JP7259206B2 - 金属ベース基板 - Google Patents
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Description
図1において、モジュール1は、金属ベース基板2と、金属ベース基板2の上に実装された電子部品3とを含む。金属ベース基板2は、金属基板10と、絶縁層20と、密着層30と、金属箔40とがこの順で積層された積層体である。金属箔40は、回路パターン状に形成されている。その回路パターン状に形成された金属箔40の上に、電子部品3がはんだ4を介して接合されている。
絶縁層20の耐電圧性の低下を抑えるために、セラミック粒子22の比表面積は、10m2/g以上であることがより好ましく、50m2/g以上であることが特に好ましい。
BET径=6/(密度×BET比表面積)・・・(1)
また、セラミック粒子22は結晶性が高いことが好ましく、一次粒子が単結晶粒子であることがより好ましい。結晶性が高い単結晶のセラミック粒子は熱伝導性に優れるので、これを含む絶縁層20は熱伝導度がより効率的に向上する。
また、セラミック粒子22の凝集粒子の平均粒子径は、上記のBET径に対して、5倍以上であることが好ましく、5倍以上100倍以下の範囲内にあることが好ましい。また、凝集粒子の平均粒子径は、20nm以上500nm以下の範囲内にあることが好ましい。凝集粒子の平均粒子径が上記の範囲にあると、絶縁層20の熱伝導度を確実に向上させることができる。
絶縁層20の熱伝導性を確実に向上させるためには、セラミック粒子22の含有量は10体積%以上であることが好ましい。また、絶縁層20の形状の安定性を確実に向上させ、表面粗さRaを低くするためには、セラミック粒子22の含有量は50体積%以下であることが特に好ましい。
図2に示すように、金属箔40は、絶縁層20と密着層30との界面25の近傍にまで伸びる突起を有する。絶縁層20と密着層30との界面25から密着層30側に0.5μm離れた位置における金属箔40のアボット負荷曲線の相対負荷長さ率(以下、Rmr(0.5μm)ともいう)は20%以上とされている。金属箔40の密着層30側のRmr(0.5μm)が20%以上と高い、すなわち絶縁層20と密着層30との界面25の近くに多数の金属箔40の突起があるので、金属箔40の熱が、密着層30を介して絶縁層20に伝わり易くなる。但し、金属箔40の密着層30側のRmr(0.5μm)が大きくなりすぎると、密着層30と金属箔40との密着性が低くなるおそれがある。このため、Rmr(0.5μm)は50%以下であることが好ましい。
まず、金属ベース基板の金属箔40の断面像を得る。金属箔40の断面像は、例えば、次のようにして得ることができる。
金属ベース基板2を樹脂埋めし、金属ベース基板2を研磨して断面を露出させる。露出した金属ベース基板2の断面を、SEM/EDX(走査型電子顕微鏡/エネルギー分散型X線分析装置)を用いて観察して、金属箔40の元素マッピング像を得る。得られた金属箔40の元素マッピング像を二値化して得られた画像を、金属箔40の断面像とする。
まず、基準長さLtの輪郭曲線を、絶縁層20と密着層30との界面25に平行な切断レベルで切断したときに、輪郭曲線を切断する切断レベルの長さ(L1、L2、L3)を測定し、その和(負荷長さ)を求める。
次に、基準長さLtに対する負荷長さの比率(相対負荷長さ率)を、下記の式(2)を用いて算出する。
相対負荷長さ率={(L1+L2+L3)/Lt}×100・・・(2)
本実施形態の金属ベース基板2は、例えば、金属基板10の上に、絶縁層20と密着層30とをこの順で積層し、次いで密着層30の上に金属箔40を貼り付ける方法によって製造することができる。
塗布法は、絶縁層形成用の樹脂21とセラミック粒子22と溶剤とを含む絶縁層形成用塗布液を、金属基板10の表面に塗布して塗布層を形成し、次いで塗布層を加熱し、乾燥させて絶縁層20を金属基板10の上に形成する方法である。絶縁層形成用塗布液を、金属基板10の表面に塗布する方法としては、スピンコート法、バーコート法、ナイフコート法、ロールコート法、ブレードコート法、ダイコート法、グラビアコート法、ディップコート法などを用いることができる。
電着法は、電荷を有する絶縁樹脂粒子が分散されている電着液に、金属基板10と電極とを浸漬し、金属基板10と電極との間に直流電圧を印加することによって、金属基板10の表面に絶縁樹脂粒子を電着させて電着層を形成し、次いで電着層を加熱し、乾燥させて絶縁層20を金属基板10の上に形成する方法である。電着液は、例えば、絶縁樹脂溶液に、絶縁樹脂の貧溶媒を加えて、絶縁樹脂を析出させることによって調製することができる。絶縁樹脂の貧溶媒としては、例えば、水を用いることができる。
密着層30は、密着層形成用の樹脂と溶剤と必要に応じて添加される無機物粒子とを含む密着層形成用塗布液を、絶縁層20の表面に塗布して塗布層を形成し、次いで塗布層を加熱し、乾燥させることによって形成することができる。密着層形成用塗布液を、絶縁層20の表面に塗布する方法としては、スピンコート法、バーコート法、ナイフコート法、ロールコート法、ブレードコート法、ダイコート法、グラビアコート法、ディップコート法などを用いることができる。
(塗布法によるポリイミド樹脂製絶縁層の形成)
容量300mLのセパラブルフラスコに、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、およびNMP(N-メチル-2-ピロリドン)を仕込んだ。NMP量は、得られるポリアミック酸の濃度が40質量%になるように調整した。常温で撹拌して、4,4’-ジアミノジフェニルエーテルを完全に溶解させた後、内温が30℃を超えないよう、所定量のテトラカルボン酸2無水物を少量ずつ添加した。その後、窒素雰囲気下で16時間の撹拌を続け、ポリアミック酸(ポリイミド樹脂前駆体)溶液を調製した。
密着層形成用の樹脂として、熱可塑性ポリイミド樹脂を用意した。用意した熱可塑性ポリイミド樹脂をNMPに溶解させて、熱可塑性ポリイミド樹脂濃度が30質量%の密着層形成用塗布液を調製した。次いで、上記のようにして作製した絶縁層付き銅基板の絶縁層の上に、上記の密着層形成用塗布液をスピンコート法によって塗布して、密着層形成用塗布層を形成した。次いで、密着層形成用塗布層を形成した絶縁層付き銅基板を180℃で3分間加熱し、密着層形成用塗布層を乾燥させて、絶縁層の上に厚みが2μmの密着層を形成した。
表面未処理で、幅1cmで、厚み35μmの銅箔を用意した。用意した銅箔を、表面処理液(メック株式会社製、アマルファA-10201M)に2分間浸漬させた。次いで、表面処理液から取出した銅箔を水洗し、濃度5質量%の硫酸水溶液に20秒間浸漬して中和した後、再度水洗して乾燥した。粗面化処理の銅箔の表面粗さRzを、アルバック社製のDektak150を用い、JIS B 0601に準拠して測定した。その結果を、表1に示す。
上記のようにして形成した密着層の上に、上記の粗面化処理した銅箔を重ね合わせ、次いで、カーボン治具を用いて20MPaの熱圧着圧力を付与しながら、真空中にて215℃の温度で20分間加熱して、密着層と銅箔とを貼り合わせた。
以上のようにして、銅基板と絶縁層と密着層と銅箔とがこの順で積層された金属ベース基板を作製した。
塗布法によるポリイミド樹脂製絶縁層の形成において、ポリアミック酸溶液とアルミナ粒子分散液とを混合するときのポリイミド樹脂とアルミナ粒子の含有比率を、下記の表1に示す値に変えたこと以外は、本発明例1と同様にして金属ベース基板を作製した。
(電着法によるポリイミド樹脂製絶縁層の形成)
セラミック粒子として、アルミナ粒子(比表面積:60m2/g)を用意した。用意したアルミナ粒子1.0gを、NMPを62.5g、1M2P(1-メトキシ-2-プロパノール)を10g、AE(アミノエーテル)を0.22gの質量で含む混合溶媒に投入し、30分間超音波処理して、セラミック粒子分散液を調製した。
次いで、ポリイミド溶液と調製したアルミナ粒子分散液とを、固形物(絶縁層)中のポリイミド樹脂とセラミック粒子の含有比率がそれぞれ表1に示す値となるように混合して、セラミック粒子分散ポリイミド溶液を調製した。
得られた絶縁層付き銅基板を用いたこと以外は、本発明例1と同様にして金属ベース基板を作製した。
比較例1、2では、銅箔の表面処理液の浸漬時間および銅箔と密着層の熱圧着圧力を、下記の表1に示す値に変えたこと以外は、本発明例1と同様にして金属ベース基板を作製した。
比較例3では、密着層の厚みおよび銅箔と密着層の熱圧着圧力を、下記の表1に示す値に変えたこと以外は、本発明例1と同様にして金属ベース基板を作製した。
比較例4では、密着層の熱圧着圧力を、下記の表1に示す値に変えたこと以外は、本発明例1と同様にして金属ベース基板を作製した。
比較例5、6では、銅箔の表面処理液の浸漬時間および銅箔と密着層の熱圧着圧力を、下記の表1に示す値に変えたこと以外は、本発明例2と同様にして金属ベース基板を作製した。
比較例3では、密着層の厚みおよび銅箔と密着層の熱圧着圧力を、下記の表1に示す値に変えたこと以外は、本発明例2と同様にして金属ベース基板を作製した。
比較例4では、密着層の熱圧着圧力を、下記の表1に示す値に変えたこと以外は、本発明例2と同様にして金属ベース基板を作製した。
本発明例1~3および比較例1~8で作製した金属ベース基板について、以下の項目を評価した。その結果を表1に示す。
金属ベース基板を樹脂埋めし、CP(クロスセクションポリッシ)加工により、金属ベース基板を研磨して断面を露出させた。露出した金属ベース基板の断面を、SEM/EDXを用いて観察して、銅の元素マッピング像を得た。得られた銅の元素マッピング像を二値化して、銅箔の断面像を得た。得られた銅箔の断面像から銅箔の輪郭曲線を得て、この輪郭曲線に基づいてアボット負荷曲線を作成した。得られたアボット負荷曲線からRmr(0.5μm)を求めた。
耐電圧は、株式会社計測技術研究所製の多機能安全試験器7440を用いて測定した。金属ベース基板の銅基板と銅箔に電極(φ6mm)をそれぞれ配置した。配置した電極を電源に接続し、6000Vまで30秒で昇圧した。銅基板と銅箔との間に流れる電流値が5000μAになった時点の電圧を絶縁膜の耐電圧とした。
熱抵抗は、Mentor Graphics社製のT3Sterを用いて測定した。
発熱体パッケージはTO-3Pを用いた。測定条件は、加熱電流:10A、測定電流:10mA、測定時間:120秒、加熱時間:60秒とした。
ピール強度は、株式会社エー・アンド・デイ製のテンシロン万能材料試験機を用いて測定した。測定条件は、JIS C 6481に準拠して、金属ベース基板の銅箔を密着層から180度の角度で、剥離速度50mm/分で引き剥がしたときのピール強度を測定した。
なお、比較例1~4の金属ベース基板において、銅箔の密着層側のRmr(0.5μm)が本発明の範囲よりも低くなった理由は、次のとおりである。
比較例1、2、3の金属ベース基板は、密着層の厚さと比較して銅箔の密着層側の表面粗さRzを低くしすぎたためである。また銅箔と密着層の熱圧着圧力が小さいため、密着層が押し潰されずに、密着層が元の厚さを維持していることも原因の一つと考えられる。比較例4の金属ベース基板は、銅箔と密着層の熱圧着圧力を低くしすぎたためである。
絶縁層の作成方法、樹脂の材料、セラミック粒子の材料および比表面積、樹脂とセラミック粒子の含有比率、密着層の厚み、銅箔と密着層の熱圧着圧力を、下記の表1に示す値に変えたこと以外は、本発明例1と同様にして、金属ベース基板を作製した。得られた金属ベース基板について、本発明例1と同様に上記の項目を評価した。その結果を表2に示す。
セラミック粒子として比表面積が1m2/g未満のものを用いた本発明例10、14の金属ベース基板では、耐電圧を2kVとするためには、絶縁層の厚みを厚くする必要があり、これにより熱抵抗がわずかに上昇した。
セラミック粒子の含有量が5体積%未満とされた本発明例11の金属ベース基板は、絶縁層の熱伝導性が低くなったため、熱抵抗がわずかに上昇した。
セラミック粒子の含有量が60体積%を超えた本発明例12の金属ベース基板は、耐電圧を2kVとするためには、絶縁層の厚みを厚くする必要があり、これにより熱抵抗がわずかに上昇した。
セラミック粒子としてBN(窒化ホウ素)粒子を用いた本発明例13、14の金属ベース基板では、耐電圧を2kVとするためには、絶縁層の厚みを厚くする必要があり、これにより熱抵抗がわずかに上昇した。
2 金属ベース基板
3 電子部品
4 はんだ
10 金属基板
20 絶縁層
21 樹脂
22 セラミック粒子
25 界面
30 密着層
40 金属箔
Claims (2)
- 金属基板と、絶縁層と、密着層と、金属箔とがこの順で積層された金属ベース基板であって、
前記金属箔は、密着層側の最大高さRz(JIS B 0601-2001)が、0.5μm以上10μm以下の範囲内にあり、
前記絶縁層と前記密着層との界面から前記密着層側に0.5μm離れた位置における前記金属箔のアボット負荷曲線の相対負荷長さ率が20%以上50%以下であることを特徴とする金属ベース基板。 - 前記絶縁層が、樹脂とセラミック粒子とを含む組成物から形成されている請求項1に記載の金属ベース基板。
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