CN111106045A - 半导体结构及其加工方法、刻蚀机 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 231
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 84
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title abstract description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 83
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 82
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 82
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 49
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 62
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 18
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 6
- 235000011089 carbon dioxide Nutrition 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 35
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 abstract description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 6
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 6
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 5
- 101100327917 Caenorhabditis elegans chup-1 gene Proteins 0.000 description 4
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 3
- YBCVMFKXIKNREZ-UHFFFAOYSA-N acoh acetic acid Chemical compound CC(O)=O.CC(O)=O YBCVMFKXIKNREZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- CUPFNGOKRMWUOO-UHFFFAOYSA-N hydron;difluoride Chemical compound F.F CUPFNGOKRMWUOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFLZOWIFJOBEPN-UHFFFAOYSA-N nitrate, nitrate Chemical compound O[N+]([O-])=O.O[N+]([O-])=O LFLZOWIFJOBEPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明实施例提供一种半导体结构及其加工方法、刻蚀机，所述刻蚀机包括半导体吸盘，开设有冷源流通通道，所述冷源流通通道的一端的开口为冷源输入口，另一端的开口为冷源输出口，流经所述冷源流通通道的冷源能够吸收放置于所述半导体吸盘上的半导体结构的热量；冷源泵，所述冷源泵的输出端与所述半导体吸盘的冷源输入口连通；冷源箱，所述冷源箱存有所述冷源，且所述冷源箱与所述半导体吸盘的冷源输出口和所述冷源泵的输入端均连通。本发明实施例所提供的半导体结构加工方法、湿法刻蚀机及其半导体吸盘，可以提高通过HNA硅刻蚀工艺所得到的半导体结构的质量，本发明实施例所提供的半导体结构具有较高的质量。
Description
技术领域
本发明实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体结构及其加工方法、刻蚀机。
背景技术
随着半导体相关技术的发展，人们对于半导体结构的质量要求越来越高，从而对加工工艺和加工设备的要求也不断提高。
湿法刻蚀是半导体加工过程中常用的加工工艺，HNA硅刻蚀是湿法刻蚀工艺中的一种，即利用氢氟酸(Hydrofluoric acid)、硝酸(Nitric acid)和乙酸(Acetic acid)所混合成的混合酸硅刻蚀液对半导体硅结构进行刻蚀。
然而，现阶段通过HNA硅刻蚀工艺所得到的半导体结构，不能满足质量要求。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种半导体结构及其加工方法、刻蚀机，以提高通过HNA硅刻蚀工艺所得到的半导体结构的质量。
为解决上述问题，本发明提供一种刻蚀机，包括：
半导体吸盘，开设有冷源流通通道，所述冷源流通通道的一端的开口为冷源输入口，另一端的开口为冷源输出口，流经所述冷源流通通道的冷源能够吸收放置于所述半导体吸盘上的半导体结构的热量；
冷源泵，所述冷源泵的输出端与所述半导体吸盘的冷源输入口连通；
冷源箱，所述冷源箱存有所述冷源，且冷源箱与所述半导体吸盘的冷源输出口和所述冷源泵的输入端均连通。可选地，所述冷源流通通道包括：
冷源输入通道，所述冷源输入通道的一端的开口为冷源输入口；
半导体冷却通道，所述半导体冷却通道的一端与所述冷源输入通道的另一端连通，所述半导冷却通道的另一端为所述冷源输出口。
可选地，所述冷源输出口位于所述半导体吸盘的半导体结构放置面。
可选地，所述半导体冷却通道的数量为至少两个，各所述所述半导体冷却通道的一端均与冷源输入通道连通，各所述半导冷却通道的冷源输出口沿所述半导体结构放置面的圆周方向均匀分布。
可选地，所述冷源输入通道的轴线垂直于所述半导体结构放置面，且经过所述半导体结构放置面的中心。
可选地，所述半导体冷却通道所在的平面与所述半导体吸盘的半导体结构放置面平行。
可选地，所述半导体冷却通道为螺旋通道。
可选地，所述半导体冷却通道为波浪形通道。
为解决上述问题，本发明实施例提供一种半导体结构加工方法，包括：
将半导体结构放置于如上述的湿法刻蚀机的半导体吸盘上，开启所述冷源泵，使所述冷源箱内的冷源流经所述半导体吸盘的冷源流通通道，其中，所述半导体结构包括相邻的高掺杂硅层和低掺杂硅层，所述高掺杂硅层位于所述低掺杂硅层的上面，且所述高掺杂硅层为所述半导体结构的最上层；
利用混合酸硅刻蚀液刻蚀所述高掺杂硅层。
可选地，所述冷源的温度范围为0℃-15℃。
可选地，所述冷源为氮气、水或干冰。
可选地，所述氮气或所述干冰的流通速度的范围为8L/min-20L/min。
可选地，所述水的流通速度的范围为1.2L/min-2.2L/min。
为解决上述问题，本发明实施例提供一种半导体结构，利用如上述任一项所述的半导体结构加工方法加工获得，所述低掺杂硅层的最大总厚度差值小于0.2um。
与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：
本发明实施例所提供的半导体结构及其加工方法、刻蚀机，其中刻蚀机，包括半导体吸盘，开设有冷源流通通道，所述冷源流通通道的一端的开口为冷源输入口，另一端的开口为冷源输出口，流经所述冷源流通通道的冷源能够吸收放置于所述半导体吸盘上的半导体结构的热量；冷源泵，所述冷源泵的输出端与所述半导体吸盘的冷源输入口连通；冷源箱，所述冷源箱存有所述冷源，且所述冷源箱与所述半导体吸盘的冷源输出口和所述冷源泵的输入端均连通。本发明实施例所提供的刻蚀机，由于半导体吸盘开设有冷源冷却通道，为冷源的流通提供了空间，从而在进行半导体结构的HNA硅刻蚀加工放热时，可以利用冷源泵使冷源箱内的冷源流经冷源流通通道，吸收半导体结构在加工过程中产生的热量，并随着冷源的流通将热量及时地带走扩散，降低半导体结构的温度，避免局部过热，造成局部刻蚀率过大。这样，本发明实施例所提供的刻蚀机，在不影响HNA硅刻蚀过程中的刻蚀温度的同时，通过带走半导体结构加工过程中的热量降低半导体结构的温度，可以降低在半导体的沟道等位置由于沟道以及壁角等的存在而造成的散热不利的影响，减缓在具有沟道以及壁角的位置由于温度升高而造成反应速度的加快，从而降低HNA硅刻蚀过程中的低掺杂硅层的沟道位置的刻蚀速度，避免由于低掺杂硅层的沟道位置的刻蚀速度过高，而造成的低掺杂硅层的最大总厚度差值过大，进而可以保证通过HNA硅刻蚀工艺加工的半导体结构的低掺杂硅层的最大总厚度差值满足要求，提高通过HNA硅刻蚀工艺加工的半导体结构的质量。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例所提供的刻蚀机的半导体吸盘的俯视结构示意图；
图2是图1的A-A剖视图；
图3是本发明实施例所提供的刻蚀机的半导体吸盘的另一俯视结构示意图；
图4是图3的B-B剖视图；
图5为本发明实施例所提供的半导体结构加工方法的流程示意图。
具体实施方式
由背景技术可知，现阶段通过HNA硅刻蚀工艺所得到的半导体结构，不能满足质量要求。
在利用HNA硅刻蚀工艺进行半导体加工时，所加工的半导体结构包括位于上层的高掺杂硅层和与高掺杂硅层相邻且位于下层的低掺杂硅层，进行HNA硅刻蚀时，刻蚀高掺杂硅层，停止在低掺杂硅层，但低掺杂硅层并非完全不被刻蚀，只是刻蚀速率很低，而由于低掺杂硅层各处的刻蚀速率不同，导致经过HNA硅刻蚀后得到的半导体结构的低掺杂硅层存在厚度差，低掺杂硅层的整体最大总厚度差过大，会造成半导体结构不满足质量要求，为此，对半导体加工工艺过程进行了改进和控制，比如：
1、在刻蚀工艺前，进行HNA溶液的激活，使得HNA溶液中的NO2的浓度稳定，以保持稳定的刻蚀率；
2、控制半导体吸盘的转速、喷嘴的移动范围和运动速度，以获取均匀的刻蚀率。
然而，利用了上述半导体加工工艺所加工的半导体结构仍然不能满足质量要求。
为了使通过HNA硅刻蚀工艺所得到的半导体结构，满足质量要求的概率，本发明实施例提供了一种刻蚀机，包括半导体吸盘，开设有冷源流通通道，所述冷源流通通道的一端的开口为冷源输入口，另一端的开口为冷源输出口，流经所述冷源流通通道的冷源能够吸收放置于所述半导体吸盘上的半导体结构的热量；冷源泵，所述冷源泵的输出端与所述半导体吸盘的冷源输入口连通；冷源箱，所述冷源箱存有所述冷源，且所述冷源箱与所述半导体吸盘的冷源输出口和所述冷源泵的输入端均连通。
本发明实施例所提供的刻蚀机，由于半导体吸盘开设有冷源冷却通道，为冷源的流通提供了空间，从而在进行半导体结构的HNA硅刻蚀加工放热时，可以利用冷源泵使冷源箱内的冷源流经冷源流通通道，吸收半导体结构在加工过程中产生的热量，并随着冷源的流通将热量及时地带走扩散，降低半导体结构的温度，避免局部过热，造成局部刻蚀率过大。
这样，本发明实施例所提供的刻蚀机，在不影响HNA硅刻蚀过程中的刻蚀温度的同时，通过带走半导体结构加工过程中的热量降低半导体结构的温度，可以降低在半导体的沟道等位置由于沟道以及壁角等的存在而造成的散热不利的影响，减缓在具有沟道以及壁角的位置由于温度升高而造成反应速度的加快，从而降低HNA硅刻蚀过程中的低掺杂硅层的沟道位置的刻蚀速度，避免由于低掺杂硅层的沟道位置的刻蚀速度过高，而造成的低掺杂硅层的最大总厚度差值过大，进而可以保证通过HNA硅刻蚀工艺加工的半导体结构的低掺杂硅层的最大总厚度差值满足要求，提高通过HNA硅刻蚀工艺加工的半导体结构的质量。
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，本发明实施例中指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置必须具有特定的方位，以特定的方位构造，因此不能理解为对本发明的限制。
请参考图1-图4，图1为本发明实施例所提供的半导体吸盘俯视结构示意图；图2是图1的A-A剖视图；图3是本发明实施例所提供的半导体吸盘的另一俯视结构示意图；图4是图3的B-B剖视图。
如图中所示，本发明实施例所提供的刻蚀机，包括：
半导体吸盘1，开设有冷源流通通道2，所述冷源流通通道2的一端的开口为冷源输入口(图中未示出)，另一端的开口为冷源输出口23，流经所述冷源流通通道2的冷源能够吸收安装于所述半导体吸盘1上的半导体结构的热量：
冷源泵，所述冷源泵的输出端与所述半导体吸盘1的冷源输入口连通；
冷源箱，所述冷源箱存有所述冷源，所述冷源箱与所述半导体吸盘1的冷源输出口23和所述冷源泵的输入端均连通。
可以理解的是，冷源流通通道2的设置方式可以有很多种，只要能够使流入其中的冷源吸收安装于半导体吸盘1上的半导体结构在HNA硅刻蚀过程中产生的热量都是可以的。
冷源泵可以是能够实现冷源泵送需要的结构，在此不做限制。
冷源箱可以是冷源箱中同时具有冷却功能，以实现降温和容纳冷源的作用，也可以是冷源容纳箱体和降温装置分别设置，比如：先利用降温装置对吸热后的冷源进行降温，然后再存储于冷源箱中。
这样，在进行半导体结构的加工时，冷原泵可以使冷源箱内的冷源泵入半导体吸盘1，经半导体吸盘1的冷源输入口流入冷源流通通道2，在流经冷源流通通道2的过程中，由于冷源的温度较低，可以吸收半导体结构HNA硅刻蚀过程中产生的热量，然后经冷源输出口23流出冷源流通通道2。当然，在一种具体实施方式中，经冷源输出口23流出的冷源可以流回冷源箱，然后进行降温以及并在冷却泵的作用下再次进行循环，实现持续地为被加工的半导体结构降温。
本发明实施例所提供的刻蚀机，由于半导体吸盘1开设有冷源冷却通道2，为冷源的流通提供了空间，从而在进行半导体结构的HNA硅刻蚀加工放热时，可以利用冷源泵使冷源箱内的冷源流经冷源流通通道2，吸收半导体结构在加工过程中产生的热量，并随着冷源的流通将热量及时地带走扩散，降低半导体结构的温度，避免局部过热，造成局部刻蚀率过大。
这样，本发明实施例所提供的刻蚀机，在不影响HNA硅刻蚀过程中的刻蚀温度的同时，通过带走半导体结构加工过程中的热量降低半导体结构的温度，可以降低在半导体的沟道等位置由于沟道以及壁角等的存在而造成的散热不利的影响，减缓在具有沟道以及壁角的位置由于温度升高而造成反应速度的加快，从而降低HNA硅刻蚀过程中的低掺杂硅层的沟道位置的刻蚀速度，避免由于低掺杂硅层的沟道位置的刻蚀速度过高，而造成的低掺杂硅层的最大总厚度差值过大，进而可以保证通过HNA硅刻蚀工艺加工的半导体结构的低掺杂硅层的最大总厚度差值满足要求，提高通过HNA硅刻蚀工艺加工的半导体结构的质量。
当然，冷源输入口和冷源输出口23的位置也可以根据需要设置，一方面需保证冷源在流动过程中的吸热效果，另一方面还需要保证外界设备与冷源流通通道2连接的方便性。
在一种具体实施方式中，本发明实施例所提供的刻蚀机的半导体吸盘1的冷源流通通道2可以包括：
冷源输入通道22，所述冷源输入通道22的一端的开口为冷源输入口；
半导体冷却通道21，所述半导体冷却通道21的一端与所述冷源输入通道22的另一端连通，所述半导冷却通道21的另一端为所述冷源输出口23。
可以理解的是，与冷源输入通道22相比，半导体冷却通道21是指冷源流过时，所能吸收的热量更多的通道，而且的位置关系可以根据需要设定，在一种具体实施方式中，可以使半导体冷却通道21更靠近所述半导体吸盘的半导体结构放置面11。
这样，冷源从外界(即半导体吸盘1的外部)经冷源输入口进入冷源输入通道22，然后再流入半导体冷却通道21，吸收热量，之后经冷源输出口23流出。
可以看出，冷源流通通道2包括冷源输入通道22和半导体冷却通道21两个部分，可以将冷源输入口的位置设置于离半导体吸盘1的半导体结构放置面11较远的位置，从而可以使冷源输入口的位置有了更多的可选择性，从而可以同时兼顾冷源输入的方便性以及吸热的要求；而半导体冷却通道21的设置可以保证对半导体结构的冷却效果。
在另一种具体实施方式中，所述冷源输出口可以位于所述半导体吸盘的半导体结构放置面11上。
这样，可以将冷源选定为不会影响半导体结构的HNA硅刻蚀的气体，比如：冷氮气等，从而冷源从冷源输出口直接输出，进而吹到放置于半导体结构放置面11的半导体结构的背面，不仅可以吸收半导体结构的热量，而且可以将流到半导体结构背面的混合酸硅刻蚀液吹走，提高加工质量。
当然从冷源输出口23输出的冷源经由包括本发明所述的湿法刻蚀机的循环设备吸出刻蚀空间，降温后，进行进一步的循环吸热。
请继续参考图1，可以看出，为了保证对半导体结构的降温效果，以及温度控制的均匀性，在一种具体实施方式中，可以开设至少2个半导体冷却通道21，即半导体冷却通道21的数量为至少两个，并且各所述所述半导体冷却通道21的一端均与冷源输入通道22连通，各所述半导冷却通道的冷源输出口23沿所述半导体结构放置面11的圆周方向均匀分布。
具体地，半导体冷却通道21的数量可以根据需要设置，比如：根据各个半导体冷却通道21的直径尺寸以及半导体吸盘1的尺寸确定，在一种具体实施方式中，半导体冷却通道21的数量的范围可以为45个-50个，比如：具体为48个。
从而，从冷源输入通道22进入的冷源，进一步进入各个半导体冷却通道21，吸收半导体结构的热量，并从各自的冷源输出口23流出，提高了降温的均匀性。
进一步地，在一种具体实施方式中，本发明实施例所提供的刻蚀机，其半导体吸盘1的冷源输入通道22的轴线可以垂直于所述半导体结构放置面11，且经过所述半导体结构放置面11的中心。
这样，各个与冷源输入通道22连通的半导体冷却通道21构成了伞的形状，并且由于冷源输入通道22经过半导体结构放置面11的中心，从而各个半导体冷却通道21的长度完全相同，经过冷源输入通道22的冷源可以均匀的流入各个半导体冷却通道21，可以进一步提高吸热的均匀性。
请参考图3和图4，如图中所示，本发明实施例还提供一种刻蚀机，其半导体吸盘1的所述半导体冷却通道21所在的平面与所述半导体吸盘1的半导体结构放置面11平行。
这样，当冷源经冷源输入通道22进入后，进一步进入与半导体结构放置面平行的半导体冷却通道21，吸收放置于半导体结构放置面11的半导体结构的热量，由于半导体冷却通道21与半导体结构放置面11平行，放置于半导体结构放置面11的半导体结构各个部位的热量可以均匀地传输至冷源中，从而可以提高降温的均匀性。
当然，在其他实施例中，半导体冷却通道21的设置也可以不与半导体结构放置面11平行。
具体地，为了使半导体冷却通道21尽可能地布满与半导体结构放置面11平行的半导体吸盘1的一个平面，可以设置半导体冷却通道21为螺旋通道，提高吸热能力。
当然，在另一种具体实施方式中，也可以将半导体冷却通道21设置为波浪形通道(图中未示出)，以保证吸热能力。
为解决上述问题，本发明实施例还提供一种半导体结构加工方法，包括以下步骤：
步骤S10：将半导体结构放置于如前述的刻蚀机的半导体吸盘上，开启所述冷源泵，使所述冷源箱内的冷源流经所述半导体吸盘的冷源流通通道。
可以理解的是，所放置的半导体结构包括相邻的高掺杂硅层和低掺杂硅层，所述高掺杂硅层位于所述低掺杂硅层的上面，且所述高掺杂硅层为所述半导体结构的最上层。
为了保证冷却效果需要控制冷源的温度，温度过低，冷源所带走的热量较多，会影响半导体结构的正常刻蚀，温度过高，冷源所带走的热量较少，不能很好地起到降低温度的效果，从而不能实现对于在半导体的沟道等位置由于沟道以及壁角等的存在而造成的散热不利的影响的减轻，经大量测试实验得出，在一种具体实施方式中，可以将冷源的温度控制在0℃-15℃，比如：5℃、8℃或者10℃。
另外，基于具体结构的不同，冷源的种类也可以有不同，比如，在半导体吸盘的冷源流通路径的设置使得冷源会与半导体结构直接接触的情况下，可以选定冷源为氮气；在半导体吸盘的冷源流通路径的设置使得冷源不会与半导体结构直接接触的情况下，冷源为氮气、水或干冰等，只要能够带走热量即可。
在另一种具体实施方式中，为了保证冷却效果，还需要控制冷源的流通速度，流通速度过快，冷源所带走的热量较多，会影响半导体结构的正常刻蚀，流通速度过慢，冷源所带走的热量较少，不能很好地起到降低温度的效果，从而不能实现对于在半导体的沟道等位置由于沟道以及壁角等的存在而造成的散热不利的影响的减轻，为此，经过大量实验，得出冷源的较佳流通速度范围，具体地，当冷源为所述氮气或所述干冰时，可以控制其流通速度的范围为8L/min-20L/min，比如：10L/min、15L/min或18L/min；当冷源为所述水时，可以控制其流通速度的范围为1.2L/min-2.2L/min，比如：2.0L/min、1.5L/min或1.8L/min。
步骤S11：利用混合酸硅刻蚀液刻蚀所述高掺杂硅层。
混合酸硅刻蚀液为利用氢氟酸(Hydrofluoric acid)、硝酸(Nitric acid)和乙酸(Acetic acid)混合成的溶液，通过湿法刻蚀机的喷嘴喷射于所述半导体结构上，混合酸硅刻蚀液的温度范围为29℃-31℃，比如：可以为30℃。
当然，在刻蚀过程中，需要控制半导体吸盘的转速，具体地，可以控制半导体吸盘的转速为250rpm/min-350rpm/min中的一个，比如：可以控制半导体吸盘的转速为300rpm/min。
在刻蚀过程中还需要控制喷嘴的移动距离和移动速度，比如：当半导体结构的尺寸为200mm时，以圆心为原点，半导体结构所处的位置为-100mm到100mm，控制喷嘴的移动距离为-85mm-85mm；对于喷嘴的移动速度，可以控制为0-250mm/s，优选地，可以为0-125mm/s。
在另一种具体实施方式中，为了保证加工的质量，还可以先进行预刻蚀，预刻蚀的时间可以根据需要确定，具体地，可以确定为10min。
本发明实施例所提供的半导体结构加工方法，利用湿法刻蚀机的冷源箱储存冷源，利用冷源泵提供冷源，并且刻蚀机的半导体吸盘开设有冷源冷却通道，为冷源的流通提供了空间，从而在进行半导体结构的HNA硅刻蚀加工放热时，可以使冷源流经冷源流通通道，吸收半导体结构在加工过程中产生的热量，并随着冷源的流通将热量及时地带走扩散，降低半导体结构的温度，从而可以降低在半导体的沟道等位置由于沟道以及壁角等的存在而造成的散热不利的影响，减缓在具有沟道以及壁角的位置由于温度升高而造成反应速度的加快，降低HNA硅刻蚀过程中的低掺杂硅层的沟道位置的刻蚀速度，避免由于低掺杂硅层的沟道位置的刻蚀速度过高，而造成的低掺杂硅层的最大总厚度差值过大，进而可以保证通过HNA硅刻蚀工艺加工的半导体结构的低掺杂硅层的最大总厚度差值满足要求，提高通过HNA硅刻蚀工艺加工的半导体结构的质量。
为解决上述问题，本发明实施例还提供一种半导体结构，利用如前述的半导体结构加工方法加工获得，所述低掺杂硅层的最大总厚度差值小于0.2um，具有较高的质量，满足质量要求。
虽然本发明实施例披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (14)
1.一种刻蚀机，其特征在于，包括：
半导体吸盘，开设有冷源流通通道，所述冷源流通通道的一端的开口为冷源输入口，另一端的开口为冷源输出口，流经所述冷源流通通道的冷源能够吸收放置于所述半导体吸盘上的半导体结构的热量；
冷源泵，所述冷源泵的输出端与所述半导体吸盘的冷源输入口连通；
冷源箱，所述冷源箱存有所述冷源，且冷源箱与所述半导体吸盘的冷源输出口和所述冷源泵的输入端均连通。
2.如权利要求1所述的刻蚀机，其特征在于，所述冷源流通通道包括：
冷源输入通道，所述冷源输入通道的一端的开口为冷源输入口；
半导体冷却通道，所述半导体冷却通道的一端与所述冷源输入通道的另一端连通，所述半导冷却通道的另一端为所述冷源输出口。
3.如权利要求2所述的刻蚀机，其特征在于，所述冷源输出口位于所述半导体吸盘的半导体结构放置面。
4.如权利要求3所述的刻蚀机，其特征在于，所述半导体冷却通道的数量为至少两个，各所述所述半导体冷却通道的一端均与冷源输入通道连通，各所述半导冷却通道的冷源输出口沿所述半导体结构放置面的圆周方向均匀分布。
5.如权利要求4所述的刻蚀机，其特征在于，所述冷源输入通道的轴线垂直于所述半导体结构放置面，且经过所述半导体结构放置面的中心。
6.如权利要求2所述的刻蚀机，其特征在于，所述半导体冷却通道所在的平面与所述半导体吸盘的半导体结构放置面平行。
7.如权利要求6所述的刻蚀机，其特征在于，所述半导体冷却通道为螺旋通道。
8.如权利要求6所述的刻蚀机，其特征在于，所述半导体冷却通道为波浪形通道。
9.一种半导体结构加工方法，其特征在于，包括：
将半导体结构放置于如权利要求1-8任一项所述的刻蚀机的半导体吸盘上，开启所述冷源泵，使所述冷源箱内的冷源流经所述半导体吸盘的冷源流通通道，其中，所述半导体结构包括相邻的高掺杂硅层和低掺杂硅层，所述高掺杂硅层位于所述低掺杂硅层的上面，且所述高掺杂硅层为所述半导体结构的最上层；
利用混合酸硅刻蚀液刻蚀所述高掺杂硅层。
10.如权利要求9所述的半导体结构加工方法，其特征在于，所述冷源的温度范围为0℃-15℃。
11.如权利要求10所述的半导体结构加工方法，其特征在于，所述冷源为氮气、水或干冰。
12.如权利要求11所述的半导体结构加工方法，其特征在于，所述氮气或所述干冰的流通速度的范围为8L/min-20L/min。
13.如权利要求11所述的半导体结构加工方法，其特征在于，所述水的流通速度的范围为1.2L/min-2.2L/min。
14.一种半导体结构，其特征在于，利用如权利要求9-13任一项所述的半导体结构加工方法加工获得，所述低掺杂硅层的最大总厚度差值小于0.2um。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Country Status (1)
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