CN111951729A - 一种阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents

一种阵列基板、显示面板及显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明实施例公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置。阵列基板包括衬底基板及像素电路层，像素电路包括：驱动模块，驱动模块的控制端与第一节点电连接；第一初始化模块，第一初始化模块的第二端与第一节点电连接；阈值补偿模块，阈值补偿模块的第二端与第一节点电连接；数据写入模块，数据写入模块用于将数据信号写入第一节点；存储模块，存储模块的第一端与第一电源信号线电连接，第二端与第一节点电连接；还包括：屏蔽层，屏蔽层连接至一固定电位端，至少部分屏蔽层在衬底基板的投影位于第一节点与一相邻像素电路中的数据信号线在衬底基板的投影之间。本发明实施例的技术方案，可以降低像素电路中的耦合电容引起的串扰，改善显示效果。

Description

一种阵列基板、显示面板及显示装置
技术领域
本发明实施例涉及显示技术，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的快速发展，有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示器由于具有主动发光、视角广、对比度高、功耗低、响应速度快等优点，在显示领域得到越来越广泛的应用，且逐渐取代传统的液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)。
现有技术中，为了提升显示效果，OLED一般采用带有阈值补偿的像素电路，一个像素电路中的驱动晶体管栅极连接的电路节点与相邻像素电路的数据信号线存在耦合电容，由于OLED是电流驱动元件，耦合电容的存在会导致流过OLED的电流发生变化，造成实际显示亮度与理想亮度有差异，影响显示效果。
发明内容
本发明实施例提供一种阵列基板、显示面板及显示装置，以降低像素电路中的耦合电容引起的串扰，改善显示效果。
第一方面，本发明实施例提供一种阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板以及位于所述衬底基板一侧的像素电路层，所述像素电路层包括多个阵列排布的像素电路，所述像素电路包括：
驱动模块，所述驱动模块的控制端与第一节点电连接；
第一初始化模块，所述第一初始化模块的控制端与第一扫描信号线电连接，所述第一初始化模块的第一端与第一参考信号线电连接，所述第一初始化模块的第二端与所述第一节点电连接；
阈值补偿模块，所述阈值补偿模块的控制端与第二扫描信号线电连接，所述阈值补偿模块的第一端与所述驱动模块的第二端电连接，所述阈值补偿模块的第二端与所述第一节点电连接；
数据写入模块，所述数据写入模块用于将数据信号写入所述第一节点；
存储模块，所述存储模块的第一端与第一电源信号线电连接，所述存储模块的第二端与所述第一节点电连接；
所述阵列基板还包括：
屏蔽层，所述屏蔽层设置于所述衬底基板与所述像素电路层之间，所述屏蔽层连接至一固定电位端，其中，至少部分所述屏蔽层在所述衬底基板的投影位于所述第一节点与一相邻像素电路中的数据信号线在所述衬底基板的投影之间。
第二方面，本发明实施例还提供一种显示面板，包括上述的阵列基板。
第三方面，本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述的显示面板。
本发明实施例提供的阵列基板，包括衬底基板以及位于衬底基板一侧的像素电路层，像素电路层包括多个阵列排布的像素电路，像素电路包括：驱动模块，驱动模块的控制端与第一节点电连接；第一初始化模块，第一初始化模块的控制端与第一扫描信号线电连接，第一初始化模块的第一端与第一参考信号线电连接，第一初始化模块的第二端与第一节点电连接；阈值补偿模块，阈值补偿模块的控制端与第二扫描信号线电连接，阈值补偿模块的第一端与驱动模块的第二端电连接，阈值补偿模块的第二端与第一节点电连接；数据写入模块，数据写入模块用于将数据信号写入第一节点；存储模块，存储模块的第一端与第一电源信号线电连接，存储模块的第二端与第一节点电连接；阵列基板还包括：屏蔽层，屏蔽层设置于衬底基板与像素电路层之间，屏蔽层连接至一固定电位端，其中，至少部分屏蔽层在衬底基板的投影位于第一节点与一相邻像素电路中的数据信号线在衬底基板的投影之间。通过在衬底基板和像素电路层之间设置与固定电位端电连接的屏蔽层，且部分屏蔽层在衬底基板的投影位于第一节点与一相邻像素电路中的数据信号线在衬底基板的投影之间，通过屏蔽层隔离第一节点与相邻像素电路中的数据信号线，从而降低像素电路中的耦合电容引起的串扰，改善显示效果。
附图说明
图1为现有技术中一种2T1C结构的像素电路示意图；
图2为本发明实施例提供的一种像素电路的结构示意图；
图3为图2中像素电路对应的一种阵列基板结构示意图；
图4为本发明实施例提供的一种像素电路的具体电路结构示意图；
图5为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图8为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。需要注意的是，本发明实施例所描述的“上”、“下”、“左”、“右”等方位词是以附图所示的角度来进行描述的，不应理解为对本发明实施例的限定。此外在上下文中，还需要理解的是，当提到一个元件被形成在另一个元件“上”或“下”时，其不仅能够直接形成在另一个元件“上”或者“下”，也可以通过中间元件间接形成在另一元件“上”或者“下”。术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
OLED是电流驱动元件，图1所示为现有技术中一种2T1C结构的像素电路示意图，该像素电路包括驱动晶体管T01、开关晶体管T02和存储电容C01，驱动晶体管T01的源极和存储电容C01的一个极板均与第一电源电压PVDD连接，漏极与OLED的阳极连接，OLED的阴极连接到第二电源电压PVEE，驱动晶体管T01的栅极和存储电容C01的另一个极板均与开关晶体管T02的漏极连接，开关晶体管T02的源极和栅极分别和数据信号线Data和栅极信号线Gate连接。栅极信号线Gate控制开关晶体管T02的通断，数据信号线Data提供数据信号，以控制OLED的发光亮度。随着对显示质量要求的提高，诸如手机、平板电脑等设备中，OLED的像素电路一般采用带阈值补偿的像素电路，例如7T1C的像素电路，当显示苛刻画面(例如进行对比度差异明显的黑白交叉画面显示)时，驱动晶体管栅极连接的电路节点与相邻像素电路的数据信号线之间耦合电容会对OLED的驱动电流产生影响，导致实际显示亮度与理想亮度有差异，影响目视效果。
为了解决上述问题，本发明实施例提供一种阵列基板，包括衬底基板以及位于衬底基板一侧的像素电路层，像素电路层包括多个阵列排布的像素电路，图2所示为本发明实施例提供的一种像素电路的结构示意图，图3为图2中像素电路对应的一种阵列基板结构示意图。参考图2，本实施例提供的像素电路包括：驱动模块1，驱动模块1的控制端a1与第一节点N1电连接；第一初始化模块2，第一初始化模块2的控制端a1与第一扫描信号线S1电连接，第一初始化模块2的第一端a2与第一参考信号线Ref1电连接，第一初始化模块2的第二端a2与第一节点N1电连接；阈值补偿模块3，阈值补偿模块3的控制端a1与第二扫描信号线S2电连接，阈值补偿模块3的第一端a2与驱动模块1的第二端a3电连接，阈值补偿模块3的第二端a3与第一节点N1电连接；数据写入模块4，数据写入模块4用于将数据信号写入第一节点N1；存储模块5，存储模块5的第一端c1与第一电源信号线VDD电连接，存储模块5的第二端c2与第一节点N1电连接；图2中驱动模块1、第一初始化模块2、阈值补偿模块3、数据写入模块4、存储模块5、第一节点N1、第一电源信号线VDD、数据信号线Data，第一扫描信号线S1、第二扫描信号线S2、第一参考信号线Ref1都在图3中示出，参考图3，该阵列基板还包括：屏蔽层100，屏蔽层100设置于衬底基板与像素电路层之间，屏蔽层100连接至一固定电位端，其中，至少部分屏蔽层100在衬底基板的投影位于第一节点N1与一相邻像素电路中的数据信号线Data2在衬底基板的投影之间。
可以理解的是，本实施例提供的像素电路为带阈值补偿的像素电路，图2中有机发光结构D可以为OLED，像素电路驱动OLED发光一般包括三个阶段，即初始化阶段、数据写入阶段和发光阶段。驱动模块1用于向有机发光结构D提供驱动电流，OLED响应驱动电流发光；第一初始化模块2用于在初始化阶段对驱动模块1的第一端a2的电位进行初始化；阈值补偿模块3用于在发光阶段之前将补偿信号写入驱动模块1的控制端a1；存储模块5用于维持驱动模块1的控制端a1在发光阶段的电位。OLED是电流驱动元件，通过第一电源信号线VDD提供电源电压，通过数据信号控制驱动模块1输出的电流实现OLED发光亮度的调整。OLED的发光亮度对电位(尤其第一节点N1的电位)特别敏感，图3中示例性的示出两个像素电路，右侧像素电路中的N1节点与左侧像素电路中的数据信号线Data2之间会产生耦合电容，耦合电容会造成串扰导致OLED的实际显示亮度与理想亮度有差异，导致显示效果变差。本实施例通过设置屏蔽层100，屏蔽层100可以有效减小第一节点N1与相邻像素电路的数据信号线Data2的耦合电容，降低信号串扰。其中屏蔽层100与某一固定电位端连接，当未设置屏蔽层100时，第一节点N1和数据信号线Data2形成一个电容，当设置了屏蔽层100时，由于屏蔽层100在第一节点N1和数据信号线Data2之间，相当于第一节点N1和屏蔽层之间、屏蔽层和数据信号线Data2之间形成两个并联的电容，与没有屏蔽层相比，可以有效降低耦合电容的大小。在具体实施时，可选的，固定电位端为第一电源信号线，当固定电位端为第一电源信号线时，可以降低第一电源信号线上的电阻，降低电源压降。其中，图3中示出的屏蔽层100仅设置在第一节点N1和数据信号线Data2之间仅是示意性的，具体实施时屏蔽层100的形状及大小可以根据实际需求设计，本发明实施例对此不作限定。
本发明实施例的技术方案，通过在衬底基板和像素电路层之间设置与固定电位端电连接的屏蔽层，且部分屏蔽层在衬底基板的投影位于第一节点与一相邻像素电路中的数据信号线在衬底基板的投影之间，通过屏蔽层隔离第一节点与相邻像素电路中的数据信号线，从而降低像素电路中的耦合电容引起的串扰，改善显示效果。
在上述实施例的基础上，可选的，继续参考图2，像素电路还包括：第二初始化模块6，第二初始化模块6的控制端a1与第二扫描信号线S2电连接，第二初始化模块6的第一端a2与有机发光结构D的第一电极D1电连接，第二初始化模块6的第二端a3与第二参考信号线Ref2电连接，第二初始化模块6用于在初始化阶段对有机发光结构D的第一电极D1的电位进行初始化；第一发光控制模块7，第一发光控制模块7的控制端a1与使能信号线Emit电连接，第一发光控制模块7的第一端a2与第一电源信号线VDD电连接，第一发光控制模块7的第二端a3与驱动模块1的第一端a2电连接；和/或，第二发光控制模块8，第二发光控制模块8的控制端a1与使能信号线Emit电连接，第二发光控制模块8的第一端a2与驱动模块1的第二端a3电连接，第二发光控制模块8的第二端a3与有机发光结构D的第一电极D1电连接，有机发光结构D的第二电极D2与第二电源信号线VEE电连接。
可以理解的是，第一发光控制模块7和/或第二发光控制模块8用于在发光阶段导通，控制有机发光结构D发光。有机发光结构D的第一极D1为阳极，第二极D2为阴极，第一电源信号线VDD提供阳极电压，第二电源信号线VEE提供阴极电压。该像素电路可以更好地控制OLED发光，提高OLED的显示效果。
图4所示为本发明实施例提供的一种像素电路的具体电路结构示意图。参考图4，可选的，驱动模块1包括驱动晶体管T0，第一初始化模块2包括第一晶体管T1，阈值补偿模块3包括第二晶体管T2，数据写入模块4包括第三晶体管T3，第一发光控制模块7包括第四晶体管T4，第二发光控制模块8包括第五晶体管T5，第二初始化模块6包括第六晶体管T6，存储模块5包括第一电容C1；在本实施例中，第一晶体管T1和第二晶体管T2为双栅晶体管。参考图3，沿第一方向x延伸的第一扫描信号线S1、第二扫描信号线S2、使能信号线Emit以及各晶体管的栅极同层设置(同一层以同一填充形状表示)；沿第一方向x延伸的第一参考信号线Ref1、第二参考信号线Ref2以及第一电容C1的第一极板C11同层设置，第一电容C1的第一极板C11与第一电源信号线VDD电连接；沿第二方向y延伸的数据信号线Data以及第一电源信号线VDD同层设置，数据信号线Data用于提供数据信号；其中，第一方向x与第二方向y相交。
可以理解的是，由于第一初始化模块2和第二初始化模块6可以在不同的时间段工作，因此两个初始化信号可以由同一根信号线在不同的时间提供，示例性的，本实施例中第一参考信号线Ref1和第二参考信号线Ref2为同一信号线，这样设置可以减少走线数量，简化像素电路结构。
参考图3，本实施例提供的阵列基板包括衬底基板10以及设置于衬底基板10一侧依次层叠设置的有源层20、第一金属层30、第二金属层40和第三金属层50，其中有源层20用于形成驱动晶体管T0、第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5以及第六晶体管T6的导电沟道，第一扫描信号线S1、第二扫描信号线S2、使能信号线Emit、以及第一电容C1的第二极板C12设置于第一金属层30；第一参考信号线Ref1、第二参考信号线Ref2以及第一电容C1的第一极板C11设置于第二金属层40；数据信号线Data以及第一电源信号线VDD设置于第三金属层50，不同层之间可以通过过孔实现电连接。其中，为了清楚表达，图3中仅示例性示出两个OLED的像素电路结构，且省略了层与层之间的绝缘层。阵列基板包括多个阵列排布的像素电路，每个像素电路用于控制一个OLED，在阵列基板的制备过程中，同一膜层采用同一工艺，不同像素电路之间的有源层为一体的图形结构，有源层本身不导电，通过对有源层进行掺杂实现部分区域导电，导电的有源层可以与走线层电连接代替部分走线。具体实施时，可选的，各晶体管的有源层包括多晶硅有源层或金属氧化物有源层。多晶硅有源层可以采用低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)技术形成，具有结构简单、稳定性好、电子迁移率高，电路面积小等优点。
可选的，屏蔽层100位于各晶体管的有源层20和衬底基板10之间。当有源层采用低温多晶氧化物(Low Temperature Polycrystalline Oxide，LPTO)，屏蔽层100相当于底栅结构。
可选的，屏蔽层包括第一区域和第二区域，第一区域在衬底基板的投影位于第一节点与一相邻像素电路中的数据信号线在衬底基板的投影之间，第二区域在衬底基板的投影与像素电路的第一节点之外的区域在衬底基板的投影至少部分交叠。
示例性的，图5所示为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。参考图5，屏蔽层100包括第一区域110和第二区域120，第一区域110在衬底基板10的投影位于第一节点N1与像素电路中的数据信号线Data2在衬底基板10的投影之间，第二区域120在衬底基板10的投影与第一节点N1之外的区域在衬底基板10的投影交叠。
可以理解的是，图5中所示的屏蔽层100的形状只是示意性的，本实施例中，屏蔽层100可以通过在第一节点N1上方没有设置其他走线的位置处设置通孔，使屏蔽层100和第一电源信号线VDD电连接。屏蔽层100的面积越大，则其电阻越小，当和第一电源信号线VDD电连接时相当于在第一电源信号线VDD并联一个电阻，有利于降低电源压降。在其他实施例中，屏蔽层100还可以设置成其他形状，例如仅设置在第一节点N1下方的区域，也可以仅设置在第一节点N1上方的区域，或者两个区域均设置屏蔽层，但形状与图5中所示的不同，具体实施时可以根据实际情况选择，本发明实施例对此不作限定。
图6所示为本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图。参考图6，可选的，屏蔽层100在衬底基板10的投影与第一扫描信号线S1、第二扫描信号线S2、使能信号线Emit、第一电容C1的第一极板C11以及第一电源信号线VDD在衬底基板10的投影重叠。通过设置第一屏蔽层100的在第二区域内的形状与各信号线相交叠，可以在降低耦合电容的基础上，避免第一屏蔽层100影响某些特殊区域(例如屏下指纹设置区)的透过率。在其他实施例中，也可以设置第一屏蔽层100只与部分走线交叠，具体实施时可以根据实际情况设计。
本实施例提供的像素电路包括七个晶体管一个电容(7T1C)，OLED的驱动电流Id可以表示为：
Id＝k(VDD-VData)2；
其中k表示与晶体管迁移率有关的参数，VDD表示第一电源电压，VData表示数据信号电压。
在一种6.1英寸显示面板的测试实施例中，VDD＝4.6V，第128条数据信号线电压VData[127]＝4.2V，第1条数据信号线电压VData[0]＝5.8V，在没有第一节点N1与数据信号线耦合电容串扰的区域，Id1＝k(VDD-VData)2＝0.16k；在有第一节点N1与数据信号线耦合电容串扰的区域，
Figure BDA0002636488850000111
其中
Figure BDA0002636488850000112
其中C2为第一节点N1与数据信号线的耦合电容，C1为第一电容。无串扰区域Id1和有串扰区域的Id2差异越小，则串扰对OLED的影响越小，显示效果越好。
其中，第一节点N1与相邻的像素电路的数据信号线距离较近，且二者在像素驱动过程中电压不同，二者耦合会形成电容。本实施例中，通过在第一节点和相邻像素电路的数据信号线之间设置屏蔽层，屏蔽层将第一节点N1和相邻像素电路中的数据信号线隔离，而且屏蔽层连接到固定电位，从而使第一节点N1和屏蔽层之间、屏蔽层和相邻像素电路的数据信号线之间形成两个并联的电容，有效降低耦合电容的大小。
为了验证本实施例的技术效果，采用图6中的实施例，与现有技术中未设置屏蔽层时对比，得到结果如表1：
Figure BDA0002636488850000113
Figure BDA0002636488850000121
表1现有技术与本实施例方案对比
由表1可知，增加屏蔽层设计后，可明显降低第一节点N1与数据信号线耦合电容，其中与相邻像素电路的数据信号线耦合电容减小比例约为73％，与自身像素电路的数据信号线耦合电容减小比例约为77％，而存储电容变大约18％，串扰改善比例分别达到了77％和80％，所以可以明显改善耦合电容引起的串扰，增强显示效果。
在其他实施例中，为了增强屏蔽效果，可选的，像素电路层还包括第二屏蔽层，第二屏蔽层与第一电源信号线电连接，其中，与第一节点电连接的信号走线中，至少部分信号走线在衬底基板的投影与第二屏蔽层在衬底基板的投影重叠。
示例性的，图7所示为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图。参考图7，像素电路层还包括第二屏蔽层101，通过设计第二屏蔽层101与第一节点N1电连接的信号走线中，至少部分信号走线在衬底基板10的投影与第二屏蔽层101在衬底基板10的投影重叠。可选的，第二屏蔽层101可以与第一参考信号线Ref1同层设置。
可以理解的是，通过设置屏蔽层100与第一参考信号线Ref1同层设置，无需设计新的膜层，不会增加阵列基板制作的工艺难度。第二屏蔽层101可以分担一部分数据信号线Data形成的电场以及和第一节点N1形成的电场，从而减小耦合电容对像素电路的影响，有效减小串扰。另一方面，第二屏蔽层101与第一电源信号线VDD电连接，即第二屏蔽层101可以形成等效的第一电源信号线，可以有效降低像素电路中的电阻，降低电源电压在传输过程中的压降，提高像素电路性能。其中，与第一节点电连接的信号走线包括第一节点与第一晶体管之间的有源层、第一节点与第二晶体管之间的有源层、第一节点与驱动晶体管的栅极之间的走线以及第一电容的第二极板。
需要说明的是，具体实施时，本发明实施例对第二屏蔽层的形状和位置不作限定，例如可以为图7中所示的位于第一参考信号线Ref1和第二扫描信号线S2之间，也可以整体覆盖像素电路，以最大程度地降低耦合电容导致的串扰以及降低电源压降。
本发明实施例还提供一种显示面板，包括上述实施例提供的任意一种阵列基板。由于本发明实施例提供的显示面板包括上述实施例提供的任意一种阵列基板，具有与上述实施例提供的阵列基板相同或相应的技术效果。
图8所示为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。参见图8，该显示装置200包括本发明实施例提供的任意一种显示面板300。该显示装置200具体可以为手机、电脑以及智能可穿戴设备等。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底基板以及位于所述衬底基板一侧的像素电路层，所述像素电路层包括多个阵列排布的像素电路，所述像素电路包括：
驱动模块，所述驱动模块的控制端与第一节点电连接；
第一初始化模块，所述第一初始化模块的控制端与第一扫描信号线电连接，所述第一初始化模块的第一端与第一参考信号线电连接，所述第一初始化模块的第二端与所述第一节点电连接；
阈值补偿模块，所述阈值补偿模块的控制端与第二扫描信号线电连接，所述阈值补偿模块的第一端与所述驱动模块的第二端电连接，所述阈值补偿模块的第二端与所述第一节点电连接；
数据写入模块，所述数据写入模块用于将数据信号写入所述第一节点；
存储模块，所述存储模块的第一端与第一电源信号线电连接，所述存储模块的第二端与所述第一节点电连接；
所述阵列基板还包括：
屏蔽层，所述屏蔽层设置于所述衬底基板与所述像素电路层之间，所述屏蔽层连接至一固定电位端，其中，至少部分所述屏蔽层在所述衬底基板的投影位于所述第一节点与一相邻像素电路中的数据信号线在所述衬底基板的投影之间。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电路还包括：
第二初始化模块，所述第二初始化模块的控制端与所述第二扫描信号线电连接，所述第二初始化模块的第一端与有机发光结构的第一电极电连接，所述第二初始化模块的第二端与第二参考信号线电连接，所述第二初始化模块用于在初始化阶段对所述有机发光结构的第一电极的电位进行初始化；
第一发光控制模块，所述第一发光控制模块的控制端与使能信号线电连接，所述第一发光控制模块的第一端与所述第一电源信号线电连接，所述第一发光控制模块的第二端与所述驱动模块的第一端电连接；和/或，
第二发光控制模块，所述第二发光控制模块的控制端与所述使能信号线电连接，所述第二发光控制模块的第一端与所述驱动模块的第二端电连接，所述第二发光控制模块的第二端与所述有机发光结构的第一电极电连接，所述有机发光结构的第二电极与第二电源信号线电连接。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述驱动模块包括驱动晶体管，所述第一初始化模块包括第一晶体管，所述阈值补偿模块包括第二晶体管，所述数据写入模块包括第三晶体管，所述第一发光控制模块包括第四晶体管，所述第二发光控制模块包括第五晶体管，所述第二初始化模块包括第六晶体管，所述存储模块包括第一电容；
沿第一方向延伸的所述第一扫描信号线、所述第二扫描信号线、所述使能信号线以及各晶体管的栅极同层设置；
沿所述第一方向延伸的所述第一参考信号线、所述第二参考信号线以及所述第一电容的第一极板同层设置，所述第一电容的第一极板与所述第一电源信号线电连接；
沿第二方向延伸的数据信号线以及第一电源信号线同层设置，所述数据信号线用于提供所述数据信号；
其中，所述第一方向与所述第二方向相交。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述屏蔽层包括第一区域和第二区域，所述第一区域在所述衬底基板的投影位于所述第一节点与一相邻像素电路中的数据信号线在所述衬底基板的投影之间，所述第二区域在所述衬底基板的投影与所述像素电路的第一节点之外的区域在所述衬底基板的投影至少部分交叠。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述屏蔽层在所述衬底基板的投影与所述第一扫描信号线、所述第二扫描信号线、所述使能信号线、所述第一电容的第一极板以及所述第一电源信号线在所述衬底基板的投影重叠。
6.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，各晶体管的有源层包括多晶硅有源层或金属氧化物有源层。
7.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述屏蔽层位于各晶体管的有源层和所述衬底基板之间。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述固定电位端为所述第一电源信号线。
9.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1～8任一所述的阵列基板。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的显示面板。
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