CN106701084B - 一种铜铟硫硒量子点的制备方法 - Google Patents
一种铜铟硫硒量子点的制备方法 Download PDFInfo
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- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 75
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- MTCBSBWAJGPHEJ-UHFFFAOYSA-N [Se].[In]=S Chemical compound [Se].[In]=S MTCBSBWAJGPHEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract description 5
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims abstract description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 41
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N (z)-octadec-9-en-1-amine Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCN QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N 0.000 claims abstract description 21
- LMBWSYZSUOEYSN-UHFFFAOYSA-N diethyldithiocarbamic acid Chemical compound CCN(CC)C(S)=S LMBWSYZSUOEYSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- OBBCYCYCTJQCCK-UHFFFAOYSA-L copper;n,n-diethylcarbamodithioate Chemical compound [Cu+2].CCN(CC)C([S-])=S.CCN(CC)C([S-])=S OBBCYCYCTJQCCK-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 10
- JPJALAQPGMAKDF-UHFFFAOYSA-N selenium dioxide Chemical compound O=[Se]=O JPJALAQPGMAKDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 claims description 26
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 25
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 claims description 21
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 claims description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 9
- HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N copper indium Chemical compound [Cu].[In] HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- IRPLSAGFWHCJIQ-UHFFFAOYSA-N selanylidenecopper Chemical compound [Se]=[Cu] IRPLSAGFWHCJIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 19
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 abstract description 16
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 15
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 15
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 abstract description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 8
- 239000003446 ligand Substances 0.000 abstract description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 5
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 abstract description 4
- 238000007039 two-step reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 abstract description 2
- ZQRRBZZVXPVWRB-UHFFFAOYSA-N [S].[Se] Chemical compound [S].[Se] ZQRRBZZVXPVWRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 26
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 24
- 239000000047 product Substances 0.000 description 19
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 18
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 16
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 description 11
- VBXWCGWXDOBUQZ-UHFFFAOYSA-K diacetyloxyindiganyl acetate Chemical compound [In+3].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O VBXWCGWXDOBUQZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 10
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 8
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 6
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 6
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 5
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 5
- 229950004394 ditiocarb Drugs 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 5
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 4
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910021595 Copper(I) iodide Inorganic materials 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- LSXDOTMGLUJQCM-UHFFFAOYSA-M copper(i) iodide Chemical compound I[Cu] LSXDOTMGLUJQCM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000007405 data analysis Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000012155 injection solvent Substances 0.000 description 3
- 230000037452 priming Effects 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DKIDEFUBRARXTE-UHFFFAOYSA-N 3-mercaptopropanoic acid Chemical compound OC(=O)CCS DKIDEFUBRARXTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YVGGHNCTFXOJCH-UHFFFAOYSA-N DDT Chemical compound C1=CC(Cl)=CC=C1C(C(Cl)(Cl)Cl)C1=CC=C(Cl)C=C1 YVGGHNCTFXOJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000000090 biomarker Substances 0.000 description 2
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 2
- 238000005352 clarification Methods 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 125000004177 diethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000012065 filter cake Substances 0.000 description 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 2
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- -1 octadecylene Chemical group 0.000 description 2
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 2
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004280 Sodium formate Substances 0.000 description 1
- 229910000928 Yellow copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- GUFFLDJMXCEQRX-UHFFFAOYSA-N [In].[H]NC(O)=O Chemical compound [In].[H]NC(O)=O GUFFLDJMXCEQRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- PBAYDYUZOSNJGU-UHFFFAOYSA-N chelidonic acid Natural products OC(=O)C1=CC(=O)C=C(C(O)=O)O1 PBAYDYUZOSNJGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000013065 commercial product Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N dodecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCS WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 231100001231 less toxic Toxicity 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- UQJQVUOTMVCFHX-UHFFFAOYSA-L nabam Chemical compound [Na+].[Na+].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S UQJQVUOTMVCFHX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 238000004153 renaturation Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HLBBKKJFGFRGMU-UHFFFAOYSA-M sodium formate Chemical compound [Na+].[O-]C=O HLBBKKJFGFRGMU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 235000019254 sodium formate Nutrition 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphane Chemical compound CCCCCCCCP(CCCCCCCC)CCCCCCCC RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
- 239000000052 vinegar Substances 0.000 description 1
- 235000021419 vinegar Nutrition 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/542—Dye sensitized solar cells
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Abstract
本发明提供了一种铜铟硫硒量子点的制备方法，以二乙基二硫代氨基甲酸铜为铜源，以二乙基二硫代氨基甲酸铟为铟源，以油胺为配体和溶剂，通过两步反应制得CuInSxSe2‑x量子点。由本发明方法制得的CuInSxSe2‑x量子点的尺寸为4～6nm，XRD晶相分析为四方相结构，具有良好的光电性能，适合用于制备量子点敏化太阳能电池。本发明方法中，可以通过改变硒源的量改变量子点中硒硫比，与热注入法相比，本发明方法简单易操作，工艺更为简单，合成周期更短，生产的可控性和重复性好，成本低廉，适用于工业化生产，在太阳能电池中有广泛的应用前景。
Description
技术领域
本发明属于光伏材料领域，具体涉及一种铜铟硫硒(CuInSxSe2-x)量子点的制备方法。
背景技术
传统能源的缺乏和其带来的污染使得人们重视起能源问题。而清洁且可再生的太阳能是解决人类能源问题的主要能源。通过太阳能直接转变为电能，是利用太阳能最直接、有效的方式之一。传统光伏领域的研究主要集中在硅基太阳能电池，随着几十年的发展，晶体硅太阳能电池具有光电转换效率高、稳定等优势，但由于其建立在对大量硅晶材料需求的基础上，导致成本比较高，不能有力地和化石能源竞争，这成为限制其进一步发展的瓶颈。为了寻求低成本、高效率的太阳能电池，近年来，在新型太阳能电池的研究探索过程中，量子点敏化太阳能电池由于其特殊的优势引起了广泛关注。
量子点敏化太阳能电池与染料敏化太阳能电池最大的不同就是，敏化剂采用了无机半导体量子点来代替昂贵的有机染料。Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族合金半导体量子点是一种理想的窄带隙材料(1.0-1.5eV)，因其独特的量子限域效应和光电性质在太阳电池、发光二极管、光电探测器、生物标记、非线性光学等领域中具有潜在的应用。Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族合金半导体量子点材料具有以下优点：①可以通过调控量子点的尺寸改变量子点的带隙，从而拓宽吸光范围；②可以吸收一个高能光子产生多个电子-空穴对即多激子效应；③很大的消光系数和本征偶极矩，便于电子-空穴快速分离；④电子给体和受体材料的能级匹配容易实现；⑤制备工艺简单，成本低稳定性好。Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族合金半导体量子点吸光范围基本涵盖了可见光整个区域，是一种可高效吸收太阳光的敏化剂材料。因此，在制备高效率、低成本太阳能电池方面有着广阔的应用前景。
CuInS2、CuInSe2为Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ三元直接窄带隙半导体材料，禁带宽度分别为1.5eV和1.04eV，与太阳光谱匹配，并且吸光系数较大，是性能优异的太阳电池光吸收层材料。当材料的量子点尺寸与其激子半径相当时会表现出量子限域效应，获得发光波长在近红外区域的低毒量子点材料，在量子点敏化太阳能电池、生物标记等领域极具潜力。
现阶段CuInS2/CuInSe2的制备方法比较单一，大多采用热注入溶剂法。该方法过程复杂，操作繁琐。如2014年，Zhong Xinhua等(参见J.Am.Chem.Soc.2014,136,9203-9210)以碘化亚铜为铜源，醋酸铟为铟源，以及油胺和十八烯在180℃，氮气保护下制备得到阳离子前驱体，然后将硫粉溶解在油胺中制备得到的硫源热注入到阳离子前驱体中，继续反应20min，离心得到黄铜矿结构的CuInS2量子点。再如2015年Zhong Xinhua等(参见J.Mater.Chem.A,2015,3,1649–1655)将硒粉溶于DPP，热注入到氮气保护的阳离子前驱体中，在180℃下反应10min，冷却到室温后离心，就可以的到CuInSe2量子点。再如2016年ZhuJun等(参见Nanoscale,2016,8,10021–10025)以硒粉为硒源，碘化亚铜为铜源，醋酸铟为铟源，在石蜡、油胺和二氯二苯三氯乙烷溶液里，在180℃下反应10min后，制备得到四方相的CuInSe2。这些制备方法需要热注入或需要多种溶剂或配体，且需要用氮气保护。这样的制备方法，所需原料种类多，操作繁琐。因此，发展一种简单、方便的制备方法具有重要意义。
发明内容
本发明的目的在于提供一种铜铟硫硒(CuInSxSe2-x)量子点的制备方法，两步反应合成CuInSxSe2-x量子点，该方法简单可控，工艺周期短，且可根据所加入的硒源的量来调控CuInSxSe2-x量子点中硒的量。
一种CuInSxSe2-x量子点的制备方法，包括以下步骤：
(1)将0.001～5mmol二氧化硒和2～8ml的油胺置于80～240℃的恒温油浴中，反应0.05～10分钟，然后冷却至室温，得到第一溶液；
(2)将二乙基二硫代氨基甲酸铟和二乙基二硫代氨基甲酸铜加入到步骤(1)得到的第一溶液中，并置于180～250℃的恒温油浴中，反应10～40分钟，然后冷却至室温，得到第二溶液；其中，铟铜元素摩尔比为(1～10):1，硒铜元素摩尔比为(0.01～500):1；
(3)将步骤(2)得到的第二溶液进行离心分离，将离心所得沉淀弃去，取离心所得上清液进行洗涤和离心，并重复洗涤和离心多次，直到离心后的上清液为无色透明为止，最终所得沉淀即为所述CuInSxSe2-x量子点，其中，0＜x＜2。
优选的技术方案中，步骤(1)中，所述油胺的量为3ml。采取适当用量的配体，可以使前驱物进行充分且适当的活化反应，从而形成均一的产物。采取优选用量的油胺，所形成的产物的均一性最好。
优选的技术方案中，步骤(1)中，所述油浴的温度为100℃。通过对温度的调节，可以更好地控制二氧化硒的溶解以及活化反应。采取优选的温度，在方便实现的情况下即可使得二氧化硒的溶解状况和活化程度达到理想状态。
优选的技术方案中，步骤(2)中，所述的铟铜元素摩尔比为2:1。通过对于铜铟元素摩尔比的控制，能够有效避免杂相的产生。采用优选的铟铜比，不但能够避免杂相的产生，还有利于得到贫铜的量子点，其在作为太阳能电池光吸收层时会有更好的效果。
优选的技术方案中，步骤(2)中，所述油浴的温度为210℃。通过对反应温度的调节，可以更好地控制反应进程。采取优选的油浴反应温度，可以实现在短时间里得到形貌均一的产物。
优选的技术方案中，步骤(2)中，所述反应时间为20分钟。如果反应时间太短，铜源和铟源未能充分反应，存在较多中间体；如果反应时间过长，会使得产物尺寸过大。在本发明的反应时间内，铜源和铟源充分反应，产物尺寸合理。采取优选的反应时间，能够在短时间内得到反应完全的形貌均一的量子点产物。
优选的技术方案中，步骤(3)中，所述洗涤和离心的过程如下：上清液用正己烷洗涤并离心分离，再次弃去沉淀后，向上清液加入乙醇洗涤并离心分离，如此操作能够尽量除去产物表面吸附的油胺或中间体，且相对安全。
本发明还提供了上述制备方法制得的CuInSxSe2-x量子点，其为四方相结构，尺寸为4～6nm。
本发明还提供了一种CuInSxSe2-x量子点敏化太阳能电池，其中，所述CuInSxSe2-x量子点通过上述制备方法制得。
本发明方法中，所述的室温，通常是指10～40℃。
本发明方法中，所述二乙基二硫代氨基甲酸铟可以采用现有技术或文献记载的任一方法获得，例如，通过以下方法制得：
将二乙基二硫代氨基甲酸钠溶于去离子水中，室温下搅拌至完全溶解，得到摩尔浓度为0.1～0.9mol/L的二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液；将醋酸铟溶于去离子水中，室温下搅拌至完全溶解，得到摩尔浓度为0.1～0.3mol/L的醋酸铟水溶液；按照醋酸铟与二乙基二硫代氨基甲酸钠的摩尔比为1:3，将制得的醋酸铟水溶液滴加到二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液中，滴加完后继续在室温下搅拌使原料完全反应，然后将充分反应得到的悬浊液抽滤，滤饼经去离子水反复洗涤后干燥，得到白色粉末状的目标产物。
本发明中，所使用的二乙基二硫代氨基甲酸钠、醋酸铟、二乙基二硫代氨基甲酸铜、二氧化硒、油胺、乙醇、正己烷均为市售产品，可以从例如阿拉丁试剂、Acros Organics试剂、Alfa Aesar试剂、国药集团化学试剂有限公司等购得。
本发明中，以二氧化硒为硒源，以二乙基二硫代氨基甲酸铜为铜源，以二乙基二硫代氨基甲酸铟为铟源，以油胺为配体和溶剂，先采用油胺与二氧化硒进行适当的活化反应，再与二乙基二硫代氨基甲酸铜、二乙基二硫代氨基甲酸铟在一定的温度下反应一定时间，通过两步反应法得到CuInSxSe2-x量子点。由本发明方法制得的CuInSxSe2-x量子点，尺寸为4～6nm，分散性良好，XRD晶相分析为四方相结构。
与现有技术相比，本发明具有以下有益的技术效果：
1、相对于现有技术中的常用的热注入溶剂法必须在氮气或氩气保护下进行反应，本发明方法不需要对反应气氛进行控制，简单易操作，重复性好。
2、相对于现有技术中的常用的热注入溶剂法必须使用多种其他溶剂或配体，如十八烯和油胺、或者石蜡、油胺和二氯二苯三氯乙烷，本发明方法中只需使用油胺作为配体和溶剂即可，原料简单，成本低廉，工艺大大简化，工艺周期短。
3、本发明方法中，还可以通过改变加入的二氧化硒的量，来获得不同S:Se的量子点，特别适合体系研究并有利于制备具有最佳性能的量子点产物。整个工艺可控性非常好，适用于工业化生产，在太阳能电池中有广泛的应用前景。
4、本发明方法制得的CuInSxSe2-x量子点结构稳定，具有良好的光电性能，适合用于制备量子点敏化太阳能电池。
附图说明
图1为本发明实施例1制备的CuInSxSe2-x量子点的XRD图。
图2为本发明实施例1制备的CuInSxSe2-x量子点的TEM图。
图3为本发明实施例1制备的CuInSxSe2-x量子点的EDS图。
图4为由本发明实施例1制备的CuInSxSe2-x量子点所制得的量子点敏化太阳能电池的J-V图。
图5为由本发明实施例1制备的CuInSxSe2-x量子点所制得的量子点敏化太阳能电池的IPCE图。
图6为本发明对比例1制备的所得产物的TEM图。
图7为本发明实施例2制备的CuInSxSe2-x量子点的XRD图。
图8为本发明实施例3制备的CuInSxSe2-x量子点的EDS图。
图9为本发明实施例5制备的CuInSxSe2-x量子点的EDS图。
具体实施方式
为了更好地说明本发明，便于理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施例，对本发明作进一步详细说明。应理解，下述的实施实例仅用于说明本发明，并不代表或限制本发明的权利保护范围，本发明的保护范围以权利要求书为准。
以下实施例中所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市场购得的常规产品。
铟源的制备
称取5.13g(30mmol)二乙基二硫代氨基甲酸钠(Nadedc)并加入烧杯中，向烧杯中加入200mL的去离子水，室温下搅拌30分钟使其完全溶解(水溶液呈无色澄清透明状)得到二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液；称2.92g(10mmol)醋酸铟并加入到另一烧杯中，向该烧杯中加入50mL去离子水，室温下搅拌15分钟使其完全溶解(水溶液呈无色澄清透明状)得到醋酸铟水溶液；将制得的醋酸铟水溶液按1滴/秒(用5mL的塑料吸管)滴加到二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液中(溶液中开始变成白色浑浊状)，滴加完后继续在室温下磁力搅拌3小时使原料完全反应；然后将充分反应得到的悬浊液抽滤，滤饼用去离子水洗涤3～5次，最后将得到的白色粉末在真空干燥箱中60℃干燥6小时，得到纯二乙基二硫代氨基甲酸铟。
实施例1
称取0.1111mg(1.0mmol)二氧化硒放入圆底烧瓶，向其中加入3ml油胺，100℃恒温油浴6分钟，冷却至室温后，向其中加入18mg(0.05mmol)二乙基二硫代氨基甲酸铜、55.7mg(0.1mmol)二乙基二硫代氨基甲酸铟，将反应容器置于210℃恒温油浴反应20分钟，然后冷却至室温；将反应后的溶液进行离心分离，弃去沉淀后上清液用正己烷洗涤并离心分离，再次弃去沉淀后，向上清液加入乙醇洗涤并离心分离，如此重复洗涤和离心数次，直到离心后的上清液为无色透明为止，取最终所得沉淀为所得的最终产物。
产物的组成、结构及形貌表征：
将最终产物溶于二氯甲烷，待二氯甲烷挥发后，对产物进行XRD测量，X射线衍射图参见图1，将图1中的XRD谱图与CuInS2标准卡片(JCPDF 27-0159)和CuInSe2标准卡片(JCPDF65-2740)进行对照，可以得出：最终产物为CuInSxSe2-x，同时含有硒和硫。
在透射电镜下进行测试，测试结果如图2所示，由图2可以看出：最终产物为尺寸大约在4～6nm之间的量子点，且分散性良好。
为了更加直观的了解制得的最终产物的元素组成，还进行了能谱分析。相应的EDS能谱参见图3。从图3中可以看到最终产物只有铜、铟、硫、硒四种元素。对能谱数据的进一步的分析发现：Se/S为2.49。
由此，可以得出：实施例1得到的最终产物是尺寸为4～6nm的CuInSxSe2-x量子点，其中，0＜x＜2，分散性良好，XRD晶相分析为四方相结构。
产物的性能分析：
按照以下方法对最终产物进行处理制得CuInSxSe2-x量子点敏化太阳能电池，并对其进行电池效率测试：
将所得最终产物(CuInSxSe2-x量子点)超声分散于二氯甲烷中，置于圆底烧瓶中，再加入20ml二氯甲烷，搅拌使其充分分散，继续加入甲醇+巯基丙酸，调节溶液PH≈9。继续搅拌30分钟，待产物悬于溶液或粘于壁上，加入5ml纯净水，继续搅拌，待可分层后，静止分层后，取上层水相溶液，加丙酮离心后，取沉淀加入纯净水，并加入少量巯基丙酸+氢氧化钠，得到水相溶液。
将水相溶液滴到TiO2光阳极上，吸附5个小时，用纯净水和乙醇清洗后，用SILAR方法，在表面镀上三层硫化锌，接着在150℃下退火，得到CuInSxSe2-x量子点敏化的TiO2光阳极。将CuInSxSe2-x量子点敏化的TiO2光阳极与制备好的对电极组合，构成典型的三明治电池结构，滴加多硫电解质进行电池性能测试。对电极是将铜片用浓盐酸煮10分钟后，滴加多硫电解质制备得到。
根据电池性能测试结果，该CuInSxSe2-x量子点敏化太阳能电池性能参数如下：开路电压V＝0.508V，电流密度JSC＝19.94mA/cm2，填充因子FF＝54.398％，电池效率PCE＝5.516％，吸光范围为：300～1100nm。
电池测试的J-V曲线(电流密度-电压特性曲线)如图4，IPCE(单色光电转化效率，即入射单色光子-电子转化效率)曲线如图5。由图4和图5可以看出，其具有较高的电流密度，转换率在50～60％，吸光范围较宽。
根据现有技术的记载，Hunter McDaniel等(参见J.Phys.Chem.Lett.2013,4,355-361)用硒粉和硫粉于三辛基磷为硒源，注入碘化亚铜为铜源，醋酸铟为铟源，十二硫醇制成的前驱体中，经离心后得到CuInSxSe2-x。以此制得的电池性能参数如下：开路电压V＝0.425V，电流密度JSC＝3.59mA/cm2，填充因子FF＝47.0％，电池效率PCE＝0.72％。
可见，本发明采取比现有技术简单得多的方法制得的CuInSxSe2-x量子点，其电池性能参数显著高于上述现有技术的记载。
对比例1
分别称取0.1111mg(1.0mmol)二氧化硒、18mg(0.05mmol)二乙基二硫代氨基甲酸铜、55.7mg(0.1mmol)二乙基二硫代氨基甲酸铟，放入圆底烧瓶，向其中加入3ml油胺后，将反应容器置于210℃恒温油浴反应20分钟，然后冷却至室温；将反应后的溶液进行离心分离，弃去沉淀后上清液用正己烷洗涤并离心分离，再次弃去沉淀后，向上清液加入乙醇洗涤并离心分离，如此重复洗涤和离心数次，直到离心后的上清液为无色透明为止，取最终所得沉淀为所得的最终产物。
按照与实施例1相同的方法，将对比例1制得的产物分散于二氯甲烷中，以进行测试和表征。通过对对比例1制得的产物进行透射电镜观察并结合EDS能谱分析，发现：最终产物中存在硒颗粒杂质，在如图6所示的TEM图片中，更是可以明显看出最终产物中不但存在量子点，还存在圆形颗粒(能谱分析为硒杂质)以及一些纳米线(大的纳米晶)，总体来看均一性不够好。由于硒颗粒杂质和纳米晶的存在，会严重影响到量子点敏化太阳能电池的电池效率，因此，采用对比例1中的一锅法制备的产物无法满足后续在量子点敏化太阳能电池中的应用。
实施例2
称取0.0222mg(0.2mmol)二氧化硒放入圆底烧瓶，向其中加入3ml油胺，100℃恒温油浴6分钟，冷却至室温后，向其中加入18mg(0.05mmol)二乙基二硫代氨基甲酸铜、55.7mg(0.1mmol)二乙基二硫代氨基甲酸铟，将反应容器置于210℃恒温油浴反应20分钟，然后冷却至室温；将反应后的溶液进行离心分离，弃去沉淀后上清液用正己烷洗涤并离心分离，再次弃去沉淀后，向上清液加入乙醇洗涤并离心分离，如此重复洗涤和离心数次，直到离心后的上清液为无色透明为止，取最终所得沉淀为最终产物。
将实施例2制备得到的产物进行XRD测试，XRD谱图如图7，从图7中可以看出最终产物中含有硒元素，与实施例1相比加入的二氧化硒越少，进入的硒源也少。将图7中的XRD谱图与CuInS2标准卡片(JCPDF 27-0159)和CuInSe2标准卡片(JCPDF 65-2740)进行对照，可以得出：最终产物为CuInSxSe2-x，同时含有硒和硫。结合其它测试，发现：实施例2得到的最终产物为尺寸为4～6nm的CuInSxSe2-x量子点，分散性良好，XRD晶相分析为四方相结构。
实施例3
称取0.0444mg(0.4mmol)二氧化硒放入圆底烧瓶，向其中加入5ml油胺，100℃恒温油浴6分钟，冷却至室温后，向其中加入18mg(0.05mmol)二乙基二硫代氨基甲酸铜、55.7mg(0.1mmol)二乙基二硫代氨基甲酸铟，将反应容器置于210℃恒温油浴反应20分钟，然后冷却至室温；将反应后的溶液进行离心分离，弃去沉淀后上清液用正己烷洗涤并离心分离，再次弃去沉淀后，向上清液加入乙醇洗涤并离心分离，如此重复洗涤和离心数次，直到离心后的上清液为无色透明为止，取最终所得沉淀为最终产物。
经测试：实施例3得到的最终产物为尺寸为4～6nm的CuInSxSe2-x量子点，分散性良好，XRD晶相分析为四方相结构。
为了更加直观的了解制得的最终产物的元素组成，还进行了能谱分析。相应的EDS能谱参见图8。从图8中可以看到最终产物只有铜、铟、硫、硒四种元素。对能谱数据的进一步的分析发现：Se/S为1.67。
实施例4
称取0.0222mg(0.2mmol)二氧化硒放入圆底烧瓶，向其中加入3ml油胺，100℃恒温油浴6分钟，冷却至室温后，向其中加入18mg(0.05mmol)二乙基二硫代氨基甲酸铜、55.7mg(0.1mmol)二乙基二硫代氨基甲酸铟，将反应容器置于180℃恒温油浴反应20分钟，然后冷却至室温；将反应后的溶液进行离心分离，弃去沉淀后上清液用正己烷洗涤并离心分离，再次弃去沉淀后，向上清液加入乙醇洗涤并离心分离，如此重复洗涤和离心数次，直到离心后的上清液为无色透明为止，取最终所得沉淀为最终产物。
经测试：实施例4得到的最终产物为尺寸为4～6nm的CuInSxSe2-x量子点，分散性良好，XRD晶相分析为四方相结构。
实施例5
称取0.0888mg(0.8mmol)二氧化硒放入圆底烧瓶，向其中加入5ml油胺，100℃恒温油浴6分钟，冷却至室温后，向其中加入18mg(0.05mmol)二乙基二硫代氨基甲酸铜、55.7mg(0.1mmol)二乙基二硫代氨基甲酸铟，将反应容器置于210℃恒温油浴反应20分钟，然后冷却至室温；将反应后的溶液进行离心分离，弃去沉淀后上清液用正己烷洗涤并离心分离，再次弃去沉淀后，向上清液加入乙醇洗涤并离心分离，如此重复洗涤和离心数次，直到离心后的上清液为无色透明为止，取最终所得沉淀为最终产物。
经测试：实施例5得到的最终产物为尺寸为4～6nm的CuInSxSe2-x量子点，分散性良好，XRD晶相分析为四方相结构。
为了更加直观的了解制得的最终产物的元素组成，还进行了能谱分析。相应的EDS能谱参见图9。从图9中可以看到最终产物只有铜、铟、硫、硒四种元素。对能谱数据的进一步的分析发现：Se/S为2.21。
综合上述实施例，可以看出：
采用本发明方法，可通过两步反应法得到CuInSxSe2-x量子点，尺寸为4～6nm，且分散性良好，XRD晶相分析为四方相结构，光电性能良好，适合用于制备量子点敏化太阳能电池。本发明方法所用原料简单、工艺简单易操作，无需对反应气氛进行控制，工艺周期短，重复性好。
而且，本发明方法中，改变加入的二氧化硒的量，能够获得不同Se:S的量子点，基于此，可以方便控制量子点的组成，结合性能测试的结果，可以根据需要合成不同性能的量子点产物。整个工艺可控性非常好，适用于工业化生产，在太阳能电池中有广泛的应用前景。
应当注意的是，以上所述的实施例仅用于解释本发明，并不构成对本发明的任何限制，通过参照典型实施例对本发明进行了描述，但应当理解为其中所用的词语为描述性和解释性词汇，而不是限定性词汇。可以按规定在本发明权利要求的范围内对本发明作出修改，以及在不被离本发明的范围和精神内对本发明进行修订。尽管其中描述的本发明涉及特定的方法、材料和实施例，但是并不意味着本发明限于其中公开的特定例，相反，本发明可扩展至其他所有具有相同功能的方法和应用。
Claims (10)
1.一种CuInSxSe2-x量子点的制备方法，包括以下步骤：
(1)将0.001～5mmol二氧化硒和2～8ml的油胺置于80～240℃的恒温油浴中，反应0.05～10分钟，然后冷却至室温，得到第一溶液；
(2)将二乙基二硫代氨基甲酸铟和二乙基二硫代氨基甲酸铜加入到步骤(1)得到的第一溶液中，并置于180～250℃的恒温油浴中，反应10～40分钟，然后冷却至室温，得到第二溶液；其中，铟铜元素摩尔比为(1～10):1，硒铜元素摩尔比为(0.01～500):1；
(3)将步骤(2)得到的第二溶液进行离心分离，将离心所得沉淀弃去，取离心所得上清液进行洗涤和离心，并重复洗涤和离心多次，直到离心后的上清液为无色透明为止，最终所得沉淀即为所述CuInSxSe2-x量子点，其中，0＜x＜2。
2.如权利要求1所述的CuInSxSe2-x量子点的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述油胺的量为3ml。
3.如权利要求1所述的CuInSxSe2-x量子点的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述油浴的温度为100℃。
4.如权利要求1所述的CuInSxSe2-x量子点的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述的铟铜元素摩尔比为2:1。
5.如权利要求1所述的CuInSxSe2-x量子点的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述油浴的温度为210℃。
6.如权利要求1所述的CuInSxSe2-x量子点的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述反应时间为20分钟。
7.如权利要求1所述的CuInSxSe2-x量子点的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述洗涤和离心的过程如下：上清液用正己烷洗涤并离心分离，再次弃去沉淀后，向上清液加入乙醇洗涤并离心分离。
8.由如权利要求1～7中任一项所述的制备方法制得的CuInSxSe2-x量子点。
9.如权利要求8所述的CuInSxSe2-x量子点，其特征在于，所述CuInSxSe2-x量子点为四方相结构，尺寸为4～6nm。
10.一种CuInSxSe2-x量子点敏化太阳能电池，其特征在于，所述CuInSxSe2-x量子点由如权利要求1～7中任一项所述的制备方法制得。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710042683.0A CN106701084B (zh) | 2017-01-20 | 2017-01-20 | 一种铜铟硫硒量子点的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710042683.0A CN106701084B (zh) | 2017-01-20 | 2017-01-20 | 一种铜铟硫硒量子点的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106701084A CN106701084A (zh) | 2017-05-24 |
| CN106701084B true CN106701084B (zh) | 2019-02-12 |
Family
ID=58910133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710042683.0A Active CN106701084B (zh) | 2017-01-20 | 2017-01-20 | 一种铜铟硫硒量子点的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106701084B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107418564A (zh) * | 2017-05-26 | 2017-12-01 | 温州大学 | 一种锌掺杂铜铟硫量子点的合成方法 |
| JP6713102B2 (ja) * | 2017-07-27 | 2020-06-24 | Ｎｓマテリアルズ株式会社 | 量子ドット及び、量子ドットを用いた波長変換部材、照明部材、バックライト装置、表示装置、並びに、量子ドットの製造方法 |
| CN114014277B (zh) * | 2021-12-09 | 2023-04-11 | 广东省科学院半导体研究所 | 一种铜铟硒纳米晶体、纳米薄膜及其制备方法和电子器件 |
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2017
- 2017-01-20 CN CN201710042683.0A patent/CN106701084B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101698472A (zh) * | 2009-11-03 | 2010-04-28 | 厦门大学 | 一种铜铟硒纳米晶的合成方法 |
| CN105940501A (zh) * | 2014-01-30 | 2016-09-14 | 纳米技术有限公司 | 用于将Cu(In,Ga)(S,Se)2纳米粒子与钠或锑掺杂的方法 |
| CN105802630A (zh) * | 2016-04-14 | 2016-07-27 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 一锅法绿色合成铜铟硒量子点的方法及其应用 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106701084A (zh) | 2017-05-24 |
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