CN112447696A - 显示模块封装件 - Google Patents

显示模块封装件 Download PDF

Info

Publication number
CN112447696A
CN112447696A CN202010885240.XA CN202010885240A CN112447696A CN 112447696 A CN112447696 A CN 112447696A CN 202010885240 A CN202010885240 A CN 202010885240A CN 112447696 A CN112447696 A CN 112447696A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wiring
light emitting
semiconductor chip
wiring layer
display module
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010885240.XA
Other languages
English (en)
Inventor
金都譓
李锡贤
朴正镐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN112447696A publication Critical patent/CN112447696A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293Organic, e.g. plastic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3135Double encapsulation or coating and encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/482Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
    • H01L23/485Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body consisting of layered constructions comprising conductive layers and insulating layers, e.g. planar contacts
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/525Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/50Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/56Materials, e.g. epoxy or silicone resin

Abstract

一种显示模块封装件,包括:半导体芯片;布线构件,其设置在半导体芯片上,包括绝缘层和布线层,并且接触半导体芯片的至少一部分;发光装置阵列,其设置在布线构件上并且包括设置在一个表面上的多个发光装置,其中,布线构件位于半导体芯片与发光装置阵列之间;以及模制构件,其设置在布线构件上,密封发光装置阵列的一部分,并且具有用于使多个发光装置暴露的开口。

Description

显示模块封装件
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年8月30日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0107476的优先权的权益,该申请的公开内容以引用方式全部并入本文中。
技术领域
本发明构思的示例实施例涉及一种显示模块封装件。
背景技术
作为电子装置的显示面板,已经出现了将发射红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)光的发光二极管(LED)直接安装在衬底上的显示面板。对于诸如可穿戴装置的小型装置,已经进行了持续的研究以开发具有减小的重量、减小的尺寸、高分辨率和高功能性的显示器。
发明内容
本发明构思的示例实施例是为了提供一种具有减小的厚度和减小的尺寸的显示模块封装件。
本发明构思的另一示例实施例是为了提供一种可以减少显示器的响应延迟时间的显示模块封装件。
根据本发明构思的示例实施例,显示模块封装件包括:第一布线层结构,其具有第一布线层;半导体芯片,其设置在第一布线层结构上,并且电连接到第一布线层结构的第一布线层;第一模制构件,其设置在第一布线层结构上,并且封装半导体芯片的至少一部分;第二布线层结构,其设置在半导体芯片和第一模制构件上,并且具有第二布线层;竖直连接电极,其设置在第一布线层结构与第二布线层结构之间,并且将第一布线层电连接到第二布线层;发光装置阵列,其设置在第二布线层结构上,电连接到第二布线层,具有面对第二布线层结构的第一表面和与第一表面相对的第二表面,并且包括设置在第二表面上的多个发光装置;以及第二模制构件,其设置在第二布线层结构上,并且密封发光装置阵列的一部分以使多个发光装置暴露。
根据本发明构思的示例实施例,显示模块封装件包括:半导体芯片;布线构件,其设置在半导体芯片上,包括绝缘层和布线层,并且接触半导体芯片的至少一部分;发光装置阵列,其设置在布线构件上并且包括设置在一个表面上的多个发光装置,其中,布线构件位于半导体芯片与发光装置阵列之间;以及模制构件,其设置在布线构件上,密封发光装置阵列的一部分,并且具有用于使多个发光装置暴露的开口。
根据本发明构思的示例实施例,显示模块封装件包括:第一布线构件,其包括第一布线层和电连接到第一布线层的连接端子;半导体芯片,其设置在第一布线构件上,并且包括电连接到第一布线层的连接构件;底部填充树脂,其设置在第一布线构件与半导体芯片之间并且覆盖连接构件;第一模制构件,其设置在第一布线构件上,并且密封半导体芯片和底部填充树脂;第二布线构件,其设置在半导体芯片和第一模制构件上,并且包括绝缘层和设置在绝缘层上的第二布线层;竖直连接电极,其设置在第一布线构件与第二布线构件之间,穿透第一模制构件,并且将第一布线构件电连接到第二布线构件;发光装置阵列,其设置在第二布线构件上,包括设置在一个表面上的多个发光装置,并且通过接合引线电连接到第二布线构件;附接构件,其设置在第二布线构件与发光装置阵列之间;以及第二模制构件,其设置在第二布线构件上,封装接合引线和发光装置阵列的一部分,并且具有用于使多个发光装置暴露的开口,并且第二布线构件接触半导体芯片和第一模制构件。
附图说明
通过以下结合附图的详细描述,将更清楚地理解本发明构思的以上和其它方面、特征和优点,在附图中:
图1是示出了根据本发明构思的示例实施例的显示模块封装件的侧截面图;
图2是沿图1中的线I-I’截取的截面图;
图3是沿图1中的线II-II’截取的截面图;
图4至图10是示出了根据本发明构思的示例实施例的制造图1中示出的显示模块封装件的方法的侧截面图;
图11是示出了根据本发明构思的示例实施例的显示模块封装件的侧截面图;
图12至图15是示出了根据本发明构思的示例实施例的制造图11中示出的显示模块封装件的方法的侧截面图;
图16是示出了根据本发明构思的示例实施例的显示模块封装件的侧截面图;
图17A和图17B是沿图16中的线III-III’截取的截面图;
图18是示出了根据本发明构思的示例实施例的显示模块封装件的侧截面图;
图19是示出了根据本发明构思的示例实施例的显示模块封装件的侧截面图;
图20至图25是示出了根据本发明构思的示例实施例的制造图19中示出的显示模块封装件的方法的侧截面图;以及
图26是示出了根据本发明构思的示例实施例的显示模块封装件的侧截面图。
具体实施方式
在下文中,如下将参照附图描述本发明构思的实施例。
图1是示出了根据示例实施例的显示模块封装件100A的侧截面图。图2是沿图1中的线I-I’截取的截面图。图3是沿图1中的线II-II’截取的截面图。
参照图1至图3,显示模块封装件100A可以包括第一布线构件110、半导体芯片120、互连构件130、第一模制构件140、第二布线构件150、发光装置阵列160和第二模制构件170。
显示模块封装件100A可以包括:发光装置阵列160,其包括布置在其中的多个发光装置166;以及半导体芯片120,其被配置为控制多个发光装置166导通。
第一布线构件110可以被配置为用于半导体封装件中的衬底(诸如印刷电路板(PCB)、陶瓷衬底、带式布线衬底等),并且可以被称为衬底、布线衬底或封装件衬底。例如,第一布线构件110可以包括热固性树脂(诸如环氧树脂)、热塑性树脂(诸如聚酰亚胺)。例如,第一布线构件110可以包括预浸料(prepreg)、味之素复合膜、FR-4、双马来酰亚胺三嗪等。第一布线构件110还可以包括光成像介电树脂(photoimagable dielectric resin,PID)。在此情况下,第一布线构件110可以利用光刻工艺具有精细间距的布线图案。
第一布线构件110可以包括:多个焊盘(未示出),其分别设置在第一布线构件110的彼此相对的上表面和下表面上;以及第一布线层112,其将所述多个焊盘彼此电连接。如本文所述的焊盘可以是连接到装置或衬底的内部布线的导电端子,并且可以在装置或衬底的内部布线和/或内部电路与外部源之间传输信号和/或电源电压。例如,半导体芯片的芯片焊盘可以电连接到半导体芯片的集成电路和半导体芯片所连接到的装置,并且在半导体芯片的集成电路与半导体芯片所连接到的装置之间传输电源电压和/或信号。各种焊盘可以设置在装置的外部表面上或设置在装置的外部表面附近,并且通常可以具有平面表面区域(通常大于它们所连接到的内部布线的对应表面区域),以促进与另一端子(诸如凸块或焊球、和/或外部布线)的连接。
第一布线构件110还可以包括连接端子114,连接端子114连接到在第一布线构件110的下部分中设置在第一布线构件110的下表面上的焊盘(未示出)。在第一布线构件110的下表面上,从俯视图看,连接端子114可以设置在与半导体芯片120重叠的区域中或者不与半导体芯片120重叠的区域中。因此,从俯视图看,连接端子114的至少一部分可以竖直地设置在不与半导体芯片120重叠的区域中。
还被描述为导电互连端子或外部连接端子的连接端子114可以电连接到外部装置(诸如主板等),并且可以将封装件衬底电连接和物理连接到外部装置。例如,连接端子114可以具有倒装芯片连接结构,其具有诸如焊球、导电凸块、引脚栅格阵列、球栅格阵列和平面栅格阵列的栅格阵列。
半导体芯片120可以设置在第一布线构件110上,并且可以电连接到第一布线构件110的第一布线层112。例如,半导体芯片120可以通过倒装芯片接合方法通过连接构件124安装在第一布线构件110上,连接构件124设置在设置于有源表面(图1中的半导体芯片120的下表面)上的连接电极(未示出)上。连接构件124可以是导电互连件,并且可以包括焊料凸块或焊球、或者铜柱。包围连接构件124的包括环氧树脂等的底部填充树脂125可以设置在半导体芯片120的有源表面与第一布线构件110的上表面之间。
然而,其示例实施例不限于前述示例实施例,并且在示例实施例中,可以通过引线接合方法将半导体芯片120安装在第一布线构件110上。
半导体芯片120可以包括传输多个发光装置166的照明信号的集成电路IC。例如,半导体芯片120可以包括中央处理器(例如,中央处理单元(CPU))、图形处理器(例如,图形处理单元(GPU))、数字信号处理器、密码处理器、微处理器、微控制器、逻辑芯片(诸如模数转换器(ADC))、专用集成电路(ASIC)等。然而,其示例实施例不限于此,并且可以包括其它类型的芯片相关部件。半导体芯片120还可以包括被配置为控制多个发光装置166导通的驱动器IC。半导体芯片120可以包括一个或多个集成电路裸片以实施这些各种半导体装置。
互连构件130(以单数描述,但是实际上包括多个构件)可以设置在第一布线构件110与第二布线构件150之间,并且可以将第一布线层112电连接到第二布线层152。可以利用诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)或它们的合金的导电材料来形成互连构件130。互连构件130可以具有具备各种形状(例如,圆形、方形等)的截面表面的柱形状,或者可以被配置为向上和向下形成电路径的结构。
例如,互连构件130可以设置在第一布线构件110的外部区域,并且可以围绕半导体芯片120,且半导体芯片120的侧表面与每个第一互连构件130之间具有预定间隙,并且互连构件130可以被配置为穿透第一模制构件140的导电柱。通常,互连构件130可以被描述为导电通孔或竖直导电通孔。
第一模制构件140可以设置在第一布线构件110上,并且可以密封半导体芯片120的至少一部分。第一模制构件140可以被配置为包围和封装半导体芯片120的至少一部分,并且可以被描述为第一封装剂。例如,第一模制构件140可以包围半导体芯片120的侧表面,并且第一模制构件140的上表面可以与半导体芯片120的上表面和互连构件130的上表面共面。如在本文中使用的诸如“相同”、“相等”、“平面”或“共面”的术语包含相同性或接近相同性,接近相同性包括例如由于制造工艺而可能发生的变化。除非上下文或其它陈述另外指出,否则在本文中可以使用术语“基本”来强调该含义。
对于表面与另一表面共面的配置,第一模制构件140、半导体芯片120和互连构件130的上表面可以通过研磨工艺被平面化并且彼此共面。在此情况下,可以通过研磨工艺部分地去除半导体芯片120的上部分,因此,可以减小显示模块封装件的总体厚度。
然而,示例实施例不限于此,并且第一模制构件140可以包围半导体芯片120的侧表面和上表面,并且第一模制构件140的上表面可以设置在比半导体芯片120的上表面更高的水平处。
第一模制构件140可以包括绝缘材料。例如,第一模制构件140可以包括热固性树脂(诸如环氧树脂)、热塑性树脂(诸如聚酰亚胺)、热固性树脂或热塑性树脂与诸如无机填料和/或玻璃纤维(或玻璃布或玻璃织物)的芯材料混合的树脂(诸如预浸料、味之素复合膜(ABF)、FR-4、双马来酰亚胺三嗪(BT))。第一模制构件140可以被描述为绝缘层。
第二布线构件150可以设置在半导体芯片120和第一模制构件140上,并且可以具有第二布线层152。第二布线构件150可以通过互连构件130电连接到第一布线构件110。第二布线构件150可以被称为LED阵列衬底。
例如,第二布线构件150可以包括:绝缘层151,其直接设置在第一半导体芯片120的上表面和第一模制构件140上;第二布线层152,其设置在绝缘层151的上表面上;以及布线穿通件153,其穿透绝缘层151,并且将第二布线层152电连接到互连构件130。例如,尽管仅描述了这些部件的一个,但是可以在不同的竖直水平处存在多个这种部件。例如,可以通过多个堆叠的绝缘层(还被描述为绝缘子层)来形成绝缘层151。第二布线层152可以包括多个布线层(还被描述为布线子层)。各布线穿通件153可以位于不同的竖直水平处、将相应的布线层152连接到其它布线、并且穿过相应的绝缘层151。第二布线构件150的绝缘层151、第二布线层152和布线穿通件153中的每一者的数量可以高于或低于附图中所示的示例。
绝缘层151(例如,每个绝缘子层)可以包括绝缘材料。当绝缘层151包括光敏树脂时,第二布线层152和布线穿通件153可以通过光刻工艺被形成为具有精细形式。因此,可以减小显示模块封装件的总体厚度。然而,其示例实施例不限于此。第二布线构件150可以被配置为包括印刷电路板(PCB)、陶瓷衬底、带式布线衬底等的衬底。
第二布线层152可以包括诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)或它们的合金的导电材料。与第二布线层152相似,布线穿通件153可以包括导电材料。布线穿通件153可以完全由导电材料填充,或者可以沿着穿通件的壁设置导电材料。第二布线构件150中的布线可以被称为布线层结构。
在示例实施例中,第二布线构件150可以接触半导体芯片120的至少一部分。例如,半导体芯片120的上表面可以不被第一模制构件140覆盖,并且第二布线构件150的下表面可以接触半导体芯片120的上表面。除非上下文另外指出,否则如在本文中使用的术语“接触”指直接连接(即,触碰)。第二布线构件150的下表面可以与半导体芯片120、第一布线构件110和互连构件130的上表面共面。
发光装置阵列160可以设置在第二布线构件150上,可以电连接到第二布线层152,可以具有面对第二布线构件150的第一表面和与第一表面相对的第二表面,并且可以包括设置在第二表面上的多个发光装置166。发光装置阵列160可以包括被配置为驱动多个发光装置166的驱动器IC。例如,包括薄膜晶体管(TFT)等的驱动器IC可以被嵌入在发光装置阵列160中,半导体芯片120可以通过控制驱动器IC将驱动信号发送到多个发光装置166,并且可以导通多个发光装置166。
驱动器IC可以被嵌入在半导体芯片120或第二布线构件150中,并且在此情况下,发光装置阵列160可以包括内部电路(未示出),该内部电路被配置为将从驱动器IC发送的驱动信号传输到多个发光装置166,并且再分配多个发光装置166中的每一个的电极。
发光装置阵列160可以通过附接构件165附接到第二布线构件150。附接构件165可以是粘合膜或层,诸如非导电膜(NCF)、各向异性导电膜(ACF)、UV敏感膜、氰基丙烯酸酯、热固性粘合剂、激光可固化粘合剂或超声可固化粘合剂、非导电胶(NCP)等。
多个发光装置166可以被配置为各种尺寸的发光二极管(LED)。例如,可以使用具有几毫米(mm)或几十至几百微米(μm)的尺寸(例如,直径)的LED。为了减小显示器的尺寸并改善显示器的分辨率,可以使用尺寸小于100μm的微型LED。
在多个发光装置166中的每一个中,可以布置发射红色光的LED芯片166R、发射绿色光的LED芯片166G和发射蓝色光的LED芯片166B。可以根据显示像素中包括的间距等来布置多个发光装置166。
在示例实施例中,发光装置阵列160可以包括多个连接焊盘162,多个连接焊盘162设置在第二表面的外部区域中以围绕多个发光装置166并且电连接到多个发光装置166。设置在第二表面的外部区域中的多个连接焊盘162可以通过接合引线164电连接到第二布线构件150的第二布线层152,可以通过第二模制构件170来保护多个连接焊盘162和接合引线164。
第二模制构件170可以设置在第二布线构件150上,并且可以密封发光装置阵列160的一部分,以暴露多个发光装置166。例如,第二模制构件170可以密封发光装置阵列160的暴露的导电部件(例如,焊盘和接合引线),并且可以具有用于使多个发光装置166暴露的开口171。第二模制构件170的开口171可以具有锥形形状,使得开口171的宽度在一个方向上减小。例如,第二模制构件170的开口171可以具有锥形形状,使得开口171的宽度朝向发光装置阵列160的设置有多个发光装置166的表面减小。第二模制构件170可以包括绝缘材料。例如,第二模制构件170可以包括环氧基树脂、硅基树脂等。
图4至图10是示出了根据示例实施例的制造图1中所示的显示模块封装件的方法的侧截面图。
参照图4,可以在第一布线构件110的上表面上设置互连构件130。第一布线构件110可以包括印刷电路板(PCB)、陶瓷衬底等。互连构件130可以设置在第一布线构件110的外部区域中。互连构件130可以被配置为导电柱,并且例如可以是通过已知方法形成的铜(Cu)柱。互连构件130可以电连接到第一布线构件110。
参照图5,半导体芯片120可以安装在第一布线构件110的上表面上。例如,半导体芯片120可以通过倒装芯片接合方法安装在第一布线构件110上。半导体芯片120可以通过连接构件124电连接到第一布线构件110。连接构件124可以被配置为焊球或焊料凸块,并且可以连接到设置在第一布线构件110的上表面上的焊盘(未示出)。密封和支撑连接构件124的底部填充树脂125可以设置在半导体芯片120与第一布线构件110之间。
参照图6,第一模制构件140可以设置在第一布线构件110上。第一模制构件140可以被配置为覆盖半导体芯片120的上表面和互连构件130。第一模制构件140和底部填充树脂125可以包括不同的材料或者可以包括相同的材料或由相同的材料形成。因此,可以不将用于形成底部填充树脂125的工艺和用于形成第一模制构件140的工艺彼此区分开。
参照图7,可以通过研磨工艺去除第一模制构件140的上侧的一部分。还可以在去除第一模制构件140的一部分的同时去除半导体芯片120的一部分,使得半导体芯片120的厚度减小。可以去除第一模制构件140以使半导体芯片120和互连构件130中的每一个的上表面暴露。因此,第一模制构件140、半导体芯片120和互连构件130的上表面可以彼此共面。
连接端子114可以设置在第一布线构件110的下部分处。连接端子114可以连接到设置在第一布线构件110的下表面上的焊盘(未示出)。连接端子114可以被配置为焊球。可以在将第一模制构件140和半导体芯片120的通过研磨工艺而被平面化的表面附接到载体的同时形成连接端子114。可以使用临时保护膜(未示出)来密封连接端子114。
参照图8,第二布线构件150可以设置在半导体芯片120和第一模制构件140上。如果需要,第二布线构件150可以包括多个绝缘层151a和151b、多个布线层152a和152b以及多个布线穿通件153a和153b。如上所述,通过将第二布线构件150直接设置在第一模制构件140的通过去除其上部分而被平面化的表面上,可以减小显示模块的厚度,并且可以减小半导体芯片与发光装置之间的信号传输距离。
可以通过利用已知的层叠方法的层叠工艺和固化工艺、或者通过利用已知的涂覆方法涂覆前体并固化该前体等,来形成绝缘层151a和151b。可以利用已知的电镀工艺来形成布线层152a和152b以及布线穿通件153a和153b,并且可以通过机械钻孔和/或激光钻孔等来形成填充有布线穿通件153a和153b的过孔。每个布线层152a或152b可以与其对应的布线穿通件153a或153b一起在单个工艺中并且使用连续的材料一体地形成。
当绝缘层151a和151b包括光敏树脂时,布线层152a和152b以及布线穿通件153a和153b可以通过曝光工艺和显影工艺具有更精细的形式。
参照图9,发光装置阵列160安装在第二布线构件150的上表面上。发光装置阵列160可以利用附接构件165附接到第二布线构件150。作为附接构件165,可以使用非导电膜(NCF)、各向异性导电膜(ACF)、UV敏感膜、氰基丙烯酸酯、热固性粘合剂、激光可固化粘合剂或超声可固化粘合剂、非导电胶(NCP)等。
发光装置阵列160可以包括电连接到多个发光装置166的多个连接焊盘162,多个连接焊盘162可以通过接合引线164电连接到第二布线构件150的第二布线层152。然而,其实施例不限于此,并且多个连接焊盘162可以设置在面对第二布线构件150的表面上,并且可以通过倒装芯片接合方法电连接到第二布线构件150的第二布线层152。
参照图10,形成部分地密封发光装置阵列160的第二模制构件170。第二模制构件170可以被配置为具有开口171,以用于通过分配工艺、丝网印刷工艺等使多个发光装置166暴露。例如,可以在第二布线构件150的部分区域上连续地或多次分配硅膏,以覆盖接合引线164和连接焊盘162,从而形成使多个发光装置166暴露的第二模制构件170。作为第二模制构件170,可以使用环氧树脂、硅树脂等。
图11是示出了根据示例实施例的显示模块封装件100B的侧截面图。
参照图11,在示例实施例中的显示模块封装件100B中,第一模制构件140覆盖半导体芯片120的上表面,并且第二布线构件150的绝缘层151的下表面接触第一模制构件140的上表面。例如,覆盖半导体芯片120和互连构件130的第一模制构件140可以设置在第一布线构件110上,并且可以仅去除第一模制构件140的一部分,以避免在使第一模制构件140的上部分平面化的工艺中使半导体芯片120和互连构件130中的每一个的上表面暴露。
第二布线构件150可以包括:连接图案155,其直接设置在第一模制构件140的平面化的上表面上;以及连接穿通件154,其穿透第一模制构件140的一部分,并且将连接图案155电连接到互连构件130。除非另外指出,否则示例实施例中的元件的描述可以与图1中所示的显示模块封装件100A的描述相同或相似。
图12至图15是示出了根据示例实施例的制造图11中所示的显示模块封装件100B的方法的侧截面图。
参照图12,通过与上述图4和图5中所示的方法相同或相似的方法在第一布线构件110上设置互连构件130和半导体芯片120。
参照图13,在第一布线构件110上形成覆盖互连构件130和半导体芯片120的第一模制构件140。可以通过研磨工艺等来研磨第一模制构件140的上部分。可以执行第一模制构件140的研磨,以便不使半导体芯片120或互连构件130的上表面暴露。
参照图14,在第一模制构件140的上表面上形成使互连构件130的上表面暴露的连接过孔141。可以利用机械钻孔和/或激光钻孔等来形成连接过孔141。当第一模制构件140包括光敏树脂时,可以利用光刻工艺来形成连接过孔141。
参照图15,可以通过与图8中所示的前述制造方法相同或相似的方法来形成第二布线构件150。在图中,第二布线构件150可以包括单个绝缘层151、单个布线层152和单个布线穿通件153,并且如果需要,第二布线构件150可以包括多个绝缘层151、多个第二布线层152和多个布线穿通件153。
图16是示出了根据示例实施例的显示模块封装件100C的侧截面图。图17A和图17B是沿图16中的线III-III’截取的替代性截面图。
参照图16,在示例实施例中的显示模块封装件100C中,互连构件130可以包括绝缘层131以及分别设置在绝缘层131的上表面和下表面处并且彼此电连接的连接焊盘132。连接焊盘132可以通过穿透绝缘层131的通孔133彼此电连接。绝缘层131可以包括多个层,并且在此情况下,连接焊盘132可以分别设置在绝缘层131中。可以根据绝缘层131的材料改善显示模块封装件的刚度。绝缘层131可以包括绝缘材料,并且作为绝缘材料,可以使用热固性树脂(诸如环氧树脂)、热塑性树脂(诸如聚酰亚胺)、热固性树脂或热塑性树脂与诸如无机填料和/或玻璃纤维(或玻璃布或玻璃织物)的芯材料混合的树脂(诸如预浸料、味之素复合膜(ABF)、FR-4、双马来酰亚胺三嗪(BT))。
互连构件130可以通过一般的导电附接构件(未示出)附接到第一布线构件110,或者可以通过在第一布线构件110的布线图案上直接形成绝缘层131、连接焊盘132和通孔133来制造互连构件130。
参照图17A和图17B,互连构件130的绝缘层131可以具有连续地围绕半导体芯片120的格子图案。在此情况下,半导体芯片120可以设置在被绝缘层131围绕的空间中。可替代地,互连构件130可以包括彼此分开的多个绝缘层131。在此情况下,多个分开的绝缘层131之间的区域可以用密封半导体芯片120的第一模制构件140填充。除非另外指出,否则该示例实施例中的元件的描述可以与图1中所示的显示模块封装件100A的元件的描述相同或相似。
图18是示出了根据示例实施例的显示模块封装件100D的侧截面图。
参照图18,在示例实施例中的显示模块封装件100D中,发光装置阵列160可以包括设置在第一表面上且电连接到多个发光装置166的多个连接焊盘162。多个连接焊盘162可以通过导电凸块164电连接到第二布线构件150的第二布线层152。在此情况下,第二模制构件170可以仅形成在固定和保护发光装置阵列160的部分区域中。因此,与发光装置阵列160通过接合引线连接到第二布线构件150的示例实施例相比,形成有第二模制构件170的区域可以减小更多。
在图中的示例中,可以从发光装置阵列160的侧表面到上表面的一部分形成第二模制构件170以保护发光装置阵列160,但是实施例不限于此。第二模制构件170可以被配置为仅覆盖发光装置阵列160的下区域以保护设置在发光装置阵列160的下部分处的导电凸块164和第二布线构件150的第二布线层152。除非另外指出,否则示例实施例中的元件的描述可以与图1中所示的显示模块封装件100A的元件的描述相同或相似。
图19是示出了根据示例实施例的显示模块封装件100E的侧截面图。
参照图19,在该示例实施例中的显示模块封装件100E中,第二布线构件150可以被配置为包括印刷电路板(PCB)、陶瓷衬底等的插件衬底。第二布线构件150可以包括设置在第二布线构件150的彼此相对的上表面和下表面上的多个焊盘150P。设置在第二布线构件150的上表面上的焊盘150P可以通过接合引线164电连接到发光装置阵列160的连接焊盘162。设置在第二布线构件150的下表面上的焊盘150P可以电连接到互连构件130。在互连构件130中,下连接构件130a和上连接构件130b可以彼此耦接。第二布线构件150的下表面可以与半导体芯片120的上表面以及第一模制构件140的上表面间隔开。
下连接构件130a可以电连接和/或物理连接到第一布线构件110,上连接构件130b可以电连接和/或物理连接到第二布线构件150。下连接构件130a和上连接构件130b可以被配置为焊球,并且可以彼此一体化。
与图中所示的示例实施例不同,第二布线构件150与第一模制构件140之间的空间可以用具有优异的热导性的绝缘材料填充,以保护半导体芯片120并且散发来自半导体芯片120的热量。除非另外指出,否则示例实施例中的元件的描述可以与图1中所示的显示模块封装件100A的元件的描述相同或相似。
图20至图25是示出了根据示例实施例的制造显示模块封装件100E的方法的侧截面图。
参照图20,在第一布线构件110上设置下连接构件130a。例如,下连接构件130a可以附接到第一布线构件110的上表面的外部。下连接构件130a可以电连接到第一布线构件110。下连接构件130a可以被配置为焊球,并且可以利用热压工艺和/或回流工艺附接到第一布线构件110。
参照图21,在第一布线构件110上安装半导体芯片120。可以在被多个下连接构件130a围绕的位置中设置半导体芯片120。半导体芯片120可以通过第一布线构件110电连接到下连接构件130a。可以通过倒装芯片接合方法在第一布线构件110上安装半导体芯片120。可以以与前述示例实施例相反的相反时间次序在第一布线构件110上设置下连接构件130a和半导体芯片120,或者可以在第一布线构件110上同时设置下连接构件130a和半导体芯片120。
参照图22,可以在第一布线构件110上设置密封半导体芯片120的第一模制构件140。第一模制构件140可以包括与如图6中的示例实施例中所述的底部填充树脂125不同或相同的材料。与图中所述的示例实施例不同,在不使用底部填充树脂125的情况下,可以在半导体芯片120的下部分处设置第一模制构件140。
参照图23,通过去除第一模制构件140的一部分使半导体芯片120的上表面暴露。可以去除半导体芯片120的上侧的一部分,并且因此,可以减小半导体芯片120的厚度。可以通过研磨工艺等去除第一模制构件140。
可以形成用于使下连接构件130a的一部分暴露的开口142(例如,用于使多个下连接构件暴露的多个开口)。可以利用激光钻孔等来形成开口142。开口142可以具有仅使下连接构件130a的一部分暴露的尺寸,或者可以具有使下连接构件130a和第一布线构件110中的每一者的上表面暴露的尺寸。
参照图24,在第二布线构件150的下表面上设置上连接构件130b。可以在通过开口142接触下连接构件130a的位置中设置上连接构件130b。上连接构件130b可以插入到开口142中,并且可以电连接和/或物理连接到下连接构件130a。可以在将上连接构件130b插入到开口142中的同时在上连接构件130b与下连接构件130a之间形成间隔空间。
参照图25,下连接构件130a和上连接构件130b可以通过热压工艺和/或回流工艺彼此一体化以形成互连构件130(还被描述为竖直连接构件或竖直连接电极)。因此,下连接构件130a和上连接构件130b的形状可以改变,并且因此,可以形成将第一布线构件110和第二布线构件150彼此连接的电路经。
图26是示出了根据示例实施例的显示模块封装件100F的侧截面图。
参照图26,在示例实施例中的显示模块封装件100F中,第二布线构件150通过连接端子156连接到互连构件130,并且互连构件130可以包括绝缘层131和分别设置在绝缘层131的上表面和下表面处并且彼此电连接的连接焊盘132。互连构件130的描述可以与参照图16、图17A和图17B描述的前述示例实施例中的互连构件130的描述相同。除非另外指出,否则示例实施例中的元件的描述可以与图1中所示的显示模块封装件100A的元件的描述相同或相似。
根据前述示例实施例,通过将发光装置和控制发光装置的半导体芯片嵌入在单个模块封装件中,可以提供具有减小的厚度和减小的尺寸的显示模块封装件。
另外,通过减小发光装置与控制发光装置的半导体芯片之间的信号传输距离,可以提供减小了显示器的响应延迟时间的显示模块封装件。
尽管以上已经示出并描述了示例实施例,但是本领域技术人员将显而易见的是,在不脱离如所附权利要求书限定的本发明的范围的情况下,可以做出修改和改变。

Claims (20)

1.一种显示模块封装件,包括:
第一布线层结构,其具有第一布线层;
半导体芯片,其设置在所述第一布线层结构上,并且电连接到所述第一布线层结构的所述第一布线层;
第一模制构件,其设置在所述第一布线层结构上,并且封装所述半导体芯片的至少一部分;
第二布线层结构,其设置在所述半导体芯片和所述第一模制构件上,并且具有第二布线层;
竖直连接电极,其设置在所述第一布线层结构与所述第二布线层结构之间,并且将所述第一布线层电连接到所述第二布线层;
发光装置阵列,其设置在所述第二布线层结构上,电连接到所述第二布线层,具有面对所述第二布线层结构的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面,并且包括设置在所述第二表面上的多个发光装置;
第二模制构件,其设置在所述第二布线层结构上,并且密封所述发光装置阵列的一部分以使所述多个发光装置暴露。
2.根据权利要求1所述的显示模块封装件,其中,所述第二布线层结构包括绝缘层、所述第二布线层和布线穿通件,所述绝缘层设置在所述半导体芯片和所述第一模制构件上,所述第二布线层设置在所述绝缘层上,所述布线穿通件穿透所述绝缘层并将所述第二布线层电连接到所述竖直连接电极。
3.根据权利要求1所述的显示模块封装件,还包括:
连接构件,其设置在所述半导体芯片的下表面上,并且电连接到所述第一布线层;
底部填充树脂,其设置在所述第一布线层结构与所述半导体芯片之间,并且覆盖所述连接构件;以及
外部连接端子,其设置在所述第一布线层结构的下表面上,并且电连接到所述第一布线层,
其中,至少一组所述外部连接端子设置在从俯视图看不与所述半导体芯片重叠的区域中。
4.根据权利要求1所述的显示模块封装件,其中,所述第二布线层结构的下表面接触所述半导体芯片的上表面。
5.根据权利要求4所述的显示模块封装件,其中,所述半导体芯片的所述上表面与所述第一模制构件的上表面共面。
6.根据权利要求5所述的显示模块封装件,其中,所述竖直连接电极的上表面与所述第一模制构件的所述上表面共面。
7.根据权利要求1所述的显示模块封装件,
其中,所述第一模制构件覆盖所述半导体芯片的上表面,并且
其中,所述第二布线层结构的下表面接触所述第一模制构件的上表面。
8.根据权利要求7所述的显示模块封装件,其中,所述第二布线层结构包括连接图案和连接穿通件,所述连接图案设置在所述第一模制构件的所述上表面上,所述连接穿通件穿透所述第一模制构件的一部分并将所述连接图案连接到所述竖直连接电极。
9.根据权利要求1所述的显示模块封装件,其中,所述第二布线层结构的下表面与所述半导体芯片的上表面以及所述第一模制构件的上表面间隔开。
10.根据权利要求1所述的显示模块封装件,
其中,所述发光装置阵列包括多个连接焊盘,所述多个连接焊盘设置在所述发光装置阵列的所述第二表面的外部区域中以围绕所述多个发光装置,并且电连接到所述多个发光装置,并且
其中,所述多个连接焊盘通过接合引线电连接到所述第二布线层结构的所述第二布线层。
11.根据权利要求10所述的显示模块封装件,其中,所述第二模制构件被配置为覆盖所述多个连接焊盘和所述接合引线。
12.根据权利要求1所述的显示模块封装件,
其中,所述发光装置阵列包括多个连接焊盘,所述多个连接焊盘设置在所述发光装置阵列的所述第一表面上并电连接到所述多个发光装置,并且
其中,所述多个连接焊盘通过导电凸块电连接到所述第二布线层结构的所述第二布线层。
13.根据权利要求1所述的显示模块封装件,其中,所述竖直连接电极设置在所述第一布线层结构的外部区域处以围绕所述半导体芯片,并且被配置为穿透所述第一模制构件的导电柱。
14.根据权利要求1所述的显示模块封装件,其中,所述竖直连接电极穿过绝缘层并且连接到连接焊盘,所述连接焊盘分别设置在所述绝缘层的上表面和下表面上并且彼此电连接。
15.根据权利要求1所述的显示模块封装件,其中,所述第二模制构件包括硅基树脂。
16.一种显示模块封装件,包括:
半导体芯片;
布线构件,其设置在所述半导体芯片上,包括绝缘层和布线层,并且接触所述半导体芯片的至少一部分;
发光装置阵列,其设置在所述布线构件上并且包括设置在一个表面上的多个发光装置,其中,所述布线构件位于所述半导体芯片与所述发光装置阵列之间;以及
模制构件,其设置在所述布线构件上,密封所述发光装置阵列的一部分,并且具有用于使所述多个发光装置暴露的开口。
17.根据权利要求16所述的显示模块封装件,其中,所述模制构件的所述开口具有锥形内壁,使得所述开口的宽度在朝向所述发光装置阵列的表面的方向上减小。
18.根据权利要求17所述的显示模块封装件,还包括:
接合引线,其将所述发光装置阵列电连接到所述布线构件,
其中,所述半导体芯片包括被配置为控制所述多个发光装置的芯片。
19.根据权利要求18所述的显示模块封装件,其中,所述模制构件使所述布线构件的端部的至少一部分暴露。
20.一种显示模块封装件,包括:
第一布线构件,其包括第一布线层和电连接到所述第一布线层的连接端子;
半导体芯片,其设置在所述第一布线构件上,并且包括电连接到所述第一布线层的连接构件;
底部填充树脂,其设置在所述第一布线构件与所述半导体芯片之间,并且覆盖所述连接构件;
第一模制构件,其设置在所述第一布线构件上,并且密封所述半导体芯片和所述底部填充树脂;
第二布线构件,其设置在所述半导体芯片和所述第一模制构件上,并且包括绝缘层和设置在所述绝缘层上的第二布线层;
竖直连接电极,其设置在所述第一布线构件和所述第二布线构件之间,穿透所述第一模制构件,并且将所述第一布线构件电连接到所述第二布线构件;
发光装置阵列,其设置在所述第二布线构件上,包括设置在一个表面上的多个发光装置,并且通过接合引线电连接到所述第二布线构件;
附接构件,其设置在所述第二布线构件与所述发光装置阵列之间;以及
第二模制构件,其设置在所述第二布线构件上,封装所述接合引线和所述发光装置阵列的一部分,并且具有用于使所述多个发光装置暴露的开口,
其中,所述第二布线构件接触所述半导体芯片和所述第一模制构件。
CN202010885240.XA 2019-08-30 2020-08-28 显示模块封装件 Pending CN112447696A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190107476A KR20210026539A (ko) 2019-08-30 2019-08-30 디스플레이 모듈 패키지
KR10-2019-0107476 2019-08-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112447696A true CN112447696A (zh) 2021-03-05

Family

ID=74681850

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010885240.XA Pending CN112447696A (zh) 2019-08-30 2020-08-28 显示模块封装件

Country Status (3)

Country Link
US (2) US11282995B2 (zh)
KR (1) KR20210026539A (zh)
CN (1) CN112447696A (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112614439B (zh) * 2020-12-22 2022-11-22 业成科技(成都)有限公司 显示装置
KR20230032587A (ko) * 2021-08-31 2023-03-07 삼성전자주식회사 반도체 패키지
US20230213715A1 (en) * 2022-01-03 2023-07-06 Apple Inc. Technologies for Increased Volumetric and Functional Efficiencies of Optical Packages
CN115113425A (zh) * 2022-08-03 2022-09-27 长电科技(滁州)有限公司 液晶显示的封装结构及制备方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101831692B1 (ko) 2011-08-17 2018-02-26 삼성전자주식회사 기능적으로 비대칭인 전도성 구성 요소들을 갖는 반도체 소자, 패키지 기판, 반도체 패키지, 패키지 적층 구조물 및 전자 시스템
US9548289B2 (en) 2014-09-15 2017-01-17 Mediatek Inc. Semiconductor package assemblies with system-on-chip (SOC) packages
RU2663688C1 (ru) 2014-09-26 2018-08-08 Интел Корпорейшн Корпусированная интегральная схема, содержащая соединенный проволочными перемычками многокристальный пакет
KR102384863B1 (ko) 2015-09-09 2022-04-08 삼성전자주식회사 반도체 칩 패키지 및 이의 제조 방법
US10665578B2 (en) * 2015-09-24 2020-05-26 Apple Inc. Display with embedded pixel driver chips
US10276548B2 (en) 2016-09-14 2019-04-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor packages having dummy connectors and methods of forming same
US20190006339A1 (en) 2017-06-28 2019-01-03 Asm Technology Singapore Pte Ltd Three-dimensional integrated fan-out wafer level package
CN109673128B (zh) 2017-10-13 2021-02-12 神讯电脑(昆山)有限公司 导热模块及其显示装置和可携式电子装置
KR101939046B1 (ko) 2017-10-31 2019-01-16 삼성전기 주식회사 팬-아웃 반도체 패키지
DE102019104325A1 (de) * 2019-02-20 2020-08-20 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Herstellungsverfahren für optoelektronische Halbleiterbauteile
US11133423B2 (en) * 2019-07-03 2021-09-28 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Optical device and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
US11282995B2 (en) 2022-03-22
US20220199880A1 (en) 2022-06-23
US11942586B2 (en) 2024-03-26
KR20210026539A (ko) 2021-03-10
US20210066560A1 (en) 2021-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11637070B2 (en) Method of fabricating a semiconductor package
US11942586B2 (en) Display module package
US8125065B2 (en) Elimination of RDL using tape base flip chip on flex for die stacking
US7579690B2 (en) Semiconductor package structure
EP1229577A2 (en) Flip chip semiconductor device in a moulded chip scale package (csp) and method of assembly
US8138027B2 (en) Optical semiconductor device having pre-molded leadframe with window and method therefor
KR20100002711A (ko) 임베디드 배선 기판, 이를 포함하는 반도체 패키지 및 그제조 방법
KR20170056071A (ko) 반도체 패키지
US20230387029A1 (en) Semiconductor package
KR20150019156A (ko) 반도체 패키지 및 그 제조 방법
US10115673B1 (en) Embedded substrate package structure
CN112310001A (zh) 半导体封装件
TW201628152A (zh) 電子封裝結構
CN115295540A (zh) 半导体封装
KR20210131548A (ko) 반도체 패키지
KR20210106588A (ko) 반도체 패키지
JP2021022718A (ja) パッケージ構造及びその製造方法
TWI833721B (zh) 半導體封裝及其製造方法
CN110875294A (zh) 半导体装置的封装结构及其制造方法
JP2013110264A (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
CN117995787A (zh) 内埋感测芯片的封装结构及其制法
KR20240001780A (ko) 반도체 패키지
KR20240044982A (ko) 안테나를 포함하는 반도체 패키지 및 그 제조 방법
KR20210147453A (ko) 반도체 패키지 및 그 제조 방법
CN116682802A (zh) 电子封装件及其制法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination