CN111118464A - 一种纳米晶高熵氧化物薄膜的制备方法及应用 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种纳米晶高熵氧化物薄膜的制备方法及应用，制备方法包括以下步骤：先称取纯度高于99.90％的金属氧化物粉末混合物装入模具，再冷压成型，制成直径60mm，厚度5mm的圆柱体压坯；将所述圆柱体压坯高温煅烧后缓慢冷却至室温，得到混合氧化物靶；将单晶硅(100)基底材料依次利用酒精、丙酮、去离子水超声清洗5min；在真空条件下多靶磁控溅射所述混合氧化物靶和所述单晶硅(100)基底材料，真空度为2.0×10‑4Pa；多靶磁控溅射完成后，真空室温度冷却至常温后将溅射完成的薄膜取出，即得到纳米晶高熵氧化物薄膜；该纳米晶高熵氧化物薄膜具有较强的铁磁性和较大的饱和磁化强度。

Description

一种纳米晶高熵氧化物薄膜的制备方法及应用
技术领域
本发明属于磁性薄膜制备技术领域，具体涉及一种纳米晶高熵氧化物薄膜的制备方法及纳米晶高熵氧化物薄膜的应用。
背景技术
铁氧体磁性薄膜是由铁族元素和其他一种或多种金属元素组成的复合型氧化物磁性薄膜。与金属及合金磁性薄膜相比，铁氧体材料具有更高的电阻率，可以抑制高频下存在的趋肤效应，适用于高频和超高频交变磁场，是微波通讯领域不可或缺的材料。尤其，铁氧体薄膜的介电常数较大，广范应用于各种电感原件、电讯器件中的磁铁、各种微波器件、电子设备、电子计算机的存储器磁芯及自动控制器件等方面。然而，常见铁氧体磁性薄膜由于其晶胞中不同位置的两种离子磁矩排列方向相反，大小不等，产生自发磁化现象而呈现出亚铁磁性。
高熵氧化物继承了高熵合金微观结构、“四大效应”和新颖的组成成分，越来越受到广泛的关注。高熵氧化物不但具有高温结构稳定性以及潜在的高强度、良好的延展性和耐腐蚀性能等，而且展现出了良好的功能性，如较大的介电常数、高离子导率、高锂离子容量、良好的催化作用和热性能等，这些优异的性能将使其成为集多种优点于一身的功能材料。更重要的是高熵氧化物常含有磁性离子，因此可以预测，高熵氧化物极有可能具有良好的磁性能，这将使其成为微电子领域、光催化，医学领域等的候选材料。
然而，目前只对钙钛矿结构的高熵氧化物和只含有3d轨道电子数大于5的过渡金属阳离子的岩盐结构高熵氧化物的磁性做了初步的研究，尽管这些结构的高熵氧化物有大量的铁磁性元素，可是实验结果发现其呈反铁磁性和自旋玻璃态，也就是说，在常温下没有铁磁性。虽然，最近有研究报道尖晶石型高熵氧化物(CoCrFeMnNi)3O4具有室温磁性，然而，尖晶石结构的氧化物均为亚铁磁性。
发明内容
为了解决现有技术存在的上述问题，本发明提供了一种纳米晶高熵氧化物薄膜，该纳米晶高熵氧化物薄膜同时含有3d电子数目小于5和3d电子数等于或大于5的过渡金属阳离子的岩盐结构，使得该纳米晶高熵氧化物薄膜在常温下具有铁磁性，且该铁磁性为三价的铁的铁磁性；
本发明所采用的技术方案为：一种纳米晶高熵氧化物薄膜的制备方法，包括以下步骤：
步骤S1：先称取纯度高于99.90％的金属氧化物粉末混合物装入模具，再冷压成型，制成直径60mm，厚度5mm的圆柱体压坯；
步骤S2：将所述圆柱体压坯高温煅烧后缓慢冷却至室温，得到混合氧化物靶；
步骤S3：将单晶硅(100)基底材料依次利用酒精、丙酮、去离子水超声清洗5min；
步骤S4：在真空条件下多靶磁控溅射所述混合氧化物靶和所述单晶硅(100)基底材料，真空度为2.0×10-4Pa；
步骤S5：多靶磁控溅射完成后，真空室温度冷却至常温后将溅射完成的薄膜取出，即得到纳米晶高熵氧化物薄膜。
进一步限定，所述步骤S4具体包括如下步骤：
步骤S4-1：预溅射氧化物靶20min，溅射功率50W，溅射时通入惰性气体，惰性气体的气压为0.5～1Pa；
步骤S4-2：结束预溅射，对预溅射得到的产物进行再次溅射，溅射时通入0.6Pa惰性气体，溅射功率为60W，溅射时间为2h。
进一步限定，步骤S1金属氧化物粉末混合物由以下质量百分数的物质组成：14％Al2O3、22％Cr2O3、23％Fe2O3、21％NiO以及20％MnO。
进一步限定，步骤S2中高温煅烧过程的升温速率为1～10℃/min，煅烧温度为1200～1500℃，恒温煅烧时间为20～30小时。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：本发明采用高温烧结得到混合氧化物靶，在通过多靶磁控溅射得到纳米晶高熵氧化物薄膜，具有操作工艺简单，成本低，产量高，无污染等优点；得到的纳米晶高熵氧化物薄膜同时含有3d电子数目小于5和3d电子数等于或大于5的过渡金属阳离子的岩盐结构，具有较强的铁磁性和较大的饱和磁化强度，在300K，2T下，纳米晶高熵氧化物薄膜的磁化强度为16emu/cm3，纳米晶高熵氧化物薄膜还具有较高的矫顽力，约为150Oe。
本发明还公开了一种根据纳米晶高熵氧化物薄膜的制备方法制备得到的纳米晶高熵氧化物薄膜。
进一步限定，该纳米晶高熵氧化物薄膜的厚度为900nm，晶体结构为岩盐结构。
进一步限定，该纳米晶高熵氧化物薄膜中有以下质量百分数的元素：58.6％O，8.7％Al，7.2％Cr，7.5％Mn，8.9％Fe以及9.1％Ni。
本发明还公开了一种纳米晶高熵氧化物薄膜在微电子、光催化或医学领域中的应用。
附图说明
图1是实施例1所得纳米晶高熵氧化物薄膜截面SEM表征图；
图2是实施例1所得纳米晶高熵氧化物薄膜的微观结构表征图；
图3是实施例1所得纳米晶高熵氧化物薄膜的磁滞回线和M-T曲线。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本发明所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
实施例1
一种纳米晶高熵氧化物薄膜的制备方法，包括以下步骤：
步骤S1：先称取纯度高于99.90％的金属氧化物粉末混合物装入模具，金属氧化物粉末混合物由以下质量百分数的物质组成：14％Al2O3，22％Cr2O3，23％Fe2O3，21％NiO以及20％MnO，再用压片机将其冷压成型，制成直径50mm，厚度5mm的圆柱体压坯；
步骤S2：将圆柱体压坯压坯置于马弗炉中高温煅烧后缓慢冷却至室温，得到混合氧化物靶；高温煅烧过程的升温速率为1～10℃/min，煅烧温度为1200～1500℃，恒温煅烧时间为20～30小时；
步骤S3：将尺寸合适单晶硅(100)基底材料依次利用酒精、丙酮、去离子水超声清洗5min；
步骤S4：在多靶磁控溅射真空室中装入烧结好的混合氧化物靶和单晶硅(100)基底材料，关闭仓门并抽真空至2.0×10-4Pa；
步骤S5：预溅射氧化物靶20min，溅射功率50W，溅射时通入氩气，氩气的气压为0.5～1Pa；
步骤S6：结束预溅射，对预溅射得到的产物进行再次溅射，溅射时通入0.6Pa氩气，溅射功率为60W，溅射时间为2h；
步骤S7：待磁控溅射真空室温度冷却至常温后将溅射完成的薄膜取出得到纳米晶高熵氧化物薄膜。
图1，图2，图3为对实施例1所得的纳米晶高熵氧化物薄膜进行表征所得结果。
其中：图1为本发明实施例1所得的纳米晶高熵氧化物(AlCrFeNiMn)O薄膜截面的场发射扫描电子显微镜图，表明纳米晶高熵氧化物(AlCrFeNiMn)O为薄膜结构。
图2中(a)图为纳米晶高熵氧化物(AlCrFeNiMn)O薄膜截面的GIXRD图谱，(b)图为选区电子衍射图谱。这表明所制备纳米晶高熵氧化物(AlCrFeNiMn)O薄膜的相结构是纳米晶的岩盐结构；(b)图中右上角的插图是纳米晶高熵氧化物(AlCrFeNiMn)O薄膜的高分辨像，(200)晶面的晶面间距是
Figure BDA0002347104030000051
这与GIXRD所得结果一致。元素Al、Cr、Mn、Fe、Ni的原子含量百分比如表1所示，金属元素含量的偏差在9.9％以内，属于近等摩尔比。(c)图为Al、Cr、Fe、Ni、Mn、O的元素分布图，由(c)图可知：所有的元素分布均匀。综上所述，所制备的纳米晶高熵氧化物(AlCrFeNiMn)O薄膜为纳米晶岩盐结构的高熵氧化物(AlCrFeNiMn)O薄膜。
表1纳米晶高熵氧化物薄膜的各组分元素含量表
元素 O Al Cr Fe Ni Mn
含量(at％) 58.6 8.7 7.2 8.9 9.1 7.5
图3中(a)图为纳米晶高熵氧化物(AlCrFeNiMn)O薄膜的磁滞回线，可以看出纳米晶高熵氧化物(AlCrFeNiMn)O薄膜具有磁滞现象。同时，从(a)图中右下角的插图可以看出纳米晶高熵氧化物(AlCrFeNiMn)O薄膜具有较大的和饱和磁化强度和矫顽力，这表明了所制备的薄膜存在铁磁性。(c)图为磁感应强度为2T下的M-T曲线图，可以清楚的观察到即使在温度达到400K，纳米晶高熵氧化物(AlCrFeNiMn)O薄膜仍具有较高的饱和磁化强度，进一步证实了所制备的纳米晶高熵氧化物(AlCrFeNiMn)O薄膜存在铁磁性；然而，纳米晶高熵氧化物(AlCrFeNiMn)O薄膜的铁磁性不能排除不是纳米晶高熵氧化物(AlCrFeNiMn)O薄膜中存在超顺磁的纳米结构引起的；因此，对薄膜的M-T曲线在500Oe下进行了零场冷(ZeroField Cooling，ZFC)和场冷(Field Cooling,FC)测试，如图(d)，结果表明，在温度为2K～25K即使纳米晶高熵氧化物(AlCrFeNiMn)O薄膜的ZFC和ZF曲线存在较大的差异，但在温度为25K～400K，ZFC曲线和ZF曲线仍能完美重合，同时，从HAADF像和EDS-mapping像可以看出纳米晶高熵氧化物(AlCrFeNiMn)O薄膜中无明显的纳米团簇存在。综上所述，所制备的纳米晶高熵氧化物(AlCrFeNiMn)O薄膜是具有铁磁性的。
本发明不局限于上述可选实施方式，任何人在本发明的启示下都可得出其他各种形式的产品，但不论在其形状或结构上作任何变化，凡是落入本发明权利要求界定范围内的技术方案，均落在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种纳米晶高熵氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：先称取纯度高于99.90％的金属氧化物粉末混合物装入模具，再冷压成型，制成直径60mm，厚度5mm的圆柱体压坯；
步骤S2：将所述圆柱体压坯高温煅烧后缓慢冷却至室温，得到混合氧化物靶；
步骤S3：将单晶硅(100)基底材料依次利用酒精、丙酮、去离子水超声清洗5min；
步骤S4：在真空条件下多靶磁控溅射所述混合氧化物靶和所述单晶硅(100)基底材料，真空度为2.0×10-4Pa；
步骤S5：多靶磁控溅射完成后，真空室温度冷却至常温后将溅射完成的薄膜取出，即得到纳米晶高熵氧化物薄膜。
2.根据权利要求1所述的纳米晶高熵氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S4具体包括如下步骤：
步骤S4-1：预溅射氧化物靶20min，溅射功率50W，溅射时通入惰性气体，惰性气体的气压为0.5～1Pa；
步骤S4-2：结束预溅射，对预溅射得到的产物进行再次溅射，溅射时通入0.6Pa惰性气体，溅射功率为60W，溅射时间为2h。
3.根据权利要求1所述的纳米晶高熵氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S1金属氧化物粉末混合物由以下质量百分数的物质组成：14％Al2O3，22％Cr2O3，23％Fe2O3，21％NiO，20％MnO。
4.根据权利要求1所述的纳米晶高熵氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S2中高温煅烧过程的升温速率为1～10℃/min，煅烧温度为1200～1500℃，恒温煅烧时间为20～30小时。
5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法制备得到的纳米晶高熵氧化物薄膜。
6.根据权利要求5所述的纳米晶高熵氧化物薄膜，其特征在于，该纳米晶高熵氧化物薄膜的厚度为900nm。
7.根据权利要求5所述的纳米晶高熵氧化物薄膜，其特征在于，该纳米晶高熵氧化物薄膜中有以下质量百分数的元素：58.6％O，8.7％Al，7.2％Cr，7.5％Mn，8.9％Fe以及9.1％Ni。
8.一种如权利要求5-7任一项所述的纳米晶高熵氧化物薄膜在微电子、光催化或医学领域中的应用。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112831751A (zh) * 2021-02-04 2021-05-25 郑州大学 一种高温自转变非晶/纳米晶高熵氧化物薄膜、制备方法及应用
CN113181922A (zh) * 2021-05-08 2021-07-30 南昌航空大学 一种Ag量子点修饰的高熵氧化物光催化剂制备方法
CN113718198A (zh) * 2021-07-22 2021-11-30 哈尔滨工业大学（深圳） 一种铁磁绝缘体材料、制备方法及其应用
WO2023005008A1 (zh) * 2021-07-26 2023-02-02 西安交通大学 一种低介电常数高熵薄膜及其制备方法
CN115893518A (zh) * 2022-11-08 2023-04-04 北京交通大学 一种超薄二维高熵金属氧化物纳米薄膜材料及其制备方法与应用

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105463443A (zh) * 2015-12-04 2016-04-06 山东开泰抛丸机械股份有限公司 一种海洋钻井平台耐腐涂层制备方法
CN106282943A (zh) * 2016-08-29 2017-01-04 基迈克材料科技（苏州）有限公司 Cr2O3掺杂Al2O3溅射靶材的制备方法
CN110195208A (zh) * 2019-06-12 2019-09-03 大连理工大学 一种可变带隙的NbMoTaWV高熵合金氧化物薄膜及其制备方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105463443A (zh) * 2015-12-04 2016-04-06 山东开泰抛丸机械股份有限公司 一种海洋钻井平台耐腐涂层制备方法
CN106282943A (zh) * 2016-08-29 2017-01-04 基迈克材料科技（苏州）有限公司 Cr2O3掺杂Al2O3溅射靶材的制备方法
CN110195208A (zh) * 2019-06-12 2019-09-03 大连理工大学 一种可变带隙的NbMoTaWV高熵合金氧化物薄膜及其制备方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112831751A (zh) * 2021-02-04 2021-05-25 郑州大学 一种高温自转变非晶/纳米晶高熵氧化物薄膜、制备方法及应用
CN112831751B (zh) * 2021-02-04 2022-12-27 郑州大学 一种高温自转变非晶/纳米晶高熵氧化物薄膜、制备方法及应用
CN113181922A (zh) * 2021-05-08 2021-07-30 南昌航空大学 一种Ag量子点修饰的高熵氧化物光催化剂制备方法
CN113718198A (zh) * 2021-07-22 2021-11-30 哈尔滨工业大学（深圳） 一种铁磁绝缘体材料、制备方法及其应用
WO2023005008A1 (zh) * 2021-07-26 2023-02-02 西安交通大学 一种低介电常数高熵薄膜及其制备方法
CN115893518A (zh) * 2022-11-08 2023-04-04 北京交通大学 一种超薄二维高熵金属氧化物纳米薄膜材料及其制备方法与应用
CN115893518B (zh) * 2022-11-08 2024-04-16 北京交通大学 一种超薄二维高熵金属氧化物纳米薄膜材料及其制备方法与应用

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