CN110945105A - 量子点以及使用量子点的波长转换构件、照明构件、背光装置、显示装置以及量子点的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于提供一种不包含镉的荧光半峰宽小的量子点。本发明的量子点(5)的特征在于，不包含镉，荧光半峰宽为30nm以下。量子点优选含有锌和碲，或锌、碲和硫，或锌、碲、硒和硫的纳米晶体。此外，量子点优选具有以下核壳结构：以所述纳米晶体为核，在所述核的表面包覆有壳。

Description

量子点以及使用量子点的波长转换构件、照明构件、背光装 置、显示装置以及量子点的制造方法
技术领域
本发明涉及不包含镉的量子点和使用量子点的波长转换构件、照明构件、背光装置、显示装置以及量子点的制造方法。
背景技术
量子点是由数百～数千个左右的原子构成，粒径为数nm～数十nm左右的纳米粒子。量子点也被称为荧光纳米粒子、半导体纳米粒子或纳米晶体。
量子点能够根据纳米粒子的粒径、组成进行发光波长的各种变换。此外，可列举出荧光量子产率(Quantum Yield：QY)、荧光半峰宽(Full Width at Half Maximum：FWHM)作为表示量子点的性能的特征。在将量子点用作可见光区域的波长转换材料的情况下，作为其最大的特征，可列举为可以表现的颜色的范围宽广，即高色域化。因此，在使用量子点的可见光区域中的波长转换构件所引起的高色域化中，重要的光学特性是荧光半峰宽。
一直以来可以使用的高效率的量子点主要是包含镉(Cd)的物质。包含Cd的量子点具有荧光量子产率高、荧光半峰宽窄之类的优点。另一方面，Cd因其毒性而在各国限制其使用，这成为实用化的一大障碍。
对此，对不含有Cd的自由量子点的开发也进行有为数众多的探讨。代表性的物质之一是黄铜矿系的硫化铜铟(Copper Indium Sulfide(CuInS2))：具有CIS系量子点(例如，参照专利文献1)。然而，由于发光原理是缺陷发光，与Cd系的量子点相比其光学特性不高，一般来说荧光半峰宽为80～100nm以上。除CIS系以外的黄铜矿系量子点也一样，迄今为止没有报道荧光半峰宽低于60nm的黄铜矿系量子点的合成。
此外，作为无Cd的量子点的另一个代表物质，有磷化铟(Indium Phosphide(InP))：InP系的量子点(例如，参照专利文献1)。然而，InP系量子点相比CdSe系量子点，荧光半峰宽更宽，迄今为止没有报道荧光半峰宽低于35nm的InP系量子点的合成。
此外，作为无镉系量子点，已知有硒化锌(ZnSe)，但由于ZnSe的带隙为2.7eV，仅用ZnSe不可能实现绿色以上的发光。
作为其他锌系的量子点，考虑为碲化锌(ZnTe)，但该溶液合成的相关报告例不多。
在下述非专利文献1中详细记载有使用有机锌化合物和三烷基碲化膦直接合成ZnTe的方法。由这篇论文所得到的ZnTe，对随着粒子成长吸收向长波长侧移动等进行了详细地研究，但这篇论文中所合成的ZnTe都不具有荧光特性。
此外，在下述非专利文献2中，闪锌矿结构的ZnTe的合成是以有机锌化合物和通过超级氢化物(三乙基硼氢化锂Lithium triethylborohydride:LiBHEt2)还原Te作为原料而合成的。报告有通过探讨各种反应条件来控制ZnTe的纳米粒子形态的研究。合成方法的特征是采用反应性非常高、在量产中难以使用的超级氢化物。在这篇论文中详细报告有所得到的ZnTe的粒子形态、结晶结构和吸收光谱，但没有关于荧光特性的记载。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2007/060889号小册子
非专利文献
非专利文献1：ZnTe和ZnTe/ZnS核/壳半导体纳米晶体的合成和性能。材料化学期刊。C,2014,2,2877(Journal of Materials Chemistry.C,2014,2,2877Synthesis andproperties of ZnTe and ZnTe/ZnS core/shell semiconductor nanocrystals)
非专利文献2：有机溶液中ZnTe纳米晶体生长的形状控制。物理化学期刊C。2005,112(14),pp5454-5458(Journal of Physical Chemistry C,2008,112(14),pp 5454-5458Shape-Control of ZnTe Nanocrystal Growth in Organic Solution)
发明内容
发明所要解决的问题
如上所述，虽然CIS系、InP系等不含镉的量子点的研究开发正在进行，但任意的量子点的荧光半峰宽都很大。
此外，关于上述ZnTe，在直接合成的合成方法中，为了提高锌原料的反应性，例如一般使用二乙基锌(Et2Zn)。然而，由于二乙基锌的反应性高，在空气中起火而必须在惰性气体气流中进行操作等，难以进行原料的处理、保管，由于使用它的反应也伴随着发热、起火等危险，因此不适合量产。
此外，在使用反应性低的脂肪酸盐、卤化锌等有机锌原料的反应体系中，虽然生成了ZnTe，但粒子生成不充分、结构缺陷多。因此，存在精制的纳米粒子一般看不到荧光的问题。
在荧光半峰宽较窄的ZnTe量子点的制造方法中，没有可以量产的安全的方法确认荧光的报告例。
本发明是鉴于这一点做出的，目的在于提供一种荧光半峰宽较窄且不含有镉的量子点。
此外，本发明的目的在于提供一种安全并且可以量产地合成量子点的量子点的制造方法。
解决问题的方法
本发明的量子点，其特征在于不包含Cd，荧光半峰宽为40nm以下。
在本发明中，所述荧光半峰宽优选为30nm以下。
在本发明中，所述荧光半峰宽更优选为25nm以下。
在本发明中，所述量子点优选为含有锌(Zn)和碲(Te)，或锌(Zn)、碲(Te)和硫(S)，或锌(Zn)、碲(Te)、硒(Se)和硫(S)的纳米晶体。
在本发明中，所述量子点优选具有以下核壳结构，即，以所述纳米晶体为核，在所述核的表面包覆有壳。
在本发明中，荧光波长优选为400nnm以上且650nm以下的范围。
在本发明中，所述量子点的表面优选覆盖有配体(Ligand)。
在本发明中，所述配体优选选择脂肪族胺系化合物、膦系化合物以及脂肪族羧酸系化合物中的至少任意1种或2种。
本发明的波长转换构件，其特征在于包含上述量子点。
本发明的照明构件，其特征在于包含上述量子点。
本发明的背光装置，其特征在于包含上述量子点。
本发明的显示装置，其特征在于包含上述量子点。
本发明的量子点的制造方法，优选为由有机铜化合物、或由无机铜化合物与有机硫族化合物，合成铜硫化物作为前体，使用所述前体来合成不包含镉的量子点。
在本发明中，优选将由所述铜硫化物形成的前体的铜和锌进行金属交换。
在本发明中，铜(Cu)和锌(Zn)的金属交换反应优选在180℃以上280℃以下进行。此外，优选在160℃以上250℃以下的反应温度下合成所述铜硫化物。
发明效果
根据本发明的量子点，由于能够合成粒子形状、尺寸均匀的量子点，所以能够使荧光半峰宽变窄，能够实现高色域化的提高。
此外，根据本发明的量子点的制造方法，能够以安全且可量产的方法合成荧光半峰宽较窄、不含Cd的量子点。
附图说明
图1为本发明的实施方式的量子点的示意图。
图2为使用本发明的实施方式的纳米晶体的LED装置的示意图。
图3为使用图2所示的LED装置的显示装置的纵剖面图。
图4为实施例1的ZnTe的荧光(光致发光，Photoluminescence:PL)光谱。
图5为实施例2的ZnTe的PL光谱。
图6为实施例3的ZnTeS的PL光谱。
图7为实施例4的ZnTeSeS的PL光谱。
图8为实施例5的ZnTe的PL光谱。
图9为实施例6的ZnTeS的PL光谱。
图10为实施例1的ZnTe的扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscopy)照片。
图11为实施例1的ZnTe的X射线衍射(Xray Diffraction：XRD)光谱。
图12为实施例1的Cu2Te的SEM照片。
图13为实施例7的ZnTe的PL光谱。
图14为实施例8的ZnTeSe的PL光谱。
图15为实施例9的ZnTeSe的PL光谱。
图16为实施例10的ZnTeSe的PL光谱。
图17为实施例11的ZnTe/ZnSe的PL光谱。
图18为实施例12的ZnTe/ZnSe/ZnS的PL光谱。
图19为实施例13的ZnTeS/ZnSeS的PL光谱。
图20为实施例14的ZnTeSeS/ZnSeS的PL光谱。
图21为实施例15的ZnTe/ZnSe的PL光谱。
图22为实施例16的ZnSe的PL光谱。
具体实施方式
接下来，详细地说明本发明的一个实施方式(以下，简记为“实施方式”)。另外，本发明不限于以下实施方式，可以在其主旨范围内进行各种变形来实施。
图1为本实施方式的量子点的示意图。图1A所示的量子点5为不包含Cd的纳米晶体。
在本实施方式中，量子点5优选为含有锌和碲(以下称为Zn、Te)，或锌、碲和硫(以下称为Zn、Te、S)，或锌、碲、硒和硫(以下称为Zn、Te、Se、S)的纳米晶体。另外，也可以是包含锌、碲和硒的纳米晶体。或者，量子点5也可以是含有锌和硒的纳米晶体。
量子点5具有带端发光的荧光特性，由其粒子大小表现量子尺寸效应。
在此“纳米晶体”指的是具有数nm～数十nm左右的粒径的纳米粒子。在本实施方式中，多数量子点5能够以大致均一的粒径生成。
在量子点5中包含的Zn和Te，或Zn、Te和S，或Zn、Te、Se和S，或Zn和Se为主要成分，也可以包含这些元素以外的元素。其中，不包含Cd，此外也不包含磷(P)的物质是优选的。有机磷化合物价格昂贵，此外，在空气中容易氧化，故而合成不稳定而容易带来成本的上升、荧光特性的不稳定化、制造步骤的繁杂性。
本实施方式的量子点5，荧光半峰宽为40nm以下。“荧光半峰宽”指的是表示在荧光光谱中的荧光强度的峰值的一半强度的荧光波长的宽度范围的半值宽度(Full Width atHalf Maximum)。此外，荧光半峰宽优选为30nm以下。此外，荧光半峰宽优选为28nm以下。此外，荧光半峰宽更优选为26nm以下。此外，荧光半峰宽进一步优选为25nm以下。此外，荧光半峰宽更进一步优选为23nm以下。因此，由于能够使荧光半峰宽变窄，所以能够实现高色域化的提高。在本实施方式中，如后所述，作为合成量子点5的反应体系，合成作为前体的铜硫化物之后，对前体进行金属交换反应。通过基于这样的间接合成反应而制造量子点5，能够使荧光半峰宽变窄，具体地，能够得到40nm以下(优选为30nm以下)的荧光半峰宽。
如图1A所示，优选量子点5的表面配位有大量的有机配体11。由此，能够抑制量子点5之间的聚集，表现作为目标的光学特性。对可用于反应的配体没有特别的限定，例如，可列举以下配体为代表性的配体。
脂肪族伯胺系，油基胺：C18H35NH2、硬脂基(十八烷基)胺：C18H37NH2、十二烷基(月桂基)胺：C12H25NH2、癸基胺：C10H21NH2、辛基胺：C8H17NH2
脂肪酸，油酸：C17H33COOH、硬脂酸：C17H35COOH、棕榈酸：C15H31COOH、肉豆蔻酸：C13H27COOH、月桂酸：C11H23COOH，癸酸：C9H19COOH，辛酸：C7H15COOH
硫醇系，十八烷硫醇：C18H37SH、十六烷硫醇：C16H33SH，十四烷硫醇：C14H29SH，十二烷硫醇：C12H25SH，癸烷硫醇：C10H21SH，辛烷硫醇：C8H17SH
膦系，三辛基膦：(C8H17)3P、三苯基膦：(C6H5)3P、三丁基膦：(C4H9)3P
氧化膦系，三辛基氧化膦：(C8H17)3P＝O、三苯基氧化膦：(C6H5)3P＝O、三丁基氧化膦：(C4H9)3P＝O
在本实施方式中，配体不限于1个官能团的小分子，也可以使用2个官能团、3个官能团、4个官能团以上的多官能团的低聚物、聚合物。
本实施方式中的量子点5的荧光量子产率(Quantum Yield)为5％以上。此外，荧光量子产率更优选为10％以上，进一步优选为20％以上。因此，本实施方式能够提高量子点的荧光量子产率。
本实施方式能够将荧光波长自由控制至400nm以上650nm以下左右。例如，本实施方式的量子点5是使用除锌以外的硫族元素、且以ZnTe为基体的固溶体。在本实施方式中，通过调整量子点5的粒径以及量子点5的组成，可以将荧光波长控制至蓝色～绿色～黄色～红色。因此，荧光波长优选为400nm以上，更优选为430nm以上。此外，就荧光波长而言，优选作为红色发光为650nm以下，更优选作为绿色发光为580nm以下。
另外，在本实施方式中，如上所述，可以将荧光波长控制在蓝色～红色，但作为可见光区域的波长转换材料优选为绿色或红色发光。
图1B所示的量子点5具有核5a和包覆于核5a的表面的壳5b的核壳结构。如图1B所示，优选在量子点5的表面配位有大量的有机配体11。此外，图1B所示的量子点5的荧光半峰宽为40nm以下。荧光半峰宽优选为30nm以下。
图1B所示的量子点5的核5a为图1A所示的纳米晶体。因此，优选核5a由ZnTe、ZnTeS、ZnTeSeS、ZnSe、ZnSeS形成。壳5b与核5a同样地不包含镉(Cd)。壳5b无特别材质，例如由硒化锌(ZnSe)、硫化锌(ZnS)等形成。
另外，壳5b也可以是固溶化于核5a的表面的状态。在图1B中，以虚线表示核5a与壳5b的边界，但这指的是能够通过分析确认核5a和壳5b的边界或无法通过分析确认核5a与壳5b的边界，两者都是可以的。
图1B所示的量子点5与图1A同样地，能够将荧光波长自由地控制在400nm以上至650nm以下左右。
接下来，说明本实施方式的量子点5的制造方法。
首先，在本实施方式中，由有机铜化合物或由无机铜化合物与有机硫族化合物来合成铜硫化物(前体)。具体地，作为前体优选为碲化铜：Cu2Te、或碲化硫化铜：Cu2TeS、碲化硒化硫化铜：Cu2TeSeS、硒化铜：Cu2Se或硒化硫化铜：Cu2SeS。
在本实施方式中，仅ZnTe核发出荧光，但为了提高量子点的荧光强度，优选将S固溶在ZnTe中。因此，在作为前体的Cu2Te的合成中，相对于Te，优选添加1～50当量的硫醇，为得到荧光强度更高的量子点，更优选添加5～20当量。由此，可以得到Cu2TeS、Cu2TeSeS。对硫醇没有特别地限定，例如，十八烷硫醇：C18H37SH、十六烷硫醇：C16H33SH、十四烷硫醇：C14H29SH、十二烷硫醇：C12H25SH、癸烷硫醇：C10H21SH、辛烷硫醇：C8H17SH等。
在此，在本实施方式中，对Cu2Te的Cu原料没有特别地限定，例如，可以使用下述有机铜试剂、无机铜试剂。即，可以使用作为醋酸盐的醋酸铜(I)Cu(OAc)、醋酸铜(II)：Cu(OAc)2，作为脂肪酸铜的硬脂酸铜：Cu(OC(＝O)C17H35)2、油酸铜：Cu(OC(＝O)C17H33)2、肉豆蔻酸铜：Cu(OC(＝O)C13H27)2、十二酸铜：Cu(OC(＝O)C11H23)2，乙酰丙酮铜：Cu(acac)2，可以使用作为卤化物的1价或2价的两者的化合物，氯化铜(I)：CuCl、氯化铜(II)：CuCl2、溴化铜(I)：CuBr、溴化铜(II)：CuBr2、碘化铜(I)：CuI、碘化铜(II)：CuI2等。
在本实施方式中，碲以有机碲化合物(有机硫族化合物)作为原料而使用。对化合物的结构没有特别地限定，例如，可以使用将碲溶解在三辛基膦中而成的三辛基碲化膦：(C8H17)3P＝Te，或者将碲溶解在三丁基膦中而成的三丁基碲化膦：(C4H9)3P＝Te。此外，也可以使用二苯基二碲：(C6H5)2Te2等的二烷基二碲：R2Te2。
此外，在本实施方式中，在使硒固溶的情况下，硒以有机硒化物(有机硫族化合物)作为原料而使用。对结构没有特别地限定，例如，可以使用将硒溶解在三辛基膦中而成的三辛基硒化膦：(C8H17)3P＝Se，或者将硒溶解在三丁基磷中而成的三丁基硒化膦：(C4H9)3P＝Se，或者高温下使硒溶解在十八碳烯之类的长链碳氢化合物的高沸点溶剂中而成的溶液。
在本实施方式中，将有机铜化合物或无机铜化合物与有机硫化物混合而溶解。作为溶剂，可以使用作为高沸点的饱和碳氢化合物或不饱和碳氢化合物的十八碳烯。除这些以外，也可以使用作为芳香族的高沸点溶剂的叔丁基苯：t-butylbenzene，作为高沸点的酯系溶剂的丁酸丁酯：C4H9COOC4H9、丁酸苄酯：C6H5CH2COOC4H9等，但也可以将脂肪族胺系化合物或脂肪酸系化合物、脂肪族磷系化合物作为溶剂。
此时，将反应温度设定为160℃以上且250℃以下的范围，合成铜硫化物(前体)。另外，反应温度优选为更低温的160℃以上且220℃以下，更优选为更加低温的160℃以上且200℃以下。
此外，在本实施方式中，对反应方法没有特别地限定，但为了获得半峰宽较窄的量子点，重要的是合成粒径均匀的Cu2Te、Cu2TeS、Cu2TeSeS、Cu2Se、Cu2SeS。因此在作为前体的Cu2Te、或Cu2TeS、Cu2TeSeS、Cu2Se、Cu2SeS的合成中，对于加热后的有机铜原料溶液，优选迅速地添加碲原料溶液、或碲原料和硒原料、或硒原料的混合溶液。
此外，在本实施方式中，重要的是为了得到作为核的荧光强度高的ZnTe、ZnSe而使硫(S)固溶在核中。因此，例如，在前体的Cu2Te的合成中，相对于Te，优选添加1～50当量的硫醇，为获得荧光强度高的量子点更优选添加5～20当量。对硫醇没有特别地限定，例如，十八烷硫醇：C18H37SH、十六烷硫醇：C16H33SH、十四烷硫醇：C14H29SH、十二烷硫醇：C12H25SH、癸烷硫醇：C10H21SH、辛烷硫醇：C8H17SH等。
接下来，准备作为ZnTe、ZnTeS、ZnTeSeS、ZnSe或ZnSeS的原料的有机锌化合物、无机锌化合物。有机锌化合物、无机锌化合物为即使在空气中也稳定并且容易操作的原料。对有机锌化合物、无机锌化合物的结构没有特别地限定，但为高效地进行金属交换反应，优选使用离子性高的锌化合物。例如，可以使用以下所示的有机锌化合物和无机锌化合物。即，可使用作为醋酸盐的醋酸锌Zn(OAc)2、硝酸锌：Zn(NO3)2，作为脂肪酸盐的硬脂酸锌：Zn(OC(＝O)C17H35)2、油酸锌：Zn(OC(＝O)C17H33)2、棕榈酸锌：Zn(OC(＝O)C15H31)2、肉豆蔻酸锌：Zn(OC(＝O)C13H27)2、十二酸锌：Zn(OC(＝O)C11H23)2，乙酰丙酮锌：Zn(acac)2，作为卤化物的氯化锌：ZnCl2、溴化铜(II)：ZnBr2、碘化锌：ZnI2，作为氨基甲酸锌的二乙基二硫代氨基甲酸锌：Zn(SC(＝S)N(C2H5)2)2、二甲基二硫代氨基甲酸锌：Zn(SC(＝S)N(CH3)2)2、二丁基二硫代氨基甲酸锌：Zn(SC(＝S)N(C4H9)2)2等。
接下来，将上述有机锌化合物、无机锌化合物添加至合成了铜硫化物前体的反应溶液中。由此，发生铜硫化物的铜(Cu)和锌(Zn)的金属交换反应。金属交换反应优选在180℃以上280℃以下发生。此外，更优选金属交换反应在更低温的180℃以上250℃以下发生。
此外，在本实施方式中，进行金属交换反应时，需要具有以下辅助作用的化合物，该化合物通过配位或螯合等使前体的金属游离在反应溶液中。
作为具有上述作用的化合物，可列举能与铜络合形成的配体。例如，优选为磷系配体、胺系配体、硫系配体，在这些之中更优选其效率高的磷系配体。
由此，适当地进行Cu和Zn的金属交换，从而能够制造以Zn和Te、Zn和Se为基体的荧光半峰宽较窄的量子点。
此外，优选定量地进行Cu-Zn的金属交换。为提高生成的ZnTe、ZnSe的光学特性，优选降低ZnTe、ZnSe中Cu的残存量。Cu的残存量优选为100ppm，更优选为50ppm，理想的为10ppm以下。
在本实施方式中，由有机铜化合物或无机铜化合物与有机硫族化合物合成铜硫化物作为前体，通过使用前体进行金属交换来合成量子点。因此，在本实施方式中，首先，通过前体的合成来合成量子点，而不是直接合成ZnTe、ZnSe。通过这种间接合成方法，不需要使用反应性过高且操作危险的试剂，能够安全且稳定地合成半峰宽较窄的ZnTe系量子点、ZnSe系量子点。
此外，在本实施方式中，无需对前体进行分离、精制，可以通过一步(one pot)进行Cu-Zn的金属交换而获得所期望的量子点。
此外，在本实施方式中，即使对合成的量子点不进行清洗、分离精制、包覆处理、配体交换等各种处理也表现出荧光特性。
并且，如图1B所示，通过壳5b包覆由ZnSe或ZnSeS等纳米晶体形成的核5a，能够进一步使荧光量子产率增大。
此外，在本实施方式中，可以在前体阶段合成核/壳结构。例如，在壳结构使用硒化锌(ZnSe)的情况下，前体的铜硫化物为Cu2Te/Cu2Se。通过在一个反应容器中连续添加Te原料和Se原料来合成它，接着通过进行Cu-Zn的金属交换能够得到ZnTe/ZnSe。
在本实施方式中，通过使用作为前体的Cu2Te、Cu2TeS或Cu2TeSeS来进行Cu-Zn的金属交换，不仅合成ZnTe、ZnTeS或ZnTeSeS纳米晶体，而且例如通过使用Cu2Te/Cu2Se作为前体来进行Cu-Zn的金属交换而能够进行具有核壳结构的ZnTe/ZnSe的合成。同样地，也可以进行具有核壳结构的固溶体的一次性合成。
在本实施方式中，前体主要使用Cu2Te或Cu2TeS、Cu2TeSeS，通过Cu2Te、Cu2TeS、Cu2TeSeS也同样地进行Cu-Zn的金属交换，能够得到ZnSe、ZnSeS或ZnS等纳米晶体。
对图1所示的量子点5的用途没有特别地限定，以下列举几个具体实例。
图2为使用本实施方式的量子点的LED装置的示意图。如图2所示，本实施方式的LED装置1具有收纳箱2、LED芯片(发光单元)3和荧光层4而构成，收纳箱2具有底面2a和包围底面2a的周围的侧壁2b，LED芯片3配置在收纳箱2的底面2a，荧光层4填充在收纳箱2内并且对LED芯片3的上表面侧进行密封。在此，上表面侧表示从收纳箱2释放LED芯片3所发出光的方向，即，底面2a相对于LED芯片3的相反方向。
LED芯片3配置在未图示出的基底布线基板上，基底布线基板也可以构成收纳箱2的底面部。作为基底基板，例如可以显示在玻璃环氧树脂等基材上形成配线图案的结构。
LED芯片3是顺向施加电压时发光的半导体单元，具有P型半导体层和N型半导体层通过PN结合而成的基本结构。
如图2所示，荧光层4由分散了大量量子点5的树脂6形成。
此外，本实施方式中分散了量子点5的树脂组成物也可以包含量子点5和不同于量子点5的其他的荧光物质。作为荧光物质，有塞隆(SiAlON)、KSF(K2SiF6:Mn4+)红色荧光体等，对材质没有特别地限定。
构成荧光层4的树脂6没有特别地限定，可以使用聚丙烯(Polypropylene：PP)、聚苯乙烯(Polystyrene：PS)、丙烯酸树脂(Aceylic resin)、甲基丙烯酸树脂(Methacrylate)、MS树脂、聚氯乙烯(Polyvinyl chloride：PVC)、聚碳酸酯(Polycarbonate：PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate：PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene naphthalate：PEN)、聚甲基戊烯(Polymethylpentene)、液晶聚合物、环氧树脂(Epoxy resin)、硅树脂(Silicone resin)或它们的混合物等。
使用本实施方式的量子点的LED装置可以适用于显示装置。图3为使用图2所示的LED装置的显示装置的纵剖面图。如图3所示，显示装置50具有多个LED装置20和与各LED装置20相对置的液晶显示器等的显示部54而构成。各LED装置20配置在显示部54的背面侧。各LED装置20与图2所示的LED装置1同样地，具有通过扩散了大量量子点5的树脂而将LED芯片密封的结构。
如图3所示，多个LED装置20由支撑体52支撑。各LED装置20空出指定间隔而排列。各LED装置20和支撑体52构成有相对于显示部54的背光灯55。支撑体52为片状、板状或盒状等，对形状、材质没有特别地限定。如图3所示，光扩散板53等也可以介于在背光灯55和显示部54之间。
通过本实施方式的荧光半峰宽较窄的量子点5适用于图2所示的LED装置、图3所示的显示装置等，能够有效地提高装置的发光特性。
实施例
以下，通过本发明的实施例和比较例说明本发明的效果。另外，本发明不限于以下实施例。
<原料>
在本发明合成不含镉的量子点时使用了以下原料。
溶剂
十八碳烯：Aldrich株式会社制、出光兴产株式会社制
油胺：花王株式会社制
油酸：花王株式会社制
氯化锌：Aldrich株式会社制
碘化锌：Aldrich株式会社制
醋酸锌二水合物：生驹化学株式会社制
无水醋酸锌：Aldrich株式会社制
碲(4N：99.99％)：新兴化学株式会社制或Aldrich株式会社制
硒(4N：99.99％)：新兴化学株式会社制或Aldrich株式会社制
硫：KISHIDA Chemical Co.,Ltd.制
三辛基膦：北兴化学株式会社制
三辛基氧化膦：Aldrich会社生产
十四烷：东京化成(TCI)社制
亚磷酸三苯：Aldrich会社制
十六胺：日油株式会社生产
十二烷硫醇：ARKEMA K.K.生产
<测量仪器>
荧光分光计：日本分光株式会社制 F-2700
紫外-可见光分光光度计：日立株式会社制 V-770
量子产率测量装置：大塚电子株式会社制 QE-1100
X射线衍射装置(XRD)：Bruker公司制 D2 PHASER
扫描电子显微镜(SEM)：日立株式会社制 SU9000
[实施例1]
在100ml反应容器中加入无水醋酸铜：Cu(OAc)2 36.3mg、十二烷硫醇：DDT 0.5mL、油胺：OLAm 0.1mL和十八碳烯：ODE 4mL。然后，在惰性气体(N2)氛围下搅拌并加热，使原料溶解。
在该溶液中添加三辛基碲化膦：Te-TOP溶液(0.5M)0.2mL，在220℃搅拌并加热10分钟。将得到的反应溶液(Cu2Te)冷却至室温。
之后，在反应溶液中加入氯化锌：ZnCl2 273mg、三辛基膦：TOP 3mL和油胺：OLAm0.1mL，在惰性气体(N2)氛围下，在220℃搅拌并加热30分钟。
用荧光分光计测量得到的反应溶液。其结果为，如图4所示，得到了荧光波长为约518.5nm、荧光半峰宽为约24.3nm的光学特性。
此外，在得到的反应液中加入乙醇而产生沉淀，进行离心分离而回收沉淀。然后，在该沉淀中加入甲苯并分散，作为ZnTe粒子的分散溶液。
[实施例2]
在100mL反应容器中加入无水醋酸铜：Cu(OAc)2 36.3mg、十六烷硫醇：HDT 63.8μL、油胺：OLAm 0.1mL和十八碳烯：ODE 10mL。然后，在惰性气体(N2)氛围下搅拌并加热，使原料溶解。
在该溶液中添加三辛基碲化膦：Te-TOP溶液(0.5M)0.2mL，在220℃搅拌并加热10分钟。
将得到的反应溶液冷却至室温。之后，在反应溶液中加入氯化锌：ZnCl2 273mg、三辛基膦：TOP 3mL和油胺：OLAm 0.1mL。然后在惰性气体(N2)氛围下，在250℃搅拌并加热15分钟。
用荧光分光计测量得到的反应溶液的结果，如图5所示，得到了荧光波长为约510.0nm、荧光半峰宽为约22.3nm的光学特性。
在得到的反应液中加入乙醇而产生沉淀，进行离心分离回收沉淀。然后，在该沉淀中加入甲苯并分散，得到ZnTe粒子的分散溶液。
[实施例3]
在100mL反应容器中加入无水醋酸铜：Cu(OAc)2 36.3mg和十二烷硫醇：DDT 5mL。然后，在惰性气体(N2)氛围下搅拌并加热，使原料溶解。
在该溶液中添加三辛基碲化膦：Te-TOP溶液(0.5M)0.2mL，在220℃搅拌并加热20分钟。将得到的反应溶液冷却至室温。之后，在反应溶液中加入氯化锌：ZnCl2 273mg、三辛基膦：TOP 3mL和油胺：OLAm 0.2mL。然后，在惰性气体(N2)氛围下，在220℃搅拌并加热30分钟。
用荧光分光计测量得到的反应溶液的结果，如图6所示，得到了荧光波长为约529.5nm、荧光半峰宽为约26.1nm的光学特性。
在得到的反应液中加入乙醇而产生沉淀，进行离心分离回收沉淀。然后，在该沉淀中加入甲苯并分散，得到ZnTeS的粒子溶液。
[实施例4]
在100mL反应容器中加入无水醋酸铜：Cu(OAc)2 72.7mg、三辛基碲化膦：Te-TOP溶液(0.5M)0.4mL、三辛基碲化硒：Se-TOP溶液(1M)0.2mL、十二烷硫醇：DDT 1mL和十八碳烯：ODE 8mL，在惰性气体(N2)氛围下搅拌并加热，使原料溶解。
将该溶液中在220℃搅拌并加热10分钟，之后，添加油胺：OLAm 0.2mL，在220℃搅拌并加热5分钟。将得到的反应溶液冷却至室温。之后，在反应溶液中加入氯化锌：ZnCl2546mg、三辛基膦：TOP 6mL和油胺：OLAm 0.2mL，在惰性气体(N2)氛围下，在220℃搅拌并加热30分钟。
用荧光分光计测量得到的反应溶液的结果为，得到了荧光波长522.5nm、荧光半峰宽24.9nm的光学特性(图7)。
在得到的反应液中加入乙醇而产生沉淀，进行离心分离回收沉淀，在该沉淀中加入甲苯并分散，作为ZnTeSeS粒子分散溶液。
[实施例5]
在100mL反应容器中加入无水醋酸铜：Cu(OAc)2 36.3mg、三辛基碲化膦：Te-TOP溶液(0.5M)0.2mL、十二烷硫醇：DDT 0.5mL和十八碳烯：ODE 4mL，在惰性气体(N2)氛围下搅拌并加热，使原料溶解。
将该溶液中在180℃搅拌并加热10分钟，之后，加入油胺：OLAm 0.1mL，在180℃搅拌并加热5分钟。将得到的反应溶液冷却至室温。之后，在反应溶液中加入氯化锌：ZnCl2273mg、三辛基膦：TOP 3mL和油胺：OLAm 0.1mL，在惰性气体(N2)氛围下，在220℃搅拌并加热30分钟。
将该溶液冷却至室温，加入氯化锌：ZnCl2 546mg，在惰性气体(N2)氛围下，在220℃搅拌并加热60分钟。
用荧光分光计测量得到的反应溶液，结果得到了荧光波长542.0nm、荧光半峰宽27.8nm的光学特性(图8)。
在得到的反应液中加入乙醇而产生沉淀，进行离心分离回收沉淀，在该沉淀中加入甲苯并分散，作为ZnTe粒子分散溶液。
[实施例6]
在100mL反应容器中加入无水醋酸铜：Cu(OAc)2 36.3mg、三辛基碲化膦：Te-TOP溶液(0.5M)0.2mL和十二烷硫醇：DDT 4mL，在惰性气体(N2)氛围下搅拌并加热，使原料溶解。
将该溶液中在220℃搅拌并加热10分钟，之后，添加油胺：OLAm 0.1mL，在220℃搅拌并加热10分钟。将得到的反应溶液冷却至室温。在得到的反应液中加入乙醇而产生沉淀，进行离心分离回收沉淀，在该沉淀中加入ODE 4mL和OLAm 0.1mL并分散，作为CuTe(S)粒子分散溶液。
之后，在反应溶液中加入氯化锌：ZnCl2 273mg和三辛基膦：TOP 3mL，在惰性气体(N2)氛围下，在220℃搅拌并加热20分钟。进一步地，添加辛酸锌溶液(0.2M)0.5mL，在220℃继续搅拌10分钟。将追加添加辛酸锌，实施加热搅拌的操作进行共计2次。
用荧光分光计测量得到的反应溶液，结果得到了荧光波长520.5nm、荧光半峰宽22.4nm的光学特性(图9)。
在得到的反应液中加入乙醇而产生沉淀，进行离心分离而回收沉淀，在该沉淀中加入甲苯并分散，作为ZnTeS粒子分散溶液。
[实施例7]
在100mL反应容器中加入无水醋酸铜：Cu(OAc)2 0.091g、十二烷硫醇：DDT0.625mL、三辛基膦：TOP 0.625mL、三辛基氧化膦TOPO 0.194g和十四烷10mL，在惰性气体(N2)氛围下搅拌并加热，使原料溶解。
将该溶液中添加三辛基碲化膦：Te-TOP溶液(0.5M)0.5mL和油胺：OLAm 0.125mL，在200℃搅拌并加热15分钟。将得到的反应溶液冷却至室温。之后，在反应溶液中加入氯化锌：ZnCl2 0.685g、三辛基膦：TOP 7.5mL，油胺：OLAm 0.25mL和亚磷酸三苯0.066mL，在惰性气体(N2)氛围下，在220℃搅拌并加热30分钟。进一步地，添加辛酸锌溶液(0.1M)1.25mL，在220℃继续搅拌10分钟。将追加添加辛酸锌，实施加热搅拌的操作进行共计2次。
用荧光分光计测量得到的反应溶液，结果得到了荧光波长502.0nm、荧光半峰宽17.9nm的光学特性(图13)。
在得到的反应液中加入乙醇而产生沉淀，进行离心分离回收沉淀，在该沉淀中加入甲苯并分散，作为ZnTe粒子分散溶液。
[实施例8]
在100ml反应容器中加入油酸铜：Cu(OLAc)2(0.5M)0.8mL、三辛基碲化膦：Te-TOP溶液(0.5M)0.4mL、Se-ODE溶液(0.1M)2mL、十二烷硫醇：DDT 1mL和十八碳烯：ODE 6.2mL，在惰性气体(N2)氛围下搅拌并加热，使原料溶解。
将该溶液在220℃搅拌并加热10分钟，之后，添加油胺：OLAm 0.2mL，在220℃搅拌并加热5分钟。将得到的反应溶液冷却至室温。之后，在反应溶液中加入氯化锌：ZnCl20.546g、三辛基膦：TOP 6mL和油胺：OLAm 0.2mL，在惰性气体(N2)氛围下，在220℃搅拌并加热30分钟。进一步地，添加辛酸锌溶液(0.2M)0.5mL，在220℃继续搅拌10分钟。将追加添加辛酸锌，实施加热搅拌的操作进行共计2次。
用荧光分光计测量得到的反应溶液，结果得到了荧光波长522.5nm、荧光半峰宽23.1nm的光学特性(图14)。
在得到的反应液中加入乙醇而产生沉淀，进行离心分离回收沉淀，在该沉淀中加入甲苯并分散，作为ZnTeSe粒子分散溶液。
[实施例9]
在100mL反应容器中加入无水醋酸铜：Cu(OAc)2 0.182g、三辛基碲化膦：Te-TOP溶液(0.5M)1mL、Se-DDT/OLAm(0.285M)0.439mL、十二烷硫醇：DDT 2.5mL、油胺：OLAm 0.25mL、三辛基氧化膦TOPO 0.387g和十八碳烯：ODE 20mL，在惰性气体(N2)氛围下搅拌并加热，使原料溶解。
将该溶液在180℃搅拌并加热20分钟。将得到的反应溶液冷却至室温。之后，在反应溶液中加入氯化锌：ZnCl2 1.37g、三辛基膦：TOP 15mL和油胺：OLAm 0.5mL，在惰性气体(N2)氛围下，在220℃搅拌并加热30分钟。进一步地，添加辛酸锌溶液(0.1M)2.5mL，在220℃继续搅拌10分钟。将追加添加辛酸锌，实施加热搅拌的操作进行共计2次。
用荧光分光计测量得到的反应溶液，结果得到了荧光波长496.5nm、荧光半峰宽21.3nm的光学特性(图15)。
在得到的反应液中加入乙醇而产生沉淀，进行离心分离回收沉淀，在该沉淀中加入甲苯并分散，作为ZnTeSe粒子分散溶液。
[实施例10]
在100mL反应容器中加入无水醋酸铜：Cu(OAc)2 0.091g、十二烷硫醇：DDT0.625mL、三辛基膦：TOP 0.625mL、三辛基氧化磷：TOPO 0.194g和十八碳烯：ODE 10mL，在惰性气体(N2)氛围下搅拌并加热，使原料溶解。
将该溶液中添加三辛基碲化膦：Te-TOP溶液(0.5M)0.5mL、Se-TOP溶液(1M)0.25mL和油胺：OLAm 0.125mL，在180℃搅拌并加热20分钟。将得到的反应溶液冷却至室温。之后，在反应溶液中加入氯化锌：ZnCl2 0.685g、三辛基膦：TOP 7.5mL、油胺：OLAm 0.25mL和亚磷酸三苯0.066mL，在惰性气体(N2)氛围下，在220℃搅拌并加热30分钟。进一步地，添加辛酸锌溶液(0.1M)1.25mL，在220℃继续搅拌10分钟。将追加添加辛酸锌，实施加热搅拌的操作共计2次。
用荧光分光计测量得到的反应溶液，结果得到了荧光波长495.0nm、荧光半峰宽18.7nm的光学特性(图16)。
在得到的反应液中加入乙醇而产生沉淀，进行离心分离而回收沉淀，在该沉淀中加入甲苯并分散，作为ZnTeSe粒子分散溶液。
[实施例11]
在100mL反应容器中加入无水醋酸铜：Cu(OAc)2 0.091g、十二烷硫醇：DDT1.25mL、三辛基膦：TOP 0.625mL和十八碳烯：ODE 10mL，在惰性气体(N2)氛围下搅拌并加热，使原料溶解。
将该溶液中添加三辛基碲化膦：Te-TOP溶液(0.5M)0.5mL和油胺：OLAm 0.125mL，在200℃搅拌并加热15分钟。进一步地，添加Se-ODE溶液(0.1M)1.25mL，在200℃继续搅拌15分钟。追加添加Se-ODE溶液(0.1M)，将实施加热搅拌的操作进行共计2次，将得到的反应溶液冷却至室温。之后，在反应溶液中加入氯化锌：ZnCl2 0.685g、三辛基膦：TOP 7.5mL和油胺：OLAm 0.25mL，在惰性气体(N2)氛围下，在220℃搅拌并加热30分钟。进一步地，添加辛酸锌溶液(0.1M)1.25mL，在220℃继续搅拌10分钟。将追加添加辛酸锌，实施加热搅拌的操作进行共计2次。
将所得到的反应溶液冷却至室温，加入甲苯和乙醇而产生沉淀，进行离心分离回收沉淀，在该沉淀中加入十八碳烯：ODE 11mL并分散，作为ZnTe/ZnSe粒子ODE分散溶液。
在所得到的ODE分散溶液中加入ZnCl2 0.685g、三辛基膦：TOP 7.5mL和油胺：OLAm0.25mL，在惰性气体(N2)氛围下，在220℃搅拌并加热30分钟。进一步地，添加辛酸锌(0.1M)1.25mL，在220℃继续搅拌10分钟。将追加添加辛酸锌，实施加热搅拌的操作进行共计2次。
用荧光分光计测量得到的反应溶液的结果，得到了荧光波长517.0nm、荧光半峰宽20.1nm的光学特性(图17)。
在得到的反应液中加入乙醇而产生沉淀，进行离心分离回收沉淀，在该沉淀中加入甲苯并分散，作为ZnTe/ZnSe粒子分散溶液。
[实施例12]
在100mL反应容器中加入无水醋酸铜：Cu(OAc)2 0.091g、十二烷硫醇：DDT1.25mL、三辛基膦：TOP 0.625mL和十八碳烯：ODE 10mL，在惰性气体(N2)氛围下搅拌并加热，使原料溶解。
将该溶液中添加三辛基碲化膦：Te-TOP溶液(0.5M)0.5mL和油胺：OLAm 0.125mL，在200℃搅拌并加热15分钟。进一步地，添加Se-ODE溶液(0.1M)1.25mL，在200℃继续搅拌15分钟之后，添加S-ODE溶液(0.1M)1.25mL，在200℃继续搅拌15分钟。将得到的反应溶液冷却至室温之后，在反应溶液中加入氯化锌：ZnCl2 0.685g、三辛基膦：TOP 7.5mL和油胺：OLAm0.25mL，在惰性气体(N2)氛围下，在220℃搅拌并加热30分钟。进一步地，添加辛酸锌溶液(0.1M)1.25mL，在220℃继续搅拌10分钟。将追加添加辛酸锌，实施加热搅拌的操作进行共计2次。
将所得到的反应溶液冷却至室温之后，加入甲苯和乙醇产生沉淀，进行离心分离回收沉淀，在该沉淀中加入十八碳烯：ODE 11mL而分散，作为ZnTe/ZnSe/ZnS粒子的ODE分散溶液。
在所得到的ODE分散溶液中加入ZnCl2 0.685g、三辛基膦：TOP 7.5mL和油胺：OLAm0.25mL，在惰性气体(N2)氛围下，在220℃搅拌并加热30分钟。进一步地，添加辛酸锌(0.1M)1.25mL，在220℃继续搅拌10分钟。将追加添加辛酸锌，实施加热搅拌的操作进行共计2次。
用荧光分光计测量得到的反应溶液，结果得到了荧光波长513.0nm、荧光半峰宽21.6nm的光学特性(图18)。
在得到的反应液中加入乙醇而产生沉淀，进行离心分离回收沉淀，在该沉淀中加入甲苯并分散，作为ZnTe/ZnSe/ZnS粒子分散溶液。
[实施例13]
在100mL反应容器中加入了无水醋酸铜：Cu(OAc)2 0.182g、三辛基碲化膦：Te-TOP溶液(0.5M)1mL、十二烷硫醇：DDT 2.5mL和十八碳烯：ODE 20mL。然后，在惰性气体(N2)氛围下搅拌并加热，使原料溶解。
将该溶液在180℃搅拌并加热10分钟，之后，添加油胺：OLAm 0.25mL，在180℃搅拌并加热10分钟。将所得到的反应溶液冷却至室温。之后，在反应溶液中加入氯化锌：ZnCl21.37g、三辛基膦：TOP 15mL和油胺：OLAm 0.25mL，在惰性气体(N2)氛围下，在220℃搅拌并加热30分钟。进一步地，添加辛酸锌溶液(0.1M)2.5mL，在220℃继续搅拌10分钟。将追加添加辛酸锌，实施加热搅拌的操作进行共计2次。之后，将所得到的反应溶液(ZnTeS)冷却至室温。
对于反应溶液10mL，加入十六胺：HDA 0.241g，在惰性气体(N2)氛围下，在220℃搅拌并加热5分钟。进一步地，将三辛基膦：TOP 2mL、Se-TOP(1M)0.125mL和S-TOP(1M)0.375mL混合并在反应溶液中添加0.25mL，在220℃继续搅拌10分钟。将追加添加混合溶液，实施加热搅拌的操作进行共计10次。之后，添加辛酸锌溶液(1M)1mL，在220℃继续搅拌10分钟。将追加添加辛酸锌，实施加热搅拌的操作进行共计2次。
用荧光分光计以及量子效率测量系统测量得到的反应溶液，结果得到了荧光波长522.5nm、荧光半峰宽27.3nm、量子产率约12％的光学特性(图19)。
在得到的反应液中加入乙醇而产生沉淀，进行离心分离回收沉淀，在该沉淀中加入甲苯并分散，作为ZnTeS/ZnSeS粒子分散溶液。
[实施例14]
在100mL反应容器中加入了无水醋酸铜：Cu(OAc)2 0.182g、三辛基碲化膦：Te-TOP溶液(0.5M)1mL、Se-DDT/OLAm溶液(0.285M)0.439mL、十二烷硫醇：DDT 2.5mL、油胺：OLAm0.25mL、三辛基氧化膦TOPO 0.387g和十八碳烯：ODE 20mL，在惰性气体(N2)氛围下搅拌并加热，使原料溶解。
将该溶液在180℃搅拌并加热20分钟。将所得到的反应溶液冷却至室温。之后在反应溶液中加入氯化锌：ZnCl2 1.37g、三辛基膦：TOP 15mL、油胺：OLAm 0.25mL和亚磷酸三苯0.131mL，在惰性气体(N2)氛围下，在220℃搅拌并加热30分钟。进一步地，添加辛酸锌溶液(0.1M)2.5mL，在220℃继续搅拌10分钟。将追加添加辛酸锌，实施加热搅拌的操作进行共计2次。之后，将所得到的反应溶液(ZnTeSeS)冷却至室温。
对于反应溶液10mL，加入十六胺：HDA 0.241g，在惰性气体(N2)氛围下，在240℃搅拌并加热5分钟。进一步地，将三辛基膦：TOP 1.125mL、Se-TOP(1M)0.031mL和S-TOP(1M)0.094mL混合并在反应溶液中添加0.125mL，在240℃继续搅拌5分钟。将追加添加混合溶液，实施加热搅拌的操作进行共计10次。之后，添加辛酸锌溶液(0.1M)0.5mL，在240℃继续搅拌5分钟。将追加添加辛酸锌，实施加热搅拌的操作进行共计2次。
用荧光分光计以及量子效率测量系统测量得到的反应溶液，结果得到了荧光波长532.0nm、荧光半峰宽27.6nm、量子产率约20％的光学特性(图20)。
在得到的反应液中加入乙醇而产生沉淀，进行离心分离回收沉淀，在该沉淀中加入甲苯并分散，作为ZnTeSeS/ZnSeS粒子分散溶液。
[实施例15]
在100mL反应容器中加入了无水醋酸铜：Cu(OAc)2 72.7mg、十二烷硫醇：DDT0.5mL、油胺：OLAm 0.1mL和十八碳烯：ODE 10mL。之后，在惰性气体(N2)氛围下搅拌并加热，使原料溶解。
将该溶液中添加三辛基碲化膦：Te-TOP溶液(0.5M)0.65mL，在220℃搅拌并加热5分钟。之后，添加三辛基硒化磷：Se-TOP溶液(1M)0.1mL，在220℃搅拌并加热5分钟。将所得到的反应溶液冷却至室温。
在该反应溶液中加入氯化锌：ZnCl2 550mg、三辛基膦：TOP 6mL和油胺：OLAm0.2mL，在惰性气体(N2)氛围下，在220℃搅拌并加热15分钟，在280℃搅拌并加热110分钟。
之后，滴入1mL辛酸锌(0.4M)12mL和DDT 1.1mL的混合溶液，在280℃搅拌并加热60分钟。
用荧光分光计测量得到的反应溶液，结果得到了荧光波长610nm、荧光半峰宽约38.5nm的光学特性(图21)。
在得到的反应液中加入乙醇而产生沉淀，进行离心分离回收沉淀，在该沉淀中加入甲苯并分散，作为ZnTe/ZnSe粒子分散溶液。
[实施例16]
在100mL反应容器中加入乙酰丙酮铜：Cu(acac)2 131mg、十二烷硫醇：DDT 1.5mL、油胺：OLAm 4.75mL和十八碳烯：ODE 6.25mL。然后，在惰性气体(N2)氛围下搅拌并加热，使原料溶解。
将该溶液中添加Se-DDT/OLAm溶液(0.3M)1.75mL，在220℃搅拌并加热10分钟。将所得到的反应溶液(Cu2Se(S))冷却至室温。
在Cu2Se反应溶液中加入乙醇而发生沉淀，进行离心分离回收沉淀，在该沉淀中加入ODE并分散。
之后，在ZnSe(S)-ODE溶液中加入氯化锌：ZnCl2 682mg、三辛基膦：TOP 5mL和油胺：OLAm 0.5mL，在惰性气体(N2)氛围下，在280℃搅拌并加热120分钟。将所得到的反应溶液(ZnSe(S))冷却至室温。
用荧光分光计以及量子产率测量系统测量得到的反应溶液，结果得到了荧光波长为约446.0nm、荧光半峰宽为约16.6nm、量子产率为约30.6％的光学特性(图22)。
在得到的反应液中加入乙醇产生沉淀，进行离心分离回收沉淀，在该沉淀中加入甲苯并分散，作为ZnSe粒子分散溶液。
[比较例1]
在100mL反应容器中加入无水醋酸锌：Zn(OAc)2 91.7mg、十八碳烯：ODE 10mL、油胺：OLAm 3mL和三辛基膦：TOP 3mL。然后，在惰性气体(N2)氛围下搅拌并加热，使原料溶解。
在该溶液中添加三辛基碲化膦：Te-TOP溶液(0.5M)0.5mL，在280℃搅拌并加热10分钟。反应溶液从淡黄色变化为红褐色的悬浊液，用365nm的不可见光照射所得到的溶液，但完全没有确认到荧光。
[比较例2]
在100mL反应容器中加入无水氯化锌：ZnCl2 68.1mg、十八碳烯：ODE 10mL、油胺：OLAm 3mL和三辛基膦：TOP 3mL。然后，在惰性气体(N2)氛围下搅拌并加热，使原料溶解。
在该溶液中添加三辛基碲化膦：Te-TOP溶液(0.5M)0.5mL，在280℃搅拌并加热10分钟。反应溶液从淡黄色变化为红褐色的悬浊液，用365nm的不可见光照射所得到的溶液，但完全没有确认荧光。
[比较例3]
在100mL反应容器中加入硬脂酸锌：Zn(OC(C＝O)C17H35)2 316.2mg、十八碳烯：10mL、油胺：OLAm 3mL和三辛基膦：TOP 3mL。然后，在惰性气体(N2)氛围下搅拌并加热，使原料溶解。
在该溶液中添加三辛基碲化膦：Te-TOP溶液(0.5M)0.5mL，在280℃搅拌并加热10分钟。反应溶液从淡黄色变化为红褐色的悬浊液，用365nm的不可见光照射所得到的溶液，但完全没有确认荧光。
[比较例4]
在100mL反应容器中加入油酸锌：Zn(OC(＝O)C17H33)2 314.2mg、十八碳烯：ODE10mL、油胺：OLAm 3mL和三辛基膦：TOP 3mL。然后，在惰性气体(N2)氛围下搅拌并加热，使原料溶解。
在该溶液中添加三辛基碲化膦：Te-TOP溶液(0.5M)0.5mL，在280℃搅拌并加热10分钟。反应溶液从淡黄色变化为红褐色的悬浊液，用365nm的不可见光照射所得到的溶液，但完全没有确认到荧光。
以下所示表1总结了从实施例1至实施例16中的合成原料、前体合成条件、金属交换反应条件、壳包覆条件、荧光波长以及荧光半峰宽。
表1
Figure BDA0002375488430000221
Figure BDA0002375488430000231
Figure BDA0002375488430000241
Figure BDA0002375488430000251
Figure BDA0002375488430000261
如表1所示，在实施例中，任意荧光半峰宽都在40nm以下。此外，可以得知能够将荧光半峰宽控制在30nm以下，进一步地，能够将荧光半峰宽控制在28nm以下，进一步地，能够将荧光半峰宽控制在25nm以下。
此外，如表1所示，得知可以在400nm～650nm范围内调整荧光波长。
此外，如表1所示，得知可以通过实施例1至实施例14合成绿色发光的量子点，或者通过实施例15合成红色发光的量子点。
此外，使用扫描电子显微镜(SEM)以及X射线衍射(XRD)装置测量实施例1的ZnTe粒子的分散液。图10为扫描电子显微镜(SEM)的测量结果，图11为X射线衍射(XRD)的测量结果。
此外，使用扫描电子显微镜(SEM)测量实施例1的Cu2Te粒子的分散溶液。该结果显示在图12中。
如图10以及图12所示，得知可以大体均一地生成作为量子点的ZnTe粒子以及作为前体的Cu2Te粒子的各粒径。
此外，通过图11所示的ZnTe的XRD光谱的峰值，证明生成有ZnTe固溶体。
在本发明中，前体不仅可以使用Cu2Te，也可以使用Cu2Se、Cu2S。通过实施例16可以将Cu2Se作为前体而得到蓝色发光的半峰宽较窄的ZnTe。
另外，通过ICP分析得知，在将Cu2Se作为前体而得到的ZnTe中含有相对于Zn为100ppm以下的Cu。
由于在本实施方式中将Cu2Te作为前体而得到ZnTe，因此可以考虑含有Cu。由此，通过调整Cu-Zn金属交换反应，可以得到Zn1-XCuXTe(X＜0.001)(X为Cu的摩尔数相对于Zn和Cu的总计摩尔数的比率)这样的量子点。
产业上的可利用性
根据本发明例如能够稳定获得显示高亮度的绿色荧光的量子点。并且通过将本发明的量子点应用于LED、背光装置、显示装置等，能够在各装置中获得优异的光学性能。
本申请基于2017年7月27日申请的日本特愿2017-145269、2017年10月12日申请的日本特愿2017-198667。其内容全部包含在此。

Claims (16)

1.一种量子点，其特征在于，
所述量子点不包含镉，荧光半峰宽为40nm以下。
2.根据权利要求1所述的量子点，其特征在于，
所述荧光半峰宽为30nm以下。
3.根据权利要求1所述的量子点，其特征在于，
所述荧光半峰宽为25nm以下。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的量子点，其特征在于，
所述量子点为含有锌和碲，或锌、碲和硫，或锌、碲、硒和硫的纳米晶体。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的量子点，其特征在于，
所述量子点具有以下所述的核壳结构，即，以所述纳米晶体为核、在所述核表面包覆有壳。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的量子点，其特征在于，
荧光波长为400nm以上650nm以下的范围。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的量子点，其特征在于，
所述量子点的表面由配体覆盖。
8.根据权利要求7所述的量子点，其特征在于，
所述配体为脂肪族胺系化合物、膦系化合物以及脂肪族羧酸系化合物中的至少一种。
9.一种波长转换构件，其特征在于，
包含权利要求1至8中的任一项所述的量子点。
10.一种照明构件，其特征在于，
包含权利要求1至8中的任一项所述的量子点。
11.一种背光装置，其特征在于，
包含权利要求1至8中的任一项所述的量子点。
12.一种显示装置，其特征在于，
包含权利要求1至8中的任一项所述的量子点。
13.一种量子点的制造方法，其特征在于，
由有机铜化合物、或由无机铜化合物与有机硫族化合物，合成铜硫化物作为前体，使用所述前体合成不包含镉的量子点。
14.根据权利要求13所述的量子点的制造方法，其特征在于，
将由所述铜硫化物形成的前体的铜与锌进行金属交换。
15.根据权利要求14所述的量子点的制造方法，其特征在于，
在180℃以上280℃以下进行金属交换反应。
16.根据权利要求13至15中任一项所述的量子点的制造方法，其特征在于，
在160℃以上250℃以下的反应温度下合成所述铜硫化物。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI741954B (zh) * 2021-02-22 2021-10-01 國立清華大學 穩定性佳的量子點及其製作方法
CN113813286A (zh) * 2021-10-27 2021-12-21 江南大学 一种手性荧光硫化铜锥形纳米颗粒及其制备方法与其在抗病毒或杀病毒中的应用
CN114127227A (zh) * 2019-07-11 2022-03-01 纳米系统公司 具有立方体形和氟化物钝化的蓝光发射纳米晶体
CN114867818A (zh) * 2019-08-12 2022-08-05 纳米系统公司 具有低半峰全宽的蓝光发射ZnSe1-xTex合金纳米晶体的合成

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020145240A (ja) * 2019-03-04 2020-09-10 中原大學 発光ダイオードパッケージ構造およびそれを製造する方法
WO2020213097A1 (ja) * 2019-04-17 2020-10-22 シャープ株式会社 電界発光素子、表示装置、電界発光素子の製造方法、及び液体組成物
US20220199924A1 (en) * 2019-04-17 2022-06-23 Sharp Kabushiki Kaisha Electroluminescent element, display device, and method for manufacturing electroluminescent element
US20220199925A1 (en) * 2019-04-17 2022-06-23 Sharp Kabushiki Kaisha Electroluminescent element, display device, and method for manufacturing electroluminescent element
US20220199926A1 (en) * 2019-04-17 2022-06-23 Sharp Kabushiki Kaisha Electroluminescence element, display device, and method for producing electroluminescence element
CN113039257B (zh) * 2019-09-20 2024-04-26 凸版印刷株式会社 量子点及其制造方法
WO2021070858A1 (ja) * 2019-10-09 2021-04-15 Ｎｓマテリアルズ株式会社 量子ドット、及び、その製造方法
US20230232647A1 (en) * 2020-07-03 2023-07-20 Sharp Kabushiki Kaisha Quantum dot dispersion solution and production method for electroluminescent element using same
KR20230125272A (ko) * 2020-12-25 2023-08-29 엔에스 마테리얼스 아이엔씨. 양자점의 제조 방법, 및, 양자점
WO2022162840A1 (ja) * 2021-01-28 2022-08-04 シャープ株式会社 量子ドット及び電界発光素子
JP2023028127A (ja) * 2021-08-18 2023-03-03 昭栄化学工業株式会社 コア／シェル型半導体ナノ粒子の製造方法、及び半導体ナノ粒子複合体
WO2023119960A1 (ja) * 2021-12-23 2023-06-29 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 半導体ナノ粒子の製造方法及び半導体ナノ粒子

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1743412A (zh) * 2005-09-23 2006-03-08 上海大学 Ii－vi族荧光标识半导体量子点mx的制备方法
WO2009034777A1 (ja) * 2007-09-13 2009-03-19 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. 蛍光体ナノ粒子の製造方法、及びそれを用いて製造された蛍光体ナノ粒子
CN105219380A (zh) * 2015-10-20 2016-01-06 广东昭信光电科技有限公司 一种高质量胶质无镉量子点的合成方法
WO2016151933A1 (ja) * 2015-03-23 2016-09-29 コニカミノルタ株式会社 組成物及びそれを含有する光学機能性膜
CN106479481A (zh) * 2016-09-20 2017-03-08 纳晶科技股份有限公司 ZnSe/III‑V族/ZnSexS1‑x或ZnSe/III‑V族/ZnSe/ZnS量子点及其制备方法
CN106544003A (zh) * 2016-10-17 2017-03-29 Tcl集团股份有限公司 核壳结构的CuInS2/ZnS纳米棒及其制备方法
WO2017086362A1 (ja) * 2015-11-20 2017-05-26 Jsr株式会社 ナノ粒子集合体及びその製造方法、ナノ粒子集合体組成物、波長変換層、並びにリガンド
CN106753381A (zh) * 2016-11-14 2017-05-31 Tcl集团股份有限公司 一种ZnSexS1‑x合金量子点及其制备方法
US20170153382A1 (en) * 2015-11-30 2017-06-01 Lextar Electronics Corporation Quantum dot composite material and manufacturing method and application thereof

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1231254A1 (en) * 2001-02-07 2002-08-14 Agfa-Gevaert Preparation of ZnS particles doped with copper
US6787064B2 (en) 2001-02-07 2004-09-07 Agfa Gevaert Preparation of ZNS particles doped with copper
EP1590171B1 (en) 2003-01-22 2011-06-08 The Board Of Trustees Of The University Of Arkansas Monodisperse core/shell and other complex structured nanocrystals and methods of preparing the same
JP4817298B2 (ja) * 2005-03-17 2011-11-16 独立行政法人産業技術総合研究所 半導体ナノ粒子を分散した青色発光蛍光体
WO2006120895A1 (ja) 2005-05-12 2006-11-16 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 色変換材料組成物及びこれを含む色変換媒体
JP2007060889A (ja) 2005-07-29 2007-03-08 Yaskawa Electric Corp 永久磁石形モータ
WO2007034877A1 (ja) * 2005-09-22 2007-03-29 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology 半導体ナノ粒子分散ガラス微粒子及びその作製方法
JP2007169605A (ja) 2005-11-24 2007-07-05 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 蛍光体、及びその製造方法
US20110175054A1 (en) * 2010-01-15 2011-07-21 Xiaofan Ren Device containing large-sized emitting colloidal nanocrystals
JP2013095850A (ja) * 2011-11-01 2013-05-20 National Institute For Materials Science ゲルマニウムナノ粒子蛍光体及びその製造方法
TWI596188B (zh) 2012-07-02 2017-08-21 奈米系統股份有限公司 高度發光奈米結構及其製造方法
JP6589318B2 (ja) * 2015-03-23 2019-10-16 コニカミノルタ株式会社 色域拡大フィルム
JP2017145269A (ja) 2016-02-15 2017-08-24 トヨタ自動車株式会社 トウプリプレグの製造装置
FR3050283B1 (fr) 2016-04-15 2018-04-20 Alessandro Manneschi Detecteur d'objets ou de matieres non autorisees dissimules dans une chaussure
CN106701084B (zh) * 2017-01-20 2019-02-12 温州大学 一种铜铟硫硒量子点的制备方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1743412A (zh) * 2005-09-23 2006-03-08 上海大学 Ii－vi族荧光标识半导体量子点mx的制备方法
WO2009034777A1 (ja) * 2007-09-13 2009-03-19 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. 蛍光体ナノ粒子の製造方法、及びそれを用いて製造された蛍光体ナノ粒子
WO2016151933A1 (ja) * 2015-03-23 2016-09-29 コニカミノルタ株式会社 組成物及びそれを含有する光学機能性膜
CN105219380A (zh) * 2015-10-20 2016-01-06 广东昭信光电科技有限公司 一种高质量胶质无镉量子点的合成方法
WO2017086362A1 (ja) * 2015-11-20 2017-05-26 Jsr株式会社 ナノ粒子集合体及びその製造方法、ナノ粒子集合体組成物、波長変換層、並びにリガンド
US20170153382A1 (en) * 2015-11-30 2017-06-01 Lextar Electronics Corporation Quantum dot composite material and manufacturing method and application thereof
CN106479481A (zh) * 2016-09-20 2017-03-08 纳晶科技股份有限公司 ZnSe/III‑V族/ZnSexS1‑x或ZnSe/III‑V族/ZnSe/ZnS量子点及其制备方法
CN106544003A (zh) * 2016-10-17 2017-03-29 Tcl集团股份有限公司 核壳结构的CuInS2/ZnS纳米棒及其制备方法
CN106753381A (zh) * 2016-11-14 2017-05-31 Tcl集团股份有限公司 一种ZnSexS1‑x合金量子点及其制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
DONG YAO ET AL.: "Phosphine-Free Synthesis of Metal Chalcogenide Quantum Dots by Directly Dissolving Chalcogen Dioxides in Alkylthiol as the Precursor", 《ACS APPL. MATER. INTERFACES》 *
HONGBO LI ET AL.: "Blue-UV-Emitting ZnSe(Dot)/ZnS(Rod) Core/Shell Nanocrystals Prepared from CdSe/CdS Nanocrystals by Sequential Cation Exchange", 《ACS NANO》 *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114127227A (zh) * 2019-07-11 2022-03-01 纳米系统公司 具有立方体形和氟化物钝化的蓝光发射纳米晶体
CN114127227B (zh) * 2019-07-11 2024-05-14 昭荣化学工业株式会社 具有立方体形和氟化物钝化的蓝光发射纳米晶体
CN114867818A (zh) * 2019-08-12 2022-08-05 纳米系统公司 具有低半峰全宽的蓝光发射ZnSe1-xTex合金纳米晶体的合成
TWI741954B (zh) * 2021-02-22 2021-10-01 國立清華大學 穩定性佳的量子點及其製作方法
CN113813286A (zh) * 2021-10-27 2021-12-21 江南大学 一种手性荧光硫化铜锥形纳米颗粒及其制备方法与其在抗病毒或杀病毒中的应用
CN113813286B (zh) * 2021-10-27 2022-05-17 江南大学 一种手性荧光硫化铜锥形纳米颗粒及其制备方法与其在抗病毒或杀病毒中的应用

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