CN108666338A - 显示设备 - Google Patents
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Abstract
本公开提供一种显示设备，其包含发光单元与基板，上述发光单元包含发光部，其中发光部的第一表面具有取光结构，且上述取光结构的粗糙度大于0.2μm，发光单元包含连接部，其设置于与第一表面相对的第二表面上，发光单元也包含保护部，其环绕该发光部及该连接部，上述基板包含结合垫，其中结合垫与发光单元的连接部电性连接。
Description
技术领域
本公开是有关于显示设备，且特别是有关于一种包含微发光二极管的显示设备。
背景技术
随着数字科技的发展，显示设备已被广泛地应用在日常生活的各个层面中，例如其已广泛应用于电视、笔记本、计算机、移动电话、智能型手机等现代化信息设备，且此显示设备不断朝着轻、薄、短小及时尚化方向发展。而此显示设备包括发光二极管显示设备。
微发光二极管(μLEDs)是利用p-n结中的电子-空穴对的再结合(recombination)来产生电磁辐射(例如光)。在例如GaAs或GaN的直接能隙材料(direct band gapmaterial)形成的顺向偏压的P-N结中，注入空乏区中的电子-空穴对的再结合产生电磁辐射。上述电磁辐射可位于可见光区或非可见光区，且具有不同能隙的材料会形成不同颜色的微发光二极管。
在现今微发光二极管显示设备产业皆朝大量生产的趋势迈进的情况下，任何微发光二极管显示设备的生产成本的减少皆可带来巨大的经济效益。然而，目前的显示设备并非各方面皆令人满意。
因此，业界仍须一种可更进一步提升显示质量或降低制造成本的显示设备。
发明内容
本公开的一些实施例提供一种显示设备，其包含发光单元，上述发光单元包含发光部，设置于一连接部上，其中发光部的第一表面具有取光结构，且上述取光结构的粗糙度大于0.2μm。发光单元也包含保护部，其环绕该发光部及该连接部。上述显示设备亦包含具有结合垫的基板，其中结合垫与发光单元的连接部电性连接。
本公开的一些实施例提供一种显示设备，其包含发光单元，上述发光单元包含发光部，其具有第一表面及相对的第二表面。上述发光单元亦包含连接部，其邻接于发光部的第二表面。上述发光单元亦包含保护部，其环绕发光部及该接部。上述发光单元更包含透明结构，其设置于发光部的第一表面上，其中在沿着由发光部的第二表面朝向第一表面的方向，透明结构的折射率为递减。上述显示设备亦包含具有结合垫的基板，此基板设有多个有源组件并透过结合垫与发光单元的连接部电性连接。
本公开的一些实施例提供一种显示设备，其具有蓝色像素区、绿色像素区及红色像素区，上述显示设备包含设置于蓝色像素区内的第一发光单元，其中第一发光单元散发的光具有第一主波长，第一发光单元散发的光为蓝光。上述显示设备亦包含设置于绿色像素区内的第二发光单元，其中第二发光单元散发的光具有第二主波长。上述显示设备更包含设置于红色像素区内的第三发光单元，其中第三发光单元散发的光具有第三主波长，其中第二主波长与第三主波长之间的差距大于4nm。
附图说明
为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：
图1A-1B为根据本公开的一些实施例，形成具有高熔点的接合层的显示设备的制程的剖面示意图。
图1C为根据本公开的一些实施例，接合层内第二成分的浓度分布与位置的关系图。
图2A-2B为根据本公开的一些实施例，形成具有高熔点的接合层的显示设备的的制程的剖面示意图。
图2C为根据本公开的一些实施例，接合层内第二成分的浓度分布与位置的关系图。
图3A-3B为根据本公开的一些实施例，形成具有高熔点的接合层的显示设备的制程的剖面示意图。
图3C为根据本公开的一些实施例，接合层内第二成分的浓度分布与位置的关系图。
图4为根据本公开的一些实施例，显示设备的剖面示意图。
图5为根据本公开的一些实施例，显示设备的剖面示意图。
图6为根据本公开的一些实施例，显示设备的剖面示意图。
图7为根据本公开的一些实施例，显示设备的剖面示意图。
图8为根据本公开的一些实施例，显示设备的剖面示意图。
图9为根据本公开的一些实施例，显示设备的剖面示意图。
图10为根据本公开的一些实施例，显示设备的剖面示意图。
图11为根据本公开的一些实施例，显示设备的剖面示意图。
图12为根据本公开的一些实施例，显示设备的剖面示意图。
图13为根据本公开的一些实施例，显示设备的剖面示意图。
图14为根据本公开的一些实施例，显示设备的剖面示意图。
图15为根据本公开的一些实施例，显示设备的剖面示意图。
图16A-16F为根据本公开的一些实施例，将发光单元贴合至基板的各阶段的制程的剖面示意图。
图17A-17E为根据本公开的一些实施例，将发光单元贴合至基板的各阶段的制程的剖面示意图。
图中元件标号说明：
100～基板；
110～结合垫；
200～发光单元；
210～发光部；
210A～第一表面；
210B～第二表面；
210S～侧壁；
212～半导体层；
214～发光层；
216～半导体层；
220～连接部；
221～导电垫；
222～第一材料层；
222A～第一表面；
222B～第二表面；
223～第二材料层；
224～接合层；
224A～第一表面；
224B～第二表面；
225～第三材料层；
230～保护部；
232～反射层；
240～取光结构；
250～透明结构；
251～第一透明层；
252～第二透明层；
253～第三透明层；
260～高反射金属层；
271～纳米粒子；
272～粘着层；
281～有机层；
282～孔隙；
291～有机层；
292～纳米粒子；
300～基板；
410～第一发光单元；
420～第二发光单元；
430～第三发光单元；
440～遮光层；
450～第一填充物；
460～第二填充物；
470G～量子点薄膜；
470R～量子点薄膜；
480G～色转换提升层；
480R～色转换提升层；
490G～滤光膜；
490R～滤光膜；
500～保护层；
505～晶圆；
510～发光单元；
520～反射层；
530～伸缩层；
600～基板；
700～金属基板；
1000～显示设备；
2000～显示设备；
B～蓝色像素区；
E～加热制程；
G～绿色像素区；
R～红色像素区；
D1～间距；
D2～间距；
X～方向；
Y～方向。
具体实施方式
以下针对本公开一些实施例的组件基板、显示设备及显示设备的制造方法作详细说明。应了解的是，以下的叙述提供许多不同的实施例或例子，用以实施本公开一些实施例的不同样态。以下所述特定的组件及排列方式仅为简单清楚描述本公开一些实施例。当然，这些仅用以举例而非本公开的限定。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本公开一些实施例，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关连性。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触的情形。或者，亦可能间隔有一或更多其它材料层的情形，在此情形中，第一材料层与第二材料层之间可能不直接接触。
此外，实施例中可能使用相对性的用语，例如“较低”或“底部”及“较高”或“顶部”，以描述附图的一个组件对于另一组件的相对关系。能理解的是，如果将附图的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“较低”侧的组件将会成为在“较高”侧的组件。
在此，“约”、“大约”、“大抵”的用语通常表示在一给定值或范围的20％之内，较佳是10％之内，且更佳是5％之内，或3％之内，或2％之内，或1％之内，或0.5％之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明“约”、“大约”、“大抵”的情况下，仍可隐含“约”、“大约”、“大抵”的含义。
能理解的是，虽然在此可使用用语“第一”、“第二”、“第三”等来叙述各种组件、组成成分、区域、层、及/或部分，这些组件、组成成分、区域、层、及/或部分不应被这些用语限定，且这些用语仅是用来区别不同的组件、组成成分、区域、层、及/或部分。因此，以下讨论的一第一组件、组成成分、区域、层、及/或部分可在不偏离本公开一些实施例的教示的情况下被称为一第二组件、组成成分、区域、层、及/或部分。
除非另外定义，在此使用的全部用语(包括技术及科学用语)具有与此篇公开所属的普通技术人员所通常理解的相同涵义。能理解的是，这些用语，例如在通常使用的字典中定义的用语，应被解读成具有与相关技术及本公开的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本公开实施例有特别定义。
本公开一些实施例可配合附图一并理解，本公开实施例的附图亦被视为本公开实施例说明的一部分。需了解的是，本公开实施例的附图并未以实际装置及组件的比例绘示。在附图中可能夸大实施例的形状与厚度以便清楚表现出本公开实施例的特征。此外，附图中的结构及装置是以示意的方式绘示，以便清楚表现出本公开实施例的特征。
在本公开一些实施例中，相对性的用语例如“下”、“上”、“水平”、“垂直”、“之下”、“之上”、“顶部”、“底部”等等应被理解为该段以及相关附图中所绘示的方位。此相对性的用语仅是为了方便说明之用，其并不代表其所叙述的装置需以特定方位来制造或运作。而关于接合、连接的用语例如“连接”、“互连”等，除非特别定义，否则可指两个结构是直接接触，或者亦可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间。且此关于接合、连接的用语亦可包括两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况。
值得注意的是，在后文中“基板”一词可包括透明基板上已形成的组件与覆盖在基底上的各种膜层，其上方可以已形成任何所需的多个有源组件(晶体管组件)，不过此处为了简化附图，仅以平整的基板表示之。
本公开的这些实施例所叙述的一结构的厚度，表示删除离群值(outlier)之后该结构的厚度平均值。离群值可以是边缘、明显微型凹槽或明显微型凸起区域的厚度。删除这些离群值后，该结构绝大部分的厚度值皆位于该厚度平均值正负三个标准偏差的范围之内。
参阅图1A-1B图，图1A-1B图为根据本公开的一些实施例，形成具有高熔点的接合层224的显示设备1000的制程的剖面示意图。如图1A所示，显示设备1000包含基板100及设置于基板100上的发光单元200。基板100是包含与发光单元电性连接的集成电路(未绘示)的基板，此集成电路例如为微处理器、存储元件及/或其它组件。集成电路也可包含不同的被动和有源组件，例如薄膜电阻器(thin-film resistor)、其它类型电容器例如，金属-绝缘体-金属电容(metal-insulator-metal capacitor,MIMCAP)、电感、二极管、金属氧化物半导体场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor field-effect transistors,MOSFETs)、互补式MOS晶体管、双载子结晶体管(bipolar junction transistors,BJTs)、横向扩散型MOS晶体管、高功率MOS晶体管、薄膜晶体管(thin film transistor)或其它类型的晶体管。
如图1A所示，在一些实施例，基板100包含与发光单元200电性及物理连接的结合垫110。结合垫110的材料包含铜、铝、钼、钨、金、铬、镍、铂、钛、铱、铑、上述的合金、上述的组合或其它导电性佳的金属材料。形成结合垫110的方法包含沉积制程、光刻制程及蚀刻制程。沉积制程包含化学气相沉积法(CVD)、溅镀法、电阻加热蒸镀法、电子束蒸镀法、或其它任何适合的沉积方式形成。在本公开的一些实施例中，此化学气相沉积法例如可为低压化学气相沉积法(low pressure chemical vapor deposition，LPCVD)、低温化学气相沉积法(low temperature chemical vapor deposition，LTCVD)、快速升温化学气相沉积法(rapid thermal chemical vapor deposition，RTCVD)、等离子辅助化学气相沉积法(plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)、原子层沉积法(atomic layerdeposition，ALD)或其它常用的方法，且不限于此。光刻制程包含光阻涂布(例如旋转涂布)、软烤、光罩对位、曝光、曝后烤、将光阻显影、冲洗、干燥(例如硬烤)、其它合适的制程或前述的组合。另外，光刻制程可由其它适当的方法，例如无屏蔽光刻、电子束写入(electron-beam writing)及离子束写入(ion-beam writing)进行或取代。蚀刻制程包含干蚀刻、湿蚀刻或其它蚀刻方法，且不限于此。
如图1A所示，在一些实施例，发光单元200包含发光部210、保护部230，并包含与基板100的结合垫110电性连接的连接部220的导电垫221、第一材料层222及第二材料层223。如图1A所示，发光部210包含半导体层212、发光层214及半导体层216。半导体层212及半导体层216与导电垫221连接。半导体层212及半导体层216可为元素半导体，包括非晶硅(amorphous-Si)、多晶硅(poly-Si)、锗(germanium)；化合物半导体，包括氮化镓(galliumnitride，GaN)、碳化硅(silicon carbide)、砷化镓(gallium arsenide)、磷化镓(galliumphosphide)、磷化铟(indium phosphide)、砷化铟(indium arsenide)及/或锑化铟(indiumantimonide)；合金半导体，包括硅锗合金(SiGe)、磷砷镓合金(GaAsP)、砷铝铟合金(AlInAs)、砷铝镓合金(AlGaAs)、砷铟镓合金(GaInAs)、磷铟镓合金(GaInP)及/或磷砷铟镓合金(GaInAsP)；金属氧化物，包括氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锡锌(IGZTO)；有机半导体，包括多环芳族化合物，或上述材料的组合，且不限于此。
如图1A所示，发光层214设置于半导体层212及半导体层216之间。发光层214可包含同质结(homojunction)、异质结(heterojunction)、单一量子阱(single-quantum well(SQW))、多重量子阱(multiple-quantum well(MQW))或其它类似的结构。在一些实施例，发光层214包含未掺杂的n型InxGa(1-x)N。在其它实施例中，发光层214可包含例如AlxInyGa(1-x-y)N的其它常用的材料。另外，发光层214可为包含多重阱层(例如为InGaN)和阻障层(例如为GaN)交错排列的多重量子阱结构。再者，发光层214的形成方式可包含金属有机物化学气相沉积法(metal organic chmical vapor deposition，MOCVD)、分子束磊晶法(molecular beam epitaxy，MBE)、氢化物气相磊晶法(hydride vapor phase epitaxy，HVPE)、液相磊晶法(liquid phase epitaxy，LPE)或其它适当的化学气相沉积法方式。
如图1A所示，保护部230设置于发光部210的侧边上，且围绕发光部210及导电垫221。保护部230设置于出光光线路径上，并且有改变出光光型或是改善出光效率的效果。在一些实施例，保护部230的材料可为金属材料，且可与上述结合垫110的材料相同或相似。
如图1A所示，导电垫221邻接于发光部210。导电垫221的材料可包含铜、铝、钼、钨、金、铬、镍、铂、钛、铱、铑、上述的合金、上述的组合或其它导电性佳的金属材料，且不限与此。
如图1A所示，第一材料层222邻接于结合垫110。第一材料层222的材料可为低熔点的合金材料。在一些实施例，第一材料层222为熔点小于300℃的共晶材料，例如为锡铟合金、锡锌合金、锡银合金、金铟合金、金锡合金或其他适合的材料。
如图1A所示，在一些实施例，发光单元200更包含设置于导电垫221与第一材料层222之间的第二材料层223。第二材料层223可作为缓冲层，并且在后续对显示设备1000施予温度及压力的制程中，第一材料层222会与第二材料层223共熔，形成熔点比第一材料层222高的接合层。在一些实施例，第二材料层223可为单层或多层堆栈结构，当第二材料为单层时第二材料层223包含金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)、锡(Sn)、钯(Pt)或上述合金，或由上述合金形成多层堆栈结构的第二材料层，例如：铜/镍/金或铜/镍/钯/金等结构。
接下来，在一些实施例，对如图1A所示的结构中，施加压力与温度，使第一材料层222与第二材料层223共熔。在施加压力与温度的过程中，第二材料层223的材料会经由第一材料层222的第一表面222A扩散至第一材料层222，而形成如图1B所示的结构。在一些实施例，上述施加的温度介于100℃-400℃的范围间。在一些实施例，上述施加的压力介于0.1MPa–100MPa之间。
参阅图1B，对如图1A所示的结构施加压力与温度后，第一材料层222与第二材料层223形成了接合层224。在一些实施例，接合层224包含了主要由第一成分所组成的第一材料层222的材料组成与主要由第二成分所组成的第二材料层223。并且，接合层224的熔点比第一材料层222高。在一些实施例，接合层224的熔点介于100℃-500℃的范围间。在一些实施例，接合层224的熔点介于350℃-400℃的范围间，其亦可为100℃至350℃之间。
另外，由于第二材料层223是经由第一材料层222的第一表面222A而扩散至第一材料层222内，因此第二材料层223的材料并非均匀分布在接合层224内。亦即，第二成分并非均匀分布在接合层224内。接下来，同时参阅图1B-1C，图1C为根据本公开的一些实施例，在图1B中由接合层224的第一表面224A朝向第二表面224B的方向(例如为Y方向)中，第二成分的浓度分布的关系图。如图1C所示，由接合层224的第一表面224A朝向第二表面224B的方向，第二成分的浓度为递减，而第一成分的浓度为递增，因此接合层的第一成分与第二成分的浓度是呈相反趋势分布。
在图1C中，将第二成分的浓度的最大值定义为100，没有第二成分则定义为0。由于第二材料层223设置于第一材料层222的上方，因此在第二材料层223与第一材料层222的交界处(亦即接合层224的第一表面224A)，第二成分的浓度为最大，在第一材料层222与结合垫110的交界处(亦即接合层224的第二表面224B)，第二成分的浓度为最小。虽然图1C绘示在接合层224的第二表面224B处，第二成分的浓度为0，但本公开并不以此为限。在其他实施例，在接合层224的第二表面224B处，第二成分的浓度不为0。
如图1B所示，接合层224与导电垫221可作为发光单元200的连接部220。由于接合层224具有较高的熔点，因此在更后续的制程中，不会因高温而引起连接部的结构的损害，而使得发光单元200与基板100之间无法电性连接。因此，接合层224的形成有助于增进显示设备1000的生产良率。
参阅图2A-2B，图2A-2B为根据本公开的一些实施例，形成具有高熔点的接合层224的显示设备1000的的制程的剖面示意图。在一些实施例，如图2A所示，显示设备1000包含分别设置在第一材料层222的第一表面222A上的第二材料层223，及设置在第一材料层222的第二表面222B上的第三材料层225。在一些实施例，第三材料层225包含金、银、铜、镍、铂、锡、钯或上述合金。在一些实施例，第三材料层225的材料与第二材料层223的材料相同，在另一些实施例，第三材料层225的材料与第二材料层223的材料不同，其中，第三材料层225与第二材料层223可为单层结构或多层堆栈结构。接下来，在一些实施例，对如图2A所示的结构中，施加压力与温度，使第一材料层222、第二材料层223与第三材料层225共熔。在施加压力与温度的过程中，第二材料层223的材料会经由第一材料层222的第一表面222A扩散至第一材料层222，第三材料层225的材料会经由第一材料层222的第二表面222B扩散至第一材料层222，而形成如图2B所示的结构。在一些实施例，上述施加的温度介于100℃-400℃的范围间。在一些实施例，上述施加的压力介于0.1MPa-100MPa的范围间。
参阅图2B，对如图2A所示的结构施加压力与温度后，第一材料层222、第二材料层223与第三材料层225形成了接合层224。在一些实施例，接合层224包含了由第一材料层222的材料组成的第一成分与由第二材料层223和第三材料层225的材料组成的第二成分。并且，接合层224的熔点比第一材料层222高。在一些实施例，接合层224的熔点介于100℃-500℃的范围间。在一些实施例，接合层224的熔点介于350℃-400℃的范围间，亦可为100℃-350℃之间。
另外，由于第二材料层223是经由第一材料层222的第一表面222A而扩散至第一材料层222内，且第三材料层225是经由第一材料层222的第二表面222B而扩散至第一材料层222内。因此第二材料层223及第三材料层225的材料并非均匀分布在接合层224内。亦即，第二成分并非均匀分布在接合层224内。接下来，同时参阅图2B-2C，图2C为根据本公开的一些实施例，在图2B中由接合层224的第一表面224A朝向第二表面224B的方向中，第二成分的浓度分布的关系图。如图2C所示，若第二材料层223与第三材料层225的材料相同，则由接合层224的第一表面224A朝向第二表面224B的方向，第二成分的浓度分布并非递减，也非递增。
在图2C中，将第二成分的浓度的最大值定义为100，没有第二成分则定义为0。由于第二材料层223设置于第一材料层222的上方且第三材料层225设置在第一材料层222的下方，因此在第二材料层223与第一材料层222的交界处(亦即接合层224的第一表面224A)和第三材料层225与第一材料层222的交界处(亦即接合层224的第二表面224B)，第二成分的浓度为最大。另外，第二成分的浓度的最小值则位于第一表面224A与第二表面224B之间。虽然图2C绘示在接合层224的第一表面224A处与第二表面224B处的第二成分的浓度一样，但本公开并不以此为限。在其他实施例，在接合层224的第一表面224A处的第二成分的浓度与第二表面224B处的第二成分的浓度不同。
参阅图3A-3B，图3A-3B为根据本公开的一些实施例，形成具有高熔点的接合层224的显示设备1000的的制程的剖面示意图。在一些实施例，如图3A所示，可使用第三材料层225取代位于基板100上的结合垫110，来作为基板100的结合垫。接下来，在一些实施例，对如图3A所示的结构中，施加压力与温度，使第二材料层223、第三材料层225与第一材料层222共熔。在施加压力与温度的过程中，第二材料层223的材料会经由第一材料层222的第一表面222A扩散至第一材料层222，第三材料层225的材料会经由第一材料层222的第二表面222B扩散至第一材料层222，而形成如图3B所示的结构。在一些实施例，上述施加的温度介于100℃-400℃的范围间。在一些实施例，上述施加的压力介于0.1MPa-100MPa的范围间。
参阅图3B，对如图3A所示的结构施加压力与温度后，第一材料层222、第二材料层223与第三材料层225形成了接合层224。在一些实施例，接合层224包含了由第一材料层222的材料组成的第一成分与由第二材料层223和第三材料层225的材料组成的第二成分。并且，接合层224的熔点比第一材料层222高。在一些实施例，接合层224的熔点介于300℃-500℃的范围间。在一些实施例，接合层224的熔点介于350℃-400℃的范围间，或者是100℃-350℃之间。
另外，由于第二材料层223是经由第一材料层222的第一表面222A而扩散至第一材料层222内，且第三材料层225是经由第一材料层222的第二表面222B而扩散至第一材料层222内。因此第二材料层223及第三材料层225的材料并非均匀分布在接合层224内。亦即，第二成分并非均匀分布在接合层224内。接下来，同时参阅图3B-3C，图3C为根据本公开的一些实施例，在图3B中由接合层224的第一表面224A朝向第二表面224B的方向中，第二成分的浓度分布的关系图。如图3C所示，若第二材料层223与第三材料层225的材料相同，则由接合层224的第一表面224A朝向第二表面224B的方向，第二成分的浓度分布并非递减，也非递增。
在图3C中，将第二成分的浓度的最大值定义为100，没有第二成分则定义为0。由于第二材料层223设置于第一材料层222的上方且第三材料层225设置在第一材料层222的下方，因此在第二材料层223与第一材料层222的交界处(亦即接合层224的第一表面224A)和第三材料层225与第一材料层222的交界处(亦即接合层224的第二表面224B)，第二成分的浓度为最大，第二成分的浓度的最小值则位于第一表面224A与第二表面224B之间。虽然图3C绘示在接合层224的第一表面224A处与第二表面224B处的第二成分的浓度一样，但本公开并不以此为限。在其他实施例，在接合层224的第一表面224A处的第二成分的浓度与第二表面224B处的第二成分的浓度不同。
在此实施例，直接使基板上的结合垫与基板上的第一材料层共熔，能更简化制程的步骤。因此，能同时达到增进显示设备1000的生产良率及降低成本。此外，在此实施例，基板的结合垫与接合层之间大致上没有界面存在。
在一些实施例，此发光单元200为微发光二极管(micro light emitting diode,μLED)。例如，如图1A所示，半导体层212、发光层214及半导体层216三者总和的厚度介于1μm～20μm的范围间，在一些实施例，半导体层212、发光层214及半导体层216三者总和的厚度为介于3μm～10μm的范围间，其此三者总和的厚度更进一步为介于3μm～5μm的范围。
参阅图4，图4为根据本公开的一些实施例，显示设备1000的剖面示意图。在一些实施例，第二材料层223邻接第一材料层222的表面可具有凹凸结构。在此实施例，对如图4所示的结构施加压力与温度后，第二成分不只在Y方向上具有不均匀的浓度分布，并且在X方向上也同样具有不均匀的浓度分布。虽然在图4绘示的位于第二材料层223的表面的凹凸结构的间距为固定的，但本公开并不以此为限。在其他实施例，第二材料层223的表面的凹凸结构的间距为不规则，并且凹凸结构的形状可为任意不规则的形状。
参阅图5，图5为根据本公开的一些实施例，显示设备1000的剖面示意图。在一些实施例，如图5所示，发光部210的第一表面210A具有取光结构240。上述取光结构240的形成可直接借由对发光部210的第一表面210A施予蚀刻制程而形成，因此取光结构240与发光部210由相同材料形成。虽然在图5绘示的取光结构240的间距为固定的，但本公开并不以此为限。在其他实施例，取光结构240的间距为不规则的，并且取光结构240的形状可为任意不规则的形状。在一些实施例，取光结构240的粗糙度大于0.2μm。在此实施例，将发光部210的表面(例如第一表面210A)粗糙化后，可以提升出光效率。
参阅图6，图6为根据本公开的一些实施例，显示设备1000的剖面示意图。在一些实施例，如图6所示，发光部210的第一表面210A的取光结构240与发光部210为不同的材料层。上述取光结构240的形成可先沉积一层材料层(未绘示)于发光部210的第一表面210A上，再借由对此材料层施予蚀刻制程而形成。虽然在图6绘示的取光结构240的间距为固定的，但本公开并不以此为限。在其他实施例，取光结构240的间距为不规则的，并且取光结构240的形状可为任意不规则的形状。
在此实施例，取光结构240的折射率小于2.4，并且小于发光部210的折射率。在一些实施例，取光结构240的材料为透明材料，例如为铟锡氧化物(ITO)、氧化锡(TO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锑锡(ATO)、氧化锑锌(AZO)、上述的组合或其它任何适合的透明导电氧化物材料，或者是折射率率小于2.4的高分子材料，例如：光学树脂、环氧树脂(epoxy)、硅氧树脂(silicone)等材料，且不限于此。在此实施例，在发光部210的第一表面210A上沉积折射率较小的材料层后，可以提升发光部210的出光效率。
参阅图7，图7为根据本公开的一些实施例，显示设备1000的剖面示意图。在一些实施例，如图7所示，发光单元200的保护部230更包含反射层232。反射层232设置在发光部210的第二表面210B下方，并且设置在发光层214、半导体层216和一部分的导电垫221的侧壁上。反射层232可为一布拉格反射层或全方向反射层(ommi-directional reflector,ODR)，且其材料可为非金属材料、绝缘层料或白色光阻，在一些实施例中，反射层232的材料可为SiO2的低折射率的绝缘层材料或SiN、TiO2的高折射率的绝缘层材料，其折射率可能随制程条件或成分比例而调整，因此不限于前述材料。
参阅图8，图8为根据本公开的一些实施例，显示设备1000的剖面示意图。在一些实施例，如图8所示，显示设备1000更包含设置于第一表面210A上方的透明结构250。在一些实施例，如图8所示，透明结构250为一层透明层，且此透明层的折射率小于2.4。在此实施例，在发光部210的第一表面210A上沉积折射率较小的透明结构250后，可以提升发光部210的出光效率。
参阅图9，图9为根据本公开的一些实施例，显示设备1000的剖面示意图。在一些实施例，如图9所示，透明结构250包含第一透明层251、第二透明层252及第三透明层253。第一透明层251设置于发光部210的第一表面210A上方、第二透明层252设置于第一透明层251上方且第三透明层253设置于第二透明层252上方。在一些实施例，第三透明层253的折射率小于第二透明层252的折射率、第二透明层252的折射率小于第一透明层251的折射率且第一透明层251的折射率小于半导体层212的折射率。
虽然图9绘示透明结构250包含3层透明层，但本公开并非以此为限。在其他实施例，透明结构250包含2层以上的多层透明层，且上述多层透明层的折射率随着远离发光部210的第一表面210A而变小。在此实施例，在发光部210的第一表面210A上沉积折射率具有梯度的透明结构250后，可以提升发光部210的出光效率。
参阅图10，图10为根据本公开的一些实施例，显示设备1000的剖面示意图。在一些实施例，如图10所示，在Y方向上，发光部210的侧壁210S具有倾斜侧壁。上述具有倾斜的侧壁210S可借由对半导体层212、发光层214及半导体层216施予蚀刻制程而形成。在此实施例，形成具有倾斜的侧壁210S的发光部210，可以提升发光部210的出光效率。
参阅图11，图11为根据本公开的一些实施例，显示设备1000的剖面示意图。在一些实施例，如图11所示，显示设备1000更包含高反射金属层260，其设置在发光部210与保护部230之间。更具体而言，高反射金属层260设置在保护部230内，并且设置在半导体层212和216与导电垫221之间。在此实施例，高反射金属层260的反射率大于80％，其材料例如为铝、银或其他反射率大于80％的金属。在此实施例，形成反射率大于80％的高反射金属层260，可以提升发光部210的出光效率。
参阅图12，图12为根据本公开的一些实施例，显示设备1000的剖面示意图。在一些实施例，如图12所示，透明结构250包含纳米粒子271及粘着层272。在此实施例，透明结构250可借由将纳米粒子271喷洒在发光部210的第一表面210A上，再涂布粘着层272而使得纳米粒子271的位置固定。纳米粒子271的材料包含氧化锆(ZrO2)、氧化钛(TiO2)、氧化硅(SiO2)、氧化组(Ta2O5)、氧化钨(WO3)、氧化钇(Y2O3)、氧化铈(CeO2)、氧化锑(Sb2O3)、氧化铌(Nb2O5)、氧化硼(B2O3)、氧化铝(Al2O3)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氟化铈(CeF3)、氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、上述组合或其他适合的纳米金属氧化物。
粘着层272的材料可包含光学透明胶(Optical Clear Adhesive，OCA)、光学透明树脂(Optical Clear Resin，OCR)或其他合适的透明粘着材料，且不限于此。在此实施例，将纳米粒子271喷洒在发光部210的第一表面210A上，可增加第一表面210A的雾度(haze)，借此提升发光部210的出光效率。
参阅图13，图13为根据本公开的一些实施例，显示设备1000的剖面示意图。在一些实施例，如图13所示，透明结构250包含有机层281及孔隙282。有机层281设置在发光部210的第一表面210A上方，而孔隙282则是分布在有机层281内。如图13所示，由发光部210的第二表面210B朝向第一表面210A的方向，孔隙282的分布密度为递增。更具体而言，靠近发光部210的第一表面210A处，孔隙282的分布密度为最低，并随远离第一表面210A而密度增大。在一些实施例，孔隙282内为空气或其他惰性气体。
有机层281的材料可包含聚甲基丙烯酸甲酯(Poly(methyl methacrylate),PMMA)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)、聚酰亚胺(Polyimide,PI)或其他适合的聚合物。孔隙282的形成可借由将有机层281浸泡在例如为乙醇的有机溶剂，使有机层281内的孔洞膨胀而成。在此实施例，由于孔隙282的分布密度为随远离第一表面210A而密度增大，因此，透明结构250的折射率随着远离发光部210的第一表面210A而变小。在此实施例，在发光部210的第一表面210A上形成折射率具有梯度的透明结构250后，可以提升发光部210的出光效率。
参阅图14，图14为根据本公开的一些实施例，显示设备1000的剖面示意图。在一些实施例，如图14所示，透明结构250包含有机层291及纳米粒子292。有机层291设置在发光部210的第一表面210A上方，而纳米粒子292则是分布在有机层291内。如图14所示，由发光部210的第二表面210B朝向第一表面210A的方向，纳米粒子292的分布密度为递减。更具体而言，靠近发光部210的第一表面210A处，纳米粒子292的分布密度为最大，并随远离第一表面210A而密度变小。
有机层291和纳米粒子292的材料可分别和上述的有机层281和纳米粒子271的材料相同或相似，在此不再重复叙述。在此实施例，透明结构250的形成可借由将有机层291浸泡在为含有纳米粒子292的有机溶剂内，使纳米粒子292取代有机层291内的孔洞而成。在此实施例，由于纳米粒子292的分布密度为随远离第一表面210A而密度增小，因此，透明结构250的折射率随着远离发光部210的第一表面210A而变小。在此实施例，在发光部210的第一表面210A上形成折射率具有梯度的透明结构250后，可以提升发光部210的出光效率。
参阅图15，图15为根据本公开的一些实施例，发光单元2000的剖面示意图。如图15所示，发光单元2000具有蓝色像素区B、绿色像素区G及红色像素区R分别对应到不同的发光波长。如图15所示，发光单元2000包含设置于基板300上的第一发光单元410、第二发光单元420及第三发光单元430。基板300可与上述的基板100相同或相似，在此不再重复叙述。第一发光单元410设置在蓝色像素区B内，并且被第一填充物450环绕。第一填充物450的材料可包含硅胶(silicone)、环氧树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯或其他适合的材料。发光单元2000亦包含第二填充物460，其设置于第一填充物450上，并且位于蓝色像素区B内。第二填充物460的材料可与第一填充物450相同或不同。在一些实施例，第二填充物460的折射率小于第一填充物450的折射率。值得注意的是，为了简洁，而省略了第一发光单元410、第二发光单元420、第三发光单元430的一些组件，但本公开并不限于此。在其他实施例，第一发光单元410、第二发光单元420、第三发光单元430的结构可与本发明实施例所述的发光单元200相同或相似。
如图15所示，第二发光单元420、第三发光单元430分别设置在绿色像素区G及红色像素区R内，并且被第一填充物450环绕。此外，发光单元2000亦包含分别设置于第二发光单元420与第三发光单元430上的量子点薄膜470G和量子点薄膜470R。量子点薄膜470G和量子点薄膜470R的材料可包含混掺量子点(quantum dot)的有机层或无机层，此量子点是为一成分包含有锌、镉、硒、硫、或其组合的纳米三维结构。此量子点的粒径约为1nm-10nm。借由调整量子点的粒径，可改变第二发光单元420或第三发光单元430发出的光经激发后所产生的光的频谱。例如，混掺有第一粒径的量子点的量子点薄膜470G被蓝光激发后会产生绿光，混掺有第二粒径的量子点的量子点薄膜470R被蓝光激发后会产生红光。
如图15所示，发光单元2000亦包含分别设置于量子点薄膜470G与量子点薄膜470R上的色转换提升层480G和色转换提升层480R。色转换提升层480G和色转换提升层480R可例如为反射蓝光的材料，其可将未被激发的蓝光反分别射回量子点薄膜470R或量子点薄膜470G，如此可提升蓝光经由量子点薄膜470R或量子点薄膜470G激发而产生其他颜色光的效率。如图15所示，发光单元2000亦包含分别设置于色转换提升层480G与色转换提升层480R上的滤光膜490G和滤光膜490R。滤光膜490G和滤光膜490R可包含蓝色滤光膜、红色滤光膜、绿色滤光膜或上述组合。
另外，如图15所示，发光二极管2000更包含保护层500。保护层500设置在第二填充物460、滤光膜490G及滤光膜490R的上方。保护层500可包含透明基板，例如可为玻璃基板、陶瓷基板、塑料基板或其它任何适合的透明基板。保护层500亦可包含磷硅酸盐玻璃(phosphosilicate glass,PSG)、硼磷硅玻璃(borophosphosilicate glass,BPSG)、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、高介电常数(high-k)介电材料。此高介电常数(high-k)介电材料的材料可为金属氧化物、金属氮化物、金属硅化物、过渡金属氧化物、过渡金属氮化物、过渡金属硅化物、金属的氮氧化物、金属铝酸盐、锆硅酸盐、锆铝酸盐。例如，此高介电常数(high-k)介电材料可为LaO、AlO、ZrO、TiO、Ta2O5、Y2O3、SrTiO3(STO)、BaTiO3(BTO)、BaZrO、HfO2、HfO3、HfZrO、HfLaO、HfSiO、HfSiON、LaSiO、AlSiO、HfTaO、HfTiO、HfTaTiO、HfAlON、(Ba,Sr)TiO3(BST)、Al2O3或上述组合。
如图15所示，发光单元2000包含设置于基板300与保护层500间的遮光层440。遮光层440将蓝色像素区B、绿色像素区G及红色像素区R隔开。遮光层440是用以遮蔽发光单元2000中并非用来显示颜色的区域或组件，例如用来遮蔽扫描线与数据线。此遮光层440的材料可为黑色光阻、黑色印刷油墨、黑色树脂或其它任何适合的遮光材料与遮光颜色，其中遮光材料与遮光颜色主要泛指阻止光的穿透，并不限于光的吸收，也可以是高反射的遮光材料与遮光颜色，而遮光颜色则可以是高浓度的白色材料，或者不限于单一种材料组成此结构，也可以是外围包覆高反射率金属的透明材料等，且不限于此。
在一些实施例，第一发光单元410、第二发光单元420及第三发光单元430皆发出蓝光(例如：波长为380～500nm的光)，但三者散发的主波长(dominant wavelength)不同。主波长指的是发光单元散发出的光的波长中，强度最强的波长。在一些实施例，第二发光单元420散发的光的主波长比第一发光单元410散发的光的主波长小2nm以上，第三发光单元430散发的光的主波长比第一发光单元410散发的光的主波长大2nm以上。在此实施例，第三发光单元430散发的光的主波长与第二发光单元420散发的光的主波长的差距大于4nm。在另一些实施例，第三发光单元430散发的光的主波长与第二发光单元420散发的光的主波长的差距大于10nm。在此实施例，将散发的光的主波长为较小的第二发光单元420设置在绿色像素区G内，将散发的光的主波长为较大的第三发光单元430设置在红色像素区R内，只要分别经由量子点薄膜470G及量子点薄膜470R的转换，即可避免因散发的光的主波长的不同所引起光源不均(mura)的现象。因此，可将规格外的发光单元做更多利用而避免浪费，以降低发光单元2000的生产成本。
在一些实施例，第一发光单元410、第二发光单元420及第三发光单元430皆发出蓝光，但三者散发的主波长不同。在一些实施例，第二发光单元420散发的光的主波长比第一发光单元410散发的光的主波长小5nm以上，第三发光单元430散发的光的主波长比第一发光单元410散发的光的主波长小5nm以上。在此实施例，由于量子点薄膜470G及量子点薄膜470R对于短波长的光的吸收度较高，因此亦可以有更好的发光效率。因此，可将规格外的发光单元做更多利用而避免浪费，以降低发光单元2000的生产成本。
在一些实施例，第一发光单元410发出蓝光、第二发光单元420发出绿光(例如：波长为500～580nm的光)，且第三发光单元430发出蓝光或紫外光。由于发出红光的发光单元较难以覆晶(flip chip)技术的方式形成在基板300上，因此可借由发出蓝光或紫外光的第三发光单元430和量子点薄膜470R来发出红光，以解决上述制程的问题。
在一些实施例，第一发光单元410发出蓝光、第二发光单元420发出蓝光或紫外光，且第三发光单元430发出红光(例如：波长为600～780nm的光)。由于发出绿光的发光单元具有较宽的半峰全宽(full width at half maximum,FWHM)，会使得发出的绿光的强度较小。因此，借由发出蓝光或紫外光的第三发光单元430和量子点薄膜470G来发出绿光，可解决上述问题。
参阅图16A-16F，图16A-16F为根据本公开的一些实施例，将发光单元510贴合至基板600的各阶段的制程的剖面示意图。首先，如图16A所示，提供晶圆505，有多个发光单元510形成在晶圆505上，其中每两个相邻的发光单元510的间距为D1。晶圆505可例如为蓝宝石基板，其由氧化铝及形成在其上方的氮化镓组成。值得注意的是，为了简洁，而省略了发光单元510的一些组件，但本公开并不限于此。在其他实施例，发光单元510的结构可与本发明实施例所述的发光单元200相同或相似。
接着，在一些实施例，如图16B所示，涂布反射层520于晶圆505上。反射层520用来在后续的激光剥除(laser lift off,LLO)制程中，阻挡紫外线或吸收紫外线的能量。反射层520的材料可包含硫酸钡、氟化镁、氧化镁、氧化铝、氧化钛、氧化镧、氧化锗、氧化碲、氧化铒、氧化锆、上述组合或其他能反射紫外光的材料，或者是金(Au)、银(Ag)、钛(Ti)、镍(Ni)及铝(Al)等金属材料。反射层520的形成可借由旋转涂布或其他制程形成。
接着，在一些实施例，如图16C所示，形成伸缩层530于反射层520上。在一些实施例，伸缩层530环绕发光单元510，并且覆盖发光单元510的发光层和半导体层的表面。伸缩层530的材料包含聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯聚酰亚胺或其他具有弹性的聚合物。虽然图16C绘示发光单元510并未完全被伸缩层530覆盖(例如发光单元510的导电垫未被覆盖)，但本公开并不限于此。在其他实施例，伸缩层530完全覆盖发光单元510。
接着，在一些实施例，如图16D所示，将晶圆505及反射层520从发光单元510移除。移除晶圆505的方法可使用激光剥除制程，在将晶圆505从发光单元510上移除后，可使用蚀刻制程移除反射层520。
接着，在一些实施例，如图16E所示，以延伸制程来延伸伸缩层530。延伸制程包含单轴延伸(single-axially extension)制程、双轴延伸(bi-axially extension)制程或其他适合的制程。
接着，在一些实施例，如图16E所示，延伸伸缩层530后，将发光单元510贴合至基板600。经过如图16D所示的延伸制程后，两个相邻的发光单元510的间距变为大于D1的D2。基板600的材料可与上述的基板100相同或相似，在此不再重复叙述。在此实施例，可在移除晶圆505后，使得每一个发光单元510的间距变大。因此，一开始在晶圆505上形成发光单元510时，可以较小的间距形成更多的发光单元510，而不需要在一开始形成发光单元510时，便将发光单元510的间距设定成所需的间距。因此，可在单位面积的晶圆505上形成更多的发光单元510，降低生产的成本。
参阅图17A-17E，图17A-17E为根据本公开的一些实施例，将发光单元510贴合至基板600的各阶段的制程的剖面示意图。到图17A为止，中间结构的材料和制程可与上述图16A-16D所述的实施例相似，在此不再重复叙述。
在一些实施例，如图17B所示，将发光单元510及伸缩层530贴合至金属基板700上。金属基板700可为铜、铝、钼、钨、金、铬、镍、铂、钛、铱、铑、上述的合金或其它导电性及导热性佳的金属材料，亦可为形状记忆合金，例如：Ti-Ni、Cu-Zn及Cu-Al-Ni等形状记忆合金。
接着，在一些实施例，如图17C所示，对金属基板700施与加热制程E。金属基板700会因受热而膨胀，因此，伸缩层530会借由金属基板700的膨胀而延展。在一些实施例，可对金属基板700施予电流来取代加热制程E。
接着，在一些实施例，如图17D所示，延伸伸缩层530后，将发光单元510贴合至基板600。经过如图17D所示的加热制程E后，两个相邻的发光单元510的间距变为大于D1的D2。
接着，在一些实施例，如图17E所示，移除金属基板700。在此实施例，可在移除晶圆505后，使得每一个发光单元510的间距变大。因此，一开始在晶圆505上形成发光单元510时，可以较小的间距形成更多的发光单元510，而不需要在一开始形成发光单元510时，便将发光单元510的间距设定成所需的间距。因此，可在单位面积的晶圆505上形成更多的发光单元510。
此外，虽然图17D-17E绘示先将发光单元510贴合至基板600后，再移除金属基板700，但本发明并非以此为限。在其他实施例，先移除金属基板700后，再将发光单元510贴合至基板600上。
另外，虽然图17B-17D绘示在发光单元510的半导体层贴合至金属基板700，但本发明并非以此为限。在其他实施例，金属基板700贴合在发光单元510的导电垫的表面侧。
另外，在一些实施例，晶圆505不是平面结构，而是具有弯曲的形状(未绘示)。在一些实施例，晶圆505的外观由剖面上观察可以是υ型、ω型、Ω型、ν型、σ型或ο型。此弯曲表面具有一局部区域的最高点，例如脊点或顶点，以及一局部区域的最低点，例如鞍点或凹点。
虽然本公开的实施例及其优点已公开如上，但应该了解的是，任何所属技术领域中普通技术人员，在不脱离本公开的精神和范围内，当可作更动、替代与润饰。此外，本公开的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，任何所属技术领域中普通技术人员可从本公开一些实施例的揭示内容中理解现行或未来所发展出的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果皆可根据本公开一些实施例使用。因此，本公开的保护范围包括上述制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。另外，每一权利要求构成个别的实施例，且本公开的保护范围也包括各个权利要求及实施例的组合。
Claims (20)
1.一种显示设备，包括：
一发光单元，其包括：
一发光部，其中该发光部的一第一表面具有一取光结构；
一连接部，设置于该发光部的一第二表面上，其中该第二表面与该第一表面相对；以及
一保护部，环绕该发光部及该连接部；以及
一基板，设有多个有源组件及相对应的至少一结合垫，其中该结合垫与对应的该发光单元的该连接部电性连接；
其中该取光结构的粗糙度大于或等于0.2μm。
2.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，该连接部包括：
至少一导电垫，每一导电垫彼此是独立分开并邻接于该发光部的该第二表面；以及
一接合层，设置于该导电垫上，并且与该基板的该结合垫电性连接，该接合层具有邻接于该导电垫的一第一表面，以及邻接于该结合垫的一第二表面，其中该接合层具有一第一材料层及一第二材料层，且其中该第一材料层更进一步包含一第一成分，该第一成分为合金，该第二材料层更包含一第二成分，该第二成分为非均匀散布在该接合层内的金属或合金。
3.如权利要求2所述的显示设备，其特征在于，该第一成分包括锡铟合金、锡锌合金、锡银合金、金铟合金、金锡合金；该第二成分包括金、银、铜、镍、铂、锡或上述合金。
4.如权利要求3所述的显示设备，其特征在于，该接合层的熔点大于或等于100℃。
5.如权利要求2所述的显示设备，其特征在于，该第二成分的浓度沿着由该接合层的该第一表面朝向该第二表面的一方向为递减。
6.如权利要求2所述的显示设备，其特征在于，该第二成分在该接合层的该第一表面处具有一第一浓度，在该接合层的该第二表面处具有一第二浓度，且在该第一表面与该第二表面之间具有一第三浓度，且其中该第三浓度小于该第一浓度，并小于该第二浓度。
7.如权利要求2所述的显示设备，其特征在于，在将该发光单元经由该接合层连接至该基板的该结合垫之前，该发光单元形成于一晶圆上，且将该接合层连接至该基板的该结合垫的过程包括：
涂布一伸缩层于该晶圆上；
延伸该伸缩层；以及
使该发光单元从该晶圆上移除。
8.如权利要求7所述的显示设备，其特征在于，将该接合层连接至该基板的该结合垫的过程更包括：
在涂布该伸缩层于该晶圆上前，形成一反射层于该晶圆上。
9.如权利要求7所述的显示设备，其特征在于，将该接合层连接至该基板的该结合垫的过程更包括：
在使该发光单元从该晶圆上移除之后，使该发光单元及该伸缩层贴附至一金属基板；
加热该金属基板，使该金属基板膨胀，并且使该伸缩层延伸；以及
移除该金属基板。
10.一种显示设备，包括：
一发光单元，其包括：
一发光部，具有一第一表面及相对该第一表面设置的一第二表面；
一连接部，邻接于该发光部的该第二表面；
一保护部，环绕该发光部及该连接部；以及
一透明结构，设置于该发光部的该第一表面上；以及
一基板，设有多个有源组件及相对应的至少一结合垫，其中该结合垫与对应的该发光单元的该连接部电性连接，其中在沿着由该发光部的第二表面朝向该发光部的该第一表面的一方向，该透明结构的折射率为递减。
11.如权利要求10所述的显示设备，其特征在于，该透明结构的折射率小于2.4。
12.如权利要求10所述的显示设备，其特征在于，该透明结构包括：
一第一透明层，邻接于该发光部的该第一表面；以及
一第二透明层，设置于该第一透明层上，其中该发光部的折射率大于该第一透明层的折射率，且该第一透明层的折射率大于该第二透明层的折射率。
13.如权利要求10所述的显示设备，其特征在于，该保护部包括一高反射层，该高反射层覆盖该发光部的该第二表面的一部分。
14.如权利要求10所述的显示设备，其特征在于，该透明结构包括一有机层，该有机层内具有多个孔隙，其中在沿着由该发光部的该第二表面朝向该第一表面的该方向，该孔隙的分布密度为递增。
15.如权利要求10所述的显示设备，其特征在于，该透明结构包括一有机层，该有机层内具有多个纳米粒子，其中在沿着由该发光部的该第二表面朝向该第一表面的该方向，该纳米粒子的分布密度为递减。
16.如权利要求10所述的显示设备，其特征在于，由该发光部的该第二表面朝向该第一表面的该方向，该发光部具有倾斜的侧壁。
17.如权利要求10所述的显示设备，其特征在于，该连接部包括：
一导电垫，邻接于该发光部的该第二表面；以及
一接合层，设置于该导电垫上，并且与该基板的该结合垫连接，该接合层具有邻接于该导电垫的一第一表面，以及
邻接于该结合垫的一第二表面，其中该接合层具有一第一材料层及一第二材料层，且其中该第一材料层更包含有一第一成分，该第一成分为合金，该第二材料层更包含有一第二成分，该第二成分为非均匀散布在该接合层内的金属或合金，其中该第二成分的浓度沿着由该接合层的该第一表面朝向该第二表面的一方向为递减。
18.如权利要求10所述的显示设备，该显示装置具有一蓝色像素区、一绿色像素区及一红色像素区，更进一步包括：
一第一发光单元，设置于该蓝色像素区内，其中该第一发光单元散发的光具有一第一主波长，且该第一发光二极管散发的光为蓝光；
一第二发光单元，设置于该绿色像素区内，其中该第二发光单元散发的光具有一第二主波长；以及
一第三发光单元，设置于该红色像素区内，其中该第三发光单元散发的光具有一第三主波长；
其中该第二主波长与该第三主波长之间的差距大于4nm。
19.如权利要求18所述的显示设备，其特征在于，该第一主波长介于该第二主波长与该第三主波长之间，且该第三主波大于该第二主波长。
20.如权利要求18所述的显示设备，其特征在于，该第二主波长与该第三主波长之间的差距大于10nm。
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