CN111448620A - 绝缘膜、绝缘导体及金属基底基板 - Google Patents

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Abstract

绝缘膜(10)包含：树脂(11)，由聚酰亚胺或聚酰胺酰亚胺或者它们的混合物构成；及α氧化铝单晶粒子(12)，平均粒径在0.3μm以上且1.5μm以下的范围内，所述α氧化铝单晶粒子(12)的含量在8体积％以上且80体积％以下的范围内。绝缘导体(20)是具有导体(21)和配置在所述导体的表面的绝缘膜的绝缘导体(20)，所述绝缘膜由上述绝缘膜(10)构成。金属基底基板(30)是依次层叠金属基板(31)、绝缘膜及金属箔(33)而成的金属基底基板(30)，所述绝缘膜由上述绝缘膜(10)构成。

Description

绝缘膜、绝缘导体及金属基底基板
技术领域
本发明涉及一种绝缘膜、使用了该绝缘膜的绝缘导体及金属基底基板。
本申请主张关于2018年2月5日于日本申请的专利申请2018-018268号及2018年12月28日于日本申请的专利申请2018-246997号的优先权，并将其内容援用于此。
背景技术
绝缘膜用作例如被利用于线圈或马达中的绝缘导体的绝缘膜、对半导体芯片、LED元件等电子部件或电路基板的表面进行保护的保护膜、金属基底基板的绝缘膜。
作为绝缘膜而使用由包含树脂和无机填料的树脂组合物形成的膜。作为树脂而利用耐热性、耐化学性、机械强度高的树脂，例如聚酰亚胺或聚酰胺酰亚胺。
随着近年来电子部件的工作电压的高电压化或高集成化，电子部件的发热量趋于增加，要求一种热阻低且散热性高的绝缘膜。作为使绝缘膜的热阻降低的方法，有添加传热性高的无机填料的方法。然而，若添加粒径大的无机填料，则存在耐电压(绝缘击穿电压)降低的问题(非专利文献1)。
在此，若将绝缘膜的膜厚设为h，将每单位膜厚的耐电压设为VF，则由下述式(1)表示绝缘膜的耐电压VR。
VR＝VF×h……(1)
另一方面，若将绝缘膜的膜厚设为h，将绝缘膜的热导率设为λ，则由下述式(2)表示绝缘膜的热阻R。
R∝h/λ……(2)
根据式(1)和式(2)，能够由下述式(3)表示绝缘膜的热阻R。
R∝VR/(λ×VF)……(3)
根据上述式(3)可知，绝缘膜的热阻R与绝缘膜的每单位膜厚的耐电压VF×热导率λ的倒数成比例。从而，为了降低绝缘膜的热阻R，重要的是增大绝缘膜的每单位膜厚的耐电压VF×热导率λ的值(以下，也称为“性能值”)。
在专利文献1、2中记载有：为了提高绝缘膜的耐电压而使用纳米粒子作为无机填料。
在专利文献1中公开了一种绝缘膜，其使用了平均最大直径为500nm以下的纳米粒子作为无机填料。在该专利文献1的实施例中记载有一种绝缘膜，其添加了2.5质量％、5质量％的纳米粒子。
在专利文献2中公开了一种绝缘膜，其包含聚酰胺酰亚胺树脂和平均一次粒径为200nm以下的绝缘性微粒。在该专利文献2的实施例中记载有一种绝缘膜，其添加了5质量％的绝缘性微粒。然而，通常即使在绝缘膜中添加纳米粒子，热导率也不会显著提高。
在专利文献3、4中记载有一种绝缘膜，其为了进一步提高热导率而并用纳米粒子和微粒两者作为无机填料。
在专利文献3中公开了一种电绝缘材料用树脂组合物，其含有微粒尺寸的第一无机填料和由规定的材料构成的纳米粒子尺寸的第二无机填料作为无机填料。
在专利文献4中公开了一种树脂组合物，其填充有微粒尺寸的传热性无机球状微填料、板状、棒状、纤维状或鳞片状形状的微填料、以及纳米粒子尺寸的传热性无机纳米填料作为无机填料。
然而，如上述非专利文献1中所记载，添加有微粒的绝缘膜存在耐电压降低的问题。
非专利文献1：Journal of International Council on ElectricalEngineering Vol.2,No.1,pp.90～98,2012(国际电工理事会学报第2卷，第1期，第90～98页，2012)
专利文献1：美国专利申请公开第2007/0116976号(A)说明书
专利文献2：日本特开2013-60575号公报(A)
专利文献3：日本特开2009-13227号公报(A)
专利文献4：日本特开2013-159748号公报(A)
发明内容
本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种热导率和耐电压性两者均高，并且耐热性、耐化学性、力学特性优异的绝缘膜、使用了该绝缘膜的绝缘导体及金属基底基板。
为了解决前述课题，本发明的一方式的绝缘膜的特征在于，包含：树脂，由聚酰亚胺或聚酰胺酰亚胺或者它们的混合物构成；及α氧化铝单晶粒子，平均粒径在0.3μm以上且1.5μm以下的范围内，所述α氧化铝单晶粒子的含量在8体积％以上且80体积％以下的范围内。
根据该结构的绝缘膜，树脂由聚酰亚胺或聚酰胺酰亚胺或者它们的混合物构成，因此耐热性、耐化学性及力学特性提高。
并且，由于在8体积％以上且60体积％以下的范围内含有平均粒径为0.3μm以上且1.5μm以下的范围内的微细的α氧化铝单晶粒子，因此不会损害聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺等树脂所具有的优异的耐热性、耐化学性及力学特性，而能够提高耐电压和热导率这两者。
在此，在本发明的绝缘膜中，所述α氧化铝单晶粒子的含量优选在20体积％以上且70体积％以下的范围内。进一步优选在30体积％以上且60体积％以下的范围内。
在该情况下，能够更可靠地提高耐电压和热导率这两者。
并且，本发明的绝缘导体具有导体和配置在所述导体的表面上的绝缘膜，所述绝缘导体的特征在于，所述绝缘膜由上述绝缘膜构成。
根据该结构的绝缘导体，上述耐电压和热导率二者均提高的绝缘膜由于配置在导体的表面，因此作为绝缘导体而发挥优异的耐电性和耐热性。
并且，本发明的金属基底基板依次层叠金属基板、绝缘膜及金属箔而成，所述金属基底基板的特征在于，所述绝缘膜由上述绝缘膜构成。
根据该结构的金属基底基板，上述耐电压和热导率这两者均提高的绝缘膜由于配置于金属基板与金属箔之间，因此作为金属基底基板而发挥优异的耐电性和耐热性。
根据本发明例，能够提供一种热导率和耐电压性两者均高，并且耐热性、耐化学性及力学特性优异的绝缘膜、使用了该绝缘膜的绝缘导体及金属基底基板。
附图说明
图1是本发明的一实施方式的绝缘膜的概略剖视图。
图2是本发明的一实施方式的绝缘导体的概略剖视图。
图3是本发明的一实施方式的金属基底基板的概略剖视图。
具体实施方式
以下，参考附图，对本发明的一实施方式的绝缘膜、绝缘导体、金属基底基板进行说明。
(绝缘膜)
图1是本发明的一实施方式的绝缘膜的概略剖视图。
如图1所示，本实施方式的绝缘膜10包含树脂11和α氧化铝单晶粒子12。
树脂11成为绝缘膜10的基材。树脂11由聚酰亚胺或聚酰胺酰亚胺或者它们的混合物构成。这些树脂由于具有酰亚胺键，因此具有优异的耐热性、化学稳定性及力学特性。
α氧化铝单晶粒子12具有有效地提高绝缘膜10的耐电压和热导率的作用。α氧化铝单晶粒子12是具有α氧化铝(αAl2O3)的晶体结构的单晶粒子。
例如，能够通过如下确认α氧化铝粒子是单晶粒子。
首先，通过X射线衍射法获取α氧化铝粒子的峰的半峰宽。根据Scherrer公式将所获取的峰的半峰宽转换为微晶直径(r)。除此以外，使用SEM(扫描式电子显微镜)测定100个α氧化铝粒子的粒径，并计算其平均值作为平均粒径(D)。计算微晶直径(r)相对于计算出的α氧化铝粒子的平均粒径(D)之比(r/D)，在该比率(r/D)为0.8以上的情况下为单晶。
α氧化铝单晶粒子12的平均粒径在0.3μm以上且1.5μm以下的范围内。若平均粒径小于0.3μm，则容易形成凝聚粒子，有可能不易使α氧化铝单晶粒子12均匀地分散于树脂11中。并且，若α氧化铝单晶粒子12形成凝聚粒子，则绝缘膜10的机械强度降低，绝缘膜10变脆。另一方面，若平均粒径超过1.5μm，则有可能绝缘膜10的耐电压降低。α氧化铝单晶粒子12的平均粒径优选在0.3μm以上且0.7μnm以下的范围内。
α氧化铝单晶粒子12的平均粒径是使用α氧化铝单晶粒子12的分散液、通过激光衍射式粒度分布测定装置所测定的体积累积平均直径(Dv50)的值。例如，将α氧化铝单晶粒子12与分散剂一同放入N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)溶剂中，并通过超声波分散而使α氧化铝单晶粒子12分散，由此能够制备平均粒径测定用的α氧化铝单晶粒子12的分散液。
作为α氧化铝单晶粒子12，能够使用例如由Sumitomo Chemical Co.,Ltd.出售的高纯度氧化铝(AA)系列的AA-03、AA-04、AA-05、AA-07、AA-1.5等。
绝缘膜10的α氧化铝单晶粒子12的含量在8体积％以上且80体积％以下的范围内。若含量小于8体积％，则有可能不易提高绝缘膜10的热导率。另一方面，若含量超过80体积％，则绝缘膜10的机械强度降低，绝缘膜10变脆。并且，有可能不易混合树脂11和α氧化铝单晶粒子12，并且不易使α氧化铝单晶粒子12均匀地分散于树脂11中。根据更可靠地提高绝缘膜10的耐电压和热导率这两者的观点，α氧化铝单晶粒子12的含量的下限优选为20体积％以上，尤其优选为30体积％以上。并且，α氧化铝单晶粒子12的含量的上限优选为70体积％以下，尤其优选为60体积％以下。
例如，能够通过如下求出绝缘膜10的α氧化铝单晶粒子12的含量。
将绝缘膜10在空气中、在400℃加热12小时，将树脂11热分解并去除，并回收剩余的α氧化铝单晶粒子12。测定所回收的α氧化铝单晶粒子12的重量，并由该重量和加热前的绝缘膜10的重量计算α氧化铝单晶粒子12的含量(重量基准)(重量％)。使用树脂的密度和α氧化铝的密度，将重量基准的含量转换为体积基准的含量(体积％)。
具体而言，将加热并回收的α氧化铝粒子的重量设为Wa(g)，将加热前的绝缘膜的重量设为Wf(g)，将α氧化铝的密度设为Da(g/cm3)，将树脂的密度设为Dr(g/cm3)，并由下述式计算α氧化铝单晶粒子的含量(重量％)。
α氧化铝单晶粒子的含量(重量％)＝Wa/Wf×100
＝Wa/{Wa+(Wf-Wa)}×100
接着，由下述式计算α氧化铝单晶粒子的含量(体积％)。
α氧化铝单晶粒子的含量(体积％)
＝(Wa/Da)/{(Wa/Da)+(Wf-Wa)/Dr}×100
绝缘膜10的膜厚根据用途而不同，通常在1μm以上且200μm以下的范围内，优选在10μm以上且50μm以下的范围内。
本实施方式的绝缘膜10能够用作被利用于线圈或马达中的绝缘导体的绝缘膜，例如漆包线的漆膜。并且，能够用作保护电子部件或电路基板表面的保护膜。此外，在金属基底基板等中，能够用作配置于金属箔(电路图案)与基板之间的绝缘膜。并且，作为单独的片材或薄膜，例如，能够用作柔性印刷基板等电路基板用绝缘材料。
电沉积法是如下的方法：使包含聚酰亚胺或聚酰胺酰亚胺、溶剂、水、不良溶剂及碱的电沉积液电沉积于导电性基板的表面而形成电沉积膜，接着，使电沉积膜干燥，并使所得到的干燥膜加热并固化。
本实施方式的绝缘膜例如能够通过涂布法或电沉积法而形成。
涂布法是如下的方法：制备α氧化铝单晶粒子分散树脂溶液，该溶液包含溶解有树脂材料的溶液和分散于该溶液中的α氧化铝单晶粒子，该树脂材料由聚酰亚胺、或聚酰胺酰亚胺、或它们的前体、或它们的混合物构成，接着，将该α氧化铝单晶粒子涂布于基板上而形成涂膜，接着，使涂膜干燥，并使所得到的干燥膜加热并固化。作为将α氧化铝单晶粒子分散树脂溶液涂布于金属基板的表面上的方法，能够使用旋涂法、棒涂法、刮刀涂布法、辊涂法、刮板涂布法、模涂法、凹版涂布法及浸涂法等。
根据具有以上结构的本实施方式的绝缘膜10，由于树脂11由聚酰亚胺或聚酰胺酰亚胺或者它们的混合物构成，因此耐热性、耐化学性及力学特性提高。并且，在8体积％以上且80体积％以下的范围内含有平均粒径为0.3μm以上且1.5μm以下的范围内的微细的α氧化铝单晶粒子12，因此能够在不损害聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺等树脂所具有的优异的耐热性、耐化学性及力学特性的情况下，提高耐电压和热导率这两者。
并且，根据本实施方式的绝缘膜10，通过将α氧化铝单晶粒子12的含量设定在20体积％以上且70体积％以下的范围内，进一步优选设定在30体积％以上且60体积％以下的范围内，能够更可靠地提高耐电压和热导率这两者。
(绝缘导体)
接着，对本发明的一实施方式的绝缘导体进行说明。另外，对于与上述绝缘膜具有相同结构的要件标注相同的符号并省略详细说明。
图2是本发明的一实施方式的绝缘导体的概略剖视图。
如图2所示，本实施方式的绝缘导体20具有导体21和配置在导体21的表面的上述绝缘膜10。
导体21由具有高导电性的金属构成。作为导体21，例如能够使用铜、铜合金、铝及铝合金。另外，在图2中，导体21的剖面为圆形，但是导体21的剖面形状并不受特别的限制，例如也可以是椭圆形、四边形。
绝缘膜10是用于使导体21与外部绝缘的部件。
本实施方式的绝缘导体20能够通过例如在导体的表面上利用涂布法或电沉积法形成绝缘膜而制造。
具有以上结构的本实施方式的绝缘导体20由于在导体21的表面具备提高了耐电压和热导率这两者的上述绝缘膜10作为绝缘膜，因此作为绝缘导体而发挥优异的耐电性和耐热性。
(金属基底基板)
接着，对本发明的一实施方式的金属基底基板进行说明。另外，对于与上述绝缘膜具有相同结构的要件标注相同的符号并省略详细说明。
图3是本发明的一实施方式的金属基底基板的概略剖视图。
如图3所示，本实施方式的金属基底基板30是依次层叠金属基板31、上述绝缘膜10、密合膜32及金属箔33而成的层叠体。
金属基板31是成为金属基底基板30的基底的部件。作为金属基板31，能够使用铜板、铝板及它们的层叠板。
绝缘膜10是用于使金属基板31与金属箔33绝缘的部件。
密合膜32是为了提高绝缘膜10与金属箔33的密合性而设置的部件。
密合膜32优选由树脂构成。作为树脂，能够使用硅酮树脂、环氧树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚酰亚胺树脂等。硅酮树脂包括已导入各种有机基团的改性硅酮树脂。作为改性硅酮树脂的例子，能够举出聚酰亚胺改性硅酮树脂、聚酯改性硅酮树脂、聚氨酯改性硅酮树脂、丙烯酸改性硅酮树脂、烯烃改性硅酮树脂、醚改性硅酮树脂、醇改性硅酮树脂、氟改性硅酮树脂、氨基改性硅酮树脂、巯基改性硅酮树脂及羧基改性硅酮树脂。作为环氧树脂的例子，能够举出双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂、脂肪族型环氧树脂及缩水甘油胺型环氧树脂。这些树脂可以单独使用一种，也可以组合使用两种以上。
密合膜32为了提高传热性而可以使无机物粒子分散于其中。作为无机物粒子，能够使用陶瓷粒子。作为陶瓷粒子的例子，可以举出二氧化硅粒子、氧化铝粒子、氮化硼粒子、氧化钛粒子、掺杂有氧化铝的二氧化硅粒子、氧化铝水合物粒子及氮化铝粒子。
金属箔33形成为电路图案形状。在形成为该电路图案形状的金属箔33上，通过焊接而接合电子部件。作为金属箔33的材料，能够使用铜、铝及金等。
本实施方式的金属基底基板30能够通过例如在金属基板31上依次层叠绝缘膜10和密合膜32，接着，在密合膜32上粘贴金属箔33的方法而制造。绝缘膜10能够通过涂布法或电沉积法而形成。密合膜32能够通过例如将包含密合膜形成用树脂、溶剂、根据需要添加的无机物粒子的密合膜形成用涂布液涂布于绝缘膜10的表面而形成涂膜，接着，加热并干燥涂膜而形成。将金属箔33重叠于密合膜32上，接着，一边对金属箔33进行加压，一边进行加热，由此能够贴合金属箔33。
根据具有以上结构的本实施方式的金属基底基板30，由于耐电压和热导率这两者均提高的上述绝缘膜10作为绝缘膜配置在金属基板31与金属箔33之间，因此作为金属基底基板发挥优异的耐电性和耐热性。
实施例
接着，根据实施例对本发明的作用效果进行说明。
[本发明例1～19、比较例1～8]
使用表1所示的制作方法制作出包含无机物粒子和树脂的绝缘膜。在各本发明例及比较例中所制作的绝缘膜的具体的制作方法为如下。
＜本发明例1～11、比较例1～7＞
(聚酰胺酸溶液的制备)
在容量为300mL的可分离烧瓶中加入4，4’-二氨基二苯醚及NMP(N-甲基-2-吡咯烷酮)。NMP量调整为使所得到的聚酰胺酸的浓度达到40质量％。在常温下进行搅拌以使4，4’-二氨基二苯醚完全溶解之后，以内部温度不超过30℃的方式一点一点地添加规定量的四羧酸二酐。然后，在氮气氛下继续搅拌16小时，制备出聚酰胺酸(聚酰亚胺前体)溶液。
(陶瓷粒子分散聚酰胺酸溶液的制备)
准备了下述表1所示的陶瓷粒子。将所准备的陶瓷粒子1.0g放入NMP10g中，经30分钟进行超声波处理而制备出陶瓷粒子分散液。
接着，将所制备的聚酰胺酸溶液、所制备的陶瓷粒子分散液及NMP进行了混合，以使最终在溶液中的聚酰胺酸的含量成为5质量％，陶瓷粒子相对于树脂成分和陶瓷粒子的总量的含量成为下述表1所示的体积％。接着，通过使用SUGINO MACHINE LIMITED制造的Star Burst重复进行10次压力为50MPa的高压喷射处理而对所得到的混合物进行分散处理，由此制备出陶瓷粒子分散聚酰胺酸溶液。
(通过涂布法制作绝缘膜)
将所制备的陶瓷粒子分散聚酰胺酸溶液以加热后的膜厚成为20μm的方式涂布于厚度为0.3mm且30mm×20mm的铜基板的表面而形成涂膜。接着，将形成有涂膜的铜基板配置于加热板上，以3℃/分钟的升温速度从室温升温至60℃，在60℃加热100分钟之后，进而以1℃/分钟的升温速度升温至120℃，在120℃加热100分钟而进行干燥并作为干燥膜。然后，将干燥膜在250℃加热1分钟，接着，在400℃加热1分钟而制作出带绝缘膜铜基板。
＜本发明例12＞
将溶剂可溶型聚酰亚胺和聚酰胺酰亚胺以重量比1：1进行混合，使所得到的混合物溶解于NMP中，从而制备出聚酰亚胺和聚酰胺酰亚胺的混合物溶液。将该混合物溶液、陶瓷粒子分散液及NMP进行混合，以使最终溶液中的聚酰亚胺和聚酰胺酰亚胺的总含量为5质量％，陶瓷粒子的含量成为下述表1所示的量以制备出陶瓷粒子分散树脂溶液，除此以外，以与本发明例1相同的方式，使用涂布法制作出带绝缘膜铜基板。
＜比较例8＞
准备了热固化型且单组分的溶剂可溶型环氧树脂。将该溶剂可溶型环氧树脂、陶瓷分散溶液及NMP进行混合，以使最终溶液中的环氧树脂的含量为8质量％，陶瓷粒子的含量成为下述表1所示的量，从而制备出陶瓷粒子分散树脂溶液，除此以外，以与本发明例1相同的方式，使用涂布法制作出带绝缘膜铜基板。另外，陶瓷粒子分散树脂溶液的涂膜以3℃/分钟的升温速度从室温升温至60℃，在60℃加热100分钟之后，进而以1℃/分钟的升温速度升温至120℃，在120℃加热100分钟而使其干燥和固化并制成绝缘膜。
＜本发明例13～19＞
(陶瓷粒子分散树脂溶液的制备)
准备了下述表1所示的陶瓷粒子。将所准备的陶瓷粒子1.0g放入以NMP62.5g、1M2P(1-甲氧基-2-丙醇)10g、AE(氨基醚)0.22g的比例包含的混合溶剂中，进行30分钟超声波处理而制备出陶瓷粒子分散液。
接着，将制备成聚酰胺酰亚胺溶液3.3g的陶瓷粒子分散液以陶瓷粒子相对于树脂成分和陶瓷粒子的总量的含量成为下述表1所示的体积％的方式进行加入，从而制备出陶瓷粒子分散聚酰胺酰亚胺溶液。
(陶瓷粒子分散聚酰胺酰亚胺电沉积液的制备)
将所制备的陶瓷粒子分散聚酰胺酰亚胺溶液一边以5000rpm的转速进行搅拌，一边在该陶瓷粒子分散聚酰胺酰亚胺溶液中滴加水21g，从而制备出陶瓷粒子分散聚酰胺酰亚胺电沉积液。
(通过电沉积法制作绝缘膜)
在所制备的电沉积液中浸渍厚度为0.3mm且30mm×20mm的铜基板和不锈钢电极，将铜基板设为正极，将不锈钢电极设为负极，并施加100V的直流电压，从而在铜基板的表面形成电沉积膜。另外，铜基板的背面通过粘贴保护带进行保护，以免形成电沉积膜。电沉积膜的膜厚设为通过加热而生成的绝缘膜的膜厚成为20μm的厚度。接着，将形成有电沉积膜的铜基板在大气气氛下、在250℃加热3分钟以使电沉积膜干燥，从而制作出带绝缘膜铜基板。
＜带绝缘膜铜基板的评价＞
关于在本发明例1～19及比较例1～8中所制作的绝缘膜，对下述项目进行了评价。将其结果示于表1中。
(耐电压)
使用Measuring Technology Laboratory Co.,Ltd.的多功能安全试验仪7440测定了耐电压。在带绝缘膜铜基板的绝缘膜的表面配置了电极
Figure BDA0002519733120000091
将带绝缘膜铜基板的铜基板与配置在绝缘膜的表面上的电极分别连接于电源，并且以30秒升压至6000V。将在铜基板与电极之间流过的电流值成为5000μA的时刻的电压设为绝缘膜的耐电压。
(相对耐电压)
除了未使陶瓷粒子分散以外，以与本发明例1～19及比较例1～8相同的方式制作树脂单独的绝缘膜，并通过上述方法测定出该耐电压。计算出将该树脂单独的绝缘膜的耐电压设为1时的本发明例1～19及比较例1～8的绝缘膜的耐电压作为相对耐电压。
(绝缘膜的热导率)
关于热导率(绝缘膜的厚度方向的热导率)，使用NETZSCH-GeratebauGmbH制造的LFA477 Nanoflash(导热性能测试仪)并通过激光闪法而测定。关于热导率，使用未考虑界面热阻的双层模型而计算。另外，如上所述，铜基板的厚度设为0.3mm，铜基板的热扩散率设为117.2mm2/秒。在计算绝缘膜的热导率时，使用了α氧化铝粒子的密度3.89g/cm3，α氧化铝粒子的比热0.78J/gK，二氧化硅粒子的密度2.2g/cm3，二氧化硅粒子的比热0.76J/gK，氮化硼的密度2.1g/cm3，氮化硼的比热0.8J/gK，聚酰胺酰亚胺树脂的密度1.41g/cm3，聚酰胺酰亚胺树脂的比热1.09J/gK，聚酰亚胺的密度1.4g/cm3，聚酰亚胺的比热1.13J/gK，环氧树脂的密度1.2g/cm3及环氧树脂的比热1.05J/gK。
(相对热导率)
除了未使陶瓷粒子分散以外，以与本发明例1～19及比较例1～8相同的方式制作树脂单独的绝缘膜，并通过上述方法测定出该热导率。计算出将该树脂单独的绝缘膜的热导率设为1时的本发明例1～19及比较例1～8的绝缘膜的热导率作为相对热导率。
(相对性能值)
计算出将相对耐电压和相对热导率相乘的值作为相对性能值。该值越大，表示热阻越小。
[表1]
Figure BDA0002519733120000112
使用了α氧化铝的多晶粒子的比较例1的绝缘膜的热导率降低。α氧化铝单晶粒子的添加量比本发明的范围少的比较例2的绝缘膜的热导率降低。α氧化铝单晶粒子的添加量比本发明的范围多的比较例3的绝缘膜的耐电压降低。α氧化铝单晶粒子的平均粒径比本发明的范围大的比较例4、5的绝缘膜的耐电压降低。使用二氧化硅的纳米粒子来代替α氧化铝单晶粒子的比较例6的绝缘膜的耐电压和热导率这两者降低。使用氮化硼的纳米粒子来代替α氧化铝单晶粒子的比较例7的绝缘膜的耐电压降低。此外，将环氧树脂用作树脂的比较例8的绝缘膜的耐电压降低，其结果，相对性能值降低至3以下。
相对于此，作为树脂而使用聚酰亚胺或聚酰胺酰亚胺或它们的混合物，作为陶瓷粒子而使用平均粒径在0.3μm以上且1.5μm以下的范围内的α氧化铝单晶粒子，在该α氧化铝单晶粒子的含量在8体积％以上且80体积％以下的范围内的本发明例1～19的绝缘膜中，确认到耐电压和热导率保持良好的平衡性且提高，并显示出高的相对性能值。尤其，在α氧化铝单晶粒子的含量在20体积％以上且70体积％以下的范围内的本发明例3～6、8～12、15～18的绝缘膜中，确认到耐电压和热导率进而保持良好的平衡性且提高，并显示出5.0以上的高的相对性能值。
＜本发明例20＞
将在本发明例4中所制备的陶瓷粒子分散聚酰胺酸溶液以干燥后的膜厚成为20μm的方式涂布于脱模膜(UNITIKA LTD.制造，Unipeel)上而形成涂膜。接着，将形成有涂膜的脱模膜配置于加热板上，以3℃/分钟的升温速度从室温升温至60℃，在60℃加热100分钟之后，进而以1℃/分钟升温至120℃，在120℃加热100分钟而进行干燥并制成干燥膜。然后，从脱模膜剥离并设为自支撑膜之后，在几个部位用夹具固定于不锈钢制模框上，然后，将干燥膜在250℃加热1分钟，在400℃加热1分钟而制作出自支撑绝缘膜。
关于所制作的自支撑绝缘膜，测定耐电压、相对耐电压、热导率及相对热导率，并计算出性能值。其结果，耐电压为4.5kV，相对耐电压为1.1，热导率为1.4w/mK，相对热导率为7，性能值为7.5。
另外，除了将电极
Figure BDA0002519733120000121
以对置的方式配置于自支撑绝缘膜的两面以外，以与上述方法相同的方式测定出耐电压。关于热导率，除了使用单层模型计算以外，以与上述方法相同的方式测定。
＜本发明例21＞
本发明例所涉及的绝缘导体能够通过将绝缘膜包覆于导线而制作。
在本发明例16中所制备的电沉积液中浸渍
Figure BDA0002519733120000122
的铜线和不锈钢电极，并将铜线设为正极，将不锈钢电极设为负极，并施加100V的直流电压，从而在铜线的表面形成电沉积膜。电沉积膜的膜厚为通过加热而生成的绝缘膜的膜厚成为20μm的厚度。接着，将形成有电沉积膜的铜线在大气气氛下、在250℃加热3分钟，并使电沉积膜干燥，从而制作出带绝缘膜的铜线(绝缘铜线)。
＜本发明例22＞
本发明例所涉及的金属基底基板能够通过层叠金属基板、绝缘膜及金属箔而制作。
将在本发明例4中所制备的陶瓷粒子分散聚酰胺酸溶液以加热后的膜厚成为20μm的方式涂布于厚度为1mm且20mm×20mm的铜基板的表面而形成涂膜。接着，将形成有涂膜的铜基板配置于加热板上，以3℃/分钟的升温速度从室温升温至60℃，在60℃加热100分钟之后，进而以1℃/分钟的升温速度升温至120℃，在120℃加热100分钟而进行干燥并设为干燥膜。然后，将干燥膜在250℃加热1分钟，接着，在400℃加热1分钟而制作出带绝缘膜铜基板。关于所得到的带绝缘膜铜基板的绝缘膜，分别测定出热导率和耐电压，热导率为1.4w/mk，耐电压为4.1kV。
在所得到的带绝缘膜铜基板的背面粘贴保护带，然后浸渍于浓度为25质量％的聚酰胺酰亚胺溶液中，从而在绝缘膜上形成聚酰胺酰亚胺溶液的涂膜。
接着，将涂膜在250℃加热30分钟，从而在绝缘膜上形成密合膜。
接着，将厚度为18μm且宽度为1cm的铜箔(CF-T4X-SV-18：Fukuda Metal Foil&Powder Co.,Ltd.制造)重叠于密合膜上，接着，使用碳夹具一边施加5MPa的压力，一边在真空中以215℃的温度加热20分钟，从而使密合膜和铜箔贴合。如上所述，制作出依次层叠铜基板、绝缘膜、密合膜及铜箔而成的金属基底基板。
产业上的可利用性
根据本发明例，能够提供一种热导率和耐电压性两者均高，并且耐热性、耐化学性及力学特性优异的绝缘膜、使用了该绝缘膜的绝缘导体及金属基底基板。
符号说明
10-绝缘膜，11-树脂，12-α氧化铝单晶粒子，20-绝缘导体，21-导体，30-金属基底基板，31-金属基板，32-密合膜，33-金属箔。

Claims (4)

1.一种绝缘膜，其特征在于，包含：
树脂，由聚酰亚胺或聚酰胺酰亚胺或者它们的混合物构成；及α氧化铝单晶粒子，平均粒径在0.3μm以上且1.5μm以下的范围内，
所述α氧化铝单晶粒子的含量在8体积％以上且80体积％以下的范围内。
2.根据权利要求1所述的绝缘膜，其特征在于，
所述α氧化铝单晶粒子的含量在20体积％以上且70体积％以下的范围内。
3.一种绝缘导体，其具有导体和配置在所述导体的表面的绝缘膜，所述绝缘导体的特征在于，
所述绝缘膜由权利要求1或2所述的绝缘膜构成。
4.一种金属基底基板，其是依次层叠金属基板、绝缘膜及金属箔而成，
所述金属基底基板的特征在于，
所述绝缘膜由权利要求1或2所述的绝缘膜构成。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021116838A (ja) * 2020-01-23 2021-08-10 マツダ株式会社 摩擦材および摩擦締結装置
JP7532947B2 (ja) 2020-06-26 2024-08-14 三菱マテリアル株式会社 絶縁性放熱材料、絶縁膜及び絶縁膜の製造方法
JP7482763B2 (ja) 2020-11-30 2024-05-14 日本特殊陶業株式会社 コイル
JP2022129993A (ja) 2021-02-25 2022-09-06 三菱マテリアル株式会社 ポリイミド樹脂組成物及び金属ベース基板
CN114724787B (zh) * 2022-05-16 2022-11-15 醴陵市东方电瓷电器有限公司 一种特高压线路用电瓷绝缘子及其制备方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005272714A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Tokyo Magnetic Printing Co Ltd 絶縁性磁気塗料
CN1910122A (zh) * 2004-01-08 2007-02-07 昭和电工株式会社 无机粉末、用该粉末填充的树脂组合物及其用途
CN101528604A (zh) * 2006-10-31 2009-09-09 电气化学工业株式会社 氧化铝粉末、其制造方法以及其用途
CN102190323A (zh) * 2010-02-25 2011-09-21 住友化学株式会社 无机氧化物粉末和含无机氧化物的淤浆、以及使用该於浆的锂离子二次电池和制备其的方法
JP2012213900A (ja) * 2011-03-31 2012-11-08 Nippon Steel Chem Co Ltd 熱伝導性ポリイミド−金属基板
JP2012213899A (ja) * 2011-03-31 2012-11-08 Nippon Steel Chem Co Ltd 熱伝導性ポリイミド−金属基板
CN103649174A (zh) * 2011-06-14 2014-03-19 新日铁住金化学株式会社 交联聚酰亚胺树脂、其制造方法、粘接剂树脂组合物、其硬化物、覆盖层膜、电路基板、热导性基板及热导性聚酰亚胺膜
CN103842416A (zh) * 2011-08-25 2014-06-04 日东电工株式会社 绝缘膜
CN105339413A (zh) * 2013-06-27 2016-02-17 日立化成株式会社 树脂组合物、树脂片、树脂片固化物、树脂片结构体、树脂片结构体固化物、树脂片结构体固化物的制造方法、半导体装置及led装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6352496A (ja) * 1986-08-21 1988-03-05 三菱電線工業株式会社 回路用基板
JPH09204823A (ja) * 1995-11-24 1997-08-05 Showa Electric Wire & Cable Co Ltd 絶縁電線およびこれを用いた電気機器
JP4281880B2 (ja) * 1996-02-13 2009-06-17 ゼネラル・エレクトリック・カナダ 高コロナ耐性サンドイッチ絶縁材
JP3496636B2 (ja) * 2000-02-16 2004-02-16 日立電線株式会社 耐部分放電性エナメル線用塗料及び耐部分放電性エナメル線
JP2006134813A (ja) * 2004-11-09 2006-05-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 絶縁被覆材料及び絶縁被覆導体
US20070116976A1 (en) 2005-11-23 2007-05-24 Qi Tan Nanoparticle enhanced thermoplastic dielectrics, methods of manufacture thereof, and articles comprising the same
JP2009013227A (ja) 2007-07-02 2009-01-22 Tokyo Electric Power Co Inc:The 電気絶縁材料用の樹脂組成物及びその製造方法
WO2011111684A1 (ja) * 2010-03-10 2011-09-15 新日鐵化学株式会社 熱伝導性ポリイミドフィルム及びそれを用いた熱伝導性積層体
JP5650084B2 (ja) * 2011-06-22 2015-01-07 新日鉄住金化学株式会社 熱伝導性基板及び熱伝導性ポリイミドフィルム
JP2013159748A (ja) 2012-02-08 2013-08-19 Kyushu Institute Of Technology 樹脂組成物及びその製造方法
JP2014183300A (ja) * 2013-03-21 2014-09-29 Shindo Denshi Kogyo Kk 発熱部品配線板及び発熱部品搭載モジュール
EP3321941B1 (en) * 2015-07-09 2024-05-15 Sumitomo Seika Chemicals Co., Ltd. Electrical insulating resin composition for partial-discharge resistance
JP2018026320A (ja) * 2016-08-01 2018-02-15 三菱マテリアル株式会社 絶縁膜
KR102357814B1 (ko) * 2016-08-01 2022-01-28 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 절연막
KR102287542B1 (ko) * 2016-08-08 2021-08-11 도레이 카부시키가이샤 수지 조성물, 그것을 사용한 시트, 적층체, 파워 반도체 장치, 플라스마 처리 장치 및 반도체의 제조 방법

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1910122A (zh) * 2004-01-08 2007-02-07 昭和电工株式会社 无机粉末、用该粉末填充的树脂组合物及其用途
JP2005272714A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Tokyo Magnetic Printing Co Ltd 絶縁性磁気塗料
CN101528604A (zh) * 2006-10-31 2009-09-09 电气化学工业株式会社 氧化铝粉末、其制造方法以及其用途
CN102190323A (zh) * 2010-02-25 2011-09-21 住友化学株式会社 无机氧化物粉末和含无机氧化物的淤浆、以及使用该於浆的锂离子二次电池和制备其的方法
JP2012213900A (ja) * 2011-03-31 2012-11-08 Nippon Steel Chem Co Ltd 熱伝導性ポリイミド−金属基板
JP2012213899A (ja) * 2011-03-31 2012-11-08 Nippon Steel Chem Co Ltd 熱伝導性ポリイミド−金属基板
CN103649174A (zh) * 2011-06-14 2014-03-19 新日铁住金化学株式会社 交联聚酰亚胺树脂、其制造方法、粘接剂树脂组合物、其硬化物、覆盖层膜、电路基板、热导性基板及热导性聚酰亚胺膜
CN103842416A (zh) * 2011-08-25 2014-06-04 日东电工株式会社 绝缘膜
CN105339413A (zh) * 2013-06-27 2016-02-17 日立化成株式会社 树脂组合物、树脂片、树脂片固化物、树脂片结构体、树脂片结构体固化物、树脂片结构体固化物的制造方法、半导体装置及led装置

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