CN112157371B - 一种亚微米Cu@Ag焊膏及其制备方法 - Google Patents

一种亚微米Cu@Ag焊膏及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种亚微米Cu@Ag焊膏及其制备方法，该制备方法包括：制备亚微米Cu颗粒，所述亚微米Cu颗粒的粒径为100 nm~5000 nm；使用所制备的亚微米Cu颗粒通过“包覆‑增厚”两步法制备Cu@Ag颗粒，通过离心、清洗、烘干获得亚微米Cu@Ag颗粒；在制备Cu@Ag颗粒时，调节溶液的pH值为1~4；制备有机载体；将亚微米Cu@Ag颗粒与有机载体搅拌混合均匀，获得亚微米Cu@Ag焊膏，亚微米Cu@Ag焊膏的固含量为50~95%。采用本发明的技术方案，能满足耐高温、高抗电迁移等要求，实现在较低温度下实现烧结；并具有良好的抗氧化性和分散性，同时解决了纯纳米焊膏在烧结过程中的收缩裂纹问题。

Description

一种亚微米Cu@Ag焊膏及其制备方法
技术领域
本发明属于封装材料技术领域，尤其涉及一种亚微米Cu@Ag焊膏及其制备方法。
背景技术
随着电子科学技术的迅速发展，电子元器件持续的向高功率、小型化不断的发展。尤其在封装领域，随着第三代半导体材料SiC和GaN等的出现，器件需在高温、大电流下服役，这也对芯片互连材料提出了更高的要求。因此，开发新的低温连接、高温服役的封装材料，对第三代半导体的发展及应用具有重大意义。
微纳米材料因其尺寸效应，可在较低温度下进行烧结，并在高温下具有较高的可靠性，被寄予了厚望。目前，纳米银膏是作为低温互连、高温服役热界面材料用于工业领域的较为成功的例子。但是，Ag在服役过程中容易发生电迁移和热迁移，对器件的可靠性存在较大的隐患，并且Ag的价格居高不下，不利于降低器件的成本。此时，具有可媲美银的高导电、高导热金属Cu被认为是可以代替Ag首选材料，Cu不仅成本低，且具有较高的抗迁移能力。但是，在保存和烧结过程中极易与空气中的氧气发生氧化反应，是Cu取代银的过程中的致命弱点。
核壳结构是目前解决铜氧化问题的有效方法之一，尤其是银作为包覆层材料，被广为研究。理想的Cu@Ag既兼顾了铜的低成本，又具有银的抗氧化性能。但是，目前所制备的出来的纳米Cu@Ag颗粒，由于尺寸效应，极易发生团聚，因此导致包覆层不完整，做不到较好防氧化效果。另一方面，纳米Cu@Ag颗粒的制备过程复杂，难以实现大批量生产，也阻碍了其实际应用。
发明内容
针对以上技术问题，本发明公开了一种亚微米Cu@Ag焊膏及其制备方法，该焊膏能代替传统Sn基钎料，并解决原先铜纳米焊膏的易氧化、易团聚和烧结收缩等问题。
对此，本发明采用的技术方案为：
一种亚微米Cu@Ag焊膏的制备方法，其包括以下步骤：
步骤S1，制备亚微米Cu颗粒，所述亚微米Cu颗粒的粒径为100 nm~5000 nm；
步骤S2，制备亚微米Cu@Ag颗粒，使用所制备的亚微米Cu颗粒通过“包覆-增厚”两步法制备Cu@Ag颗粒，通过离心、清洗、烘干获得亚微米Cu@Ag颗粒；在制备Cu@Ag颗粒时，调节溶液的pH值为1~4；
步骤S3，制备有机载体，所述有机载体的成分包括溶剂、增稠剂、分散剂、触变剂和流平剂；
步骤S4，将步骤S2得到的亚微米Cu@Ag颗粒与有机载体搅拌混合均匀，获得亚微米Cu@Ag焊膏，所述亚微米Cu@Ag焊膏的固含量为50~95%。
该方法制备得到的Cu@Ag颗粒尺寸为亚微米，形态规则均匀，且不易发生团聚，具有良好的分散性。在200~300℃烧结温度下烧结，既可以有效的防止铜在烧结过程中发生氧化。采用此技术方案，利用核壳结构解决了Cu的氧化性问题，同时，银含量低，不容易发生电迁移问题。选用亚微米粒径的颗粒，既提高了Cu@Ag的抗氧化性，同时解决了纯纳米焊膏在烧结过程中的收缩裂纹问题。
本技术方案通过两步法通过先制备出包覆层完整Cu@Ag颗粒，然后进行增厚处理，得到完整、均匀和致密的亚微米Cu@Ag颗粒，采用该亚微米Cu@Ag颗粒制备的焊膏，可以在较低的温度下实现在空气中的快速烧结，从而解决铜材料在电子互连中因易氧化、工艺要求苛刻的问题，降低了电子元器件的制造成本，提高元器件的使用可靠性。
进一步优选的，所述亚微米Cu@Ag颗粒的平均粒径为500 nm，这样既可以有效的防止铜在烧结过程中发生氧化，同时保证Cu@Ag焊膏可在较低温度下实现烧结。
作为本发明的进一步改进，步骤S1中，所述亚微米Cu颗粒采用化学还原法制备得到，其中该化学还原反应中所采用的铜的前驱体包括硝酸铜、硫酸铜、氯化铜中的至少一种，还原剂包括乙二醇、抗坏血酸、亚硫酸钠、丙二醇、硼氢化钠、柠檬酸钠、硫酸亚铁中的至少一种，包覆剂包括柠檬酸钠、乙二胺四乙酸、乙二醇二乙醚二胺四乙酸、十二烷基磺酸钠、溴化十二烷基三甲胺、PVP中的至少一种。
作为本发明的进一步改进，步骤S1中，采用化学还原法制备得到亚微米Cu颗粒后，进行离心清洗，清洗3-5次，其中，采用丙酮清洗1~2遍，采用酒精或者去离子水清洗1~3遍，这样可以有效的减薄亚微米Cu颗粒表面的包覆层，控制包覆层的厚度。清洗后，在40~60 ℃下进行真空烘干。进一步的，烘干的时间为20~180 min。进一步优选的，真空烘干的温度为50 ℃。
作为本发明的进一步改进，将步骤S1得到的亚微米Cu颗粒分散在反应溶剂中得到溶液A，将银源分散在反应溶剂中得到溶液B，将还原剂分散在反应溶剂中得到溶液C；将B溶液加入A溶液中，在室温下反应10~40 min，通过置换反应在亚微米Cu颗粒表面包覆一层完整的银壳，即“包覆”过程；然后继续搅拌，在25℃~150℃下进一步反应增厚银壳，使得银壳厚度为50~500 nm，即“增厚”过程。整个制备过程伴随磁力搅拌，转速1000~2000 r/min。优选的，“包覆”过程的时间为20 min，银壳厚度为100 nm，转速为2000 r/min。该方法制备得到的亚微米Cu@Ag颗粒规则均匀，且不易发生团聚，具有良好的分散性。
作为本发明的进一步改进，A溶液、B溶液和C溶液制备过程中，采用超声波搅拌均匀。
作为本发明的进一步改进，整个制备过程伴随磁力搅拌，搅拌的转速为2000 r/min。
作为本发明的进一步改进，步骤S2中，Cu和Ag的原子比为1:1~9:1，可以获得包覆层完整的银壳。
作为本发明的进一步改进，所述银源为硝酸银、氯化银中的至少一种。
作为本发明的进一步改进，所述还原剂为乙二醇、抗坏血酸、亚硫酸钠、丙二醇、硼氢化钠、柠檬酸钠、硫酸亚铁中的一种或两种以上的混合物。
作为本发明的进一步改进，所述反应溶剂为去离子水、乙二醇、甲醇、乙醇中的一种或几种混合溶液。
作为本发明的进一步改进，A溶液、B溶液和C溶液的反应溶剂相同。
作为本发明的进一步改进，A溶液的pH值为1~4，采用此技术方案，可以去除亚微米Cu颗粒表面的氧化物和包覆层。进一步的，采用盐酸、硫酸、甲酸或乙酸调节pH值。优选的，调节pH值为2，优选甲酸进行调节。
作为本发明的进一步改进，步骤S3的有机载体中，溶剂、增稠剂、分散剂、触变剂和流平剂所占的重量百分比分别为：80~95 wt.%、1~10 wt.%、5~10 wt.%、1~5 wt.%；
所述溶剂为α-松油醇、乙醇、乙二醇、丙二醇、聚乙二醇400、丁基卡比醇、甲苯、二甲苯、苯酚或者乙酸戊酯中的至少一种；
所述增稠剂为乙基纤维素或聚乙烯醇；
所述分散剂为乙酸乙酯、鱼油或大豆卵磷脂；
所述消泡剂型号为GP330。
优选的，溶剂为α-松油醇，含量为82 wt.%；增稠剂为乙基纤维素，含量为6 wt.%；分散剂为乙酸乙酯，含量为8 wt.%；消泡剂GP330含量为4 wt.%。其中乙基纤维素通过水浴加热辅助磁力搅拌的方式溶于α-松油醇中，温度控制在60~90℃，此含量配比的有机溶剂具有合适的粘度和挥发速率。
本发明还公开了一种亚微米Cu@Ag焊膏，其采用如上任意一项所述的亚微米Cu@Ag焊膏的制备方法制备得到。
本发明还公开了一种低温烧结互连的封装方法，其包括以下步骤：
步骤S10，将所述的亚微米Cu@Ag焊膏通过点胶或者印刷的方法涂覆于表面金属化陶瓷或金属基板的待封接部位；
步骤S20，将经过步骤S10处理之后的基板置于烘箱中进行排胶处理；
步骤S30，将需要连接的芯片置于经过步骤S20处理的基板之上，使用热压、超声波辅助或激光加热的方式进行封接。
其中，所述表面金属化陶瓷或金属基板可为表面金属化Al2O3陶瓷、可伐合金、碳钢、不锈钢、铝合金、铝硅合金、铜合金、金、银、铜或镍等。目前电子制造业中封装壳体表面金属化处理多以金、银、铜为主，如镀银处理、化学镀镍金（ENIG）、化学镀镍钯浸金（ENEPIG），而基板材料多见Al2O3陶瓷覆铜（DBC）、镀银处理、可伐合金，因此基于本发明的采用亚微米（即微纳米）复合银膏的气密性封装方法具有普适性。
作为本发明的进一步改进，步骤S2中，所述排胶处理中，以2~10 ℃/min的加热速率升温至50~80 ℃，保温5~30 min，排胶过程可使用热板、干燥箱或带速炉。
作为本发明的进一步改进，步骤S3中，所述热压可采用快速热压机进行，所述热压的温度为200~300 ℃，辅助压力为5~20 MPa，烧结时间为5~30 min。
作为本发明的进一步改进，步骤S3中，采用超声辅助封接时，将超声压头置于盖板上，超声辅助的同时施加压力。
作为本发明的进一步改进，步骤S3中，所述激光加热可采用配套红外热成像仪的激光点焊机。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：
采用本发明的技术方案的亚微米Cu@Ag焊膏，满足了第三代半导体对封接材料提出的耐高温、高抗电迁移等要求。选择亚微米尺度的粒径，既保证了良好的抗氧化性和分散性，同时解决了纯纳米焊膏在烧结过程中的收缩裂纹问题。另外，通过调节制备过程的pH值和采用“包覆-增厚”两步法制备出包覆层完整、均匀的Cu@Ag颗粒，提高了其抗氧化性。表面的银壳形成纳米结构，保证其在较低温度下实现烧结。
本发明技术方案的亚微米Cu@Ag焊膏可实现空气下亚微米Cu@Ag焊膏的封接工艺，方法简单可行；能够良好的匹配现有的产线、设备及工艺，推广阻力小，降低加工成本，满足第三代半导体的封接要求。
附图说明
图1为本发明实施例1中所制备的亚微米Cu@Ag的XRD图。
图2为本发明实施例1中所制备的亚微米Cu@Ag的SEM图。
图3为本发明实施例1中所制备的亚微米Cu@Ag的线扫图。
图4为本发明对比例1中所制备的亚微米Cu@Ag的SEM图。
具体实施方式
下面对本发明的较优的实施例作进一步的详细说明。
实施例1
一种用于电子封装低温烧结互连的亚微米Cu@Ag焊膏，其采用以下步骤制备：
步骤S1：使用化学还原法进行亚微米Cu颗粒的制备；所得的亚微米颗粒进行离心、清洗，其中丙酮清洗2遍，酒精清洗3遍。
步骤S2：选择反应溶剂和还原剂为乙二醇，亚微米Cu@Ag颗粒的制备，使用所制备的亚微米Cu颗粒通过“包覆-增厚”两步法制备Cu@Ag颗粒，“包覆”过程温度控制在25 ℃，“增厚”过程温度控制在135℃。在反应过程中，使用甲酸将A溶液的pH值调节为2。然后，通过离心、清洗、烘干获得亚微米Cu@Ag颗粒。
步骤S3：制备α-松油醇含量为82 wt.%、乙基纤维素含量为6 wt.%、乙酸乙酯含量为8 wt.%、GP330含量为4 wt.%的有机载体。
步骤S4：将制备得到的亚微米Cu@Ag颗粒置于混膏灌中，加入一定量的有机载体，通过机械搅拌混合均匀，获得固含量在90 %的亚微米Cu@Ag焊膏。
本实施例得到的亚微米Cu@Ag的XRD图如图1所示，SEM图如图2所示，线扫图如图3所示。可见，本实施例得到的亚微米Cu@Ag颗粒尺寸为亚微米，表面完整、形态规则均匀；包覆层的厚度约100nm。
采用上述制备得到的亚微米Cu@Ag焊膏进行焊接试验，包括：
步骤S5：通过印刷的方法将制备得到的亚微米Cu@Ag焊膏涂覆于待封接基板上，其中的基板与芯片均为铜镀银材料；
步骤S6：将印刷好的基板置于烘箱中进行排胶处理，排胶过程中温度曲线为以5℃/min的加热速率升温至50 ℃，保温30 min。
步骤S7：将待芯片放在待封接基板之上，形成三明治结构。使用热压的方法进行封接，热压工艺为辅助压力10 MPa，250 ℃保温30 min。
所得三明治结构的剪切强度为78 MPa，判断合格。经过-40~150℃，高低温10 min，200循环的热冲击试验之后，剪切强度64 MPa，判断合格。检测结果表明，亚微米Cu@Ag焊膏采用快速热压的方法用于镀银铜材料的器件封装时，具有良好的机械强度和可靠性。
实施例2
一种用于电子封装低温烧结互连的亚微米Cu@Ag焊膏，其采用以下步骤制备：
步骤S1：使用化学还原法进行亚微米Cu颗粒的制备；所得的亚微米颗粒进行离心、清洗，其中丙酮清洗2遍，去离子水清洗3遍。
步骤S2：选择反应溶剂为去离子水，还原剂为硼氢化钠，使用所制备的亚微米Cu颗粒通过“包覆-增厚”两步法制备Cu@Ag颗粒，整个包覆过程温度控制在为25℃。在反应过程中，使用盐酸将A溶液的ph调为1。然后，通过离心、清洗、烘干获得亚微米Cu@Ag颗粒。
步骤S3：制备α-松油醇含量为82 wt.%、乙基纤维素含量为6 wt.%、乙酸乙酯含量为8 wt.%、GP330含量为4 wt.%的有机载体。
步骤S4：将制备得到的亚微米Cu@Ag颗粒置于混膏灌中，加入一定量的有机载体，通过行机械搅拌混合均匀，获得固含量在75 %亚微米Cu@Ag焊膏。
采用上述制备得到的亚微米Cu@Ag焊膏进行焊接试验，包括：
步骤S5：通过印刷的方法将制备得到的亚微米Cu@Ag焊膏涂覆于待封接基板上，其中的基板与芯片均为铜材料；
步骤S6：将印刷好的基板置于烘箱中进行排胶处理，排胶过程中温度曲线为以5℃/min的加热速率升温至50 ℃，保温60 min。
步骤S7：将待芯片放在待封接基板之上，形成三明治结构。使用热压的方法进行封接，热压工艺为辅助压力15 MPa，250 ℃保温30min。
所得三明治结构的剪切强度为85 MPa，判断合格。经过-40~150℃，高低温10 min，200循环的热冲击试验之后，剪切强度52 MPa，判断合格。检测结果表明，亚微米Cu@Ag焊膏采用快速热压的方法用于铜材料的器件封装时，具有良好的机械强度和可靠性。
实施例3
一种用于电子封装低温烧结互连的亚微米Cu@Ag焊膏，其采用以下步骤制备：
步骤S1：使用化学还原法进行亚微米Cu颗粒的制备；所得的亚微米颗粒进行离心、清洗，其中丙酮清洗2遍，去离子水清洗3遍。
步骤S2：选择反应溶剂为去离子水，还原剂为硼氢化钠，使用所制备的亚微米Cu颗粒通过“包覆-增厚”两步法制备Cu@Ag颗粒，整个包覆过程温度控制在为25℃。在反应过程中，使用盐酸将A溶液的ph调为4。然后，通过离心、清洗、烘干获得亚微米Cu@Ag颗粒。
步骤S3：制备α-松油醇含量为86 wt.%、乙基纤维素含量为4 wt.%、乙酸乙酯含量为8 wt.%、GP330含量为2 wt.%的有机载体。
步骤S4：将制备得到的亚微米Cu@Ag颗粒置于混膏灌中，加入一定量的有机载体，通过行机械搅拌混合均匀，获得固含量在65 %亚微米Cu@Ag焊膏。
采用上述制备得到的亚微米Cu@Ag焊膏进行焊接试验，包括：
步骤S5：通过点胶的方法将制备得到的亚微米Cu@Ag焊膏涂覆于待封接基板上，其中的基板与芯片均为氧化铝镀银材料；
步骤S6：将印刷好的基板置于烘箱中进行排胶处理，排胶过程中温度曲线为以5℃/min的加热速率升温至70 ℃，保温60 min。
步骤S7：将待芯片放在待封接基板之上，形成三明治结构。使用超声辅助的方法进行封接，超声频率为35 kHz，功率为230 W，作用时间为30 s。辅助压力4 MPa，预热温度150℃。
所得三明治结构的剪切强度为80 MPa，判断合格。经过-40~150℃，高低温10 min，200循环的热冲击试验之后，剪切强度56 MPa，判断合格。检测结果表明，亚微米Cu@Ag焊膏采用快速热压的方法用于氧化铝镀银材料的器件封装时，具有良好的机械强度和可靠性。
对比例1
一种用于电子封装低温烧结互连的亚微米Cu@Ag焊膏，其采用以下步骤制备：
1：使用化学还原法进行亚微米Cu颗粒的制备；所得的亚微米颗粒进行离心、清洗，其中丙酮清洗2遍，酒精清洗3遍。
2：选择反应溶剂和还原剂为乙二醇，亚微米Cu@Ag颗粒的制备，使用所制备的亚微米Cu颗粒通过“包覆-增厚”两步法制备Cu@Ag颗粒，“包覆”过程温度控制在25 ℃，“增厚”过程温度控制在135℃。反应过程中不使用酸对A溶液进行pH值调节。然后，通过离心、清洗、烘干获得亚微米Cu@Ag颗粒。
3：制备α-松油醇含量为82 wt.%、乙基纤维素含量为6 wt.%、乙酸乙酯含量为8wt.%、GP330含量为4 wt.%的有机载体。
4：将制备得到的亚微米Cu@Ag颗粒置于混膏灌中，加入一定量的有机载体，通过机械搅拌混合均匀，获得固含量在90 %的亚微米Cu@Ag焊膏。
采用上述制备得到的亚微米Cu@Ag焊膏进行焊接试验，包括：
5：通过印刷的方法将制备得到的亚微米Cu@Ag焊膏涂覆于待封接基板上，其中的基板与芯片均为铜镀银材料；
6：将印刷好的基板置于烘箱中进行排胶处理，排胶过程中温度曲线为以5 ℃/min的加热速率升温至50 ℃，保温30 min。
7：将待芯片放在待封接基板之上。使用热压的方法进行封接，热压工艺为辅助压力10 MPa，250 ℃保温30 min。
该方法制备得到的亚微米Cu@Ag颗粒的SEM图如图4所示，可见，此对比例得到的Cu@Ag颗粒不具备完整的银壳。因为亚微米Cu颗粒在制备过程中，在其表面会形成Cu的氧化物和包覆层。氧化物和包覆层阻碍了“包覆”过程中Cu与银源发生的置换反应，因此不能在Cu颗粒表面形成完整的银壳，进而导致“增厚”过程中被还原出来的银不会在银壳表面继续沉积而是自行形核长大形成纳米Ag颗粒。该亚微米Cu@Ag颗粒所制备的焊膏抗氧化性差，在空气下进行烧结获得的互连接头几乎不具有强度。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种亚微米Cu@Ag焊膏的制备方法，其特征在于：其包括以下步骤：
步骤S1，制备亚微米Cu颗粒，所述亚微米Cu颗粒的粒径为100 nm~5000 nm；
步骤S2，使用所制备的亚微米Cu颗粒通过“包覆-增厚”两步法制备Cu@Ag颗粒，通过离心、清洗、烘干获得亚微米Cu@Ag颗粒；
在制备Cu@Ag颗粒时，调节溶液的pH值为1~4；
步骤S3，制备有机载体，所述有机载体的成分包括溶剂、增稠剂、分散剂、触变剂和流平剂；
步骤S4，将步骤S2得到的亚微米Cu@Ag颗粒与有机载体搅拌混合均匀，获得亚微米Cu@Ag焊膏，所述亚微米Cu@Ag焊膏的固含量为50~95%；
步骤S2包括：将步骤S1得到的亚微米Cu颗粒分散在反应溶剂中得到溶液A，将银源分散在反应溶剂中得到溶液B，将还原剂分散在反应溶剂中得到溶液C；
将B溶液加入A溶液中，在室温下反应10~40 min，通过置换反应在亚微米Cu颗粒表面包覆一层完整的银壳；然后继续搅拌，在25℃~150℃下进一步反应增厚银壳，使得银壳厚度为50~500 nm。
2.根据权利要求1所述的亚微米Cu@Ag焊膏的制备方法，其特征在于：步骤S1中，所述亚微米Cu颗粒采用化学还原法制备得到，其中该化学还原反应中所采用的铜的前驱体包括硝酸铜、硫酸铜、氯化铜中的至少一种，还原剂包括乙二醇、抗坏血酸、亚硫酸钠、丙二醇、硼氢化钠、柠檬酸钠、硫酸亚铁中的至少一种，包覆剂包括柠檬酸钠、乙二胺四乙酸、乙二醇二乙醚二胺四乙酸、十二烷基磺酸钠、溴化十二烷基三甲胺、PVP中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的亚微米Cu@Ag焊膏的制备方法，其特征在于：步骤S1中，采用化学还原法制备得到亚微米Cu颗粒后，进行离心清洗，清洗3-5次，其中，采用丙酮清洗1~2遍，采用酒精或者去离子水清洗1~3遍；清洗后，在40~60 ℃下进行真空烘干。
4.根据权利要求1所述的亚微米Cu@Ag焊膏的制备方法，其特征在于：步骤S2中，Cu和Ag的原子比为1:1~9:1。
5.根据权利要求4所述的亚微米Cu@Ag焊膏的制备方法，其特征在于：所述银源为硝酸银、氯化银中的至少一种；
所述还原剂为乙二醇、抗坏血酸、亚硫酸钠、丙二醇、硼氢化钠、柠檬酸钠、硫酸亚铁中的一种或两种以上的混合物；
所述反应溶剂为去离子水、乙二醇、甲醇、乙醇中的一种或几种混合溶液；
A溶液、B溶液和C溶液的反应溶剂相同。
6.根据权利要求1所述的亚微米Cu@Ag焊膏的制备方法，其特征在于：调节A溶液的pH值为1~4。
7.根据权利要求1~6任意一项所述的亚微米Cu@Ag焊膏的制备方法，其特征在于：步骤S3的有机载体中，溶剂、增稠剂、分散剂、触变剂和流平剂所占的重量百分比分别为：80~95wt.%、1~10 wt.%、5~10 wt.%、1~5 wt.%；
所述溶剂为α-松油醇、乙醇、乙二醇、丙二醇、聚乙二醇400、丁基卡比醇、甲苯、二甲苯、苯酚或者乙酸戊酯中的至少一种；
所述增稠剂为乙基纤维素或聚乙烯醇；
所述分散剂为乙酸乙酯、鱼油或大豆卵磷脂。
8.一种亚微米Cu@Ag焊膏，其特征在于：其采用如权利要求1~7任意一项所述的亚微米Cu@Ag焊膏的制备方法制备得到。
9.一种电子元件低温烧结互连的封装方法，其特征在于：其包括以下步骤：
步骤S10，将如权利要求8所述的亚微米Cu@Ag焊膏通过点胶或者印刷的方法涂覆于表面金属化陶瓷或金属基板的待封接部位；
步骤S20，将经过步骤S10处理之后的基板置于烘箱中进行排胶处理；
步骤S30，将需要连接的芯片置于经过步骤S20处理的基板之上，使用热压、超声波辅助或激光加热的方式进行封接。
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