 같은 피처리물을 흡착 고정하는 정전 척을 사용하는 경우에 정전 척의 흡착면과 피처리물 사이에 이물이 개재되고 정전 척과 피처리물의 접촉이 불충분해져, 정전 척에 의한 피처리물의 냉각 성능이 저하되는 문제가 있다. 또한, 피처리물의 이면 측의 이물의 존재에 의해 피처리물의 위치 정밀도에 차질이 생기고, 예를 들면 리소그래피 장치에서는 초점 거리가 맞지 않는다는 문제도 발생한다. 나아가서는, 피처리물의 표면(주면(主面)) 측에 이물이 부착됨으로써, 배선 불량 등의 문제가 발생할 우려가 있다.
그 때문에, 반도체 제조 장치는 정기적으로 클리닝이 실시되어, 진공 처리실 내의 이물을 제거하고, 그들이 퇴적되지 않도록 하는 것이 통상이다. 그런데 이와 같은 클리닝은 오로지 수작업이 중심이고, 그 때문에 새롭게 인위적인 오염을 야기할 가능성을 부정할 수는 없다. 또한, 클리닝 시에 진공 처리실 내의 진공을 해제해야만 하며, 반도체 제조 장치의 재시작에 있어 필요한 진공도로 하는 데 매번 몇 시간 정도 걸리기 때문에 경제적이지 않다.
따라서, 진공 처리실의 진공을 해제하지 않고 이물을 제거하기 위한 클리닝 장치가 몇 가지 제안되어 있다. 예를 들면, 특허문헌 1에는 코로나 차징(corona charging) 등을 실시하여 대전시킨 더미 웨이퍼를 반도체 제조 장치의 진공 처리실 내에 반송하여 더미 웨이퍼의 정전력으로 더스트(이물)를 흡착하는 더스트 흡착용 웨이퍼가 개시되어 있다. 또한, 특허문헌 2에는 코로나법에 의한 전기 일렉트릿화나 열 일렉트릿화에 의해 전기 분극시킨 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 클리닝 시트를 클리닝용 웨이퍼에 부착시켜서 반도체 제조 장치의 진공 처리실 내에 반송하여 이물을 제거하는 클리닝 장치가 개시되어 있다. 더욱이, 특허문헌 3에는 반도체 제조 장치의 웨이퍼 스테이지에 돌출부를 개재하여 점착성 폴리머로 이루어지는 클리닝 웨이퍼가 거치되도록 하여, 돌출부가 압축되어서 찌부러졌을 때에 점착성 클리닝 웨이퍼에 의해 웨이퍼 스테이지 상의 이물을 회수하는 클리닝 장치가 개시되어 있다.
그러나 이들 종래의 클리닝 장치는 점착성 클리닝 폴리머를 사용하는 것이면, 사용할 때마다 점착제를 교환할 필요가 있어 러닝 코스트가 든다. 한편으로, 코로나 차징 등에 의해 더미 웨이퍼를 대전시키는 것이면, 기존 설비에, 대전시키기 위한 설비를 편입할 필요가 생긴다.
일본 공개특허공보 특개2000-260671호 일본 공개특허공보 특개2002-28594호 일본 특허공보 특허제5956637호
한편, 본 발명자들은 표면을 대전시켜서 진공 처리실 내의 이물을 정전적으로 흡착하여 제거하는 클리닝 장치에 대해 검토를 실시한 바, 대기압하에서 대전시켜서 얻어진 정전 흡착력은 진공 상태로 들여옴으로써 극적으로 감소된다는 실험 결과가 얻어졌다. 즉, 종래의 클리닝 장치와 같이 대기압하에서 정전 흡착력을 발현시킨 더미 웨이퍼 등을 진공 처리실 내에 반송해도, 실제로는 진공 처리실 내에서의 이물의 흡착 성능이 충분히 발휘되어 있지 않은 것으로 생각할 수 있다.
따라서, 본 발명자들은 한층 더한 검토를 거듭한 결과, 외부로부터의 조작이 가능한 원격 조작형 제어 스위치를 이용하여 진공 상태에 있는 클리닝 장치를 대전시켜서 정전 흡착력을 발현시킬 수 있도록 함으로써, 진공 처리실 내에서의 이물의 흡착 실효성이 높아지도록 되는 것을 발견하고, 본 발명을 완성시켰다.
따라서, 본 발명의 목적은 정전 흡착력의 감소를 억제하여 진공 처리실 내의 이물을 제거할 수 있는 클리닝 장치를 제공하는 것에 있다.
즉, 본 발명은 반도체 제조 장치의 진공 처리실 내에서의 이물을 제거하기 위한 클리닝 장치로서, 한 쌍의 전극으로 이루어지는 흡착 전극이 절연체의 내부에 마련된 이물 흡착부와, 제어 스위치를 온으로 하여 상기 흡착 전극을 대전시키고 상기 절연체의 표면에 정전 흡착력을 발현시켜서 이물을 흡착 가능하게 하는 흡착 제어부를 구비하며, 상기 흡착 제어부의 제어 스위치가 외부 조작이 가능한 원격 조작형 스위치이고, 진공 상태에서 폐쇄된 진공 폐쇄 공간 내의 상기 클리닝 장치에 대하여 제어 스위치를 온으로 함으로써, 진공 상태에서 발현시킨 정전 흡착력에 의해 진공 처리실 내의 이물을 제거할 수 있는 것을 특징으로 하는 클리닝 장치이다.
본 발명에서의 클리닝 장치는 한 쌍의 전극으로 이루어지는 흡착 전극이 절연체의 내부에 마련된 이물 흡착부와, 제어 스위치를 온으로 하여 흡착 전극을 대전시키고 절연체의 표면에 정전 흡착력을 발현시켜서 이물을 흡착 가능하게 하기 위한 흡착 제어부를 구비하며, 흡착 제어부의 제어 스위치로는 외부 조작이 가능한 원격 조작형 스위치를 이용하도록 한다.
이 원격 조작형 제어 스위치에 대해서는 외부 조작이 가능하며, 진공 상태에서 폐쇄된 진공 폐쇄 공간 내의 클리닝 장치에 대하여 진공을 끄지 않고 진공 상태를 유지한 채, 흡착 제어부의 회로 접점을 온으로 할 수 있는 것(즉 리드선을 가지지 않고 무선으로 전기적인 접속을 제어할 수 있는 것)이면 되고, 예를 들면 타이머가 내장되어 소정 시간이 경과한 후에 스위치가 온/오프되는 타이머식 스위치를 비롯하여, 외부로부터의 레이저광을 감지하여 동작하는 레이저 감지식 스위치, 자력(磁力)으로 동작하는 리드 스위치 등을 들 수 있으며, 이들 중 둘 이상을 조합하여 이용해도 되고, 다른 스위치와 이들 스위치를 조합하여 이용하도록 해도 된다.
여기서, 진공 상태에서 폐쇄된 진공 폐쇄 공간으로는 이물을 제거하는 대상인 반도체 제조 장치의 진공 처리실이 이에 해당하고, 그 이외로는 예를 들면, 진공 처리실에 병설된 것으로 실리콘 웨이퍼 등과 같은 피처리물을 반송 로봇으로 공급하기 위한 중간 반송실 등을 들 수 있다.
또한, 흡착 제어부에는 이물 흡착부의 흡착 전극을 대전시켜서 절연체의 표면에 정전 흡착력을 발현시키기 위한 전원을 내장시키도록 해도 되고, 혹은 외부 전원을 이용하여 일단 콘덴서 등에 전하를 축적시키도록 하는 등, 전기 에너지를 축적할 수 있는 축전 소자를 내장시켜서 전원을 내장시키지 않도록 할 수도 있다.
이 중, 전원을 내장하는 경우에 대해서는 예를 들면, 흡착 제어부가 전압을 승압하는 승압 회로와, 이 승압 회로를 작동시키기 위한 전지와, 승압 회로로부터의 고전압 출력에 의해 흡착 전극을 대전시키기 위한 전압 인가 스위치를 구비하도록 하여 이 전압 인가 스위치가 전술한 원격 조작형 제어 스위치를 구성하는 것이 좋다. 이와 같이 함으로써, 클리닝 장치를 진공 폐쇄 공간 내에 배치하여 전압 인가 스위치를 온으로 하면, 진공 상태에서 정전 흡착력을 발현시킬 수 있다. 그 때, 승압 회로와 흡착 전극 사이에 다이오드를 가지도록 해도 된다. 이로써, 승압 회로로부터의 고전압 출력에 의한 흡착 전극의 대전이 정류 작용에 의해 유지되기 때문에, 승압 회로의 출력을 항상 유지해 둘 필요가 없어진다.
한편, 전원을 내장하지 않은 경우에는 예를 들면, 흡착 제어부가 외부 전원과의 접속 단자와, 이 접속 단자에 접속된 외부 전원의 전압에 의해 충전되어 전하가 축적되는 콘덴서와, 콘덴서에 축적된 전하를 방전하여 흡착 전극을 대전시키기 위한 방전 스위치를 구비하도록 하여 이 방전 스위치가 전술한 원격 조작형 제어 스위치를 구성하는 것이 좋다. 이와 같이 함으로써, 대기압하에서 외부 전원에 접속하여 콘덴서를 충전한 후에 상기 클리닝 장치를 진공 폐쇄 공간 내에 배치하여 방전 스위치를 온으로 하면, 진공 상태에서 정전 흡착력을 발현시킬 수 있다. 또한, 전원을 내장하는 대신에 콘덴서 등의 축전 소자를 내장시킴으로써, 흡착 제어부를 보다 소형으로 할 수 있기 때문에, 예를 들면 클리닝 장치 자체의 봉지(封止)를 보다 확실하게 실시할 수 있는 점에서도 안성맞춤이다.
더욱이, 흡착 제어부에는 대전된 흡착 전극의 전하를 방출하기 위한 GND 단자와, 흡착 전극과 GND 단자 사이를 접속하는 GND 스위치를 구비하도록 해도 된다. 진공 처리실 내의 이물을 흡착한 후, 이 GND 스위치를 온으로 하여 GND 단자로부터 전하를 방출함으로써, 이물 흡착부의 절연체의 표면으로부터 이물을 용이하게 제거할 수 있게 된다.
여기서, 이물 흡착부의 절연체의 표면으로부터 이물을 제거하는 것은 반도체 제조 장치의 진공 처리실로부터 클리닝 장치를 반출한 후이면 되고, 예를 들면, 클리닝 장치를 전술한 중간 반송실로 옮겨서 진공을 유지한 채 GND 스위치를 온으로 하여 GND 단자로부터 전하를 방출하도록 해도 되며, 중간 반송실로부터 클리닝 장치를 반출하여 대기하에서 GND 스위치를 온으로 하도록 해도 된다. 진공하에서 GND 스위치를 온으로 할 수 있도록 하기 위해서는 이 GND 스위치에 대해서도 상술한 바와 같은 외부 조작이 가능한 원격 조작형 스위치로 구성하면 된다.
또한, 본 발명에서의 클리닝 장치의 이물 흡착부에 대해서는 한 쌍의 전극으로 이루어지는 흡착 전극이 절연체의 내부에 마련되어서 이 절연체의 표면에 발생한 정전 흡착력에 의해 반도체 제조 장치의 진공 처리실 내의 이물을 흡착할 수 있는 것이면 된다. 여기서, 진공 처리실 내에서 플러스 대전된 이물과 마이너스 대전된 이물 양쪽에 대응하기 위해, 흡착 전극은 한 쌍의 전극으로 이루어지도록 하여 한쪽이 플러스 측, 다른 쪽이 마이너스 측에 대전되도록 한다.
이 이물 흡착부는 그 형상이나 사이즈 등에 대해서는 특별히 제한되지 않으나, 이물을 제거하는 대상의 반도체 제조 장치가 취급하는 웨이퍼나 유리 기판 등의 피처리물의 형상 등에 맞추도록 하는 것이 바람직하다. 또한, 그 재질이나 형성 수단 등에 대해서도 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 폴리이미드, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 불소 수지 등으로 이루어지 2개의 수지 필름 사이에, 금속박에 의해 형성된 소정 형상의 흡착 전극이 끼워 넣어지도록 하여 이들이 적층된 수지제 절연체에 의해 이물 흡착부를 형성해도 되며, 2개의 그린시트 중 한쪽에 소정 형상의 흡착 전극이 되도록 금속층을 형성하여 이들을 겹쳐서 소성한 세라믹스제 절연체에 의해 이물 흡착부를 형성해도 되고, 이들 이외의 방법이나 재료 등에 의해 이물 흡착부를 형성하도록 해도 된다.
더욱이, 본 발명에서의 클리닝 장치는 이물 흡착부 및 흡착 제어부가 웨이퍼나 유리 기판과 같은 반도체 제조 장치에서의 피처리물을 모방한 형상의 기체(基體)부와 일체적으로 마련되도록 해도 된다. 이로써, 피처리물의 반입 수단이나 반입 경로를 이용하여 클리닝 장치를 용이하게 진공 처리실 내에 반입할 수 있다. 그 때, 이물 흡착부의 절연체의 표면이 진공 처리실 내의 웨이퍼 거치대 측에 대향하도록 기체부의 이면에 이물 흡착부를 배치함으로써, 웨이퍼 거치대 상의 이물을 제거하는데에 효과적이다. 또한, 웨이퍼 거치대 측과는 반대의 진공 처리실 내의 처리 공간 측에 이물 흡착부의 절연체의 표면을 향하도록 기체부의 표면에 이물 흡착부를 배치함으로써, 진공 처리실 내의 처리 공간에 떠다니는 바와 같은 이물을 제거하는 것이 가능하다.
여기서, 이물 흡착부의 절연체의 표면을 진공 처리실 내의 웨이퍼 거치대 측에 대향시키도록 기체부의 이면에 이물 흡착부를 배치하는 경우에는 이물 흡착부에서의 절연체의 표면과 웨이퍼 거치대 사이를 서로 이간시키기 위한 돌기부를 마련하도록 해도 된다. 이로써, 이물 흡착부의 절연체와 웨이퍼 거치대 사이에 이물이 끼워 넣어져 이물이 부서지거나, 이물에 의해 이물 흡착부의 절연체나 웨이퍼 거치대의 표면에 상처를 입힐 우려를 배제할 수 있다.
또한, 이와 같은 돌기부를 마련한 후에 이물 흡착부의 절연체의 표면에는 점착성을 가진 점착층을 구비하도록 해도 된다. 이로써, 일단 흡착한 이물을 보다 확실하게 포착할 수 있고, 예를 들면 클리닝 장치의 반송 도중에 이물을 낙하시키는 등, 흡착한 이물에 의한 재오염의 우려를 배제할 수 있다. 여기서, 점착층으로는 예를 들면 고순도 실리콘계 점착제 등을 도포하여 형성할 수 있는데, 진공 처리실 내에서 소정의 가스가 발생할 우려가 적은 것(탈가스가 적은 것)을 이용하도록 하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 이물을 제거하는 대상의 반도체 제조 장치에 대해서는 특별히 제한은 없고, 반도체 제조 프로세스로서 피처리물을 진공하에서 처리하는 진공 처리실을 구비한 것이면 적용 가능한데, 그 중에서도 바람직하게는 피처리물을 정전 흡착력에 의해 흡착 유지하는 정전 척을 사용한 것이다. 이와 같은 반도체 제조 장치로는 예를 들면, 이온 주입 장치, 이온 도핑 장치, 에칭 장치, CVD 장치, 애싱 장치, 스테퍼 장치, 리소그래피 장치, 액정 기판 제조 장치, 웨이퍼 검사 장치를 들 수 있다. 또한, 제거하는 이물로는 서두에서 서술한 바와 같으며, 반도체 제조 프로세스에서 발생하거나 혼입된 진공 처리실 내에서의 다양한 것이 대상이 된다.
본 발명의 클리닝 장치에 의하면, 외부로부터의 조작이 가능한 원격 조작형 제어 스위치를 이용하여 진공 상태에 있는 클리닝 장치를 대전시켜서 정전 흡착력을 발현시킬 수 있기 때문에, 대기압하에서 발생시킨 정전 흡착력이 진공 상태에서 극적으로 감소되는 바와 같은 문제가 없고, 실효성을 높여서 진공 처리실 내의 이물을 제거할 수 있게 된다.
도 1은 본 발명에 따른 클리닝 장치의 설명도이며, 도 1(a)는 평면도(표면)를 나타내고, 도 1(b)는 단면도(X-X')를 나타내며, 도 1(c)는 평면도(이면)를 나타내고 있다.
도 2는 진공 처리실 내에서의 클리닝 장치의 사용 형태를 나타낸 설명도이다.
도 3은 클리닝 장치의 변형예에 기초하는 사용 형태를 나타낸 설명도이다.
도 4는 흡착 제어부를 형성하는 흡착 제어 회로의 제1 예를 나타낸 설명도이다.
도 5는 제1 예의 흡착 제어 회로에 외부 전원을 접속하여 콘덴서를 충전하는 모습을 나타낸 설명도이다.
도 6은 제1 예의 흡착 제어 회로에서 콘덴서를 방전하여 흡착 전극을 대전시키는 모습을 나타낸 설명도이다.
도 7은 콘덴서로부터 흡착 전극으로의 전하의 이동에 대해 계산하기 위한 설명도이며, 도 7(a)는 외부 전원을 접속한 상태를 나타내고, 도 7(b)는 외부 전원을 분리하여 콘덴서와 흡착 전극을 접속한 상태를 나타낸다.
도 8은 제1 예의 흡착 제어 회로에서 GND 단자를 GND에 접속하여 흡착 전극의 전하를 방출하는 모습을 나타낸 설명도이다.
도 9는 흡착 제어부를 형성하는 흡착 제어 회로의 제2 예를 나타낸 설명도이다.
도 10은 흡착 제어부를 형성하는 흡착 제어 회로의 제3 예를 나타낸 설명도이다.
도 11은 흡착 제어부를 형성하는 흡착 제어 회로의 제4 예를 나타낸 설명도이다.
도 12는 시험예 1에서 사용한 시험 장치를 설명하기 위한 모식도이다.
도 13은 시험예 1에서의 측정 조건 및 압력 조건의 개요를 설명하기 위한 모식도이다.
도 14는 시험예 1에서의 흡착력 측정 결과를 나타내는 그래프이다.
도 15는 시험예 2에서 사용한 시험 장치를 설명하기 위한 모식도이다.
도 16은 시험예 2에서의 측정 조건 및 압력 조건의 개요를 설명하기 위한 모식도이다.
도 17은 시험예 2에서의 표면 전위 측정 결과를 나타내는 그래프이다(대기압 유지 조건의 경우).
도 18은 시험예 2에서의 표면 전위 측정 결과를 나타내는 그래프이다(진공 경유 조건의 경우).
이하, 본 발명에 대해 보다 상세하게 설명한다.
도 1에는 본 발명에 따른 클리닝 장치의 일례가 도시되어 있다. 이 클리닝 장치는 도 1(b)의 단면도로 나타낸 바와 같이, 실리콘 웨이퍼나 알루미나 등으로 이루어지는 원판 형상의 기체부(1)의 한쪽 면(이면)에 이물 흡착부(4)가 마련되고, 다른 한쪽 면(표면)에 흡착 제어부(5)가 마련되어 있다. 또한, 기체부(1)의 이면에는 이물 흡착부(4)의 외측에서 기체부(1)를 원둘레 방향으로 대략 4등분하는 위치에 4개의 돌기부(6)가 설치되어 있다.
이 중, 이물 흡착부(4)는 도 1(b)의 단면도나 도 1(c)의 평면도(이면)로 도시되는 바와 같이, 서로 맞붙여져서 절연체를 구성하는 2매의 원형 폴리이미드 필름(2) 사이에서 구리박으로 이루어지는 한 쌍의 반원 형상의 흡착 전극(3a, 3b)이 개재되어 이루어진다. 또한, 흡착 제어부(5)에 대해서는 이들 흡착 전극(3a, 3b)을 대전시켜서 정전 흡착력을 발현시키는 흡착 제어 회로를 가져서 이루어지며, 도 1(a)의 평면도(흡착 제어부(5)의 표면)로 도시되는 바와 같이, 후술할 외부 전원과의 접속 단자가 되는 입력 단자(7a, 7b)와, 대전된 흡착 전극(3a, 3b)의 전하를 방출하기 위한 GND 단자(8)를 구비하고 있다. 그리고 이들 이물 흡착부(4) 및 흡착 제어부(5)는 각각 본딩 시트에 의해 기체부(1)에 접합된다. 한편, 이 도 1에서는 반원 형상의 흡착 전극(3a, 3b)의 예를 나타냈는데, 흡착 전극(3a, 3b)의 형상은 이에 제한되지 않고, 예를 들면 빗살형 흡착 전극(3a, 3b) 등을 이용하도록 해도 된다.
또한, 도 2에는 도 1에 따른 클리닝 장치의 진공 처리실 내에서의 사용 형태가 도시되어 있다. 즉, 이물 흡착부(4)를 형성하는 절연체의 표면(폴리이미드 필름(2)의 표면)을 진공 처리실 내의 정전 척 등의 웨이퍼 거치대(31)와 대향하도록 배치함으로써, 웨이퍼 거치대 상의 이물을 제거할 수 있다. 그 때, 돌기부(6)를 마련했기 때문에 이물 흡착부(4)와 웨이퍼 거치대 사이가 거리(d)로 서로 이간되고, 이들 사이에 이물이 끼워 넣어져서 이물이 부서지거나, 이물에 의해 이물 흡착부(4)나 웨이퍼 거치대의 표면에 상처를 입힐 우려도 없다.
더욱이, 도 3에는 상기 클리닝 장치의 변형예에 기초하는 사용 형태가 도시되어 있다. 즉, 이 도 3에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼 거치대(31)와는 반대의 진공 처리실 내의 처리 공간 측을 향해 이물 흡착부(4)를 마련하여 이물을 제거하도록 해도 된다.
여기서, 흡착 제어부(5)를 형성하는 흡착 제어 회로에 대해, 도 4~도 8에는 제1 예가 도시되어 있다. 이 제1 예에 따른 흡착 제어 회로는 도 4에 도시되는 바와 같이, 외부 전원(도시 외)과의 접속 단자가 되는 입력 단자(7a, 7b)와, 외부 전원의 전압에 의해 충전되어 전하가 축적되는 콘덴서(9)와, 이 콘덴서(9)에 축적된 전하를 방전하여 흡착 전극(3(3a, 3b))을 대전시키기 위한 방전 스위치(10a, 10b)를 구비한다. 또한, 입력 단자(7a)와 콘덴서(9) 사이, 및 입력 단자(7b)와 콘덴서(9) 사이에는 각각 다이오드(11a, 11b)가 마련되어 있다. 이로써, 진공 처리실 내의 압력이 용이 방전 영역을 통과하는 바와 같은 경우라도, 콘덴서(9)로부터 입력 단자(7a, 7b) 측을 향해 전류가 흐르지 않고, 흡착 전극(3)을 대전시키기 전에 콘덴서(9)가 방전되는 것을 방지할 수 있다. 나아가서는, 이 흡착 제어 회로에는 대전된 흡착 전극(3(3a, 3b))의 전하를 방출하기 위한 GND 단자(8)와, 흡착 전극(3)과 GND 단자(8) 사이를 접속하는 GND 스위치(12a, 12b)를 구비하고 있다.
이 중, 방전 스위치(10a, 10b)는 각각 외부 조작이 가능한 원격 조작형 스위치(제어 스위치)이며, 타이머식 스위치, 레이저 감지식 스위치, 자력으로 동작하는 리드 스위치 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 이 도 4의 흡착 제어 회로에서의 방전 스위치(10a, 10b)에는 콘덴서(9)와 흡착 전극(3) 사이에서의 전도 전류가 통전되기 때문에, 적어도 1㎸ 정도의 전압에 견딜 수 있는 고내압 사양의 것을 이용할 필요가 있고, 현시점에서 이와 같은 사양의 것을 입수하기 쉽기 때문에 바람직하게는 리드 스위치인 것이 좋다. 구체적으로는 Standex Electronics사 제품 상품명 KSK-1A83-100150 등의 시판품을 예시할 수 있다. 한편, GND 스위치(12a, 12b)에 대해서도 마찬가지로 고내압 사양의 것을 이용하도록 하면 된다.
그리고 도 4의 흡착 제어 회로를 구비한 클리닝 장치를 이용하여 반도체 제조 장치의 진공 처리실 내의 이물을 제거함에 있어, 우선은 도 5에 나타낸 바와 같이 대기압하에서 외부 전원(13)의 출력 단자(13a, 13b)를 입력 단자(7a, 7b)에 각각 접속하여 콘덴서(9)를 충전한다. 그 때, 외부 전원(13)으로서 고압 전원을 이용하도록 하는 것이 좋고, 바람직하게는 V+의 출력 단자(13a)로부터 (+)1~5㎸ 정도, V-의 출력 단자(13b)로부터 (-)1~5㎸ 정도의 고전압이 입력되도록 하는 것이 좋다.
콘덴서(9)를 충전한 후에는 외부 전원(13)으로부터 분리한 클리닝 장치를 진공 폐쇄 공간 내에 이동시킨다. 이어서 도 6에 나타낸 바와 같이, 외부 조작에 의해 방전 스위치(10a, 10b)를 각각 온으로 함으로써, 콘덴서(9)를 방전하여 흡착 전극(3)을 대전시킨다. 이 외부 조작에 있어, 예를 들면, 리드 스위치를 이용하는 경우에는 반도체 제조 장치의 진공 처리실이나 반송 로봇을 사용하는 중간 반송실 등의 진공 폐쇄 공간 내 혹은 자력을 방해하지 않는 유리제 뷰포트 등을 통해 외부에 자석 등을 장착해 두도록 하면 되고, 구체적으로는 중간 반송실 내의 벽면이나 중간 반송실과 진공 처리실을 잇는 진공 처리실의 입구 등에 자석 등을 마련해 두고, 클리닝 장치가 진공 상태에서 배치되었을 때에 방전 스위치(10a, 10b)의 회로를 폐쇄할 수 있도록 해 두면 된다. 또한, 레이저 감지식 스위치의 경우에는 중간 반송실이나 진공 처리실 등의 진공 폐쇄 공간 중 어느 하나에 레이저 조사(照射)창을 마련해 두도록 하면 되고, 타이머식 스위치이면 진공 처리실 내에 클리닝 장치가 배치되는 타이밍을 가늠하여 타이머를 설정해 두면 된다.
콘덴서(9)에 대해서는 한 쌍의 흡착 전극(3(3a, 3b))을 콘덴서로 간주하여 그 정전 용량을 CESC로 하고 콘덴서(9)의 정전 용량을 CC로 하면, 콘덴서(9)의 정전 용량(CC)은 흡착 전극(3)의 정전 용량을 CESC보다도 커지도록 하는 것이 좋으며, 바람직하게는 콘덴서(9)의 정전 용량(CC)이 흡착 전극(3)의 정전 용량(CESC)의 10배 이상(CC≥10×CESC)이 되도록 하는 것이 좋다. 이로써, 계산 상으로는 외부 전원(13)의 출력 전압의 9할 이상의 전압을 흡착 전극(3)에 가할 수 있고, 흡착 전극(3(3a, 3b))을 대전시킨 후에는 특히 리드 스위치(10a, 10b)를 온 상태로 유지할 필요도 없다. 흡착 전극(3)을 대전시키는데 있어서는, 콘덴서(9)의 정전 용량(CC)은 가능한 큰 것이면 되고, 그 상한을 규정하는 것은 어려우나, 콘덴서(9)의 정전 용량(CC)을 어느 정도 이상의 크기로 해도 흡착 전극(3)에 가해지는 전압의 증가량은 적어지며 효과가 포화되기 때문에, 정전 용량(CC)이 정전 용량(CESC)의 50배 정도의 콘덴서(9)를 이용하면 충분하다고 할 수 있다.
이와 같은 관계에 대해 도 7(a)에 나타낸 바와 같이, 외부 전원(13)과 접속하여 콘덴서(9)를 충전시킨 상태에서의 흡착 제어 회로의 전압을 Vi, 콘덴서(9)의 전하를 Qci, 콘덴서(9)의 정전 용량을 CC, 흡착 전극(3)의 정전 용량을 CESC로 하고, 또한 도 7(b)에 나타낸 바와 같이, 외부 전원(13)을 분리한 후에 콘덴서(9)와 흡착 전극(3)을 접속하여 흡착 전극(3)을 대전시킨 상태에서의 흡착 제어 회로의 전압을 Vf, 콘덴서(9)의 전하를 Qcf, 흡착 전극(3)의 전하를 QESC로 하면, 이들은 다음과 같이 나타낼 수 있다. 즉, 전하의 총량은 콘덴서(9)와 흡착 전극(3) 접속의 전후로 변하지 않기 때문에 하기 식(1)이 성립한다.
Qci=Qcf+QESC … (1)
또한, 정전 용량의 관계식 Q=CV를 이용하여 상기 식(1)을 다시 쓰면, 하기 식(2) 및 (3)으로 나타낼 수 있다.
CCVi=CCVf+CESCVf … (2)
Vf=〔CC/(CC+CESC)〕Vi … (3)
여기서, 정전 용량(CC)이 흡착 전극(3)의 정전 용량(CESC)의 10배의 콘덴서(9)를 사용하는 경우를 상정하면, 상기 식(3)에 기초하는 계산에서는 하기 식(4)와 같이, 흡착 전극(3)에 가해지는 전압은 외부 전원(13)의 전압의 약 0.91배가 되는 것을 알 수 있다.
Vf=〔10CESC/(10CESC+CESC)〕Vi=(10/11)Vi=0.91Vi … (4)
한편으로, 실제로 정전 용량(CC)이 흡착 전극(3)의 정전 용량(CESC)의 약 11배의 콘덴서(9)를 사용하여 콘덴서(9)로부터 흡착 전극(3)으로 방전한 경우의 흡착 전극(3)의 표면 전위를 조사한 바, 콘덴서(9)를 통하지 않고 흡착 전극(3)을 직접 외부 전원(13)에 접속했을 때의 흡착 전극(3)의 표면 전위의 약 0.7배가 되는 것을 확인했다. 콘덴서(9)를 통한 경우의 표면 전위의 저하에 대해, 그 이유로는 전하의 누설이나 저항에 의한 로스 등을 생각할 수 있으나, 상기 (4)의 계산 결과를 감안하면, 거의 상정한 바와 같이 콘덴서(9)로부터의 방전에 의해 흡착 전극(3)을 대전시킬 수 있다고 할 수 있다.
흡착 전극(3)을 대전시켜서 이물 흡착부(4)를 이루는 절연체의 표면에 정전 흡착력을 발현시킨 클리닝 장치를 반도체 제조 장치의 진공 처리실 내에 배치하여 이물을 흡착한 후에는 이물을 흡착한 상태에서 클리닝 장치를 진공 처리실의 외부로 꺼낸다. 그리고 도 8에 나타낸 바와 같이, GND 단자(8)를 GND(대지)에 접지함과 함께 GND 스위치(12a, 12b) 및 리드 스위치(10a, 10b)를 각각 온으로 함으로써, 흡착 전극(3)에 대전된 전하를 방출하여 정전 흡착력을 해제하고, 이물 흡착부(4)에 흡착된 이물을 제거한다. 그 때, 예를 들면 중간 반송실 등과 같은 진공하에서 클리닝 장치의 정전 흡착력을 해제하도록 해도 되고, 대기압하에서 클리닝 장치의 정전 흡착력을 해제하도록 해도 된다. 이물을 제거한 클리닝 장치는 당연하게도 다시 진공 처리실 내의 이물 제거에 사용할 수 있다.
또한, 흡착 제어부(5)를 형성하는 흡착 제어 회로에 대해서는 도 9에 나타난 제2 예와 같이 구성할 수도 있다. 이 제2 예에 따른 흡착 제어 회로는 콘덴서(9)와 흡착 전극(3)을 접속하는 방전 스위치가 스위칭 회로로 형성되어 있는 점에서 제1 예와 상이하다. 즉, 이 제2 예에서는 콘덴서(9)에 축적된 전하를 방전하여 흡착 전극(3)을 대전시키기 위한 방전 스위치가 솔리드 스테이트 릴레이(solid-state relay)(14a, 14b)와, 이들 솔리드 스테이트 릴레이(14a, 14b)를 작동시키기 위한 전지(15a, 15b)와, 이들 전지와 솔리드 스테이트 릴레이를 접속하기 위한 회로 스위치(16a, 16b)를 가진 스위칭 회로로 이루어지고, 이 중 회로 스위치(16a, 16b)로서 예를 들면, 타이머식 스위치, 레이저 감지식 스위치, 자력으로 동작하는 리드 스위치 등의 외부 조작이 가능한 원격 조작형 스위치를 이용하도록 한다.
여기서, 솔리드 스테이트 릴레이(14a, 14b)는 가동(可動) 접점 부분이 없는 무접점 릴레이이기 때문에, 전자 회로의 작동에 의해 온/오프를 전자적으로 실시할 수 있다. 즉, 솔리드 스테이트 릴레이(14a, 14b)에는 콘덴서(9)와 흡착 전극(3) 사이에서의 전도 전류가 통전되기 때문에, 제1 예에서 서술한 바와 같은 고내압 사양의 것을 이용하도록 하면 되고, 외부 조작이 가능한 원격 조작형 회로 스위치(16a, 16b)에 대해서는 고내압일 필요는 없으며, 범용적인 것을 이용할 수 있게 된다. 이와 같은 솔리드 스테이트 릴레이로서 구체적으로는 Panasonic사 제품 상품명 AQV258A 등의 시판품을 들 수 있다.
이 제2 예에 따른 흡착 제어 회로는 스위칭 회로에 의해 방전 스위치를 구성하는 점 이외에는 제1 예와 마찬가지이다. 즉, 외부 전원과의 접속에 의한 대기압하에서의 콘덴서(9)의 충전, 진공 폐쇄 공간 내에서의 콘덴서(9)의 방전에 의한 흡착 전극(3)의 대전, 진공 처리실 내의 이물을 흡착한 후의 정전 흡착력의 해제 등에 대해서는 제1 예에서 설명한 내용과 마찬가지로 하여 실시할 수 있다.
또한, 흡착 제어부(5)를 형성하는 흡착 제어 회로는 도 10에 나타낸 제3 예와 같이 구성할 수도 있다. 이 제3 예에서는 흡착 제어부가 정전 흡착력을 발현시키기 위한 전원을 내장하는 점에서 앞선 제1, 제2 예와는 다르다. 즉, 이 제3 예에 따른 흡착 제어 회로는 전압을 승압하는 승압 회로(17)와, 승압 회로(17)를 작동시키는 전지(18)와, 승압 회로(17)로부터의 고전압 출력에 의해 흡착 전극(3)을 대전시키기 위한 전압 인가 스위치(19)를 구비하고 있다.
여기서, 전압 인가 스위치(19)로는 외부 조작이 가능한 원격 조작형 스위치(제어 스위치)를 이용하도록 하고, 예를 들면, 타이머식 스위치, 레이저 감지식 스위치, 자력으로 동작하는 리드 스위치 등을 들 수 있는데, 바람직하게는 리드 스위치이다. 단, 이 경우에는 전지(18)와 승압 회로(17)를 연결하기 위한 스위치이기 때문에, 특히 고내압 사양의 것을 이용할 필요는 없다. 또한, 승압 회로(17)에 대해서는 흡착 전극(3)을 대전시켜서 정전 흡착력을 발현시킴에 있어, V+의 출력 단자(17a)로부터 (+)1~5㎸ 정도, V-의 출력 단자(17b)로부터(-)1~5㎸ 정도의 고전압을 출력할 수 있는 것인 것이 좋다. 이와 같은 승압 회로(17)로는 특별히 제한은 없고, 콕크로프트·월턴 회로 등과 같은 공지의 것을 이용할 수 있다.
도 10에 나타낸 바와 같은 전원 내장형 흡착 제어 회로를 구비한 클리닝 장치를 이용하여 반도체 제조 장치의 진공 처리실 내의 이물을 제거함에 있어서는, 클리닝 장치를 중간 반송실이나 진공 처리실 등의 진공 폐쇄 공간 내에 배치하여 진공 상태에서 전압 인가 스위치(19)를 온으로 한다. 이로써, 이물 흡착부(4)를 이루는 절연체의 표면에 정전 흡착력이 발현되기 때문에, 클리닝 장치를 반도체 제조 장치의 진공 처리실 내에 배치하여 이물을 흡착한다. 진공 처리실 내의 이물 흡착을 마친 후에는 이물을 흡착한 상태에서 클리닝 장치를 진공 처리실의 외부로 꺼내고 전압 인가 스위치(19)를 오프로 함으로써, 정전 흡착력을 해제하여 이물 흡착부(4)로부터 이물을 제거한다. 이 전압 인가 스위치(19)를 오프로 하는 것은 진공 상태이어도 되고, 대기압 상태이어도 된다.
더욱이, 흡착 제어부(5)를 형성하는 흡착 제어 회로는 도 11에 나타낸 제4 예와 같이 구성할 수도 있다. 이 제4 예는 앞선 제3 예와 마찬가지로 흡착 제어부가 전원을 내장한 것이지만, 승압 회로(17)와 흡착 전극(3) 사이에 다이오드(20a, 20b)를 마련하고 있는 점, 및 대전된 흡착 전극(3)의 전하를 방출하기 위한 GND 단자(21)와, 흡착 전극(3)과 GND 단자(21) 사이를 접속하는 GND 스위치(22a, 22b)를 마련하고 있는 점에서 상이하다. 즉, 다이오드(20a, 20b)를 마련함으로써, 승압 회로(17)로부터의 고전압 출력에 의한 흡착 전극(3)의 대전이 정류 작용에 의해 유지되기 때문에, 흡착 전극(3)을 대전시킨 후에는 전압 인가 스위치(19)를 온 상태로 계속 유지할 필요가 없어진다. 또한, GND 단자(21)를 마련했음으로써, 진공 처리실 내의 이물 흡착을 마친 후에는 GND 스위치(22a, 22b)를 온으로 함으로써, 흡착 전극(3)에 대전된 전하를 방출하여 정전 흡착력을 해제하고, 이물 흡착부(4)에 흡착된 이물을 제거할 수 있다. 이들 이외에 대해서는 제3 예의 경우와 마찬가지이다.
실시예
(시험예 1)
진공 처리실 내에서 발현되는 정전 흡착력을 비교하기 위해, 대기압하에서 흡착 전극을 대전시킨 경우의 정전 흡착력과, 진공하에서 흡착 전극을 대전시킨 경우의 정전 흡착력에 대해, 다음과 같이 하여 흡착력을 측정하는 시험을 실시했다. 도 12에는 이 시험에서 사용한 시험 장치가 도시되어 있고, 도시 외의 로터리 펌프와 접속한 진공 챔버(23) 내에 시험용 클리닝 장치를 배치하고 있으며, 시험용 클리닝 장치의 상방(上方)에는 50㎜×48㎜ 사이즈(24㎠)로 잘라낸 실리콘 웨이퍼(24)가 장착된 로드셀(25)이 마련되어 있다. 시험용 클리닝 장치는 약 120㎜×120㎜, 두께 약 5㎜의 알루미늄제 베이스(기체부)(1)의 윗면에 이물 흡착부(4)를 구비하고 있고, 반대 측의 알루미늄제 베이스(1)의 아랫면에는 양면 테이프(26)가 접착되어 진공 챔버(23)의 내벽 바닥면부에 고정되어 있다. 한편, 실리콘 웨이퍼(24)에 대해서는 파손을 방지하기 위해(웨이퍼의 균열이나 깨짐에 의한 진공 챔버 내의 오염을 방지하기 위해), 시험용 클리닝 장치에 대향하는 면과는 반대 측에 폴리이미드제 보호 필름을 점착했다.
이 시험용 클리닝 장치를 준비함에 있어, 우선 두께 약 10㎛의 구리박이 적층된 두께 50㎛의 폴리이미드 필름을 준비하고, 구리박 부분을 에칭하여 약 58㎜×110㎜의 2개의 각형 전극이 대향한 흡착 전극을 형성했다. 이어서, 두께 약 10㎛의 본딩 시트를 이용하여 구리박 에칭 후의 폴리이미드 필름과 두께 50㎛의 폴리이미드 필름을 맞붙인 후, 흡착 전극(3)의 바깥둘레를 따라 약 120㎜×120㎜의 사이즈로 잘라냄으로써, 2매의 폴리이미드 필름으로 이루어지는 절연체의 내부에 흡착 전극을 구비한 이물 흡착부(4)를 제작했다. 또한, 이 이물 흡착부(4)의 흡착 전극(3)을 형성하는 한 쌍의 각형 전극(3a, 3b)에는 각각 실리콘 케이블(27a, 27b)을 연결하여 그 선단을 진공 챔버(23)의 외부로 인출하고, 각각에 리드 스위치(Standex Electronics사 제품 상품명 KSK-1A83-100150)(28a, 28b)를 접속했다. 한편, 이들 실리콘 케이블(27a, 27b)은 원통 형상의 금속 부품(도시 외)을 통과하여 상기 금속 부품을 진공 챔버에 꽂아 넣고, 그 틈은 O링으로 밀봉하도록 했다.
상기와 같이 하여 준비한 시험 장치를 이용하여 대기압하에서 흡착 전극을 대전시키는 경우에 대해, 우선은 (1)미리 시험용 클리닝 장치의 리드 스위치(28a, 28b)를 GND에 접속하여 스위치를 온으로 하고, 흡착 전극(3)의 대전을 제거(리셋)한 후에 다시 리드 스위치(28a, 28b)를 오프로 했다. 이어서, (2)리드 스위치(28a, 28b)의 입력 단자 측에 도시 외의 고전압 전원을 접속하여 리드 스위치(28a, 28b)를 온으로 하여 흡착 전극(3(3a, 3b))에 직류 ±400V를 인가하고, 이를 10초 동안 유지했다(리드 스위치를 10초 동안 온으로 함). 다음으로, (3)리드 스위치(28a, 28b)를 오프로 한 후(전압 인가 종료 후), 고전압 전원의 스위치를 오프로 한 후에(리드 스위치가 온인 채로 고전압 전원을 오프로 하면 대전이 없어지기 때문이며, 또한 리드 스위치를 오프로 한 후, 전원이 온인 채로 분리하면 리드 스위치의 전원에 연결되어 있던 측에 대전이 남기 때문), 리드 스위치(28a, 28b)와 고전압 전원을 분리했다. 그리고 (4)리드 스위치(28a, 28b)를 오프로 하고 나서 2분 후, 도시 외의 로터리 펌프를 가동하여 진공배기를 개시한 바, 약 3분 후에는 진공 챔버(23) 내의 압력은 40~50㎩ 정도까지 감압되었다. 거기서 (5)리드 스위치(28a, 28b)를 오프로 하고 나서 5분 후, 로드셀(25)을 하강시켜서 시험용 클리닝 장치의 이물 흡착부(4)에 실리콘 웨이퍼(24)를 거치했다. 이어서 (6)리드 스위치(28a, 28b)를 오프로 하고 나서 5분 30초 후, 로드셀(25)을 상승시켜서 실리콘 웨이퍼(24)를 끌어 올리고, 흡착력을 측정했다.
한쪽 진공하에서 흡착 전극을 대전시키는 경우에 대해서는, 앞서 챔버(23) 내를 진공 상태로 한 후에 상기와 마찬가지로 흡착력 측정을 실시했다. 즉, 우선 (4)로터리 펌프를 가동하여 진공 챔버(23) 내의 압력을 40㎩ 정도까지 감압한 후, (1)리드 스위치(28a, 28b)를 GND에 접속하여 스위치를 온으로 하여 흡착 전극(3)의 대전을 제거한 후에, 다시 리드 스위치(28a, 28b)를 오프로 하고, (2)리드 스위치(28a, 28b)의 입력 단자 측에 도시 외의 고전압 전원을 접속하여 리드 스위치(28a, 28b)를 온으로 하여 흡착 전극(3(3a, 3b))에 직류 ±400V를 인가하고, 이를 10초 동안 유지했다. 다음으로 (3)리드 스위치(28a, 28b)를 오프로 한 후, 고전압 전원의 스위치를 오프로 한 후에 리드 스위치(28a, 28b)와 고전압 전원을 분리했다. 그리고 (5)리드 스위치(28a, 28b)를 오프로 하고 나서 5분 후, 로드셀(25)을 하강시켜서 시험용 클리닝 장치의 이물 흡착부(4)에 실리콘 웨이퍼(24)를 거치하고, (6)리드 스위치(28a, 28b)를 오프로 하고 나서 5분 30초 후, 로드셀(25)을 상승시켜서 실리콘 웨이퍼(24)를 끌어 올리고 흡착력을 측정했다.
도 13에는 대기압하에서 발생시킨 정전 흡착력과 진공하에서 발생시킨 정전 흡착력을 비교함에 있어서의 측정 조건 및 압력 조건의 개요를 나타내고 있다. 또한, 도 14에는 이들의 측정 결과가 도시되어 있다. 흡착력 측정은 대기압하, 진공하 모두 각각 2회씩 실시하고 있고, 도 14에서는 실리콘 웨이퍼(Si 웨이퍼)의 단위 면적당 흡착력을 평균값으로 나타내고 있다. 이 그래프로부터 알 수 있는 바와 같이, 진공하에서 발생시킨 정전 흡착력 쪽이 대기압하에서 발생시킨 정전 흡착력에 비해 훨씬 뛰어난 결과(6~7배)를 나타냈다. 덧붙이자면, 도 14에서는 진공하에서 흡착 전극을 대전시키는 경우의 절차 중 (2)의 고전압 전원으로의 접속을 실시하지 않고 흡착력을 측정했을 때의 값을 함께 나타내고 있다.
(시험예 2)
흡착 전극을 대전시켰을 때의 표면 전위에 대해, 대기압으로 유지하는 대기압 유지 조건의 경우와, 대기압에서 진공으로 하여 다시 대기압으로 되돌리는 진공 경유 조건의 경우를 비교하기 위해, 다음과 같이 하여 표면 전위를 측정하는 시험을 실시했다. 한편, 사용한 표면 전위 측정 장치(가스가 덴끼사 제품 KSD-3000)의 형편 상 진공하에서 표면 전위를 측정할 수 없었기 때문에, 여기서는 상기와 같은 조건을 채용했다.
도 15에는 이 시험에서 사용한 시험 장치가 도시되어 있다. 우선, 시험용 클리닝 장치는 약 120㎜×120㎜, 두께 약 5㎜의 알루미늄제 베이스(기체부)(1)의 아랫면 측에 이물 흡착부(4)를 구비하고 있고, 이 이물 흡착부(4)는 시험예 1의 경우와 동일하게 하여 제작한 것이다. 또한, 이물 흡착부(4)의 흡착 전극(3)을 형성하는 한 쌍의 각형 전극(3a, 3b)에는 각각 실리콘 케이블(27a, 27b)을 연결하여 그 선단에는 리드 스위치(Standex Electronics사 제품 상품명 KSK-1A83-100150)(28a, 28b)를 접속하여, 시험예 1의 경우와 마찬가지이나, 이 시험예 2에서는 후술하는 바와 같이 리드 스위치(28a, 28b)를 포함시켜서 진공 챔버(23) 내에 배치하기 때문에, 실리콘 케이블(27a, 27b)과 리드 스위치(28a, 28b)를 접속한 부분의 솔더나 노출된 도선은 EVA 수지로 포팅하여 절연 처리(29)를 실시하고 있다. 더욱이, 알루미늄제 베이스(1)의 아랫면 측 주변부에는 알루미늄제 스페이서(돌기부)(30)를 마련하고 있고, 진공 챔버(23) 내에 시험용 클리닝 장치를 설치했을 때에 진공 챔버(23)의 내벽 바닥면부와 이물 흡착부(4) 사이에 약 5㎜의 거리(d)가 비도록 하고 있다.
상기와 같이 하여 준비한 시험예 2에 따른 클리닝 장치를 이용하여 흡착 전극을 대전시켰을 때의 표면 전위를 이하와 같이 하여 측정했다.
우선, 클리닝 장치를 종시 대기압으로 유지하는 경우에 대해, (1)리드 스위치(28a, 28b)의 입력 단자 측에 도시 외의 고전압 전원을 접속하고, 리드 스위치(28a, 28b)를 온으로 하여 흡착 전극(3(3a, 3b))에 직류 ±3.5㎸를 인가하여 이 전압 인가 상태에서 이물 흡착부(4)의 표면 전위를 측정했다〔측정 (i)〕. 다음으로 (2)리드 스위치(28a, 28b)를 오프로 함과 함께 고전압 전원을 오프로 한 후에, 리드 스위치(28a, 28b)로부터 고전압 전원을 분리하고, 리드 스위치를 오프로 한 직후의 이물 흡착부(4)의 표면 전위를 측정했다〔측정 (ii)〕. 다음으로 (3)이 시험용 클리닝 장치를 도시 외의 로터리 펌프와 접속한 진공 챔버(23) 내에 넣어서 대기압 상태인 채로 5분 동안 대기했다. 마지막으로 (4)시험용 클리닝 장치를 진공 챔버(23)에서 꺼내고, (2)에서 리드 스위치(28a, 28b)를 오프로 하고 나서 10분 경과한 타이밍에서 이물 흡착부(4)의 표면 전위를 측정했다〔측정 (iii)〕.
한편, 대기압 상태의 클리닝 장치를 일단 진공 상태로 한 후, 다시 대기압으로 되돌리는 경우에 대해서는 앞선 (3)에서 시험용 클리닝 장치를 진공 챔버(23) 내에 넣어서 5분간 로터리 펌프를 가동시키도록 한 것 이외에는 상기 (1)~(4)와 동일하게 했다. 즉, (1)고전압 전원을 접속하여 흡착 전극(3(3a, 3b))에 직류 ±3.5㎸를 인가한 상태에서 이물 흡착부(4)의 표면 전위를 측정하고〔측정 (i)〕, 이어서 (2)리드 스위치(28a, 28b)를 오프로 한 직후의 이물 흡착부(4)의 표면 전위를 측정하고〔측정 (ii)〕, 다음으로 (3)시험용 클리닝 장치를 진공 챔버(23) 내에 넣어서 로터리 펌프를 가동시키고, 5분간 감압하여 진공 챔버(23) 내의 압력이 40㎩ 정도의 진공이 된 후, (4)다시 진공 챔버(23) 내를 대기압으로 되돌려서 시험용 클리닝 장치를 진공 챔버(23)에서 꺼내고, (2)에서 리드 스위치(28a, 28b)를 오프로 하고 나서 10분 경과한 타이밍에서 이물 흡착부(4)의 표면 전위를 측정했다〔측정 (iii)〕.
도 16에는 압력 환경을 변화시켰을 때의 표면 전위를 비교함에 있어서의 측정 조건 및 압력 조건의 개요를 나타내고 있다. 또한, 도 17 및 도 18에는 이들의 측정 결과가 도시되어 있다. 이 중 도 17은 클리닝 장치를 종시 대기압으로 유지한 대기압 유지 조건에서의 표면 전위 측정 결과이며, 어느 것에서도 거의 동일한 정도의 표면 전위를 나타내고, 특히 리드 스위치를 오프로 하여 10분 경과 후의 표면 전위는 전압 인가 상태에서의 약 92%에 상당하는 높은 값을 나타냈다. 이에 반해, 도 18은 진공 경유 조건에서의 결과이며, 리드 스위치를 오프로 하여 10분 경과 후의 표면 전위는 전압 인가 상태에서의 약 14%에 상당하는 값까지 저하되어 있었다.
도 18에 도시되는 바와 같은 표면 전위 저하의 원인은 대기압으로부터 진공으로의 환경 변화에 따른 것과, 진공으로부터 대기압으로의 환경 변화에 따른 것 2가지를 들 수 있는데, 앞선 시험예 1의 결과를 고려하면, 적어도 대기압으로부터 진공으로의 환경 변화의 경우에도 표면 전위가 저하되어 있는 것을 생각할 수 있다. 즉, 이들 시험예로부터 알 수 있는 바와 같이, 대기압하에서 대전시켜서 얻어진 정전 흡착력은 진공 상태로 전환시킴으로써 극적으로 감소된다(이 이유에 대해서는 현시점에서 충분히 분명하지 않음). 한편, 이 시험예 2에서의 표면 전위는 흡착 전극에서의 한 쌍의 각형 전극(3a, 3b)에서의 표면 전위의 차를 나타낸다.
1: 기체부 2: 폴리이미드 필름
3: 흡착 전극 4: 이물 흡착부
5: 흡착 제어부 6: 돌기부
7: 입력 단자(접속 단자) 8: GND 단자
9: 콘덴서 10: 방전 스위치
11: 다이오드 12: GND 스위치
13: 외부 전원 14: 솔리드 스테이트 릴레이
15: 전지 16: 회로 스위치
17: 승압 회로 18: 전지
19: 전압 인가 스위치 20: 다이오드
21: GND 단자 22: GND 스위치
23: 진공 챔버 24: 실리콘 웨이퍼
25: 로드셀 26: 양면 테이프
27: 실리콘 케이블 28: 리드 스위치
29: 절연 처리 30: 스페이서
31: 웨이퍼 거치대

Claims (11)

  1. 반도체 제조 장치의 진공 처리실 내에서의 이물을 제거하기 위한 클리닝 장치로서,
    한 쌍의 전극으로 이루어지는 흡착 전극이 절연체의 내부에 마련된 이물 흡착부와, 제어 스위치를 온으로 하여 상기 흡착 전극을 대전시키고 상기 절연체의 표면에 정전 흡착력을 발현시켜서 이물을 흡착 가능하게 하는 흡착 제어부를 구비하며,
    상기 흡착 제어부의 제어 스위치가 외부 조작이 가능한 원격 조작형 스위치이고, 진공 상태에서 폐쇄된 진공 폐쇄 공간 내의 상기 클리닝 장치에 대하여 제어 스위치를 온으로 함으로써, 진공 상태에서 발현시킨 정전 흡착력에 의해 진공 처리실 내의 이물을 제거할 수 있는 것을 특징으로 하는 클리닝 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 흡착 제어부가, 외부 전원과의 접속 단자와, 외부 전원의 전압에 의해 충전되어 전하가 축적되는 콘덴서와, 콘덴서에 축적된 전하를 방전하여 흡착 전극을 대전시키기 위한 방전 스위치를 구비함과 함께 상기 방전 스위치가 상기 제어 스위치를 구성하고,
    대기압하에서 상기 접속 단자에 외부 전원을 접속하여 상기 콘덴서를 충전한 후에 상기 클리닝 장치를 진공 폐쇄 공간 내에 배치하여 상기 방전 스위치를 온으로 함으로써, 진공 상태에서 정전 흡착력을 발현시키는 클리닝 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 방전 스위치가, 자력(磁力)으로 동작하는 리드 스위치이며, 상기 리드 스위치에는 콘덴서와 흡착 전극 사이에서의 전도 전류가 통전되는 클리닝 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 방전 스위치가, 솔리드 스테이트 릴레이(solid-state relay)와, 솔리드 스테이트 릴레이를 작동시키는 전지와, 이들을 접속하는 회로 스위치를 가진 스위칭 회로로 이루어지고, 상기 회로 스위치가, 타이머식 스위치, 레이저 감지식 스위치, 및 자력으로 동작하는 리드 스위치로 이루어지는 군에서 선택된 어느 하나의 원격 조작형 스위치인 클리닝 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 흡착 제어부가, 전압을 승압하는 승압 회로와, 승압 회로를 작동시키는 전지와, 승압 회로로부터의 고전압 출력에 의해 흡착 전극을 대전시키기 위한 전압 인가 스위치를 구비함과 함께 상기 전압 인가 스위치가 상기 제어 스위치를 구성하고,
    상기 클리닝 장치를 진공 폐쇄 공간 내에 배치하여 전압 인가 스위치를 온으로 함으로써, 진공 상태에서 정전 흡착력을 발현시키는 클리닝 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 전압 인가 스위치가, 타이머식 스위치, 레이저 감지식 스위치, 및 자력으로 동작하는 리드 스위치로 이루어지는 군에서 선택된 어느 하나의 원격 조작형 스위치인 클리닝 장치.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 흡착 제어부가, 승압 회로와 흡착 전극 사이에 다이오드를 가져서 승압 회로로부터의 고전압 출력에 의한 흡착 전극의 대전이 정류 작용에 의해 유지되는 클리닝 장치.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 흡착 제어부가, 대전된 흡착 전극의 전하를 방출하기 위한 GND 단자와, 흡착 전극과 GND 단자 사이를 접속하는 GND 스위치를 구비하고, 진공 처리실 내의 이물을 흡착한 후 GND 스위치를 온으로 함으로써, 이물 흡착부의 절연체의 표면으로부터 이물을 제거할 수 있는 클리닝 장치.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 이물 흡착부 및 흡착 제어부가, 기체(基體)부의 한쪽 면에 일체적으로 마련되고, 이물 흡착부의 절연체를 진공 처리실 내의 웨이퍼 거치대와 대향하도록 배치하여 웨이퍼 거치대 상의 이물을 제거하는 클리닝 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 이물 흡착부에서의 절연체의 표면과 웨이퍼 거치대 사이가 서로 이간되기 위한 돌기부를 추가로 구비하는 클리닝 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 이물 흡착부에서의 절연체의 표면이, 점착성을 가진 점착층을 구비하는 클리닝 장치.
KR1020217006428A 2018-08-30 2019-08-23 클리닝 장치 KR102671297B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018161562 2018-08-30
JPJP-P-2018-161562 2018-08-30
PCT/JP2019/033077 WO2020045286A1 (ja) 2018-08-30 2019-08-23 クリーニング装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210049111A true KR20210049111A (ko) 2021-05-04
KR102671297B1 KR102671297B1 (ko) 2024-06-03

Family

ID=

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000260671A (ja) 1999-03-12 2000-09-22 Toshiba Corp ダスト吸着用ウエハ及び半導体装置内のクリーニング方法
JP2002028594A (ja) 2000-07-13 2002-01-29 Nitto Denko Corp クリーニングシ―ト、及びこれを用いた基板処理装置のクリーニング方法
JP5956637B2 (ja) 2009-04-14 2016-07-27 インターナショナル テスト ソリューションズ， インコーポレイテッド ウェハ製造クリーニング装置、プロセス及び使用方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000260671A (ja) 1999-03-12 2000-09-22 Toshiba Corp ダスト吸着用ウエハ及び半導体装置内のクリーニング方法
JP2002028594A (ja) 2000-07-13 2002-01-29 Nitto Denko Corp クリーニングシ―ト、及びこれを用いた基板処理装置のクリーニング方法
JP5956637B2 (ja) 2009-04-14 2016-07-27 インターナショナル テスト ソリューションズ， インコーポレイテッド ウェハ製造クリーニング装置、プロセス及び使用方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2020045286A1 (ja) 2020-03-05
EP3846198A4 (en) 2022-06-01
EP3846198A1 (en) 2021-07-07
TWI809182B (zh) 2023-07-21
JPWO2020045286A1 (ja) 2021-08-12
US20210166956A1 (en) 2021-06-03
CN112640042A (zh) 2021-04-09
TW202027125A (zh) 2020-07-16
SG11202101566SA (en) 2021-03-30
JP7350339B2 (ja) 2023-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7350339B2 (ja) クリーニング装置
TW495825B (en) Holding system for object to be processed
JP4666219B2 (ja) コンテナ
JPH03211753A (ja) 半導体製造装置
KR20100076028A (ko) 정전형 보강 장치
TWI669777B (zh) 吸附裝置、真空處理裝置
US20120120545A1 (en) Electrostatic attracting structure and fabricating method therefor
CN108735624B (zh) 晶片的搬出方法
JP2008251737A (ja) 静電チャック装置用電極部材ならびにそれを用いた静電チャック装置および静電吸着解除方法
US10236202B2 (en) System and method for adhering a semiconductive wafer to a mobile electrostatic carrier through a vacuum
JP4105778B2 (ja) 気流搬送装置
KR102671297B1 (ko) 클리닝 장치
JP6069768B2 (ja) 静電チャック装置及びその制御方法
US20150129121A1 (en) Tri-Modal Carrier for a Semiconductive Wafer
JP2008153343A (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
US11121649B2 (en) Electrostatic workpiece-holding method and electrostatic workpiece-holding system
JP2007142456A (ja) 静電チャック
WO2021049342A1 (ja) 着脱装置
US11335581B2 (en) System and method for adhering a semiconductive wafer to an electrostatic carrier by adjusting relative permittivity
JP2004158789A (ja) 半導体装置の製造方法及び製造装置
JP2004140277A (ja) 離脱方法及び電源装置
CN108470851B (zh) 基板处理方法和基板处理装置
JPH04117188A (ja) 静電吸着装置と基板離脱方法
KR20140133467A (ko) 집진장치
KR20060114848A (ko) 반도체 패키징 장치의 더스트 박스용 정전기 방지 장치

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right