CN110870080B - 光电转换装置、具备其的太阳能电池串以及具备它们任意一者的太阳能电池组件 - Google Patents

光电转换装置、具备其的太阳能电池串以及具备它们任意一者的太阳能电池组件 Download PDF

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Abstract

光电转换装置具备配置于半导体基板(1)的背面侧的p型扩散层(11)以及n型扩散层(12)、电极(4～6)、以及布线基板(8)。电极(4、6)配置于p型扩散层(11)上，电极(5)配置于n型扩散层(12)上。布线基板(8)的布线(82)通过导电性联接层(7)与电极(4、6)连接，布线(83)通过导电性联接层(7)与电极(5)连接。电极(6)在x轴方向上的n型扩散层(12)的两端侧配置于n型扩散层(12)的端部与半导体基板(1)的端部之间。

Description

光电转换装置、具备其的太阳能电池串以及具备它们任意一 者的太阳能电池组件
技术领域
本发明涉及一种光电转换装置、具备其的太阳能电池串以及具备它们任意一者的太阳能电池组件。
背景技术
在国际公开第2016/132902号文本中作为光电转换装置公开了一种背面接合型太阳能电池。光电转换装置具备：光电转换元件、布线片材、配置于半导体基板的第一面的第一半导体膜、配置于半导体基板的第一面的第二半导体膜、配置于第一半导体膜上的第一电极、以及配置于第二半导体膜上的第二电极。并且，第一电极以与第二电极空开间隔的方式包围第二电极。布线片材的第一布线与第一电极电连接，布线片材的第二布线与第二电极电连接。
发明内容
在国际公开第2016/132902号小册子中，第一电极包围第二电极，因此第一电极为通过基板的外缘部连接的结构。对于太阳能电池用的基板，为了成本削减，通常对硅片进行裁切来制作而成，由于不实施研磨等，因此基板的外缘部的端部的形状不恒定且在端部附近设置电极会提高引起短路等电性能下降的可能性。此外，为了避免这种情况，在将电极配置至端部的近前的情况下，难以以包围的方式连续地配置电极且难以连续地图案化。若为了避免这种情况而从端部起进一步留有余量地向内侧设置电极，则难以获得特性。
因此，根据本发明的实施方式，可提供一种能够提高电特性的光电转换装置。
此外，根据本发明的实施方式，可提供一种具备能够提高特性的光电转换装置的太阳能电池串。
而且，根据本发明的实施方式，提供一种具备能够提高特性的光电转换装置以及具有其的太阳能电池串中的任意一者的太阳能电池组件。
(构成1)
根据本发明的实施方式，光电转换装置具备：半导体基板、第一半导体层、第二半导体层、多个第一电极、多个第二电极、第一非连接区域、第二非连接区域、第一布线、第二布线、以及多个第三电极。半导体基板具有第一导电型。第一半导体层具有在半导体基板的一侧的面上沿第一方向分离地配置的区域，并具有第一导电型。第二半导体层具有在半导体基板的一侧的面上沿第一方向与第一半导体层交替地配置的区域，并具有与第一导电型相反的第二导电型。多个第一电极配置于第一半导体层上，并以与第一方向正交的第二方向为长度方向。多个第二电极配置于第二半导体层上，并以第二方向为长度方向。第一布线在第一方向上与多个第一电极电连接。第二布线在第一方向上与多个第二电极电连接。第一非连接区域配置于第一方向上相邻的第二电极之间，并阻碍第一电极与第二布线的电连接。第二非连接区域配置于第一方向上相邻的第一电极之间，并阻碍第二电极与第一布线的电连接。多个第三电极配置于第二方向上的第一半导体层的两端中的至少一方的端部、与该一方的端侧的半导体基板的端部之间，并与第二布线电连接。
根据构成1，第三电极配置于比第一半导体层(第一电极)靠半导体基板的端部侧，并与第二布线电连接。
此外，第二电极未以包围第一电极的方式连续且由在第一方向上分离地配置的多个电极构成。因此，难以因图案化而受到布线的断裂等的影响。
而且，通过设置第三电极，能够进一步收集该部分所产生的载流子。
而且，在电极与布线平行地设置的情况下，不与第一电极接触而使第三电极与第二布线连接比较困难，但通过以第一方向为长边方向，并设置第二布线，从而能够使第三电极与第二布线连接。特别是，可获得在半导体基板的端部良好的第三电极与第二布线的连接。
由此，可提供能够提高特性的光电转换装置。
(构成2)
在构成1中，第二电极的两端中的至少一方的端部在第二方向上，配置于比第一电极的端部靠半导体基板的端侧。
根据构成2，第二电极朝向半导体基板的端部延长，因此能够进一步收集该部分所产生的载流子。此外，与第二电极以包围第一电极的方式连续的情况相比，在半导体基板的端部，难以受到半导体基板的端部附近的形状变化的影响，图案化掩模的设计以及图案化的对位变容易，能够减少图案化的不良。
由此，能够进一步提高光电转换装置的特性。
(构成3)
在构成1中，第三电极配置于第二方向上的第一电极的延长线上。
根据构成3，第三电极处于第二方向上的第一电极的延长线上，因此通过使第一以及第二电极同时图案化从而能够制作第三电极，能够简单地进行制作，能够降低制造成本。
(构成4)
在构成2中，第三电极的宽度与第一电极的宽度实质上相同。
根据第四构成，第三电极与第一电极实质上为相同宽度，因此通过使第一以及第二电极同时图案化从而能够制作第三电极，例如，在通过金属掩模的制膜而形成电极的情况下，也难以受到金属掩模的强度设计的限制，对于电极宽度、电极的形状，能够进一步实现最佳的电极设计。
(构成5)
在构成1中，第三电极在第二方向上的半导体基板的端部，配置于沿第一方向分离地配置的第二电极之间。
根据构成5，除配置有第二电极的区域中的载流子的收集以外，还能够在沿第一方向分离地配置的第二电极之间收集载流子。
由此，能够进一步提高光电转换装置的特性。
(构成6)
在构成1至构成5的任意方式中，第一以及第二半导体层中的至少一方为非晶质半导体层。
在半导体层为非晶质的情况下，由于通过极薄的膜来确保扩散电位的发现和钝化性，因此易于受到电极的突出、断裂等图案化不良的影响。特别是，对于太阳能电池用基板，在为了成本削减而不实施端部的研磨等基板的外缘部的形状不稳定且导体膜为非晶质的情况下，更易于受到影响，因此构成4是优选的。
(构成7)
此外，根据本发明的实施方式，太阳能电池串具备多个光电转换元件和与多个光电转换元件电连接的布线基板。
多个光电转换元件各自包含：半导体基板、第一半导体层、第二半导体层、多个第一电极、多个第二电极、第一非连接区域、第二非连接区域、以及多个第三电极。半导体基板具有第一导电型。第一半导体层具有在半导体基板的一侧的面上沿第一方向分离地配置的区域，并具有第一导电型。第二半导体层具有在半导体基板的一侧的面上沿第一方向与第一半导体层交替地配置的区域，并具有与第一导电型相反的第二导电型。多个第一电极在第一半导体层上沿第一方向分离地配置，并以与第一方向正交的第二方向为长度方向。多个第二电极在第二半导体层上沿第一方向分离地配置，并以第二方向为长度方向。第一非连接区域配置于第一方向上相邻的第二电极之间。第二非连接区域配置于第一方向上相邻的第一电极之间。多个第三电极配置于第二方向上的第一半导体层的两端中的至少一方的端部、与该一方的端侧的半导体基板的端部之间。布线基板包含：第一方向上与多个第一电极电连接的第一布线和第一方向上与多个第二电极以及多个第三电极电连接的第二布线。并且，第一非连接区域阻碍第一电极与第二布线的电连接，第二非连接区域阻碍第二电极与第一布线的电连接。
根据构成7，能够获得与所述构成1同样的效果。
(构成8)
而且，根据本发明的实施方式，太阳能电池组件为，利用树脂对构成1至构成6的任意方式所记载的光电转换装置、或构成7所记载的太阳能电池串进行密封而形成的太阳能电池组件。
根据构成8，作为太阳能电池组件，可稳定获得良好的特性。此外，即使在长期使用的情况下，也可获得难以引起特性的下降且可靠性较高的组件。
发明效果
可提供能够提高特性的光电转换装置。
附图说明
图1A为第一实施方式的光电转换装置的第一俯视图。
图1B为第一实施方式的光电转换装置的第二俯视图。
图1C为第一实施方式的光电转换装置的第三俯视图。
图2为图1A～图1C所示的线II-II间的光电转换装置的剖视图。
图3为图1A～图1C所示的线III-III间的光电转换装置的剖视图。
图4为表示图1A～图1C、图2以及图3所示的光电转换装置的制造工序的第一工序图。
图5为表示图1A～图1C、图2以及图3所示的光电转换装置的制造工序的第二工序图。
图6为表示图1A～图1C、图2以及图3所示的光电转换装置的制造工序的第三工序图。
图7A为第二实施方式的光电转换装置的第一俯视图。
图7B为第二实施方式的光电转换装置的第二俯视图。
图7C为第二实施方式的光电转换装置的第三俯视图。
图8为图7A～图7C所示的线VIII-VIII间的光电转换装置的剖视图。
图9为图7A～图7C所示的线IX-IX间的光电转换装置的剖视图。
图10为表示图7A～图7C、图8以及图9所示的光电转换装置的制造工序的第一工序图。
图11为表示图7A～图7C、图8以及图9所示的光电转换装置的制造工序的第二工序图。
图12为表示图7A～图7C、图8以及图9所示的光电转换装置的制造工序的第三工序图。
图13A为第三实施方式的光电转换装置的第一俯视图。
图13B为第三实施方式的光电转换装置的第二俯视图。
图13C为第三实施方式的光电转换装置的第三俯视图。
图14A为第四实施方式的光电转换装置的第一俯视图。
图14B为第四实施方式的光电转换装置的第二俯视图。
图14C为第四实施方式的光电转换装置的第三俯视图。
图15为第五实施方式的太阳能电池串的俯视图。
图16为图15所示的布线基板的俯视图。
具体实施方式
参照附图对本发明的实施方式详细地进行说明。另外，对图中相同或相当部分标注相同附图标记并且不重复其说明。
[第一实施方式]
图1A～图1C分别为第一实施方式的光电转换装置的第一至第三俯视图。图2为图1A～图1C所示的线II-II间的光电转换装置的剖视图。图3为图1A～图1C所示的线III-III间的光电转换装置的剖视图。另外，图1A为从与光入射侧相反侧观察到的光电转换装置的p型扩散层、n型扩散层以及电极的俯视图。图1B为从与光入射侧相反侧观察到的光电转换装置的导电联接层以及非连接区域的俯视图。图1C为从与光入射侧相反侧观察到的光电转换装置的布线、绝缘性基板的俯视图。在该图中，透过绝缘性基板81可观察到布线。此外，在图1A～图1C、图2以及图3中，对x轴、y轴以及z轴进行限定。
参照图1A～图1C、图2以及图3，第一实施方式的光电转换装置10包括：半导体基板1、反射防止膜2、钝化膜3、电极4～6、导电性联接层7、布线基板8、以及非连接区域15、16。
半导体基板1例如由n型单晶硅基板构成，并具有100～200μm的厚度。此外，半导体基板1具有例如(100)的面取向以及1～10Ωcm的电阻率。并且，半导体基板1在光入射侧的表面具有绒面结构。
半导体基板1在与光入射侧的表面相反侧的表面(与形成有绒面结构的面相反侧的面)侧具有p型扩散层11以及n型扩散层12。p型扩散层11在x-y平面上以包围n型扩散层12的方式配置。
p型扩散层11具有包含沿y轴方向分离地配置的多个p型扩散层的区域。n型扩散层12具有包含沿y轴方向与多个p型扩散层交替地配置的多个n型扩散层的区域。
p型扩散层11在x轴方向上以比n型扩散层12的两端向半导体基板1的端侧延伸的方式配置。
p型扩散层11作为p型杂质而包含例如硼(B)。硼的浓度例如为1×10 19cm-3～1×10 20cm-3。此外，p型扩散层11的深度例如为0.1μm～0.5μm。
n型扩散层12作为n型杂质而包含例如磷(P)。磷的浓度例如为1×10 19cm-3～1×10 20cm-3。此外，n型扩散层12的深度例如为0.1μm～0.5μm。
反射防止膜2配置于半导体基板1的光入射侧的表面。反射防止膜2例如由氧化硅以及氮化硅的层压结构构成。在该情况下，氧化硅以与半导体基板1接触的方式配置，氮化硅以与氧化硅接触的方式配置。并且，反射防止膜2具有例如100～1000nm的膜厚。
钝化层3在与半导体基板1的光入射侧的表面相反的表面侧以与p型扩散层11以及n型扩散层12接触的方式配置于p型扩散层11以及n型扩散层12上。另外，在图1A～图1C中，虽未图示钝化膜3，但实际上，钝化膜3配置于p型扩散层11以及n型扩散层12上。
钝化膜3由氧化硅、氮化硅以及铝等构成。并且，钝化膜3具有例如50nm～100nm的膜厚。
电极4经由设置于钝化膜3的多个开口而以与p型扩散层11以及钝化膜3接触的方式配置。并且，电极4沿y轴方向分离地配置，并包含沿x轴方向配置的多个电极40。多个电极40以在x轴方向上以规定的间隔分离的方式配置于p型扩散层11上(参照图1A、3)。另外，电极4也可以由沿x轴方向分离地配置的多个电极40构成，也可以由沿x轴方向连接的一个电极构成。
在x轴方向上，相比电极5而电极4以延伸至半导体基板1的端部侧的方式配置。并且，优选电极4从半导体基板1的端部延伸至1mm以内。
电极5经由设置于钝化膜3的多个开口而以与n型扩散层12以及钝化膜3接触的方式配置。并且，电极5沿y轴方向分离地配置，并包含沿x轴方向配置的多个电极50。多个电极50以在x轴方向上以规定的间隔分离的方式配置于n型扩散层12上(参照图1A、图2)。另外，电极5也可以由沿x轴方向分离地配置的多个电极50构成，也可以由沿x轴方向连接的一个电极构成。
电极6在x轴方向上的n型扩散层12的两端侧，配置于x轴方向上的n型扩散层12的延长线上且y轴方向上相邻的电极4间(参照图1A、图2)。并且，电极6经由设置于钝化膜3的开口而以与p型扩散层11以及钝化膜3接触的方式配置。优选电极6的端部配置于距半导体基板1的端部1mm以内。
电极4～6的每一个例如由银构成，并具有100～3000nm的厚度。电极6的宽度比电极5的宽度窄。
导电性联接层7在x轴方向上的电极4、5的两端部上以与电极4、5接触的方式配置，并在电极6上以与电极6接触的方式配置。(参照图1B)。并且，电极4、6上的导电性联接层7与布线基板8的布线82电连接，电极5上的导电性联接层7与布线基板的布线83电连接(参照图1B、图2、3)。并且，导电性联接层7例如由低融点焊锡、导电性联接剂以及导电性浆料等制成。
布线基板8包含绝缘性基板81和布线82、83。布线82、83配置于绝缘性基板81上。布线82、83具有梳形的平面形状(参照图1C)。并且，布线82沿y轴方向延伸，并通过导电性联接层7与电极4、6电连接。此外，布线83沿y轴方向延伸，并通过导电性联接层7与电极5电连接。
在布线82通过导电性联接层7与电极4电连接的情况下，例如在x轴方向上相邻的两个电极40和两个部位通过导电性联接层7来连接(参照图1B、图1C)。此外，在布线83通过导电性联接层7与电极5电连接的情况下，例如在x轴方向上相邻的两个电极50和两个部位通过导电性联接层7来连接(参照图1B、图1C)。
绝缘性基板81由绝缘性材料构成，例如由聚酯、聚邻苯二甲酸乙二醇酯、以及聚酰亚胺等的膜构成。
布线82、83各自由导电性材料构成，例如由层压有铝、铜、银、锡以及锌等的导电材料构成。
非连接区域15在y轴方向的相邻的电极4间配置于电极5与布线82之间(参照图1B、图2)。非连接区域15在y轴方向的相邻的电极4间阻碍布线82与电极5电连接。并且，优选非连接区域15包含形成于电极5的表面的一部分的绝缘层。在该情况下，绝缘层由绝缘性的树脂或氮化硅等无机物构成。
非连接区域16在y轴方向的相邻的电极5之间配置于电极4与布线83之间(参照图1B、图3)。非连接区域16在y轴方向的相邻的电极5之间阻碍布线83与电极4电连接。并且，优选非连接区域16包含形成于电极4的表面的一部分的绝缘层。在该情况下，绝缘层由绝缘性的树脂或氮化硅等无机物构成。
如上所述，电极4、6通过导电性联接层7与布线基板8的布线82电连接，电极5通过导电性联接层7与布线基板8的布线83电连接，但电极4、6与布线82的电连接以及电极5与布线83的电连接只要是可取得压接等电连接的方法即可。
另外，在图1A中，电极4、电极5以及n型扩散层12在y轴方向上配置有多个，但其数量并不限定。
此外，在图1A中，电极6在y轴方向上配置有多个，电极6在y轴方向上至少配置有一个即可，其数量并不限定。
而且，在图1C中，布线82、83各自在x轴方向上配置有多个，但布线82、83各自的数量并不限定。
图4至图6分别为表示图1A～图1C、图2以及图3所示的光电转换装置10的制造工序的第一至第三工序图。另外，图4至图6所示的工序图使用图1A～图1C所示的线II-II间的剖视图来示出。
参照图4，当开始光电转换装置10的制造时，准备半导体基板1’(图4的工序(a))。另外，半导体基板1’具有与半导体基板1相同的面取向、电阻率、导电型以及厚度。
并且，在半导体基板1’的一侧的面形成保护膜20(图4的工序(b))。保护膜20例如由氧化硅以及氮化硅构成，例如通过溅镀来形成。
之后，使用NaOH以及KOH等碱溶液(例如，KOH:1～5wt％，异丙醇:1～10wt％的水溶液)对形成有保护膜20的半导体基板1’进行蚀刻。由此，与形成有保护膜20的半导体基板1’的面相反侧的表面被实施各向异性蚀刻，从而形成金字塔形状的绒面结构。并且，通过去除保护膜20而获得半导体基板1(参照图4的工序(c))。
接下来，在半导体基板1的形成有绒面结构的表面形成反射防止膜2(图4的工序(d))。更具体而言，例如，通过溅镀法，将氧化硅以及氮化硅依次堆积于半导体基板1上从而形成反射防止膜2。
在工序(d)后，在半导体基板1的形成有绒面结构的表面相反侧的表面(＝背面)的一部分形成BSG(Boron Silicate Glass)膜21(图4的工序(e))。在该情况下，BSG膜21的膜厚例如为300～1000nm。
之后，以850～900℃对BSG膜21进行热处理，使硼(B)从BSG膜21向半导体基板1扩散，通过氟化氢水溶液去除剩余的BSG膜21。由此，p型扩散层11形成于半导体基板1的背面侧(图5的工序(f))。
接下来，在半导体基板1的背面的一部分形成PSG(Phosphorus Silicate Glass)膜22(图5的工序(g))。在该情况下，PSG膜22的膜厚例如为300～1000nm。
之后，以850～900℃对PSG膜22进行热处理，使磷(P)从PSG膜22向半导体基板1扩散，通过氟化氢水溶液去除剩余的PSG膜22。由此，n型扩散层12形成于半导体基板1的背面侧(图5的工序(h))。
并且，将钝化膜3形成在p型扩散层11以及n型扩散层12上(图5的工序(i))。在该情况下，例如，通过溅镀法形成氧化硅从而将钝化膜3形成在p型扩散层11以及n型扩散层12上。
接着，将抗蚀剂涂布于钝化膜3上，使用光刻使抗蚀剂图案化，将该图案化的抗蚀剂作为掩模对钝化膜3进行蚀刻从而将开口23形成于钝化膜3(图6的工序(j))。
之后，例如，通过蒸镀法将金属(例如，银)形成于具有开口23的钝化膜3的整个面，使用抗蚀剂和光刻使该形成的金属(例如，银)图案化从而形成电极5、6(图6的工序(k))。另外，对于图6的工序(k)，虽未图示，但电极4也可与电极5、6同时形成。
在工序(k)后，作为导电性联接层7通过印刷等使低融点锡浆料在电极5、6上的多个部位形成为点状(图6的工序(l))。另外，此时，作为导电性联接层7低融点焊锡浆料在电极4上也形成为点状。
接着，准备150μm左右的绝缘性的布线基板81，布线82、83分别与电极4、6以及电极5大致正交，在规定的位置调节位置以获取电连接从而将半导体基板1与布线基板8联接。并且，从两面对粘贴的半导体基板1以及布线基板8施加压力并进行加热等，从而进行电接合。由此，完成光电转换装置10(图6的工序(m))。
另外，对于布线基板8，通过在绝缘性基板81的整个面形成铜等金属，通过蚀刻等去除该形成的金属的一部分并进行图案化从而形成布线基板8。
在光电转换装置10中，在半导体基板1的一方的表面上，包含沿y轴方向分离地配置的多个p型扩散层的p型扩散层11以包围n型扩散层12的周围的方式配置。
此外，在光电转换装置10中配置有：配置于多个p型扩散层11上并以x轴方向为长度方向的多个电极40、和配置于多个n型扩散层12上并以x轴方向为长度方向的多个电极50。
而且，在光电转换装置10中设置有配置于x轴方向上的n型扩散层12的两端、与x轴方向上的半导体基板1的端之间的多个电极6。
而且，在光电转换装置10中形成有：配置于y轴方向上相邻的电极4间并阻碍与电极5的电连接的非连接区域15；以及配置于y轴方向上相邻的电极5之间并阻碍与电极4的电连接的非连接区域16。
并且，布线基板8包含沿y轴方向配置的布线82、83，布线82与电极4、6电连接，布线83与电极5电连接。
此外，电极4在x轴方向上，以比电极5向半导体基板1的端部侧延伸的方式配置，电极6配置于x轴方向上的电极5的延长线上且y轴方向上相邻的电极4间，并与布线82电连接。
而且，电极4未以包围电极5的方式连续，并由在x轴方向上配置的多个电极50构成。因此，难以因图案化而受到布线的断裂等的影响。此外，电极50为简单的形状，因此能够容易地制作图案化掩模。
而且，电极4朝向半导体基板1的端部延长，因此能够进一步收集该部分所产生的载流子。此外，与在半导体基板的端部处电极4以包围电极5的方式连续的情况相比，难以受到半导体基板的端部附近的形状变化的影响，且图案化掩模的设计以及图案化的对位变容易，能够减少图案化的不良。
而且，通过在y轴方向上的电极4间设置电极6，能够进一步收集该部分所产生的载流子。通过独立地设置电极6，图案化的形状的稳定性进一步增加，并且对位的容易性增加，即使电极6的形状稍微变化，也能够良好地实施载流子的收集。
而且，在电极与布线平行地设置的情况下，以不与电极5接触的方式使电极6与布线82连接比较困难，但通过以y轴方向为长度方向，设置多个布线82，设置电极4间独立的电极6，从而能够使电极6与布线82连接。特别是，能够在半导体基板1的端部获得良好的电极6与布线82的连接。其结果为，在光电转换装置10中可获得稳定的特性。此外，可提高光电转换装置10的成品率。而且，可减少长期使用光电转换装置10时的特性的下降，能够提高可靠性。
在所述方式中，对半导体基板1由n型单晶硅基板构成进行了说明，但在第一实施方式中，并不限于此，半导体基板1也可以由n型多晶硅基板、p型单晶硅基板以及p型多晶硅基板中的任意一者构成。
在半导体基板1由p型单晶硅基板或p型多晶硅基板构成的情况下，只要将所述的说明中的p型扩散层11以及n型扩散层12相互替换即可。
此外，在所述方式中，对电极6在x轴方向上的n型扩散层12的两端侧配置于n型扩散层12与半导体基板1的端部之间进行了说明，但在第一实施方式中，并不限于此，电极6在x轴方向上的n型扩散层12的两端的至少一方的端部侧，配置于n型扩散层12的至少一方的端部与半导体基板1的端部之间即可。
而且，在光电转换装置10中，p型扩散层11也可以由沿x轴方向分离地配置的多个p型扩散层构成，n型扩散层12也可以由沿x轴方向分离地配置的多个n型扩散层构成。
[第二实施方式]
图7A至图7C分别为第二实施方式的光电转换装置的第一至第三俯视图。图8为图7A～图7C所示的线VIII-VIII间的光电转换装置的剖视图。图9为图7A～图7C所示的线IX-IX间的光电转换装置的剖视图。另外，图7A为从与光入射侧相反侧观察到的光电转换装置的第一非晶质半导体层、第二非晶质半导体层以及电极的俯视图。图7B为从与光入射侧相反侧观察到的光电转换装置的导电联接层以及非连接区域的俯视图。图7C为从与光入射侧相反侧观察到的光电转换装置的布线、绝缘性基板的俯视图。在该图中，透过绝缘性基板81可观察到布线。此外，在图7A～图7C、图8以及图9中，对x轴、y轴以及z轴进行限定。
参照图7A～图7C、图8以及图9，在第二实施方式的光电转换装置10A中，将图1A～图1C、图2以及图3所示的光电转换装置10的半导体基板1替换为半导体基板1A，将钝化膜3替换为多个第一非晶质半导体层31以及多个第二非晶质半导体层32，其他与光电转换装置10相同。
半导体基板1A例如由n型单晶硅基板构成，并具有100～200μm的厚度。此外，半导体基板1A例如具有(100)的面取向以及1～10Ωcm的电阻率。并且，半导体基板1A在光入射侧的表面具有绒面结构。
多个第一非晶质半导体层31分离地配置于半导体基板1A的与光入射侧的表面相反侧的表面。在该情况下，多个第一非晶质半导体层31在x-y平面上以包围多个第二非晶质半导体层32的周围的方式配置。并且，多个第一非晶质半导体层31各自包含i型非晶质半导体层311和p型非晶质半导体层312。
i型非晶质半导体层311以与半导体基板1A接触的方式配置于半导体基板1A上。i型非晶质半导体层311例如由i型非晶硅、i型非晶碳化硅、i型非晶氮化硅、i型非晶氧化硅以及i型非晶氮氧化硅等构成。并且，i型非晶质半导体层311例如具有5～30nm的膜厚。
“i型”是指，不仅包含完全的本征的状态，还包含如果是充分低浓度(n型杂质浓度小于1×10 15个/cm 3且p型杂质浓度小于1×1015个/cm 3)则混入有n型或p型的杂质的状态。
此外，在本发明的实施方式中，在“非晶硅”中，不仅包含硅原子的悬键(悬挂键)未以氢为末端的非晶硅，还包含氢化非晶硅等的硅原子的悬键以氢等为末端的物质。
p型非晶质半导体层312以与i型非晶质半导体层311接触的方式配置于i型非晶质半导体层311上。p型非晶质半导体层312例如由p型非晶硅、p型非晶碳化硅、p型非晶氮化硅、p型非晶氧化硅以及p型非晶氮氧化硅等构成。并且，p型非晶质半导体层312具有例如5～30nm的膜厚。
作为p型非晶质半导体层312中包含的p型杂质，例如能够使用硼(B)。此外，在本发明的实施方式中，“p型”是指，p型杂质浓度为1×10 15个/cm 3以上的状态。
多个第二非晶质半导体层32在半导体基板1A的与光入射侧的表面相反侧的表面上，沿第一非晶质半导体层31的宽度方向(y轴方向)与多个第一非晶质半导体层31交替地配置。并且，多个第二非晶质半导体层32各自包含i型非晶质半导体层321和n型非晶质半导体层322。
i型非晶质半导体层321以与半导体基板1A接触的方式配置于半导体基板1A上。i型非晶质半导体层321例如由i型非晶硅、i型非晶碳化硅、i型非晶氮化硅、i型非晶氧化硅以及i型非晶氮氧化硅等构成。并且，i型非晶质半导体层321具有例如5～30nm的膜厚。
n型非晶质半导体层322以与i型非晶质半导体层321接触的方式配置于i型非晶质半导体层321上。n型非晶质半导体层322例如由n型非晶硅、n型非晶碳化硅、n型非晶氮化硅、n型非晶氧化硅以及n型非晶氮氧化硅等构成。并且，n型非晶质半导体层322具有例如5～30nm的膜厚。
另外，作为n型非晶质半导体层322中包含的n型杂质，例如能够使用磷(P)。此外，在本发明的实施方式中，“n型”是指n型杂质浓度为1×10 15个/cm 3以上的状态。
电极4、5、6的设置以及布线基板8的连接，能够与第一实施方式同样地实施。
图10至图12分别为表示图7A～图7C、图8以及图9所示的光电转换装置10A的制造工序的第一至第三工序图。另外，图10至图12所示的工序图使用图7A～图7C所示的线VIII-VIII间的剖视图来示出。
参照图10，当开始光电转换装置10A的制造时，依次执行与图4所示的工序(a)～工序(d)相同的工序。由此，获得半导体基板1A(图10的工序(c))，反射防止膜2形成于半导体基板1A的光入射侧的表面(图10的工序(d))。
在工序(d)后，在半导体基板1A的与形成有绒面结构的表面相反侧的表面依次形成i型非晶质半导体层24以及p型非晶质半导体层25(图10的工序(e))。i型非晶质半导体层24以及p型非晶质半导体层25的形成方法并不特别限定，但例如可使用等离子CVD(Chemical Vapor Deposition)法。
在i型非晶质半导体层24由i型非晶硅、i型非晶碳化硅、i型非晶氮化硅、i型非晶氧化硅以及i型非晶氮氧化硅等构成的情况下，使用等离子CVD法形成i型非晶质半导体层24时的条件是公知的，因此能够使用该公知的条件形成i型非晶质半导体层24。
此外，在p型非晶质半导体层25由p型非晶硅、p型非晶碳化硅、p型非晶氮化硅、p型非晶氧化硅以及p型非晶氮氧化硅等构成的情况下，使用等离子CVD法形成p型非晶质半导体层25时的条件是公知的，因此能够使用该公知的条件形成p型非晶质半导体层25。
在工序(e)后，在p型非晶质半导体层25上涂布蚀刻浆料26(图11的工序(f))。在此，作为蚀刻浆料26，如果能够对i型非晶质半导体层24以及p型非晶质半导体层25的层压体进行蚀刻，则并不特别限定。
接着，通过对蚀刻浆料26进行加热从而可沿厚度方向对i型非晶质半导体层24以及p型非晶质半导体层25的层压体的一部分进行蚀刻(图11的工序(g))。由此，使半导体基板1A的背面(与形成有绒面结构的面相反侧的表面)的一部分露出。此外，形成有包含i型非晶质半导体层311以及p型非晶质半导体层312和多个第一非晶质半导体层31。
并且，以与半导体基板1A的背面的露出面以及p型非晶质半导体层312接触的方式形成i型非晶质半导体层27，之后，以与i型非晶质半导体层27的整个面接触的方式形成n型非晶质半导体层28(图11的工序(h))。i型非晶质半导体层27以及n型非晶质半导体层28的形成方法并不特别限定，但例如可使用等离子CVD法。
在i型非晶质半导体层27由i型非晶硅、i型非晶碳化硅、i型非晶氮化硅、i型非晶氧化硅以及i型非晶氮氧化硅等构成的情况下，使用等离子CVD法形成i型非晶质半导体层27时的条件是公知的，因此能够使用该公知的条件形成i型非晶质半导体层27。
此外，在n型非晶质半导体层28由n型非晶硅、n型非晶碳化硅、n型非晶氮化硅、n型非晶氧化硅以及n型非晶氮氧化硅等构成的情况下，使用等离子CVD法形成n型非晶质半导体层28时的条件是公知的，因此能够使用该公知的条件形成n型非晶质半导体层28。
在工序(h)后，在n型非晶质半导体层28上涂布蚀刻掩模29(图11的工序(i))。作为蚀刻掩模29，如果在对i型非晶质半导体层27以及n型非晶质半导体层28的层压体进行蚀刻时能够作为掩模发挥功能，则并不特别限定。
接着，将蚀刻掩模29用作掩模来实施蚀刻，沿厚度方向对i型非晶质半导体层27以及n型非晶质半导体层28的层压体的一部分进行蚀刻，之后，去除蚀刻掩模29。由此，使p型非晶质半导体层312的表面的一部分露出(图12的工序(j))。此外，形成有包含i型非晶质半导体层321以及n型非晶质半导体层322的多个第二非晶质半导体层32。
并且，在p型非晶质半导体层312上形成电极6，在n型非晶质半导体层322上形成电极5(图12的工序(k))。另外，虽在工序(k)中未图示，但与电极5、6的形成同时地，电极4形成于p型非晶质半导体层312上。在此，电极4～6通过金属掩模等掩模利用溅镀或蒸镀来形成。在金属掩模中，欲形成电极的位置被开口，为了维持金属掩模的机械强度，存在有开口与不开口的部分的比率、最小开口宽度、以及形状等的限制，因此理想的是开口为矩形等简单的形式。此外，与开口处于各种不同位置的情况相比，排列好开口更易于维持机械强度。此外，如此形成的电极4～6有时会根据开口宽度和形成条件而膜厚从周边部朝向中心部变厚。
在工序(k)后，作为导电性联接层7而通过印刷等使低融点焊锡浆料在电极4～6上的多个部位形成为点状(图12的工序(l))。
接着，准备150μm左右的绝缘性基板81，布线82、83分别与电极4、6以及电极5大致正交，调节位置以在规定的位置获得电连接从而将半导体基板1A与布线基板8粘贴。并且，从两面对粘贴的半导体基板1A以及布线基板8施加压力并进行加热等，从而进行电接合。由此，完成光电转换装置10A(图12的工序(m))。
在光电转换装置10A中，也可获得与上述的光电转换装置10相同的效果。
另外，在光电转换装置10A中，第一非晶质半导体层31也可以由沿x轴方向分离地配置的多个第一非晶质半导体层构成，第二非晶质半导体层32也可以由沿x轴方向分离地配置的多个第二非晶质半导体层构成。
第二实施方式中的其他说明与第一实施方式中的说明相同。
[第三实施方式]
图13A至图13C分别为第三实施方式的光电转换装置的第一至第三俯视图。另外，图13A为从与光入射侧相反侧观察到的光电转换装置的p型扩散层、n型扩散层以及电极的俯视图。图13B为从与光入射侧相反侧观察到的光电转换装置的导电联接层以及非连接区域的俯视图。图13C为从与光入射侧相反侧观察到的光电转换装置的布线、绝缘性基板的俯视图。在该图中，透过绝缘性基板81可观察到布线。此外，在图13A～图13C中，对x轴、y轴以及z轴进行限定。
参照图13A～图13C，在第三实施方式光电转换装置10B中，将图1A～图1C、图2以及图3所示的光电转换装置10的电极6替换为电极6A，其他与光电转换装置10相同。
电极6A在x轴方向上的n型扩散层12的两端侧配置于n型扩散层12与半导体基板1的端部之间。并且，电极6A优选配置于x轴方向上的n型扩散层12的延长线上。
电极6A包含电极61、62。电极61、62各自具有与上述的电极6相同的尺寸以及厚度，并由与电极6相同的材料构成。
电极61、62各自通过导电性联接层7与布线82连接。
在光电转换装置10B中，电极6A包含两个电极61、62，并配置于y轴方向上相邻的电极4间，因此在靠近半导体基板1的端部的区域，能够收集更多的载流子。其结果为，在光电转换装置10B中，与光电转换装置10相比能够提高特性。
光电转换装置10B根据图4至图6所示的工序(a)～工序(m)来制造。
另外，第三实施方式的光电转换装置也可以是，将与从光电转换装置10向光电转换装置10B的变更相同的变更应用于图7A～图7C、图8以及图9所示的光电转换装置10A的光电转换装置。
在所述方式中，对电极6A在x轴方向上的n型扩散层12的两端侧配置于n型扩散层12与半导体基板1的端部之间进行了说明，但在第三实施方式中，并不限于此，电极6A在x轴方向上的n型扩散层12的两端的至少一方的端部侧，配置于n型扩散层12的至少一方的端部与半导体基板1的端部之间即可。
第三实施方式中的其他说明与第一、二实施方式中的说明相同。
[第四实施方式]
图14A至图14C分别为第四实施方式的光电转换装置的第一至第三俯视图。另外，图14A为从与光入射侧相反侧观察到的光电转换装置的p型扩散层、n型扩散层以及电极的俯视图。图14B为从与光入射侧相反侧观察到的光电转换装置的导电联接层以及非连接区域的俯视图。图14C为从与光入射侧相反侧观察到的光电转换装置的布线、绝缘性基板的俯视图。在该图中，透过绝缘性基板81可观察到布线。此外，在图14A～图14C中，对x轴、y轴以及z轴进行限定。
参照图14A～图14C，在第四实施方式的光电转换装置10C中，将图1A～图1C、图2以及图3所示的光电转换装置10的电极6替换为电极6B，其他与光电转换装置10相同。
电极6B在x轴方向上的n型扩散层12的两端侧配置于n型扩散层12与半导体基板1的端部之间。并且，电极6B优选配置于x轴方向上的n型扩散层12的延长线上。
在电极6B中，y轴方向上的长度(＝宽度)比电极6的宽度宽且与电极5的宽度实质上相同。在此，电极6B的宽度与电极5的宽度实质上相同是说，y轴方向上的主要部分的大概的宽度且能够通过目视而视作相同的程度的相同性。这是由于，通过如此设置，例如在通过金属掩模的制膜形成电极的情况下，也难以受到金属掩模的强度设计的限制，针对电极宽度、电极的形状，能进一步实施最佳的电极设计。
电极6B具有上述的电极6相同的厚度，并由与电极6相同的材料构成。并且，电极6B通过导电性联接层7与布线82连接。
在光电转换装置10C中，电极6B的宽度比电极6宽且配置于y轴方向上相邻的电极4间，因此在靠近半导体基板1的端部的区域，能够收集更多的载流子。其结果为，在光电转换装置10C中，与光电转换装置10相比能够提高特性。
光电转换装置10C根据图4至图6所示的工序(a)～工序(m)来制造。
另外，第四实施方式的光电转换装置也可以是，将与从光电转换装置10向光电转换装置10C的变更相同的变更应用于图7A～图7C、图8以及图9所示的光电转换装置10A的光电转换装置。
在所述方式中，对电极6B在x轴方向上的n型扩散层12的两端侧配置于n型扩散层12与半导体基板1的端部之间进行了说明，但在第四实施方式中，并不限于此，电极6B在x轴方向上的n型扩散层12的两端的至少一方的端部侧，配置于n型扩散层12的至少一方的端部与半导体基板1的端部之间即可。
第四实施方式中的其他说明与第一、第二实施方式中的说明相同。
[第五实施方式]
图15为第五实施方式的太阳能电池串的俯视图。另外，图15为从与光入射侧观察到的太阳能电池串的俯视图。
参照图15，第五实施方式的太阳能电池串100具备布线基板110和多个太阳能电池120。
多个太阳能电池120例如呈4行×6列配置于布线基板110上。并且，多个太阳能电池120例如被电连接且串联连接。
多个太阳能电池120各自包含：具备上述的光电转换装置10、10B、10C中的、半导体基板1、反射防止膜2、电极4～6(或6A、6B)的构成、或具备上述的光电转换装置10A中的、半导体基板1A、多个第一非晶质半导体层31、多个第二非晶质半导体层32、电极4～6(或6A、6B)的构成。
图16为图15所示的布线基板110的俯视图。参照图16，布线基板110具备绝缘性基板111和布线112～114。
作为绝缘性基板111，能够使用绝缘性的基材，例如能够使用聚酯、聚邻苯二甲酸乙二醇酯或聚酰亚胺等的膜。并且，绝缘性基板111具有与绝缘性基板81相同的厚度。
布线112包含多个布线1121和布线1122。多个布线1121相互排列配置，一侧端部与布线1122连接，并且从布线1122向一侧的方向突出。
布线113包含布线1131、多个布线1132、以及多个布线1133。多个布线1132相互排列配置，多个布线1133相互排列配置。
多个布线1132的一侧端部与布线1131连接，并从布线1131向一侧的方向突出。
多个布线1133的一侧端部与布线1131连接，并从布线1131向与多个布线1132的突出方向相反方向突出。
布线114包含多个布线1141和布线1142。多个布线1141相互排列配置，一侧端部与布线1142连接，并且从布线1142向一侧的方向突出。
布线基板110包含将两个布线112、18个布线113、5个布线114配置于绝缘性基板111上的构成。在该情况下，在布线112、113间，布线112的多个布线1121以与布线113的多个布线1132咬合的方式配置。此外，在相邻的两个布线113间，一方的布线113的多个布线1132以与另一方的布线113的多个布线1133咬合的方式配置。而且，在布线113、114间，布线113的多个布线1132或多个布线1133以与布线114的多个布线1141咬合的方式配置。
其结果为，通过将24个太阳能电池120呈4行×6列配置于布线基板110上，24个太阳能电池120被电连接且串联连接。
布线112～114各自由导电性材料构成，例如由铜、镀银铜、镀锡铜等构成。
另外，布线1131以及多个布线1132、1133、1141能够以如下方式形成：例如在绝缘性基板111的表面的整个面形成金属膜等导电膜后，通过蚀刻等去除其一部分而进行图案化从而来形成。
例如通过一直以来公知的方法利用树脂等对如此获得的带布线基板的背面接合型太阳能电池串100进行密封，从而能够制作太阳能电池组件。
利用作为密封材料的EVA(乙酰乙酸乙烯酯)膜夹入如此连接的太阳能电池串100，而且，利用由作为表面保护层的玻璃板和丙烯酸树脂等形成的背面膜夹持该EVA膜。当对进入EVA膜间的气泡进行减压而排出(层压)并进行加热(硬化)时，EVA固化而背面接合型太阳能电池被密封。之后，向其外周嵌入作为外框的铝框，将接线盒连接于向外部延伸的一对外部端子，从而完成太阳能电池组件。
对于这样的构成的太阳能电池组件，在构成太阳能电池组件的各个背面接合型太阳能电池(太阳能电池120)中，也发现了特性提高效果，因此太阳能电池组件的特性协同地提高，此外，构成太阳能电池组件的背面接合型太阳能电池(太阳能电池120)彼此的连接也分别变容易，因此太阳能电池组件的制作也变容易，并且提高了可靠性。
以下，对实施例进行说明。
(实施例1)
在实施例1中，根据第二实施方式制作光电转换装置，并进行了其特性的评价。以下对制作具体地进行说明。
首先，从156mm的n型的块硅上裁切150μm的厚度的硅片，并实施用于去除硅片表面的损伤层的蚀刻和用于调节厚度的蚀刻。在实施了这些蚀刻的硅片的单面形成保护膜。作为保护膜形成氮化硅膜。使用KOH:1～5wt％，异丙醇:1～10wt％的水溶液对形成有保护膜硅片进行了湿蚀刻。在蚀刻后去除保护膜。
接下来，在半导体基板1A的受光面上形成由硅氧化膜和氮化硅膜构成的反射防止膜2。首先，对半导体基板1A的表面进行热氧化而在半导体基板1A的受光面上形成氧化膜，之后，在受光面的氧化膜上形成氮化硅膜从而形成反射防止膜2。
接着，作为i型非晶质半导体层311，实质上为本征且通过等离子CVD装置形成5nm含有氢的非晶硅膜。对于导入至等离子CVD装置所具备的反应室的反应气体，使用了硅烷气体、氢气。并且，将半导体基板1A的温度设定为200℃，将氢气流量设定为100sccm，将硅烷气体(SiH 4)流量设定为40sccm，将反应室内的压力设定为100Pa，将高频(13.56MHz)电力的密度设定为10mW/cm 2而进行成膜。
接下来，在i型非晶质半导体层311上形成10nm p型非晶质半导体层312。
p型非晶质半导体层312使用等离子CVD法来形成。对于导入至等离子CVD装置所具备的反应室的反应气体，使用了硅烷气体、氢气、以及被氢稀释的乙硼烷(B2H6)气体(乙硼烷浓度为2％)。并且，将氢气流量设定为100sccm，将硅烷气体流量设定为40sccm，将乙硼烷气体流量设定为40sccm，将半导体基板1A的温度设定为200℃，将反应室内的压力设定为100Pa，将高频(13.56MHz)电力的密度设定为10mW/cm 2而进行了成膜。
在p型非晶质半导体层312上通过丝网印刷涂布市售的蚀刻浆料26。接着，以200℃对蚀刻浆料26加热10分钟，从而沿厚度方向对i型非晶质半导体层24以及p型非晶质半导体层25的层压体的一部分进行蚀刻。蚀刻的硅膜以及蚀刻浆料26的固溶物浸渍于超声波清洗槽10分钟而将其去除。由此，如图11的工序(g)所示，使半导体基板1A的背面的一部分露出。
接着，作为i型非晶质半导体层27，实质上为本征且通过等离子CVD装置形成5nm含有氢的非晶硅膜。对于导入至等离子CVD装置所具备的反应室的反应气体，使用了硅烷气体、氢气。并且，将半导体基板1A的温度设定为200℃，将氢气流量设定为100sccm，将硅烷气体(SiH 4)流量设定为40sccm，将反应室内的压力设定为100Pa，将高频(13.56MHz)电力的密度设定为10mW/cm 2而进行了成膜。
接下来，在i型非晶质半导体层27上形成10nm n型非晶质半导体层28。
n型非晶质半导体层28使用等离子CVD来形成。对于导入至等离子CVD装置所具备的反应室的反应气体，使用了硅烷气体、氢气、以及被氢稀释的磷化氢(PH 3)气体(磷化氢浓度例如为1％)。并且，将半导体基板1A的温度设定为170℃，将氢气流量设定为100sccm，将硅烷气体流量设定为40sccm，将磷化氢气体流量设定为40sccm，将反应室内的压力设定为40Pa，将高频(13.56MHz)电力的密度设定为8.33mW/cm 2而进行了成膜。
接着，如图11的工序(i)所示，在n型非晶质半导体层28上通过丝网印刷由涂布市售的抗蚀剂构成的蚀刻掩模29，并进行了充分干燥。接着，将蚀刻掩模29作为掩模，并浸渍于1％的KOH液。通过进行蚀刻，沿厚度方向对i型非晶质半导体层27以及n型非晶质半导体层28的层压体的一部分进行蚀刻，使p型非晶质半导体层312一部露出。之后，通过SPM清洗液去除蚀刻掩模29。
接着，在n型非晶质半导体层322的形成后，在n型非晶质半导体层322以及p型非晶质半导体层312上分别形成了电极5以及电极4、6。
为了制作这样的图案，制作了电极5、电极6的金属掩模、电极4的金属掩模。
首先，作为电极5以及电极6，将金属掩模配置于半导体基板1A上，通过溅镀法以200nm的厚度形成银电极。之后，作为电极4，通过溅镀法以200nm的厚度形成银电极。
金属掩模的图案如下所示。
将电极5的宽度设为300μm，将电极4的宽度设为800μm，将重复间距设为1.5mm。电极5的外缘部的端部比半导体基板1A的端部靠内侧1000μm，电极4的外缘部的端部比半导体基板1A的端部靠内侧500μm。电极6的位置以从电极4的端部空开200μm的方式设置，将宽度设为200μm，将长度设为300μm。非开口部的宽度设为200μm。对于金属掩模的厚度，鉴于机械强度而设为200μm。此外，鉴于机械强度，开口沿长边方向按照约每10mm进行分割，从而设置了200μm的非开口部。
接着，如图12的工序(l)所示，为了在电极5的一部分形成非连接区域15，通过丝网印刷涂布市售的绝缘性的树脂。接着，在电极4的一部分同样地形成非连接区域16。
接着，在电极5、电极4以及电极6上导电性联接剂7，而通过印刷形成由市售的主成分为铋以及锡构成的低融点焊锡。
接着，如图12的工序(m)所示，准备布线基板8，电极4以及电极5分别与布线82、83大致正交，调节位置以在规定的位置获得电连接，从而将半导体基板1A与布线基板8粘贴。
接着，从两面对粘贴的半导体基板1A和布线基板8施加压力，并以200度加热10分钟，从而进行了电接合。如此，制作20张带布线基板的背面接合太阳能电池。
通过目视以及光学显微镜观察以上那样制作而成的背面接合型太阳能电池的外缘部。其结果为，在基板的端部，电极4以及电极6被漂亮地图案化。
之后，利用市售的玻璃、由PET树脂构成的背板、EVA夹持半导体基板1A，并进行层压来制作组件。
(实施例2)
除通过图13A所示的图案制作电极6A以外，与实施例1相同。为了制作这样的图案，制作了电极5与电极6A的一部分的金属掩模和电极4与电极6A的一部分的金属掩模。
首先，电极5以及电极6A的一部分配置于金属掩模半导体基板1A上，通过溅射法以200nm的厚度形成银电极。之后，在电极4以及电极6A的一部分通过溅射法以200nm的厚度形成银电极。如此，制作20张带布线基板的背面接合太阳能电池。其他与实施例1同样地进行制作。
通过目视以及光学显微镜观察以上那样制作而成的背面接合型太阳能电池的外缘部。其结果为，在基板的端部，电极4以及电极6A被漂亮地图案化。
(实施例3)
除通过图14A所示的图案制作电极6B以外，与实施例1相同。作为电极5以及电极4、6B，将整体的金属掩模配置于半导体基板1A上，通过溅镀法以200nm的厚度形成银电极。
如此，制作20张带布线基板的背面接合太阳能电池100。其他与实施例1同样地进行制作。
通过目视以及光学显微镜观察以上那样制作而成的背面接合型太阳能电池的外缘部。其结果为，在基板的端部，电极4以及电极6B被漂亮地图案化。
(比较例1)
作为比较例1，不设置电极6(或6A或6B)以及非连接区域15、16，而以电极4包围电极5并处于半导体基板1A的外缘部500μm以内的方式制作电极4、5。
接着，准备布线基板8，电极4、5分别与布线82、83大致平行，调节位置以在规定的位置获得电连接，从而将半导体基板1A与布线基板8联接。
接着，从两面对粘贴的半导体基板1A与布线基板8施加压力，并以200度加热10分钟等，从而进行电接合。如此，制作20张带布线基板的背面接合太阳能电池。其他与实施例1同样地来制作。
通过目视以及光学显微镜观察上述那样制作的背面接合型太阳能电池的外缘部。其结果为，在基板的端部，观察到了一部分电极的突出。此外，观察到了因图案化不良而存在有电极断裂的部位的基板。
在使用太阳模拟器测量制作的光电转换装置的转换效率从而计算出平均值时，与实施例1的转换效率相比，实施例2的转换效率为1.01，实施例3的转换效率为1.01，比较例1的转换效率为0.93。可知与比较例1相比，实施例1、2、3具有优异的特性。
在比较例中，明显有一张产生了由被视作电极的形成不良的绝缘不良引起的特性下降，但实施例1～3全部获得了良好的连接。
此外，在将制作的光电转换装置放置于温度85℃、湿度85％的高温高湿槽一个月后，再次使用太阳模拟器测量转换效率时，与实施例1的转换效率相比，实施例2的转换效率为0.99，实施例2的转换效率为1.01，比较例1的转换效率为0.91。可知与比较例1相比，实施例1～3具有优异的特性。
在本发明的实施方式中，y轴方向构成“第一方向”，x轴方向构成“第二方向”。
此外，在本发明的实施方式中，沿y轴方向配置的多个n型扩散层12或多个第二非晶质半导体层32构成“多个第一半导体层”，沿y轴方向配置的多个p型扩散层11或多个第一非晶质半导体层31构成“多个第二半导体层”。
而且，在本发明的实施方式中，沿x轴方向配置的多个电极50构成“多个第一电极”，沿x轴方向配置的多个电极40构成“多个第二电极”。
应认为此次公开的实施方式的所有方面为例示并不用于限制本发明。本发明的保护范围通过权利要求书示出而不是所述的实施方式的说明，并意图在于包含与保护范围均等的意思以及范围内的所有变更。
产业上的可利用性
本发明可应用于光电转换装置、具备其的太阳能电池串、以及具备它们任意一者的太阳能电池组件。

Claims (8)

1.一种光电转换装置，其特征在于，包括：
半导体基板，其具有第一导电型；
第一半导体层，其包含所述半导体基板的一侧的面上沿第一方向分离地配置的区域，并具有所述第一导电型；
第二半导体层，其包含所述半导体基板的一侧的面上沿所述第一方向与所述第一半导体层交替地配置的区域，并具有与所述第一导电型相反的第二导电型；
多个第一电极，其在所述第一半导体层上沿所述第一方向分离地配置，并以与所述第一方向正交的第二方向为长度方向；
多个第二电极，其在所述第二半导体层上沿所述第一方向分离地配置，并以所述第二方向为长度方向；
第一布线，其在所述第一方向上与所述多个第一电极电连接；
第二布线，其在所述第一方向上与所述多个第二电极电连接；
第一非连接区域，其配置于所述第一方向上相邻的所述第二电极之间，并阻碍所述第一电极与所述第二布线的电连接；
第二非连接区域，其配置于所述第一方向上相邻的所述第一电极之间，并阻碍所述第二电极与所述第一布线的电连接；以及
多个第三电极，其配置于所述第二方向上的所述第一半导体层的两端中的至少一方的端部、与所述一方的端侧的所述半导体基板的端部之间，并与所述第二布线电连接。
2.根据权利要求1所述的光电转换装置，其特征在于，
在所述第二方向上，所述第二电极的两端中的至少一方的端部配置于比所述第一电极的端部靠所述半导体基板的端侧。
3.根据权利要求1所述的光电转换装置，其特征在于，
所述第三电极配置于所述第二方向上的所述第一电极的延长线上。
4.根据权利要求3所述的光电转换装置，其特征在于，
所述第三电极的宽度与所述第一电极的宽度实质上相同。
5.根据权利要求1所述的光电转换装置，其特征在于，
所述第三电极在所述第二方向上的所述半导体基板的端部，配置于沿所述第一方向分离地配置的所述第二电极之间。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的光电转换装置，其特征在于，
所述第一以及第二半导体层中的至少一方为非晶质半导体层。
7.一种太阳能电池串，其特征在于，包括：
多个光电转换元件；以及
布线基板，其与所述多个光电转换元件电连接，
所述多个光电转换元件的每一个包含：
半导体基板，其具有第一导电型；
第一半导体层，其包含所述半导体基板的一侧的面上沿第一方向分离地配置的区域，并具有所述第一导电型；
第二半导体层，其包含所述半导体基板的一侧的面上沿所述第一方向与所述第一半导体层交替地配置的区域，并具有与所述第一导电型相反的第二导电型；
多个第一电极，其在所述第一半导体层上沿所述第一方向分离地配置，并以与所述第一方向正交的第二方向为长度方向；
多个第二电极，其在所述第二半导体层上沿所述第一方向分离地配置，并以所述第二方向为长度方向；
第一非连接区域，其配置于所述第一方向上相邻的所述第二电极之间；
第二非连接区域，其配置于所述第一方向上相邻的所述第一电极之间；以及
多个第三电极，其配置于所述第二方向上的所述第一半导体层的两端中的至少一方的端部、与所述一方的端侧的所述半导体基板的端部之间，
所述布线基板包含：
第一布线，其在所述第一方向上与所述多个第一电极电连接；以及
第二布线，其在所述第一方向上与所述多个第二电极以及所述多个第三电极电连接，
所述第一非连接区域阻碍所述第一电极与所述第二布线的电连接，
所述第二非连接区域阻碍所述第二电极与所述第一布线的电连接。
8.一种太阳能电池组件，其特征在于，
利用树脂密封权利要求1至权利要求6中任一项所述的光电转换装置或权利要求7所述的太阳能电池串。
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