JPS59181635A - 静電集塵器付き搬送機構 - Google Patents
静電集塵器付き搬送機構Info
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- JPS59181635A JPS59181635A JP5599083A JP5599083A JPS59181635A JP S59181635 A JPS59181635 A JP S59181635A JP 5599083 A JP5599083 A JP 5599083A JP 5599083 A JP5599083 A JP 5599083A JP S59181635 A JPS59181635 A JP S59181635A
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- electrode device
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「発明の技術分野１
本発明は、半導体ウェハとか半導体チップとか半導体装
置製造用部′４．ｆ１等（以下、これらを総称して半導
体ウェハ等と称する）の製造しこ際して使用される搬送
機構に係り、特に非搬送物の表面の塵を除去する機能を
有する半導体装置製造用の静電集塵器句き搬送機構に関
する。１「発明の技術的背景］ 規在の半導体製造プロセスにおいて、１．１に集積回路
製造プロセスにおいて、その東槓度が増すにつれて兜の
除去が深刻な問題となっている。
置製造用部′４．ｆ１等（以下、これらを総称して半導
体ウェハ等と称する）の製造しこ際して使用される搬送
機構に係り、特に非搬送物の表面の塵を除去する機能を
有する半導体装置製造用の静電集塵器句き搬送機構に関
する。１「発明の技術的背景］ 規在の半導体製造プロセスにおいて、１．１に集積回路
製造プロセスにおいて、その東槓度が増すにつれて兜の
除去が深刻な問題となっている。
集積回路製造プロセスの前工程は主どして次の４種類に
分類される。即ち、（１）酸化膜、窒化膜、シリコン膜
、アル、ミＩＩ！等の形成。（２）レジストとそのパタ
ーンの形成。（３）」−ツヂング。（４）イオン注入等
の不純物注入である。
分類される。即ち、（１）酸化膜、窒化膜、シリコン膜
、アル、ミＩＩ！等の形成。（２）レジストとそのパタ
ーンの形成。（３）」−ツヂング。（４）イオン注入等
の不純物注入である。
上記各工程において塵が存在すると、主として以下に述
べるような悪影響が生じる。即ち、前記く１）の膜形成
工程においては塵が膜中に取り込まれて電気特性の悪化
をもたらし、（２）のパターン形成工程においてはパタ
ーン１ｆ１れ等の微細パターン形成上の障害が生じ、（
３）のエツチング工程においては塵がエツヂングマスク
となって配線ショート等の微細加工上の障害が生じ、（
４）の不純物注人工稈では塵か注入マスクとなって所定
部分の注入ができず、又は塵の成分が膜中に注入されて
電気特性の劣化等が生じる。
べるような悪影響が生じる。即ち、前記く１）の膜形成
工程においては塵が膜中に取り込まれて電気特性の悪化
をもたらし、（２）のパターン形成工程においてはパタ
ーン１ｆ１れ等の微細パターン形成上の障害が生じ、（
３）のエツチング工程においては塵がエツヂングマスク
となって配線ショート等の微細加工上の障害が生じ、（
４）の不純物注人工稈では塵か注入マスクとなって所定
部分の注入ができず、又は塵の成分が膜中に注入されて
電気特性の劣化等が生じる。
［背景技術の問題点］
ところで、現在は集積回路のデザインルームが２μ以下
となっており、製品の歩留りを左右する大きな要因の１
つが塵であるという状況に到っている。集積回路の製造
に際し−では静浄度の高い、所謂クリーンルーム内で作
業をするのは常識であるが、最近では、半導体ウェハを
ビンセットで掴む等のウェハーハンドリング時に塵が付
＠するのを防ぐために、崖導体製造装置にウェハを装着
する際に自動搬送機構を使用することが多い。事実、こ
の自動搬送機構の採用により塵はかなり低減されている
。この自動搬送機構にも細かな工夫が多くなされており
、たとえばウェハが当たる部分の材質を柔らかくしてウ
ェハ衝突時のショックを軽減し、レジストの剥離等によ
る塵の発生を防ぐようにしている。
となっており、製品の歩留りを左右する大きな要因の１
つが塵であるという状況に到っている。集積回路の製造
に際し−では静浄度の高い、所謂クリーンルーム内で作
業をするのは常識であるが、最近では、半導体ウェハを
ビンセットで掴む等のウェハーハンドリング時に塵が付
＠するのを防ぐために、崖導体製造装置にウェハを装着
する際に自動搬送機構を使用することが多い。事実、こ
の自動搬送機構の採用により塵はかなり低減されている
。この自動搬送機構にも細かな工夫が多くなされており
、たとえばウェハが当たる部分の材質を柔らかくしてウ
ェハ衝突時のショックを軽減し、レジストの剥離等によ
る塵の発生を防ぐようにしている。
また、ウェハ装着時にウェハ移動速度を低減する、所謂
ラフ１〜ランデイング機構を備えておき、周辺からの塵
の落下を防ぐなどの工夫もなされているが、塵の発生を
未だ充分に防止し得るものとは言い難い。
ラフ１〜ランデイング機構を備えておき、周辺からの塵
の落下を防ぐなどの工夫もなされているが、塵の発生を
未だ充分に防止し得るものとは言い難い。
上述したように、微小な塵についてはその発生をウェハ
ープロセス装置内で完全に防ぐのは不可能であり、また
その除去も完全には無理であり、除去作業に余り手間を
さくのは生産性の低下をまねくので実用的、ではない。
ープロセス装置内で完全に防ぐのは不可能であり、また
その除去も完全には無理であり、除去作業に余り手間を
さくのは生産性の低下をまねくので実用的、ではない。
なお、塵による悪影響は上記半導体ウェハに限らず、半
導体チップとか半導体装置製造用部材（たとえばフォト
マスクの半完成品、完成品）などを製造する際にも生じ
るので、半導体製造設備全般として塵による悪影響を避
（プることが重要な課題である。
導体チップとか半導体装置製造用部材（たとえばフォト
マスクの半完成品、完成品）などを製造する際にも生じ
るので、半導体製造設備全般として塵による悪影響を避
（プることが重要な課題である。
［発明の目的］
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、半導体ウ
ェハ等の被搬送物に対する処理工程に入る直前に上記被
搬送物の表面上の塵をほぼ完全にしかも能率的に除去し
得る半導体装置製造用の静電集塵器付き搬送機構を提供
するものである。
ェハ等の被搬送物に対する処理工程に入る直前に上記被
搬送物の表面上の塵をほぼ完全にしかも能率的に除去し
得る半導体装置製造用の静電集塵器付き搬送機構を提供
するものである。
［発明の概要］
前述したように、半導体ウェハ等（半＞９体チップとか
フォトマスク等も含む）の表面に付着する塵は、主とし
てシリコンのくず、レジストのかけら、衣服等から生じ
るごみ等から成っており、それらの大部分は絶縁物であ
る。この点に着目し、本発明の静電集塵器付き搬送機構
は、ベルト搬送あるいはエアトラック等の搬送経路の途
中で半導体ウェハ等の表面に近接する配置で電極を設置
し、この電極に直流あるいは交流の電圧を印加すること
によって前記塵に双極子を形成させ、これを静電効果に
より電極装置側に吸引するようにしてなることを特徴と
するものである。
フォトマスク等も含む）の表面に付着する塵は、主とし
てシリコンのくず、レジストのかけら、衣服等から生じ
るごみ等から成っており、それらの大部分は絶縁物であ
る。この点に着目し、本発明の静電集塵器付き搬送機構
は、ベルト搬送あるいはエアトラック等の搬送経路の途
中で半導体ウェハ等の表面に近接する配置で電極を設置
し、この電極に直流あるいは交流の電圧を印加すること
によって前記塵に双極子を形成させ、これを静電効果に
より電極装置側に吸引するようにしてなることを特徴と
するものである。
したがって、上記搬送機構によれば、半導体ウェハ等に
対する処理工程の直前にその表面が自動的に静浄化され
る。これによって、塵を能率良く除去でき、塵による悪
影響を避けることができる。
対する処理工程の直前にその表面が自動的に静浄化され
る。これによって、塵を能率良く除去でき、塵による悪
影響を避けることができる。
［発明の実施例］
以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。第１図にｄ３いて、１０はクリーンルーム内に設置
されたベルト駆動形搬送機構であって、１１はその搬送
ベルトである。１２は上記ベルト１１−［に載置されて
搬送される半導体ウェハ等である。１３は上記半導体ウ
ェハ等１２の搬送路の途中で被搬送物に極力近接して対
向す、る如く上記ベルト１１の上方に配置された電極装
置である。この電極装置１３は、たとえば第２図に示す
ように絶縁体基板２１の表面（被搬送物に対向する面）
に２つに分前した［相］形の電極導体（たとえばアルミ
電極）２２゜２３が形成されている。そして、この２つ
の導体２２．２３間には電源１４からたとえば１ｋＶの
直流電圧が印加されている。なお、１５は電極装置支持
体であり、この支持体１５と電極装置１３とは絶縁碍子
１６により電気的に絶縁されている。而して、上記構成
による静電集塵機付き搬送機構においては、電極装置１
３上の櫛形の２つの導体２２．２３間に電圧が印加され
ることによって多数の双極子が形成されることになり、
これらの双極子により電場が形成される。そして、この
電場の中を半導体ウェハ等１２が通過するので、このウ
ェハ１２の表面上に絶縁性の塵が付着していた場合にこ
の塵中にも双極子が生起されることになる。この塵中の
双極子と電極装置１３の双極子との間の静電相互作用は
引力であり、ウェハ等１２上の塵は電極装置１３に引き
付けられる。
る。第１図にｄ３いて、１０はクリーンルーム内に設置
されたベルト駆動形搬送機構であって、１１はその搬送
ベルトである。１２は上記ベルト１１−［に載置されて
搬送される半導体ウェハ等である。１３は上記半導体ウ
ェハ等１２の搬送路の途中で被搬送物に極力近接して対
向す、る如く上記ベルト１１の上方に配置された電極装
置である。この電極装置１３は、たとえば第２図に示す
ように絶縁体基板２１の表面（被搬送物に対向する面）
に２つに分前した［相］形の電極導体（たとえばアルミ
電極）２２゜２３が形成されている。そして、この２つ
の導体２２．２３間には電源１４からたとえば１ｋＶの
直流電圧が印加されている。なお、１５は電極装置支持
体であり、この支持体１５と電極装置１３とは絶縁碍子
１６により電気的に絶縁されている。而して、上記構成
による静電集塵機付き搬送機構においては、電極装置１
３上の櫛形の２つの導体２２．２３間に電圧が印加され
ることによって多数の双極子が形成されることになり、
これらの双極子により電場が形成される。そして、この
電場の中を半導体ウェハ等１２が通過するので、このウ
ェハ１２の表面上に絶縁性の塵が付着していた場合にこ
の塵中にも双極子が生起されることになる。この塵中の
双極子と電極装置１３の双極子との間の静電相互作用は
引力であり、ウェハ等１２上の塵は電極装置１３に引き
付けられる。
したがって、上記ウェハ等１２が所定の処理工程（たと
えば膜形成工程とかエツヂング工程など）に入る直前に
その表面が自動的に清浄化される。このことは、塵の発
生を完全に防止することの困難さとか製造装置自体の洗
浄等により塵を除去することが困難なことおよび塵の除
去作業に多くの手間がかかることに比べて塵の除去能力
および除去作業の能率の点で極めて優れており、塵によ
る悪影響の防止および生産性の向上に大いに寄与し得る
ことを意味する。
えば膜形成工程とかエツヂング工程など）に入る直前に
その表面が自動的に清浄化される。このことは、塵の発
生を完全に防止することの困難さとか製造装置自体の洗
浄等により塵を除去することが困難なことおよび塵の除
去作業に多くの手間がかかることに比べて塵の除去能力
および除去作業の能率の点で極めて優れており、塵によ
る悪影響の防止および生産性の向上に大いに寄与し得る
ことを意味する。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
電極装置１３の表面上の電極形状は前記櫛形に限らず、
導体部分が２つの領域に分離されていればいかなる一形
状でもよい。また、上記電極に印加する電圧は、直流に
限らず交流アームによる搬送方式などであってもよい。
電極装置１３の表面上の電極形状は前記櫛形に限らず、
導体部分が２つの領域に分離されていればいかなる一形
状でもよい。また、上記電極に印加する電圧は、直流に
限らず交流アームによる搬送方式などであってもよい。
ま板
た、集塵′の対象となる字搬送物は半導体ウェハに限ら
ず、半導体チップ、フォトマスクなど、要するに半導体
装置およびその製造用部材等で塵を極力嫌うものであれ
ば特に制限されるものではない。。
ず、半導体チップ、フォトマスクなど、要するに半導体
装置およびその製造用部材等で塵を極力嫌うものであれ
ば特に制限されるものではない。。
ここで上記実施例において被搬送物として単結晶シリコ
ンウェハを搬送した場合にその表面状の塵の個数の変化
を実測したデータの一例を第３図に示す。この場合、搬
送機構全体はダウンフローのクリーンベンチ内に設置さ
れており、塵の個数はレーザー光散乱を利用した自動ダ
ストカウンタ（検出可能な塵径は〜０，５μ以上である
）により計数されたものであり、このような割数を１０
個のリンプルに対して行なったものである。第３図から
明らかなように塵の個数は１０日分のデータのうち９日
分が本実施例の装置通過後の方が通過前よりも少なくな
っている。
ンウェハを搬送した場合にその表面状の塵の個数の変化
を実測したデータの一例を第３図に示す。この場合、搬
送機構全体はダウンフローのクリーンベンチ内に設置さ
れており、塵の個数はレーザー光散乱を利用した自動ダ
ストカウンタ（検出可能な塵径は〜０，５μ以上である
）により計数されたものであり、このような割数を１０
個のリンプルに対して行なったものである。第３図から
明らかなように塵の個数は１０日分のデータのうち９日
分が本実施例の装置通過後の方が通過前よりも少なくな
っている。
また、半導体ウェハープロセスにおいて四が一番問題と
なるのは、露光およびドライエツチングの工程である。
なるのは、露光およびドライエツチングの工程である。
特に異方性のエツチングを行なう反応性イオンエツチン
グにおいては、微小な塵もマスクとしての役割を果たし
でしまうので、ウェハ上に形成される配線間の短絡の原
因となる。第４図は、上記反応性イオンエツチングを行
なう製造装置におけるウェハ搬送機構に前述したような
集塵用の電極装置を設置しなかった場合および設置した
場合に塵に起因′してウェハ上配線の短絡が生じる割合
について実測した数日のエッヂング分の実測データを示
している。ここで、ショートイールドの１００％は、上
記ウェハＦでその周辺部を除いて短絡部分が１つもない
状態を表わしている。また、上記実測に際しての４ノー
ンプルとしては、シリコンウェハ上にシリコン熱酸化膜
を形成し、その上にリンをドープしたポリシリコンを堆
積し、レジストにより上記ポリシリコンを２μスペース
で４μ幅の長いライン群からなる２つの櫛形パターンが
交互に入り組んだ形状に形成しｌ〔ものである。したが
って、この２：″）のパターン領域の両端間に電圧を引
加して相互間に流れる電流を測定することにより、塵等
が原因となった配線間短絡を容易に検出可能である。第
４図から分るように、何回かの実測データの平均を見る
と、東塵用雷極装置を設置したことにより大変効果的で
ある。
グにおいては、微小な塵もマスクとしての役割を果たし
でしまうので、ウェハ上に形成される配線間の短絡の原
因となる。第４図は、上記反応性イオンエツチングを行
なう製造装置におけるウェハ搬送機構に前述したような
集塵用の電極装置を設置しなかった場合および設置した
場合に塵に起因′してウェハ上配線の短絡が生じる割合
について実測した数日のエッヂング分の実測データを示
している。ここで、ショートイールドの１００％は、上
記ウェハＦでその周辺部を除いて短絡部分が１つもない
状態を表わしている。また、上記実測に際しての４ノー
ンプルとしては、シリコンウェハ上にシリコン熱酸化膜
を形成し、その上にリンをドープしたポリシリコンを堆
積し、レジストにより上記ポリシリコンを２μスペース
で４μ幅の長いライン群からなる２つの櫛形パターンが
交互に入り組んだ形状に形成しｌ〔ものである。したが
って、この２：″）のパターン領域の両端間に電圧を引
加して相互間に流れる電流を測定することにより、塵等
が原因となった配線間短絡を容易に検出可能である。第
４図から分るように、何回かの実測データの平均を見る
と、東塵用雷極装置を設置したことにより大変効果的で
ある。
［発明の効果コ
上述したように本発明の静電集塵器イ」き搬送機構によ
れば、半導体ウェハ等の被搬送物に対する処理工程に入
る直前に上記被搬送物の表面上の塵をほぼ完全にしかも
能率良く除去することができ、半導体ウェハ等の製造上
極めて有益である。
れば、半導体ウェハ等の被搬送物に対する処理工程に入
る直前に上記被搬送物の表面上の塵をほぼ完全にしかも
能率良く除去することができ、半導体ウェハ等の製造上
極めて有益である。
第１図は本発明にかかる静電集塵器付き搬送機構の一実
施例を示す構成説明図、第２図は第１図の電極装置を取
り出してその一例を示づ平面図、第３図は第１図の搬送
機構により搬送された半導体ウェハの表面状の塵の個数
の実測データを示す図、第４図は本発明の搬送機構を反
応性イオンエツチング装置に使用した場合における半導
体ウェハ上の配線間のショートイールドの実測データを
示す図で゛ある。 １０・・・搬送機構、１１・・・搬送ベルト、１２・・
・被搬送物、１３・・・電極装置、１４・・・電源装置
、２２．２３・・・電極。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 ４ 第２図 ３ 第３図 ＝５則定回数
施例を示す構成説明図、第２図は第１図の電極装置を取
り出してその一例を示づ平面図、第３図は第１図の搬送
機構により搬送された半導体ウェハの表面状の塵の個数
の実測データを示す図、第４図は本発明の搬送機構を反
応性イオンエツチング装置に使用した場合における半導
体ウェハ上の配線間のショートイールドの実測データを
示す図で゛ある。 １０・・・搬送機構、１１・・・搬送ベルト、１２・・
・被搬送物、１３・・・電極装置、１４・・・電源装置
、２２．２３・・・電極。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 ４ 第２図 ３ 第３図 ＝５則定回数
Claims (1)
- 半導体ウェハ、半導体チップ、半導体ウェハ製造用マス
クパターン等の被搬送物を搬送づる半導体装置製造用の
搬送機構と、この搬送機構の搬送路の途中で被搬送物の
通過によりこれに近接して対抗ターる配置で設置され、
この対抗面部には２つの導電電極が形成された電極装置
と、この電極装置の２つの電極間に直流電圧あるいは交
流電圧を引加する電源とを具備してなることを特徴どザ
る静電集塵器（＝Ｉき搬送（幾４１’ｆ 、。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5599083A JPS59181635A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 静電集塵器付き搬送機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5599083A JPS59181635A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 静電集塵器付き搬送機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59181635A true JPS59181635A (ja) | 1984-10-16 |
Family
ID=13014520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5599083A Pending JPS59181635A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 静電集塵器付き搬送機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59181635A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019219163A1 (en) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | Applied Materials, Inc. | Cleaning device for attracting particles in a substrate processing system, processing system for processing a substrate, and method of operation of a cleaning device |
| EP3846198A4 (en) * | 2018-08-30 | 2022-06-01 | Creative Technology Corporation | CLEANING DEVICE |
-
1983
- 1983-03-31 JP JP5599083A patent/JPS59181635A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019219163A1 (en) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | Applied Materials, Inc. | Cleaning device for attracting particles in a substrate processing system, processing system for processing a substrate, and method of operation of a cleaning device |
| EP3846198A4 (en) * | 2018-08-30 | 2022-06-01 | Creative Technology Corporation | CLEANING DEVICE |
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