CN112159952B - 一种能同时碳化多个钽片的装置及方法 - Google Patents

一种能同时碳化多个钽片的装置及方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112159952B
CN112159952B CN202011078251.3A CN202011078251A CN112159952B CN 112159952 B CN112159952 B CN 112159952B CN 202011078251 A CN202011078251 A CN 202011078251A CN 112159952 B CN112159952 B CN 112159952B
Authority
CN
China
Prior art keywords
tantalum
crucible
tantalum sheet
crucible body
sheet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202011078251.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112159952A (zh
Inventor
不公告发明人
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Harbin Keyou Semiconductor Industry Equipment and Technology Research Institute Co Ltd
Original Assignee
Harbin Keyou Semiconductor Industry Equipment and Technology Research Institute Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Harbin Keyou Semiconductor Industry Equipment and Technology Research Institute Co Ltd filed Critical Harbin Keyou Semiconductor Industry Equipment and Technology Research Institute Co Ltd
Priority to CN202011078251.3A priority Critical patent/CN112159952B/zh
Publication of CN112159952A publication Critical patent/CN112159952A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112159952B publication Critical patent/CN112159952B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • C23C8/60—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using solids, e.g. powders, pastes
    • C23C8/62—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using solids, e.g. powders, pastes only one element being applied
    • C23C8/64—Carburising
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/403—AIII-nitrides
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E50/00—Technologies for the production of fuel of non-fossil origin
    • Y02E50/10—Biofuels, e.g. bio-diesel

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明涉及一种碳化钽片的装置及方法，属于半导体材料制备技术领域。为解决现有钽片碳化装置无法分清碳化前和碳化后的钽片碳化情况的不足，本发明提供了一种能同时碳化多个钽片的装置，包括：坩埚体、坩埚上盖、钽片托架、保温层垫块和保温层壳体，多个钽片托架叠放在坩埚体内，钽片托架外壁上刻有编号，内壁加工有凸台，坩埚上盖盖在坩埚体上，保温层垫块和保温层壳体套在坩埚体外。一种能同时碳化多个钽片的方法，步骤为：将碳粉和钽片按碳粉、钽片、碳粉的次序放入钽片托架，盖上坩埚上盖，放入保温层，加热，使钽片在一定的碳化温度内碳化一定时间。本发明通过钽片托架上的标记区分钽片，通过比较碳化前后钽片重量观察钽片碳化是否达标。

Description

一种能同时碳化多个钽片的装置及方法
技术领域
本发明属于半导体材料制备技术领域，尤其涉及一种碳化钽片的装置及方法。
背景技术
AlN单晶拥有所有直接带隙半导体材料中最大的禁带宽度、最高的击穿场强、热导率高、热稳定性和化学稳定性好，在微电子、光电子领域具有广阔的应用前景，已成为国内外的研究热点，备受瞩目。目前制备AlN单晶衬底最常用的法有HVPE法(卤化物气相外延法)和PVT法(物理气相传输法)。对于AlN的HVPE生长设备而言，由于铝的卤化物(AlCl、AlCl3等)具有较强的腐蚀性，而且工作温度较高(通常大于1400℃)，导致HVPE设备建造困难、成本较高、稳定性较差。另外HVPE法生长AlN的生长速度较慢，通常在每小时几十微米量级。同时由于反应原理和生长温度的限制，HVPE的生长速度难以得到有效提升，因而HVPE法制备AlN单晶衬底的周期太长，不利于商业化推广使用。相对而言，PVT法制备AlN单晶衬底生长速度较快，可以达到每小时毫米量级。高熔点金属碳化物(HfC、WC、TaC等)陶瓷、氮化物(HfN、TaN等)陶瓷、AlN陶瓷、热解BN、石墨等都曾作为生长AlN单晶的衬底材料。
当选用TaC作为衬底时，一般采用对坦片进行碳化处理制得TaC。目前所采用的的方法是将单片钽片或多个钽片混合翻入同一容器内，加入碳粉后进行碳化，易产生碳化不均匀的情况，且碳化后无法分清碳化前和碳化后的钽片碳化情况，不利于产品跟踪，效率低。
发明内容
为解决上述现有钽片碳化装置无法分清碳化前和碳化后的钽片碳化情况、不利于产品跟踪的不足，本发明提供了一种能同时碳化多个钽片的装置。
本发明的技术方案：
一种能同时碳化多个钽片的装置，包括：坩埚体、坩埚上盖、钽片托架、保温层垫块和保温层壳体，所述坩埚体为凹型，多个钽片托架叠放在坩埚体内，所述钽片托架为凹型且外壁上刻有编号，钽片托架内壁上加工有凸台，用于放置钽片，坩埚上盖盖在坩埚体上，使得坩埚体与坩埚上盖形成一个密闭结构，所述保温层垫块与坩埚体底面积相同，所述坩埚体放在保温层垫块上，所述保温层壳体盖在坩埚体和坩埚上盖形成的密闭结构上。
优选的，所述坩埚体由坩埚壳体和坩埚底组成。
优选的，所述保温层垫块和保温层壳体由保温硬毡制成。
一种基于以上装置的能同时碳化多个钽片的方法，步骤为：
一、将碳粉放入钽片托架中，使得碳粉与凸台的上端水平；
二、将钽片平稳放置于钽片托架的凸台上；
三、在放好后的钽片上再盖上一层碳粉；
四、依次将放好钽片和碳粉的钽片托架放入坩埚体体内，并盖上坩埚上盖进行密封，将其放在保温层垫块上，并将保温层壳体盖在坩埚体和坩埚上盖形成的密闭结构上；
五、将步骤四所得装置放在感应线圈内，对其加热，使钽片在一定的碳化温度内，碳化一定时间。
优选的，所述碳化温度为1300℃。
优选的，碳化的时间为20h。
为解决上述现有钽片碳化装置易产生钽片碳化不均匀的情况的不足，本发明提供了一种能同时碳化多个钽片的装置。
一种能同时碳化多个钽片的装置，包括：坩埚体、坩埚上盖、钽片托架、保温层垫块和保温层壳体，所述坩埚体为凹型，多个钽片托架叠放在坩埚体内，所述钽片托架为凹型且外壁上刻有编号，钽片托架内壁上加工有凸台，用于放置钽片，坩埚上盖盖在坩埚体上，使得坩埚体与坩埚上盖形成一个密闭结构，所述保温层垫块与坩埚体底面积相同，所述坩埚体放在保温层垫块上，所述保温层壳体盖在坩埚体和坩埚上盖形成的密闭结构上。
优选的，所述钽片托架由石墨材料制成。
本发明的有益效果：
1、本发明将钽片放在各自的钽片托架上，再将钽片托架依次叠放放入坩埚体内部，并通过感应线圈对坩埚体进行加热，使得各个钽片充分碳化后取出。通过凹型钽片托架的叠放实现了同时碳化多个钽片的有益效果，提高了产品碳化效率；同时，每个钽片分开放置在不同的钽片托架上，可通过钽片托架上的标记区分钽片，通过比较碳化前和碳化后钽片的重量可以观察处钽片的碳化是否达标，并将碳化后达到重量要求的钽片视为合格钽片，将其作为生长AlN单晶的衬底材料，保证了AlN单晶的生长质量。
本发明采用的是将钽片外表面包裹通过对其加热得到碳化钽的方法，本发明的钽片托架内壁上布置有凸台，使用时先将碳粉放入钽片托架中，使得碳粉与凸台的上端水平；再将钽片平稳放置于钽片托架的凸台上；最后再在放好后的钽片上盖上一层碳粉，可使得钽片与碳粉充分接触，保证钽片可以得到均匀的碳化。本发明结构简单，操作方便，零部件加工难度低，产品碳化效率高。
2、本发明所用的钽片托架采用了石墨材料，钽片与石墨接触的地方可在高温时与石墨进行反应，避免了钽片与钽片托架处未与碳粉接触而无法碳化的情况，保证了钽片的均匀碳化。
3、本发明的坩埚体由坩埚壳体和坩埚底组成，坩埚体可拆分，便于拆装。
附图说明
图1为具体实施方式一所述的一种能同时碳化多个钽片的装置的结构示意图；
图2为具体实施方式一所述的钽片托架的结构示意图；
图3为具体实施方式二所述的一种能同时碳化多个钽片的装置的结构示意图；
其中，1、坩埚体；2、坩埚上盖；3、钽片托架；4、保温层垫块；5、保温层壳体；6、钽片；7、碳粉；101、坩埚壳体；102、坩埚底；301、凸台。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面通过附图中示出的具体实施例来描述本发明。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本发明的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本发明的概念。
具体实施方式一：参考图1、图2说明本实施方式，本实施方式提出以下技术方案：
一种能同时碳化多个钽片的装置，包括：坩埚体1、坩埚上盖2、钽片托架3、保温层垫块4和保温层壳体5，所述坩埚体1为凹型，其由坩埚壳体101和坩埚底102组成，多个钽片托架3叠放在坩埚体1内，所述钽片托架3为凹型且外壁上刻有编号，钽片托架3内壁上加工有凸台301用于放置钽片6，钽片托架3由石墨材料制成，坩埚上盖2盖在坩埚体1上，使得坩埚体1与坩埚上盖2形成一个密闭结构，所述保温层垫块4与坩埚体1底面积相同，所述坩埚体1放在保温层垫块4上，所述保温层壳体5盖在坩埚体1和坩埚上盖2形成的密闭结构上，所述保温层垫块4和保温层壳体5由保温硬毡制成。
使用时，步骤如下：
一、将碳粉7放入钽片托架3中，使得碳粉7与凸台301的上端水平；
二、测量钽片6的重量并进行记录后，将钽片6平稳放置于钽片托架3的凸台301上；
三、在放好后的钽片6上再盖上一层碳粉7；
四、依次将放好钽片6和碳粉7的钽片托架3放入坩埚体1体内，并盖上坩埚上盖2进行密封，将其放入到保温层壳体4内并盖上保温层上盖板5；
五、将步骤四所得装置放在感应线圈内，对其加热，使钽片在1300℃的碳化温度下，碳化20h；
六、测量碳化后钽片的重量，并与其碳化前的重量进行对比，将达到重量要求的钽片挑选出来，作为合格碳化钽片。
具体实施方式二：参考图3、图2说明本实施方式，本实施方式提出以下技术方案：
一种能同时碳化多个钽片的装置，包括：坩埚体1、坩埚上盖2、钽片托架3、保温层垫块4和保温层壳体5，所述坩埚体1为凹型，多个钽片托架3叠放在坩埚体1内，所述钽片托架3为凹型且外壁上刻有编号，钽片托架3内壁上加工有凸台301用于放置钽片6，钽片托架3由石墨材料制成，坩埚上盖2盖在坩埚体1上，使得坩埚体1与坩埚上盖2形成一个密闭结构，所述保温层垫块4与坩埚体1底面积相同，所述坩埚体1放在保温层垫块4上，所述保温层壳体5盖在坩埚体1和坩埚上盖2形成的密闭结构上，所述保温层垫块4和保温层壳体5由保温硬毡制成。
使用时，步骤如下：
一、将碳粉7放入钽片托架3中，使得碳粉7与凸台301的上端水平；
二、测量钽片6的重量并进行记录后，将钽片6平稳放置于钽片托架3的凸台301上；
三、在放好后的钽片6上再盖上一层碳粉7；
四、依次将放好钽片6和碳粉7的钽片托架3放入坩埚体1体内，并盖上坩埚上盖2进行密封，将其放入到保温层壳体4内并盖上保温层上盖板5；
五、将步骤四所得装置放在感应线圈内，对其加热，使钽片在1300℃的碳化温度下，碳化20h；
六、测量碳化后钽片的重量，并与其碳化前的重量进行对比，将达到重量要求的钽片挑选出来，作为合格碳化钽片。

Claims (7)

1.一种能同时碳化多个钽片的装置，其特征在于，包括：坩埚体(1)、坩埚上盖(2)、钽片托架(3)、保温层垫块(4)和保温层壳体(5)，所述坩埚体(1)为凹型，多个钽片托架(3)叠放在坩埚体(1)内，所述钽片托架(3)为凹型且外壁上刻有编号，钽片托架(3)内壁上加工有凸台(301)，用于放置钽片(6)，坩埚上盖(2)盖在坩埚体(1)上，使得坩埚体(1)与坩埚上盖(2)形成一个密闭结构，所述保温层垫块(4)与坩埚体(1)底面积相同，所述坩埚体(1)放在保温层垫块(4)上，所述保温层壳体(5)盖在坩埚体(1)和坩埚上盖(2)形成的密闭结构上。
2.根据权利要求1所述一种能同时碳化多个钽片的装置，其特征在于，所述钽片托架(3)由石墨材料制成。
3.根据权利要求1所述一种能同时碳化多个钽片的装置，其特征在于，所述坩埚体(1)由坩埚壳体(101)和坩埚底(102)组成。
4.根据权利要求1所述一种能同时碳化多个钽片的装置，其特征在于，所述保温层垫块(4)和保温层壳体(5)由保温硬毡制成。
5.一种基于权利要求1所述装置的能同时碳化多个钽片的方法，其特征在于，步骤为：
一、将碳粉(7)放入钽片托架(3)中，使得碳粉(7)与凸台(301)的上端水平；二、将钽片(6)平稳放置于钽片托架(3)的凸台(301)上；三、在放好后的钽片(6)上再盖上一层碳粉(7)；四、依次将放好钽片(6)和碳粉(7)的钽片托架(3)放入坩埚体(1)体内，并盖上坩埚上盖(2)进行密封，将其放在保温层垫块(4)上，并将保温层壳体(5)盖在坩埚体(1)和坩埚上盖(2)形成的密闭结构上；五、将步骤四所得装置放在感应线圈内，对其加热，使钽片在一定的碳化温度内，碳化一定时间。
6.根据权利要求5所述的一种能同时碳化多个钽片的方法，其特征在于，所述碳化温度为1300℃。
7.根据权利要求6所述的一种能同时碳化多个钽片的方法，其特征在于，碳化的时间为20h。
CN202011078251.3A 2020-10-10 2020-10-10 一种能同时碳化多个钽片的装置及方法 Active CN112159952B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011078251.3A CN112159952B (zh) 2020-10-10 2020-10-10 一种能同时碳化多个钽片的装置及方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011078251.3A CN112159952B (zh) 2020-10-10 2020-10-10 一种能同时碳化多个钽片的装置及方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112159952A CN112159952A (zh) 2021-01-01
CN112159952B true CN112159952B (zh) 2022-07-12

Family

ID=73867963

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011078251.3A Active CN112159952B (zh) 2020-10-10 2020-10-10 一种能同时碳化多个钽片的装置及方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112159952B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113371697A (zh) * 2021-07-22 2021-09-10 常州富烯科技股份有限公司 用于石墨化炉的石墨舟皿、坩埚及石墨烯导热膜制备方法
CN113371705A (zh) * 2021-07-22 2021-09-10 常州富烯科技股份有限公司 用于石墨化炉的石墨坩埚及其制备石墨烯导热膜的方法
CN113846383B (zh) * 2021-09-27 2023-12-01 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 一种用于同时碳化不同尺寸钽坩埚的石墨加热器及使用方法
CN115874279A (zh) * 2023-02-28 2023-03-31 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种在碳化硅上生长氮化铝使用的碳化钽衬底制备方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB840203A (en) * 1957-08-07 1960-07-06 Atomic Energy Commission Improvements in or relating to the coating of tantalum
US5916377A (en) * 1997-04-21 1999-06-29 The Regents Of The University Of California Packed bed carburization of tantalum and tantalum alloy
JP2008081362A (ja) * 2006-09-27 2008-04-10 Kwansei Gakuin タンタルと炭素結合物の製造方法、タンタルと炭素の傾斜組成構造、タンタルチューブとｐｉｔ炭素芯の製造方法、タンタルチューブとｐｉｔ炭素芯、タンタル炭化物配線の製造方法、タンタル炭化物配線
CN101220521A (zh) * 2007-09-28 2008-07-16 中国科学院物理研究所 分体式钽坩埚及其制造方法
JP2010275617A (ja) * 2009-06-01 2010-12-09 Toyo Tanso Kk タンタル容器の浸炭処理方法及びタンタル容器
CN103060744A (zh) * 2013-02-05 2013-04-24 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种超高温度下使用的复合型坩埚的制备方法
CN205873904U (zh) * 2016-06-30 2017-01-11 北京华进创威电子有限公司 一种氮化铝原料的纯化装置
CN106395770A (zh) * 2016-06-30 2017-02-15 北京华进创威电子有限公司 一种氮化铝原料的纯化装置及纯化方法
CN208618006U (zh) * 2018-06-26 2019-03-19 福建北电新材料科技有限公司 一种碳化硅单晶生长装置
CN110129880A (zh) * 2019-04-26 2019-08-16 河北同光晶体有限公司 一种低碳包裹物密度SiC单晶的生长装置及生长方法
CN111411395A (zh) * 2020-05-15 2020-07-14 南通大学 碳化硅晶体生长用石墨坩埚装置及其单晶生长方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1666413B1 (en) * 2003-08-01 2015-12-09 Toyo Tanso Co., Ltd. Tantalum carbide, method for producing tantalum carbide, tantalum carbide wiring and tantalum carbide electrode
US7056383B2 (en) * 2004-02-13 2006-06-06 The Fox Group, Inc. Tantalum based crucible
US8986466B2 (en) * 2009-06-01 2015-03-24 Toyo Tanso Co., Ltd. Method for carburizing tantalum member, and tantalum member
FR3037971B1 (fr) * 2015-06-25 2017-07-21 Commissariat Energie Atomique Procede de traitement d'une piece en tantale ou en un alliage de tantale

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB840203A (en) * 1957-08-07 1960-07-06 Atomic Energy Commission Improvements in or relating to the coating of tantalum
US5916377A (en) * 1997-04-21 1999-06-29 The Regents Of The University Of California Packed bed carburization of tantalum and tantalum alloy
JP2008081362A (ja) * 2006-09-27 2008-04-10 Kwansei Gakuin タンタルと炭素結合物の製造方法、タンタルと炭素の傾斜組成構造、タンタルチューブとｐｉｔ炭素芯の製造方法、タンタルチューブとｐｉｔ炭素芯、タンタル炭化物配線の製造方法、タンタル炭化物配線
CN101220521A (zh) * 2007-09-28 2008-07-16 中国科学院物理研究所 分体式钽坩埚及其制造方法
JP2010275617A (ja) * 2009-06-01 2010-12-09 Toyo Tanso Kk タンタル容器の浸炭処理方法及びタンタル容器
CN103060744A (zh) * 2013-02-05 2013-04-24 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种超高温度下使用的复合型坩埚的制备方法
CN205873904U (zh) * 2016-06-30 2017-01-11 北京华进创威电子有限公司 一种氮化铝原料的纯化装置
CN106395770A (zh) * 2016-06-30 2017-02-15 北京华进创威电子有限公司 一种氮化铝原料的纯化装置及纯化方法
CN208618006U (zh) * 2018-06-26 2019-03-19 福建北电新材料科技有限公司 一种碳化硅单晶生长装置
CN110129880A (zh) * 2019-04-26 2019-08-16 河北同光晶体有限公司 一种低碳包裹物密度SiC单晶的生长装置及生长方法
CN111411395A (zh) * 2020-05-15 2020-07-14 南通大学 碳化硅晶体生长用石墨坩埚装置及其单晶生长方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN112159952A (zh) 2021-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112159952B (zh) 一种能同时碳化多个钽片的装置及方法
US3845738A (en) Vapor deposition apparatus with pyrolytic graphite heat shield
CN107785241B (zh) 一种在硅衬底上制备β-氧化镓薄膜的方法
CN109234798B (zh) 碳化硅单晶的连续长晶方法
CN100550303C (zh) 第ⅲ族氮化物晶体及其制备方法
CN110129885B (zh) 一种碳化硅晶体及其制备方法
CN107829134A (zh) 一种无需籽晶粘接技术的氮化铝单晶生长装置及方法
CN207193434U (zh) 一种提高碳化硅单晶质量的生长坩埚
CN100523315C (zh) 分体式钽坩埚及其制造方法
CN1371433A (zh) 氮化铝外延生长法及所用生长室
CN106698436B (zh) 一种高纯碳化硅粉料的制备方法
US4556436A (en) Method of preparing single crystalline cubic silicon carbide layers
CN102534763A (zh) 一种物理气相沉积法生长大尺寸碳化硅单晶的石墨坩埚及其应用
TW202117107A (zh) 碳化矽晶圓以及碳化矽晶圓之製備方法
CN111411395A (zh) 碳化硅晶体生长用石墨坩埚装置及其单晶生长方法
CN112553694A (zh) 一种碳化硅单晶高温退火的方法及装置
CN110306239A (zh) 一种碳化硅材质籽晶托
CN111819311A (zh) 碳化硅单晶的制造方法
CN102796995A (zh) 制备热解氮化硼制品的气相沉积炉及方法
CN220224440U (zh) 一种碳化硅单晶生长用石墨坩埚结构
CN110079863B (zh) 一种用于晶体生长的反应器
WO2009098997A1 (ja) 炭化ケイ素単結晶の製造方法
TW202346661A (zh) 一種半絕緣砷化鎵單晶體及其製備方法和生長裝置
PL238539B1 (pl) Sposób wytwarzania kryształów węglika krzemu
CN115491759A (zh) 一种用于制备碳化硅单晶的附加粉源容器及坩埚装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant