CN113540200A - 一种显示面板、显示装置 - Google Patents

一种显示面板、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN113540200A
CN113540200A CN202110814107.XA CN202110814107A CN113540200A CN 113540200 A CN113540200 A CN 113540200A CN 202110814107 A CN202110814107 A CN 202110814107A CN 113540200 A CN113540200 A CN 113540200A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pixel
emitting
light
area
display panel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202110814107.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN113540200B (zh
Inventor
徐元杰
王琦伟
杜丽丽
王本莲
龙跃
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN202110814107.XA priority Critical patent/CN113540200B/zh
Publication of CN113540200A publication Critical patent/CN113540200A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113540200B publication Critical patent/CN113540200B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1216Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1315Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本公开实施例提供一种显示面板、显示装置。显示面板,包括位于显示区的摄像头安装区,摄像头安装区包括多个像素单元,像素单元包括多个发光像素,发光像素包括绿色发光像素以及非绿色发光像素,显示面板还包括多个像素电路,各像素电路与各发光像素一一对应,像素电路包括像素控制电路以及发光像素的第一极和第二极,同一个像素单元内绿色发光像素的发光占空比与至少一个非绿色发光像素的发光占空比的差值位于预设范围内。本公开的技术方案,有利于改善摄像头安装区画面发紫现象,避免摄像头安装区产生紫色条纹。

Description

一种显示面板、显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板、显示装置。
背景技术
有机发光二极体(Organic Light-Emitting Diode,OLED)是近年来逐渐发展起来的显示照明技术,尤其在显示行业,OLED显示由于具有高响应、高对比度、可柔性化等优点,被视为拥有广泛的应用前景。
随着全面屏技术的发展,从边缘区域放置摄像头进一步发展到屏下摄像头。在OLED屏下摄像头技术中,屏下摄像头区域会产生紫色竖条纹不良,影响显示效果。
发明内容
本公开实施例提供一种显示面板、显示装置,以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。
作为本公开实施例的第一个方面,本公开实施例提供一种显示面板,包括显示区,显示区包括摄像头安装区,摄像头安装区包括多个像素单元,像素单元包括多个发光像素,发光像素包括绿色发光像素以及非绿色发光像素,显示面板还包括多个像素电路,各像素电路与各发光像素一一对应,像素电路包括像素控制电路以及发光像素的第一极和第二极,像素控制电路位于摄像头安装区之外的区域,发光像素的第一极与对应的像素控制电路连接,同一个像素单元内绿色发光像素的发光占空比与至少一个非绿色发光像素的发光占空比的差值位于预设范围内。
在一些可能的实现方式中,像素控制电路包括多个薄膜晶体管和存储电容,绿色发光像素对应的像素电路中的存储电容的电容值小于非绿色发光像素对应的像素电路中的存储电容的电容值。
在一些可能的实现方式中,绿色发光像素对应的像素电路中的存储电容的面积小于非绿色发光像素对应的像素电路中的存储电容的面积。
在一些可能的实现方式中,显示面板包括基底、位于基底一侧的第一金属层、位于第一金属层背离基底一侧的第一绝缘层以及位于第一绝缘层背离基底一侧的第二金属层,第一金属层包括多个第一极板,各第一极板分别与各存储电容相对应,第二金属层包括第二极板和第三极板,第二极板与绿色发光像素对应的存储电容相对应,第三极板与非绿色发光像素对应的存储电容相对应,第一极板与第二极板的交叠区域的面积小于第一极板与第三极板的交叠区域的面积。
在一些可能的实现方式中,第二极板开设有第一镂空,第三极板开设有第二镂空,绿色发光像素对应的存储电容中,第一极板在基底上的正投影的边缘位于第二极板在基底上的正投影的外边缘与内边缘之间,非绿色发光像素对应的存储电容中,第一极板在基底上的正投影的边缘位于第三极板在基底上的正投影的外边缘与内边缘之间,第一镂空在基底上的正投影面积大于第二镂空在基底上的正投影面积。
在一些可能的实现方式中,像素控制电路包括驱动晶体管,驱动晶体管包括沟道区域,绿色发光像素对应的驱动晶体管的沟道区域的宽长比大于非绿色发光像素对应的驱动晶体管的沟道区域的宽长比。
在一些可能的实现方式中,显示面板包括基底、位于基底一侧的有源层和第一金属层、以及位于有源层和第一金属层之间的第二绝缘层,第一金属层包括多个栅电极,各栅电极适用于各驱动晶体管,有源层与绿色发光像素对应的栅电极的交叠区域为第一沟道区域,有源层与非绿色发光像素对应的栅电极的交叠区域为第二沟道区域,
第一沟道区域的宽度大于第二沟道区域的宽度,和/或,第一沟道区域的长度小于第二沟道区域的长度。
在一些可能的实现方式中,发光像素的第一极与对应的像素控制电路通过透明信号走线连接,像素控制电路包括存储电容,位于同一个像素单元中的多个发光像素,发光像素对应的存储电容的电容值随着对应的透明信号走线的长度的增加而减小。
在一些可能的实现方式中,发光像素的第一极与对应的像素控制电路通过透明信号走线连接,像素控制电路包括驱动晶体管,驱动晶体管包括沟道区域,位于同一个像素单元中的多个发光像素,发光像素对应的沟道区域的宽长比随着对应的透明信号走线的长度的增加而增大。
在一些可能的实现方式中,像素控制电路包括驱动晶体管和存储电容,显示面板包括基底、在基底的一侧依次设置的有源层、第二绝缘层、第一金属层、第一绝缘层和第二金属层,第一金属层包括多个第一极板,各第一极板分别与各存储电容相对应,第一金属层包括多个栅电极,各栅电极适用于各驱动晶体管,对应于同一个发光像素的第一极板和栅电极为同一个金属图案。
在一些可能的实现方式中,
显示区还包括位于摄像头安装区之外的常规显示区,像素控制电路位于常规显示区;和/或,
显示面板还包括位于显示区之外的边框区,像素控制电路位于边框区。
在一些可能的实现方式中,非绿色发光像素包括红色发光像素和蓝色发光像素,发光像素为OLED发光像素。
在一些可能的实现方式中,摄像头安装区的同一个像素单元中,绿色发光像素的第一极的面积与非绿色发光像素的第一极的面积之和的比值的范围为43%至53%。
作为本公开实施例的第二方面,本公开实施例提供一种显示装置,包括本公开实施例中的显示面板。
本公开实施例的技术方案,使得摄像头安装区中同一个像素单元内绿色发光像素的发光占空比与至少一个非绿色发光像素的发光占空比的差值位于预设范围内,使得绿色发光像素的发光占空比与其它非绿色发光像素的发光占空比相接近,有利于改善摄像头安装区画面发紫现象,避免摄像头安装区产生紫色条纹。
上述概述仅仅是为了说明书的目的,并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外,通过参考附图和以下的详细描述,本公开进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。
附图说明
在附图中,除非另外规定,否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或相似的部件或元素。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解,这些附图仅描绘了根据本公开的一些实施方式,而不应将其视为是对本公开范围的限制。
图1为相关技术中显示面板的平面结构示意图;
图2为透明信号走线与竖条纹关系的示意图;
图3为一帧情况下R、G、B发光像素的各自发光时间;
图4为本公开一实施例中显示面板的平面示意图;
图5为一种7T1C像素电路的示意图;
图6为本公开一实施例显示面板中形成存储电容后的平面示意图;
图7为图6中的A-A截面示意图;
图8为本公开一实施例显示面板中第一金属层和有源层的平面示意图;
图9为本公开一实施例中显示面板的平面示意图;
图10为图9中的B-B示意图;
图11为本公开一实施例显示面板中发光像素的第一极图案的示意图。
附图标记说明:
11、基底;12、第一金属层;121、第一极板;122、栅线;123、发光信号线;124、复位信号线;126、栅电极;13、第一绝缘层;14、第二金属层;141、初始信号线;142、第二极板;143、第三极板;15、有源层;151、第一沟道区域;152、第二沟道区域;16、第二绝缘层;21、第一镂空;22、第二镂空;50、显示区;51、摄像头安装区;511、第一OLED发光像素;52、常规显示区;521、第二OLED发光像素;60、边框区;611、发光像素。
具体实施方式
在下文中,仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样,在不脱离本公开的精神或范围的情况下,可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此,附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。
本发明所有实施例中采用的晶体管均可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件,根据在电路中的作用本发明的实施例所采用的晶体管主要为开关晶体管。由于这里采用的开关晶体管的源极、漏极是对称的,所以其源极、漏极是可以互换的。在本发明实施例中,将其中源极(源电极)称为第一极,漏极(漏电极)称为第二极,或者,可以将漏极称为第一极,源极称为第二极。按附图中的形态规定晶体管的中间端为栅极(也可以叫做栅电极)、信号输入端为源极、信号输出端为漏极。本发明实施例所采用的开关晶体管可以为P型开关晶体管或N型晶体管,P型开关晶体管在栅极为低电平时导通,在栅极为高电平时截止;N型晶体管在栅极为高电平时导通,在栅极为低电平时截止。此外,本发明各个实施例中的多个信号都对应有第一电位和第二电位。第一电位和第二电位仅代表该信号的电位有2个状态量,不代表全文中第一电位或第二电位具有特定的数值。本发明实施例中以第一电位为有效电位为例进行说明。
图1为相关技术中显示面板的平面结构示意图。如图1所示,显示面板采用屏下摄像头技术,显示面板可以包括显示区(AA区)50,显示区50包括摄像头安装区(FDC区域)51和常规显示区52,常规显示区52为显示区50中位于摄像头安装区51之外的区域。
可以理解的是,OLED发光像素的像素电路包括像素控制电路和OLED发光像素的阳极、阴极,像素控制电路可以包括多个薄膜晶体管和存储电容,像素控制电路可以采用3T1C、4T1C、5T1C、7T1C等结构。
在屏下摄像头技术中,摄像头安装区51包括第一OLED发光像素511,常规显示区52包括第二OLED发光像素521以及对应的像素控制电路。可以理解的是,图1中只示出了部分第一OLED发光像素和部分第二OLED发光像素。在常规显示区52中,第二OLED发光像素521以及对应的像素控制电路均位于发光像素区域内,第二OLED发光像素521的阳极控制信号由像素控制电路连接至第二OLED发光像素521的阳极的连接线进行传输,连接线比较短。
第一OLED发光像素511对应的像素控制电路可以采用两种方案,第一种方案是压缩常规显示区52的像素电路,以便将第一OLED发光像素511对应的像素控制电路放置在常规显示区52,如图1所示,第二种方案是将第一OLED发光像素511对应的像素控制电路放置在显示区50之外的周边边框区中。以上两种方案中,均采用透明信号走线53例如氧化铟锡(ITO)走线,将第一OLED发光像素511的阳极与对应的像素控制电路连接,以便将位于摄像头安装区51之外的阳极控制信号传输到摄像头安装区51内的第一OLED发光像素的阳极。这样的走线方式,相比于常规显示区中阳极控制信号由像素控制电路连接至第二OLED发光像素的阳极的连接线进行传输的方式,第一OLED发光像素的阳极控制信号需要通过较长的透明信号走线53,透明信号走线53越长,导致其连接阳极的电容越大,启亮时间较长,导致亮度差异,最终导致摄像头安装区紫色竖条纹不良。图2为透明信号走线与竖条纹关系的示意图,从图2中可以看出,产生紫色竖条纹的规律与透明信号走线的长度突变一一对应。
表1为不同初始信号下R、G、B发光像素的发光占空比,图3为一帧情况下R、G、B发光像素的各自发光时间。
表1不同初始信号下R、G、B发光像素的发光占空比
Figure BDA0003169561750000061
经过本案发明人研究发现,产生紫色竖条纹的原因在于,G发光像素受透明信号走线的电容电阻影响最大,由于R、G、B发光像素的起亮电压不同,导致R、G、B发光像素中的G发光像素最后发亮,G发光像素在低灰阶情况下,发光占空比如表1和图3所示,在初始电压Vinit相同的情况下,G发光像素的发光占空比明显小于R发光像素和B发光像素的发光占空比。由此可见,导致摄像头安装区51产生紫色条纹的原因为:R发光像素和B发光像素发光占空比接近,但是G发光像素发光占空比明显低于R发光像素和B发光像素的发光占空比,这就导致R发光像素和B发光像素在画面中占比更多,肉眼观察结果是摄像头安装区51发紫。
为了解决摄像头安装区产生紫色竖条纹的问题,本公开实施例提供一种显示面板、显示装置。
下面通过实施例详细介绍本公开的技术方案。
图4为本公开一实施例中显示面板的平面示意图,图4中示出了摄像头安装区中的一个像素单元。在一种实施方式中,如图4所示,显示面板可以包括显示区(AA区)50,显示区50包括摄像头安装区51和常规显示区52,常规显示区52为显示区50中位于摄像头安装区51之外的区域。摄像头安装区51包括多个像素单元,像素单元包括多个发光像素611,发光像素611可以包括绿色发光像素以及非绿色发光像素。显示面板还可以包括多个像素电路,各像素电路与各发光像素611一一对应。像素电路可以包括像素控制电路以及发光像素611的第一极和第二极。像素控制电路位于摄像头安装区51之外的区域,发光像素611的第一极与对应的像素控制电路连接。改变像素电路的膜层图案,以使同一个像素单元内绿色发光像素的发光占空比与至少一个非绿色发光像素的发光占空比的差值位于预设范围内,预设范围为能够改善摄像头安装区51产生的紫色不良的范围。
可以理解的是,像素电路包括多个薄膜晶体管和存储电容,各薄膜晶体管和存储电容是由在制备显示面板过程中形成的各个膜层图案构成的,在制备显示面板过程中,可以改变薄膜晶体管或存储电容对应的膜层图案的形状和/或面积,从而改变像素电路的膜层图案。
相关技术中,摄像头安装区51内,R发光像素和B发光像素发光占空比接近,但是G发光像素发光占空比明显低于R发光像素和B发光像素的发光占空比,这就导致R发光像素和B发光像素在画面中占比更多,肉眼观察结果是摄像头安装区51发紫。
本公开实施例中,通过改变像素电路的膜层图案,可以改变发光像素的发光占空比,从而可以使得同一个像素单元内绿色发光像素的发光占空比与至少一个非绿色发光像素的发光占空比的差值位于预设范围内,预设范围为能够改善摄像头安装区51产生的紫色不良的范围。因此,采用本公开实施例的技术方案,使得摄像头安装区51中同一个像素单元内绿色发光像素的发光占空比与至少一个非绿色发光像素的发光占空比的差值位于预设范围内,使得绿色发光像素的发光占空比与至少一个非绿色发光像素的发光占空比相接近,有利于改善摄像头安装区51画面发紫现象,避免摄像头安装区51产生紫色条纹。
在一种实施方式中,预设范围可以为-10%至10%(包括端点值),也就是说,同一个像素单元内绿色发光像素的发光占空比与至少一个非绿色发光像素的发光占空比的差值的范围为-10%至10%(包括端点值)。
示例性地,非绿色发光像素可以包括红色发光像素和蓝色发光像素。经过发明人研究和实验证明,在同一个像素单元内,当绿色发光像素的发光占空比与红色发光像素的发光占空比或蓝色发光像素的发光占空比的差值的范围为-10%至10%(包括端点值)时,可以明显改善摄像头安装区画面发紫现象,避免摄像头安装区51产生紫色条纹。
可以理解的是,预设范围并不限于-10%至10%(包括端点值),可以根据发光像素的颜色种类以及制程工艺确定合适的范围,只要可以改善摄像头安装区的紫色不良即可。
图5为一种7T1C像素电路的示意图。如图5所示,本公开实施例中的像素电路可以为7T1C像素电路。该7T1C像素电路包括:7个晶体管(第一晶体管T1到第七晶体管T7)、1个存储电容Cst和7个信号输入端(数据信号端DATA、扫描信号端Gate、复位信号端Reset、发光信号端EM、初始信号端VINIT、第一电源端VDD和第二电源端VSS)。其中,存储电容Cst的第二端极板与第一电源端VDD连接,存储电容Cst的第一端极板与第一节点N1连接,即存储电容Cst的第一端极板与第三晶体管T3的栅电极连接。第一晶体管T1的栅电极与复位信号端Reset连接,第一晶体管T1的第一极与第一节点N1连接,第一晶体管的第二极与初始信号端VINIT连接。第二晶体管T2的栅电极与扫描信号端Gate连接,第二晶体管T2的第一极与第一节点N1连接,第二晶体管T2的第二极与第三节点N3连接。第三晶体管T3的栅电极与第一节点N1连接,即第三晶体管T3的栅电极与存储电容Cst的第二端连接,第三晶体管T3的第一极与第二节点N2连接,第三晶体管T3的第二极与第三节点N3连接。第四晶体管T4的栅电极与扫描信号端Gate连接,第四晶体管T4的第一极与第二节点N2连接,第四晶体管T4的第二极与数据信号端DATA连接。第五晶体管T5的栅电极与发光信号端EM连接,第五晶体管T5的第一极与第一电源端VDD连接,第五晶体管T5的第二极与第二节点N2连接。第六晶体管T6的栅电极与发光信号端EM连接,第六晶体管T6的第一极与第三节点N3连接,第六晶体管T6的第二极与发光像素L的第一极连接。第七晶体管T7的栅电极与扫描信号端Gate连接,第七晶体管T7的第一极与发光像素L的第一极连接,第七晶体管T7的第二极与初始信号端VINIT连接。发光像素L的第二极与第二电源端VSS连接。
如图5所示,像素控制电路包括7个晶体管(第一晶体管T1到第七晶体管T7)和1个存储电容Cst,其中第三晶体管T3还可以叫做驱动晶体管。
可以理解的是,像素电路并不限于7T1C,在其它实施例中,像素电路还可以采用3T1C或4T1C或5T1C或6T1C等像素电路,在此不对像素电路的具体结构进行限制。
在一种实施方式中,相比于非绿色发光像素对应的像素电路的膜层图案,改变绿色发光像素对应的像素电路的膜层图案,以提高绿色发光像素的发光占空比。
相关技术中,在制备OLED显示面板中,为了制程工艺的简化以及控制方式的简化,摄像头安装区内各发光像素对应的像素电路的膜层图案可以是相同的,例如,绿色发光像素的像素电路的膜层图案与红色发光像素的像素电路、蓝色发光像素的像素电路的各膜层图案相同。在各发光像素的像素电路的各膜层图案相同的情况下,摄像头安装区内的绿色发光像素受透明信号走线的电容电阻影响最大,导致绿色发光像素的发光占空比明显小于红色发光像素和蓝色发光像素的发光占空比。
本公开实施例的显示面板,针对摄像头安装区51中的多个发光像素,相比于非绿色发光像素对应的像素电路的膜层图案,改变绿色发光像素对应的像素电路的膜层图案,以提高绿色发光像素的发光占空比,从而,在摄像头安装区51中,绿色发光像素的发光占空比提高,更加接近于非绿色发光像素的发光占空比,提高了摄像头安装区51画面中绿色发光像素的发光占空比,实现了同一个像素单元内绿色发光像素的发光占空比与至少一个非绿色发光像素的发光占空比的差值位于预设范围内,有利于改善摄像头安装区51画面发紫现象,避免摄像头安装区51产生紫色条纹。
在一种实施方式中,例如图5所示,像素电路可以包括多个薄膜晶体管和存储电容Cst,其中,驱动晶体管T3的栅电极与第一节点N1连接,第一节点N1与存储电容Cst的第一端极板连接,第一节点N1还与第二晶体管的第一极以及第一晶体管T1的第一极连接。绿色发光像素对应的像素电路中的存储电容Cst的电容值小于非绿色发光像素对应的像素电路中的存储电容Cst的电容值。
需要说明的是,Vth补偿率=(VN1-Vinit)/(Vdata+Vth-Vinit),其中,VN1为7T1C电路中第一节点N1的电压,Vinit为初始信号端的电压,Vdata为数据端DATA的数据电压。Cst与VN1直接相关,Cst越大,VN1越小(即第一节点N1点电压越低),反之,VN1越大(即第一节点N1点电压越高)。通过Vth补偿率的关系式可知,Cst越小,Vth补偿率越大。因此,在绿色发光像素对应的像素电路中的存储电容Cst的电容值小于非绿色发光像素对应的像素电路中的存储电容Cst的电容值的情况下,在相同的电压设置和充电时间下,绿色发光像素能够有更高的阈值电压Vth补偿率,使得绿色发光像素能够在低灰阶下更快亮起,提高绿色发光像素的发光占空比,改善摄像头安装区的发紫现象,避免摄像头安装区产生紫色条纹。
图6为本公开一实施例显示面板中形成存储电容后的平面示意图。图7为图6中的A-A截面示意图。在一种实施方式中,如图6和图7所示,显示面板可以包括基底11、第一金属层12、第一绝缘层13和第二金属层14。第一金属层12位于基底11的一侧,第一绝缘层13位于第一金属层12背离基底11的一侧,第二金属层14位于第一绝缘层13背离基底11的一侧。第一金属层12包括多个第一极板121,各第一极板121分别与各发光像素对应。第二金属层14包括第二极板142和第三极板143,第二极板142与绿色发光像素对应,第三极板143与非绿色发光像素对应。第一极板121与第二极板142的交叠区域的面积小于第一极板121与第三极板143的交叠区域的面积。第一极板121、第二极板142和第三极板143均位于摄像头安装区51之外,不位于摄像头安装区51。
需要说明的是,第二极板142与绿色发光像素对应,因此,第一极板121与第二极板142的交叠区域的面积即为绿色发光像素对应的存储电容的面积,第一极板121与第三极板143的交叠区域的面积即为非绿色发光像素对应的存储电容的面积。第一极板121与第二极板142的交叠区域的面积小于第一极板121与第三极板143的交叠区域的面积,也就是说,绿色发光像素对应的存储电容的面积小于非绿色发光像素对应的存储电容的面积,这就使得绿色发光像素对应的存储电容的电容值小于非绿色发光像素对应的存储电容的电容值。从而,在相同的电压设置和充电时间下,绿色发光像素能够有更高的阈值电压Vth补偿率,使得绿色发光像素能够在低灰阶下更快亮起,提高绿色发光像素的发光占空比,改善摄像头安装区的发紫现象,避免摄像头安装区产生紫色条纹。
在一种实施方式中,如图6和图7所示,第二极板142开设有第一镂空21,第三极板143开设有第二镂空22。对应绿色发光像素中,第一极板121在基底11上的正投影的边缘位于第二极板142在基底11上的正投影的外边缘与内边缘之间,对应非绿色发光像素中,第一极板121在基底11上的正投影的边缘位于第三极板143在基底11上的正投影的外边缘与内边缘之间。可以理解的是,第一镂空21在基底11上的正投影的边缘即为第二极板142在基底11上的正投影的内边缘,第二镂空22在基底11上的正投影的边缘即为第三极板143在基底11上的正投影的内边缘。第一镂空21在基底11上的正投影面积S1大于第二镂空22在基底11上的正投影面积S2,即S1>S2。采用这样的结构,可以实现第一极板121与第二极板142的交叠区域的面积小于第一极板121与第三极板143的交叠区域的面积,进而可以实现绿色发光像素对应的存储电容的电容值小于非绿色发光像素对应的存储电容的电容值。
在图6和图7所示实施例中,各发光像素对应的存储电容的面积呈“回”字形。可以理解的是,实现第一极板121与第二极板142的交叠区域的面积小于第一极板121与第三极板143的交叠区域的面积的方式并不限于图6和图7所示的结构。为了实现第一极板121与第二极板142的交叠区域的面积小于第一极板121与第三极板143的交叠区域的面积,本领域技术人员可以对第一极板121或第二极板142和第三极板143进行各种形式的开镂空处理,或者,改变第二极板142和第三极板143的整体面积,只要可以实现第一极板121与第二极板142的交叠区域的面积小于第一极板121与第三极板143的交叠区域的面积均应属于本公开实施例的保护范围。
示例性地,第一金属层12可以称作第一栅金属层,第二金属层14可以称作第二栅金属层。如图6所示,第一金属层12还可以包括栅线(Gate)122、发光信号线(EM)123、复位信号线(Reset)124。示例性地,位于同一个像素单元中的各发光像素对应的存储电容沿第一方向X排列,如图6所示,图6示出了一个像素单元中的三个发光像素R、G、B,栅线122、发光信号线123、复位信号线(Reset)124均沿第一方向X延伸。第二金属层14还可以包括初始信号线(Vinit)141和第一电源端144,第一电源端144可以与电压信号VDD连接。初始信号线141沿第一方向X延伸,第一电源端144呈“L”形状,第一电源端144在基底11上的正投影位于栅线122在基底11上的正投影和复位信号线124在基底11上的正投影之间。存储电容在基底11上的正投影位于发光信号线123在基底11上的正投影与栅线122在基底11上的正投影之间。复位信号线124在基底11上的正投影位于栅线122在基底11上的正投影与初始信号线141在基底11上的正投影之间。
示例性地,如图6所示,第二极板142和第三极板143连接,并与电压信号VDD连接。
在一种实施方式中,发光像素可以为OLED发光像素。非绿色发光像素可以包括红色发光像素、蓝色发光像素中的至少一个。
在一种实施方式中,像素电路包括驱动晶体管,驱动晶体管包括沟道区域,绿色发光像素对应的驱动晶体管的沟道区域的宽长比(W/L)大于至少一个非绿色发光像素对应的驱动晶体管的沟道区域的宽长比(W/L)。
可以理解的是,Vth补偿率=W/L*Ith,其中,Tth为10nA。由此可见,Vth补偿率与W/L成正比。那么,在绿色发光像素对应的驱动晶体管的沟道区域的宽长比(W/L)大于至少一个非绿色发光像素对应的驱动晶体管的沟道区域的宽长比(W/L)的情况下,在相同的电压设置和充电时间下,绿色发光像素能够有更高的阈值电压Vth补偿率,使得绿色发光像素能够在低灰阶下更快亮起,提高绿色发光像素的发光占空比,实现了同一个像素单元内绿色发光像素的发光占空比与至少一个非绿色发光像素的发光占空比的差值位于预设范围内,有利于改善摄像头安装区的发紫现象,避免摄像头安装区产生紫色条纹。
图8为本公开一实施例显示面板中第一金属层和有源层的平面示意图。在一种实施方式中,如图8所示,显示面板还可以包括有源层15和第二绝缘层16,有源层15、第二绝缘层16和第一金属层12位于基底11的一侧,第二绝缘层16位于有源层15与第一金属层12之间。第一金属层12包括多个栅电极126,栅电极126适用于驱动晶体管T3,各栅电极126与各发光像素对应。有源层15与绿色发光像素对应的栅电极126的交叠区域为第一沟道区域151,有源层15与非绿色发光像素对应的栅电极126的交叠区域为第二沟道区域152。第一沟道区域151适用于绿色发光像素对应的像素电路中的驱动晶体管T3,第二沟道区域152适用于非绿色发光像素对应的像素电路中的驱动晶体管T3。
在一种实施方式中,第一沟道区域151的宽度大于第二沟道区域152的宽度,或/和,第一沟道区域151的长度小于第二沟道区域152的长度。图8中,第一沟道区域151的宽度与第二沟道区域152的宽度相同,第一沟道区域151的长度为2L1+2L2+L3,第二沟道区域152的长度为2L1+2L4+L3,其中,L2<L4,因此,第一沟道区域151的长度小于第二沟道区域152的长度。从而,可以实现第一沟道区域151的宽长比(W/L)大于第二沟道区域的宽长比(W/L)。在另一个实施例中,在第一沟道区域151的长度与第二沟道区域152的长度相同的情况下,可以增大第一沟道区域151的宽度,使得第一沟道区域151的宽度大于第二沟道区域152的宽度;或者,设置第一沟道区域151的长度小于第二沟道区域152的长度,同时,第一沟道区域151的宽度大于第二沟道区域152的宽度,均可以实现第一沟道区域151的宽长比(W/L)大于第二沟道区域的宽长比(W/L)。
图9为本公开一实施例中显示面板的平面示意图,图9中示出了有源层、第一金属层和第二金属层,图10为图9中的B-B示意图。在一种实施方式中,如图9和图10所示,显示面板包括与各发光像素对应的驱动晶体管和存储电容。显示面板可以包括基底11、有源层15、第二绝缘层16、第一金属层12、第一绝缘层13、第二金属层14,有源层15、第二绝缘层16、第一金属层12、第一绝缘层13、第二金属层14依次设置在基底11的一侧。第一金属层12包括多个第一极板121,各第一极板121分别与各存储电容相对应。第一金属层12包括多个栅电极126,各栅电极126适用于各驱动晶体管。对应于同一个发光像素的第一极板121和栅电极126为同一个金属图案,如图10所示。这样的方式,可以简化制程工艺,提高生产效率。
在一种实施方式中,如图4所示,发光像素611的第一极与对应的像素控制电路通过透明信号走线53连接。像素控制电路包括存储电容,位于同一个像素单元中的多个发光像素611,发光像素611对应的存储电容Cst的电容值随着对应的透明信号走线53的长度的增加而减小。发光像素611对应的存储电容Cst的电容值随着对应的透明信号走线53的长度的增加而减小的具体比例关系可以根据实际确定,在此不作具体限定。
发光像素611位于摄像头安装区51,对应的像素控制电路位于摄像头安装区51之外的区域,使得透明信号走线53的长度较长,发光像素611的阳极控制信号经过较长的透明信号走线53,导致其连接阳极的电容较大,启亮时间较长,导致亮度差异,最终导致摄像头安装区紫色竖条纹不良。对于同一个像素单元,通过将发光像素611对应的存储电容Cst的电容值设置为随着对应的透明信号走线53的长度的增加而减小,也就是说,随着透明信号走线53的长度的增加,阶梯性地减小对应发光像素的存储电容Cst的电容值,提高发光像素的发光占空比,降低透明信号走线53的长度对发光像素的发光占空比的影响,改善摄像头安装区51的紫色竖条纹不良。
在一种实施方式中,如图4所示,发光像素611的第一极与对应的像素控制电路通过透明信号走线53连接。像素控制电路可以包括驱动晶体管,驱动晶体管包括沟道区域,位于同一个像素单元中的多个发光像素611,发光像素611对应的沟道区域的宽长比随着对应的透明信号走线53的长度的增加而增大。发光像素611对应的沟道区域的宽长比随着对应的透明信号走线53的长度的增加而增大的具体比例关系可以根据实际确定,在此不作具体限定。
这样的方式,对于同一个像素单元,通过将发光像素611对应的驱动晶体管中的沟道区域的宽长比设置为随着对应的透明信号走线53的长度的增加而增大,也就是说,随着透明信号走线53的长度的增加,阶梯性地增大对应发光像素的驱动晶体管中的沟道区域的宽长比,提高发光像素的发光占空比,降低透明信号走线53的长度对发光像素的发光占空比的影响,改善摄像头安装区51的紫色竖条纹不良。
在一种实施方式中,如图4所示,像素控制电路可以位于常规显示区52。
在一种实施方式中,如图4所示,显示面板还可以包括位于显示区50之外的边框区60,像素控制电路可以位于边框区60。
在一种实施方式中,同一个像素单元中,减小绿色发光像素的第一极的面积,以提高绿色发光像素的发光占空比。示例性地,相关技术中,同一个像素单元中,绿色发光像素的第一极的面积与非绿色发光像素的第一极的面积之和的比值为55%至60%,使得摄像头安装区产生紫色条纹。本公开实施例中,同一个像素单元中,减小绿色发光像素的第一极的面积后,绿色发光像素的第一极的面积与非绿色发光像素的第一极的面积之和的比值的范围为43%至53%(包括端点值)。例如,非绿色发光像素包括红色R发光像素和蓝色B发光像素,也就是说,R发光像素的第一极的面积为SR,G发光像素的第一极的面积为SG,B发光像素的第一极的面积为SB,那么,SG/(SR+SB)的范围为43%至53%(包括端点值)。将绿色发光像素的第一极的面积减小后,可以减小充电时第一极对应的电容的电容值,从而可以提前点亮绿色发光像素,提高绿色发光像素的发光占空比,改善摄像头安装区51的紫色竖条纹不良。
图11为本公开一实施例显示面板中发光像素的第一极图案的示意图。如图11所示,非绿色发光像素包括红色R发光像素和蓝色B发光像素。相关技术中,R发光像素的第一极的面积SR为746.6,G’发光像素的第一极的面积SG’为521.2*2,B发光像素的第一极的面积SB为1052。SG’/(SR+SB)为57.9%,位于55%至60%,摄像头安装区产生紫色竖条纹不良。本公开实施例中,减小G发光像素的第一极的面积后,G发光像素的第一极的面积SG为437.3*2,SG/(SR+SB)为48.6%,位于43%至53%,大大改善了摄像头安装区51的紫色竖条纹不良。
表2为采用本公开实施例中不同初始信号下R、G、B发光像素的发光占空比。
表2
Figure BDA0003169561750000141
从表2中可以看出,采用本公开实施例的技术方案后,在初始信号Vinit为-3V的情况下,绿色发光像素的发光占空比为77%~85%,与至少一个非绿色发光像素的发光占空比的差值位于预设范围内;在初始信号Vinit为-2.5V的情况下,绿色发光像素的发光占空比为83%~90%,与至少一个非绿色发光像素的发光占空比的差值位于预设范围内;Vinit为-2V的情况下,绿色发光像素的发光占空比为88%~95%,与至少一个非绿色发光像素的发光占空比的差值位于预设范围内。从而,使得绿色发光像素的发光占空比与至少一个非绿色发光像素的发光占空比相接近,改善了摄像头安装区画面发紫现象,避免摄像头安装区产生紫色条纹。
示例性地,发光像素的第一极可以为发光像素的阳极。
可以理解的是,在常规显示区52,设置有第二发光像素,第二发光像素及其对应的像素控制电路均位于对应的像素区域内,第二发光像素的第一极与对应的像素控制电路之间的连接线长度比较短,因此,常规显示区不会出现紫色竖条纹不良。
基于前述实施例的发明构思,本公开实施例还提供了一种显示装置,该显示装置包括采用前述实施例的显示面板。显示装置可以为:手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
在本说明书的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本公开和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本公开的限制。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者多个该特征。在本公开的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本公开中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接,还可以是通信;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
在本公开中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
上文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本公开的不同结构。为了简化本公开,上文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本公开。此外,本公开可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。
以上,仅为本公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内,可轻易想到其各种变化或替换,这些都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此,本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (14)

1.一种显示面板,其特征在于,包括显示区,所述显示区包括摄像头安装区,所述摄像头安装区包括多个像素单元,所述像素单元包括多个发光像素,所述发光像素包括绿色发光像素以及非绿色发光像素,所述显示面板还包括多个像素电路,各像素电路与各所述发光像素一一对应,所述像素电路包括像素控制电路以及所述发光像素的第一极和第二极,所述像素控制电路位于所述摄像头安装区之外的区域,所述发光像素的第一极与对应的所述像素控制电路连接,同一个像素单元内所述绿色发光像素的发光占空比与至少一个所述非绿色发光像素的发光占空比的差值位于预设范围内。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述像素控制电路包括多个薄膜晶体管和存储电容,所述绿色发光像素对应的像素电路中的存储电容的电容值小于所述非绿色发光像素对应的像素电路中的存储电容的电容值。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述绿色发光像素对应的像素电路中的存储电容的面积小于所述非绿色发光像素对应的像素电路中的存储电容的面积。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括基底、位于所述基底一侧的第一金属层、位于所述第一金属层背离所述基底一侧的第一绝缘层以及位于所述第一绝缘层背离所述基底一侧的第二金属层,所述第一金属层包括多个第一极板,各所述第一极板分别与各所述存储电容相对应,所述第二金属层包括第二极板和第三极板,所述第二极板与所述绿色发光像素对应的所述存储电容相对应,所述第三极板与所述非绿色发光像素对应的所述存储电容相对应,所述第一极板与所述第二极板的交叠区域的面积小于所述第一极板与所述第三极板的交叠区域的面积。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第二极板开设有第一镂空,所述第三极板开设有第二镂空,所述绿色发光像素对应的存储电容中,所述第一极板在所述基底上的正投影的边缘位于所述第二极板在所述基底上的正投影的外边缘与内边缘之间,所述非绿色发光像素对应的存储电容中,所述第一极板在所述基底上的正投影的边缘位于所述第三极板在所述基底上的正投影的外边缘与内边缘之间,所述第一镂空在所述基底上的正投影面积大于所述第二镂空在所述基底上的正投影面积。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述像素控制电路包括驱动晶体管,所述驱动晶体管包括沟道区域,所述绿色发光像素对应的驱动晶体管的沟道区域的宽长比大于所述非绿色发光像素对应的驱动晶体管的沟道区域的宽长比。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括基底、位于所述基底一侧的有源层和第一金属层、以及位于所述有源层和所述第一金属层之间的第二绝缘层,所述第一金属层包括多个栅电极,各所述栅电极适用于各所述驱动晶体管,所述有源层与所述绿色发光像素对应的栅电极的交叠区域为第一沟道区域,所述有源层与所述非绿色发光像素对应的栅电极的交叠区域为第二沟道区域,
所述第一沟道区域的宽度大于所述第二沟道区域的宽度,和/或,所述第一沟道区域的长度小于所述第二沟道区域的长度。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述发光像素的第一极与对应的所述像素控制电路通过透明信号走线连接,所述像素控制电路包括存储电容,位于同一个像素单元中的多个发光像素,所述发光像素对应的存储电容的电容值随着对应的所述透明信号走线的长度的增加而减小。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述发光像素的第一极与对应的所述像素控制电路通过透明信号走线连接,所述像素控制电路包括驱动晶体管,所述驱动晶体管包括沟道区域,位于同一个像素单元中的多个发光像素,所述发光像素对应的沟道区域的宽长比随着对应的所述透明信号走线的长度的增加而增大。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的显示面板,其特征在于,所述像素控制电路包括驱动晶体管和存储电容,所述显示面板包括基底、在基底的一侧依次设置的有源层、第二绝缘层、第一金属层、第一绝缘层和第二金属层,所述第一金属层包括多个第一极板,各所述第一极板分别与各所述存储电容相对应,所述第一金属层包括多个栅电极,各所述栅电极适用于各所述驱动晶体管,对应于同一个发光像素的所述第一极板和所述栅电极为同一个金属图案。
11.根据权利要求1至9中任一项所述的显示面板,其特征在于,
所述显示区还包括位于所述摄像头安装区之外的常规显示区,所述像素控制电路位于所述常规显示区;和/或,
所述显示面板还包括位于所述显示区之外的边框区,所述像素控制电路位于所述边框区。
12.根据权利要求1至9中任一项所述的显示面板,其特征在于,所述非绿色发光像素包括红色发光像素和蓝色发光像素,所述发光像素为OLED发光像素。
13.根据权利要求12所述的显示面板,其特征在于,所述摄像头安装区的同一个像素单元中,所述绿色发光像素的第一极的面积与所述非绿色发光像素的第一极的面积之和的比值的范围为43%至53%。
14.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-13中任一项所述的显示面板。
CN202110814107.XA 2021-07-19 2021-07-19 一种显示面板、显示装置 Active CN113540200B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110814107.XA CN113540200B (zh) 2021-07-19 2021-07-19 一种显示面板、显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110814107.XA CN113540200B (zh) 2021-07-19 2021-07-19 一种显示面板、显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113540200A true CN113540200A (zh) 2021-10-22
CN113540200B CN113540200B (zh) 2024-05-21

Family

ID=78128727

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110814107.XA Active CN113540200B (zh) 2021-07-19 2021-07-19 一种显示面板、显示装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113540200B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023137663A1 (zh) * 2022-01-20 2023-07-27 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置
WO2023184352A1 (zh) * 2022-03-31 2023-10-05 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
WO2023225966A1 (zh) * 2022-05-26 2023-11-30 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110265458A (zh) * 2019-06-27 2019-09-20 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置
CN110690360A (zh) * 2019-09-26 2020-01-14 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示面板和显示装置
CN111799318A (zh) * 2020-07-28 2020-10-20 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN112017593A (zh) * 2020-09-28 2020-12-01 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
CN112086492A (zh) * 2020-09-10 2020-12-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及显示装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110265458A (zh) * 2019-06-27 2019-09-20 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置
CN110690360A (zh) * 2019-09-26 2020-01-14 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示面板和显示装置
CN111799318A (zh) * 2020-07-28 2020-10-20 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN112086492A (zh) * 2020-09-10 2020-12-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及显示装置
CN112017593A (zh) * 2020-09-28 2020-12-01 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023137663A1 (zh) * 2022-01-20 2023-07-27 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置
WO2023184352A1 (zh) * 2022-03-31 2023-10-05 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
WO2023225966A1 (zh) * 2022-05-26 2023-11-30 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN113540200B (zh) 2024-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11678546B2 (en) Array substrate with sub-pixels including power-supplying wire portions having openings therebetween and manufacturing method thereof, and display panel
CN110610684B (zh) 一种有机电致发光显示面板及显示装置
CN110690360B (zh) 一种显示面板和显示装置
CN106782416B (zh) 一种显示面板及显示装置
CN110689833B (zh) 显示装置
WO2020155593A1 (zh) 显示面板及其制造方法、显示装置
CN113540200B (zh) 一种显示面板、显示装置
RU2669521C1 (ru) Блок отображения на основе органических светоизлучающих диодов, способ его возбуждения и устройство отображения
CN111951729B (zh) 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN109346009B (zh) 有机发光显示面板和显示装置
CN111799318B (zh) 一种显示面板及显示装置
KR101178912B1 (ko) 유기 전계발광 표시장치
EP3588480B1 (en) Pixel driving circuit and driving method thereof, and layout structure of transistor
CN112017593A (zh) 一种显示基板及其制作方法、显示装置
WO2021013181A1 (zh) 阵列基板、显示面板及显示装置
CN212230037U (zh) 一种显示面板及显示装置
WO2021249164A1 (zh) 像素电路及其驱动方法、显示面板和显示装置
CN212256866U (zh) 一种显示基板、显示装置
CN110634922A (zh) 一种显示面板和显示装置
JP4260586B2 (ja) 表示装置の駆動回路及び駆動方法
CN210837108U (zh) 显示面板和显示装置
US20120013590A1 (en) Organic electroluminescent display device, method of manufacturing organic electroluminescent display device, and electronic apparatus
US11551610B2 (en) Display and driving method
US7164229B2 (en) Organic light dash emitting display
CN114758620B (zh) 显示模组及其驱动方法、显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant