CN111106205A - 硅基光子器件及其制造方法 - Google Patents
硅基光子器件及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111106205A CN111106205A CN201911206701.XA CN201911206701A CN111106205A CN 111106205 A CN111106205 A CN 111106205A CN 201911206701 A CN201911206701 A CN 201911206701A CN 111106205 A CN111106205 A CN 111106205A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon
- dielectric layer
- photonic device
- heating electrode
- based photonic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 72
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 72
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 82
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 70
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 70
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical group [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N aluminum copper Chemical compound [Al].[Cu] WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- -1 aluminum silicon copper Chemical compound 0.000 claims description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 5
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- JRBRVDCKNXZZGH-UHFFFAOYSA-N alumane;copper Chemical compound [AlH3].[Cu] JRBRVDCKNXZZGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000010485 coping Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
- H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种硅基光子器件及其制造方法。所述硅基光子器件包括：半导体衬底；介质层，位于所述半导体衬底的上表面；加热电极，位于所述介质层的部分上表面；两条间隔设置的金属互连线，所述金属互连线位于所述介质层的部分上表面和所述加热电极的部分上表面。所述硅基光子器件的制造方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的上表面形成介质层；在所述介质层的部分上表面形成加热电极；形成两条间隔设置的金属互连线，所述金属互连线位于所述介质层的部分上表面和所述加热电极的部分上表面。本发明提供的硅基光子器件及其制造方法，减少了硅基光子器件的工艺步骤，降低了硅基光子器件的制造成本。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种硅基光子器件及其制造方法。
背景技术
硅基光子是基于硅和硅基衬底材料(例如SiGe/Si、SOI等)，利用现有的CMOS工艺进行光器件开发和集成的新一代技术，其结合了集成电路技术的超大规模、超高精度制造的特性以及光子技术超高速率、超低功耗的优势，是应对摩尔定律失效的颠覆性技术。
图1是现有的一种硅基光子器件的结构示意图。在所述硅基光子器件里，热光调制常用薄的氮化钛作为加热电极11。所述硅基光子器件的工艺流程分为三个层次：沉积氮化钛并光刻刻蚀，形成所述加热电极11；淀积介质并光刻刻蚀通孔，完成孔填充及化学机械抛光，形成接触孔12；淀积金属层并光刻刻蚀，形成金属互连线13。
在图1所示的硅基光子器件中，所述金属互连线13和所述加热电极11之间通过所述接触孔12实现电连接，这样使得所述硅基光子器件的制造工艺较复杂，制造成本较高。
发明内容
本发明所要解决的是现有的硅基光子器件制造工艺复杂、制造成本高的问题。
本发明通过下述技术方案实现：
一种硅基光子器件的制造方法，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底的上表面形成介质层；
在所述介质层的部分上表面形成加热电极；
形成两条间隔设置的金属互连线，所述金属互连线位于所述介质层的部分上表面和所述加热电极的部分上表面。
可选的，所述在所述半导体衬底的上表面形成介质层包括：
采用等离子体化学气相沉积工艺或者低压化学气相沉积工艺在所述半导体衬底的上表面沉积所述介质层。
可选的，所述介质层的材料为二氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅，所述介质层的厚度为200纳米至4微米。
可选的，所述在所述介质层的部分上表面形成加热电极包括：
采用物理气相沉积工艺或者化学气相沉积工艺在所述介质层的上表面沉积加热层；
采用反应离子刻蚀工艺或者等离子体刻蚀工艺对所述加热层进行刻蚀，获得所述加热电极。
可选的，所述加热层的材料为氮化钛，所述加热层的厚度为20纳米至200纳米。
可选的，所述加热层的材料为氮化钛，所述形成两条间隔设置的金属互连线包括：
采用物理气相沉积工艺在所述介质层的上表面和所述加热电极的上表面沉积金属层；
采用湿法腐蚀工艺对所述金属层进行刻蚀，获得所述金属互连线。
可选的，所述金属层的材料为纯铝、铝铜合金、铝硅或者铝硅铜，所述金属层的厚度为200纳米至3微米。
基于同样的发明构思，本发明还提供一种硅基光子器件，包括：
半导体衬底；
介质层，位于所述半导体衬底的上表面；
加热电极，位于所述介质层的部分上表面；
两条间隔设置的金属互连线，所述金属互连线位于所述介质层的部分上表面和所述加热电极的部分上表面。
可选的，所述介质层的材料为二氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅，所述介质层的厚度为200纳米至4微米。
可选的，所述加热电极的材料为氮化钛，所述加热电极的厚度为20纳米至200纳米。
可选的，所述金属互连线的材料为纯铝、铝铜合金、铝硅或者铝硅铜，所述金属互连线的厚度为200纳米至3微米。
本发明与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：
本发明提供的硅基光子器件的制造方法，通过在加热电极的上表面直接设置金属互连线，可将所述硅基光子器件的工艺流程简化为两个工艺层次：在介质层的部分上表面形成加热电极；形成位于所述介质层的部分上表面和所述加热电极的部分上表面的两条间隔设置的金属互连线。与现有技术中在加热电极的表面上先设置接触孔，再设置金属互连线，通过接触孔将加热电极和金属互连线进行电连接的方式相比，本发明提供的硅基光子器件的制造方法有效地减少了工艺步骤，降低了制造成本。并且，本发明提供的硅基光子器件的制造方法，还可以消除直接在金属互连线上沉积加热电极存在的加热电极均匀性异常问题。本发明提供的硅基光子器件，加热电极与金属互连线不需要通过接触孔进行电连接，因而所述硅基光子器件的结构简单。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本发明实施例的限定。在附图中：
图1是现有的一种硅基光子器件的结构示意图；
图2至图7是本发明实施例的硅基光子器件的制作过程的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本发明作进一步的详细说明，本发明的示意性实施方式及其说明仅用于解释本发明，并不作为对本发明的限定。
实施例1
本实施例提供一种硅基光子器件的制造方法，所述硅基光子器件的制造方法包括下列步骤：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底的上表面形成介质层；
在所述介质层的部分上表面形成加热电极；
形成两条间隔设置的金属互连线，所述金属互连线位于所述介质层的部分上表面和所述加热电极的部分上表面。
如图2所示，提供半导体衬底21，所述半导体衬底21可以为硅基衬底。硅基衬底可以为体硅衬底，例如可以为P型硅衬底，也可以为N型硅衬底。
如图3所示，在所述半导体衬底21的上表面形成介质层22。进一步，可以采用等离子体化学气相沉积工艺或者低压化学气相沉积工艺在所述半导体衬底21的上表面沉积所述介质层22。作为一具体实施例，所述介质层22的材料可以为二氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅，所述介质层22的厚度可以为200纳米至4微米。
在所述介质层22的部分上表面形成加热电极，可通过薄膜沉积工艺和刻蚀工艺实现。
如图4所示，可以采用物理气相沉积工艺或者化学气相沉积工艺在所述介质层22的上表面沉积加热层23，所述加热层23用于形成所述加热电极。作为一具体实施例，所述加热层23的材料可以为氮化钛，所述加热层23的厚度可以为20纳米至200纳米。
如图5所示，可以采用反应离子刻蚀工艺或者等离子体刻蚀工艺对所述加热层23进行刻蚀，获得所述加热电极24。具体地，在所述加热层23的上表面形成光刻胶层或者采用掩膜版，对需要形成所述加热电极24的部分进行保护，对未进行保护的所述加热层23的其他区域进行刻蚀，直至暴露出所述介质层22，最后去除光刻胶或移开掩膜版，即形成所述加热电极24。
在所述加热电极24的部分上表面形成金属互连线，可通过薄膜沉积工艺和刻蚀工艺实现。
如图6所示，可以采用物理气相沉积工艺在所述介质层22的上表面和所述加热电极24的上表面沉积金属层25。作为一具体实施例，所述金属层25的材料为纯铝、铝铜合金、铝硅或者铝硅铜，所述金属层25的厚度为200纳米至3微米。若所述金属层25的材料为铝铜合金，则铜含量可以为0.5％；若所述金属层25的材料为铝硅，则硅含量可以为1％；若所述金属层25的材料为铝硅铜，则硅含量可以0.5％、铜含量可以为0.5％。
对所述金属层25进行刻蚀，根据所述加热电极24的材料不同，可以选择不同的刻蚀方法。以所述加热电极24的材料为氮化钛为例，可以采用湿法腐蚀工艺对所述金属层25进行刻蚀。如图7所示，采用湿法腐蚀工艺对所述金属层25进行刻蚀，获得所述金属互连线26。湿法腐蚀方法采用的腐蚀溶液可以根据所述加热电极24和所述金属层25的选择比来选择，具体地，选择的腐蚀溶液对所述金属层25的腐蚀速率大于对所述加热电极24的腐蚀速率，从而实现在去除不需要的所述金属层25的同时，不会去除掉所述加热电极24。在本实施例中，以所述加热电极24的材料为氮化钛、所述金属层25的材料为铜铝合金为例，采用的腐蚀溶液的成分为：HF1.0％、HCL1.5％、HNO3 2.5％、纯水95％，该腐蚀溶液腐蚀铝及铜铝合金等金属速度快且不腐蚀氮化钛。
需要说明的是，本实施例的上述制作过程中，为包括所述加热电极24的硅基光子器件的制作过程，当该硅基光子器件集成在光电子集成芯片中时，上述制作过程只是集成芯片的部分制作工艺，该部分制作工艺与其它器件的制作过程不冲突。
本实施例提供的硅基光子器件的制造方法，通过在所述加热电极24的上表面直接设置所述金属互连线26，可将所述硅基光子器件的工艺流程简化为两个工艺层次：在所述介质层22的部分上表面形成所述加热电极24；形成位于所述介质层22的部分上表面和所述加热电极24的部分上表面的所述金属互连线26。与现有技术中在加热电极的表面上先设置接触孔，再设置金属互连线，通过接触孔将加热电极和金属互连线进行电连接的方式相比，本实施例提供的硅基光子器件的制造方法有效地减少了工艺步骤，降低了制造成本。
一般来说，加热电极都是沉积在整片介质或整片金属上，如果沉积在金属互连线上就会导致整个晶圆电场失衡，从而严重影响圆片中心和边缘的加热电极的均匀性。由于加热电极厚度本身比较薄，电阻率敏感，从而最终导致电阻率不均匀，影响加热器一致性。而本实施例提供的硅基光子器件的制造方法，还可以消除这种直接在金属互连线上沉积加热电极存在的加热电极均匀性异常问题。
实施例2
本实施例提供一种硅基光子器件，图7是所述硅基光子器件的结构示意图，所述硅基光子器件包括半导体衬底21、介质层22、加热电极24以及两条间隔设置的金属互连线26。
具体地，所述半导体衬底21可以为硅基衬底。硅基衬底可以为体硅衬底，例如可以为P型硅衬底，也可以为N型硅衬底。
所述介质层21位于所述半导体衬底21的上表面。作为一具体实施例，所述介质层22的材料可以为二氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅，所述介质层22的厚度可以为200纳米至4微米。
所述加热电极24位于所述介质层22的部分上表面。作为一具体实施例，所述加热电极24的材料为氮化钛，所述加热电极24的厚度为20纳米至200纳米。
所述金属互连线26位于所述介质层22的部分上表面和所述加热电极24的部分上表面，两条所述金属互连线26间隔设置，即位于两条所述金属互连线26之间的所述加热电极24的上表面裸露。作为一具体实施例，所述金属互连线26的材料为纯铝、铝铜合金、铝硅或者铝硅铜，所述金属互连线26的厚度为200纳米至3微米。若所述金属层25的材料为铝铜合金，则铜含量可以为0.5％；若所述金属层25的材料为铝硅，则硅含量可以为1％；若所述金属层25的材料为铝硅铜，则硅含量可以0.5％、铜含量可以为0.5％。
本实施例提供的硅基光子器件，所述加热电极24与所述金属互连线26不需要通过接触孔进行电连接，因而所述硅基光子器件的结构简单，制造成本较低。并且，本实施例提供的硅基光子器件，不存在直接在金属互连线上沉积加热电极存在的加热电极均匀性异常问题。
以上所述的具体实施方式，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施方式而已，并不用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (11)
1.一种硅基光子器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底的上表面形成介质层；
在所述介质层的部分上表面形成加热电极；
形成两条间隔设置的金属互连线，所述金属互连线位于所述介质层的部分上表面和所述加热电极的部分上表面。
2.根据权利要求1所述的硅基光子器件的制造方法，其特征在于，所述在所述半导体衬底的上表面形成介质层包括：
采用等离子体化学气相沉积工艺或者低压化学气相沉积工艺在所述半导体衬底的上表面沉积所述介质层。
3.根据权利要求1所述的硅基光子器件的制造方法，其特征在于，所述介质层的材料为二氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅，所述介质层的厚度为200纳米至4微米。
4.根据权利要求1所述的硅基光子器件的制造方法，其特征在于，所述在所述介质层的部分上表面形成加热电极包括：
采用物理气相沉积工艺或者化学气相沉积工艺在所述介质层的上表面沉积加热层；
采用反应离子刻蚀工艺或者等离子体刻蚀工艺对所述加热层进行刻蚀，获得所述加热电极。
5.根据权利要求1所述的硅基光子器件的制造方法，其特征在于，所述加热层的材料为氮化钛，所述加热层的厚度为20纳米至200纳米。
6.根据权利要求1所述的硅基光子器件的制造方法，其特征在于，所述加热层的材料为氮化钛，所述形成两条间隔设置的金属互连线包括：
采用物理气相沉积工艺在所述介质层的上表面和所述加热电极的上表面沉积金属层；
采用湿法腐蚀工艺对所述金属层进行刻蚀，获得所述金属互连线。
7.根据权利要求1所述的硅基光子器件的制造方法，其特征在于，所述金属层的材料为纯铝、铝铜合金、铝硅或者铝硅铜，所述金属层的厚度为200纳米至3微米。
8.一种硅基光子器件，其特征在于，包括：
半导体衬底；
介质层，位于所述半导体衬底的上表面；
加热电极，位于所述介质层的部分上表面；
两条间隔设置的金属互连线，所述金属互连线位于所述介质层的部分上表面和所述加热电极的部分上表面。
9.根据权利要求8所述的硅基光子器件，其特征在于，所述介质层的材料为二氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅，所述介质层的厚度为200纳米至4微米。
10.根据权利要求8所述的硅基光子器件，其特征在于，所述加热电极的材料为氮化钛，所述加热电极的厚度为20纳米至200纳米。
11.根据权利要求8所述的硅基光子器件，其特征在于，所述金属互连线的材料为纯铝、铝铜合金、铝硅或者铝硅铜，所述金属互连线的厚度为200纳米至3微米。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911206701.XA CN111106205A (zh) | 2019-11-29 | 2019-11-29 | 硅基光子器件及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911206701.XA CN111106205A (zh) | 2019-11-29 | 2019-11-29 | 硅基光子器件及其制造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111106205A true CN111106205A (zh) | 2020-05-05 |
Family
ID=70421155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911206701.XA Pending CN111106205A (zh) | 2019-11-29 | 2019-11-29 | 硅基光子器件及其制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111106205A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111679454A (zh) * | 2020-06-19 | 2020-09-18 | 联合微电子中心有限责任公司 | 半导体器件的制备方法 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1757264A (zh) * | 2003-05-30 | 2006-04-05 | 日本电气株式会社 | 具有细线状电阻器的电阻发热体 |
| CN1831620A (zh) * | 2005-03-11 | 2006-09-13 | 株式会社精工技研 | 波导路径型可变光衰减器 |
| CN101996947A (zh) * | 2009-08-19 | 2011-03-30 | 中国科学院半导体研究所 | 一种硅基光电器件集成方法 |
| CN103424893A (zh) * | 2013-08-23 | 2013-12-04 | 西安电子科技大学 | 光学偏振变换器及其制作方法 |
| CN104570404A (zh) * | 2014-12-22 | 2015-04-29 | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 | 一种基于热光调制的光波束形成网络芯片及其制备方法 |
| CN105226130A (zh) * | 2014-06-03 | 2016-01-06 | 上海丽恒光微电子科技有限公司 | 成像探测器及其制造方法 |
| WO2016079955A1 (ja) * | 2014-11-18 | 2016-05-26 | 日本電気株式会社 | 光導波路用ヒータ及び光導波路用ヒータの構成方法 |
| CN106276773A (zh) * | 2016-08-31 | 2017-01-04 | 中国科学院微电子研究所 | 悬浮结构的mems红外光源及其制备方法 |
| CN109100879A (zh) * | 2018-08-03 | 2018-12-28 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体器件与其制作方法、集成芯片与其制作工艺 |
-
2019
- 2019-11-29 CN CN201911206701.XA patent/CN111106205A/zh active Pending
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1757264A (zh) * | 2003-05-30 | 2006-04-05 | 日本电气株式会社 | 具有细线状电阻器的电阻发热体 |
| CN1831620A (zh) * | 2005-03-11 | 2006-09-13 | 株式会社精工技研 | 波导路径型可变光衰减器 |
| CN101996947A (zh) * | 2009-08-19 | 2011-03-30 | 中国科学院半导体研究所 | 一种硅基光电器件集成方法 |
| CN103424893A (zh) * | 2013-08-23 | 2013-12-04 | 西安电子科技大学 | 光学偏振变换器及其制作方法 |
| CN105226130A (zh) * | 2014-06-03 | 2016-01-06 | 上海丽恒光微电子科技有限公司 | 成像探测器及其制造方法 |
| WO2016079955A1 (ja) * | 2014-11-18 | 2016-05-26 | 日本電気株式会社 | 光導波路用ヒータ及び光導波路用ヒータの構成方法 |
| CN104570404A (zh) * | 2014-12-22 | 2015-04-29 | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 | 一种基于热光调制的光波束形成网络芯片及其制备方法 |
| CN106276773A (zh) * | 2016-08-31 | 2017-01-04 | 中国科学院微电子研究所 | 悬浮结构的mems红外光源及其制备方法 |
| CN109100879A (zh) * | 2018-08-03 | 2018-12-28 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体器件与其制作方法、集成芯片与其制作工艺 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 杨平: "《微电子设备与器件封装加固技术》", 30 September 2005 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111679454A (zh) * | 2020-06-19 | 2020-09-18 | 联合微电子中心有限责任公司 | 半导体器件的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101950728B (zh) | 金属柱凸块结构及其形成方法 | |
| CN100590857C (zh) | 具有接合垫的半导体装置 | |
| CN105590900A (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
| CN102222647A (zh) | 半导体裸片及形成导电元件的方法 | |
| CN104752338B (zh) | 用于半导体器件的互连结构 | |
| US8765531B2 (en) | Method for manufacturing a metal pad structure of a die, a method for manufacturing a bond pad of a chip, a die arrangement and a chip arrangement | |
| JPS633437A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN108666325A (zh) | 一种tft基板的制备方法、tft基板及显示装置 | |
| CN101920932A (zh) | 制作纳米尺寸间距的电极的方法 | |
| KR20120092624A (ko) | 실리콘 관통 비아 프로세스에서의 실리콘 기판 이면 에칭용 에칭액 및 이것을 이용한 실리콘 관통 비아를 가지는 반도체 칩의 제조 방법 | |
| CN112259704A (zh) | 一种避免基板上阴极断裂的制程方法 | |
| CN111106205A (zh) | 硅基光子器件及其制造方法 | |
| CN103646883B (zh) | 一种铝衬垫制备方法 | |
| KR100495603B1 (ko) | 실리콘 마이크로기계구조의 제작 | |
| CN102842488A (zh) | 在衬底的双面制造器件的方法以及衬底 | |
| JP2011023444A (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
| CN109346419B (zh) | 半导体器件及其制造方法 | |
| CN112731718B (zh) | 硅基液晶显示芯片制造方法及硅基液晶显示芯片 | |
| CN100373587C (zh) | 金属内连线制程及清除金属硅化物层的方法 | |
| CN218498069U (zh) | 集成电路 | |
| CN108878262A (zh) | 一种高掺杂Si衬底器件底层SI定量去除方法 | |
| US20040175918A1 (en) | Novel formation of an aluminum contact pad free of plasma induced damage by applying CMP | |
| CN103296039B (zh) | 一种背照式影像传感器深沟槽刻蚀方法 | |
| CN101728255B (zh) | 在晶圆上制造栅极的方法 | |
| CN114725006A (zh) | 半导体结构及其形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20200505 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |