CN112631089A - 基板处理方法以及基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够有效率地进行利用了处理液的氧化力的基板处理的基板处理方法以及基板处理装置。在基板(SB)上形成含有硫酸、硫酸盐、过氧硫酸及过氧硫酸盐中的至少任一种的处理液或含有过氧化氢的处理液的液膜(LQ)。对液膜(LQ)照射等离子体(PL)。

Description

基板处理方法以及基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种基板处理方法以及基板处理装置，特别涉及一种使用等离子体的基板处理方法以及基板处理装置。
背景技术
半导体装置的制造方法在多数情况下，伴随着用于从基板除去抗蚀剂膜的湿式处理工序。作为此种典型的工序，有使用在硫酸与过氧化氢水的混合液即处理液中生成的过氧硫酸的氧化力的方法。为了持续且稳定地产生过氧硫酸，通常必须向处理液中追加添加过氧化氢水。由于此种原因，排液处理的负担增大、或者硫酸的再利用变得困难。
另一方面，在日本专利特开2002-53312号公报(专利文献1)所公开的抗蚀剂除去方法中，通过对含有硫酸的溶液照射氧等离子体而产生过氧硫酸。然后，将表面形成有抗蚀剂的晶片浸渍在含有过氧硫酸的溶液中。根据此方法，可通过对硫酸照射氧等离子体来促进过氧硫酸的生成。根据所述公报，由此主张能够在不追加过氧化氢的情况下维持硫酸与过氧化氢的混合液的抗蚀剂去除能力。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特开2002-53312号公报
发明内容
[发明所要解决的问题]
从基板除去抗蚀剂膜的工序大多需要时间、能量以及化学材料的大量消耗，因此要求所述工序的效率化。另外，不限于除去抗蚀剂膜的基板处理，对于其他基板处理，所述效率化对制造者而言当然也是有益的。
本发明是为了解决以上课题而完成的，其目的在于提供一种能够有效率地进行利用了处理液的氧化力的基板处理的基板处理方法。
[解决问题的技术手段]
第一实施例是一种基板处理方法，包括：在基板上形成含有硫酸、硫酸盐、过氧硫酸及过氧硫酸盐中的至少任一种的处理液或含有过氧化氢的处理液的液膜的工序；以及向所述液膜照射等离子体的工序。
第二实施例是根据第一实施例的基板处理方法，其中，照射所述等离子体的工序伴随着所述基板的旋转，同时使用在对所述基板的旋转而言的周向上局部配置的所述等离子体来进行。
第三实施例是根据第二实施例的基板处理方法，其中，照射所述等离子体的工序包括使所述等离子体的位置在所述基板的旋转的半径方向上摆动的工序。
第四实施例是根据第二实施例的基板处理方法，其中，照射所述等离子体的工序使用遍及所述基板的半径方向的位置的整体而延伸的所述等离子体来进行。
第五实施例是根据第一实施例至第四实施例中任一项的基板处理方法，其中，照射所述等离子体的工序包括向所述基板吹附等离子体射流的工序。
第六实施例是根据第一实施例至第四实施例中任一项的基板处理方法，其中，照射所述等离子体的工序包括静态地保持所述等离子体中的气氛的工序。
第七实施例是根据第一实施例至第六实施例中任一项的基板处理方法，其中，形成所述液膜的工序包括：开始向所述基板上供给所述处理液的工序；以及停止向所述基板上供给所述处理液的工序；且照射所述等离子体的工序在开始供给所述处理液的工序之后且停止供给所述处理液的工序之前进行。
第八实施例是根据第一实施例至第七实施例中任一项的基板处理方法，其中，形成所述液膜的工序包括：开始向所述基板上供给所述处理液的工序；以及停止向所述基板上供给所述处理液的工序；且照射所述等离子体的工序在停止供给所述处理液的工序之后进行。
第九实施例是一种基板处理装置，用于使用含有硫酸、硫酸盐、过氧硫酸及过氧硫酸盐中的至少任一种的处理液或含有过氧化氢的处理液对基板进行处理，且所述基板处理装置包括：保持部，保持所述基板；液体供给部，向所述基板上供给所述处理液以在所述基板上形成所述处理液的液膜；以及等离子体源，对所述液膜照射等离子体。
第十实施例是根据第九实施例的基板处理装置，其还包括旋转驱动部，所述旋转驱动部使所述保持部旋转以获得所述基板的旋转，所述等离子体源构成为能够在所述基板的旋转的半径方向上摆动。
第十一实施例是根据第九实施例的基板处理装置，其还包括旋转驱动部，所述旋转驱动部使所述保持部旋转以获得所述基板的旋转，所述等离子体源产生遍及所述基板的半径方向的位置的整体而延伸的所述等离子体。
第十二实施例是根据第九实施例至第十一实施例中任一项的基板处理装置，其中所述等离子体源包括：配管，包括接受气体的供给的气体入口、及以朝向所述基板一方的方式配置的气体出口；第一电极，配置在所述配管中；以及第二电极，配置在所述配管外。
第十三实施例是根据第十二实施例所述的基板处理装置，其中所述第二电极远离向所述基板上供给的所述处理液的路径。
第十四实施例是根据第十二实施例的基板处理装置，其中所述第二电极与向所述基板上供给的所述处理液的路径相接。
第十五实施例是根据第九实施例至第十一实施例中任一项的基板处理装置，其中所述等离子体源包括：电介质层，具有朝向所述液膜一方的第一面及与所述第一面相反的第二面；第一电极，远离所述液膜而配置在所述第一面上；以及第二电极，配置在所述第二面上。
[发明的效果]
根据第一实施例，对含有硫酸、硫酸盐、过氧硫酸及过氧硫酸盐中的至少任一种的处理液或含有过氧化氢的处理液的液膜照射等离子体。由此，在液膜中产生具有强氧化力的自由基。因此，能够有效地进行利用了处理液的氧化力的基板处理。
根据第二实施例，使用在周向上部分配置的等离子体。由此，虽然在周向上仅局部配置的等离子体，但是伴随着基板的旋转，能够在周向整体上照射等离子体。
根据第三实施例，可使等离子体的位置在半径方向上摆动。由此，虽然使用在半径方向上仅部分配置的等离子体，但随着等离子体的摆动及基板的旋转，能够在宽范围内照射等离子体。
根据第四实施例，使用遍及半径方向上的位置的整体而延伸的等离子体。由此，即使不使等离子体的位置在半径方向上摆动，随着基板的旋转，也能够对基板的整体照射等离子体。
根据第五实施例，向基板吹附等离子体射流。由此，能够利用等离子体射流进行基板处理。
根据第六实施例，静态地保持等离子体中的气氛。由此，避免液膜因气氛的流动而紊乱。
根据第七实施例，一边供给处理液一边照射等离子体。由此，在等离子体照射中处理液被置换。因此，可抑制由处理液劣化引起的处理效果的降低。
根据第八实施例，在停止处理液的供给之后照射等离子体。由此，能够抑制处理液的消耗量。
根据第九实施例，对含有硫酸、硫酸盐、过氧硫酸及过氧硫酸盐中的至少任一种的处理液或含有过氧化氢的处理液的液膜照射等离子体。由此，在液膜中产生具有强氧化力的自由基。因此，能够有效地进行利用了处理液的氧化力的基板处理。
根据第十实施例，可使等离子体的位置在半径方向上摆动。由此，虽然使用在半径方向上仅局部配置的等离子体，但随着等离子体的摆动及基板的旋转，能够在宽范围内照射等离子体。
根据第十一实施例，使用遍及半径方向的位置的整体而延伸的等离子体。由此，即使不使等离子体的位置在半径方向上摆动，随着基板的旋转，也能够对基板的整体照射等离子体。
根据第十二实施例，等离子体源包括配置在气体的配管中的第一电极及配置在配管外的第二电极。由此，能够生成使用从配管喷射的气体的等离子体射流。
根据第十三实施例，第二电极远离向基板上供给的处理液的路径。由此，能够使第一电极及第二电极不与处理液接触地生成等离子体。
根据第十四实施例，第二电极与向基板上供给的处理液的路径相接。由此，能够生成从第一电极向处理液的液膜延伸的等离子体。
根据第十五实施例，等离子体源包括：具有朝向液膜一方的第一面及与第一面相反的第二面的电介质层、远离液膜而配置在第一面上的第一电极、以及配置在第二面上的第二电极。由此，能够在静态地保持等离子体中的气氛的同时产生等离子体。因此，避免由于气氛的流动而使液膜紊乱。因此，避免由液膜的紊乱引起的基板处理的紊乱。
附图说明
图1是概略性地表示本发明的实施方式1的基板处理系统的结构的平面图。
图2是概略性地表示图1的基板处理系统中包含的控制部的结构的方块图。
图3是概略性地表示本发明的实施方式1的基板处理装置的结构的侧面图。
图4是概略性地说明图1的基板处理装置所具有的液体供给部及等离子体源的配置的平面图。
图5是沿图4中的线V-V的概略性的局部剖面图。
图6是沿图5中的线VI-VI的概略性的局部剖面图。
图7是以与图5相对应的视场概略性地表示本发明的实施方式2中的基板处理装置结构的局部剖面图。
图8是沿图7中的线VIII-VIII的概略性的局部剖面图。
图9是概略性地说明本发明的实施方式3的基板处理装置所具有的液体供给部及等离子体源的配置的平面图。
图10是沿图9中的线X-X的概略性的局部剖面图。
图11是沿图10中的线XI-XI的概略性的局部剖面图。
图12是以与图5相对应的视场概略性地表示本发明的实施方式4中的基板处理装置结构的局部剖面图。
图13是沿图12中的线XIII-XIII的概略性的局部剖面图。
[符号的说明]
10：基板保持架(保持部)
11、52：轴体
12：旋转马达(旋转驱动部)
20、20B：液体喷嘴(液体供给部)
29：液体送出部
30、30A～30C：等离子体源
31、31A～31C：第一电极
32、32A～32C：第二电极
33、33B：配管
33C：电介质层
36、36A～36C、37C：绝缘包覆部
39：气体送出部
40：交流电源(电源)
50：扫描机构
51：臂
53：角度致动器(扫描驱动部)
80：腔室
90：控制部
91：CPU(中央处理器)
92：ROM(只读存储器)
93：RAM(随机存取存储器)
94：存储装置
94P：处理程序
95：总线
96：输入部
97：显示部
98：通信部
100：基板处理系统
101～104：基板处理装置
C：载体
CR：中心机器人
DP：周向
DR：半径方向
DS：箭头
F1：下表面(第一面)
F2：上表面(第二面)
IR：分度器机器人
LP：装载埠
LQ：液膜
PL：等离子体
PS：基板载置部
SB：基板
UT：处理单元
具体实施方式
以下，根据附图对本发明的实施方式进行说明。再者，在以下的附图中对相同或相当的部分赋予相同的参照编号，不重复其说明。
＜实施方式1＞
图1是概略性地表示本实施方式1的基板处理系统100的结构的例子的平面图。基板处理系统100包括：装载埠(Load port)LP、分度器机器人IR、中心机器人CR、控制部90及至少一个处理单元UT(图1中为四个处理单元)。多个处理单元UT用于处理基板SB(晶片)，其中至少一个详细来说与后述的基板处理装置101对应。基板处理装置101是能够用于基板处理的单片式装置，具体而言，是能够用于除去附着在基板SB上的有机物的处理的单片式装置。此有机物典型而言为使用过的抗蚀剂膜。此抗蚀剂膜例如用作离子注入工序用的注入掩模。基板处理装置101可具有腔室80。在此种情况下，可通过控制腔室80内的气氛，进行期望的气氛中的基板处理。
控制部90可控制基板处理系统100中所包括的各部的运作。各载体C是收容基板SB的收容器。装载埠LP是保持多个载体C的收容器保持机构。分度器机器人IR能够在装载埠LP与基板载置部PS之间搬送基板SB。中心机器人CR能够将基板SB从基板载置部PS及至少一个处理单元UT的任意一个搬送至另一个处理单元UT。通过以上的结构，分度器机器人IR、基板载置部PS以及中心机器人CR作为在各处理单元UT与装载埠LP之间搬送基板SB的搬送机构发挥功能。
未处理的基板SB由分度器机器人IR从载体C取出，经由基板载置部PS传递至中心机器人CR。中心机器人CR将此未处理的基板SB搬入到处理单元UT。处理单元UT对基板SB进行处理。处理完的基板SB由中心机器人CR从处理单元UT取出，并视需要通过其他处理单元UT之后，经由基板载置部PS传递至分度器机器人IR。分度器机器人IR将处理完的基板SB搬入载体C。根据以上，进行针对基板SB的处理。
图2是概略性地表示控制部90(图1)的结构的方块图。控制部90可由具有电路的通用计算机构成。具体而言，控制部90包括中央处理器(Central Processing Unit，CPU)91、只读存储器(Read Only Memory，ROM)92、随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)93、存储装置94、输入部96、显示部97及通信部98以及将这些相互连接的总线95。
ROM 92保存基本程序。RAM 93被提供作为CPU 91执行规定处理时的工作区。存储装置94由闪速存储器或硬盘装置等非易失性存储装置构成。输入部96由各种开关或触摸屏等构成，并从操作员接收处理程序库等的输入设定指示。显示部97例如由液晶显示装置及灯等构成，在CPU 91的控制下显示各种信息。通信部98具有经由局域网(Local AreaNetwork，LAN)等的数据通信功能。存储装置94中预先设定有针对构成基板处理系统(图1)的各装置的控制的多个模式。通过CPU 91执行处理程序94P来选择上述多种模式中的一个模式，利用此模式控制各装置。另外，处理程序94P可存储在记录介质中。只要使用此记录介质，就能够在控制部90中安装处理程序94P。另外，由控制部90执行的功能的部分或全部未必需要通过软件实现，也可通过专用逻辑电路等的硬件来实现。
图3是概略性地表示本实施方式1的基板处理装置101的结构的侧面图。图4是概略性地说明基板处理装置101所具有的液体供给部20及等离子体源30的配置的平面图。图5是沿图4中的线V-V的概略性的局部剖面图。图6是沿图5中的线VI-VI的概略性的局部剖面图。基板处理装置101用于使用处理液处理基板SB。具体而言，基板处理装置101用于使用处理液从基板SB除去抗蚀剂膜(未图示)。
图3之后的各图所示的结构可被腔室80(图1)围绕。腔室80内的压力可大致为大气压(例如，0.5气压以上、2气压以下)。换句话说，后述的各等离子体源可以是大气压等离子体源。腔室80内的气氛例如是空气或惰性气体。在空气的情况下，由于不需要特别的气体，因此可降低工艺成本。在惰性气体的情况下，避免气体中的氧原子(特别是氧自由基)对基板处理产生不良影响。惰性气体例如是氮气或稀有气体。稀有气体例如为氩气。
基板处理装置101包括基板保持架10(保持部)、液体喷嘴20(液体供给部)、液体送出部29、等离子体源30、气体送出部39及交流电源40(电源)。基板保持架10保持基板SB。液体送出部29向液体喷嘴20送出处理液。处理液是包含硫酸、硫酸盐、过氧硫酸及过氧硫酸盐中的至少任一种的液体，或者是包含过氧化氢的液体，优选是包含硫酸的液体。处理液典型地是水溶液。液体喷嘴20向基板SB上供给处理液以在基板SB上形成处理液的液膜LQ。气体送出部39向等离子体源30送出气体。此气体例如包含H2、O2、N2、Ar或He中的至少任一种。例如，在气体包含O2的情况下，则能够产成氧等离子体。等离子体源30向液膜LQ照射等离子体PL。
另外，基板处理装置101包括轴体11及旋转马达12(旋转驱动部)。轴体11安装在基板保持架10的中心。旋转马达12使轴体旋转。根据此结构，可使基板保持架10旋转，因此可获得基板SB的旋转。
另外，基板处理装置具有臂51、轴体52及角度致动器53(扫描驱动部)。角度致动器53调整轴体52的绕轴的角度。臂51的一端固定在轴体52上，臂51的另一端远离轴体52的轴来配置。通过在所述另一端安装等离子体源30，等离子体源30在对基板SB的旋转而言的半径方向DR(图4)上，如箭头DS(图4)所示，可摆动地构成。再者，由摆动引起的等离子体源30的移动方向只要具有半径方向DR上的成分即可，不需要严格地与半径方向DR平行。
在本实施方式中，等离子体源30与液体喷嘴20相互固定。由此，液体喷嘴20也与等离子体源30的摆动联动地摆动。再者，作为变形例，可固定液体喷嘴20的位置，或者，也可与用于等离子体源30的所述摆动机构不同地，另外设置用于液体喷嘴20的摆动机构。
等离子体源30包括：配管33、第一电极31及第二电极32。另外，等离子体源30优选具有绝缘包覆部36。配管33包括从气体送出部39接受气体的供给的气体入口(图5中的上侧)、及以朝向基板SB的方式配置的气体出口(图5中的下侧)。第一电极31的至少一部分配置在配管33中。如图5所示，第一电极31可气体入口突出。另一方面，第一电极31优选不从气体出口突出。换言之，第一电极31优选配置在比气体出口更靠上方处。第二电极32配置在配管33外。另外，第二电极32远离向基板SB上供给的处理液的路径。具体来说，第二电极32安装在配管33的侧面上，且经由配管33、配管33的内部空间及绝缘包覆部36而与第一电极31相向。绝缘包覆部36以隔开产生等离子体PL的空间与第一电极31之间的方式包覆第一电极31。
交流电源40对第一电极31与第二电极32之间施加交流电压。在此种情况下，第二电极32的电位可以是基准电位。作为变形例，也可代替交流电源40而使用直流脉冲电源。在此种情况下，例如，第一电极31成为阳极，第二电极32成为阴极。
接着，以下对使用了基板处理装置101的基板处理方法进行说明。
基板保持架10对基板SB进行保持。通过基板保持架10的旋转来旋转基板SB。液体送出部29向液体喷嘴20送出处理液。由此，处理液从液体喷嘴20向基板SB上喷出。其结果，在基板SB上形成处理液的液膜LQ。此处，液膜LQ的厚度优选为0.3mm～2.0mm的范围，更优选为1mm左右。
如图5的箭头所示，气体送出部39向等离子体源30的配管33中送出气体，另外，交流电源40对第一电极31与第二电极之间施加交流电压。由此，等离子体源30生成等离子体PL。等离子体PL与气体的流动一起从配管33的气体出口向液膜LQ延伸。由此，对液膜LQ照射等离子体PL。换言之，向基板SB吹附等离子体射流。
所述照射伴随着基板SB的旋转，同时使用在对基板SB的旋转而言的周向DP(图4)上局部配置的等离子体PL进行。另外，所述照射一边使等离子体PL的位置在对基板SB的旋转而言的半径方向DR(图4)上摆动一边进行。
所述液膜LQ的形成通过开始向基板SB上供给处理液而开始，通过停止向基板SB上供给处理液而停止。再者，在停止处理液的供给后，如果基板SB没有高速旋转，则也可维持液膜LQ的存在。等离子体PL的照射在开始供给处理液后且停止供给处理液之前进行。由此，进行一边供给处理液一边照射等离子体PL的工序。
接受等离子体PL的照射，在液膜LQ中生成自由基。利用此自由基的氧化力促进对基板SB的处理。具体而言，促进从基板SB除去抗蚀剂膜(未图示)。
再者，在所述基板处理之后，通常进行基板SB的淋洗工序及干燥工序。例如，淋洗工序通过向基板SB喷出纯水来进行，干燥工序通过异丙醇(isopropyl alcohol，IPA)干燥来进行。
根据本实施方式，向含有硫酸、硫酸盐、过氧硫酸及过氧硫酸盐中的至少任一种的处理液或含有过氧化氢的处理液的液膜LQ照射等离子体PL(图5)。由此，在液膜LQ中产生具有强氧化力的自由基。因此，能够有效地进行利用了处理液的氧化力的基板处理。具体而言，能够从基板SB有效地除去抗蚀剂膜。
处理液优选含有硫酸。在此种情况下，通过对硫酸的等离子体照射，可生成过氧一硫酸(卡罗酸)。通过利用等离子体照射，可在不使用过氧化氢的情况下进行所述生成。在此种情况下，能够减轻排液处理的负担，或者使硫酸的再生变得容易。此处，在使用含有硫酸的处理液的情况下，硫酸的浓度优选为94％～98％的范围，更优选为96％左右。
等离子体PL(图5)在周向DP(图4)上局部配置。如此，虽然使用在周向DP上仅局部配置的等离子体PL，但伴随着基板SB的旋转，能够在周向DP整体上照射等离子体PL。
在半径方向DR(图4)上，等离子体源30的位置、即等离子体PL(图5)的位置发生摆动。由此，虽然使用在半径方向DR上仅局部配置的等离子体PL，但伴随着等离子体PL的摆动与基板SB的旋转，也能够在广范围内照射等离子体PL。
在等离子体PL的照射中，供给处理液。由此，在等离子体PL的照射中置换处理液。因此，可抑制由处理液劣化引起的处理效果的降低。
等离子体PL的照射以向基板SB吹附等离子体射流的方式进行。即，能够利用等离子体射流进行基板处理。
等离子体源30包括配置在气体的配管33中的第一电极31及配置在配管33外的第二电极32。由此，能够生成使用从配管33喷射的气体的等离子体射流。
第二电极32远离向基板SB上供给的处理液的路径。由此，能够在第一电极31及第二电极32均不与处理液接触的状态下，生成等离子体PL。
再者，液膜LQ的形成通过开始向基板SB上供给处理液而开始，通过停止向基板SB上供给处理液而停止。停止处理液的供给后，如果基板SB没有高速旋转，则也可维持液膜LQ的存在。在此种情况下，也可在停止处理液的供给之后进行等离子体PL的照射。由此，不向基板SB上追加处理液地照射等离子体PL。因此，能够抑制处理液的消耗量。
作为变形例，在等离子体PL的照射中，基板SB也可不旋转而停止。在此种情况下，等离子体源30优选在与摆动方向(图4中的箭头DS)交叉的方向上具有大的尺寸。由此，即使基板SB不旋转，通过等离子体源30的摆动，也能够向基板SB上的广范围照射等离子体PL。在此种情况下，可省略用于使基板SB旋转的机构。
＜实施方式2＞
图7是以与图5对应的视场概略性地表示本实施方式2中的基板处理装置102的结构的局部剖面图。图8是沿图7中的线VIII-VIII的概略性的局部剖面图。基板处理装置102包括等离子体源30A来代替等离子体源30(图5及图6：实施方式1)。
等离子体源30A具有第一电极31A及第二电极32A。另外，等离子体源30A优选具有绝缘包覆部36A。第一电极31A及绝缘包覆部36A的配置可与第一电极31及绝缘包覆部36(图5及图6：实施方式1)相同。但是，优选第一电极31A的面向液膜LQ的面具有大的面积。为了确保如此大的面积，在与气体的流动方向垂直的配管33的剖面(图8的视场中的面积)中，第一电极31A的面积可为配管33的内部空间的面积的一半以上。第二电极32A配置在配管33外，与向基板SB上供给的处理液的路径相接。具体地，第二电极32A的至少一部分配置在液体喷嘴20中。如图7所示，第二电极32A可从液体喷嘴20的液体入口突出。
再者，关于所述以外的结构，由于与所述实施方式1的结构大致相同，因此，对于相同或对应的要素赋予相同的符号，并不重复其说明。
根据本实施方式，第二电极32A与向基板SB上供给的处理液的路径相接。由此，能够生成从第一电极31A向处理液的液膜LQ延伸的等离子体PL。
＜实施方式3＞
图9是概略性地说明本实施方式3的基板处理装置103所具有的液体喷嘴20B及等离子体源30B的配置的平面图。液体喷嘴20B及等离子体源30B分别代替液体喷嘴20及等离子体源30A(图7及图8：实施方式2)而设置在基板处理装置103。图10是沿图9中的线X-X的概略性的局部剖面图。图11是沿图10中的线XI-XI的概略性的局部剖面图。
等离子体源30B具有配管33B、第一电极31B、第二电极32B。另外，等离子体源30B优选具有绝缘包覆部36B。与第二电极32A(图7及图8：实施方式2)同样，第二电极32B的至少一部分配置在液体喷嘴20B中。绝缘包覆部36B以隔开产生等离子体PL的空间与第一电极31B之间的方式包覆第二电极32B。
等离子体源30B构成为能够产成遍及基板SB的半径方向DR(图9)的位置的整体而延伸的等离子体PL(图10)。为此，如图9所示，优选等离子体源30B遍及基板SB的半径方向DR(图9)的位置的整体而延伸，更优选为第一电极31B遍及基板SB的半径方向DR(图9)的位置的整体而延伸。
通过上述结构，等离子体源30B位于基板SB(基板保持架10)的中央位置的上方。液体喷嘴20B优选配置成偏离中央位置，并且具有其喷出口朝向所述中央位置一方的姿势。换句话说，优选液体喷嘴20B的延伸方向以喷出口朝向中央位置一方的方式倾斜。由此，即使液体喷嘴20B没有配置在中央位置，也能够向中央位置供给处理液。
使用了基板处理装置103的基板处理方法中的等离子体照射伴随着基板SB的旋转，同时使用遍及基板SB的半径方向DR上的位置的整体而延伸的等离子体PL来进行。因此，基板处理装置103具有在实施方式1中说明的用于使基板SB旋转的机构，但是，不进行等离子体PL的摆动，因此，也可以省略用于此的机构。
再者，对于所述以外的结构，由于与所述实施方式1或所述实施方式2的结构大致相同，因此，对相同或对应的要素赋予相同的符号，并不重复其说明。
根据本实施方式，使用遍及半径方向DR(图9)的位置的整体而延伸的等离子体PL(图10)。由此，即使不使等离子体PL的位置在半径方向DR上摆动，随着基板SB的旋转，也能够对基板SB的整体照射等离子体PL。
＜实施方式4＞
图12是以与图5对应的视场概略性地表示本实施方式4中的基板处理装置104的结构的局部剖面图。图13是沿图12中的线XIII-XIII的概略性的局部剖面图。
基板处理装置104具有等离子体源30C来代替等离子体源30(图5及图6：实施方式1)。等离子体源30C包括电介质层33C、第一电极31C及第二电极32C。另外，等离子体源30优选具有绝缘包覆部36C及绝缘包覆部37C。电介质层33C具有朝向液膜LQ一方的下表面F1(第一面)及上表面F2(与第一面相反的第二面)。第一电极31C远离液膜LQ而配置在下表面F1上。第二电极32C配置在上表面F2上。如图13所示，关于第一电极31C及第二电极32C，优选在与电介质层33C平行的平面布局中为相互啮合的一对梳齿电极。绝缘包覆部36C以隔开产生等离子体PL的空间与第一电极31C之间的方式包覆第一电极31C。绝缘包覆部37C以隔开产生等离子体PL的空间与第二电极32C之间的方式包覆第二电极32C。
使用基板处理装置103的基板处理方法中的等离子体PL的生成通过使等离子体源30C周围的气氛等离子体化来进行。因此，在实施方式中，不需要气体送出部39(图3：实施方式1)。等离子体源30C周围的气氛可实质上为静态。再者，用于缓慢地置换腔室80(图1)中的气氛的略微的流动与所述实施方式1～所述实施方式3那样的用于生成等离子体射流的流动相比，明显小。因此，在本说明书中将因前者的流动而静态状态略微紊乱的状态也视为静态状态。本实施方式中的等离子体PL的照射一边静态地保持等离子体PL中的气氛一边进行。
等离子体源30C与等离子体源30(图4：实施方式1)同样地摆动。通过进行此种摆动及基板SB的旋转，能够向基板SB上的广范围照射等离子体PL。作为第一变形例，等离子体源30C与等离子体源30B(图9：实施方式3)同样，可产生遍及基板SB的半径方向DR的位置的整体而延伸的等离子体PL。在此种情况下，优选等离子体源30C遍及基板SB的半径方向DR的位置的整体而延伸。在本变形例中，不需要等离子体源30C的摆动。作为第二变形例，等离子体源30C可产生实质上覆盖基板SB的整个面的等离子体PL。在此种情况下，优选等离子体源30C实质上覆盖基板SB的整个面。在本变形例中，就等离子体照射的观点而言，也不需要基板SB的旋转。但是，就液膜LQ形成的观点而言，可使基板SB旋转。再者，通过与本实施方式4中的所述第一变形及第二变形同样，使等离子体源大型化，在所述的其他实施方式中，也能够省略摆动或者省略摆动及旋转这两者。
再者，对于所述以外的结构，由于与所述实施方式1～所述实施方式3中任一个的结构大致相同，因此，对相同或对应的要素标注相同的符号，并不重复其说明。
根据本实施方式，能够在静态地保持等离子体PL中的气氛的同时产生等离子体PL。由此，避免液膜LQ由于气氛的流动而紊乱。因此，避免基板处理由于液膜LQ的紊乱而产生紊乱。
对本发明进行了详细的说明，但所述说明在所有方面都是例示，本发明并不限定于此。可理解为在不脱离本发明的范围的情况下，可设想无数未例示的变形例。在所述各实施方式及各变形例中说明的各结构只要不相互矛盾，就能够适当组合或省略。

Claims (15)

1.一种基板处理方法，包括：
在基板上形成含有硫酸、硫酸盐、过氧硫酸及过氧硫酸盐中的至少任一种的处理液或含有过氧化氢的处理液的液膜的工序；以及
向所述液膜照射等离子体的工序。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，照射所述等离子体的工序伴随着所述基板的旋转，同时使用在对所述基板的旋转而言的周向上局部配置的所述等离子体来进行。
3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，照射所述等离子体的工序包括使所述等离子体的位置在对所述基板的旋转而言的半径方向上摆动的工序。
4.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，照射所述等离子体的工序使用遍及所述基板的半径方向的位置的整体而延伸的所述等离子体来进行。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理方法，其中，照射所述等离子体的工序包括向所述基板吹附等离子体射流的工序。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理方法，其中，照射所述等离子体的工序包括静态地保持所述等离子体中的气氛的工序。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理方法，其中，形成所述液膜的工序包括：
开始向所述基板上供给所述处理液的工序；以及
停止向所述基板上供给所述处理液的工序；且
照射所述等离子体的工序在开始供给所述处理液的工序之后且停止供给所述处理液的工序之前进行。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理方法，其中，形成所述液膜的工序包括：
开始向所述基板上供给所述处理液的工序；以及
停止向所述基板上供给所述处理液的工序；且
照射所述等离子体的工序在停止供给所述处理液的工序之后进行。
9.一种基板处理装置，是用以使用含有硫酸、硫酸盐、过氧硫酸及过氧硫酸盐中的至少任一种的处理液或含有过氧化氢的处理液对基板进行处理的基板处理装置，其包括：
保持部，保持所述基板；
液体供给部，向所述基板上供给所述处理液以在所述基板上形成所述处理液的液膜；以及
等离子体源，对所述液膜照射等离子体。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其还包括旋转驱动部，所述旋转驱动部使所述保持部旋转以获得所述基板的旋转，
所述等离子体源构成为能够在对所述基板的旋转而言的半径方向上摆动。
11.根据权利要求9所述的基板处理装置，其还包括旋转驱动部，所述旋转驱动部使所述保持部旋转以获得所述基板的旋转，
所述等离子体源产生遍及所述基板的半径方向的位置的整体而延伸的所述等离子体。
12.根据权利要求9至11中任一项所述的基板处理装置，其中所述等离子体源包括：
配管，包括接受气体的供给的气体入口、及以朝向所述基板一方的方式配置的气体出口；
第一电极，配置在所述配管中；以及
第二电极，配置在所述配管外。
13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其中所述第二电极远离向所述基板上供给的所述处理液的路径。
14.根据权利要求12所述的基板处理装置，其中所述第二电极与向所述基板上供给的所述处理液的路径相接。
15.根据权利要求9至11中任一项所述的基板处理装置，其中所述等离子体源包括：
电介质层，包括朝向所述液膜一方的第一面及与所述第一面相反的第二面；
第一电极，远离所述液膜而配置在所述第一面上；以及
第二电极，配置在所述第二面上。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2022053635A (ja) * 2020-09-25 2022-04-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
JP2022169174A (ja) * 2021-04-27 2022-11-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP2022188425A (ja) * 2021-06-09 2022-12-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
WO2023034209A1 (en) * 2021-09-01 2023-03-09 Lam Research Corporation Electrode-dielectric nozzle for plasma processing
JP2023039584A (ja) * 2021-09-09 2023-03-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP2023107358A (ja) * 2022-01-24 2023-08-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法、および、基板処理装置

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003133290A (ja) * 2001-10-26 2003-05-09 Seiko Epson Corp レジスト剥離装置、レジスト剥離方法、半導体装置の製造方法
KR100749545B1 (ko) * 2006-06-12 2007-08-14 세메스 주식회사 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법
KR20080018447A (ko) * 2006-08-24 2008-02-28 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법
JP2008512004A (ja) * 2004-09-01 2008-04-17 アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド フォトレジストの除去速度を増加する装置及びプラズマアッシング方法
CN101167162A (zh) * 2005-06-29 2008-04-23 株式会社尼康 曝光装置、基板处理方法、以及器件制造方法
JP2010034532A (ja) * 2008-07-29 2010-02-12 Psk Inc ホローカソードプラズマを利用した大面積基板処理方法
US20100055915A1 (en) * 2006-06-22 2010-03-04 River Bell Co. Tokyo Institute of Technology Processing apparatus, processing method, and plasma source
CN101667543A (zh) * 2008-09-04 2010-03-10 东京毅力科创株式会社 等离子体处理方法及抗蚀剂图案的改性方法
US20100095981A1 (en) * 2008-10-21 2010-04-22 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20160012932A (ko) * 2014-07-25 2016-02-03 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 레지스트 리플로우 온도 향상을 위한 직류 중첩 경화
TW201606908A (zh) * 2014-06-04 2016-02-16 斯克林集團公司 基板處理方法
WO2016152371A1 (ja) * 2015-03-24 2016-09-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US20190035636A1 (en) * 2017-07-26 2019-01-31 Toshiba Memory Corporation Plasma treatment apparatus, semiconductor manufacturing apparatus, and manufacturing method of semiconductor device
CN109545677A (zh) * 2017-09-22 2019-03-29 株式会社斯库林集团 基板处理方法及基板处理装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19713352A1 (de) * 1997-03-29 1998-10-01 Deutsch Zentr Luft & Raumfahrt Plasmabrennersystem
US6429400B1 (en) * 1997-12-03 2002-08-06 Matsushita Electric Works Ltd. Plasma processing apparatus and method
US6218640B1 (en) * 1999-07-19 2001-04-17 Timedomain Cvd, Inc. Atmospheric pressure inductive plasma apparatus
JP2002053312A (ja) 2000-08-09 2002-02-19 Sony Corp カロ酸発生装置、レジスト除去装置およびレジスト除去方法
US7591957B2 (en) * 2001-01-30 2009-09-22 Rapt Industries, Inc. Method for atmospheric pressure reactive atom plasma processing for surface modification
JP4230840B2 (ja) 2003-07-24 2009-02-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
US7632756B2 (en) * 2004-08-26 2009-12-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing using energized hydrogen gas and in combination with wet cleaning
CN102355789B (zh) * 2004-11-05 2014-06-11 陶氏康宁爱尔兰有限公司 用于等离子体处理表面的工艺
JP2007234437A (ja) * 2006-03-02 2007-09-13 Trinc:Kk プラズマ放電式除電器
US20070227556A1 (en) * 2006-04-04 2007-10-04 Bergman Eric J Methods for removing photoresist
KR100713707B1 (ko) 2006-05-04 2007-05-04 한국기계연구원 반도체 웨이퍼 및 ｆｐｄ기판의 포토레지스트 제거용베이퍼 시스템 및 방법
TW200816880A (en) * 2006-05-30 2008-04-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Atmospheric pressure plasma generating method, plasma processing method and component mounting method using same, and device using these methods
JP2011198933A (ja) * 2010-03-18 2011-10-06 Tokyo Electron Ltd レジスト除去装置及びレジスト除去方法
JP6094851B2 (ja) * 2012-08-28 2017-03-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US20170017151A1 (en) * 2014-03-11 2017-01-19 Shibaura Mechatronics Corporation Reflective mask cleaning apparatus and reflective mask cleaning method
CN103882412B (zh) * 2014-04-09 2015-03-11 北京印刷学院 采用等离子体射流制备高阻隔薄膜的方法
JP6493839B2 (ja) * 2015-03-24 2019-04-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
KR102619877B1 (ko) * 2019-09-11 2024-01-03 삼성전자주식회사 기판 처리 장치

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003133290A (ja) * 2001-10-26 2003-05-09 Seiko Epson Corp レジスト剥離装置、レジスト剥離方法、半導体装置の製造方法
JP2008512004A (ja) * 2004-09-01 2008-04-17 アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド フォトレジストの除去速度を増加する装置及びプラズマアッシング方法
CN101167162A (zh) * 2005-06-29 2008-04-23 株式会社尼康 曝光装置、基板处理方法、以及器件制造方法
KR100749545B1 (ko) * 2006-06-12 2007-08-14 세메스 주식회사 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법
US20100055915A1 (en) * 2006-06-22 2010-03-04 River Bell Co. Tokyo Institute of Technology Processing apparatus, processing method, and plasma source
KR20080018447A (ko) * 2006-08-24 2008-02-28 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법
JP2010034532A (ja) * 2008-07-29 2010-02-12 Psk Inc ホローカソードプラズマを利用した大面積基板処理方法
CN101667543A (zh) * 2008-09-04 2010-03-10 东京毅力科创株式会社 等离子体处理方法及抗蚀剂图案的改性方法
US20100095981A1 (en) * 2008-10-21 2010-04-22 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
TW201606908A (zh) * 2014-06-04 2016-02-16 斯克林集團公司 基板處理方法
KR20160012932A (ko) * 2014-07-25 2016-02-03 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 레지스트 리플로우 온도 향상을 위한 직류 중첩 경화
WO2016152371A1 (ja) * 2015-03-24 2016-09-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US20190035636A1 (en) * 2017-07-26 2019-01-31 Toshiba Memory Corporation Plasma treatment apparatus, semiconductor manufacturing apparatus, and manufacturing method of semiconductor device
CN109545677A (zh) * 2017-09-22 2019-03-29 株式会社斯库林集团 基板处理方法及基板处理装置

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
HAOYU LI , SHIWEI LI , JINHUI PENG , CHANDRASEKAR SRINIVASAKANNAN , LIBO ZHANG , SHAOHUA YIN: "Ultrasound augmented leaching of nickel sulfate in sulfuric acid and hydrogen peroxide media", 《ULTRASONICS SONOCHEMISTRY》, vol. 40, no. 6, 30 August 2017 (2017-08-30), pages 1021 - 1030, XP055697727, DOI: 10.1016/j.ultsonch.2017.08.031 *
李和平, 陈熙: "氩等离子体射流冲击平板壁面处电子温度的测量", 工程热物理学报, no. 02, 10 March 1999 (1999-03-10), pages 211 - 215 *

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