CN112549427B - 半导体制造装置及半导体装置的制造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 93
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 114
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 114
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 claims description 11
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 8
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 claims description 7
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-YPZZEJLDSA-N lead-205 Chemical compound [205Pb] WABPQHHGFIMREM-YPZZEJLDSA-N 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-AHCXROLUSA-N lead-203 Chemical compound [203Pb] WABPQHHGFIMREM-AHCXROLUSA-N 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-OIOBTWANSA-N lead-204 Chemical compound [204Pb] WABPQHHGFIMREM-OIOBTWANSA-N 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
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- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/26—Moulds
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
- H01L21/566—Release layers for moulds, e.g. release layers, layers against residue during moulding
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
- B29L2031/00—Other particular articles
- B29L2031/34—Electrical apparatus, e.g. sparking plugs or parts thereof
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Abstract
目的在于提供能够在去除在螺钉紧固用贯通孔中产生的树脂毛刺时抑制发生封装件缺损的技术。半导体制造装置具有:上模具(101);下模具(104),其与上模具(101)相对;筒状的固定销(102),其设置于上模具(101)内的上表面,具有贯通孔(102a);可动销(103),其能够经由固定销(102)的贯通孔(102a)而在不向下模具(104)侧凸出的位置与向下模具(104)侧凸出的位置之间移动;以及可动销(106),其设置于下模具(104)的底部中的与固定销(102)相对的位置,能够在不向上模具(101)侧凸出的位置与向上模具(101)侧凸出的位置之间移动。可动销(106)具有凹形状的树脂积存部(115),该树脂积存部(115)形成于与固定销(102)相对的面,与该面的外周连通。
Description
技术领域
本发明涉及能够去除在半导体装置的封装件形成的螺钉紧固用贯通孔中产生的树脂毛刺的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。
背景技术
在专利文献1中公开了以下方法,即,就搭载有Si芯片等的传递模塑类型的功率半导体装置而言,在下模具中的与上模具的固定销相对的位置具有向上方凸出的凸起,在树脂封装时形成螺钉紧固用贯通孔。
就专利文献1所记载的技术而言,具有如下效果,即,能够使在固定销的前端与下模具的凸起接触的位置处产生的树脂毛刺位于螺钉紧固用贯通孔的内部而不是封装件的底面,从而减少树脂毛刺的产生。
专利文献1:日本特开2006-253281号公报
就专利文献1所记载的技术而言,在凸起的高度低的情况下,在螺钉紧固用贯通孔的内周会产生树脂毛刺。存在以下问题,即,在为了去除树脂毛刺而将输送销插入至螺钉紧固用贯通孔时,以附着有树脂毛刺的部位为起点,在封装件的底面侧的树脂产生裂纹,发生封装件缺损。
发明内容
因此,本发明的目的在于提供能够在去除在螺钉紧固用贯通孔中产生的树脂毛刺时抑制发生封装件缺损的技术。
本发明涉及的半导体制造装置具有:上模具;下模具,其与所述上模具相对;筒状的固定销,其设置于所述上模具内的上表面,具有贯通孔;第1可动销,其能够经由所述固定销的所述贯通孔而在不向所述下模具侧凸出的位置与向所述下模具侧凸出的位置之间移动;以及第2可动销,其设置于所述下模具的底部中的与所述固定销相对的位置,能够在不向所述上模具侧凸出的位置与向所述上模具侧凸出的位置之间移动,所述第2可动销具有凹形状的树脂积存部,该树脂积存部形成于与所述固定销相对的面,与该面的外周连通。
发明的效果
根据本发明,在形成螺钉紧固用贯通孔时,在固定销与第2可动销之间挤出的树脂积存于第2可动销中的与固定销相对的面的外周所连通的凹形状的树脂积存部,因此能够抑制在贯通孔的内周产生树脂毛刺。树脂毛刺凝固成树脂积存部的形状,成为容易去除的形状,因此能够在去除树脂毛刺时抑制发生封装件缺损。
附图说明
图1是使用实施方式1涉及的半导体制造装置而制造出的半导体装置的剖面图。
图2是半导体装置的俯视图。
图3是表示实施方式1涉及的半导体装置的制造方法的剖面图。
图4是半导体制造装置所具有的下模具的可动销的俯视图和剖面图。
图5是表示去除树脂毛刺的工序的剖面图。
图6是表示实施方式1涉及的半导体装置的制造方法的流程图。
图7是表示实施方式2涉及的半导体装置的制造方法的剖面图。
图8是在实施方式2中对模具进行开模时的上模具的固定销周边的剖面图。
图9是表示实施方式3涉及的半导体装置的制造方法的剖面图。
图10是表示去除树脂毛刺的工序的放大剖面图。
图11是实施方式4涉及的半导体制造装置的剖面图。
图12是表示实施方式4涉及的半导体装置的制造方法的流程图。
标号的说明
101上模具,102固定销,102a贯通孔,103可动销,104下模具,105引线框,106可动销,107封装树脂,108流道,112树脂毛刺,113贯通孔,115树脂积存部,116凹部,117a、117b槽部,120可动型腔,121颗粒树脂,200半导体装置,201封装件,207IC芯片,208功率晶体管。
具体实施方式
<实施方式1>
以下,使用附图,对本发明的实施方式1进行说明。图1是使用实施方式1涉及的半导体制造装置而制造出的半导体装置200的剖面图。图2是半导体装置200的俯视图。此外,图1是图2的A-A线剖面图。
首先,对使用半导体制造装置而制造出的半导体装置200进行说明。如图1和图2所示,半导体装置200具有IC芯片207、功率晶体管208、封装件201以及多个引线框105。
IC芯片207及功率晶体管208通过传递模塑封装而形成有封装件201,从封装件201凸出有多个引线框105的控制外引线202和功率外引线204。功率晶体管208是IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)或者MOSFET(Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor)等。这里,IC芯片207及功率晶体管208相当于半导体元件。
在图1中,左侧的引线框105具有控制外引线202和控制内引线203,在控制内引线203的上表面搭载有IC芯片207。在图1中,右侧的引线框105具有功率外引线204、功率内引线205以及芯片焊盘206,在芯片焊盘206的上表面搭载有功率晶体管208。
控制内引线203与IC芯片207、IC芯片207与功率晶体管208、以及功率晶体管208与功率内引线205使用金属制导线209电连接。如图2所示,在封装件201的长度方向两端部各形成有1个螺钉紧固用贯通孔113,贯通孔113是在使用了半导体制造装置的树脂封装时形成的。
接下来,使用图3~图5,对半导体制造装置进行说明。图3是表示实施方式1涉及的半导体装置200的制造方法的剖面图。具体地说,图3(a)是表示在半导体制造装置中,将引线框105搭载于下模具104的工序的剖面图。图3(b)是表示在半导体制造装置中,经由流道108而向型腔内注入封装树脂107,在半导体装置200的封装件201形成螺钉紧固用贯通孔113的工序的剖面图。图3(c)是表示在半导体制造装置中,使可动销106移动至不向上模具101侧凸出的位置,使可动销103移动至向下模具104侧凸出的位置,由此去除在固定销102与可动销106之间的接触面处产生的树脂毛刺的工序的剖面图。
图4是半导体制造装置所具有的下模具104的可动销106的俯视图和剖面图。具体地说,图4(a)是可动销106的俯视图,图4(b)是可动销106的剖面图。图5是表示去除树脂毛刺112的工序的剖面图。
如图3(a)~图3(c)所示,半导体制造装置具有上模具101、下模具104、多个(例如2个)固定销102、多个(例如2个)可动销103、多个(例如2个)可动销106以及树脂积存部115(参照图4(a)、图4(b))。
下模具104配置于与上模具101相对的位置,由上模具101及下模具104构成的模具是传递模塑用模具。模具与图2所示的半导体装置200的形状相对应,在俯视观察时呈长方形形状。模具具有与在内部形成的型腔连通的流道108,经由流道108而向型腔内注入封装树脂107。
2个固定销102分别设置于上模具101的长度方向两端部处的内部的上表面,是具有贯通孔102a的筒状。2个可动销103分别插入至固定销102的贯通孔102a,能够经由固定销102的贯通孔102a而在不向下模具104侧凸出的位置(参照图3(a)、(b))与向下模具104侧凸出的位置(参照图3(c))之间移动。
2个可动销106呈圆柱状,分别设置于与2个固定销102相对的位置,能够在不向上模具101侧凸出的位置(参照图3(a)、(c))与向上模具101侧凸出的位置(参照图3(b))之间移动。可动销103、106由伺服电动机以及弹簧等驱动用部件驱动,但其结构是通常的结构,因此省略说明。这里,可动销103相当于第1可动销,可动销106相当于第2可动销。
接下来,使用图4(a)、(b)和图5,对树脂积存部115进行说明。如图4(a)、(b)所示,树脂积存部115形成于可动销106中的与固定销102相对应的面,是与该面的外周连通的凹形状。
树脂积存部115具有凹部116和多个槽部117a、117b。凹部116形成于可动销106中的与固定销102相对应的面的中央部,在俯视观察时呈圆形状。槽部117a、117b从可动销106中的与固定销102相对应的面的外周延伸至凹部116。即,槽部117a、117b以凹部116为中心而形成于一条直线上。
另外,槽部117a、117b与凹部116相比深度浅,且与凹部116相比宽度变细。并且,槽部117a、117b中的外端部与槽部117a、117b中的外端部以外的部分相比的深度变浅。具体地说,槽部117a、117b中的外端部呈朝向外部方向而深度变浅的锥形形状。通过这些构造,在形成螺钉紧固用贯通孔113时,在固定销102与可动销106之间的接触面处挤出的封装树脂107从槽部117a、117b向凹部116积存。
如图5所示,由树脂积存部115形成的树脂毛刺112呈包含树脂积存部115的形状的形状,树脂毛刺112中的中央部的厚度厚,除此以外的部分的厚度变薄。特别地,树脂毛刺112中的与槽部117a、117b相对应的部分的外端部与除此以外的部分相比厚度变薄。由此,在形成螺钉紧固用贯通孔113之后,使可动销106移动至不向上模具101侧凸出的位置,使可动销103移动至向下模具104侧凸出的位置,由此能够容易地去除树脂毛刺112。
此外,在图4(a)、(b)中,示出了2个槽部117a、117b,但不限定于此,为了使在固定销102与可动销106之间挤出的封装树脂107所流入的部位分散,优选槽部相对于凹部116而放射状地设置多个。
接下来,使用图3(a)~(c)、图5及图6,对半导体装置200的制造方法进行说明。图6是表示半导体装置200的制造方法的流程图。
首先,如图3(a)所示,将搭载有半导体元件的引线框105搭载于下模具104,执行模具的合模动作(步骤S1)。接下来,在注入封装树脂107之前,在可动销103位于不向下模具104侧凸出的位置的状态下,使可动销106移动至向上模具101侧凸出的位置,由此使可动销106与固定销102接触(步骤S2)。
接下来,如图3(b)所示,经由流道108向模具的型腔内注入封装树脂107,形成半导体装置200的封装件201,并且在半导体装置200的封装件201形成螺钉紧固用贯通孔113(步骤S3)。
接下来,如图3(c)和图5所示,在树脂封装完成后的模具的开模之前,使可动销106移动至不向上模具101侧凸出的位置,使可动销103移动至向下模具104侧凸出的位置,由此去除在固定销102与可动销106之间的接触面处产生的树脂毛刺112(步骤S4)。
接下来,执行模具的开模,通过空气或抽吸而从模具去除残留于模具的树脂毛刺112、即在步骤S4中被去除的树脂毛刺112(步骤S5)。这里,步骤S5中的树脂毛刺112的去除是通过自动模具清扫机构或手动的任一者而执行的。
如上所述,在实施方式1涉及的半导体制造装置中,在形成螺钉紧固用贯通孔113时,在固定销102与可动销106之间挤出的封装树脂107积存于可动销106的凹形状的树脂积存部115中,该树脂积存部115与可动销106的相向于固定销102的面的外周连通,因此能够抑制在贯通孔113的内周产生树脂毛刺112。树脂毛刺112凝固成树脂积存部115的形状,成为容易去除的形状,因此能够抑制在去除树脂毛刺112时发生封装件缺损。
另外,实施方式1涉及的半导体装置的制造方法具有:工序(a),将搭载有半导体元件的引线框105搭载于下模具104;工序(b),在可动销103位于不向下模具104侧凸出的位置的状态下,使可动销106移动至向上模具101侧凸出的位置,由此使可动销106与固定销102接触;工序(c),经由流道108向型腔内注入封装树脂107,在半导体装置200的封装件201形成螺钉紧固用贯通孔113;以及工序(d),使可动销106移动至不向上模具101侧凸出的位置,使可动销103移动至向下模具104侧凸出的位置,由此去除在固定销102与可动销106之间的接触面处产生的树脂毛刺112。
因此,如上所述,能够在去除在螺钉紧固用贯通孔113中产生的树脂毛刺112时,抑制发生封装件缺损。
另外,以往在传递模塑工序的后续工序即树脂切割工序中通过模具而去除树脂毛刺112,或者在镀覆工序中通过水洗而去除树脂毛刺112,但本发明能够在传递模塑工序内(半导体制造装置内)去除树脂毛刺112之后,流转至后续工序。
树脂积存部115具有:凹部116,其形成于可动销106中的与固定销102相对的面的中央部;以及多个槽部117a、117b,它们从该面的外周延伸至凹部116,与凹部116相比深度浅。
因此,可动销103的前端面与树脂毛刺112中的厚度厚的部分抵接,树脂毛刺112成为容易去除的形状,因此能够进一步抑制发生封装件缺损。
由于多个槽部117a、117b相对于凹部116而放射状地设置,因此,通过使在固定销102与可动销106之间挤出的封装树脂107所流入的部位分散,从而能够将该封装树脂107有效地积存于树脂积存部115。由此,能进一步抑制在贯通孔113的内周产生树脂毛刺112。
多个槽部117a、117b中的外端部与多个槽部117a、117b中的外端部以外的部分相比深度浅,因此,树脂毛刺112成为更容易去除的形状,能够进一步抑制发生封装件缺损。
另外,半导体制造装置同时具有多个可动销103及可动销106,因此能够同时形成多个螺钉紧固用贯通孔113。此外,可动销103及可动销106均不限定于2个,也可以与贯通孔113的个数相匹配地设置大于或等于3个。
另外,由上模具101和下模具104构成的模具是具有与在内部形成的型腔连通的流道108的传递模塑用模具。针对由于封装树脂107的射出压力而在固定销102与可动销106之间的接触面处容易产生树脂毛刺的传递模塑是有效的。
<实施方式2>
接下来,对实施方式2进行说明。图7是表示实施方式2涉及的半导体装置200的制造方法的剖面图。具体地说,图7(a)是表示在半导体制造装置中,将引线框105搭载于下模具104的工序的剖面图。图7(b)是表示在半导体制造装置中,使可动销106移动至不向上模具101侧凸出的位置,使可动销103移动至向下模具104侧凸出的位置,由此去除在固定销102与可动销106之间的接触面处产生的树脂毛刺112的工序的剖面图。图7(c)是表示在半导体制造装置中,执行模具的开模的工序的剖面图。图8是在实施方式2中对模具进行开模时的上模具101的固定销102周边的剖面图。此外,在实施方式2中,对与在实施方式1中说明了的结构要素相同的结构要素标注相同的标号而省略说明。
如图7(a)~(c)和图8所示,在实施方式2中,固定销102中的可动销106侧的端部呈朝向可动销106而变细的锥形形状,固定销102中的可动销106侧的端部以外的部分呈圆筒状。由此,能够在对模具进行开模时,减少固定销102中的可动销106侧的端部与封装件201之间的钩挂。这里,固定销102中的可动销106侧的端部的锥角与预想的模塑成型后的封装件翘曲相应地设定。
如上所述,在实施方式2涉及的半导体制造装置中,固定销102中的可动销106侧的端部呈朝向可动销106而变细的锥形形状,因此,能够在对模具进行开模时,使在上模具101设置的固定销102容易拔出。
特别地,在大型的封装件201中,由于在长度方向两端部具有贯通孔113,因此有时由于模塑成型后的封装件翘曲而固定销102难以拔出,但通过设置实施方式2的构造,从而能够抑制由固定销102相对于贯通孔113的拔出力(应力)导致的损伤,抑制贯通孔113中的封装件缺损。
<实施方式3>
接下来,对实施方式3进行说明。图9是表示实施方式3涉及的半导体装置的制造方法的剖面图。图9(a)是表示在半导体制造装置中将引线框105搭载于下模具104的工序的剖面图。图9(b)是表示在半导体制造装置中,使可动销106移动至不向上模具101侧凸出的位置,使可动销103移动至向下模具104侧凸出的位置,由此去除在固定销102与可动销106之间的接触面处产生的树脂毛刺112的工序的剖面图。图10是表示去除树脂毛刺112的工序的放大剖面图。此外,在实施方式3中,对与在实施方式1、2中说明了的结构要素相同的结构要素标注相同的标号而省略说明。
如图9(a)、(b)和图10所示,在实施方式3中,固定销102中的可动销106侧的端部呈朝向可动销106而变细的锥形形状,固定销102中的可动销106侧的端部以外的部分呈圆筒状。可动销106中的固定销102侧的端部呈朝向固定销102而变细的锥形形状,可动销106中的固定销102侧的端部以外的部分呈圆柱状。
另外,可动销106中的固定销102侧的端部的锥角与固定销102中的可动销106侧的端部的锥角相同。即,可动销106中的固定销102侧的端部的直径与固定销102中的可动销106侧的端部的直径相同。此外,所谓直径相同,并非仅是完全相同的情况,还包含由于制造误差等而稍微存在差异的情况。
因此,树脂积存部115的俯视观察轮廓与形成有树脂积存部115的贯通孔113的长度方向中央部处的俯视观察轮廓大小相同,但在与其相比靠近下模具104侧处,比贯通孔113的俯视观察轮廓小。由此,如图10所示,能够在去除树脂毛刺112时,使树脂毛刺112不与贯通孔113的内壁接触而下落至下模具104。
如上所述,在实施方式3涉及的半导体制造装置中,可动销106中的固定销102侧的端部呈朝向固定销102而变细的锥形形状,可动销106中的固定销102侧的端部的直径与固定销102中的可动销106侧的端部的直径相同。
因此,由于能够在去除树脂毛刺112时,使树脂毛刺112不与贯通孔113的内壁接触而下落至下模具104,因此,能够通过空气或抽吸而容易地从模具去除下落至下模具104的树脂毛刺112。
<实施方式4>
接下来,对实施方式4进行说明。图11是实施方式4涉及的半导体制造装置的剖面图。图12是表示实施方式4涉及的半导体装置的制造方法的流程图。此外,在实施方式4中,对与在实施方式1~3中说明了的结构要素相同的结构要素标注相同的标号而省略说明。
在实施方式1~3中,对由传递模塑方式实现的半导体制造装置及半导体装置的制造方法进行了说明,但实施方式4是在半导体制造装置及半导体装置的制造方法中采用了压缩模塑方式的例子。
如图11所示,在实施方式4中,由上模具101及下模具104构成的模具是使用颗粒树脂121进行成型的压缩模塑用模具。在该模具中,未设置用于注入封装树脂107的流道108。
压缩模塑方式是使用配置在可动型腔120中的颗粒树脂121进行成型的树脂封装方式,该可动型腔120构成下模具104的底部构。这里,可动销103能够经由在可动型腔120形成的贯通孔120a而在不向上模具101侧凸出的位置与向上模具101侧凸出的位置之间移动。
在压缩模塑方式中,例如将具有高导热率的颗粒树脂配置于可动型腔120而降低封装件201的热阻,进而层叠、配置具有低应力特性的颗粒树脂,由此可以得到能够抑制封装件201的翘曲等效果。
接下来,使用图11和图12,对半导体装置200的制造方法进行说明。首先,在下模具104的可动型腔120配置颗粒树脂121(步骤S11)。
接下来,将搭载有半导体元件的引线框105搭载于上模具101,执行模具的合模动作(步骤S12)。在加热下模具104而使颗粒树脂121熔融的状态下,使可动型腔120向上模具101侧移动(步骤S13)。
接下来,在可动销103位于不向下模具104侧凸出的位置的状态下,使可动销106移动至向上模具101侧凸出的位置,由此使可动销106与固定销102接触(步骤S14)。由熔融后的颗粒树脂121形成半导体装置200的封装件201,并且在半导体装置200的封装件201形成螺钉紧固用贯通孔113(步骤S15)。
接下来,在树脂封装完成后的模具的开模之前,使可动销106移动至不向上模具101侧凸出的位置,使可动销103移动至向下模具104侧凸出的位置,由此去除在固定销102与可动销106之间的接触面处产生的树脂毛刺112(步骤S16)。
接下来,执行模具的开模,通过空气或抽吸而从模具去除残留于模具的树脂毛刺112、即在步骤S16中被去除的树脂毛刺112(步骤S17)。这里,步骤S17中的树脂毛刺112的去除是通过自动模具清扫机构或手动的任一者而执行的。
如上所述,实施方式4涉及的半导体装置的制造方法具有:工序(e),在构成下模具104底部的可动型腔120上配置颗粒树脂121;工序(f),将搭载有半导体元件的引线框105搭载于上模具101;工序(g),在加热下模具104而使颗粒树脂121熔融的状态下,使可动型腔120向上模具101侧移动;工序(h),在可动销103位于不向下模具104侧凸出的位置的状态下,使可动销106移动至向上模具101侧凸出的位置,由此使可动销106与固定销102接触;工序(i),由熔融后的颗粒树脂121在半导体装置200的封装件201形成螺钉紧固用贯通孔113;以及工序(j),使可动销106移动至不向上模具101侧凸出的位置,使可动销103移动至向下模具104侧凸出的位置,由此去除在固定销102与可动销106之间的接触面处产生的树脂毛刺112。
因此,与传递模塑方式的情况同样地,能够在去除在螺钉紧固用贯通孔113中产生的树脂毛刺112时,抑制发生封装件缺损。
在实施方式4涉及的半导体制造装置中,由上模具101及下模具104构成的模具是使用颗粒树脂121进行成型的压缩模塑用模具。在传递模塑方式中,由于在模具设置有流道108,因此在流道108中残留有封装树脂107,但在压缩模塑方式中,由于未在模具设置流道108,因此能够以残留于流道108中的封装树脂107的量而削减封装树脂107。由此,能够降低半导体装置的制造成本。
这里,在实施方式4涉及的半导体制造装置中,也可以与实施方式2、3的情况同样地,仅固定销102、或者固定销102和可动销106这两者是锥形形状。在这种情况下,可以得到与实施方式2、3的情况相同的效果。
此外,本发明能够在该发明的范围内对各实施方式自由地进行组合,或者对各实施方式适当地进行变形、省略。
Claims (11)
1.一种半导体制造装置,其具有:
上模具;
下模具,其与所述上模具相对;
筒状的固定销,其设置于所述上模具内的上表面,具有贯通孔;
第1可动销,其能够经由所述固定销的所述贯通孔而在不向所述下模具侧凸出的位置与向所述下模具侧凸出的位置之间移动;以及
第2可动销,其设置于所述下模具的底部中的与所述固定销相对的位置,能够在不向所述上模具侧凸出的位置与向所述上模具侧凸出的位置之间移动,
所述第2可动销具有凹形状的树脂积存部,该树脂积存部形成于与所述固定销相对的面,与该面的外周连通,
在所述上模具与所述下模具被合模,所述第1可动销位于不向所述下模具侧凸出的位置,所述第2可动销位于向所述上模具侧凸出的位置的情况下,所述第2可动销与所述固定销接触。
2.根据权利要求1所述的半导体制造装置,其中,
所述树脂积存部具有:凹部,其形成于所述第2可动销中的与所述固定销相对的面的中央部;以及多个槽部,其从该面的外周延伸至所述凹部,与所述凹部相比深度浅。
3.根据权利要求2所述的半导体制造装置,其中,
多个所述槽部相对于所述凹部而放射状地设置。
4.根据权利要求3所述的半导体制造装置,其中,
多个所述槽部中的外端部与多个所述槽部中的所述外端部以外的部分相比深度浅。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体制造装置,其中,
所述固定销中的所述第2可动销侧的端部具有朝向所述第2可动销而变细的锥形形状。
6.根据权利要求5所述的半导体制造装置,其中,
所述第2可动销中的所述固定销侧的端部具有朝向所述固定销而变细的锥形形状,
所述第2可动销中的所述固定销侧的端部的直径与所述固定销中的所述第2可动销侧的端部的直径相同。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体制造装置,其中,
所述第1可动销及所述第2可动销均具有多个。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体制造装置,其中,
由所述上模具和所述下模具构成的模具是具有与在内部形成的型腔连通的流道的传递模塑用模具。
9.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体制造装置,其中,
由所述上模具及所述下模具构成的模具是使用颗粒树脂而进行成型的压缩模塑用模具。
10.一种半导体装置的制造方法,其使用了权利要求8所述的半导体制造装置,该半导体装置的制造方法具有以下工序:
(a)将搭载有半导体元件的框搭载于所述下模具;
(b)在所述第1可动销位于不向所述下模具侧凸出的位置的状态下,使所述第2可动销移动至向所述上模具侧凸出的位置,由此使所述第2可动销与所述固定销接触;
(c)经由所述流道而向所述型腔内注入封装树脂,在所述半导体装置的封装件形成螺钉紧固用贯通孔;以及
(d)使所述第2可动销移动至不向所述上模具侧凸出的位置,使所述第1可动销移动至向所述下模具侧凸出的位置,由此去除在所述固定销与所述第2可动销之间的接触面处产生的树脂毛刺。
11.一种半导体装置的制造方法,其使用了权利要求9所述的半导体制造装置,该半导体装置的制造方法具有以下工序:
(e)在构成所述下模具的底部的可动型腔内配置所述颗粒树脂;
(f)将搭载有半导体元件的框搭载于所述上模具;
(g)在加热所述下模具而使所述颗粒树脂熔融后的状态下,使所述可动型腔向所述上模具侧移动;
(h)在所述第1可动销位于不向所述下模具侧凸出的位置的状态下,使所述第2可动销移动至向所述上模具侧凸出的位置,由此使所述第2可动销与所述固定销接触;
(i)由熔融后的所述颗粒树脂在所述半导体装置的封装件形成螺钉紧固用贯通孔;以及
(j)使所述第2可动销移动至不向所述上模具侧凸出的位置,使所述第1可动销移动至向所述下模具侧凸出的位置,由此去除在所述固定销与所述第2可动销之间的接触面处产生的树脂毛刺。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019174009A JP7178976B2 (ja) | 2019-09-25 | 2019-09-25 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
JP2019-174009 | 2019-09-25 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112549427A CN112549427A (zh) | 2021-03-26 |
CN112549427B true CN112549427B (zh) | 2022-12-27 |
Family
ID=75041134
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010987656.2A Active CN112549427B (zh) | 2019-09-25 | 2020-09-18 | 半导体制造装置及半导体装置的制造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7178976B2 (zh) |
CN (1) | CN112549427B (zh) |
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2019
- 2019-09-25 JP JP2019174009A patent/JP7178976B2/ja active Active
-
2020
- 2020-09-18 CN CN202010987656.2A patent/CN112549427B/zh active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2021052091A (ja) | 2021-04-01 |
JP7178976B2 (ja) | 2022-11-28 |
CN112549427A (zh) | 2021-03-26 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |