CN112588617A - 一种分等级筛选芯片的方法、装置及电子设备 - Google Patents

一种分等级筛选芯片的方法、装置及电子设备 Download PDF

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Abstract

本发明的实施例公开了一种分等级筛选芯片的方法、装置及电子设备，涉及芯片分等级技术领域，避免了在性能和品质差的晶圆上，选择各项指标合格的芯片给产品使用，导致选出的芯片不满足高品质产品需求的问题。所述分等级筛选芯片的方法，包括：对若干个晶圆进行晶圆接收测试WAT，获得第一测试结果数据；对各晶圆中的芯片进行晶圆测试WS，获得第二测试结果数据；根据第一测试结果数据和第二测试结果数据，对晶圆以及晶圆中的芯片进行分类。本发明能够依据WAT和WS测试结果数据，来拆分不同品质等级的晶圆，归类不同品质的芯片，以供后续封测时候给不同等级产品使用。

Description

一种分等级筛选芯片的方法、装置及电子设备
技术领域
本发明涉及芯片分等级技术领域，尤其涉及一种分等级筛选芯片的方法、装置及电子设备。
背景技术
现有芯片测试过程中，芯片完成晶圆级分类测试WS(Wafer sorting)测试后，芯片丢掉Binning测试失败Fail的裸片Die，然后挑拣测试通过的裸片(Pass die)进行封装，对于Pass dies，先进行测试Bin归类优化SBO(sort bin optimizer)，然后将归为不同产品类别的die进行封装，从而对不同品质产品进行最终测试FT(Final Test)，最后进行系统级测试并交付给客户。对芯片Bin归类优化，参考4个WS关键参数数值，不同等级芯片参数规格由参数分布比例、产品规格需求和封测类型的需求确定。
SBO对芯片的归类区分，仅仅考虑了WS的参数分布，对于关键工艺特性表征数据(WAT Data，晶圆电性参数数据)未进行考虑，与此同时没有涉及晶圆片与片的质量差异，使得常常会在性能和品质差的晶圆上，选择各项指标合格的芯片提供给产品使用，实际上这样的芯片是不满足高品质产品的归类规格的。
目前美国sandisk公司在生产Flash memory产品时使用的对晶圆和芯片进行品质等级归类，充分运用了Memory产品的WS测试数据，对晶圆和芯片进行了精细区分，但仍然没有引入WAT关键工艺特性数据。同时，在封装用图(assembly map)中也缺少芯片的分类来源，不便于后续封装操作，分类结果不够准确，产品良率控制不好。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供一种分等级筛选芯片的方法、装置及电子设备，能够依据WAT和WS测试结果数据，来拆分不同品质等级的晶圆，归类不同品质的芯片，以供后续封测时候给不同等级产品使用，避免了在性能和品质差的晶圆上，选择各项指标合格的芯片提供给高品质产品，导致选出的芯片不满足高品质产品需求。
第一方面，本发明实施例提供一种分等级筛选芯片的方法，包括：
对若干个晶圆进行晶圆接收测试WAT，获得第一测试结果数据；
对各晶圆中的芯片进行晶圆测试WS，获得第二测试结果数据；
根据第一测试结果数据和第二测试结果数据，对晶圆以及晶圆中的芯片进行分类。
结合第一方面，在第一方面的第一种可实施方式中，所述根据第一测试结果数据和第二测试结果数据，对晶圆以及晶圆中的芯片进行分类，包括：
根据第一测试结果数据、第二测试结果数据及预先设置的性能分类规则，将各晶圆按照性能分类为不同的晶圆等级；
根据第二测试结果数据及预先设置的品质分类规则，将每种所述晶圆等级的晶圆中的芯片按照品质分类为不同的芯片等级。
结合第一方面的第一种实施方式，在第一方面的第二种可实施方式中，在所述根据第一测试结果数据和第二测试结果数据，对晶圆以及晶圆中的芯片进行分类之后，还包括：
生成标记有晶圆等级和芯片等级信息的封装用图。
结合第一方面的第二种实施方式，在第一方面的第三种可实施方式中，所述封装用图中的晶圆等级和芯片等级信息以三维参数形式进行标记，晶圆中的每个芯片对应一个三维参数；每个三维参数的第一维参数用于标记晶圆等级，第二维参数用于标记芯片等级，第三维参数用于标记芯片的实际测试归类结果。
结合第一方面，在第一方面的第四种可实施方式中，所述对各晶圆中的芯片进行晶圆测试WS，获得第二测试结果数据，包括：
对各晶圆中的芯片进行低温晶圆测试WS1，获得低温测试结果；
对各晶圆中的芯片进行高温晶圆测试WS2，获得高温测试结果。
结合第一方面，在第一方面的第五种可实施方式中，所述第一测试结果数据和第二测试结果数据包括以下参数中的至少一种参数：晶圆生产/测试工厂、晶圆特定测试步骤、特定测试步骤对应的测试程序名、晶圆的工艺、晶圆的产品名称。
第二方面，本发明实施例提供一种分等级筛选芯片的装置，包括：
第一测试结果获取模块，用于对若干个晶圆进行晶圆接收测试WAT，获得第一测试结果数据；
第二测试结果获取模块，对各晶圆中的芯片进行晶圆测试WS，获得第二测试结果数据；
分类模块，用于根据第一测试结果数据和第二测试结果数据，对晶圆以及晶圆中的芯片进行分类。
结合第二方面，在第二方面的第一种可实施方式中，所述分类模块，包括：
晶圆分类子模块，用于根据第一测试结果数据、第二测试结果数据及预先设置的性能分类规则，将各晶圆按照性能分类为不同的晶圆等级；
芯片分类子模块，用于根据第二测试结果数据及预先设置的品质分类规则，将每种所述晶圆等级的晶圆中的芯片按照品质分类为不同的芯片等级。
结合第二方面的第一种实施方式，在第二方面的第二种可实施方式中，所述分等级筛选芯片的装置，还包括：
封装用图生成模块，用于生成标记有晶圆等级和芯片等级信息的封装用图。
结合第二方面的第二种实施方式，在第二方面的第三种可实施方式中，所述封装用图中的晶圆等级和芯片等级信息以三维参数形式进行标记，晶圆中的每个芯片对应一个三维参数；每个三维参数的第一维参数用于标记晶圆等级，第二维参数用于标记芯片等级，第三维参数用于标记芯片的实际测试归类结果。
结合第二方面，在第二方面的第四种可实施方式中，所述第二测试结果获取模块，包括：
低温测试子模块，用于对各晶圆中的芯片进行低温晶圆测试WS1，获得低温测试结果；
高温测试子模块，用于对各晶圆中的芯片进行高温晶圆测试WS2，获得高温测试结果。
结合第二方面，在第二方面的第五种可实施方式中，所述第一测试结果数据和第二测试结果数据包括以下参数中的至少一种参数：晶圆生产/测试工厂、晶圆特定测试步骤、特定测试步骤对应的测试程序名、晶圆的工艺、晶圆的产品名称。
第三方面，本发明实施例提供一种电子设备，所述电子设备包括：壳体、处理器、存储器、电路板和电源电路，其中，电路板安置在壳体围成的空间内部，处理器和存储器设置在电路板上；电源电路，用于为上述电子设备的各个电路或器件供电；存储器用于存储可执行程序代码；处理器通过读取存储器中存储的可执行程序代码来运行与可执行程序代码对应的程序，用于执行前述任一实施方式所述的分等级筛选芯片的方法。
本发明实施例提供的分等级筛选芯片方法、装置及电子设备，是综合CPU芯片在WAT，WS1，WS2测试产生的关键数据，用脚本的方法，拆分不同品质等级的晶圆，归类不同品质的芯片，以供后续封测时候给不同等级产品使用。通过本发明提供的分等级筛选芯片方法、装置及电子设备，能够综合WAT和WS数据对每个晶圆的每个芯片进行分类，分类更为准确，能够筛选出CPU运算性能，良率及可靠性品质最优的芯片，进一步提高后续封装的产品良率，以运用于高端品质的产品中，为CPU产品提供更好的效益和市场。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本发明分等级筛选芯片的方法实施例一的流程示意图；
图2为本发明分等级筛选芯片的方法实施例二的流程示意图；
图3为本发明芯片分类的方法原理图；
图4为本发明分等级筛选芯片的装置实施例一的结构示意图；
图5为本发明分等级筛选芯片的装置实施例二的结构示意图；
图6为本发明分等级筛选芯片的装置实施例三的结构示意图；
图7为本发明电子设备一个实施例的结构示意图。
具体实施方式
本发明考虑晶圆生产在同一批次存在片与片之间的品质差异，有必要对晶圆进行高中低档作品质分类；同时，晶圆片内也存在着芯片性能差异，在晶圆封装和塑封前可以利用脚本，根据关键指标参数规格进行品质归类，并生成三维数组的封装坐标，标记芯片等级，塑封后用于不同等级产品。下面结合附图对本发明实施例进行详细描述。
应当明确，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
图1为本发明分等级筛选芯片的方法实施例一的流程示意图。参看图1，本发明分等级筛选芯片的方法实施例，包括如下步骤：
S101、对若干个晶圆进行晶圆接收测试WAT，获得第一测试结果数据；
本实施例中，WAT(Wafer Acceptance Test)测试，也叫PCM(Process ControlMonitoring)，是对晶圆Wafer划片槽(Scribe Line)测试键(Test Key)的测试，通过电性参数来监控各步工艺是否正常和稳定，例如CMOS的电容，电阻，Contact，Metal Line等，可以通过WAT测试结果，从客观上就能确定晶圆的质量情况，从而可以对其进行分类，保证了分类的准确性。
S102、对各晶圆中的芯片进行晶圆测试WS，获得第二测试结果数据；
本实施例中，WS指的是芯片在wafer的阶段，就通过探针卡扎到芯片管脚上对芯片的基本器件参数进行测试，例如Vt(阈值电压)，Rdson(导通电阻)，BVdss(源漏击穿电压)，Igss(栅源漏电流)，Idss(漏源漏电流)等，把坏的芯片挑出来，会用墨点(Ink)标记，可以减少封装和测试的成本，测试通过的芯片才会封装，其中WS测试包括低温测试(WS1)，高温测试(WS2)，常温测试(WS3)，对于高低温温度，不同应用的芯片要求不一样，一般根据产品使用说明书做适当设置。WS是芯片质量的体现，可以通过WS的测试结果对芯片进行分类，保证了类的准确性。
本实施例中，作为一可选实施例，步骤102包括：对各晶圆中的芯片进行低温晶圆测试WS1，获得低温测试结果；对各晶圆中的芯片进行高温晶圆测试WS2，获得高温测试结果。
S103、根据第一测试结果数据和第二测试结果数据，对晶圆以及晶圆中的芯片进行分类。
考虑到不同Fab，不同step，不同testprogram，不同process product的各种参数存在差异，因此本实施例中，所述第一测试结果数据和第二测试结果数据包括以下参数中的至少一种参数：Fab、step、testprogram、process product，其中Fab指晶圆生产，测试对应的工厂；Step，特指晶圆特定测试步骤，比如WAT测试；TestProgram，特定测试步骤对应的测试程序名；Process指晶圆的工艺生产流程；Product指晶圆对应的产品名称，一般设计公司，工厂使用的名称会有差异，为了追溯芯片流程，产品名信息会记录在芯片内，程序测试产生的数据会呈现出来以便于分析。
本发明实施例提供的分等级筛选芯片的方法，其第一测试结果数据反映了晶圆的质量水平，第二测试结果数据反映了晶圆上芯片的质量水平，通过这两个测试结果数据，就可以拆分不同品质等级的晶圆，归类不同品质的芯片，以供后续封测时候给不同等级产品使用，避免了在性能和品质差的晶圆上的选择各项指标合格的芯片，导致选出的芯片不满足高品质产品需求。
图2为本发明分等级筛选芯片方法实施例二的流程示意图。参看图2，本发明分等级筛选芯片的方法实施例，包括如下步骤：
S201、对若干个晶圆进行晶圆接收测试WAT，获得第一测试结果数据；
本实施例中，此步骤与上述方法实施例的步骤S101类似，此处不再赘述。
S202、对各晶圆中的芯片进行晶圆测试WS，获得第二测试结果数据；
本实施例中，此步骤与上述方法实施例的步骤S102类似，此处不再赘述。
S203、根据第一测试结果数据、第二测试结果数据及预先设置的性能分类规则，将各晶圆按照性能分类为不同的晶圆等级；
本实施例中，如图3所示，可以将预先设置的性能分类规则放在规则文件中，其中规格文件指的是在晶圆分级分类时候的判断标准规则，例如可以存储于一个txt文档，或者编写成自动化的分类程序，便于筛选程序在做自动筛选时调用的判别依据。图3中，根据晶圆测试数据和预设规则文件，对晶圆以及晶圆中的芯片进行分类。
性能分类时，根据第一测试结果数据(WAT数据)和第二测试结果数据(WS数据)以及规则文件，可将晶圆划分为优品、良品、一般和差品。在实际的生产过程中，在做完WAT测试后，在WS开始测试前，可以对晶圆进行品质挑选，如产品质量要求较高，晶圆等级为一般和差品不能满足使用需求，则后续可以调整产能，多生产一些优品和良品的晶圆；如果产品质量要求不高时，晶圆等级为差品的也能满足需求，则可以不用调整产能。
S204、根据第二测试结果数据及预先设置的品质分类规则，将每种所述晶圆等级的晶圆中的芯片按照品质分类为不同的芯片等级。
本实施例中，如图3所示，可以将预先设置的品质分类规则芯片分级分类时候的判断标准规则放在一个规则文件中，例如存储于一个txt文档中，便于筛选程序在做自动筛选时作为调用的判别依据。当晶圆等级为优品时，则晶圆中的芯片根据第二测试结果，其等级可以为优品、良品、一般和差品等；当晶圆等级为良品时，则晶圆中的芯片根据第二测试结果，其等级可以为优品、良品、其他等；当晶圆等级为一般时，则晶圆中的芯片根据第二测试结果，其等级可以为良品、其他等；当晶圆等级为差品时，其晶圆中的芯片根据第二测试结果，其等级只能为其他。
所述性能分类规则和/或品质分类规则，可以通过以下任一种语言编写脚本实现：C、C++、Java、python、Perl、GUI APP，本方案用脚本算法替代现有的SBO芯片归类方法，不同之处主要在于在脚本中加入晶圆级拆分，以及用统计方法细分归类芯片，可以有效的对不同品质的芯片进行产品分类。
在一可选实施例中，可将所述性能分类规则和品质分类规则写在同一个规则文件中，例如以下为本发明实施例提供的一种用于分类的规则文件内容：
##definition as″：″group or step start description；″[]″spec range；″；″seperated parameter.##注释：规范文件注释
Fab＝Huanghe；Product＝Shanghai；TESTCODE＝AAAAAA；Testprogram＝Green.ver01；##注释：芯片背景信息
Group1：##注释：最优组(优品)筛选规范标准
WaferLevelSpec：##注释：性能分类规则，用于晶圆等级筛选，最优组对WAT参数规范标准
WAT：WAT_LVT_PMOS_Size_IDSAT[290，395，480]80％；##注释：某一关键尺寸P型loW VT PMOS的WAT Idsat量测值在统计区间占晶圆所有测试值的百分比
WAT：WAT_LVT_NMOS_Size_IDSAT[300,420，510]80％；##注释：某一关键尺寸N型low VT NMOS的WAT Idsat量测值在统计区间占晶圆所有测试值的百分比
WAT：WAT_LVT_NP_Size_NPRatio[0.90，1.10，1.40]80％；##注释：某一关键尺寸NPRatio计算值在统计区间占晶圆所有测试值的百分比
WAT：WAT_LVT_PMOS_Size_Ioff[0.01，0.60，1.1]80％；##注释：某一关键尺寸P型low VT PMOS的WAT Ioff量测值在统计区间占晶圆所有测试值的百分比
WAT：WAT_LVT_NMOS_Size_Ioff[0.01，0.15，1.1]80％；##注释：某一关键尺寸N型low VT NMOS的WAT Ioff量测值在统计区间占晶圆所有测试值的百分比
WAT：WAT_LVT_PMOS_Size_Vtsat[0.15，0.22，0.28]80％；##注释：某一关键尺寸P型low VT PMOS的WAT Vt量测值在统计区间占晶圆所有测试值的百分比
WAT：WAT_LVT_NMOS_Size_Vtsat[0.15，0.24，0.28]80％；##注释：某一关键尺寸N型low VT NMOS的WAT Vt量测值在统计区间占晶圆所有测试值的百分比
##注释：最优组对WS芯片性能参数规范标准
WS1：Yield ge 0.70；HBIN5 le 0.01；##注释：WS1良率达标百分比，失效Bin达标百分比
WS1：Chiplevel_Istanby[0.00，1.00，10.00]80％；##注释：WS1(低温)芯片stanby时静态电流，测量值在统计区间占晶圆所有测试值百分比
WS1：Chiplevel_Iactive[0.00，25.00，50.00]80％；##注释：WS1(低温)芯片工作时动态电流，测量值在统计区间占晶圆所有测试值百分比
WS1：Frequency_calc[0.20，0.40，0.60]80％；##注释：WS1(低温)芯片工作频率计算值在统计区间占晶圆所有测试芯片对应计算值百分比
WS2：Chiplevel_Istanby[0.15，0.24，0.28]80％；##注释：WS2(高温)芯片stanby时静态电流，测量值在统计区间占晶圆所有测试值百分比
WS2：Chiplevel_Iactive[0.15，0.24，0.28]80％；##注释：WS2(高温)芯片工作时动态电流，测量值在统计区间占晶圆所有测试值百分比
WS2：Frequency_calc[0.15，0.20，0.30]80％；##注释：WS2(高温)芯片工作频率计算值在统计区间占晶圆所有测试芯片对应计算值百分比
##注释：最优组对WS可靠性参数规范标准
WS2：CPU_Memory_BurnIn_Stress[1.00，1.60，3.00]80％；；##注释：WS2(高温)可靠性参数，高温加压评估芯片老化性能，测量值在统计区间占晶圆所有测试值百分比
ChipLevelSpec：##注释：品质分类规则，用于芯片等级筛选，最优组对WS参数规范标准
WS1：Chiplevel_Istanby[0.00，1.00，2.00]；##注释：WS1(低温)芯片静态电流测量值在Target值2倍sigma范围内为优等品
WS1：Chiplevel_Iactive[15.00，25.00，35.00]；##注释：WS1(低温)芯片工作时动态电流，测量值在Target值2倍sigma范围内为优等品
WS1：Frequency_calc[0.30，0.40，0.50]；##注释：WS1(低温)芯片工作频率计算值在Target值2倍sigma范围内为优等品
WS2：Chiplevel_Istanby[0.20，0.24，0.28]；##注释：WS2(高温)芯片静态电流，测量值在Target值2倍sigma范围内为优等品
WS2：Chiplevel_Iactive[0.15，0.24，0.28]；##注释：WS2(高温)芯片工作时动态电流，测量值在Target值2倍sigma范围内为优等品
WS2：Frequency_calc[0.15，0.20，0.25]；##注释：WS2(高温)芯片工作频率计算值在Target值2倍sigma范围内为优等品
Group2：##注释：次优组(良品)筛选规范标准，标准相对于最优组宽松
……
Group3：##注释：中等组(一般品)筛选规范标准
……
本实施例中，具体给出了一种优选的规则文件内容，其中对不同等级的性能分类规则(晶圆等级筛选规则)和品质分类规则(芯片等级筛选规则)，综合使用WAT测试数据和WS测试数据进行了规则设定，基于该规则文件，根据WAT、WS测试数据即可得到目标晶圆上每个芯片的晶圆等级和芯片等级。
本实施例中，作为一可选方式，本步骤S204之后，还包括：
生成标记有晶圆等级和芯片等级信息的封装用图。此封装用图中的晶圆等级和芯片等级信息以三维参数形式进行标记，晶圆中的每个芯片对应一个三维参数；每个三维参数的第一维参数用于标记晶圆等级，如晶圆等级为优品时，取值为A；晶圆等级为良品是取值为B等；第二维参数用于标记芯片等级，如芯片等级为优品时取值为A，芯片等级为良品是取值为B等；第三维参数用于标记芯片的实际测试归类(Bin)结果，WS1、WS2对于芯片测试会有一个测试结果，比如pass/fail，fail在某个特定的Bin，第三维参数代表晶圆级最终测试的Bin结果，比如测试通过的将第三维参数使用0标识，算是归类为良品，测试fail的将第三维参数使用1标识，可以归类为不良品，或者还可以用不同的第三维参数值区分不良品的不同种类。例如果有一个芯片的坐标为(A，A，0)，则可以表示芯片所在的晶圆等级为优品，芯片等级也为优品，并通过了WS测试。前述封装用图(Assembly Map)一般来说是txt格式的文档，供晶圆切割和封装挑芯片使用。进一步的，所述封装用图将来可以使用更高维数的数组标记芯片，记录更复杂分类信息。
本发明实施例提供的分等级筛选芯片的方法，是综合CPU芯片在WAT，WS1，WS2测试步产生的关键数据，即WAT工艺特性关键参数，WS高低温测试关键参数以及良率数据，用脚本的方法，拆分不同品质等级的晶圆，归类不同品质的芯片，以供后续封测时候给不同等级产品使用。晶圆生产在同一批次存在片与片之间的品质差异，有必要对晶圆进行高中低档作品质分类；同时，晶圆片内也存在着芯片性能差异，在晶圆封装和塑封前可以利用脚本，根据关键指标参数规格进行品质归类，并生成三维数组的封装坐标，标记芯片等级，塑封后用于不同等级产品。通过本发明提供的分等级筛选芯片方法、装置及电子设备，能够进一步提高芯片分类准确度，为筛选出CPU运算性能，良率及可靠性品质最优的芯片提供了有效的途径，以提升最终器件性能水平、满足不同性能功耗的产品规格的需求。
图4为本发明分等级筛选芯片的装置实施例一的结构示意图。参看图4，本发明分等级筛选芯片的装置实施例，包括：
第一测试结果获取模块11，用于对若干个晶圆进行晶圆接收测试WAT，获得第一测试结果数据；
第二测试结果获取模块12，对各晶圆中的芯片进行晶圆测试WS，获得第二测试结果数据；
分类模块13，用于根据第一测试结果数据和第二测试结果数据，对晶圆以及晶圆中的芯片进行分类。
其中，所述第一测试结果数据和第二测试结果数据包括以下参数中的至少一种参数：Fab、step、testprogram、process、product。
图5为本发明分等级筛选芯片的装置实施例二的结构示意图。参看图5，本实施例是在前述发明分等级筛选芯片的装置实施例一的结构的基础上，分类模块13，包括：
晶圆分类子模块131，用于根据第一测试结果数据、第二测试结果数据及预先设置的性能分类规则，将各晶圆按照性能分类为不同的晶圆等级；
芯片分类子模块132，用于根据第二测试结果数据及预先设置的品质分类规则，将每种所述晶圆等级的晶圆中的芯片按照品质分类为不同的芯片等级。
其中，所述性能分类规则和/或品质分类规则，可以通过以下任一种语言编写脚本实现：C、C++、Java、python、Perl、GUI APP。
图6为本发明分等级筛选芯片的装置实施例三的结构示意图。参看图6，本实施例是在前述发明分等级筛选芯片的装置实施例二的结构的基础上，分等级筛选芯片的装置，还包括：
封装用图生成模块14，用于生成标记有晶圆等级和芯片等级信息的封装用图。
其中，所述封装用图中的晶圆等级和芯片等级信息以三维参数形式进行标记，晶圆中的每个芯片对应一个三维参数；每个三维参数的第一维参数用于标记晶圆等级，第二维参数用于标记芯片等级，第三维参数用于标记芯片的实际测试归类结果。
在一可选实施例中，第二测试结果获取模块12，包括：
低温测试子模块，用于对各晶圆中的芯片进行低温晶圆测试WS1，获得低温测试结果；
高温测试子模块，用于对各晶圆中的芯片进行高温晶圆测试WS2，获得高温测试结果。
本发明实施例还提供一种电子设备。图7为本发明电子设备一个实施例的结构示意图，可以实现本发明图1或图2所示实施例的流程，如图7所示，上述电子设备可以包括：壳体41、处理器42、存储器43、电路板44和电源电路45，其中，电路板44安置在壳体41围成的空间内部，处理器42和存储器43设置在电路板44上；电源电路45，用于为上述电子设备的各个电路或器件供电；存储器43用于存储可执行程序代码；处理器42通过读取存储器43中存储的可执行程序代码来运行与可执行程序代码对应的程序，用于执行前述任一实施例所述的分等级筛选芯片的方法。
该电子设备以多种形式存在，包括但不限于：
(1)移动通信设备：这类设备的特点是具备移动通信功能，并且以提供话音、数据通信为主要目标。这类终端包括：智能手机(例如iPhone)、多媒体手机、功能性手机，以及低端手机等。
(2)超移动个人计算机设备：这类设备属于个人计算机的范畴，有计算和处理功能，一般也具备移动上网特性。这类终端包括：PDA、MID和UMPC设备等，例如iPad。
(3)便携式娱乐设备：这类设备可以显示和播放多媒体内容。该类设备包括：音频、视频播放模块(例如iPod)，掌上游戏机，电子书，以及智能玩具和便携式车载导航设备。
(4)服务器：提供计算服务的设备，服务器的构成包括处理器、硬盘、内存、系统总线等，服务器和通用的计算机架构类似，但是由于需要提供高可靠的服务，因此在处理能力、稳定性、可靠性、安全性、可扩展性、可管理性等方面要求较高。
(5)其他具有数据交互功能的电子设备。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个......”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
本说明书中的各个实施例均采用相关的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于装置实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
为了描述的方便，描述以上装置是以功能分为各种单元/模块分别描述。当然，在实施本发明时可以把各单元/模块的功能在同一个或多个软件和/或硬件中实现。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的程序可存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，所述的存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体(Read-Only Memory，ROM)或随机存储记忆体(Random AccessMemory，RAM)等。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的防护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的防护范围之内。因此，本发明的防护范围应以权利要求的防护范围为准。

Claims (13)

1.一种分等级筛选芯片的方法，其特征在于，包括：
对若干个晶圆进行晶圆接收测试WAT，获得第一测试结果数据；
对各晶圆中的芯片进行晶圆测试WS，获得第二测试结果数据；
根据第一测试结果数据和第二测试结果数据，对晶圆以及晶圆中的芯片进行分类。
2.根据权利要求1所述的分等级筛选芯片的方法，其特征在于，所述根据第一测试结果数据和第二测试结果数据，对晶圆以及晶圆中的芯片进行分类，包括：
根据第一测试结果数据、第二测试结果数据及预先设置的性能分类规则，将各晶圆按照性能分类为不同的晶圆等级；
根据第二测试结果数据及预先设置的品质分类规则，将每种所述晶圆等级的晶圆中的芯片按照品质分类为不同的芯片等级。
3.根据权利要求2所述的分等级筛选芯片的方法，其特征在于，在所述根据第二测试结果数据及预先设置的品质分类规则，将每种所述晶圆等级的晶圆中的芯片按照品质分类为不同的芯片等级之后，还包括：
生成标记有晶圆等级和芯片等级信息的封装用图。
4.根据权利要求3所述的分等级筛选芯片的方法，其特征在于，所述封装用图中的晶圆等级和芯片等级信息以三维参数形式进行标记，晶圆中的每个芯片对应一个三维参数；每个三维参数的第一维参数用于标记晶圆等级，第二维参数用于标记芯片等级，第三维参数用于标记芯片的实际测试归类结果。
5.根据权利要求1所述的分等级筛选芯片的方法，其特征在于，所述对各晶圆中的芯片进行晶圆测试WS，获得第二测试结果数据，包括：
对各晶圆中的芯片进行低温晶圆测试WS1，获得低温测试结果；
对各晶圆中的芯片进行高温晶圆测试WS2，获得高温测试结果。
6.根据权利要求1所述的分等级筛选芯片的方法，其特征在于，所述第一测试结果数据和第二测试结果数据包括以下参数中的至少一种参数：晶圆生产/测试工厂、晶圆特定测试步骤、特定测试步骤对应的测试程序名、晶圆的工艺、晶圆的产品名称。
7.一种分等级筛选芯片的装置，其特征在于，包括：
第一测试结果获取模块，用于对若干个晶圆进行晶圆接收测试WAT，获得第一测试结果数据；
第二测试结果获取模块，对各晶圆中的芯片进行晶圆测试WS，获得第二测试结果数据；
分类模块，用于根据第一测试结果数据和第二测试结果数据，对晶圆以及晶圆中的芯片进行分类。
8.根据权利要求7所述的分等级筛选芯片的装置，其特征在于，所述分类模块，包括：
晶圆分类子模块，用于根据第一测试结果数据、第二测试结果数据及预先设置的性能分类规则，将各晶圆按照性能分类为不同的晶圆等级；
芯片分类子模块，用于根据第二测试结果数据及预先设置的品质分类规则，将每种所述晶圆等级的晶圆中的芯片按照品质分类为不同的芯片等级。
9.根据权利要求8所述的分等级筛选芯片的装置，其特征在于，所述分等级筛选芯片的装置，还包括：
封装用图生成模块，用于生成标记有晶圆等级和芯片等级信息的封装用图。
10.根据权利要求9所述的分等级筛选芯片的装置，其特征在于，所述封装用图中的晶圆等级和芯片等级信息以三维参数形式进行标记，晶圆中的每个芯片对应一个三维参数；每个三维参数的第一维参数用于标记晶圆等级，第二维参数用于标记芯片等级，第三维参数用于标记芯片的实际测试归类结果。
11.根据权利要求7所述的分等级筛选芯片的装置，其特征在于，所述第二测试结果获取模块，包括：
低温测试子模块，用于对各晶圆中的芯片进行低温晶圆测试WS1，获得低温测试结果；
高温测试子模块，用于对各晶圆中的芯片进行高温晶圆测试WS2，获得高温测试结果。
12.根据权利要求7所述的分等级筛选芯片的装置，其特征在于，所述第一测试结果数据和第二测试结果数据包括以下参数中的至少一种参数：晶圆生产/测试工厂、晶圆特定测试步骤、特定测试步骤对应的测试程序名、晶圆的工艺、晶圆的产品名称。
13.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：壳体、处理器、存储器、电路板和电源电路，其中，电路板安置在壳体围成的空间内部，处理器和存储器设置在电路板上；电源电路，用于为上述电子设备的各个电路或器件供电；存储器用于存储可执行程序代码；处理器通过读取存储器中存储的可执行程序代码来运行与可执行程序代码对应的程序，用于执行前述任一权利要求1-6所述的分等级筛选芯片的方法。
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