CN111462622A - 可折式显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种可折式显示装置,其具有第一显示区域、第二显示区域以及可折显示区域连接第一显示区域与第二显示区域。可折式显示装置包含一可挠曲基板、多个第一发光单元设置在可挠曲基板上并位于第一显示区域内、多个第二发光单元设置在可挠曲基板上并位于可折显示区域内、一第一保护件用以保护第一发光单元的其中至少一个以及一第二保护件用以保护第二发光单元的其中至少一个。其中,在第一显示区域中,第一保护件的厚度对可挠曲基板的厚度的比例定义为一第一比值,在可折显示区域中,第二保护件的厚度对可挠曲基板的厚度的比例定义为一第二比值,且第一比值小于第二比值。

Description

可折式显示装置
技术领域
本发明涉及一种显示装置,特别是涉及一种可折式显示装置。
背景技术
近年来,可折式电子装置已成为下一时代电子科技的焦点之一。可折式电子装置在收折时方便携带,在展开时则可以延伸到较大的尺寸以显示影像,因此可折式电子装置作为电子显示器可以有许多不同的应用,例如电视、监视器、移动计算装置(例如智能型手机、平板电脑、移动式个人电脑)、电子书以及穿戴装置(例如智能型手表)。另外,发光元件已应用在显示装置上来提供光源或显示影像。然而,当发光元件设置在可折式显示装置的弯折部位时,可能很容易产生缺陷。因此,制造商如何提升具有发光元件的可折式显示装置的合格率便成为一个重要议题。
发明内容
本发明的目的之一是提供一种可折式显示装置与相关的电子装置,其中所述可折式显示装置包含用来显示影像的发光单元。本发明的另一个目的是提供一种电子装置,其包含连接到一个平坦区域的一个可折区域。
本发明的一实施例提供一可折式显示装置,其包含一第一显示区域、一第二显示区域以及一可折显示区域连接所述第一显示区域与所述第二显示区域。所述可折式显示装置包含一可挠曲基板;多个第一发光单元设置在所述可挠曲基板上并位于所述第一显示区域内;多个第二发光单元设置在所述可挠曲基板并位于所述可折显示区域内;一第一保护件,用以保护所述多个第一发光单元的其中至少一个;以及一第二保护件用以保护所述多个第二发光单元的其中至少一个。在所述第一显示区域中,所述第一保护件的厚度对所述可挠曲基板的厚度的比例定义为一第一比值,在所述可折显示区域中,所述第二保护件的厚度对所述可挠曲基板的厚度的比例定义为一第二比值,且所述第二比值大于所述第一比值。
本发明的一实施例提供一可折式电子装置,其包含一第一区域、第二区域以及一可折区域,连接所述第一区域以及所述第二区域。所述可折式电子装置包含:一可挠曲基板;多个第一电子单元设置在所述可挠曲基板上并位于所述第一区域内;多个第二电子单元设置在所述可挠曲基板上并位于所述可折区域内;一第一保护件,用以保护所述第一电子单元的其中至少一个;以及一第二保护件,用以保护所述第二电子单元的其中至少一个。在所述第一区域中,所述第一保护件的厚度对所述可挠曲基板的厚度的比例定义为一第一比值,在所述可折区域中,所述第二保护件的厚度对所述可挠曲基板的厚度的比例定义为一第二比值,且所述第二比值大于所述第一比值。
附图说明
图1为本发明第一实施例的电子装置或可折式显示装置的俯视示意图。
图2为本发明中,图1所示的电子装置或可折式显示装置的剖视示意图。
图3为本发明中,图1所示的电子装置或可折式显示装置的细部元件剖视示意图。
图4为本发明第二实施例的电子装置或可折式显示装置的剖视示意图。
图5为本发明第三实施例的电子装置或可折式显示装置的剖视示意图。
图6为本发明第四实施例的电子装置或可折式显示装置的剖视示意图。
图7为本发明第四实施例的一变化实施例的电子装置或可折式显示装置的俯视示意图。
图8为本发明第五实施例的电子装置或可折式显示装置的剖视示意图。
图9为本发明第六实施例的电子装置或可折式显示装置的剖视示意图。
图10为本发明第七实施例的电子装置或可折式显示装置的剖视示意图。
图11为本发明第八实施例的电子装置或可折式显示装置的剖视示意图。
图12为本发明第九实施例的电子装置或可折式显示装置的俯视示意图。
图13为本发明第十实施例的电子装置或可折式显示装置的俯视示意图。
图14为本发明第十一实施例的电子装置或可折式显示装置的剖视示意图。
图15为本发明第十二实施例的电子装置或可折式显示装置的剖视示意图。
图16为本发明第十三实施例的电子装置或可折式显示装置的俯视示意图。
图17为图16所示发光单元以及电路层沿切线A-A’与B-B’的放大剖视示意图。
图18为本发明第十四实施例的所述可折式显示装置中一像素的放大俯视示意图。
图19为本发明第十五实施例的电子装置或所述可折式显示装置的俯视示意图。
附图标记说明:32-第一像素区域;34-第二像素区域;51-第一电子单元;52-第二电子单元;100-可折式显示装置;102-剖面线、精准剖面线;1021,1022,1023,1024-公差剖面线;110-电路层;112-凹穴;114-覆盖层;116-第一电极;118-第二电极;120-第一半导体层;122-发光层;124-第二半导体层;126,128-接合材;1261-第一接合材;1262-第二接合材;130,134-接合垫;130’-备用接合垫;1301,327-第一接合垫;1302,347-第二接合垫;132-共同电极;136-自反射层;138,1381,1382-凹槽;138s-侧壁;138c-连接部;140-异向性导电膜;142-导电粒子;1421-第一导电粒子;150-滤光层;1521,1522-光转换元件;1523-填充体;154-薄膜晶体管;325-第一部分;345-第二部分;A-A’,B-B’-切线;B1-第一分界线;B2-第二分界线;BML-黑色矩阵层;BM1-第一黑色矩阵部;BM2-第二黑色矩阵部;BM21-第一黑色矩阵层;BM22-第二黑色矩阵层;D1,D2,D3-方向;d1,d2-距离;DE-汲极;dt1,dt2-公差差异;ED-电子装置、可折式电子装置;FX-折叠轴;GC-几何中心;GE-闸极;h1,h2,H5,H6-高度;H1,H2,H3,H4-厚度;IN-绝缘层;L1,L3-面积;L2,L4-最大面积;LE1-第一发光单元;LE2-第二发光单元;LEP1,LEP2-发光组;LEP2-第二发光组;LN1,LN2,LN3-行;NP-中性平面;OPN-开口;OS-外表面;P1-第一表面部;P2-第二表面部;P3-第三表面部;PCR-预定接合区域;PCR’-备用接合区域;PLN1,PLN2-平面;PT1-第一保护件;PT2-第二保护件;PX-像素;QD11,QD12-第一光转换元件;QD21,QD22-第二光转换元件;R1-第一区域、第一显示区域;R2-第二区域、第二显示区域;Ra1-第一比值;Ra2-第二比值;RF-可折区域、可折显示区域;SC-半导体层;SE-源极;SUB-可挠曲基板;SUB1-底部表面;SUB11,SUB12-突起;U11,U12,U13,U21,U22,U23-次像素单元;WL1,WL2-宽度;Wp1,Wp2,WQ1,WQ2-面积;α-角度;β,θ-夹角;θ1,θ2-旋转角度。
具体实施方式
通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本发明,须注意的是,为了使读者能容易了解及图面的简洁,本发明中的多张附图只绘出显示装置/电子装置的一部分,且附图中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外,图中各元件的数量及尺寸仅作为示意,并非用来限制本发明的范围。
本发明通篇说明书与后附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解,电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求书中,“含有”与“包括”等词为开放式词语,因此其应被解释为“含有但不限定为…”之意。
应了解到,当元件或膜层被称为在另一个元件或膜层“上”或“连接到”另一个元件或膜层时,它可以直接在此另一元件或膜层上或直接连接到此另一元件或层,或者两者之间存在有插入的元件或膜层。相反地,当元件被称为“直接”在另一个元件或膜层“上”或“直接连接到”另一个元件或膜层时,两者之间不存在有插入的元件或膜层。
须知悉的是,在不脱离本发明的精神下,可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。
请参考图1到图3,图1为本发明第一实施例的电子装置或可折式显示装置的俯视示意图,图2为图1所示的电子装置或可折式显示装置的剖视示意图,图3为本发明中,图1所示的电子装置或可折式显示装置的细部元件剖视示意图,其中图2所示的电子装置处于一折叠状态。如图1与图2所示,本发明电子装置ED可以是一可折式电子装置,其可以沿一折叠轴FX并以180°到-180°之间的折叠角度折叠。举例来说,图2所示的可折式电子装置ED显现的是向内折的状态,而折叠角度是180°。可折式电子装置ED包含一第一区域R1、一第二区域R2以及一可折区域RF连接第一区域R1以及第二区域R2。在一些实施例中,第一区域R1与第二区域R2是平坦的,或者相较于可折区域RF而言,第一区域R1与第二区域R2是更为平坦的。可折式电子装置ED的可折区域RF可以被弯曲(curved)、弯折(bent)以及/或折叠,亦即可以一曲面存在。在一些实施例中,可折式电子装置ED可包含不只一个可折区域RF。如图1与图2所示,本发明可折式电子装置ED可包含一可挠曲基板SUB、多个第一电子单元51设置在可挠曲基板SUB上并位于第一区域R1及/或第二区域R2内以及多个第二电子单元52设置在可挠曲基板SUB上并位于可折区域RF内。在一些实施例中,第一电子单元51以及第二电子单元52可以具有显示功能。举例来说,第一电子单元51可以包含多个第一发光单元LE1设置在第一区域R1及/或第二区域R2内,而第二电子单元52可以包含多个第二发光单元LE2设置在可折区域RF内。在此设计下,第一区域R1、第二区域R2以及可折区域RF可以具有显示功能,因此上述三个区域在一些实施例中亦可分别称为第一显示区域R1、第二显示区域R2以及可折显示区域RF。发光单元可以安排成一矩阵,例如配置成多个沿一方向D1排列的行与多个沿一方向D2排列的列。方向D1与方向D2可以不同,例如两个方向可以互相垂直。然而,发光单元的排列不以此为限。
根据一些实施例,第一电子单元51与第二电子单元52可以不具有显示功能。举例来说,上述电子单元可以是天线单元,例如液晶天线单元,而液晶天线单元可以发射或接收电磁波。
根据一些实施例,可折式电子装置ED可以是一可折式显示装置100。可折式电子装置ED具有一外表面OS,外表面OS包含一第一表面部P1、一第二表面部P2及一第三表面部P3,其中第一表面部P1用来定义第一显示区域R1,第二表面部P2用来定义第二显示区域R2,而第三表面部P3用来定义可折显示区域RF。当可折式电子装置ED展开至一展开状态(或非折叠状态)时,第一表面部P1、第二表面部P2以及第三表面部P3位于同一平面。当可折式电子装置ED折叠至图2所示的一折叠状态时,第一表面部P1是平坦的并且与一平面PLN1处于同一平面,第二表面部P2是平坦的并且与另一平面PLN2处于同一平面,而第三表面部P3是弯折的并且与上述平面不处于同一平面。由此可知,当可折式电子装置ED处于折叠状态时,第三表面部P3可定义为介于平面PLN1与平面PLN2之间。详细来说,自第一表面部P1离开的位置定义为一第一分界线B1,自第二表面部P2离开的位置定义为一第二分界线B2。换句话说,可折区域RF可以定义为介于第一分界线B1与第二分界线B2的一区域。
为简化说明,以下一些实施例是以可折式显示装置100作为可折式电子装置ED的范例。如图3所示,可折式显示装置100包含多个第一发光单元LE1设置在可挠曲基板SUB上并位于第一显示区域R1与第二显示区域R2中、多个第二发光单元LE2设置在可挠曲基板SUB上并位于可折显示区域RF、一第一保护件PT1用以保护多个第一发光单元LE1的其中至少一个以及一第二保护件PT2用以保护多个第二发光单元LE2的其中至少一个。另外,一电路层110还可设置在可挠曲基板SUB上。电路层110可以包含导线及/或驱动单元(如晶体管),但图3中将电路层110绘制为一单一层别以便说明。电路层110的细部结构将会在以下实施例中详述。电路层110可以包含多个凹穴112用以设置第一发光单元LE1以及第二发光单元LE2。第一保护件PT1可以覆盖并填补设置有第一发光单元LE1的凹穴112,第二保护件PT2可以覆盖并填补设置有第二发光单元LE2的凹穴112。此外,一覆盖层114可以设置在第一保护件PT1与第二保护件PT2上。
在一些实施例中,第一发光单元LE1与第二发光单元LE2可以是有机发光二极管(organic light emitting diode,OLED)、无机发光二极管(inorganic light emittingdiode,LED)、或量子点发光二极管的其中一种。无机发光二极管可以是次毫米发光二极管(mini-LED)或微型发光二极管(micro-LED)。在一些实施例中,次毫米发光二极管的尺寸范围可以为100微米到300微米。在一些实施例中,微型发光二极管的尺寸范围可以为1微米到100微米。第一发光单元LE1与第二发光单元LE2可以是倒置封装(flip chip-type)结构或垂直(vertical type)结构。以第一发光单元LE1为例,第一发光单元LE1可以包含一第一电极116、一第二电极118、一第一半导体层120、一发光层122以及一第二半导体层124。举例来说,发光层122可以是一多重量子井(multiple quantum well,MQW)层,但不以此为限。第一发光单元LE1经由第一接合材126、128电性连接到电路层110。详细来说,电路层110可以包含多个接合垫130以及多个接合垫134。以一第一发光单元LE1为例,第一发光单元LE1的第一电极116可以经由第一接合材126电性连接到接合垫130的其中一个,第一发光单元LE1的第二电极118可以经由第一接合材128电性连接到接合垫134。第二发光单元LE2与电路层110之间的连接与上述第一发光单元LE1与电路层110之间的连接类似,故于此不再赘述。当电路层110包含用以驱动发光单元的驱动单元时,可折式显示装置100可为一主动式显示装置。可折式显示装置100可以是一被动式显示装置,而第一发光单元LE1以及第二发光单元LE2可不直接连接到驱动单元。
如图3所示,在一些实施例中,位于第一显示区域R1与第二显示区域R2的第一发光单元LE1被第一保护件PT1覆盖,而位于可折显示区域RF的第二发光单元LE2由第二保护件PT2覆盖,但并不以此为限。第一保护件PT1具有一厚度H1,第二保护件PT2具有一厚度H2。请一并参考图1与图3。保护件的厚度定义可藉由参考图1下方的第一发光单元LE1的放大图而得知。举例来说,第一保护件PT1的厚度H1可由以下所列的步骤决定:(1)选定一个第一发光单元LE1;(2)决定所选的第一发光单元LE1的几何中心GC;(3)以穿过几何中心GC的方式来切割出一切割剖面(如剖面线102所示),以取得一剖面轮廓;以及(4)在所述剖面轮廓中,由第一保护件PT1的底面测量至顶面,并以所测得的最大厚度作为第一保护件PT1的厚度。在一些实施例中,可以选定五个不同的第一发光单元LE1分别执行步骤(1)至步骤(4),以取得其平均值做为第一发光单元LE1所对应的第一保护件PT1的厚度H1。另外,在上述剖面轮廓中亦可用来测得可挠曲基板SUB在第一显示区域R1的厚度H3,其中厚度H3对应于第一保护件PT1的厚度H1。举例来说,切割剖面(即剖面线102)可以垂直于折叠轴FX。切割剖面可以有少许可容许的位移或误差。举例来说,切割剖面的可容许公差差异可小于±5微米,如图1的(A)部分所示,公差剖面线1021、1022与精准剖面线102之间的公差差异以符号dt1与dt2表示。此外,切割剖面的旋转角度的可容许公差可以小于3°-5°,如图1的(B)部分所示,旋转角度公差以公差剖面线1023、1024的旋转角度θ1、θ2表示。第二发光单元LE2所对应的第二保护件PT2的厚度H2以及可折显示区域RF中可挠曲基板SUB的对应厚度H4的测定方式类似于厚度H1与厚度H3,故于此不再赘述。
在第一显示区域R1中,第一保护件PT1的厚度H1对可挠曲基板SUB的厚度H3的比例定义为一第一比值Ra1(即Ra1=H1/H3),在可折显示区域RF中,第二保护件PT2的厚度H2对可挠曲基板SUB的厚度H4的比例定义为一第二比值Ra2(即Ra2=H2/H4)。如图3所示,藉由将第二比值Ra2与第一比值Ra1设计为不等值,可以调整可折式显示装置100的中性平面(neutral plane,NP)的位置。举例来说,在一些实施例中,可设计第二比值Ra2大于第一比值Ra1(亦即Ra2>Ra1),以使位于可折显示区域RF的中性平面NP更接近第二发光单元LE2与接合垫130、134的界面。因此,当可折式显示装置100在一折叠状态时,第二发光单元LE2可以具有更佳的附着表现或可靠性。上述中性平面NP所指的是可折式显示装置100在方向D3上最小应力点所构成的一平面,其中方向D3垂直于可挠曲基板SUB的表面。
在一些实施例中,第二保护件PT2的厚度H2可以大于第一保护件PT1的厚度H1,并且可挠曲基板SUB在第一显示区域R1或第二显示区域R2的对应厚度H3可以实质上等于可挠曲基板SUB在可折显示区域RF的对应厚度H4(即H2>H1与H4=H3),藉此,第二比值Ra2大于第一比值Ra1(如图3所示)。在一些实施例中,第二保护件PT2的厚度H2可以大于或等于第一保护件PT1的厚度H1,而可挠曲基板SUB的厚度H3可以大于可挠曲基板SUB的厚度H4,以致于第二比值Ra2仍然可以大于第一比值Ra1(即H2≥H1与H4<H3)。举例来说,厚度H2的范围可以为大约5微米到大约15微米;厚度H4的范围可以为大约10微米到大约100微米;厚度H1的范围可以为大约3微米到大约10微米;厚度H3的范围可以为大约10微米到大约120微米,但并不以此为限。
在一些实施例中,第一比值Ra1与第二比值Ra2可以满足下列数学式的其中至少一个:
0.1≤Ra2≤1.5;
0.02≤Ra1<0.1;以及
0.005≤Ra2-Ra1≤1.5。
若第一比值Ra1或第二比值Ra2的数值太大,则可挠曲基板SUB可能缺乏足够支撑能力来支撑发光单元,若第一比值Ra1或第二比值Ra2的数值太小,则第一保护件PT1或第二保护件PT2会无法在可折式显示装置100折叠时提供足够保护给对应的发光单元。因此,根据一些实施例,第一比值Ra1与第二比值Ra2可以设计为适合的数值,以降低发光单元在折叠状态时损坏或剥离的机率,进而影响可折式显示装置100的合格率。因此,当第一比值Ra1与第二比值Ra2维持在适合的范围内时,例如维持在上述的数值时,即可增加可折式显示装置100的可靠性。可靠性、破裂可能性或损坏的状况可以藉由弯折测试而得知。举例来说,上述的弯折测试例如可将可折式显示装置100弯折100000次(本发明不以此次数为限)并以光学显微镜(optical microscope,OM)观察。上述使第一比值Ra1小于第二比值Ra2的设计可以应用于本发明中任一其他实施例或变化实施例,亦即本发明的下述实施例及变化实施例中的电子装置及/或可折式显示装置都可具有第一比值Ra1小于第二比值Ra2的设计,后续不再赘述。
在一些实施例中,第一保护件PT1与第二保护件PT2可包含相同的材料。或者,在变化实施例中,第一保护件PT1的材料可以不完全相同于第二保护件PT2的材料。举例来说,第二保护件PT2的杨氏模数(Young’s modulus)可以小于第一保护件PT1的杨氏模数。第一保护件PT1可能具有较大的刚性及/或弹性恢复力。具有较低杨氏模数的第二保护件PT2可以提供较好的延展性,以在可折式显示装置100弯折时,降低第二保护件PT2破裂的可能性。第一保护件PT1可以包含有机材料,且有机材料可以选自压克力系树脂(acryl-based resin)以及环氧树脂(epoxy resin)的其中至少一种。第一保护件PT1的杨氏模数范围可以为大约2GPa到大约20GPa。第二保护件PT2可以由包含硅基树脂(silicon-based resin)的有机材料组成。第二保护件PT2的有机材料的杨氏模数的范围可以为大约0.001GPa到大约0.05GPa。
本发明的电子装置与可折式显示装置并不以上述实施例为限,并且可能包含其他不同的实施例与变化实施例。为简化说明书内容,下列各实施例中相同的元件皆以相同符号代表。为了更方便比较实施例与变化实施例的不同,以下将详述不同实施例与变化实施例之间的差异,而相同的部分则不再赘述。
请参考图4。图4为本发明第二实施例的电子装置或可折式显示装置的剖视示意图。在第二实施例中,第一发光单元LE1与第二发光单元LE2可以垂直式发光二极管为例。同样地,第一发光单元LE1与第二发光单元LE2可以包含次毫米发光二极管及/或微米发光二极管。第一发光单元LE1或第二发光单元LE2的第二电极118可以电性连接到一横向延伸并覆盖第一发光单元LE1、第二发光单元LE2与电路层110的一共同电极132。换句话说,电性连接到不同第一发光单元LE1与第二发光单元LE2的第二电极118的共同电极132可彼此连接。在一些实施例中,覆盖第一发光单元LE1的第一保护件PT1的厚度H1可能实质上等于覆盖第二发光单元LE2的第二保护件PT2的厚度H2。然而,在可折显示区域RF中的可挠曲基板SUB的厚度H4小于在第一显示区域R1或第二显示区域R2中的可挠曲基板SUB的厚度H3。详细来说,可挠曲基板SUB在可折显示区域RF内可以有至少一凹槽138,因此对应凹槽138的厚度H4较薄。在一些实施例中,凹槽138的侧壁138s大约垂直于可挠曲基板SUB的表面或平行于方向D3,但本发明不以此为限。在可挠曲基板SUB有凹槽138的设计下,厚度H2对厚度H4的第二比值Ra2可以大于厚度H1对厚度H3的第一比值Ra1。
另一方面,第一发光单元LE1的其中之一通过一第一接合材1261电性连接到电路层110,第二发光单元LE2的其中之一通过一第二接合材1262电性连接到电路层110,且第一接合材1261与第二接合材1262可以具有不同面积。举例来说,第一接合材1261的面积可以小于第二接合材1262的面积,但本发明不以此为限。如图4所示,第一接合材1261可以具有一面积L1,用以表示第一接合材1261与第一发光单元LE1的第一电极116的接触面积,而第一接合材1261可以有一最大面积L2,其对应于第一接合材1261在可挠曲基板SUB的表面的投影面积。第二接合材1262可以具有一面积L3,用以表示第二接合材1262与第二发光单元LE2的第一电极116的接触面积,而第二接合材1262可以有一最大面积L4,其对应于第二接合材1262在可挠曲基板SUB的表面的投影面积。面积L3大于面积L1,且面积L4大于面积L2。在此设计下,对应第二发光单元LE2的其中之一的第二接合材1262的总量可以大于对应第一发光单元LE1的其中之一的第一接合材1261的总量。因此第二接合材1262的接合面积可以大于第一接合材1261的接合面积。当可折式显示装置100处于一折叠状态时,第二接合材1262具有较大的接合面积可以为第二发光单元LE2与接合垫130的接合提供较牢固的接合表现,以降低其剥落或损坏的可能。此外,可折式显示装置100还可以包含一自反射层136。自反射层136可以设置在第一发光单元LE1的侧壁上及/或第二发光单元LE2的侧壁上。自反射层136能够防止发光单元所产生的光线横向发散,使得大部分光线是由发光单元垂直射出,进而避免产生串扰(crosstalk)及/或混色。自反射层136的设置可以应用于本发明的其他实施例或变化实施例,也就是说,虽然在其他实施例、变化实施例或图中没有特别提到,但本发明的其他实施例或变化实施例中的发光单元侧壁都可以设置自反射层136,不再赘述。
请参考图5。图5为本发明第三实施例的电子装置或可折式显示装置的剖视示意图。在第三实施例中,第一保护件PT1与第二保护件PT2可以分别是一横向延伸并分别覆盖第一发光单元LE1或第二发光单元LE2的连续层别。第一保护件PT1与第二保护件PT2可以包含完全相同或不完全相同的材料。第一保护件PT1与第二保护件PT2之间可以有明显或不明显的界线。在一些实施例中,第二保护件PT2可以由不完全相同于第一保护件PT1的材料所组成,并且第二保护件PT2可以重叠于可折显示区域RF,并重叠于靠近可折显示区域RF的部分第一显示区域R1及/或部分第二显示区域R2。在第三实施例中,可挠曲基板SUB的凹槽138的侧壁138s可以相对方向D3倾斜。举例来说,如图5所示,侧壁138s与可挠曲基板SUB的底部表面SUB1可以形成一夹角β,夹角β为一钝角。此外,在一些实施例中,用以电性连接第一发光单元LE1与第二发光单元LE2到电路层110的接合材料可能包含一异向性导电膜(anisotropic conductive film,ACF)140。如图5所示,异向性导电膜140设置于第一保护件PT1、第二保护件PT2、第一发光单元LE1、第二发光单元LE2与电路层110的接合垫130、134之间,且设置在可挠曲基板SUB上。异向性导电膜140可以包含多个导电粒子142。当接合第一发光单元LE1与第二发光单元LE2到电路层110时,发光单元会被向下压合并挤压其下方的导电粒子142,进而使得位于第一电极116与接合垫130之间或位于第二电极118与接合垫134之间的被压缩导电粒子142能够电性连接对应发光单元与电路层110。在一些实施例中,压合第二发光单元LE2的力量可大于压合第一发光单元LE1的力量,因此在第一发光单元LE1的其中一个与电路层110之间,第一导电粒子1421的其中一个的高度h1可能大于在第二发光单元LE2的其中一个与电路层110之间的第二导电粒子1422的其中一个的高度h2。基于相同理由,在一些实施例中,第一导电粒子1421的投影面积可能小于第二导电粒子1422的投影面积。在一些实施例中,第一导电粒子1421的高度h1不同于第二导电粒子1422的高度h2。
再者,图5绘示出一黑色矩阵层(black matrix layer,BM layer)BML设置在第一保护件PT1或第二保护件PT2与电路层110之间。黑色矩阵层BML包含一屏蔽部113,设置在两个相邻发光单元之间。黑色矩阵层BML能够降低由一发光单元散射到另一发光单元的光量。黑色矩阵层BML的设置可以应用于本发明的其他实施例或变化实施例,也就是说,虽然在其他附图中没有直接绘示出如图5的黑色矩阵层BML,但本发明的各实施例与变化实施例的结构中仍可设置有黑色矩阵层BML,不再赘述。
图6为本发明第四实施例的电子装置或可折式显示装置的剖视示意图。在一些实施例中,电路层110包含一第一接合垫1301设置在第一显示区域R1内以及一第二接合垫1302设置在可折显示区域RF内。第一接合垫1301对应于第一发光单元LE1的其中一个,且具有一面积Wp1。第二接合垫1302对应于第二发光单元LE2的其中一个,且具有一面积Wp2。面积Wp1可能不同于面积Wp2。在图6中,不同宽度的第一接合垫1301与第二接合垫1302可以代表不同面积的第一与第二接合垫。举例来说,面积Wp2可以大于面积Wp1。在可折显示区域RF中,具有较大面积的第二接合垫1302可以改善接合效果与接合的牢固性,以在可折显示区域100弯折时降低可折显示区域RF中元件损坏的机会。此外,在此实施例中,可挠曲基板SUB上的凹槽138的侧壁138s与可挠曲基板SUB的底部表面SUB1的连接部138c可以为曲面,并且侧壁138s可以与可挠曲基板SUB的底部表面SUB1形成一夹角θ。在一些实施例中,夹角θ可以是一钝角,但本发明不以此为限。
图7为本发明第四实施例的一变化实施例的电子装置或可折式显示装置的俯视示意图。在此变化实施例中,多个或全部位于可折显示区域RF中的第二接合垫1302可以具有一个或多个开口OPN。开口OPN可以以固定周期或随机配置在第二接合垫1302的其中一个。在弯折可折式显示装置100时,第二接合垫1302上设置开口OPN可以降低破裂的可能并协助释放累积在第二接合垫1302的应力。单一第二接合垫1302的面积可以大于单一第一接合垫1301的面积。其中,单一第二接合垫1302的面积代表第二接合垫1302所占面积或区域(其中包含开口OPN所占的面积),也可由第二接合垫1302的外围边缘所定义。在一些变化实施例中,可折显示区域RF内具有开口OPN的第二接合垫1302的面积可以相同于第一显示区域R1内或第二显示区域R2内的第一接合垫1301的面积,在上述情况中,第二接合垫1302的面积同样包含开口OPN的所占面积。
图8为本发明第五实施例的电子装置或可折式显示装置的剖视示意图。在一些实施例中,可折式显示装置100可以是一主动式显示装置,其中电路层110可以包含多个驱动单元,但本发明不以此为限。举例来说,用以驱动发光单元的驱动单元可以包含薄膜晶体管(Thin film transistor,TFT)154。单一个薄膜晶体管154可以包含一闸极GE,一源极SE,一汲极DE与一半导体层SC,其中源极SE与汲极DE分别电性连接到半导体层SC,且一绝缘层IN位于闸极GE与半导体层SC之间。源极SE可以电性连接到一信号线。汲极DE可以电性连接到一接合垫130或一连接层,经由接合垫130或连接层而电性连接到对应的发光单元的第一电极116。藉此,薄膜晶体管154能驱动所对应的发光单元。于此实施例中,第一发光单元LE1与第二发光单元LE2是垂直式发光二极管,其第二电极118分别电性连接到一共同电极132,并且相邻的共同电极132可以不互相连接,但本发明不在此限。如图8所示,在第一显示区域R1或第二显示区域R2中,多个第一黑色矩阵部BM1设置在两个相邻的第一发光单元LE1上,且在可折显示区域RF中,多个第二黑色矩阵部BM2设置在两个相邻的第二发光单元LE2上。第一黑色矩阵部BM1的一高度H5可以小于第二黑色矩阵部BM2的一高度H6。当可折式显示装置100在弯折时,较高的第二黑色矩阵部BM2可以减轻可折显示区域RF中,因层别之间或元件之间的相对移动所造成的串扰问题。
图9为本发明第六实施例的电子装置或可折式显示装置的剖视示意图。在一些实施例中,可折式显示装置100可以是一主动式显示装置,其中电路层110可以包含多个驱动单元,并且发光单元可以是倒置封装式发光二极管,但本发明不在此限。单一发光单元可以由一驱动单元驱动,驱动单元可以是一薄膜晶体管154。举例来说,发光单元的第一电极116电性连接到电路层110的接合垫130,接合垫130则可以进一步电性连接到一共同源极,并且薄膜晶体管154的汲极DE可以经由接合垫134电性连接到第二电极118。第二保护件PT2的厚度H2可以大于第一保护件PT1的厚度H1,并且可挠曲基板SUB在可折显示区域RF的厚度H4可以小于可挠曲基板SUB在第一显示区域R1或第二显示区域R2的厚度H3,因此第二比值Ra2大于第一比值Ra1。此外,在可折显示区域RF中,设置在两个相邻的第二发光单元LE2之间的第二黑色矩阵部BM2包含一第一黑色矩阵层BM21与一第二黑色矩阵层BM22堆栈在第一黑色矩阵层BM21上,并且第一黑色矩阵层BM21与第二黑色矩阵层BM22可以由不同材料组成。在一些实施例中,第二黑色矩阵层BM22是由一种密度小于第一黑色矩阵层BM21的材料所组成,或者第二黑色矩阵层BM22的杨氏模数小于第一黑色矩阵层BM21的杨氏模数。当可折式显示装置100被弯折时,第二黑色矩阵部BM2的上层会承受较大的应力,因此具有较低密度或较低杨氏模数的第二黑色矩阵层BM22可以减少第二黑色矩阵部BM2损坏的机率。在一些实施例中,第二黑色矩阵部BM2的高度H6可以大于第一黑色矩阵部BM1的高度H5,以减轻可折式显示装置100在弯折时,相邻第二发光单元LE2之间漏光的情形。在一些另外的实施例中,高度H6可以实质上与高度H5相同。
图10为本发明第七实施例的电子装置或可折式显示装置的剖视示意图。在一些实施例中,为了减轻漏光,黑色矩阵部BM可设置在第一显示区域R1与第二显示区域R2的任意两个相邻的第一发光单元LE1之间。然而,在可折显示区域RF中的任意两个相邻第二发光单元LE2之间并没有设置黑色矩阵部。自反射层136可以设置在第二发光单元LE2的侧壁上与底表面的一些部分以减轻漏光。在可折显示区域RF中,以自反射层136取代黑色矩阵部BM可以改善光屏蔽效果,因为可折显示区域RF中不会发生因黑色矩阵部BM在层别间移动所造成的漏光。
如图10所示,可挠曲基板SUB的底部表面SUB1可以是具有凹槽1381、1382与突起SUB11、SUB12的图案。凹槽1381、1382可能分别包含曲面侧壁,但本发明不在此限。凹槽1381与第一发光单元LE1交替设置在第一显示区域R1与第二显示区域R2中。换句话说,凹槽1381在方向D3不重叠于第一发光单元LE1,并且在方向D1是设置在两个相邻的第一发光单元LE1之间。凹槽1382与第二发光单元LE2交替设置在可折显示区域RF中。凹槽1382在方向D3不重叠于第二发光单元LE2,并且在方向D1是设置在任两个相邻的第二发光单元LE2之间。由于凹槽1381、1382与第一发光单元LE1与第二发光单元LE2不重叠,藉由将发光单元设置在可挠曲基板SUB较厚的区域,可挠曲基板SUB便能够为发光单元提供良好的结构强度。另一方面,各个发光单元可藉由此设计来保持原有的光学表现。一个突起SUB11可以对应两个以上的第一发光单元LE1,例如对应三个第一发光单元LE1以形成一像素。一个突起SUB12可以对应一个第二发光单元LE2,一个第二发光单元LE2可以视为一个次像素。凹槽1381分别设置在任两个相邻的突起SUB11之间,凹槽1382设置在任两个相邻突起SUB12之间。因此,凹槽1382的配置密度(也就是每单位面积的凹槽数量)大于凹槽1381的配置密度。在一些其他的实施例中,凹槽1382、1381的配置密度可以实质上相同,其中单一个突起SUB11对应单一第一发光单元LE1,并且单一凹槽1381位于任两个第一发光单元LE1之间。如图10所示,在可折显示区域RF中,虽然可挠曲基板SUB的厚度H4(指最大厚度,或突起SUB12的厚度)可以相同于在第一显示区域R1中的可挠曲基板SUB的厚度H3(指最大厚度,或突起SUB11的厚度)相同,第二保护件PT2的厚度H2可以大于第一保护件PT1的厚度H1,以使得第二比值Ra2大于第一比值Ra1。
图11为本发明第八实施例的电子装置或可折式显示装置的剖视示意图。在一些实施例中,第一发光单元LE1的面积或尺寸大小与第二发光单元LE2不同。举例来说,第一发光单元LE1在方向D1的宽度WL1可能大于第二发光单元LE2在同一方向D1的宽度WL2,表示第一发光单元LE1的尺寸或面积(或投影面积)大于第二发光单元LE2的尺寸或面积(或投影面积)。如图11所示,在一些实施例中,第一发光单元LE1与第二发光单元LE2可能以蓝色发光二极管为例,同时多个第一光转换元件QD11、QD12设置在第一发光单元LE1的至少一部分上,多个第二光转换元件QD21、QD22设置在第二发光单元LE2的至少一部分上。第一光转换元件QD11与第二光转换元件QD21能够将蓝光转换成红光。第一光转换元件QD12与第二光转换元件QD22能够将蓝光转换成绿光。因此,在可折式显示装置100中,次像素单元U11、U21可以代表一个能产生红光的红色次像素,次像素单元U12、U22可以代表一个能产生绿光的绿色次像素,没有被光转换元件覆盖的次像素单元U13、U23可以代表一个能产生蓝光的蓝色次像素。在第一显示区域R1或第二显示区域R2中,一个次像素U11、一个次像素U12以及一个次像素U13可以形成一个像素PX。在可折显示区域RF中,一个次像素U21、一个次像素U22以及一个次像素U23可以形成一个像素PX。在一些实施例中,第一光转换元件QD11或QD12的面积WQ1或尺寸可以与第二光转换元件QD21或QD22的面积WQ2不同。举例来说,第二光转换元件QD21或QD22的面积WQ2(或宽度)可以大于第一光转换元件QD11或QD12的面积WQ1(或宽度)。当可折式显示装置100被弯折时,具有较大面积的第二光转换元件QD21或QD22可以藉由较大覆盖面积来减轻串扰问题或不期望的混色问题。第一光转换元件QD11、QD12与第二光转换元件QD21、QD22可以包含量子点(quantum dot)材料,但本发明不在此限。
图12为本发明第九实施例的电子装置或可折式显示装置的俯视示意图。为简化说明,图12仅绘出发光单元与凹槽138并省略可挠曲基板SUB上的大多数层别与其余元件。在一些实施例中,两个相邻第一发光单元LE1之间的一距离d1可以不同于两个相邻第二发光单元LE2之间的一距离d2。举例来说,距离d1可以小于距离d2,因此在第一显示区域R1或第二显示区域R2中每英寸的第一发光单元LE1的数量可以大于在可折显示区域RF中每英寸的第二发光单元LE2的数量。换句话说,第一显示区域R1或第二显示区域R2中第一发光单元LE1的配置密度可以大于可折显示区域RF中第二发光单元LE2的配置密度。在可折显示区域RF中,较低的第二发光单元LE2配置密度可以降低第二发光单元LE2损坏的机率。进一步地,如图12所示,在可挠曲基板SUB中,至少在可折显示区域RF中可以包含多个凹槽138。凹槽138(以斜线所示)可以是沿方向D2延伸的长条状,同时位于两个相邻第二发光单元LE2之间。在一些实施例中,第一显示区域R1或第二显示区域R2里每一英寸的第一发光单元LE1数量可以不同于可折显示区域RF里每一英寸的第二发光单元LE2数量。
图13为本发明第十实施例的电子装置或可折式显示装置的俯视示意图。如图13所示,可挠曲基板SUB的凹槽138可以设置于第一显示区域R1、第二显示区域R2以及可折显示区域RF,而凹槽138可以是类似正方形的形状。凹槽138与发光单元的设置可以是错开的,例如一凹槽138可以设置于两个相邻的第一发光单元LE1或两个相邻的第二发光单元LE2之间。在图13中,任两个相邻发光单元之间的距离可以大约相同,但本发明不在此限。
图14为本发明第十一实施例的电子装置或可折式显示装置的剖视示意图。如图14所示,第一显示区域R1与第二显示区域R2中设置有如前述实施例提到的多个第一发光单元LE1,因此单一个发光单元LE1可以产生一种有色光,例如红光、绿光或蓝光。相对来说,可折显示区域RF中则设置多个发光组LEP2。一个发光组LEP2包含已整合的多个发光二极管。详细来说,一个发光组LEP2可以由两个或两个以上的第二发光单元LE2组合并封装而成。举例来说,三个发光单元可以整合成一个发光组LEP2。更进一步来说,例如三个蓝光发光二极管可以包装成一个发光组LEP2,并且在各第二发光单元LE2上可分别设置一个光转换元件1521、一个光转换元件1522以及一个填充体1523,其中光转换元件1521可以将蓝光转换成红光,光转换元件1522可以将蓝光转换成绿光,而填充体1523可以是以透明层。滤光层150可以选择性地设置在光转换元件1521与光转换元件1522上以过滤蓝光。因此,发光组LEP2中的第二发光单元LE2与光转换元件1521、光转换元件1522以及填充体1523可以一起产生红光、绿光与蓝光,而发光组LEP2可以产生混合有三种不同有色光的光线。如此的设计可以改善可折显示区域RF中的光线混合状态。在一些其他实施例中,第二发光组LEP2可以封装能产生三种不同有色光的不同发光二极管。
图15为本发明第十二实施例的电子装置或可折式显示装置的剖视示意图。如图15所示,整合的发光二极管也可以用在第一显示区域R1与第二显示区域R2中。举例来说,多个发光组LEP1可以设置在第一显示区域R1及/或第二显示区域R2中,且多个发光组LEP2也可以设置在可折显示区域RF。两个或两个以上的第一发光单元LE1可以整合成一个发光组LEP1,且两个或两个以上的第二发光单元LE2可以整合成一个发光组LEP2。一个发光组LEP1所整合的第一发光单元LE1数量可以不同于(在此以大于为例)一个发光组LEP2所整合的第二发光单元LE2数量。在一些实施例中,如图15所示,一个发光组LEP1所整合的第一发光单元LE1数为12,而一个发光组LEP2所整合的第二发光单元LE2数为3,但本发明不在此限。
请参考图16与图17。图16为本发明第十三实施例的电子装置或可折式显示装置的俯视示意图。图17为图16所示发光单元以及电路层沿切线A-A’与B-B’的放大剖视示意图。可挠曲基板SUB上定义有多个像素PX。如图16所示,第一显示区域R1包含多个第一像素区域32,而可折显示区域RF包含多个第二像素区域34。在此说明书中,一个像素区域意指具有显示功能的最小重复区域。一个像素区域可以包含原色次像素,例如三原色次像素如红、绿、蓝等。在一些实施例中,一组重复的发光二极管会形成一个像素区域。或着,在一些实施例中,一具有单一重复电极(如阳极)或一组重复电极的区域可以视为一像素区域。在另外一些实施例中,一个具有一组重复接合垫(例如接合垫130)的区域可以视为一像素区域。举例来说,各组中的每一个接合垫可以对应于一原色的发光二极管,但本发明不在此限。根据一些实施例,在一像素区域中,除了一组基本的红绿蓝发光二极管外,像素区域还可设置至少一组备用(redundant)的红绿蓝发光二极管。备用发光单元可以电性连接到对应的基本发光单元。当基本发光单元故障时,对应的备用发光单元可以代替基本发光单元而发光。因此,根据一些实施例,备用发光单元可以设置在一些像素区域中。详细来说,两个红光发光二极管、两个绿光发光二极管与两个蓝光发光二极管可以设置在第一显示区域R1的一像素区域32中,而三个红光发光二极管、三个绿光发光二极管以及三个蓝光发光二极管可以设置在可折显示区域RF的一个像素区域34中。在一些实施例中,沿着方向D1安排在LN1行的发光单元可以做为基本发光单元,而沿着方向D1安排在LN2或LN3行的发光单元可以做为备用发光单元。由于可折显示区域RF中的第二发光单元LE2相较第一发光单元LE1具有较高的损坏机率,因此可折显示区域RF中的一像素区域里的第二发光单元LE2数量可以设计成大于第一显示区域R1中的一像素区域里的第一发光单元LE1数量。详细来说,一第一像素区域32里设置有多个第一发光单元LE1的一第一部分325,一第二像素区域34里设置有多个第二发光单元LE2的一第二部分345,第一发光单元LE1的第一部分325的数量(6个发光二极管)不同于(在此以小于为例)第二发光单元LE2的第二部分345的数量(9个发光二极管)。在一些其他实施例中,在尚未进行测试之前,可先不将LN2行与LN3行的备用第一发光单元LE1、备用第二发光单元LE2接合在可挠曲基板SUB上,而只有备用接合垫先被配置在LN2行与LN3行上。在执行测试后,例如执行弯折测试后,若发现缺陷或异常,则可将备用发光单元接合在对应接合垫上以取代损坏的发光单元。
图18为本发明第十四实施例的可折式显示装置中一像素的放大俯视示意图。在一些实施例中,一像素PX可以具有一预定接合区域PCR用以接合发光单元,其中预定接合区域PCR可以包含接合垫130用以电性连接到红光发光二极管、绿光发光二极管、蓝光发光二极管以及发光单元的共同电极,其分别以图18的“R”、“G”、“B”、“C”表示。此外,一备用接合区域PCR’可以选择性的设置在此,并且备用接合区域PCR’也可以包含备用接合垫130’,以“R1”、“G1”、“B1”、“C1”表示。备用接合区域PCR’可以相对预定接合区域PCR旋转α角度,并且备用接合垫130’并不与接合垫130重叠。若有损坏情形发生,原本已接合的发光单元可以由预定接合区域PCR移除,并且新的发光单元可以接合到备用接合区域PCR’。
图19为本发明第十五实施例的电子装置或可折式显示装置的俯视示意图。第一显示区域R1包含多个第一像素区域32,而可折显示区域RF包含多个第二像素区域34。根据一些实施例,除了一组基本的接合垫以外,一像素区域中还可以设置至少一组备用接合垫。若有损坏情形发生,可将原本接合的发光单元移除,再将相同或不同的发光单元接合到备用接合垫上。因此,根据一些实施例,备用接合垫可以设置在一些像素区域中。详细来说,在第一显示区域R1的一像素区域32中,第一接合垫327的数量可以不同于(在此以小于为例)可折显示区域RF的一像素区域34中的第二接合垫347的数量。在一些实施例中,沿着方向D1安排在LN1行的接合垫可以做为基本接合垫,而沿着方向D1安排在LN2或LN3行的接合垫可以做为备用接合垫。图19所示为发光单元接合到安排在LN1行的基本接合垫,但本发明不在此限。
根据本发明,在可折式显示装置的第一显示区域中,第一保护件的厚度对可挠曲基板的厚度所形成的第一比值小于可折显示区域中第二保护件的厚度对可挠曲基板的厚度所形成的第二比值。因此,第二发光单元在可折显示区域中的接合可靠度可以藉此获得改善。
以上所述仅为本发明的实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种可折式显示装置,其具有一第一显示区域、一第二显示区域以及一可折显示区域连接所述第一显示区域与所述第二显示区域,其特征在于,所述可折式显示装置包含:
一可挠曲基板;
多个第一发光单元,设置在所述可挠曲基板上并位于所述第一显示区域内;
多个第二发光单元,设置在所述可挠曲基板上并位于所述可折显示区域内;
一第一保护件,用以保护所述多个第一发光单元的其中至少一个;以及
一第二保护件,用以保护所述多个第二发光单元的其中至少一个;
其中,在所述第一显示区域中,所述第一保护件的厚度对所述可挠曲基板的厚度的比例定义为一第一比值,在所述可折显示区域中,所述第二保护件的厚度对所述可挠曲基板的厚度的比例定义为一第二比值,且所述第二比值大于所述第一比值。
2.根据权利要求1所述的可折式显示装置,其特征在于,所述第一比值与所述第二比值的差值在0.005到1.5之间。
3.根据权利要求1所述的可折式显示装置,其特征在于,所述第二保护件的厚度大于所述第一保护件的厚度。
4.根据权利要求1所述的可折式显示装置,其特征在于,所述第二保护件的杨氏模数较所述第一保护件的杨氏模数低。
5.根据权利要求1所述的可折式显示装置,其特征在于,还包含一电路层,其中所述第一发光单元的其中一个经由一第一接合材电性连接到所述电路层,所述第二发光单元的其中一个经由一第二接合材电性连接到所述电路层,并且所述第一接合材与所述第二接合材具有不同面积。
6.根据权利要求1所述的可折式显示装置,其特征在于,所述第一发光单元的其中一个与所述第二发光单元的其中一个具有不同面积。
7.根据权利要求1所述的可折式显示装置,其特征在于,所述第一显示区域里的每一英寸所具有的所述第一发光单元的数量大于所述可折显示区域里的每一英寸所具有的所述第二发光单元的数量。
8.根据权利要求1所述的可折式显示装置,其特征在于,所述多个第一发光单元的其中两个相邻第一发光单元之间的距离不同于所述多个第二发光单元的其中两个相邻第二发光单元之间的距离。
9.根据权利要求1所述的可折式显示装置,其特征在于,还包含一自反射层设置在所述多个第二发光单元的其中一个的侧壁上。
10.根据权利要求1所述的可折式显示装置,其特征在于,还包含:
多个第一光转换元件,设置在所述多个第一发光单元的至少一部分上;以及
多个第二光转换元件,设置在所述多个第二发光单元的至少一部分上,其中所述多个第一光转换元件的其中一个的面积不同于所述多个第二光转换元件的其中一个的面积。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114419987A (zh) * 2020-10-28 2022-04-29 群创光电股份有限公司 显示面板
WO2023019630A1 (zh) * 2021-08-19 2023-02-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 发光基板和显示装置

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI775712B (zh) * 2019-05-24 2022-08-21 晶元光電股份有限公司 封裝與顯示模組
FR3100379B1 (fr) * 2019-09-03 2021-09-24 St Microelectronics Grenoble 2 Dispositif électronique comprenant des composants électroniques optiques et procédé de fabrication
CN113614816B (zh) * 2019-11-08 2023-12-08 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置
US11901497B2 (en) * 2019-12-24 2024-02-13 Seoul Viosys Co., Ltd. Method of repairing light emitting device, apparatus for repairing light emitting device, and display panel having repaired light emitting device
JP7349393B2 (ja) * 2020-03-10 2023-09-22 シャープ福山レーザー株式会社 画像表示素子
JP7418590B2 (ja) 2020-08-18 2024-01-19 京セラ株式会社 表示装置
KR102541836B1 (ko) * 2020-09-02 2023-06-09 삼성전자주식회사 디스플레이 장치
CN113224218B (zh) * 2020-12-30 2023-01-20 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 一种显示面板及制作方法、显示装置
WO2024004541A1 (ja) * 2022-06-29 2024-01-04 京セラ株式会社 発光装置

Citations (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1690814A (zh) * 2004-04-22 2005-11-02 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 液晶显示装置及其制造方法
CN104157246A (zh) * 2014-06-25 2014-11-19 友达光电股份有限公司 可挠式显示面板
US20160181572A1 (en) * 2011-12-28 2016-06-23 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display apparatus and method of manufacturing the same
CN105826350A (zh) * 2015-01-28 2016-08-03 三星显示有限公司 显示装置
CN106328003A (zh) * 2016-09-09 2017-01-11 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板和显示装置
CN106340250A (zh) * 2016-07-28 2017-01-18 友达光电股份有限公司 显示面板
US20170062528A1 (en) * 2015-08-28 2017-03-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
CN206210301U (zh) * 2016-11-09 2017-05-31 上海天马微电子有限公司 一种柔性显示装置
CN106847858A (zh) * 2015-10-28 2017-06-13 乐金显示有限公司 柔性有机发光显示装置
US20170263828A1 (en) * 2016-03-14 2017-09-14 Innolux Corporation Display device
CN107195253A (zh) * 2017-07-26 2017-09-22 武汉天马微电子有限公司 可折叠柔性显示装置
CN206594962U (zh) * 2017-03-16 2017-10-27 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 柔性折叠屏衬底及柔性折叠屏
CN108022941A (zh) * 2016-11-01 2018-05-11 群创光电股份有限公司 显示装置及其形成方法
WO2018101539A1 (ko) * 2016-12-02 2018-06-07 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치
US20180175310A1 (en) * 2016-10-17 2018-06-21 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
US20180197922A1 (en) * 2017-01-11 2018-07-12 Samsung Display Co, Ltd Display device color filter patterns and a black matrix
CN207624701U (zh) * 2018-01-04 2018-07-17 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置
CN108346375A (zh) * 2017-01-25 2018-07-31 群创光电股份有限公司 显示设备
CN108666338A (zh) * 2017-03-31 2018-10-16 群创光电股份有限公司 显示设备
CN109216326A (zh) * 2017-07-05 2019-01-15 三星显示有限公司 显示装置及其制造方法
CN109216377A (zh) * 2017-06-30 2019-01-15 群创光电股份有限公司 显示设备及其制作方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8987765B2 (en) 2013-06-17 2015-03-24 LuxVue Technology Corporation Reflective bank structure and method for integrating a light emitting device
KR102248464B1 (ko) * 2013-07-24 2021-05-07 삼성디스플레이 주식회사 접이식 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102352283B1 (ko) * 2014-11-03 2022-01-18 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치
CN104570456B (zh) * 2014-12-26 2018-10-09 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种液晶显示器
KR101771461B1 (ko) 2015-04-24 2017-08-25 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
US9983424B2 (en) * 2015-06-08 2018-05-29 Lg Display Co., Ltd. Foldable display device
KR102497281B1 (ko) 2015-08-31 2023-02-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치, 헤드 마운트 표시 장치, 및 화상 표시 방법
KR102562627B1 (ko) 2016-03-21 2023-08-03 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN108807423B (zh) * 2018-06-13 2020-11-10 京东方科技集团股份有限公司 柔性电子器件及其制造方法、柔性显示装置

Patent Citations (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1690814A (zh) * 2004-04-22 2005-11-02 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 液晶显示装置及其制造方法
US20160181572A1 (en) * 2011-12-28 2016-06-23 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display apparatus and method of manufacturing the same
CN104157246A (zh) * 2014-06-25 2014-11-19 友达光电股份有限公司 可挠式显示面板
CN105826350A (zh) * 2015-01-28 2016-08-03 三星显示有限公司 显示装置
US20170062528A1 (en) * 2015-08-28 2017-03-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
CN106847858A (zh) * 2015-10-28 2017-06-13 乐金显示有限公司 柔性有机发光显示装置
US20170263828A1 (en) * 2016-03-14 2017-09-14 Innolux Corporation Display device
CN106340250A (zh) * 2016-07-28 2017-01-18 友达光电股份有限公司 显示面板
CN106328003A (zh) * 2016-09-09 2017-01-11 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板和显示装置
US20180175310A1 (en) * 2016-10-17 2018-06-21 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
CN108022941A (zh) * 2016-11-01 2018-05-11 群创光电股份有限公司 显示装置及其形成方法
CN206210301U (zh) * 2016-11-09 2017-05-31 上海天马微电子有限公司 一种柔性显示装置
WO2018101539A1 (ko) * 2016-12-02 2018-06-07 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치
US20180197922A1 (en) * 2017-01-11 2018-07-12 Samsung Display Co, Ltd Display device color filter patterns and a black matrix
CN108346375A (zh) * 2017-01-25 2018-07-31 群创光电股份有限公司 显示设备
CN206594962U (zh) * 2017-03-16 2017-10-27 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 柔性折叠屏衬底及柔性折叠屏
CN108666338A (zh) * 2017-03-31 2018-10-16 群创光电股份有限公司 显示设备
CN108693992A (zh) * 2017-03-31 2018-10-23 群创光电股份有限公司 触控显示设备
CN109216377A (zh) * 2017-06-30 2019-01-15 群创光电股份有限公司 显示设备及其制作方法
CN109216326A (zh) * 2017-07-05 2019-01-15 三星显示有限公司 显示装置及其制造方法
CN107195253A (zh) * 2017-07-26 2017-09-22 武汉天马微电子有限公司 可折叠柔性显示装置
CN207624701U (zh) * 2018-01-04 2018-07-17 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114419987A (zh) * 2020-10-28 2022-04-29 群创光电股份有限公司 显示面板
WO2023019630A1 (zh) * 2021-08-19 2023-02-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 发光基板和显示装置

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