CN111448667B - 具有增强型晶体管结构的半导体元件 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种半导体元件，其包括具有层构造的增强型晶体管结构(12)，该层构造具有沿第一方向(20)彼此堆叠布置的基础衬底(14)、第一半导体层(16)和第二半导体层(18)。晶体管结构(12)还具有沿第二方向(28)彼此间隔开的源电极(22)、栅电极(24)和漏电极(26)。第一半导体层(16)由布置在基础衬底(14)上的第一III族氮化物材料形成。第二半导体层(18)由布置在第一层(16)上的第二III族氮化物材料形成。第一III族氮化物材料和第二III族氮化物材料彼此不同以使得在第一半导体层(16)和第二半导体层(18)的边界区域中形成2D电子气(19)。第一半导体层(16)和第二半导体层(18)在栅电极(24)的区域中具有多个孔(32)，在这些孔之间保留有多个鳍状件(44)。栅电极(24)具有延伸到孔(32)中的多个栅极指状件(42)。孔(32)与栅极指状件(42)一起形成第一排孔(34)和第二排孔(36)，第一排孔(34)和第二排孔(36)横向于第二方向(28)延伸并且因此定义第三方向(40)。第二排孔(36)中的孔(32)相对于第一排孔(34)中的孔(32)在第二方向(28)和第三方向(40)上偏移。
Description
本发明涉及包括增强型晶体管结构的半导体元件，其中，该晶体管结构具有包括沿第一方向堆叠布置的基础衬底、第一半导体层和第二半导体层的层构造，其中，该晶体管结构还具有沿第二方向彼此间隔开的源电极、栅电极和漏电极，其中，第一半导体层由布置在基础衬底上的第一III族氮化物材料形成，其中，第二半导体层由布置在第一层上的第二III族氮化物材料形成，其中，第一III族氮化物材料和第二III族氮化物材料彼此不同以使得在第一层和第二层的边界区域中形成2D电子气，其中，第一半导体层和第二半导体层在栅电极的区域中具有多个孔，在这些孔之间保留有包括第一III族氮化物材料和第二III族氮化物材料的多个鳍状件，并且其中，栅电极具有延伸到孔中的多个栅极指状件。
例如，DE 10 2015 103 017 A1公开了这样的半导体元件。
特别地，本发明涉及所谓的高电子迁移率晶体管(HEMT)，即，由于其设计和所使用的材料而具有高电子迁移率并因此实现短切换时间的晶体管。HEM晶体管是所谓的场效应晶体管的特殊设计。场效应晶体管在源电极与漏电极之间具有沟道，在该沟道中电流可以从源电极向漏电极流动。借助于栅电极处的电压，可以影响流经沟道的电流，特别地可以抑制流经沟道的电流或实际上最初使流经沟道的电流变为可能。如果在源电极与漏电极之间的区域中使用包括具有不同费米(Fermi)能级和不同大小的带隙的两种半导体材料的层构造，则可以在所述材料的边界区域中形成所谓的二维电子气(2DEG)。2D电子气可以用作源电极与栅电极之间的导电沟道。这样形成的沟道中的电子迁移率非常高。
砷化铝镓(AlGaAs)和砷化镓(GaAs)通常用作HEM晶体管的层构造的不同半导体材料。然而，HEMT原理也可以利用其他半导体层实现，并且最近的注意力已经被集中在包括氮化镓(GaN)和/或其他化合物半导体的材料组合上，所述其他化合物半导体包括氮和元素周期表第III主族的至少一种元素(在下文中通常称为III族氮化物材料)。氮化镓和其他III族氮化物材料在价带与导带之间具有大的带隙，并且因此非常适合于切换高电压。出于该原因，GaN HEM晶体管非常适合用于电力电子上的应用和射频电子上的应用两者。
在包括HEM晶体管的场效应晶体管的情况下，在两种不同的基本类型之间进行区分。增强型晶体管也被称为常关型晶体管。这种类型的晶体管的特征在于：用于源电极与漏电极之间的电流流动的沟道仅在电压被施加至栅电极时形成。相反，在耗尽型(常通型)晶体管的情况下，存在于源电极与漏电极之间的沟道通过施加栅电压而被夹断。
如以上所提到的，2D电子气在具有极其不同的带隙的两种半导体材料之间的边界处形成，该2D电子气可以用作源电极与漏电极之间的导电沟道。出于该原因，制造耗尽型HEM晶体管相对简单。
相比之下，增强型HEM晶体管的制造需要附加的步骤和附加的技术支出，以防止2D电子气在没有栅电位的情况下在栅电极的区域中出现。一种方法是局部回蚀或者减薄金属栅接触部下方的第二半导体层。该方法的示例可以在DE 10 2011 000 911 A1、DE 10 2013102 156 A1、US 8,114,726 B2、US 2010/0219452 A1、US 2011/0073912 A1、US 2013/0237021 A1和US 2014/0015011 A1中找到。然而，无论如何都薄的半导体层的局部回蚀是困难的，并且需要非常精确地控制蚀刻过程。
第二种方法——从当前的观点出发是受青睐的——在金属栅电极与用于形成2D电子气的层构造之间使用附加的p掺杂并因此导电的半导体层。p掺杂层导致电位偏移，并且从而导致栅电极的区域中的2DEG沟道被抑制。在这种情况下的不利之处在于：需要通过在栅极区域外部进行蚀刻来完全去除p掺杂层，但是绝对不允许栅极紧下方的2DEG沟道由于过度蚀刻而被损坏。该方法的示例可以在US 7,728,356 B2、US 8,890,168 B2、US 8,890,206 B2、US 8,933,489 B2、US 2008/0296618 A1或WO 2008/151138 A1中找到。
第三种方法是在施加栅极电介质之前将氟注入到栅电极下方的半导体层中或对该层进行氧等离子体处理。该方法的示例可以在US 7,932,539 B2、US 2007/0278518 A1和US 2012/0098599 A1中找到。该方法的缺点是缺乏长期稳定性。
第四种方法基于在源电极与漏电极之间的区域中将半导体层细分成条。该方法涉及将沟槽蚀刻到第一半导体层和第二半导体层中。在沟槽之间保留被称为鳍状件(fin)的“脊(ridge)”或幅片(web)。源电极与栅电极之间的沟道在鳍状件中延伸，并且然后栅电位也可以横向作用在沟道上。以这种方式出现能够实现增强型晶体管结构的电位条件。与首先提到的方法中的回蚀相比，就蚀刻深度而言，沟槽的蚀刻并非关键。不利之处在于，沟道的导电性受到高度结构化的不利影响，并且导通状态下的电阻增加。
作为具有鳍状件的晶体管结构的示例，可参考以下出版物：Chandan Yadav等在IEEE Electron Device Letters，卷35，第6期，2014年6月中的“Modeling of GaN-BasedNormally-Off FinFET”；Ki-Sik Kim等，“Heterojunction-Free GaN NanochannelFinFETs With High Performance”，IEEE Electron Device Letters，卷34，第3期，2013年3月；以及Dong-Hyeok Son等在2015年9月14日至18日在奥地利格拉茨举行的固态器件研究会议(ESSDERC)上发表的“Fabrication of high performance AlGaN/GaN FinFET byutilizing anisotropic wet etching in TMAH solution”。
在引言中引用的DE 10 2015 103 017 A1公开了具有鳍状件的增强型晶体管结构的多个示例性实施方式。在一些示例性实施方式中，鳍状件和沟槽的长度比源电极与漏电极之间的距离短。在一个示例性实施方式中，除了栅电极的区域中的鳍状件之外，还有第二组鳍状件，源电极的金属化在第二组鳍状件的上方延伸。在所有示例性实施方式中，p掺杂材料被布置在栅电极与鳍状件的层构造之间。因此，DE 10 2015 103 017 A1结合了第二种方法和第四种方法。
针对这种背景，本发明的目的是提供一种在引言中提到的类型的半导体元件，该半导体元件避免或至少减少了以上提到的缺点。特别地，本发明的目的是提供一种包括增强型晶体管结构的半导体元件，该半导体结构可以以减少的光刻支出和/或更高的产量并且因此更具成本效益地制造。
根据本发明的一方面，该目的通过在引言中提到的类型的半导体元件来实现，其中，带有栅极指状件的孔形成第一排孔以及——至少——第二排孔，其中，第一排孔和第二排孔在每种情况下相对于第二方向横向延伸并且因此定义第三方向，并且其中，第二排孔中的孔相对于第一排孔中的孔在第二方向和第三方向上偏移。
新颖的晶体管结构使用由栅电极的区域中的孔和鳍状件构成的层构造，以便抑制由该层构造形成的2DEG沟道并获得增强型晶体管结构。由于栅电极的栅极指状件延伸到该层构造中，因此电位条件发生变化并且在栅极指状件周围形成耗尽区。耗尽区干扰了2D电子气的形成。在优选的示例性实施方式中，带有栅极指状件的孔以距离彼此相对的距离布置，所述相对的距离被选择为使得在不施加栅电位的情况下将源电极与漏电极之间的沟道夹断。
与现有技术的鳍式晶体管相比，新颖的半导体元件具有至少两排带有栅极指状件的孔，其中，各排孔中的孔相对于彼此偏移，使得剩余的鳍状件不再沿第二方向直线延伸，而是被中断或者至少被限制/收窄。然而，同时，第二排孔中偏移的孔形成另外的鳍状件，这些鳍状件相对于第一排孔的鳍状件偏移。与现有技术相比，这种类型的结构化实现了较低的孔密度或沟槽密度并且因此实现了较宽的鳍状件。较低的孔密度使得结构化期间的支出较低，并且使得能够实现更具成本效益的实现。此外，由于较大的孔距离而较宽的鳍状件能够实现较低的导通或增强状态下的电阻。另一个优点在于通过2D电子气对孔进行的非关键蚀刻，从而使得重现性提高并且产量提高。因此，以上提到的目的整体上得以实现。
在优选配置中，第一排孔和第二排孔彼此平行地延伸。
原则上，第一排孔和第二排孔可以相对于彼此倾斜地延伸并且形成例如10°的角度。与之相比，优选配置具有以下优点：带有栅极指状件的孔和鳍状件在栅电极下方的最小可能区域中均匀地布置并且彼此间隔开。有利地，利用该配置，可以在第三方向上的整个沟道宽度上实现同质的沟道特性。
在另一配置中，孔形成第三排孔，其中第三排孔中的孔相对于第二排孔中的孔在第二方向和第三方向上偏移。优选地，第一排孔中的孔和第二排孔中的孔在第二方向上彼此对准，使得第一排孔中的孔和第三排孔中的孔在第二方向上形成另外的成排的孔。此外，在优选的示例性实施方式中，孔形成相对于第二方向和第三方向倾斜延伸的成排的孔。
这种配置能够使得第一半导体层和第二半导体层的结构化特别简单。栅极指状件之间的相对距离可以再次增加并且孔密度可以进一步减小。
在另一配置中，第一排孔中的孔之间的鳍状件和第二排孔中的孔之间的鳍状件在每种情况下在第三方向上偏移与第二方向上的孔直径和孔距离之和的一半相对应的距离。此外，在优选实施方式中，第二方向上的孔直径和孔距离是相同的。
在该配置的优选的示例性实施方式中，在第三方向上，第二排孔中的孔在每种情况下实际上居中布置在第一排孔中的两个孔之间。这种配置有利地有助于使孔密度最小化并且有助于减少光刻支出。此外，该配置使得栅电极对2D电子气的场效应非常均匀。通常，该配置具有相邻孔之间的孔距离可以被选择为相对大的优点。
在另一有利配置中，第一排孔中的两个相邻孔之间的第一孔距离等于第二排孔中的两个相邻孔之间的第二孔距离。此外，优选的是，第一排孔中的孔与第二排孔中的相邻孔之间的另一孔距离等于第一排孔中的两个相邻孔之间的第一孔距离。
这些配置同样有助于使得栅电极对2D电子气的场效应非常均匀，同时这些配置简化了第一半导体层和第二半导体层的结构化。
在另一配置中，相邻孔之间的孔距离在50nm至150nm的范围内，优选地在高达100nm的范围内。根据另一有利配置，孔在第二方向上具有在50nm至150nm的范围内优选地在高达100nm的范围内的孔直径。
在新颖的晶体管结构的调查中，该数量级的孔距离和孔直径已经被证明对于增强型HEM晶体管的特别具有成本效益的实现是有利的。
在另一配置中，栅电极的区域中的孔形成累积的孔截面区域，并且栅电极的区域中的鳍状件形成累积的鳍状件截面区域，其中，累积的孔截面区域和累积的鳍状件截面区域在大小上大致相等。此处，“在大小上大致相等”是指鳍状件截面区域占据栅电极下方的区域的40％至60％之间，并且优选地在栅电极下方的总区域的大致50％的区域中。
累积的孔截面区域是栅电极的区域中的孔截面之和。累积的鳍状件截面区域是栅电极的区域中剩余的鳍状件的总区域。在优选配置中，孔足够大以引入栅电极的金属，并且在优选的示例性实施方式中，引入绝缘电介质。另一方面，剩余的鳍状件足够大以使得能够在晶体管的导通(增强)状态下进行有效的电流传导。
在另一配置中，孔内衬有电绝缘电介质。优选地，孔完全内衬有绝缘电介质。
在该配置中，栅电极的金属栅极指状件通过电介质与第一半导体层和第二半导体层的III族氮化物材料绝缘。有利地，在优选的示例性实施方式中，该配置省去了附加的p掺杂材料，在根据现有技术的晶体管结构的情况下，该p掺杂材料通常在栅电极与沟道材料的选定部分之间提供导电连接。该配置实现了特别具成本效益的实现和孔距离的最大化。此外，该配置有助于针对电力电子上的应用实现高击穿场强度。
在另一配置中，鳍状件在每种情况下在第三方向上由两个绝缘的栅极指状件横向地界定。
在该配置中，栅极指状件在每种情况下布置在每个鳍状件的左侧和右侧。作为对该配置的替选，在其他配置中，可以用p掺杂或n掺杂的材料横向界定所选择的鳍状件和/或实现与源电极或漏电极的导电连接。优选配置有助于特别简单且更具成本效益地实现新颖的半导体元件。
在另一配置中，孔是——至少大致是——圆形的。
如果借助于电子束光刻来制造孔，则该配置特别有利。通过优选的小尺寸更容易地制成大体上为圆形(圆筒)的孔。在一些配置中，可以借助于所谓的纳米压印光刻(NIL)来替选地或补充地制造成排的孔。在这种情况下，使用结构化的印模(stamp)来制造针对光刻工艺的光致抗蚀剂(photoresist)的结构化。在关于该变型的一些优选的示例性实施方式中，包括非圆形孔截面的不同孔截面也是可以的。
在所有的优选配置中，新颖的半导体元件具有如下优点：仅在实际上需要栅电极的场效应的情况下，通过栅极指状件中断2D电子气。因此，在优选的示例性实施方式中，半导体元件仅在栅电极的区域中具有孔，由于紧密布置和剩余的材料幅片，因此这些孔具有类似于鳍状件的效果，但是同时使导通状态下的沟道电阻增加程度较小。在优选的示例性实施方式中，在源电极与栅电极之间的剩余的沟道区域是“无孔的”，也就是说没有以所描述的方式来构造。在一些示例性实施方式中，第二方向上的非结构化沟道区域的尺寸是通过孔和鳍状件构造的区域的尺寸的两倍以上。
不言而喻，在不脱离本发明的范围的情况下，以上提到的特征和以下将要说明的特征不仅可以用于分别指示的组合，还可以用于其他组合或者单独使用。
在附图中示出了本发明的示例性实施方式，并且在以下描述中对其进行了更详细的说明。在附图中：
图1以俯视图示出了新颖的半导体元件的一个示例性实施方式的简化图示，
图2示出了沿线I穿过图1的半导体元件的截面图，
图3示出了沿线II穿过图1的半导体元件的截面图。
在图1中，新颖的半导体元件的示例性实施方式整体由附图标记10表示。半导体元件包括被构造在基础衬底14上的晶体管结构12。如参照图2示意性示出的，包括第一半导体层16和第二半导体层18的层构造布置在基础衬底14上。
第一半导体层16用III族氮化物材料制成并且可以是例如外延地生长在基础衬底14上的GaN层。第二半导体层18是不同于第一半导体层16的III族氮化物材料的III族氮化物材料。作为示例，第二半导体层18用外延地生长在第一半导体层16上的AlGaN材料制成。可选地，在一些优选的示例性实施方式中，第三层(此处未示出)可以布置在第二半导体层18与第一半导体层16之间，其中第三层有利地用于调整第一半导体层和第二半导体层或者“平滑”从第一半导体层到第二半导体层的过渡。作为示例，针对以上提到的材料组合的调整层可以由氮化铝(AlN)制成。
如在引言中提到的，原则上也可以使用包括氮化物和III族材料的其他化合物半导体。第一半导体层16的III族氮化物材料和第二半导体层18的III族氮化物材料具有不同的费米能级(Fermi level)或不同的带隙。结果，在半导体层16、18的边界区域中形成2D电子气19，即具有可以沿边界区域的两个横向维度移动的多个“自由”电子的层。如基于图2中的箭头20所示出的，该层构造定义了第一方向，并且电子在半导体层16、18的边界区域中的迁移基本垂直于第一方向20。
参照图1，半导体元件具有沿第二方向28布置并彼此间隔开的源电极22、栅电极24和漏电极26。这些电极通常由沉积在半导体层构造上的金属材料制成。图2示出了在绝缘电介质30上方的栅电极24的金属层。电介质30可以是例如形成在第二半导体层18上的氧化物层。
参照图1和图3，在栅电极24的区域中蚀刻有多个孔32。孔32沿第一方向20延伸到包括第一半导体层16和第二半导体层18的层构造的深处。在优选的示例性实施方式中，孔32是通过对III族氮化物材料进行局部回蚀而制成的。孔32的深度优选地大于包括两种III族氮化物材料的层构造的高度。在一些示例性实施方式中，例如，在包括III族氮化物材料的层构造具有大致30nm的高度的情况下，孔32的深度可以大于30nm。通常，孔32因此可以在方向20上具有延伸远至基础衬底14或者甚至进入基础衬底14的深度。
如在图1中可以看出的，此处的孔32布置呈彼此平行的成排的孔34、36、38，所述成排的孔相对于第二方向28沿第三方向40横向延伸。在优选的示例性实施方式中，成排的孔34、36、38与第二方向28正交地延伸，并且优选地与第一方向20正交地延伸。
如在图3中可以看出的，此处的孔32在每种情况下内衬有绝缘电介质30。在优选的示例性实施方式中，在通过蚀刻工艺制造出孔32之后，在第二半导体层18上形成电介质30。在后面的步骤中，施加电极22、24、26的金属层。通过该后面的步骤，用栅电极24的金属材料填充孔32，从而产生延伸到孔32中的金属栅极指状件42。优选地，栅极指状件42连同电介质30一起完全填充孔32。包括第一半导体层16和第二半导体层18以及2D电子气19的层构造形成了幅片(web)或鳍状件，在该幅片或鳍状件中电流可以从源电极22流向栅电极26，其中，该层构造在孔32之间保留2D电子气19。
与根据现有技术的包括鳍状件的晶体管结构相比，此处，鳍状件44没有沿第二方向28以直线方式延伸至漏电极，因为如图1所示，第二排孔34中的孔相对于第一排孔34中的孔并且相对于第三排孔38中的孔在第三方向40上偏移。
在优选的示例性实施方式中，孔32的直径恰好足够大以能够引入相对薄的电介质30和栅电极24的金属。由于在晶体管结构12的导通(增强)状态下，孔32阻碍了从源电极22到漏电极26的电流并且因此使电阻Ron增加，因此期望使孔32尽可能小。在优选的示例性实施方式中，在50nm至100nm范围内的孔直径DL被证明是有利的。在优选的示例性实施方式中，一排孔中的两个相邻孔之间的孔距离LA1同样在50nm至100nm之间。此外，在优选的示例性实施方式中，在不同排的孔中的两个相邻孔之间的孔距离DA2也在50nm至100nm之间的范围内。在优选的示例性实施方式中，孔距离DA1和DA2(在制造公差的范围内)是相同的。
在此处示出的示例性实施方式中，尽管由于制造公差和工艺的不稳定性很少获得数学上精确的圆形形状，但是孔32具有大体上圆形的截面。在其他示例性实施方式(此处未示出)中，孔32可以具有不同的截面，例如拉长的椭圆形、正方形、六边形、八边形、矩形或一些其他截面形状，甚至可以是不规则的。在以上提到的示例性实施方式中，优选地沿第三方向40测量孔直径DL。在第二方向28上，孔直径可以较大或较小。优选地，在第二方向28和第三方向40上孔直径大致相同。
在优选的示例性实施方式中，栅电极24的区域中的孔的截面区域之和与剩余的鳍状件的截面区域48之和大致相等。此外，在优选的示例性实施方式中，如图1所示，通过孔32和鳍状件44对层构造的结构化被限制于栅电极24下方的区域。离开栅电极24，源电极22与漏电极26之间的沟道区域优选地是非结构化的，以便促进源电极22与漏电极26之间的大体不受干扰的电流流动。
Claims (14)
1.一种包括增强型晶体管结构(12)的半导体元件，其中，所述晶体管结构(12)具有包括沿第一方向(20)堆叠布置的基础衬底(14)、第一半导体层(16)和第二半导体层(18)的层构造，其中，所述晶体管结构(12)还具有沿第二方向(28)彼此间隔开的源电极(22)、栅电极(24)和漏电极(26)，其中，所述第一半导体层(16)由布置在所述基础衬底(14)上的第一III族氮化物材料形成，其中，所述第二半导体层(18)由布置在所述第一半导体层(16)上的第二III族氮化物材料形成，其中，所述第一III族氮化物材料和所述第二III族氮化物材料彼此不同，以使得在所述第一半导体层(16)和所述第二半导体层(18)的边界区域中形成2D电子气(19)，其中，所述第一半导体层(16)和所述第二半导体层(18)在所述栅电极(24)的区域中具有多个孔(32)，在所述孔(32)之间保留有包括所述第一III族氮化物材料和所述第二III族氮化物材料的多个鳍状件(44)，并且其中，所述栅电极(24)具有延伸到所述孔(32)中的多个栅极指状件(42)，其特征在于，所述孔(32)与所述栅极指状件(42)一起形成第一排孔(34)和第二排孔(36)，其中，所述第一排孔(34)和所述第二排孔(36)在每种情况下相对于所述第二方向(28)横向延伸并且因此定义第三方向(40)，其中，所述第二排孔(36)中的孔(32)相对于所述第一排孔(34)中的孔(32)在所述第二方向(28)和所述第三方向(40)上偏移。
2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述第一排孔(34)和所述第二排孔(36)彼此平行地延伸。
3.根据权利要求1或2所述的半导体元件，其特征在于，所述孔(32)形成第三排孔(38)，其中，所述第三排孔(38)中的孔(32)相对于所述第二排孔(36)中的孔(32)在所述第二方向(28)和所述第三方向(40)上偏移。
4.根据权利要求1或2所述的半导体元件，其特征在于，所述第一排孔(34)中的孔(32)之间的鳍状件(44)和所述第二排孔(36)中的孔(32)之间的鳍状件(44)在每种情况下在所述第三方向(40)上偏移与所述第二方向上的孔直径(DL)和孔距离(DA)之和的一半相对应的距离。
5.根据权利要求1或2所述的半导体元件，其特征在于，所述第一排孔(34)中的两个相邻孔(32)之间的第一孔距离(DA1)等于所述第二排孔(36)中的两个相邻孔(32)之间的第二孔距离。
6.根据权利要求5所述的半导体元件，其特征在于，所述第一排孔(34)中的孔(32)与所述第二排孔(36)中的相邻孔(32)之间的另一孔距离(DA2)等于所述第一排孔(34)中的两个相邻孔(32)之间的所述第一孔距离(DA1)。
7.根据权利要求1或2所述的半导体元件，其特征在于，相邻孔之间的孔距离在50nm至150nm的范围内。
8.根据权利要求7所述的半导体元件，其特征在于，相邻孔之间的孔距离在高达100nm的范围内。
9.根据权利要求1或2所述的半导体元件，其特征在于，所述孔(32)在所述第三方向上具有在50nm至150nm的范围内的孔直径(DL)。
10.根据权利要求9所述的半导体元件，其特征在于，所述孔(32)在所述第三方向上具有在高达100nm的范围内的孔直径(DL)。
11.根据权利要求1或2所述的半导体元件，其特征在于，所述栅电极(24)的区域中的所述孔(32)形成累积的孔截面区域(46)，并且所述栅电极(24)的区域中的所述鳍状件(44)形成累积的鳍状件截面区域(48)，其中，所述累积的孔截面区域(46)和所述累积的鳍状件截面区域(48)在大小上相等。
12.根据权利要求1或2所述的半导体元件，其特征在于，所述孔(32)内衬有电绝缘电介质(30)。
13.根据权利要求1或2所述的半导体元件，其特征在于，所述鳍状件(44)在每种情况下在所述第三方向上由两个绝缘的栅极指状件(42)横向地界定。
14.根据权利要求1或2所述的半导体元件，其特征在于，所述孔(32)是圆形的。
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