CN112151530A - 电子部件模块、电子部件单元及电子部件模块的制造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 118
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims abstract description 55
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 87
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 87
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 16
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 claims description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 82
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 82
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 5
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000002470 thermal conductor Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
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Abstract
本发明提供一种电子部件模块、电子部件单元及电子部件模块的制造方法。第2端子电极在电位上与第1端子电极独立。第2电子部件以第1面与基板对置的状态安装于基板。导热部设置在第2电子部件的第2面,使得与第1端子电极以及第2端子电极的双方连接。散热部经由第1端子电极以及第2端子电极和导热部而与基板连接。
Description
技术领域
本发明涉及电子部件模块、电子部件单元以及电子部件模块的制造方法。
背景技术
作为公开了电子部件模块的结构的在先技术,有日本特开2018-88460号公报。专利文献1所记载的电子部件模块具备布线基板、电子部件、密封树脂层、外部端子电极、第1屏蔽层、和第2屏蔽层。
布线基板具有一个主面和另一个主面。电子部件安装在一个主面。密封树脂层对一个主面和电子部件进行了密封。第1屏蔽层包覆布线基板以及密封树脂层中的外部端子电极的配置面以外的面。第2屏蔽层包覆外部端子电极的配置面以将外部端子电极隔离。
在安装于布线基板的作为电子部件的安装部件包含CPU(Central ProcessingUnit,中央处理单元)或者功率放大器等发热元件的情况下,发热元件自身或者配置于发热元件的近处的其他电子部件的电特性有时受到由发热元件产生的热的影响而劣化。特别是,在这些安装部件被树脂层密封的情况下,热的影响变大。为了对来自发热元件的热进行导热而使其散热,有时在发热元件的顶面设置散热器。在该情况下,由于发热元件的发热量大、或者电子部件模块被薄型化,有时不能由散热器充分地散热。此外,根据发热元件的种类,还存在如下情况,即,在发热元件的顶面不设置散热器。
发明内容
本发明的主要目的在于,提供一种电子部件模块及其制造方法,即使在发热元件的发热量大的情况、电子部件模块被薄型化的情况、或者在发热元件的顶面不设置散热器的情况下,也能够使由发热元件产生的热有效地散热,抑制发热元件自身或者配置于发热元件的近处的其他电子部件的电特性的劣化。此外,提供一种能够利用于该电子部件模块及其制造方法的电子部件单元。
基于本发明的第1方式的电子部件模块具备基板、第1电子部件、第2电子部件、导热部、和散热部。第1电子部件为发热元件,且安装于基板。第2电子部件包含坯体、第1端子电极和第2端子电极。坯体具有第1面以及位于与上述第1面相反侧的第2面。第1端子电极从上述第1面连续地设置到上述第2面。第2端子电极从上述第1面连续地设置到上述第2面,且在电位上与第1端子电极独立。第2电子部件以上述第1面与基板对置的状态安装于基板。导热部设置在第2电子部件的第2面,使得与第1端子电极以及第2端子电极的双方连接。散热部经由第1端子电极以及第2端子电极和导热部而与基板连接。
基于本发明的第2方式的电子部件单元具备电子部件、和导热部。电子部件包含坯体、第1端子电极和第2端子电极。坯体具有第1面以及位于与上述第1面相反侧的第2面。第1端子电极从上述第1面连续地设置到上述第2面。第2端子电极从上述第1面连续地设置到上述第2面,且在电位上与第1端子电极独立。导热部设置在电子部件的第2面,使得在保持第1端子电极和第2端子电极在电位上相互独立的状态的同时与第1端子电极以及第2端子电极的双方连接。
基于本发明的第3方式的电子部件模块的制造方法具备:将第1电子部件安装于基板的工序,该第1电子部件为发热元件;以第1面与基板对置的状态将第2电子部件安装于基板的工序,该第2电子部件包含坯体、第1端子电极和第2端子电极,该坯体具有第1面以及位于与上述第1面相反侧的第2面,该第1端子电极从上述第1面连续地设置到上述第2面,该第2端子电极从上述第1面连续地设置到上述第2面且在电位上与第1端子电极独立,并且导热部设置在第2面以使得与第1端子电极以及第2端子电极的双方连接;和设置散热部的工序,该散热部经由第1端子电极以及第2端子电极和导热部而与基板连接。
本发明的上述以及其他目的、特征、方式以及优点根据与添加的附图关联地理解的本发明有关的如下的详细说明将变得明确。
附图说明
图1是示出本发明的实施方式1涉及的电子部件模块的结构的俯视图。
图2是从图1的电子部件模块的II-II线箭头方向观察的剖视图。
图3是示出本发明的实施方式1涉及的电子部件单元的结构的主视图。
图4是示出在本发明的实施方式1涉及的电子部件模块的制造方法中在基板的一个主面上分别安装了第1电子部件以及第2电子部件的状态的侧视图。
图5是示出在本发明的实施方式1涉及的电子部件模块的制造方法中在基板的一个主面上分别安装了第1电子部件以及第2电子部件的状态的侧视图。
图6是示出在本发明的实施方式1涉及的电子部件模块的制造方法中在基板的一个主面上设置了树脂部的状态的侧视图。
图7是示出在本发明的实施方式1涉及的电子部件模块的制造方法中从与基板侧相反侧对树脂部进行了研削的状态的侧视图。
图8是示出本发明的实施方式1涉及的电子部件模块中的导热路径的剖视图。
图9是将图8的IX部进行扩大示出的剖视图。
图10是示出未设置导热部的比较例1涉及的电子部件模块的结构的立体图。
图11是示出在第1电子部件的附近配置了一个实施方式1涉及的电子部件单元的、实施例1涉及的电子部件模块的结构的立体图。
图12是将图11的电子部件模块的XII部扩大示出的立体图。
图13是示出在第1电子部件的附近配置了两个实施方式1涉及的电子部件单元以使得沿导热部的长边方向排列的、实施例2涉及的电子部件模块的结构的立体图。
图14是示出在第1电子部件的附近配置了两个实施方式1涉及的电子部件单元以使得沿导热部的短边方向排列的、实施例3涉及的电子部件模块的结构的立体图。
图15是示出在第1电子部件的附近配置了三个实施方式1涉及的电子部件单元的、实施例4涉及的电子部件模块的结构的立体图。
图16是示出在第1电子部件的附近配置了一个第1变形例涉及的电子部件单元的、实施例5涉及的电子部件模块的结构的立体图。
图17是将图16的电子部件模块的XVII部扩大示出的立体图。
图18是示出在制造第1变形例涉及的电子部件单元时在第2电子部件上搭载导热部的状态的主视图。
图19是示出第1变形例涉及的电子部件单元的结构的主视图。
图20是示出设置了直径为250μm的销的比较例2涉及的电子部件模块的结构的立体图。
图21是示出设置了直径为300μm的销的比较例3涉及的电子部件模块的结构的立体图。
图22是示出第2变形例涉及的电子部件模块的结构的剖视图。
图23是示出第3变形例涉及的电子部件模块的结构的剖视图。
图24是示出第4变形例涉及的电子部件模块的结构的剖视图。
图25是示出第5变形例涉及的电子部件单元的结构的主视图。
图26是示出第6变形例涉及的电子部件单元的结构的主视图。
图27是示出第7变形例涉及的电子部件单元的结构的主视图。
图28是示出第8变形例涉及的电子部件单元的结构的主视图。
图29是示出第9变形例涉及的电子部件单元的结构的主视图。
图30是示出第10变形例涉及的电子部件单元的结构的主视图。
图31是示出第11变形例涉及的电子部件单元的结构的主视图。
图32是示出第12变形例涉及的电子部件单元的结构的主视图。
图33是示出第13变形例涉及的电子部件单元的结构的立体图。
图34是示出第14变形例涉及的电子部件单元的结构的立体图。
图35是示出第14变形例涉及的电子部件单元的结构的主视图。
图36是示出第15变形例涉及的电子部件单元的结构的主视图。
图37是从导热部侧观察第16变形例涉及的电子部件单元的结构而示出的分解立体图。
图38是从第2电子部件侧观察第16变形例涉及的电子部件单元的结构而示出的分解立体图。
图39是示出本发明的实施方式2涉及的电子部件模块的结构的剖视图。
具体实施方式
以下,参照图对本发明的各实施方式涉及的电子部件模块、电子部件单元、以及电子部件模块的制造方法进行说明。在以下的实施方式的说明中,对于图中的相同或者相应部分标注相同的附图标记,不重复其说明。
(实施方式1)
图1是示出本发明的实施方式1涉及的电子部件模块的结构的俯视图。图2是从图1的电子部件模块的II-II线箭头方向观察的剖视图。图3是示出本发明的实施方式1涉及的电子部件单元的结构的主视图。
如图1以及图2所示,本发明的实施方式1涉及的电子部件模块100具备基板110、第1电子部件120、第2电子部件130、130b、树脂部150、导热部140、140b、140p、和散热部160。在图1中,树脂部150以及散热部160未图示。此外,在图1中,仅图示了安装于基板110的多个电子部件之中的一部分的电子部件。
基板110例如是由低温同时烧成陶瓷或者玻璃环氧树脂等形成的多层印刷基板。在基板110的一个主面形成有多个表面电极111。在基板110的另一个主面形成有多个背面电极112。在基板110的内部形成有未图示的接地电极、多个种类的布线电极、以及多个过孔导体。接地电极形成为从基板110的侧面露出,且与散热部160电连接。
表面电极111、背面电极112、接地电极以及布线电极各自由Cu或者Al等电传导率高的金属形成。过孔导体由Ag或者Cu等电传导率高的金属形成。也可以在表面电极111以及背面电极112分别实施Ni镀覆以及Au镀覆的两层镀覆等镀覆处理。
在本实施方式中,第1电子部件120以及第2电子部件130、130b分别安装在基板110的一个主面上。即,第1电子部件120以及第2电子部件130、130b分别通过导电性接合部170而与对应的表面电极111连接。导电性接合部170例如为无铅焊料。
如图2所示,在本实施方式中,第1电子部件120和第2电子部件130通过设置于基板110的表面的布线图案而相互电连接。在设置于基板110的表面的布线图案中包含表面电极111。第1电子部件120和第2电子部件130也可以通过设置于基板110的内部的布线图案而相互电连接。在设置于基板110的内部的布线图案中包含接地电极、多个种类的布线电极、以及多个过孔导体。
即,第1电子部件120和第2电子部件130可以通过设置于基板110的表面以及内部的至少一方的布线图案而相互电连接。该布线图案还作为导热路径发挥功能。
第1电子部件120为由于自身的动作而发热的发热元件,安装于基板110。在本实施方式中,第1电子部件120为有源部件。第1电子部件120例如为功率管理IC(IntegratedCircuit,集成电路)等半导体IC芯片。电子部件模块100可以具备多个第1电子部件120。
如图3所示,第2电子部件130包含坯体131、第1端子电极132以及第2端子电极133。坯体131具有第1面131m1以及位于与第1面131m1相反侧的第2面131m2。
第1端子电极132从第1面131m1连续地设置到第2面131m2。第1端子电极132设置为覆盖坯体131的长边方向的一侧的端部的外表面。第2端子电极133从第1面131m1连续地设置到第2面131m2。第2端子电极133设置为覆盖坯体131的长边方向的另一侧的端部的外表面。
另外,第1端子电极132以及第2端子电极133各自只要是从第1面131m1电连续地设置到第2面131m2且第1面131m1侧和第2面131m2侧成为相同电位的结构即可,无需一定是剖面为C字状的形状。例如,第1端子电极132以及第2端子电极133各自也可以是设置于第1面131m1的表面电极和设置于第2面131m2的表面电极通过穿过坯体131内的过孔导体而相互连接的结构。不过,从在作为导热路径的特性方面优异的角度出发,优选第1端子电极132以及第2端子电极133各自为如在本实施方式中示出的端面电极型的端子电极。
如图2以及图3所示,第2电子部件130以第1面131m1与基板110对置的状态安装于基板110。
在本实施方式中,第2电子部件130为无源部件。第2电子部件130为芯片电感器、芯片电容器或者芯片电阻等芯片部件,例如为层叠陶瓷电容器。电子部件模块100具备多个第2电子部件130。
在第2电子部件130中,电感器、电容器或者电阻等电子部件要素内置于坯体131。通过电子部件要素的一端与第1端子电极132连接,电子部件要素的另一端与第2端子电极133连接,从而电子部件要素串联连接在第1端子电极132与第2端子电极133之间。因而,如后述那样,在导热部140与第1端子电极132以及第2端子电极133的双方连接时,只要第1端子电极132和第2端子电极133不经由导热部140短路,第1端子电极132和第2端子电极133就能够保持在电位上相互独立的状态。
第2电子部件130b与第2电子部件130相比,仅在芯片尺寸小这一点上不同,除此之外具有与第2电子部件130同样的结构。因而,对第2电子部件130进行说明的结构也能够同样地应用于第2电子部件130b。
如图2所示,树脂部150设置在基板110上,使得至少埋入第1电子部件120。在本实施方式中,树脂部150设置在基板110的一个主面上。第1电子部件120以及第2电子部件130、130b分别埋设在树脂部150中。树脂部150由环氧树脂等一般用作密封树脂的树脂形成。树脂部150的热传导率例如为0.3W/m·K,在0.4W/m·K以下。另外,在电子部件模块100具备对基板110、第1电子部件120、第2电子部件130、130b、导热部140、140b、140p和散热部160进行容纳的金属制的容纳壳的情况下,不一定必须设置树脂部150。
如图2以及图3所示,导热部140包含与树脂部150相比热传导率高的高热传导构件,并设置为与第1端子电极132以及第2端子电极133的双方连接。另外,在电子部件模块100不具备树脂部150的情况下,高热传导构件的热传导率只要比包含一般的密封树脂的热传导率的范围的上限即0.4W/m·K高即可。即,高热传导构件只要具有比一般的密封树脂高的热传导性即可。
在本实施方式中,导热部140由热传导率高、被添加了具有电绝缘性的填料的具有电绝缘性的树脂形成。填料由SiO2、BaTiO3、Al2O3等氧化物、或者AlN等氮化物构成。这些填料为绝缘性填料,但也可以包含能够确保第1端子电极132与第2端子电极133之间的绝缘性的范围内的含有量的、银或者铜等导电性填料。树脂例如为环氧树脂。导热部140的热传导率例如为0.8W/m·K。在本实施方式中,上述填料成为高热传导构件。
导热部140通过将包含上述的填料的树脂膏涂敷在第2电子部件130上并使其固化而形成。其结果,如图2以及图3所示,在第2电子部件130的与基板110侧相反侧,即,在第2电子部件130的第2面131m2侧,导热部140分别与第1端子电极132、第2端子电极133、以及位于第1端子电极132和第2端子电极133之间的部分的坯体131相接。即,导热部140分别与第1端子电极132、第2端子电极133、以及坯体131的第2面131m2相接。
如图3所示,通过在第2电子部件130的第2面131m2设置导热部140,使得第2电子部件130的第1端子电极132和第2端子电极133相互电绝缘,即,使得在保持第1端子电极132和第2端子电极133在电位上相互独立的状态的同时与第1端子电极132以及第2端子电极133的双方连接,从而构成了电子部件单元10。
导热部140b、140p与导热部140的不同仅在于形状以及尺寸,除此之外具有与导热部140同样的结构。因而,对导热部140进行说明的结构也能够同样地应用于导热部140b、140p。
具体地,导热部140具有与一个第2电子部件130对应的形状以及尺寸。导热部140具有平面尺寸与第2电子部件130大致同等的长方体形状。导热部140b具有与一个第2电子部件130b对应的形状以及尺寸。关于第2电子部件130以及第2电子部件130b的尺寸,例如,长边方向的长度为0.4mm以上且1.6mm以下,短边方向的宽度为0.2mm以上且0.8mm以下,高度方向的高度为0.2mm以上且0.8mm以下。
导热部140p具有与多个第2电子部件130对应的形状以及尺寸。如图2所示,在一个导热部140p分别连接有两个第2电子部件130中的第1端子电极132以及第2端子电极133。这样,通过多个第2电子部件130之中的两个以上的第2电子部件130中的、第1端子电极132以及第2端子电极133分别与一个导热部140p连接,从而构成了电子部件单元10p。
例如,通过将长边方向的长度为0.6mm以下、短边方向的宽度为0.3mm以下、且高度方向的高度为0.3mm以下的多个小型尺寸的第2电子部件130连接于一个导热部140p来构成电子部件单元10p,从而能够容易地进行将小型尺寸的第2电子部件130安装于基板110时的操作。
如图1以及图2所示,通过作为带导热部的电子部件的电子部件单元10、10p配置在第1电子部件120的附近,从而能够在发热元件的近处设置导热路径,因此能够提高电子部件模块100的散热性。此外,如果配置在第1电子部件120的近处的电子部件单元10、10p与配置在第1电子部件120的远处的电子部件单元10、10p相比尺寸大,则能够在发热元件的近处确保大的导热路径,因此能够使电子部件模块100的散热性进一步提高。即,通过调整导热性相同或不同的电子部件单元的配置位置以及排列方向,从而能够控制导热路径的长度以及方向。
如图2所示,散热部160经由第1端子电极132以及第2端子电极133和导热部140、140p而与基板110连接。散热部160设置为覆盖树脂部150以及导热部140、140b、140p。在本实施方式中,在树脂部150的顶面露出导热部140、140b、140p,导热部140、140b、140p和散热部160直接地相接。
在本实施方式中,散热部160由导电膜构成。散热部160与树脂部150相比热传导率高。散热部160由Cu、Ag或者A1等导电性材料形成。
如上述那样,散热部160与基板110的接地电极电连接。散热部160还作为电磁屏蔽发挥功能,该电磁屏蔽不仅用于抑制从外部设备辐射的电磁波给电子部件模块100的第1电子部件120、第2电子部件130以及布线电极等带来影响,而且还用于抑制电磁波从电子部件模块100向外部泄漏。另外,散热部160不限于如屏蔽或者接地那样的面积大的金属薄膜,例如,可以包含金属散热片、散热器、热导管或者散热风扇这样的散热元件、或者其组合。
在此,对本发明的实施方式1涉及的电子部件模块100的制造方法进行说明。
首先,准备在一个主面形成了多个表面电极111且在另一个主面形成了多个背面电极112,并且在内部形成了接地电极、多个种类的布线电极以及多个过孔导体等的基板110。表面电极111、背面电极112、接地电极以及布线电极分别通过丝网印刷等在基板110上印刷含有Cu或者A1等金属的导电性膏而形成。此外,过孔导体通过利用激光等在基板110形成了通孔之后利用众所周知的方法在通孔内填充导体而形成。
其次,在基板110的一个主面上分别安装第1电子部件120以及带导热部140的第2电子部件130。图4是示出在本发明的实施方式1涉及的电子部件模块的制造方法中在基板的一个主面上分别安装了第1电子部件以及第2电子部件的状态的侧视图。在图4中,仅图示了相当于一个电子部件模块100的部分,但也可以在同一基板设置了多个电子部件模块100的构成构件之后被单片化为各个电子部件模块100。
如图4所示,在多个表面电极111各自的上表面设置有膏状焊料等导电性接合部170。第1电子部件120以第1电子部件120中的与基板110侧相反侧的面被贴片机的吸嘴1吸附保持的状态配置在对应的表面电极111上。
在安装于基板110之前,在第2电子部件130设置有包含高热传导构件的导热部140。导热部140与第1端子电极132以及第2端子电极133的双方连接。如图3所示,导热部140设置为与坯体131的第2面131m2面对。
如图4所示,在一个第2电子部件130设置一个导热部140,从而构成了电子部件单元10。遍及多个第2电子部件130设置一个导热部140p,从而构成了电子部件单元10p。
电子部件单元10以导热部140中的与第2电子部件130侧相反侧的面被贴片机的吸嘴1吸附保持的状态配置在对应的表面电极111上。电子部件单元10p以导热部140p中的与第2电子部件130侧相反侧的面被贴片机的吸嘴1吸附保持的状态配置在对应的表面电极111上。由此,如图3以及图4所示,对于第2电子部件130,以坯体131的第1面131m1与基板110对置的状态安装于基板110。
图5是示出在本发明的实施方式1涉及的电子部件模块的制造方法中在基板的一个主面上分别安装了第1电子部件以及第2电子部件的状态的侧视图。通过进行回流焊等加热工序,从而如图5所示第1电子部件120以及第2电子部件130分别安装在基板110的一个主面上。
图6是示出在本发明的实施方式1涉及的电子部件模块的制造方法中在基板的一个主面上设置了树脂部的状态的侧视图。通过在基板110的一个主面上配置液状、粉状或者片状的例如环氧树脂等树脂并使其固化,从而设置树脂部150。作为树脂部150的形成方法,能够利用涂敷方式、印刷方式、压缩模制方式或者转移模制方式等。
另外,为了使树脂部150的热膨胀系数接近第1电子部件120以及第2电子部件130各自的热膨胀系数,也可以在上述树脂中包含硅石等无机填料。由此,能够抑制第1电子部件120以及第2电子部件130各自与树脂部150的剥离的产生。该无机填料还有助于树脂部150的热传导率的提高。不过,为了通过无机填料使树脂部150的导热性大幅提高,需要使无机填料的含有率极其高,但从维持与树脂部150的流动性等其他特性的平衡的观点出发,难以通过提高无机填料的含有率来充分地增大树脂部150的导热性。
如图6所示,树脂部150设置为埋入安装于基板110的第1电子部件120。在本实施方式中,树脂部150设置为电子部件单元10以及电子部件单元10p的每一个也埋入到树脂部150。树脂部150的热传导率低于导热部140中包含的高热传导构件的热传导率。在本实施方式中,树脂部150暂且设置为比导热部140的高度尺寸高。
图7是示出在本发明的实施方式1涉及的电子部件模块的制造方法中从与基板侧相反侧对树脂部进行了研削的状态的侧视图。如图7所示,利用研磨机等从与基板110侧相反侧对树脂部150进行研削。在本实施方式中,连同树脂部150一起对导热部140、140p的一部分进行研削。
通过从与基板110侧相反侧对设置为比导热部140的高度尺寸高的树脂部150进行研削,由此电子部件单元10的导热部140、以及电子部件单元10p的导热部140p分别从树脂部150露出。通过连同树脂部150一起对导热部140、140p的一部分进行研削,由此能够使导热部140、140p更可靠地从树脂部150露出,并且能够使导热部140、140p变薄而使导热部140、140p的热电阻下降。
其次,通过切割等对基板110进行切断,从而单片化为与各个电子部件模块100对应。
然后,通过涂敷导电性膏、蒸镀导电性材料、或者溅射导电性材料以使得覆盖树脂部150以及导热部140、140p,从而形成散热部160。其结果,如图2所示,散热部160形成为经由第1端子电极132以及第2端子电极133和导热部140、140p而与基板110连接。散热部160的热传导率高于树脂部150的热传导率。
通过上述的工序,如图2所示,可制造电子部件模块100。
图8是示出本发明的实施方式1涉及的电子部件模块中的导热路径的剖视图。图9是将图8的IX部扩大示出的剖视图。在图8中,在与图2相同的剖视下进行示出。此外,未图示电子部件模块100的一部分的结构。图8以及图9所示的箭头表示热传递的路径,箭头的粗细表示传递的热的大小。
如图8以及图9所示,从作为发热元件的第1电子部件120产生的热通过设置于基板110的表面的布线图案、以及设置于基板110的内部的布线图案113而传递到第2电子部件130。另外,该热的一部分可通过设置于基板110的内部的布线图案113而传递到背面电极112。传递到第2电子部件130的热主要经由与坯体131相比热传导率高的第1端子电极132以及第2端子电极133而传递到导热部140、140p。传递到导热部140、140p的热会传递到散热部160,从散热部160散热到空气中。另外,传递到第2电子部件130的热的一部分可经由坯体131而传递到导热部140、140p。
在此,说明对设置导热部所引起的电子部件模块的散热特性进行了验证的模拟分析结果。
图10是示出未设置导热部的比较例1涉及的电子部件模块的结构的立体图。图11是示出在第1电子部件的附近配置了一个实施方式1涉及的电子部件单元的、实施例1涉及的电子部件模块的结构的立体图。图12是将图11的电子部件模块的XII部扩大示出的立体图。
图13是示出在第1电子部件的附近配置了两个实施方式1涉及的电子部件单元以使得沿导热部的长边方向排列的、实施例2涉及的电子部件模块的结构的立体图。图14是示出在第1电子部件的附近配置了两个实施方式1涉及的电子部件单元以使得沿导热部的短边方向排列的、实施例3涉及的电子部件模块的结构的立体图。图15是示出在第1电子部件的附近配置了三个实施方式1涉及的电子部件单元的、实施例4涉及的电子部件模块的结构的立体图。在图10~图15中,未图示树脂部150以及散热部160。
模拟分析条件设为下述那样。基板110具有1边的长度为12mm的正方形的外形,设为厚度为0.8mm的FR4(Flame Retardant Type 4;阻燃类型4)。包含表面电极111的布线图案由Cu构成,将厚度设为35μm。
第1电子部件120设为PTC(Positive Temperature Coefficient;正温度系数)加热器。关于PTC加热器的尺寸,长度设为1.6mm,宽度设为0.8mm,高度设为0.68mm。对PTC加热器的接入功率设为0.2W。
关于第2电子部件130,设为长度为1.0mm、宽度为0.5mm、高度为0.5mm的层叠陶瓷电容器。将基板110上的第2电子部件130的安装数设为80个。将配置在第1电子部件120的附近的第2电子部件130所连接的一个表面电极111与第1电子部件120所连接的表面电极111相连接。将配置在第1电子部件120的最近处的第2电子部件130和第1电子部件120的最短距离设为100μm。
如图15所示,在实施例4涉及的电子部件模块中,相对于位于第1电子部件120的最近处的电子部件单元10,配置了其他电子部件单元10以使得沿导热部140的长边方向排列,并且配置了其他电子部件单元10以使得沿导热部140的短边方向排列。
如图11~图15所示,导热部140设为由氧化铝构成的长方体状的块。树脂部150由环氧树脂构成,将热传导率设为0.8W/m·K。如图10、11、13~15所示,利用上述的电子部件模块的1/4对称模型进行了模拟分析。
进而,关于电子部件单元10的结构与实施方式1不同的第1变形例、和代替电子部件单元10而设置了圆柱状的销的比较例2以及比较例3涉及的电子部件模块,也同样地进行了模拟分析。
图16是示出在第1电子部件的附近配置了一个第1变形例涉及的电子部件单元的、实施例5涉及的电子部件模块的结构的立体图。图17是将图16的电子部件模块的XVII部扩大示出的立体图。图18是示出在制造第1变形例涉及的电子部件单元时在第2电子部件上搭载导热部的状态的主视图。图19是示出第1变形例涉及的电子部件单元的结构的主视图。在图16以及图17中,树脂部150以及散热部160未图示。
如图1 6~图19所示,通过导热部140a利用导电性接合部171而与第1端子电极132以及第2端子电极133的双方连接,以使得第2电子部件130的第1端子电极132和第2端子电极133相互电绝缘,从而构成了第1变形例涉及的电子部件单元10a。
导热部140a包含由平板状的绝缘性构件构成的高热传导构件141、以及形成在高热传导构件141的第2电子部件130侧的面上的两个连接电极142。将两个连接电极142之中的一个与第1端子电极132连接,将两个连接电极142之中的另一个与第2端子电极133连接。高热传导构件141由氧化铝构成。连接电极142由Cu构成。导电性接合部171设为无铅焊料。
图20是示出设置了直径为250μm的销的比较例2涉及的电子部件模块的结构的立体图。图21是示出设置了直径为300μm的销的比较例3涉及的电子部件模块的结构的立体图。在图20以及图21中,树脂部150以及散热部160未图示。
如图20所示,在比较例2涉及的电子部件模块中,在第1电子部件120的附近,将由Cu构成的直径为250μm的销2设置在表面电极111上。将连接有销2的表面电极111与连接有第1电子部件120的表面电极111相连接。
如图21所示,在比较例3涉及的电子部件模块中,在第1电子部件120的附近,将由Cu构成的直径为300μm的销2a设置在表面电极111上。将连接有销2a的表面电极111与连接有第1电子部件120的表面电极111相连接。
在上述的实施例1~实施例5以及比较例1~比较例3涉及的电子部件模块中,在下述的表1中示出分别对第1电子部件120的中心温度T1(℃)、以及配置在第1电子部件120的最近处的第2电子部件130的中心温度T2(℃)进行了模拟分析的结果。
[表1]
如表1所示,确认出:实施例1~实施例5涉及的电子部件模块相对于比较例1涉及的电子部件模块,能够降低第1电子部件120的中心温度T1以及第2电子部件130的中心温度T2的双方。此外,确认出:实施例1~实施例5涉及的电子部件模块能够将第1电子部件120的中心温度T1以及第2电子部件130的中心温度T2的双方降低为与比较例2以及比较例3涉及的电子部件模块同等以上。
根据上述的模拟分析结果,确认出:在实施方式1涉及的电子部件模块100中,通过配置在第1电子部件120的附近的电子部件单元10,能够使由第1电子部件120产生的热有效地散热。此外,确认出:配置在第1电子部件120的附近的电子部件单元10所包含的第2电子部件130的中心温度T2也降低。即,在实施方式1涉及的电子部件模块100中,能够使由第1电子部件120产生的热有效地散热,并且能够使配置在第1电子部件120的附近的第2电子部件130作为导热路径发挥功能。
同样地,确认出:在第1变形例涉及的电子部件模块中,通过配置在第1电子部件120的附近的电子部件单元10a,能够使由第1电子部件120产生的热有效地散热。此外,确认出:配置在第1电子部件120的附近的电子部件单元10a所包含的第2电子部件130的中心温度T2也降低。即,在第1变形例涉及的电子部件模块中,也能够使由第1电子部件120产生的热有效地散热,并且能够使配置在第1电子部件120的附近的第2电子部件130作为导热路径发挥功能。
在实施方式1以及第1变形例涉及的电子部件模块中,无需如比较例2以及比较例3涉及的电子部件模块那样将作为高热传导构件的销2、2a安装在基板110上,因此能够将基板110小型化,将电子部件高密度安装。
在本发明的实施方式1涉及的电子部件模块100中,导热部140、140p设置在第2电子部件130的第2面,使得与第1端子电极132以及第2端子电极133的双方连接。散热部160经由第1端子电极132以及第2端子电极133和导热部140、140p而与基板110连接。
由此,即使在发热元件的发热量大的情况、电子部件模块被薄型化的情况、或者在发热元件的顶面未设置散热器的情况下,也能够抑制发热元件自身或者配置在发热元件的近处的其他电子部件的电特性的劣化。
在本发明的实施方式1涉及的电子部件模块100中,还具备设置在基板110上以使得埋入第1电子部件120以及第2电子部件130的树脂部150,导热部140、140p包含与树脂部150相比热传导率高的高热传导构件,散热部160与树脂部150相比热传导率高。由此,能够使容易被树脂部150封闭的发热元件的热有效地散热,抑制发热元件自身或者配置在发热元件的近处的其他电子部件的电特性的劣化。
在本发明的实施方式1涉及的电子部件模块100中,第1电子部件120以及第2电子部件130分别安装在基板110的一个主面上。由此,能够将电子部件模块100薄型化。
在本发明的实施方式1涉及的电子部件模块100中,第1电子部件120和第2电子部件130通过设置在基板110的表面以及内部的至少一方的布线图案而相互电连接。由此,能够通过利用布线图案而与第1电子部件120电连接的第2电子部件130以及导热部140使由第1电子部件120产生的热有效地散热。
在本发明的实施方式1涉及的电子部件模块100中,第1电子部件120为有源部件,第2电子部件130为无源部件。由此,能够使由有源部件产生的热有效地散热,抑制无源部件的劣化。
在本发明的实施方式1涉及的电子部件模块100中,第2电子部件130为层叠陶瓷电容器。由此,能够将安装于基板110的层叠陶瓷电容器作为导热路径使用。
在本发明的实施方式1涉及的电子部件模块100中,在第2电子部件130的与基板110侧相反侧,导热部140分别与第1端子电极132、第2端子电极133、以及位于第1端子电极132和第2端子电极133之间的部分的坯体131相接。由此,能够在经由第1端子电极132以及第2端子电极133将热传递到导热部140的同时,经由坯体131将热传递到导热部140,因此能够增大可传递到散热部160的热,从散热部160有效地散热。
在本发明的实施方式1涉及的电子部件模块100中,散热部160由导电膜构成。由此,能够将电子部件模块100薄型化。
在本发明的实施方式1涉及的电子部件模块100中,具备多个第2电子部件130,多个第2电子部件130之中的两个以上的第2电子部件130中的第1端子电极132以及第2端子电极133分别与一个导热部140p连接。由此,能够容易地进行将小型尺寸的第2电子部件130安装于基板110时的操作。
在本发明的实施方式1涉及的电子部件单元10中,导热部140包含与树脂部150相比热传导率高的高热传导构件,并与第1端子电极132以及第2端子电极133的双方连接,使得第1端子电极132和第2端子电极133保持在电位上相互独立的状态。由此,能够在防止第1端子电极132和第2端子电极133短路的同时,经由第1端子电极132以及第2端子电极133将热传递到导热部140。
在本发明的实施方式1涉及的电子部件模块的制造方法中,具备:设置与导热部140相比热传导率低的树脂部150以使得埋入安装于基板110的第1电子部件120的工序;和设置与树脂部150相比热传导率高的散热部160以使得经由第1端子电极132以及第2端子电极133和导热部140而与基板110连接的工序。由此,能够抑制由第1电子部件120产生的热封闭到树脂部150内,经由第1端子电极132以及第2端子电极133和导热部140而从散热部160有效地散热。
在本发明的实施方式1涉及的电子部件模块的制造方法中,在设置上述树脂部150的工序中,通过连同设置为比导热部140的高度尺寸高的树脂部150一起对导热部140的一部分进行研削,从而使导热部140在树脂部150的表面露出。由此,能够使导热部140更可靠地从树脂部150露出,使散热部160和导热部140直接地接触。其结果,能够经由导热部140从散热部160有效地散热。
在第1变形例涉及的电子部件单元10a中,导热部140a由平板状的绝缘性构件构成。由此,导热部140a的与第2电子部件130侧相反侧的面为平坦面,因此能够由贴片机的吸嘴1稳定地吸附保持电子部件单元10a。
以下,对电子部件模块以及电子部件单元的其他变形例进行说明。
图22是示出第2变形例涉及的电子部件模块的结构的剖视图。在图22中,在与图2相同的剖视下进行示出。如图22所示,在第2变形例涉及的电子部件模块100b中,仅在配置于第1电子部件120的旁边的第2电子部件130设置了导热部140。在图22中,示出两个导热部140,但所设置的导热部140的数目也可以仅为一个。
通过仅在配置于第1电子部件120的旁边的第2电子部件130设置导热部140,从而能够在不大幅损害散热效果的情况下将电子部件模块100b低廉化。
此外,电子部件单元的配置位置不限于第1电子部件120的相邻区域,例如,能够通过将电子部件单元10配置在不耐热的电子部件与第1电子部件120之间从而降低传递到不耐热的电子部件的热,有效地保护不耐热的电子部件。
图23是示出第3变形例涉及的电子部件模块的结构的剖视图。在图23中,在与图2相同的剖视下进行示出。如图23所示,在第3变形例涉及的电子部件模块100c中,第2电子部件130、130b、130c安装在基板110的一个主面上。第1电子部件120安装在基板110的另一个主面上。第2电子部件130c与第2电子部件130b相比,不同点仅在于芯片尺寸小,除此之外具有与第2电子部件130b同样的结构。
在基板110的一个主面上安装有电子部件单元10c、10p、10pb。电子部件单元10c包含第2电子部件130c和导热部140c。第2电子部件130c包含坯体131c、第1端子电极132c和第2端子电极133c。通过导热部140c与第1端子电极132c以及第2端子电极133c的双方连接,以使得第2电子部件130c的第1端子电极132c和第2端子电极133c相互电绝缘,从而构成了电子部件单元10c。
电子部件单元10pb包含两个第2电子部件130b和一个导热部140pb。通过在一个导热部140pb分别连接两个第2电子部件130b中的第1端子电极132b以及第2端子电极133b,从而构成了电子部件单元10pb。
在基板110的另一个主面上安装有第1电子部件120以及多个销114。多个销114分别通过导电性接合部170而连接在背面电极112上。在多个销114各自的与基板110侧相反侧的端面,设置有从树脂部150露出的端子115。销114以及端子115分别由Ag或者Cu等金属形成。
树脂部150设置在基板110的一个主面上以及另一个主面上。第1电子部件120以及第2电子部件130、130b、130c分别埋设到树脂部150中。
通过导热部140c、140p、140pb连同树脂部150一起被研削,从而导热部140c的厚度和第2电子部件130c的厚度的合计、导热部140p的厚度和第2电子部件130的厚度的合计、以及导热部140pb的厚度和第2电子部件130b的厚度的合计全部变得大致相等。由此,导热部140c、140p、140pb具有与第2电子部件130c、130、130b的厚度对应的厚度。
散热部160经由第1端子电极132c以及第2端子电极133c和导热部140c而与基板110连接。此外,散热部160经由第1端子电极132以及第2端子电极133和导热部140p而与基板110连接。进而,散热部160经由第1端子电极132b以及第2端子电极133b和导热部140pb而与基板110连接。
散热部160设置为覆盖树脂部150以及导热部140c、140p、140pb。在本实施方式中,导热部140c、140p、140pb和散热部160直接地相接。
从与基板110正交的方向观察,优选电子部件单元10c、10p、10pb的任一个和第1电子部件120配置为相互重叠。由此,能够将由第1电子部件120产生的热通过基板110主要传递到与第1电子部件120重叠的电子部件单元10c、10p、10pb的任一个。传递到该电子部件单元10c、10p、10pb的热会传递到散热部160,从散热部160散热。因而,能够使由第1电子部件120产生的热有效地散热。
在第3变形例涉及的电子部件模块100c中,通过在基板110两面安装电子部件,从而能够将基板110小型化,将电子部件高密度安装。
图24是示出第4变形例涉及的电子部件模块的结构的剖视图。在图24中,在与图2相同的剖视下进行示出。如图24所示,在第4变形例涉及的电子部件模块100d中,导热部140、140p和散热部160间接地相接。即,电子部件单元10的导热部140、以及电子部件单元10p的导热部140p分别不从树脂部150露出。
若将导热部140、140p的厚度设为H1,将位于第2电子部件130上的树脂部150的厚度设为H2,则满足H1>H2/2的关系。由此,能够抑制位于导热部140、140p与散热部160之间的树脂部150的热电阻变得过高,确保设置导热部140、140p所带来的散热性提高的效果。
在第4变形例涉及的电子部件模块100d中,导热部140、140p不从树脂部150露出,因此能够提高电子部件单元10、10p的耐湿性。
图25是示出第5变形例涉及的电子部件单元的结构的主视图。如图25所示,通过作为导热部的高热传导构件141利用粘接层180而与第1端子电极132以及第2端子电极133的双方连接,以使得第2电子部件130的第1端子电极132和第2端子电极133相互电绝缘,从而构成了第5变形例涉及的电子部件单元10d。
如在第1变形例中说明的那样,高热传导构件141由平板状的绝缘性构件构成。高热传导构件141由SiO2、BaTiO3、Al2O3等氧化物、或者AlN等氮化物构成。高热传导构件141也可以由固化为块状的含填料的硅酮树脂等构成。
粘接层180由公知的粘接剂构成。在第2电子部件130的与基板110侧相反侧,粘接层180分别与第1端子电极132、第2端子电极133、以及位于第1端子电极132和第2端子电极133之间的部分的坯体131相接。
在第5变形例涉及的电子部件单元10d中,作为导热部的高热传导构件141由平板状的绝缘性构件构成。由此,高热传导构件141的与第2电子部件130侧相反侧的面为平坦面,因此能够由贴片机的吸嘴1稳定地吸附保持电子部件单元10d。
图26是示出第6变形例涉及的电子部件单元的结构的主视图。如图26所示,通过作为导热部的高热传导构件143利用绝缘性粘接层181而与第1端子电极132以及第2端子电极133的双方连接,以使得第2电子部件130的第1端子电极132和第2端子电极133相互电绝缘,从而构成了第6变形例涉及的电子部件单元10e。
高热传导构件143由平板状的金属构件构成。高热传导构件143由Cu或者Al等电传导率高的金属构成。
绝缘性粘接层181由环氧树脂系粘接剂等公知的绝缘性粘接剂构成。在第2电子部件130的与基板110侧相反侧,绝缘性粘接层181分别与第1端子电极132、第2端子电极133、以及位于第1端子电极132和第2端子电极133之间的部分的坯体131相接。
在第6变形例涉及的电子部件单元10e中,作为导热部的高热传导构件143由平板状的金属构件构成。由此,高热传导构件143的与第2电子部件130侧相反侧的面为平坦面,因此能够由贴片机的吸嘴1稳定地吸附保持电子部件单元10e。
此外,通过高热传导构件143由金属构件构成,从而能够提高高热传导构件143的热传导率,能够通过电子部件单元10e而使由发热元件产生的热有效地传递到散热部使其散热。
进而,通过利用绝缘性粘接层181将高热传导构件143连接于第1端子电极132以及第2端子电极133,从而能够在防止第1端子电极132和第2端子电极133短路的同时,经由第1端子电极132以及第2端子电极133将热传递到高热传导构件143。
图27是示出第7变形例涉及的电子部件单元的结构的主视图。如图27所示,通过导热部140f利用导电性接合部171而与第1端子电极132以及第2端子电极133的双方连接,以使得第2电子部件130的第1端子电极132和第2端子电极133相互电绝缘,从而构成了第7变形例涉及的电子部件单元10f。
导热部140f包含:由平板状的金属构件构成的高热传导构件143、形成在高热传导构件143的第2电子部件130侧的面上的两个陶瓷基底层148、以及形成在陶瓷基底层148上的连接电极142。陶瓷基底层148由具有电绝缘性的陶瓷构成。
两个连接电极142之中的一个与第1端子电极132连接,两个连接电极142之中的另一个与第2端子电极133连接。
在第7变形例涉及的电子部件单元10f中,作为导热部的高热传导构件143由平板状的金属构件构成。由此,高热传导构件143的与第2电子部件130侧相反侧的面为平坦面,因此能够由贴片机的吸嘴1稳定地吸附保持电子部件单元10f。
此外,通过高热传导构件143由金属构件构成,从而能够提高高热传导构件143的热传导率,能够通过电子部件单元10f将由发热元件产生的热有效地传递到散热部使其散热。
进而,通过经由陶瓷基底层148将高热传导构件143连接于第1端子电极132以及第2端子电极133,从而能够在防止第1端子电极132和第2端子电极133短路的同时,经由第1端子电极132以及第2端子电极133将热传递到高热传导构件143。
图28是示出第8变形例涉及的电子部件单元的结构的主视图。如图28所示,通过导热部140g利用导电性接合部171而与第1端子电极132以及第2端子电极133的双方连接,以使得第2电子部件130的第1端子电极132和第2端子电极133相互电绝缘,从而构成了第8变形例涉及的电子部件单元10g。
导热部140g包含:由平板状的绝缘性构件构成的高热传导构件141、设置在高热传导构件141的内部的一个辅助热传导构件144、以及形成在高热传导构件141的第2电子部件130侧的面上的两个连接电极142。
辅助热传导构件144由Cu或者Al等电传导率高的金属构成。辅助热传导构件144在高热传导构件141的厚度方向上延伸。
在第8变形例涉及的电子部件单元10g中,辅助热传导构件144的一端与两个连接电极142之中的一个连接电极142连接,辅助热传导构件144的另一端在高热传导构件141的与第2电子部件130侧相反侧的面露出。
通过设置有辅助热传导构件144,从而能够提高导热部140g的热传导性。此外,通过辅助热传导构件144仅与两个连接电极142之中的一个连接电极142连接,从而能够防止第1端子电极132和第2端子电极133短路。
图29是示出第9变形例涉及的电子部件单元的结构的主视图。如图29所示,通过导热部140h利用导电性接合部171而与第1端子电极132以及第2端子电极133的双方连接,以使得第2电子部件130的第1端子电极132和第2端子电极133相互电绝缘,从而构成了第9变形例涉及的电子部件单元10h。
导热部140h包含:由平板状的绝缘性构件构成的高热传导构件141、设置在高热传导构件141的内部的两个辅助热传导构件144、以及形成在高热传导构件141的第2电子部件130侧的面上的两个连接电极142。
在第9变形例涉及的电子部件单元10h中,两个辅助热传导构件144之中的一个辅助热传导构件144的一端与两个连接电极142之中的一个连接电极142连接,上述一个辅助热传导构件144的另一端不在高热传导构件141的与第2电子部件130侧相反侧的面露出。
两个辅助热传导构件144之中的另一个辅助热传导构件144的一端与两个连接电极142之中的另一个连接电极142连接,上述另一个辅助热传导构件144的另一端不在高热传导构件141的与第2电子部件130侧相反侧的面露出。
通过设置有两个辅助热传导构件144,从而能够提高导热部140h的热传导性。此外,通过两个辅助热传导构件144各自的另一端不在高热传导构件141的与第2电子部件130侧相反侧的面露出,从而能够防止第1端子电极132和第2端子电极133短路。
图30是示出第10变形例涉及的电子部件单元的结构的主视图。如图30所示,通过导热部140i利用导电性接合部171而与第1端子电极132以及第2端子电极133的双方连接,以使得第2电子部件130的第1端子电极132和第2端子电极133相互电绝缘,从而构成了第10变形例涉及的电子部件单元10i。
导热部140i包含:由平板状的绝缘性构件构成的高热传导构件141、设置在高热传导构件141的内部的4个辅助热传导构件144、以及形成在高热传导构件141的第2电子部件130侧的面上的两个连接电极142。
在第10变形例涉及的电子部件单元10i中,4个辅助热传导构件144之中的第一辅助热传导构件144的一端与两个连接电极142之中的一个连接电极142连接,上述第一辅助热传导构件144的另一端不在高热传导构件141的与第2电子部件130侧相反侧的面露出。
4个辅助热传导构件144之中的第二辅助热传导构件144的一端与两个连接电极142之中的另一个连接电极142,上述第二辅助热传导构件144的另一端不在高热传导构件141的与第2电子部件130侧相反侧的面露出。
4个辅助热传导构件144之中的第三辅助热传导构件144的一端与第一辅助热传导构件144的另一端隔开间隔地对置,上述第三辅助热传导构件144的另一端在高热传导构件141的与第2电子部件130侧相反侧的面露出。
4个辅助热传导构件144之中的第四辅助热传导构件144的一端与第二辅助热传导构件144的另一端隔开间隔地对置,上述第四辅助热传导构件144的另一端在高热传导构件141的与第2电子部件130侧相反侧的面露出。
通过设置有4个辅助热传导构件144,从而能够提高导热部140i的热传导性。此外,通过第三辅助热传导构件144的一端与第一辅助热传导构件144的另一端隔开间隔地对置,第四辅助热传导构件144的一端与第二辅助热传导构件144的另一端隔开间隔地对置,从而能够防止第1端子电极132和第2端子电极133短路。
图31是示出第11变形例涉及的电子部件单元的结构的主视图。如图31所示,通过导热部140j利用粘接层180而与第1端子电极132以及第2端子电极133的双方连接,以使得第2电子部件130的第1端子电极132和第2端子电极133相互电绝缘,从而构成了第11变形例涉及的电子部件单元10j。
导热部140j包含:由平板状的绝缘性构件构成的高热传导构件141、以及设置在高热传导构件141的内部的两个辅助热传导构件144。
在第11变形例涉及的电子部件单元10j中,两个辅助热传导构件144之中的一个辅助热传导构件144的一端不在高热传导构件141的第2电子部件130侧的面露出,上述一个辅助热传导构件144的另一端在高热传导构件141的与第2电子部件130侧相反侧的面露出。
两个辅助热传导构件144之中的另一个辅助热传导构件144的一端不在高热传导构件141的第2电子部件130侧的面露出,上述另一个辅助热传导构件144的另一端在高热传导构件141的与第2电子部件130侧相反侧的面露出。
通过设置有两个辅助热传导构件144,从而能够提高导热部140j的热传导性。此外,通过两个辅助热传导构件144各自的一端不在高热传导构件141的第2电子部件130侧的面露出,从而能够防止第1端子电极132和第2端子电极133短路。
图32是示出第12变形例涉及的电子部件单元的结构的主视图。如图32所示,通过导热部140k利用粘接层180而与第1端子电极132以及第2端子电极133的双方连接,以使得第2电子部件130的第1端子电极132和第2端子电极133相互电绝缘,从而构成了第12变形例涉及的电子部件单元10k。
导热部140k包含:由平板状的绝缘性构件构成的高热传导构件141、由平板状的金属构件构成的高热传导构件143、以及将高热传导构件141和高热传导构件143相互连接的粘接层149。
在第12变形例涉及的电子部件单元10k中,高热传导构件141通过粘接层180而与第1端子电极132以及第2端子电极133的双方连接,高热传导构件143通过粘接层149而与高热传导构件141连接。
高热传导构件143与高热传导构件141相比较,由被研削性好的材料构成。由此,能够容易地进行电子部件单元10k的制造。
此外,通过设置有高热传导构件143,从而能够提高导热部140k的热传导性。进而,通过利用粘接层180将高热传导构件141连接于第1端子电极132以及第2端子电极133,从而能够防止第1端子电极132和第2端子电极133短路。
图33是示出第13变形例涉及的电子部件单元的结构的立体图。在图33中,从与图12相同的方向观察进行图示。
如图33所示,通过导热部140m设置在第1端子电极132以及第2端子电极133的双方,以使得第2电子部件130的第1端子电极132和第2端子电极133相互电绝缘,从而构成了第13变形例涉及的电子部件单元10m。
导热部140m与实施方式1涉及的导热部140的不同仅为形状。导热部140m具有长圆柱形状。
在第13变形例涉及的电子部件单元10m中,通过导热部140m具有长圆柱形状,从而能够使设置树脂部150时的树脂部150的流动性变得良好。由此,能够抑制在树脂部150内形成空隙等。
图34是示出第14变形例涉及的电子部件单元的结构的立体图。图35是示出第14变形例涉及的电子部件单元的结构的主视图。在图34中,从与图12相同的方向观察进行图示。
如图34以及图35所示,通过导热部140n利用导电性接合部171而与第1端子电极132以及第2端子电极133的双方连接,以使得第2电子部件130的第1端子电极132和第2端子电极133相互电绝缘,从而构成了第14变形例涉及的电子部件单元10n。
导热部140n与第1变形例涉及的导热部140a的不同点仅在于,与第2电子部件130相比较,高热传导构件141n的长度以及宽度的尺寸大。从与基板110正交的方向观察,导热部140n配置为第2电子部件130位于导热部140n的内侧。
在第14变形例涉及的电子部件单元10n中,从与基板110正交的方向观察,导热部140n配置为第2电子部件130位于导热部140n的内侧,从而能够抑制配置在电子部件单元10n的旁边的电子部件和第2电子部件130接触而短路。
图36是示出第15变形例涉及的电子部件单元的结构的主视图。如图36所示,通过作为导热部的高热传导构件141n利用粘接层180而与第1端子电极132以及第2端子电极133的双方连接,以使得第2电子部件130的第1端子电极132和第2端子电极133相互电绝缘,从而构成了第15变形例涉及的电子部件单元10q。
在第15变形例涉及的电子部件单元10q中,从与基板110正交的方向观察,作为导热部的高热传导构件141n配置为第2电子部件130位于导热部140n的内侧,从而能够抑制配置在电子部件单元10q的旁边的电子部件和第2电子部件130接触而短路。
图37是从导热部侧观察第16变形例涉及的电子部件单元的结构而示出的分解立体图。图38是从第2电子部件侧观察第16变形例涉及的电子部件单元的结构而示出的分解立体图。
如图37以及图38所示,第16变形例涉及的电子部件单元10r包含第2电子部件130r和导热部140r。
第2电子部件130r为无源部件。第2电子部件130r例如为LC滤波器。第2电子部件130r包含坯体131、第1端子电极132、第2端子电极133、第1GND端子134以及第2GND端子135。
第1端子电极132、第2端子电极133、第1GND端子134以及第2GND端子135分别从第1面131m1连续地设置到第2面131m2。第1端子电极132以及第1GND端子134分别从第1面131m1经由坯体131的一个侧面而连续地设置到第2面131m2。第2端子电极133以及第2GND端子135分别从第1面131m1经由坯体131的另一个侧面而连续地设置到第2面131m2。
导热部140r包含:由平板状的绝缘性构件构成的高热传导构件141、以及形成在高热传导构件141的第2电子部件130侧的面上的、第1连接电极142a、第2连接电极142b和第3连接电极142c。
通过导热部140r利用未图示的导电性接合部而与第1端子电极132以及第2端子电极133的双方连接,以使得第2电子部件130r的第1端子电极132和第2端子电极133相互电绝缘,从而构成了第16变形例涉及的电子部件单元10r。
具体地,第1连接电极142a与第1端子电极132连接,第2连接电极142b与第2端子电极133连接,第3连接电极142c与第1GND端子134以及第2GND端子135的双方连接。
在第16变形例涉及的电子部件单元10r中,能够通过第1端子电极132、第2端子电极133、第1GND端子134以及第2GND端子135将热传递到导热部140r,因此能够增大导热路径的数目,提高电子部件单元10r的热传导性。
(实施方式2)
以下,参照图对本发明的实施方式2涉及的电子部件模块进行说明。本发明的实施方式2涉及的电子部件模块与本发明的实施方式1的第3变形例涉及的电子部件模块100c的不同点主要在于,散热部由母基板的布线图案构成,因此关于与本发明的实施方式1的第3变形例涉及的电子部件模块100c同样的结构,不重复说明。
图39是示出本发明的实施方式2涉及的电子部件模块的结构的剖视图。在图39中,在与图2相同的剖视下进行示出。
如图39所示,在本发明的实施方式2涉及的电子部件模块200中,散热部由设置在搭载电子部件模块200的母基板900的表面以及内部的至少一方的布线图案991、992、993构成。具体地,在母基板900的一个主面设置有布线图案991。在母基板900的另一个主面设置有布线图案992。在母基板900的内部设置有布线图案993。
布线图案991通过未图示的接合剂而与导热部140c、140p、140pb连接。
在本发明的实施方式2涉及的电子部件模块200中,能够使由第1电子部件120产生的热通过基板110主要传递到与第1电子部件120重叠的电子部件单元10c、10p、10pb的任一个。传递到该电子部件单元10c、10p、10pb的热会传递到作为散热部的布线图案991、992、993,从散热部散热。因而,能够使由第1电子部件120产生的热有效地散热。
在上述的实施方式的说明中,可以将能够组合的结构相互组合。
虽然对本发明的实施方式进行了说明,但应认为本次公开的实施方式在所有方面均为例示而非限制性的。本发明的范围由权利要求书示出,意图包含与权利要求书均等的意思以及范围内的所有变更。
Claims (17)
1.一种电子部件模块,具备:
基板;
第1电子部件,该第1电子部件安装于所述基板,且该第1电子部件为发热元件;
第2电子部件,该第2电子部件包含坯体、第1端子电极和第2端子电极,该坯体具有第1面以及位于与该第1面相反侧的第2面,该第1端子电极从所述第1面连续地设置到所述第2面,该第2端子电极从所述第1面连续地设置到所述第2面且在电位上与所述第1端子电极独立,并且该第2电子部件以所述第1面与所述基板对置的状态安装于所述基板;
导热部,设置在所述第2电子部件的所述第2面,使得与所述第1端子电极以及所述第2端子电极的双方连接;和
散热部,经由所述第1端子电极以及所述第2端子电极和所述导热部而与所述基板连接。
2.根据权利要求1所述的电子部件模块,其中,
还具备:树脂部,设置在所述基板上,使得埋入所述第1电子部件以及所述第2电子部件,
所述导热部包含与所述树脂部相比热传导率高的高热传导构件,
所述散热部与所述树脂部相比热传导率高。
3.根据权利要求1或者权利要求2所述的电子部件模块,其中,
所述第1电子部件以及所述第2电子部件分别安装在所述基板的一个主面上。
4.根据权利要求1或者权利要求2所述的电子部件模块,其中,
所述第2电子部件安装在所述基板的一个主面上,
所述第1电子部件安装在所述基板的另一个主面上。
5.根据权利要求1至权利要求4中任一项所述的电子部件模块,其中,
所述第1电子部件和所述第2电子部件通过布线图案而相互电连接,该布线图案设置在所述基板的表面以及内部的至少一方。
6.根据权利要求1至权利要求5中任一项所述的电子部件模块,其中,
所述第1电子部件为有源部件,
所述第2电子部件为无源部件。
7.根据权利要求6所述的电子部件模块,其中,
所述第2电子部件为层叠陶瓷电容器。
8.根据权利要求1至权利要求7中任一项所述的电子部件模块,其中,
在所述第2电子部件的第2面侧,所述导热部分别与所述第1端子电极、所述第2端子电极、以及位于所述第1端子电极和所述第2端子电极之间的部分的所述坯体相接。
9.根据权利要求2所述的电子部件模块,其中,
所述高热传导构件由平板状的绝缘性构件构成,并且经由粘接层而分别与所述第1端子电极以及所述第2端子电极连接。
10.根据权利要求2所述的电子部件模块,其中,
所述高热传导构件由平板状的金属构件构成,并且经由绝缘性粘接层而分别与所述第1端子电极以及所述第2端子电极连接。
11.根据权利要求1至权利要求10中任一项所述的电子部件模块,其中,
所述散热部由导电膜构成。
12.根据权利要求1至权利要求10中任一项所述的电子部件模块,其中,
所述散热部由布线图案构成,该布线图案设置在搭载所述电子部件模块的母基板的表面以及内部的至少一方。
13.根据权利要求1至权利要求12中任一项所述的电子部件模块,其中,
作为所述第2电子部件而具备多个第2电子部件,
所述多个第2电子部件之中的两个以上的第2电子部件中的所述第1端子电极以及所述第2端子电极分别与一个所述导热部连接。
14.一种电子部件单元,具备:
电子部件,该电子部件包含坯体、第1端子电极和第2端子电极,该坯体具有第1面以及位于与该第1面相反侧的第2面,该第1端子电极从所述第1面连续地设置到所述第2面,该第2端子电极从所述第1面连续地设置到所述第2面且在电位上与所述第1端子电极独立;和
导热部,设置在所述电子部件的所述第2面,使得在保持所述第1端子电极和所述第2端子电极在电位上相互独立的状态的同时与所述第1端子电极以及所述第2端子电极的双方连接。
15.一种电子部件模块的制造方法,具备:
将第1电子部件安装于基板的工序,该第1电子部件为发热元件;
以第1面与所述基板对置的状态将第2电子部件安装于所述基板的工序,该第2电子部件包含坯体、第1端子电极和第2端子电极,该坯体具有所述第1面以及位于与该第1面相反侧的第2面,该第1端子电极从所述第1面连续地设置到所述第2面,该第2端子电极从所述第1面连续地设置到所述第2面且在电位上与所述第1端子电极独立,并且导热部设置在所述第2面以使得与所述第1端子电极以及所述第2端子电极的双方连接;和
设置散热部的工序,该散热部经由所述第1端子电极以及所述第2端子电极和所述导热部而与所述基板连接。
16.根据权利要求15所述的电子部件模块的制造方法,其中,
在将所述第1电子部件安装于所述基板的工序、以及将所述第2电子部件安装于所述基板的工序之后,还具备设置树脂部以使得埋入所述第1电子部件以及所述第2电子部件的工序。
17.根据权利要求16所述的电子部件模块的制造方法,其中,
在设置所述树脂部的工序中,通过连同设置为比所述导热部的高度尺寸高的所述树脂部一起对所述导热部的一部分进行研削,从而使所述导热部在所述树脂部的表面露出。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019119677A JP7124795B2 (ja) | 2019-06-27 | 2019-06-27 | 電子部品モジュール、電子部品ユニット、および、電子部品モジュールの製造方法 |
JP2019-119677 | 2019-06-27 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112151530A true CN112151530A (zh) | 2020-12-29 |
Family
ID=73887719
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010594480.4A Pending CN112151530A (zh) | 2019-06-27 | 2020-06-24 | 电子部件模块、电子部件单元及电子部件模块的制造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11317541B2 (zh) |
JP (1) | JP7124795B2 (zh) |
KR (1) | KR102404229B1 (zh) |
CN (1) | CN112151530A (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022209438A1 (ja) * | 2021-03-29 | 2022-10-06 | 株式会社村田製作所 | 電子部品パッケージ、電子部品ユニットおよび電子部品パッケージの製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP6089713B2 (ja) * | 2013-01-16 | 2017-03-08 | 株式会社村田製作所 | 電子機器 |
JP6287391B2 (ja) * | 2014-03-14 | 2018-03-07 | オムロン株式会社 | 電子機器およびこれを備えた電源装置 |
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JP6900660B2 (ja) | 2016-11-28 | 2021-07-07 | 株式会社村田製作所 | シールド層を有するモジュール |
JP2018120994A (ja) | 2017-01-26 | 2018-08-02 | 株式会社デンソー | 電子装置及びモータ装置 |
JP6911917B2 (ja) * | 2017-03-31 | 2021-07-28 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
WO2018235715A1 (ja) * | 2017-06-20 | 2018-12-27 | 株式会社村田製作所 | モジュールおよびその製造方法 |
JP7103030B2 (ja) | 2018-07-31 | 2022-07-20 | Tdk株式会社 | 電子部品内蔵パッケージ及びその製造方法 |
-
2019
- 2019-06-27 JP JP2019119677A patent/JP7124795B2/ja active Active
-
2020
- 2020-06-15 KR KR1020200072165A patent/KR102404229B1/ko active IP Right Grant
- 2020-06-23 US US16/908,779 patent/US11317541B2/en active Active
- 2020-06-24 CN CN202010594480.4A patent/CN112151530A/zh active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2021005674A (ja) | 2021-01-14 |
JP7124795B2 (ja) | 2022-08-24 |
KR20210001950A (ko) | 2021-01-06 |
US11317541B2 (en) | 2022-04-26 |
US20200413570A1 (en) | 2020-12-31 |
KR102404229B1 (ko) | 2022-05-31 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
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