CN102760672A - 蚀刻装置和用于蚀刻工件的材料的方法 - Google Patents

蚀刻装置和用于蚀刻工件的材料的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102760672A
CN102760672A CN2012101274616A CN201210127461A CN102760672A CN 102760672 A CN102760672 A CN 102760672A CN 2012101274616 A CN2012101274616 A CN 2012101274616A CN 201210127461 A CN201210127461 A CN 201210127461A CN 102760672 A CN102760672 A CN 102760672A
Authority
CN
China
Prior art keywords
etchant
workpiece
etaching device
laminar flow
etched
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2012101274616A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102760672B (zh
Inventor
S.伯恩里德
T.菲舍尔
R.费尔格
M.拉里施
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Publication of CN102760672A publication Critical patent/CN102760672A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102760672B publication Critical patent/CN102760672B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

本发明公开了蚀刻装置和用于蚀刻工件的材料的方法。提供一种蚀刻装置，该蚀刻装置包括：处理室，其包括蚀刻剂；配置成提供蚀刻剂的层流的结构；以及工件操作器，其被配置成沿着预定义轨道移动工件经过蚀刻剂的层流。

Description

蚀刻装置和用于蚀刻工件的材料的方法
技术领域
各种实施例总体上涉及蚀刻装置和用于蚀刻工件的材料的方法。
背景技术
对于半导体器件中的铜布线或者铜互连的提供，当前存在两种用于铜的沉积的主流金属化方案。
双镶嵌工艺被用于微间距金属化，并且被主要用在逻辑和存储器件中。在双镶嵌工艺中，可在图案化绝缘层（例如氮化硅）下面蚀刻（例如干法蚀刻）通路孔（via）。然后可在通路孔中镀铜。化学机械抛光（CMP）可随后被用来清除晶片表面上的铜并使铜线彼此分离。由于昂贵的反应离子蚀刻（RIE）、镀铜和CMP处理，这种金属化方案被主要用于其中低电流允许薄层处理的信号布线。
铜的图案镀敷在常规上被用于需要粗铜线和导电凸块（例如晶片封装中的铜凸块阵列）的应用。可使用抗蚀剂掩模来镀铜，该抗蚀剂掩模可大大厚于所期望的铜厚度。这种金属化方案被主要用于其中必须在金属线中传输大电流的大功率器件。图案镀铜比双镶嵌金属化方法便宜，然而，用于创建长期有效的掩模的光刻工艺和镀敷工艺本身非常昂贵。
一旦已执行铜金属化，就可执行铜金属化层的图案化。
对铜金属化层进行图案化的第一方法是通过执行图案化铜蚀刻。可通过抗蚀剂掩模以及使用铜湿法蚀刻化学品（chemistry）来执行铜的层的图案化蚀刻，该湿法蚀刻化学品是化学蚀刻剂。虽然图案化湿法蚀刻方案被通常用于结构化或蚀刻半导体晶片上的其他金属（例如铝），但是它不是用于半导体工业中的铜蚀刻的可行方案，因为铜蚀刻工艺高度地受到晶片上的化学蚀刻剂的流体动力学的影响。
商业上可用于金属（例如铜）的湿法处理或湿法蚀刻的工具提供多种不同的流体动力学。用于生产线（line）前端处理的一种常见工具是自动批量槽（tank）工具。具有待蚀刻的结构的晶片可被完全地浸入充满化学蚀刻剂的槽中。化学蚀刻剂可从位于槽的底部的扩散器均匀地流过槽。可使用溢出冲洗来再循环该蚀刻剂。由于缺乏对流体动力学的控制，这种工具的流体动力学为晶片蚀刻提供了非常差的均匀性。
用于执行待蚀刻的晶片表面的湿法蚀刻的另一常见工具是喷酸工具（SAT）。晶片（按照一批25-50）可在处理室内转动，同时在晶片上方经由喷嘴提供化学蚀刻剂。化学蚀刻剂可分布在待蚀刻的晶片的表面上，并且由使用离心力提供晶片的转动和另一方面通过提供由喷嘴提供的化学蚀刻剂的新的供给的组合来替代。然而，由喷酸工具提供的均匀性高度地依赖于可实现的化学蚀刻剂的最大流量。
如上所示，两种工艺（槽工具和喷射工具）没有提供足够的均匀性以用作适合于半导体工业的直接金属（铜）结构化工艺。
发明内容
一个实施例是一种蚀刻装置，所述蚀刻装置包括：处理室，其包括蚀刻剂；配置成提供蚀刻剂的层流的结构；以及工件操作器（handler），其被配置成沿着预定义轨道移动工件经过蚀刻剂的层流。
附图说明
在附图中，相同的附图标记贯穿不同的视图通常指代相同的部分。附图不一定是按比例的，而是通常把重点放在图示本发明的原理上。在下面的描述中，参照下面的附图来描述本发明的各种实施例，其中：
图1示出根据一个实施例的蚀刻装置；
图2示出根据一个实施例的蚀刻装置；
图3A和3B示出根据各种实施例的蚀刻装置；
图4示出根据一个实施例的蚀刻装置；
图5示出根据一个实施例的蚀刻装置；
图6示出根据一个实施例的蚀刻装置中的蚀刻剂的流动的模拟；
图7示出根据一个实施例的蚀刻装置；
图8A至8E示出根据各种实施例的蚀刻装置的示图（illustration）；
图9A至9F示出根据各种实施例的蚀刻装置的示图；
图10示出根据一个实施例的蚀刻装置的实施；
图11示出根据一个实施例的用于蚀刻工件的材料的方法；
图12示出根据一个实施例的用于蚀刻工件的材料的方法；
图13A和13B示出根据一个实施例的蚀刻装置的示图；
图14A和14B示出根据一个实施例的蚀刻装置的示图。
具体实施方式
下面的详细描述参照了附图，所述附图作为示图示出其中可实践本发明的特定细节和实施例。词“示例性”在本文中被用来是指“用作例子、实例、或示图”。在本文中被描述为“示例性”的任何实施例或设计不一定被解释为相对于其他实施例或设计是优选的或有利的。
通过在晶片的表面上方提供蚀刻剂的层流并移动晶片经过层流以便为衬底表面提供蚀刻剂的良好受控的且均匀的扩散，各种实施例提供用于铜层的均匀蚀刻的蚀刻装置。
图1示出根据一个实施例的蚀刻装置102的示图100。蚀刻装置102可包括：处理室104，其包括蚀刻剂106；配置成提供蚀刻剂106的层流的结构108；以及工件操作器112，其被配置成沿着预定义轨道移动工件110经过蚀刻剂106的层流。
根据一个实施例，蚀刻装置102可以是被配置成执行蚀刻工艺的蚀刻装置，其中蚀刻剂106可被配置成蚀刻工件110的一部分。
根据一个实施例，蚀刻装置102可包括配置成对工件110执行湿法蚀刻（其也可被称为湿法化学蚀刻）的蚀刻装置。
根据一个实施例，蚀刻剂106可被配置成从工件110去除材料和/或材料的一部分。
根据一个实施例，蚀刻剂106可被配置成通过从工件110去除材料和/或材料的一部分来形成和/或成形结构。根据一个实施例，蚀刻剂106可被配置成通过经由结构掩模均匀地蚀刻工件210的整个表面区域来形成和/或成形结构。根据一个实施例，蚀刻剂106可包括液体。
根据一个实施例，蚀刻剂106可包括蚀刻剂浴池（bath）。
根据一个实施例，蚀刻剂106可包括液体化学浴池。
根据一个实施例，蚀刻装置102可以是被配置成对工件110执行各向同性湿法蚀刻的蚀刻装置。
根据一个实施例，工件110可包括待蚀刻的材料，举例来说，例如金属，比如铜和/或铝。根据一个实施例，工件110可包括待蚀刻的材料，例如多晶硅（掺杂或非掺杂）、硅（掺杂或非掺杂）。根据一个实施例，工件110可包括待蚀刻的CMOS生产线前端（FEOL）处理材料。
根据一个实施例，工件110可包括待蚀刻的CMOS生产线后端（BEOL）处理材料。
根据一个实施例，工件210可以是晶片。根据一个实施例，晶片210可以是半导体晶片。
根据一个实施例，工件210可以是太阳能电池。
根据一个实施例，工件210可以是印刷电路板。
根据一个实施例，工件210可包括载体，其中载体材料可包括玻璃（例如硼硅酸盐、铝硅酸盐）、石英、蓝宝石、塑料和/或金属中的任何一种。
根据一个实施例，载体可以是用于支撑器件（例如机械和/或电子器件）的衬底。
根据一个实施例，处理室104可包括化学储存槽。根据一个实施例，处理室104可包括烧杯。根据一个实施例，处理室104可被配置成包含蚀刻剂106。
相对于图1描述的特征的基本功能将被参照，并且适用于将在以下更详细地描述的所有各种实施例。与图1中描述的特征相同的特征利用相同的附图标记来表示。
图2示出根据一个实施例的蚀刻装置202的示图200。蚀刻装置202可包括：处理室204，其包括蚀刻剂206；配置成提供蚀刻剂206的层流的结构208；以及工件操作器212，其被配置成沿着预定义轨道移动工件210经过蚀刻剂206的层流。结构208可以是准直网格（collimator gird）或准直板（collimator plate）。经由准直网格可提供蚀刻剂的定向化学流。结构208可被配置成包括孔，例如借助于泵220可挤压蚀刻剂206通过所述孔。
可提供泵220以提供通过处理室204的蚀刻剂206的流动，也就是，提供在处理室204内新鲜蚀刻剂206的循环。可提供泵220以提供在由箭头216指示的方向上蚀刻剂206朝着结构208的流动。可放置工件210，使得层流到达工件的待蚀刻的一侧。在这种情况下，工件210被面向下放置在化学蚀刻剂206中。由箭头214指示的蚀刻剂的溢出（overflow）可流入到溢出槽224中。如由箭头218所示，可由所述泵迫使蚀刻剂的溢出以重新进入处理室204，从而形成处理室204内的蚀刻剂206。溢出槽224中蚀刻剂的量可被保持在预定的水平222。
根据一个实施例，泵220可被配置成引导蚀刻剂流动经过结构208。
根据一个实施例，配置成提供蚀刻剂的层流的结构208可包括配置成把蚀刻剂的湍流转换成蚀刻剂的层流的结构。
根据一个实施例，泵220可被配置成引导具有湍流的蚀刻剂流动经过结构208，结构208把蚀刻剂的湍流转换成蚀刻剂的层流。
根据一个实施例，蚀刻剂206的湍流可包括蚀刻剂流的流（stream），所述蚀刻剂流的流相对于彼此被非均匀地定向，和/或所述蚀刻剂流的流包括涡流和/或旋涡（churning）和/或涡旋（vortex）。
根据一个实施例，蚀刻剂206的层流可包括蚀刻剂流的一个或多个平行层。
根据一个实施例，蚀刻剂206的层流可包括蚀刻剂流的一个或多个平行层，其中蚀刻剂流的所述一个或多个平行层中的每层仅在最小程度上干扰蚀刻剂流的所述一个或多个平行层中的另一层。
根据一个实施例，蚀刻剂206的层流可包括蚀刻剂流的平行层，所述蚀刻剂流的平行层中的每层基本上没有涡流和/或旋涡和/或涡旋。
根据一个实施例，蚀刻剂的层流可以是蚀刻剂流的流线型流。
相对于图2描述的特征的基本功能将被参照，并且适用于将在以下更详细地描述的所有各种实施例。与图2中描述的特征相同的特征利用相同的附图标记来表示。
图3A示出根据一个实施例的蚀刻装置302的示图300。蚀刻装置302可以是可包括相对于图2描述的蚀刻装置202中公开的特征的蚀刻装置302。该蚀刻装置还可包括多轴操作系统306（例如机器人），其可被连接到工件操作器212以控制工件210的移动。工件210的移动可由多轴操作系统306和工件操作器212（例如被实施为机械人的臂）控制，使得转动的中心在工件210外面。工件操作器212可被配置成沿着预定义轨道移动工件210经过蚀刻剂206的层流，其中所述预定义轨道可形成环304的至少一部分。可提供多轴操作系统306（例如机器人）以移动工件210经过层流而没有固有（proper）转动。根据一个实施例，工件210可由该工件的轴310来限定，其中轴310可被配置成平行于工件的待蚀刻的一侧，并且其中工件操作器212可被配置成沿着预定义轨道移动工件210经过蚀刻剂206的层流，使得工件的轴310总是指向相同的方向。图3B示出根据一个实施例的蚀刻装置302的示图312。
图3B示出根据一个实施例的蚀刻装置314的示图312，其中工件操作器212可被配置成沿着预定义轨道移动工件210经过蚀刻剂206的层流，其中从位置A到位置B到位置C，所述预定义轨道可形成环304的至少一部分。当工件210处于位置A、B和C时，配置成平行于工件的待蚀刻的一侧的工件的轴310指向相同的方向。工件210可相对于工件操作器212的一部分固定，并且可被配置成不围绕位于工件210内的任何轴旋转或转动，使得层流内的工件210的任何移动限于工件210表面沿着预定义轨道沿着单个二维平面移动。根据另一实施例，工件210可被配置成沿着预定义轨道沿着单个二维平面移动，同时工件210可被配置成相对于工件210围绕轴转动或旋转。
相对于图3描述的特征的基本功能将被参照，并且适用于将在以下更详细地描述的所有各种实施例。与图3中描述的特征相同的特征利用相同的附图标记来表示。
图4示出根据一个实施例的蚀刻装置的示图400。蚀刻装置402可以是可包括已经相对于图2和3描述的蚀刻装置202、302中公开的特征的蚀刻装置402。图4示出可如何使用泵220提供蚀刻剂206的层流以提供通过结构208（例如准直网格）的蚀刻剂的流动以用于产生层流404。
根据一个实施例，配置成提供蚀刻剂206的层流的结构208可以是配置成创建蚀刻剂的流线型流动的结构208。
根据一个实施例，结构208可包括多个通道508，所述多个通道508引导蚀刻剂206以由此提供层流。根据一个实施例，通道508可由管阵列形成，所述管阵列以预定义方式被布置以提供层流。根据一个实施例，所述多个通道可被配置成被彼此平行地布置。根据一个实施例，结构208可包括板510，板510包括多个通孔以作为所述多个通道508。根据一个实施例，所述多个通道可被配置成彼此平行。
根据一个实施例，结构208可包括用于排出蚀刻剂流的单独流线的喷嘴。
根据一个实施例，结构208可包括彼此平行地布置的多个喷嘴，所述多个喷嘴被配置成排出彼此平行的蚀刻剂流的多个单独流线型流。
根据一个实施例，所述多个通道中的每个管或通道可被配置成创建蚀刻剂流的单独流线型流。
根据一个实施例，蚀刻剂流的单独流线型流和/或通道中的蚀刻剂206的单独层流可被配置成具有雷诺数R1，其中R1可由公式R1=ud/v表示，其中u可以是蚀刻剂流相对于通道壁的平均速度（m/s），d（m）可以是管的液力直径，以及v（m2/s）可以是蚀刻剂流的运动粘度。
根据一个实施例，蚀刻剂流的单独流线型流和/或通道中的蚀刻剂206的单独层流可被配置成具有雷诺数R1，其中R1可小于临界雷诺数Rc1，例如Rl < Rcl。例如，1< Rcl< 2300，300< Rcl< 1800，500< Rcl< 1200。
根据一个实施例，蚀刻剂的湍流可被配置成具有雷诺数Rt，其中Rt可大于临界雷诺数Rct，例如Rt > Rct。例如，2500< Rct< 10000，2500< Rct< 5000，2500< Rct< 4000。
根据一个实施例，所述多个通道中的每个管或通道可被配置成创建蚀刻剂流的单独流线型流，使得当多个所述管或通道被彼此平行地布置以形成结构208时，可创建蚀刻剂流的多个单独流线型流，其中蚀刻剂流的所述多个单独流被配置成被彼此平行地布置，并且其中蚀刻剂流的各个流中的每个被配置成仅在最小的程度上彼此干扰。根据一个实施例，蚀刻剂流的各个流线型流中的每个基本上没有涡流和/或旋涡和/或涡旋。
根据一个实施例，配置成提供蚀刻剂206的层流的结构208可被配置成提供具有雷诺数R1的蚀刻剂206的层流，其中R1可小于临界雷诺数Rc1，例如Rl < Rcl。例如，1< Rcl< 2300，300< Rcl< 1800，500< Rcl< 1200。
到达工件210的待蚀刻的表面或一侧的蚀刻剂206的层流由箭头406指示。在与工件210的面向蚀刻剂的层流的方向的一侧（即工件210的待蚀刻的一侧）相对的该工件的一侧上可创建蚀刻剂的湍流408。相对于图4描述的特征的基本功能将被参照，并且适用于将在以下更详细地描述的所有各种实施例。与图4中描述的特征相同的特征利用相同的附图标记来表示。
图5示出根据一个实施例的蚀刻装置的示图500。蚀刻装置502可以是可包括已经相对于图2、3和4描述的蚀刻装置202、302、312、402中公开的特征的蚀刻装置502。蚀刻装置502可包括：处理室204，其包括蚀刻剂206；配置成提供蚀刻剂206的层流的结构208；以及工件操作器212，其被配置成沿着预定义轨道移动工件210经过蚀刻剂206的层流。
根据一个实施例，工件操作器212可被配置成沿着预定义轨道反复地移动工件210经过蚀刻剂206的层流。
根据一个实施例，所述预定义轨道位于二维平面中。
根据一个实施例，所述预定义轨道可沿二维平面行进，其中所述二维平面可被配置成相对于提供层流的结构208处于固定角度。
根据一个实施例，所述预定义轨道可沿二维平面行进，其中所述二维平面可被配置成相对于提供层流的结构208处于预定距离，并且其中所述二维平面和所述结构之间的距离可在蚀刻工艺期间被增加或减小。根据一个实施例，所述预定义轨道可被配置成确保工件210位于蚀刻剂的层流内。
根据一个实施例，所述预定义轨道可形成环304的至少一部分，其中所述环的中心可位于工件外面。
根据一个实施例，环304可形成闭环，例如圆形闭环、矩形闭环、梯形闭环、多边形闭环。
根据一个实施例，环304可形成基本上闭合的环，例如圆形基本上闭合的环、矩形基本上闭合的环、梯形基本上闭合的环、多边形基本上闭合的环。
根据一个实施例，处理室204可包括配置成容纳蚀刻剂206的处理槽506。
根据一个实施例，蚀刻装置502可被配置成生成通过处理槽506的蚀刻剂206的流动。
根据一个实施例，蚀刻剂206的层流可被配置成蚀刻工件210的一侧。
根据一个实施例，蚀刻装置502可被配置成使得，向工件210的待蚀刻的一侧的蚀刻剂206的层流的流量大于由于扩散、对流和重力中的至少一项引起的向工件210的待蚀刻的一侧的蚀刻剂206的流量（rate of flow）。
根据一个实施例，板510的大小可以是工件210的至少两倍。根据一个实施例，蚀刻装置502还可包括至少一个泵220，其被连接到处理室以提供通过处理槽506的蚀刻剂的流动。
根据一个实施例，工件操作器212可被配置成移动工件210经过蚀刻剂206的层流而没有工件210相对于工件操作器212的固有运动。
根据一个实施例，工件操作器212可被配置成移动工件经过蚀刻剂206的层流而没有工件210相对于工件操作器212的固有转动。
根据一个实施例，工件210的待蚀刻的一侧可被配置成相对于蚀刻剂206的层流的方向处于固定角度。
根据一个实施例，工件210的待蚀刻的一侧可被配置成相对于蚀刻剂206的层流的方向转动或旋转。
根据一个实施例，工件210的待蚀刻的一侧可被配置成基本上垂直于蚀刻剂206的层流。
根据一个实施例，工件210可包括待蚀刻的结构512。
根据一个实施例，待蚀刻的结构512可包括能够使用扩散受控的蚀刻工艺、使用蚀刻剂206蚀刻的材料514。
根据一个实施例，待蚀刻的结构512可包括在半导体处理中使用的材料，该材料可经受湿法化学蚀刻。根据一个实施例，该材料可包括半金属和/或半导体材料和/或导电材料（举例来说，例如金属性导电材料）和/或绝缘材料和/或从包括下述的组中选择的至少一种材料514：铜、多晶硅（掺杂或非掺杂）、硅（掺杂或非掺杂）、和/或铝、钛、钨、氮化硅、二氧化硅、石英玻璃、硅酸盐玻璃（例如硼或钠掺杂硅酸盐玻璃）、以及塑料（例如PET）。
根据一个实施例，如根据图2所示，可从下到上方向提供蚀刻剂206的层流的方向。工件210可因此面向下放置，使得工件210的待蚀刻的一侧或表面直接面对（meet）蚀刻剂206的层流的方向。
根据一个实施例，根据如图13A的示图1300中所示的蚀刻装置1302，可从上到下方向提供蚀刻剂的流动的方向。工件210可因此面向上放置，使得工件210的待蚀刻的一侧或表面直接面对蚀刻剂206的层流的方向，蚀刻剂206的层流的方向可以在从上到下的方向上。泵220可被用来在从上到下的方向216上把蚀刻剂206从化学槽1306抽吸到处理室204中。在一个实施例中，阀1304可被用来朝着化学槽引导离开所述室的蚀刻剂流以把其重新抽吸到处理室204中，或者朝着排出管1308引导离开处理室204的蚀刻剂206的流。图13B示出蚀刻装置1312的一部分的示图1310，其中工件操作器212还可包括用于夹住工件210的工件夹具212b，其中工件操作器可被配置成沿着预定义轨道移动工件210经过蚀刻剂106的层流。
根据一个实施例，根据如图14A的示图1400中所示的蚀刻装置1402，可在基本上水平的方向上从处理室的一侧提供蚀刻剂的流动的方向。工件210可因此面向处理室的提供蚀刻剂流的一侧放置，使得工件210的待蚀刻的一侧或表面直接面对蚀刻剂206的层流的方向，蚀刻剂206的层流的方向可以在从处理室的一侧沿基本上水平的方向的方向上。泵220可被用来从处理室的一侧在基本上水平的方向上把蚀刻剂206从溢出槽224抽吸到处理室204中，如由箭头216所示。在图14A的情况下，可在从处理室的右侧到处理室的左侧的基本上水平的方向上传输蚀刻剂206的层流的方向。工件210可因此面向处理室的提供蚀刻剂206的右侧放置。图14B示出蚀刻装置1406的一部分的示图1404，蚀刻装置1406可包括工件操作器212，工件操作器212还可包括用于夹住工件210的工件夹具212b，其中工件操作器可被配置成沿着预定义轨道移动工件210经过蚀刻剂106的层流。
根据一个实施例，蚀刻装置102可包括多个工件操作器212，每个被配置成根据上面的实施例沿着预定义轨道移动工件110经过蚀刻剂106的层流。
根据一个实施例，蚀刻剂206可被配置成是在湿法铜蚀刻中的铜的蚀刻剂。
根据一个实施例，蚀刻剂206可被配置成是铜的蚀刻剂，该蚀刻剂可包括混合物，例如：稀释磷酸过氧化氢混合物（体积百分比1-5% H3PO4和0.5-3% H2O2）；稀释硫酸过氧化氢混合物（体积百分比1-5% H2SO4和体积百分比0.5-3% H2O2）；磷酸-硝酸-醋酸（重量百分比45-50%磷酸和重量百分比1-3%硝酸和重量百分比30-40%醋酸）。
根据一个实施例，蚀刻剂206可被配置成是铜的蚀刻剂，它包括下面混合物中的每种中的至少一种：0.5-2% H2O2与2-4%硫酸的混合物；和/或10-15%硝酸与2-6%磷酸的混合物；和/或0.5-1.5摩尔CuCl与20-30%盐酸的混合物；和/或35%硝酸。
根据一个实施例，蚀刻剂206可被配置成是在湿法多晶硅蚀刻中多晶硅的蚀刻剂。
根据一个实施例，蚀刻剂206可被配置成是多晶硅的蚀刻剂，它可包括混合物，例如：硝酸和氢氟酸混合物（6:1和23:1之间的HNO3：HF比）；氢氧化四甲铵（TMAH）（体积百分比2-10%）；胆碱（体积百分比2-10%）。
根据一个实施例，蚀刻剂206可被配置成是在湿法硅蚀刻中硅的蚀刻剂。
根据一个实施例，蚀刻剂206可被配置成是硅的蚀刻剂，它可包括混合物，例如：硝酸和氢氟酸混合物（6:1和23:1之间的HNO3：HF比）；氢氧化四甲铵（TMAH）（体积百分比2-10%）；胆碱（体积百分比2-10%）。
根据一个实施例，蚀刻剂206可被配置成是在湿法铝蚀刻中铝的蚀刻剂。
根据一个实施例，蚀刻剂206可被配置成是铝的蚀刻剂，它可包括：磷酸-硝酸-醋酸（重量百分比70-80%磷酸、重量百分比2-4%硝酸、重量百分比1-5%醋酸）；和/或包括0.1%-5%氢氟酸的蚀刻剂。根据一个实施例，蚀刻剂206可被配置成是在玻璃的湿法蚀刻中玻璃的蚀刻剂。
根据一个实施例，蚀刻剂206可被配置成是玻璃的蚀刻剂，它可包括用于蚀刻硼硅酸盐或硼掺杂硅酸盐玻璃的氢氟酸HF或氟化铵缓冲HF。
根据一个实施例，蚀刻剂206可被配置成是在塑料的湿法蚀刻中塑料的蚀刻剂。
根据一个实施例，蚀刻剂206可被配置成是塑料的蚀刻剂，它可包括溶剂，例如丙酮。
根据一个实施例，蚀刻装置可被配置成向无电金属镀敷工艺提供高均匀性性能。
相对于图5、22和23描述的特征的基本功能将被参照，并且适用于将在以下更详细地描述的所有各种实施例。与图5、22和23中描述的特征相同的特征利用相同的附图标记来表示。
图6示出根据一个实施例的蚀刻装置中蚀刻剂的流动的模拟600。模拟600示出具有朝着工件210的待蚀刻的一侧的方向216的蚀刻剂流的简化静态二维模型。模拟600示出通过结构208内的多个通孔、通道或管508中的单个通道或单个通孔的蚀刻剂流（例如区域（例如由图4中的410表示的区域）内的蚀刻剂流）的简化静态二维模型。轴602和604代表正在模拟的通道的高度和宽度，以及标度606代表蚀刻剂流的速度。蚀刻剂流可具有朝着工件210的待蚀刻的一侧的方向216。结构208可被配置成接收蚀刻剂206的流动，蚀刻剂206的流动具有进入该结构的方向216，（在这种情况下，该模拟示出通过单个通道、管或通孔508的蚀刻剂206的流动）并且其中结构208被配置成生成或提供向工件210的待蚀刻的一侧的蚀刻剂206的层流。配置成提供蚀刻剂的层流的结构208可具有高度h。在本模拟600的情况下，h具有值25 mm。结构208的高度h可具有值的范围，例如从大约4 mm至大约100 mm，例如从大约10 mm至大约80 mm，例如从大约15 mm至大约60mm。在本模拟600中在进入结构208或该结构的所述多个通道508的方向216上蚀刻剂206的流速可具有速度2 cm/s。该流速可具有值的范围，例如从大约0.4 cm/s至大约7 cm/s，例如从大约0.4 cm/s至大约5 cm/s，例如从大约0.4 cm/s至大约3 cm/s。结构208的格栅部分（例如准直网格）中的每个通道或通孔508的直径可具有直径d。在本模拟600中，d在本模拟中具有值10 mm。每个通道的直径d可具有值的范围，例如从大约0.5 mm至大约10 mm，例如从大约1 mm至8 mm，例如从大约1 mm至3 mm。工件210和结构208的把蚀刻剂的层流排出到工件210的待蚀刻的一侧的表面之间的距离可具有值t。在本模拟600的情况下，t具有值10 mm。距离t可具有值的范围，例如从大约0.5 mm至大约60 mm，例如从大约1 mm至40 mm，例如从大约1 mm至20 mm。至少下述的因素的组合导致蚀刻剂206的层流在基本上垂直于工件210的待蚀刻的一侧的方向上离开结构208并到达工件210的待蚀刻的一侧：配置成提供蚀刻剂的层流的结构208的高度h；进入结构208的蚀刻剂206的流速；结构208的格栅或准直网格中每个通道的直径d；以及工件210和结构208的把蚀刻剂206的层流排出到工件的待蚀刻的一侧的表面之间的距离t。在工件210的待蚀刻的一侧离开蚀刻剂的层流的到达点的蚀刻剂206的流动的传输可被配置成是离开工件210的待蚀刻的表面的、在基本上平行于工件210的待蚀刻的一侧的方向上蚀刻剂206的流动。
结构208和下面的因素中的至少一项的组合可被配置成创建在工件210的待蚀刻的一侧离开蚀刻剂的层流的到达点的蚀刻剂206的流线型流动以使在工件210的待蚀刻的一侧的湍流最小化：配置成提供蚀刻剂的层流的结构208的高度h；进入结构208的蚀刻剂206的流速；结构208的格栅或准直网格中每个通道的直径d；以及工件210和结构208的把蚀刻剂206的层流排出到工件210的待蚀刻的一侧的表面之间的距离t。在本模拟600中离开结构208并到达工件210的待蚀刻的一侧的蚀刻剂206的流速可具有速度2 cm/s。该流速可具有值的范围，例如从大约0.4 cm/s至大约7 cm/s，例如从大约0.4 cm/s至大约5 cm/s，例如从大约0.4 cm/s至大约3 cm/s。在工件210的待蚀刻的一侧离开蚀刻剂的层流的到达点的蚀刻剂206的流速可具有速度2 cm/s。该流速可具有值的范围，例如从大约0.4 cm/s至大约7 cm/s，例如从大约0.4 cm/s至大约5 cm/s，例如从大约0.4 cm/s至大约3 cm/s。
根据一个实施例，蚀刻装置502可被配置成使得，向工件210的待蚀刻的一侧的蚀刻剂206的层流的流量大于由于扩散、对流和重力中的至少一项引起的向工件210的待蚀刻的一侧的蚀刻剂的流量，其中扩散、对流和重力的力是指在没有补充装置的情况下（例如在没有用于修改或引导蚀刻剂流的方向和速度的结构208和/或工件操作器212或泵的情况下）作用在蚀刻剂分子上的力，其将导致蚀刻剂分子的随机运动。
根据一个实施例，蚀刻装置502可被配置成使得，向工件210的待蚀刻的一侧的蚀刻剂206的层流的流量大于由于扩散、对流和重力中的至少一项引起的向工件210的待蚀刻的一侧的蚀刻剂的最高流量。
根据一个实施例，蚀刻装置502可被配置成使得，在工件210的待蚀刻的一侧离开蚀刻剂的层流的到达点的蚀刻剂206的层流的流量大于由于扩散、对流和重力中的至少一项引起的向工件210的待蚀刻的一侧的蚀刻剂的流量。
根据一个实施例，蚀刻装置502可被配置成使得，在工件210的待蚀刻的一侧离开蚀刻剂的层流的到达点的蚀刻剂206的层流的流量大于由于扩散、对流和重力中的至少一项引起的向工件210的待蚀刻的一侧的蚀刻剂的最高流量。
根据一个实施例，通过工件操作器212使工件210沿着预定义轨道经过蚀刻剂206的层流的移动可被配置成影响下述中的一个或多个：向工件210的待蚀刻的一侧的蚀刻剂206的层流的流量和/或在工件210的待蚀刻的一侧离开蚀刻剂的层流的到达点的蚀刻剂206的层流的流量。
图7示出根据一个实施例的蚀刻装置702的示图700。蚀刻装置702显出如相对于图1至6所描述的工件操作器212。根据一个实施例，工件操作器212可被配置成被连接到多轴操作系统306以用于在至少两个方向上操纵并控制工件210的运动。工件操作器212可包括用于抓住或夹住工件210的臂部分，该臂部分相对于工件操作器212固定工件210的位置。工件操作器212还可包括：工件操作器支撑部分212a，用于连接到多轴操作系统306以用于提供工件相对于蚀刻剂206的平滑机械移动；以及工件夹具部分212b，用于抓住工件210。多轴操作系统306可被配置成在平滑轨道上移动工件操作器212、212a，从而工件操作器的支撑部分212a相对于多轴操作系统306的移动将是平滑的。多轴操作系统306可包括具有例如六轴的移动704的机械人臂。
图8A至8E示出上面根据图1至7的各种实施例描述的蚀刻装置的示图800A至800F。
图8A示出根据图1至7的各种实施例描述的蚀刻装置的一部分的侧视图的示图800A。示图800A示出包括相对于彼此同轴地布置的处理室802和溢出槽824的蚀刻装置，使得处理室802形成内室，并且溢出槽824形成外室。溢出槽824的壁的顶表面到溢出槽824的壁的底表面之间的距离（即溢出槽824的高度）可以是大约310 mm。溢出槽824的壁的顶表面到溢出槽824的壁的底表面之间的距离（即溢出槽的高度）可具有值的范围，例如从大约100 mm至大约900 mm、从大约200 mm至大约600 mm、从大约200 mm至大约450 mm。
图8B示出示图800B，示图800B示出沿着如示图800A中所示的平面A-A的根据800A的蚀刻装置的一部分的横截面视图。该蚀刻装置可包括处理室802、溢出槽824和已经相对于较早的实施例描述的配置成提供蚀刻剂的层流的结构818。该蚀刻装置还可包括：排出管812；进给管808，用于把蚀刻剂206传输到处理室802中；以及焊接套筒822，其作为进给管808的配件；基座806，用于支撑并承载该蚀刻装置；分隔带810，其在处理室802和溢出槽824之间；以及支撑环814，其可用于循环以及用于密封处理室802中的结构818。分隔带810还提供用于溢出槽824内的蚀刻剂的化学品的溢出的底部支撑。在分隔带810下方的区域中（也就是在由侧壁804、分隔带810和基座806包围的区域中）不存在化学品或蚀刻剂化学品。处理室802的直径可具有直径450 mm。处理室802的直径可具有值的范围，例如从大约200 mm至大约900 mm、从大约300 mm至大约800 mm、从大约400 mm至大约600 mm。配置成提供蚀刻剂的层流的结构818的顶表面和溢出槽824的壁的顶表面之间的距离可以是25 mm。配置成提供蚀刻剂的层流的结构818的顶表面和溢出槽824的壁的顶表面之间的距离可具有值的范围，例如从大约5 mm至大约100 mm、从大约10 mm至大约80 mm、从大约10 mm至大约50 mm。
图8C示出示图800C，示图800C示出根据另一视角的根据800A和800B的蚀刻装置的蚀刻装置的一部分的横截面视图，其中该蚀刻装置包括：至少一个夹具零件816，用于把配置成提供蚀刻剂的层流的结构818连接到处理室802；以及固定零件820，用于把基座806零件固定在一起并支撑处理室802。固定零件820也可起到扩散器板的支撑架的作用。
图8D示出示图800D，示图800D示出根据800A、800B和800C的蚀刻装置的蚀刻装置的一部分的俯视图，其中该蚀刻装置包括处理室（内环）802和溢出槽824，并且其中该蚀刻装置可包括配置成提供蚀刻剂的层流的结构818。如根据示图800B所述的排出管812可被配置成被连接到溢出槽824的一部分并且被连接到处理室802的基座806，如示图800C和800D中所示，以便把蚀刻剂206从溢出槽824馈入到处理室802中。泵可被用来生成用于把蚀刻剂206从溢出槽824馈入到处理室802中的力。
图8E示出示图800E和800F，示图800E和800F示出根据800A至800D的蚀刻装置的蚀刻装置的一部分，其中该蚀刻装置包括处理室（内环）802、溢出槽（外环）824、排出管812和结构818。
图9A至9F示出上面根据图1至8的各种实施例描述的蚀刻装置的示图900A至900F。图9A示出用于连接到如根据特征220所描述的泵的泵标度盘906的部分的示图900A，其中泵标度盘906可被连接到支撑结构902，其中支撑结构902可被配置成向根据相对于图1至8描述的实施例的蚀刻装置提供结构支撑。如根据特征220所描述的泵可以是活塞压力泵或电动旋转泵。
图9B示出用于连接到如根据特征220所描述的泵的泵标度盘906的部分的示图900B，其中泵标度盘906可被连接到支撑结构902。泵标度盘906可包括：支撑板928，用于支撑压力调节监测单元；压力调节器，其被连接到泵；控制阀外壳托架932；以及控制阀出口940，其可通过耐压软管被连接到泵。
图9C示出配置成向已经根据各种实施例描述的蚀刻装置提供稳定支撑的支撑结构902的部分的示图900C。
图9D示出根据相对于图1至8描述的蚀刻装置的蚀刻装置的示图900D。根据一个实施例，该蚀刻装置可包括过滤器，该过滤器包括多个部件924、904、914。蚀刻剂206可从溢出槽流入到泵中。从所述泵，蚀刻剂可在进入处理室之前由过滤器924、904、以及914过滤。处理室802或蚀刻装置的一部分可位于稳定的支撑结构902上方。
图9E示出根据相对于900D描述的蚀刻装置的蚀刻装置的示图900E。示图900E示出去除了台面的所述室的俯视图。根据一个实施例，该蚀刻装置还可包括：泵922，例如空气压缩；以及出口阀926，用于提供至排出管的循环。
图9F示出根据900A至900E的蚀刻装置的蚀刻装置的一部分的示图900F，其中该蚀刻装置可被配置成由蚀刻装置支撑结构902（例如稳定的工作台或桌）支撑。该蚀刻装置还可包括：泵支撑板916，用于支撑并承载泵220的一部分和出口阀926。
图10示出根据一个实施例的蚀刻装置的实施1000。该蚀刻装置可被修改或配置成用在半导体工业中。根据图8和图9的示意图可进一步被配置成包括护罩1010，护罩1010包围蚀刻装置和支撑结构（例如支撑结构902）。工件操作器212、多轴操作系统306和泵220可被配置成由计算机1012控制。该蚀刻装置可被配置成用作受控的半导体工艺的一部分，使得一个或多个处理室1014、1016可被包括在集成处理系统中以作为蚀刻工艺的一部分，例如处理室1014、1016中的第一处理室可以是如相对于图1至9的各种实施例所描述的处理室；并且处理室1014、1016中的第二处理室可以是用于冲洗的室，该室可被用于在第一处理室中进行蚀刻工艺之后立即冲洗工件210。
图11示出根据一个实施例的用于蚀刻工件的材料的方法1100，其中该方法可包括将蚀刻剂的层流提供到工件210的待蚀刻的一侧上的步骤1102以及沿着预定义轨道移动工件210经过蚀刻剂206的层流的步骤1104。
图12示出根据一个实施例的用于蚀刻工件的材料的方法1200。该方法可包括：把工件210提供给工件操作器212的步骤1202；把工件210传送到处理室204以用于蚀刻的步骤1204；把工件210浸入处理室204中并将蚀刻剂的层流提供到工件210的待蚀刻的一侧上的步骤1206；在处理室中转动工件210的步骤1208、1210，其中转动的中心在工件210外面并且其中没有工件210相对于工件操作器212的固有运动和/或固有转动；把工件210移出处理室的步骤1212；把工件210浸入到冲洗室中的步骤1214；在冲洗室中转动工件210的步骤1216；把工件210传送至干燥器以进行干燥的步骤1218。
与可能满足蚀刻的均匀性不是关键标准的蚀刻工艺的常规方法相比，上述实施例提供用于获得高度均匀并且高度受控的湿法蚀刻的解决方案。
尽管已参照特定实施例具体地示出并描述了本发明，但是本领域技术人员应当理解，在不脱离如由所附权利要求书限定的本发明的精神和范围的情况下可在其中在形式和细节上做出各种改变。本发明的范围因此由所附权利要求书来指示，并且处在权利要求书的等同物的含义和范围内的所有变化因此意图被包括。

Claims (23)

1. 一种蚀刻装置，包括：
处理室，其包括蚀刻剂；
配置成提供所述蚀刻剂的层流的结构；以及
工件操作器，其被配置成沿着预定义轨道移动工件经过所述蚀刻剂的层流。
2. 根据权利要求1所述的蚀刻装置，其中，所述预定义轨道形成环的至少一部分；以及
其中所述环的中心位于所述工件外面。
3. 根据权利要求1所述的蚀刻装置，其中，所述处理室包括配置成容纳所述蚀刻剂的处理槽。
4. 根据权利要求3所述的蚀刻装置，其中，所述蚀刻装置被配置成生成通过所述处理槽的所述蚀刻剂的流动。
5. 根据权利要求1所述的蚀刻装置，其中，所述蚀刻剂的层流被配置成蚀刻所述工件的一侧。
6. 根据权利要求5所述的蚀刻装置，其中，所述蚀刻装置被配置成使得，向所述工件的待蚀刻的一侧的所述蚀刻剂的层流的流量大于由于扩散、对流和重力中的至少一项引起的向所述工件的待蚀刻的一侧的所述蚀刻剂的流量。
7. 根据权利要求4所述的蚀刻装置，还包括：至少一个泵，其被连接到所述处理室以提供通过所述处理槽的所述蚀刻剂的流动。
8. 根据权利要求1所述的蚀刻装置，其中，所述结构包括多个通道，所述多个通道引导所述蚀刻剂以由此提供所述层流。
9. 根据权利要求8所述的蚀刻装置，其中，所述通道由管阵列形成，所述管阵列以预定义方式被布置以提供所述层流。
10. 根据权利要求8所述的蚀刻装置，其中，所述结构包括板，所述板包括多个通孔以作为所述多个通道。
11. 根据权利要求10所述的蚀刻装置，其中，所述板的大小是所述工件的至少两倍。
12. 根据权利要求1所述的蚀刻装置，其中，所述工件操作器被配置成移动所述工件经过所述蚀刻剂的层流而没有所述工件相对于所述工件操作器的固有运动。
13. 根据权利要求12所述的蚀刻装置，其中，所述工件操作器被配置成移动所述工件经过所述蚀刻剂的层流而没有所述工件相对于所述工件操作器的固有转动。
14. 根据权利要求1所述的蚀刻装置，其中，所述工件的待蚀刻的一侧被配置成相对于所述蚀刻剂的层流的方向处于固定角度。
15. 根据权利要求14所述的蚀刻装置，其中，所述工件的待蚀刻的一侧被配置成基本上垂直于所述蚀刻剂的层流。
16. 根据权利要求1所述的蚀刻装置，其中，所述工件是晶片。
17. 根据权利要求16所述的蚀刻装置，其中，所述晶片是半导体晶片。
18. 根据权利要求16所述的蚀刻装置，其中，所述工件是太阳能电池。
19. 根据权利要求16所述的蚀刻装置，其中，所述工件是印刷电路板。
20. 根据权利要求1所述的蚀刻装置，其中，所述工件包括待蚀刻的结构。
21. 根据权利要求20所述的蚀刻装置，其中，所述待蚀刻的结构包括能够使用扩散受控的蚀刻工艺、使用所述蚀刻剂蚀刻的材料。
22. 根据权利要求21所述的蚀刻装置，其中，所述待蚀刻的结构包括从包括下述的组中选择的材料：铜、多晶硅、硅和铝。
23. 一种用于蚀刻工件的材料的方法，所述方法包括：
将蚀刻剂的层流提供到工件的待蚀刻的一侧上；以及
沿着预定义轨道移动所述工件经过所述蚀刻剂的层流。
CN201210127461.6A 2011-04-28 2012-04-27 蚀刻装置和用于蚀刻工件的材料的方法 Active CN102760672B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/095956 2011-04-28
US13/095,956 US9318358B2 (en) 2011-04-28 2011-04-28 Etching device and a method for etching a material of a workpiece

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102760672A true CN102760672A (zh) 2012-10-31
CN102760672B CN102760672B (zh) 2017-09-15

Family

ID=47055075

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210127461.6A Active CN102760672B (zh) 2011-04-28 2012-04-27 蚀刻装置和用于蚀刻工件的材料的方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9318358B2 (zh)
CN (1) CN102760672B (zh)
DE (1) DE102012103769A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108321104A (zh) * 2018-03-15 2018-07-24 福建省福联集成电路有限公司 一种具有新型管路结构的蚀刻装置
CN108461426A (zh) * 2018-03-15 2018-08-28 福建省福联集成电路有限公司 一种多功能的蚀刻装置
CN108598016A (zh) * 2018-03-15 2018-09-28 福建省福联集成电路有限公司 一种均匀场流的蚀刻装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9318358B2 (en) * 2011-04-28 2016-04-19 Infineon Technologies Ag Etching device and a method for etching a material of a workpiece
CN110764375A (zh) * 2019-11-28 2020-02-07 上海骄成机电设备有限公司 一种蚀刻装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04243117A (ja) * 1991-01-18 1992-08-31 Fujitsu Ltd Ｘ線露光用マスク製造装置
CN101056718A (zh) * 2004-11-19 2007-10-17 诺发系统有限公司 工件表面电化学加工期间清除残存空气的方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57110674A (en) 1980-12-29 1982-07-09 Fujitsu Ltd Surface treating device
US5806544A (en) * 1997-02-11 1998-09-15 Eco-Snow Systems, Inc. Carbon dioxide jet spray disk cleaning system
JP4386263B2 (ja) 2004-02-12 2009-12-16 キヤノン株式会社 物品の処理装置及び処理方法
KR100882910B1 (ko) * 2007-07-19 2009-02-10 삼성모바일디스플레이주식회사 식각장치
US8894803B2 (en) * 2008-03-05 2014-11-25 Heateflex Corporation Apparatus and method for etching the surface of a semiconductor substrate
US9318358B2 (en) * 2011-04-28 2016-04-19 Infineon Technologies Ag Etching device and a method for etching a material of a workpiece

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04243117A (ja) * 1991-01-18 1992-08-31 Fujitsu Ltd Ｘ線露光用マスク製造装置
CN101056718A (zh) * 2004-11-19 2007-10-17 诺发系统有限公司 工件表面电化学加工期间清除残存空气的方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108321104A (zh) * 2018-03-15 2018-07-24 福建省福联集成电路有限公司 一种具有新型管路结构的蚀刻装置
CN108461426A (zh) * 2018-03-15 2018-08-28 福建省福联集成电路有限公司 一种多功能的蚀刻装置
CN108598016A (zh) * 2018-03-15 2018-09-28 福建省福联集成电路有限公司 一种均匀场流的蚀刻装置
CN108461426B (zh) * 2018-03-15 2024-01-23 福建省福联集成电路有限公司 一种多功能的蚀刻装置
CN108598016B (zh) * 2018-03-15 2024-01-23 福建省福联集成电路有限公司 一种均匀场流的蚀刻装置
CN108321104B (zh) * 2018-03-15 2024-01-23 福建省福联集成电路有限公司 一种具有管路结构的蚀刻装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN102760672B (zh) 2017-09-15
US9318358B2 (en) 2016-04-19
US20120273462A1 (en) 2012-11-01
DE102012103769A1 (de) 2013-04-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102760672A (zh) 蚀刻装置和用于蚀刻工件的材料的方法
TWI646226B (zh) 用於透光阻金屬電鍍之溼式預處理的方法及設備
JP6866148B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR101763505B1 (ko) 기판 세정 및 건조를 위한 방법 및 장치
JP2012209299A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
US11282731B2 (en) Wafer cutting device and method
CN102844464A (zh) 表面处理设备
CN108206145A (zh) 一种实现相邻晶圆对转的腐蚀装置及腐蚀方法
US10062586B2 (en) Chemical fluid processing apparatus and chemical fluid processing method
JP5954776B2 (ja) 基板処理装置
US20220351986A1 (en) Wet bench structure
KR101688473B1 (ko) 스핀 현상 방법 및 장치
CN101529576B (zh) 用于基片化学镀的设备和方法
KR20070086411A (ko) 반도체 기판 세정을 위한 장치 및 방법
US20080163900A1 (en) Ipa delivery system for drying
CN111613549A (zh) 基片处理装置及基片处理方法
EP1371755A1 (en) Method of electroless plating and apparatus for electroless plating
JPH0456321A (ja) 半導体ウエハの洗浄装置
US20080169007A1 (en) Apparatus and method for processing a hydrophobic surface of a substrate
US11107671B2 (en) Method of processing semiconductor substrate
US20150352591A1 (en) Substrate treating method
US20060237043A1 (en) Method and apparatus for cleaning semiconductor substrates
JP2008021920A (ja) 半導体基板のエッチング装置及びエッチング方法
KR20120015660A (ko) 노즐 유닛
JPH07161677A (ja) 洗浄／エッチング装置およびその方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant